JP2004134549A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
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Abstract
【課題】最も光出力の高い電極直下の発光成分を有効に取り出せる中心電極型発光ドットの利点を活かしながら、低抵抗で、且つ高出力の高密度発光ダイオードアレイとする。
【解決手段】各発光ドット20の光取出し領域1の形状を正方形或いは配列方向に長い長方形とし、その各光取出し領域1中に、光取出し領域1が発光ドットの配列方向(x方向)に3分割される二組の電極コンタクト層3及び電極2を、その二組全体が光取出し領域1のほぼ中心に位置するように配置し、これにより各電極2の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画1a、1b、1cが形成されるようにする。
【選択図】 図1
【解決手段】各発光ドット20の光取出し領域1の形状を正方形或いは配列方向に長い長方形とし、その各光取出し領域1中に、光取出し領域1が発光ドットの配列方向(x方向)に3分割される二組の電極コンタクト層3及び電極2を、その二組全体が光取出し領域1のほぼ中心に位置するように配置し、これにより各電極2の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画1a、1b、1cが形成されるようにする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LEDプリンタに使用するのに適した高密度の発光ダイオードアレイに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、高密度発光ダイオードアレイにおいては、平面図で見て、図6に示すように、その1つ1つの発光ダイオードつまり発光ドット40が、光取出し領域1の一辺(周辺部)に電極2を設けた構造である周辺電極型と、図7に示すように、発光ドット50が、光取出し領域1の中心部に電極2を設けた構造である中心電極型の2通りに分類される。
【0003】
図6に示す周辺電極型の発光ドット40の場合、順方向電圧Vfを下げる為、光取出し領域1のサイズに関わらず発光ドット40自体のサイズを大として順方向電圧Vfの低減に努めていた。しかし、周辺電極型発光ドット40では、電極2が光取出し領域1の周辺部にあるため、注入した電流を光取出し領域の全域に均等に拡げることが困難となる。つまり、図6に示す周辺電極型の発光ドット40の場合、電流を流したとき、電流がほとんど電極2直下に集中することより、光取出し領域1内には拡がらず、大幅に光出力を低下させていた。且つ、順方向電圧Vf自体も、光取出し領域1内に電流が拡がりにくいことにより、発光ドットサイズ大の効果が不充分となり、低減率が低かった。
【0004】
これに対し、図7に示す中心電極型の発光ドット50の場合、電極2が光取出し領域1の中央部にあるため、光出力については電極直下の発光成分を電極2の周りから取り出すことができる。このため、周辺電極型の発光ドット40よりは高出力が得られる。しかし、順方向電圧Vfの低減については、発光ドット50の縦幅がそのまま光取出し領域幅と一致する為、発光ドット50自体を大きくすることができない。このため、順方向電圧Vfの低減は、結晶自体の抵抗又は電極の接触抵抗を下げるしか策が無く、順方向電圧Vfを大幅に低減することが困難であった。
【0005】
そこで、中心電極型発光ダイオードアレイにおいては、図4(a)及び図5(a)に示す構造とすることが提案されている。
【0006】
図4(a)の中心電極型発光ダイオードアレイは、1つ1つの発光ドットにおける、光取出し領域1の中心部における電極2を、発光ドットの縦方向に引き延ばした構成とするものである。この電極2は光取出し領域1上に低抵抗電極用コンタクト層3を介して取り出され、当該電極2は上方の配線金属4に接続されている。そして配線金属4は、発光ドット中の光取出し領域外を被覆する構造となっている。更にメサ分離型発光ダイオードアレイにおいては、メサ部からの光の漏れを防ぐため、配線金属4が発光ドットの順メサとなる段差部を被覆した構造となっている。なお、光取出し領域1内の光出力分布は電極2の外周部が最も高くなることにより、電極2長が光出力に略比例関係にある。
【0007】
また図5(a)の中心電極型発光ダイオードアレイは、光取出し領域1の中心を縦断させて、発光ドット配列方向と直角な方向に、電極コンタクト層3の基幹部を延在させると共に、この基幹部からT字状に電極コンタクト層3の枝部を延在させ、この電極コンタクト層3上にその基幹部及び枝部の形状に倣って電極2を設けた構成としている。これは電極コンタクト層3を横方向にも伸ばすことにより、電流が発光面(光取出し領域1)内でより広がるようにして、発光面の端の電流密度を上げて光出力が高くなるようにするものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図4(b)に示すように、光取出し領域1の縦幅Y2に対し横幅Xが大の発光ドットとして高密度の発光ダイオードアレイを構成する場合、電極2の長さ(電極長)Y3が短くなることにより、発光ドット内での電流分散が悪化し、光出力の低下及び抵抗の増加につながってしまう。
【0009】
この対策としては、図5に示すように、中心電極2を周辺に引出す方法(図5(a))或いは中心電極2はそのままの配置とし低抵抗電極用コンタクト層3のみを周辺に引出す方法(図5(b))が有効と考えられる。
【0010】
しかし、これらの方法の場合、電流分散については改善され、発光ドットの抵抗を低減することができるが、光取出し領域外の配線金属4に被覆された領域下にも電流が流れ易くなったり、発光ドット自体の面積が大となることで、光取出し領域1下での電流密度が低下し、光出力の大幅な向上にはつながらなかった。
【0011】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、最も光出力の高い電極直下の発光成分を有効に取り出せる中心電極型発光ドットの利点を活かしながら、低抵抗で、且つ高出力の高密度発光ダイオードアレイを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0013】
請求項1の発明に係る発光ダイオードアレイは、光取出し領域の中央に電極コンタクト層を介して中心電極を設け、この中心電極を配線金属に接続した構成の中心電極型発光ドットを複数個直線的に配列した発光ダイオードアレイにおいて、各発光ドットの光取出し領域の形状を正方形或いは配列方向に長い長方形とし、その各光取出し領域中に、上記中心電極として、光取出し領域が発光ドットの配列方向に3分割されるように二組の電極コンタクト層及び電極を、その二組全体が光取出し領域のほぼ中心に位置するように配置し、これにより各電極の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画が形成されるようにしたことを特徴とする。
【0014】
請求項2の発明は、請求項1記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記二組の電極コンタクト層及び電極を、その両側に同じ幅の光取出し領域区画が形成されるように配置したことを特徴とする。
【0015】
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記二組の電極コンタクト層及び電極を、発光ドットの配列方向で見て同一の幅に形成し、且つ互いに平行に発光ドットの配列方向と直角な方向に延在させたことを特徴とする。
【0016】
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記発光ダイオードアレイの発光ドットの光取出し領域外の領域が配線金属により被覆されていることを特徴とする。
【0017】
請求項5の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記各発光ドットの配列方向と直角な方向に見て、上記各電極の長さが光取出し領域の長さの0.7倍〜1.0倍であることを特徴とする。
【0018】
<作用>
正方形或いは配列方向に長い長方形とした光取出し領域中に、中心電極として、2つの電極を、その全体が光取出し領域のほぼ中心に位置するように配置し、これにより光取出し領域が発光ドットの配列方向に3分割され、各電極の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画が形成されるようにしたものである。
【0019】
かかる構成によれば、発光ドットに通電したとき電流が2つの電極を介して分割して流れるため、光取出し領域内での電流分散が向上する。また、電極を2分割したことにより、最も電流が集中し高光出力が得られるところの電極外周部長が光取出し領域の縦幅の約2倍になることより、従来よりも高い光出力が得られる。
【0020】
さらにまた、低抵抗な電極コンタクト層も同様に拡がることになり、pn接合領域への電流分散を良好なものとすることができる。これにより発光ドットの順方向電圧Vfの低減を図ることができる。
【0021】
このように、光取出し領域を中心電極の中心に位置させる中心電極型の利点を活かし高光出力な発光ダイオードアレイを得ることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【0023】
図1〜図3は本発明の実施形態を説明するための図で、600DPI発光ダイオードアレイを構成する中心電極型発光ドット20のうちの一つを示す。この発光ドット20の構造は、メサ分離型ダブルヘテロ構造をもつGaAlAs系発光ドットである。
【0024】
各発光ドット20の光取出し領域1の形状は正方形或いは配列方向に長い長方形として形成され、その各光取出し領域1中には、二組の電極コンタクト層3及び電極2が、その二組全体が中心電極として光取出し領域1のほぼ中心に位置するように配置され、これにより光取出し領域1が発光ドットの配列方向(x方向)に3分割されて、各電極2の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画1a、1b、1cが形成されている。これは、互いに平行に離間する二つの電極2を一まとまりの中心電極として見たとき、これを電極コンタクト層3を介して光取出し領域1の中央に設け、その中心電極に配線金属に接続した構成となっており、いわゆる中心電極型の発光ドットに属する。
【0025】
図1は平面図であり、発光ドット20の配列方向をx、これに垂直な方向をyとしている。光取出し領域1のx方向の横幅Xが30μm、y方向の縦幅Y2が18μmで設計されている。発光ドット20の大きさはx方向の横幅Xが30μm、y方向の縦幅Y1が26μmで設計されている。低抵抗電極コンタクト層3は、横幅:5μm、縦幅:20μmで設計され、発光ドット20の配列方向に光取出し領域1が3分割されて配列方向と直角な方向(y方向)に延在する長方形の光取出し領域区画1a、1b、1cが形成されるように2つ配置され、且つ発光ドットの配列方向(x方向)に対し光取出し領域1の中心に位置する。
【0026】
p側コンタクト電極としての電極2は、AuZn/Ni/Auで形成され、横幅が2.5μmで、縦幅(電極長Y3)が光取出し領域1の縦幅Y2の約0.9倍の16μmで設計され、低抵抗電極コンタクト層3の中心にそれぞれ配置する。この電極長Y3は、光取出し領域の長さの0.7倍〜1.0倍まで長く延ばすことが有利であるが、光取出し領域外への電流分散による光出力の損失をも考慮し、この例では約0.9倍としている。
【0027】
また配線金属4はTi/Auで形成され、図2に示すように、発光ドット20内の光取出し領域1の外側領域及び順メサ段差部を被覆するように設計されている。また裏面には、共通電極として、n型電極5がAuGe/Ni/Auで形成されている。
【0028】
図2は図1中に記入したA−A線に沿って発光ドットを劈開した断面図、同様に図3はB−B線に沿って発光ドットを劈開した断面図である。
【0029】
n型GaAs基板6上にバッファー層となるn型GaAs層7、クラッド層となるn型GaAlAs層8、活性層となるp型GaAlAs層9、クラッド層となるp型GaAlAs層10、及びp型電極コンタクト層となる低抵抗のp型GaAs層3が形成されている。この結晶構造は、前述したようにダブルヘテロ構造でメサ分離型構造となっている。
【0030】
そして表面には保護膜としてガラス膜11、p電極2と接続した配線金属4、裏面にはn型電極5がそれぞれ形成されている。配線金属4は発光ドット上の光取出し領域1以外の領域を被覆するように形成され、且つ順メサによる段差部も被覆し、順メサ部から光が漏れない構造となっている。
【0031】
この図1〜図3に示した発光ドットに通電すると、電流は2つの電極2を介して分割して流れることになり、注入電流が発光ドットの横方向にもに拡散し易くなり発光ドット全体に拡がる。且つ最も電流が集中し高光出力が得られる電極2の外周部長が、光取出し領域1の縦幅(Y2)18μmの実質約2倍となることより光出力が向上する。
【0032】
実際に図4(b)に示した従来の中心電極型発光ドットを、本実施例の中心電極型発光ドットと同じ大きさで試作して特性を比較すると、発光波長が720nmの場合、5mA通電した場合の光出力は、従来型が90μwであるのに対し、本実施形態の発光ドットでは1.5倍の135μwが得られた。また5mA通電時の順方向電圧Vfは従来型で1.90Vであるのに対し、本実施形態の発光ドットの場合には1.80VとVf低減効果も確認できた。
【0033】
このように、本実施形態によれば、高光出力、且つ低抵抗の中心電極型メサ分離高密度発光ダイオードアレイが得られる。
【0034】
上記実施の形態では中心電極2長を光取出し領域幅の0.9倍の16μmで設計を行ったが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、この電極長Y3は光取出し領域1の縦幅Y2よりも長く延ばすことができるが、光取出し領域外への電流分散による光出力の損失を考慮すると、電極長Y3は光取出し領域1の縦幅Y2以下、好ましくは光取出し領域の長さの0.7倍〜1.0倍で設計することが望ましい。
【0035】
また上記実施形態では、光取出し領域区画1a〜1bを同じ幅としているが、そられの幅のうちの一つを他と異ならせても良い。また一対の電極2を互いに同一幅のものとして形成しているが、同じ光取出し領域1内での二つの電極2の幅を互いに異ならせても良い。更に、電極2及び電極コンタクト層3の配向方向は、実施形態ではy方向に一致させているが、y方向から少し傾けても良い。また二つの電極2及び電極コンタクト層3は、実施形態では互いに平行に設けているが、必ずしも平行に設けなくても良い。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、各発光ドットの光取出し領域の形状を正方形或いは配列方向に長い長方形とし、その各光取出し領域中に、上記中心電極として、光取出し領域が発光ドットの配列方向に3分割される二組の電極コンタクト層及び電極を、その二組全体が光取出し領域のほぼ中心に位置するように配置し、これにより各電極の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画が形成されるようにしたので、最も光出力の高い電極直下の発光成分を有効に取り出せる中心電極型発光ドットの利点を活かしながら、低抵抗で、且つ高出力の高密度発光ダイオードアレイが得られる。すなわち、発光ドットに通電したとき電流が2つの電極を介して分流するため、光取出し領域内での電流分散が向上する。また、電極を2分割したことにより、最も電流が集中し高光出力が得られる電極外周部長が、光取出し領域の縦幅の約2倍になるため、従来より高い光出力が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高密度発光ダイオードアレイの一実施形態に係る発光ドット部の構成を示した平面図である。
【図2】図1のA−A線断面図である。
【図3】図1のB−B線断面図である。
【図4】従来の発光ダイオードアレイの発光ドット部の構成を示した平面図で、(a)は光取出し領域が発光ドットの配列方向と直角な方向に長い形状である場合を、(b)は光取出し領域が発光ドットの配列方向に長い形状である場合を示した図である。
【図5】従来の他の発光ダイオードアレイの発光ドット部の構成を示した平面図で、(a)は中心電極をその端部からT字状に延在させた形態を、(b)はその中心電極の端部にT字状延在部がない形態を示した図である。
【図6】従来の周辺電極型発光ドットの平面図である。
【図7】従来の中心電極型発光ドットの平面図である。
【符号の説明】
1 光取出し領域
1a、1b、1c 光取出し領域区画
2 電極(p側コンタクト電極)
3 p型電極コンタクト層
4 配線金属
20 発光ドット
Y1 発光ドットの縦幅
Y2 光取出し領域幅(縦幅)
Y3 電極長(縦幅)
【発明の属する技術分野】
本発明は、LEDプリンタに使用するのに適した高密度の発光ダイオードアレイに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、高密度発光ダイオードアレイにおいては、平面図で見て、図6に示すように、その1つ1つの発光ダイオードつまり発光ドット40が、光取出し領域1の一辺(周辺部)に電極2を設けた構造である周辺電極型と、図7に示すように、発光ドット50が、光取出し領域1の中心部に電極2を設けた構造である中心電極型の2通りに分類される。
【0003】
図6に示す周辺電極型の発光ドット40の場合、順方向電圧Vfを下げる為、光取出し領域1のサイズに関わらず発光ドット40自体のサイズを大として順方向電圧Vfの低減に努めていた。しかし、周辺電極型発光ドット40では、電極2が光取出し領域1の周辺部にあるため、注入した電流を光取出し領域の全域に均等に拡げることが困難となる。つまり、図6に示す周辺電極型の発光ドット40の場合、電流を流したとき、電流がほとんど電極2直下に集中することより、光取出し領域1内には拡がらず、大幅に光出力を低下させていた。且つ、順方向電圧Vf自体も、光取出し領域1内に電流が拡がりにくいことにより、発光ドットサイズ大の効果が不充分となり、低減率が低かった。
【0004】
これに対し、図7に示す中心電極型の発光ドット50の場合、電極2が光取出し領域1の中央部にあるため、光出力については電極直下の発光成分を電極2の周りから取り出すことができる。このため、周辺電極型の発光ドット40よりは高出力が得られる。しかし、順方向電圧Vfの低減については、発光ドット50の縦幅がそのまま光取出し領域幅と一致する為、発光ドット50自体を大きくすることができない。このため、順方向電圧Vfの低減は、結晶自体の抵抗又は電極の接触抵抗を下げるしか策が無く、順方向電圧Vfを大幅に低減することが困難であった。
【0005】
そこで、中心電極型発光ダイオードアレイにおいては、図4(a)及び図5(a)に示す構造とすることが提案されている。
【0006】
図4(a)の中心電極型発光ダイオードアレイは、1つ1つの発光ドットにおける、光取出し領域1の中心部における電極2を、発光ドットの縦方向に引き延ばした構成とするものである。この電極2は光取出し領域1上に低抵抗電極用コンタクト層3を介して取り出され、当該電極2は上方の配線金属4に接続されている。そして配線金属4は、発光ドット中の光取出し領域外を被覆する構造となっている。更にメサ分離型発光ダイオードアレイにおいては、メサ部からの光の漏れを防ぐため、配線金属4が発光ドットの順メサとなる段差部を被覆した構造となっている。なお、光取出し領域1内の光出力分布は電極2の外周部が最も高くなることにより、電極2長が光出力に略比例関係にある。
【0007】
また図5(a)の中心電極型発光ダイオードアレイは、光取出し領域1の中心を縦断させて、発光ドット配列方向と直角な方向に、電極コンタクト層3の基幹部を延在させると共に、この基幹部からT字状に電極コンタクト層3の枝部を延在させ、この電極コンタクト層3上にその基幹部及び枝部の形状に倣って電極2を設けた構成としている。これは電極コンタクト層3を横方向にも伸ばすことにより、電流が発光面(光取出し領域1)内でより広がるようにして、発光面の端の電流密度を上げて光出力が高くなるようにするものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図4(b)に示すように、光取出し領域1の縦幅Y2に対し横幅Xが大の発光ドットとして高密度の発光ダイオードアレイを構成する場合、電極2の長さ(電極長)Y3が短くなることにより、発光ドット内での電流分散が悪化し、光出力の低下及び抵抗の増加につながってしまう。
【0009】
この対策としては、図5に示すように、中心電極2を周辺に引出す方法(図5(a))或いは中心電極2はそのままの配置とし低抵抗電極用コンタクト層3のみを周辺に引出す方法(図5(b))が有効と考えられる。
【0010】
しかし、これらの方法の場合、電流分散については改善され、発光ドットの抵抗を低減することができるが、光取出し領域外の配線金属4に被覆された領域下にも電流が流れ易くなったり、発光ドット自体の面積が大となることで、光取出し領域1下での電流密度が低下し、光出力の大幅な向上にはつながらなかった。
【0011】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、最も光出力の高い電極直下の発光成分を有効に取り出せる中心電極型発光ドットの利点を活かしながら、低抵抗で、且つ高出力の高密度発光ダイオードアレイを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0013】
請求項1の発明に係る発光ダイオードアレイは、光取出し領域の中央に電極コンタクト層を介して中心電極を設け、この中心電極を配線金属に接続した構成の中心電極型発光ドットを複数個直線的に配列した発光ダイオードアレイにおいて、各発光ドットの光取出し領域の形状を正方形或いは配列方向に長い長方形とし、その各光取出し領域中に、上記中心電極として、光取出し領域が発光ドットの配列方向に3分割されるように二組の電極コンタクト層及び電極を、その二組全体が光取出し領域のほぼ中心に位置するように配置し、これにより各電極の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画が形成されるようにしたことを特徴とする。
【0014】
請求項2の発明は、請求項1記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記二組の電極コンタクト層及び電極を、その両側に同じ幅の光取出し領域区画が形成されるように配置したことを特徴とする。
【0015】
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記二組の電極コンタクト層及び電極を、発光ドットの配列方向で見て同一の幅に形成し、且つ互いに平行に発光ドットの配列方向と直角な方向に延在させたことを特徴とする。
【0016】
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記発光ダイオードアレイの発光ドットの光取出し領域外の領域が配線金属により被覆されていることを特徴とする。
【0017】
請求項5の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、上記各発光ドットの配列方向と直角な方向に見て、上記各電極の長さが光取出し領域の長さの0.7倍〜1.0倍であることを特徴とする。
【0018】
<作用>
正方形或いは配列方向に長い長方形とした光取出し領域中に、中心電極として、2つの電極を、その全体が光取出し領域のほぼ中心に位置するように配置し、これにより光取出し領域が発光ドットの配列方向に3分割され、各電極の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画が形成されるようにしたものである。
【0019】
かかる構成によれば、発光ドットに通電したとき電流が2つの電極を介して分割して流れるため、光取出し領域内での電流分散が向上する。また、電極を2分割したことにより、最も電流が集中し高光出力が得られるところの電極外周部長が光取出し領域の縦幅の約2倍になることより、従来よりも高い光出力が得られる。
【0020】
さらにまた、低抵抗な電極コンタクト層も同様に拡がることになり、pn接合領域への電流分散を良好なものとすることができる。これにより発光ドットの順方向電圧Vfの低減を図ることができる。
【0021】
このように、光取出し領域を中心電極の中心に位置させる中心電極型の利点を活かし高光出力な発光ダイオードアレイを得ることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【0023】
図1〜図3は本発明の実施形態を説明するための図で、600DPI発光ダイオードアレイを構成する中心電極型発光ドット20のうちの一つを示す。この発光ドット20の構造は、メサ分離型ダブルヘテロ構造をもつGaAlAs系発光ドットである。
【0024】
各発光ドット20の光取出し領域1の形状は正方形或いは配列方向に長い長方形として形成され、その各光取出し領域1中には、二組の電極コンタクト層3及び電極2が、その二組全体が中心電極として光取出し領域1のほぼ中心に位置するように配置され、これにより光取出し領域1が発光ドットの配列方向(x方向)に3分割されて、各電極2の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画1a、1b、1cが形成されている。これは、互いに平行に離間する二つの電極2を一まとまりの中心電極として見たとき、これを電極コンタクト層3を介して光取出し領域1の中央に設け、その中心電極に配線金属に接続した構成となっており、いわゆる中心電極型の発光ドットに属する。
【0025】
図1は平面図であり、発光ドット20の配列方向をx、これに垂直な方向をyとしている。光取出し領域1のx方向の横幅Xが30μm、y方向の縦幅Y2が18μmで設計されている。発光ドット20の大きさはx方向の横幅Xが30μm、y方向の縦幅Y1が26μmで設計されている。低抵抗電極コンタクト層3は、横幅:5μm、縦幅:20μmで設計され、発光ドット20の配列方向に光取出し領域1が3分割されて配列方向と直角な方向(y方向)に延在する長方形の光取出し領域区画1a、1b、1cが形成されるように2つ配置され、且つ発光ドットの配列方向(x方向)に対し光取出し領域1の中心に位置する。
【0026】
p側コンタクト電極としての電極2は、AuZn/Ni/Auで形成され、横幅が2.5μmで、縦幅(電極長Y3)が光取出し領域1の縦幅Y2の約0.9倍の16μmで設計され、低抵抗電極コンタクト層3の中心にそれぞれ配置する。この電極長Y3は、光取出し領域の長さの0.7倍〜1.0倍まで長く延ばすことが有利であるが、光取出し領域外への電流分散による光出力の損失をも考慮し、この例では約0.9倍としている。
【0027】
また配線金属4はTi/Auで形成され、図2に示すように、発光ドット20内の光取出し領域1の外側領域及び順メサ段差部を被覆するように設計されている。また裏面には、共通電極として、n型電極5がAuGe/Ni/Auで形成されている。
【0028】
図2は図1中に記入したA−A線に沿って発光ドットを劈開した断面図、同様に図3はB−B線に沿って発光ドットを劈開した断面図である。
【0029】
n型GaAs基板6上にバッファー層となるn型GaAs層7、クラッド層となるn型GaAlAs層8、活性層となるp型GaAlAs層9、クラッド層となるp型GaAlAs層10、及びp型電極コンタクト層となる低抵抗のp型GaAs層3が形成されている。この結晶構造は、前述したようにダブルヘテロ構造でメサ分離型構造となっている。
【0030】
そして表面には保護膜としてガラス膜11、p電極2と接続した配線金属4、裏面にはn型電極5がそれぞれ形成されている。配線金属4は発光ドット上の光取出し領域1以外の領域を被覆するように形成され、且つ順メサによる段差部も被覆し、順メサ部から光が漏れない構造となっている。
【0031】
この図1〜図3に示した発光ドットに通電すると、電流は2つの電極2を介して分割して流れることになり、注入電流が発光ドットの横方向にもに拡散し易くなり発光ドット全体に拡がる。且つ最も電流が集中し高光出力が得られる電極2の外周部長が、光取出し領域1の縦幅(Y2)18μmの実質約2倍となることより光出力が向上する。
【0032】
実際に図4(b)に示した従来の中心電極型発光ドットを、本実施例の中心電極型発光ドットと同じ大きさで試作して特性を比較すると、発光波長が720nmの場合、5mA通電した場合の光出力は、従来型が90μwであるのに対し、本実施形態の発光ドットでは1.5倍の135μwが得られた。また5mA通電時の順方向電圧Vfは従来型で1.90Vであるのに対し、本実施形態の発光ドットの場合には1.80VとVf低減効果も確認できた。
【0033】
このように、本実施形態によれば、高光出力、且つ低抵抗の中心電極型メサ分離高密度発光ダイオードアレイが得られる。
【0034】
上記実施の形態では中心電極2長を光取出し領域幅の0.9倍の16μmで設計を行ったが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、この電極長Y3は光取出し領域1の縦幅Y2よりも長く延ばすことができるが、光取出し領域外への電流分散による光出力の損失を考慮すると、電極長Y3は光取出し領域1の縦幅Y2以下、好ましくは光取出し領域の長さの0.7倍〜1.0倍で設計することが望ましい。
【0035】
また上記実施形態では、光取出し領域区画1a〜1bを同じ幅としているが、そられの幅のうちの一つを他と異ならせても良い。また一対の電極2を互いに同一幅のものとして形成しているが、同じ光取出し領域1内での二つの電極2の幅を互いに異ならせても良い。更に、電極2及び電極コンタクト層3の配向方向は、実施形態ではy方向に一致させているが、y方向から少し傾けても良い。また二つの電極2及び電極コンタクト層3は、実施形態では互いに平行に設けているが、必ずしも平行に設けなくても良い。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、各発光ドットの光取出し領域の形状を正方形或いは配列方向に長い長方形とし、その各光取出し領域中に、上記中心電極として、光取出し領域が発光ドットの配列方向に3分割される二組の電極コンタクト層及び電極を、その二組全体が光取出し領域のほぼ中心に位置するように配置し、これにより各電極の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画が形成されるようにしたので、最も光出力の高い電極直下の発光成分を有効に取り出せる中心電極型発光ドットの利点を活かしながら、低抵抗で、且つ高出力の高密度発光ダイオードアレイが得られる。すなわち、発光ドットに通電したとき電流が2つの電極を介して分流するため、光取出し領域内での電流分散が向上する。また、電極を2分割したことにより、最も電流が集中し高光出力が得られる電極外周部長が、光取出し領域の縦幅の約2倍になるため、従来より高い光出力が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高密度発光ダイオードアレイの一実施形態に係る発光ドット部の構成を示した平面図である。
【図2】図1のA−A線断面図である。
【図3】図1のB−B線断面図である。
【図4】従来の発光ダイオードアレイの発光ドット部の構成を示した平面図で、(a)は光取出し領域が発光ドットの配列方向と直角な方向に長い形状である場合を、(b)は光取出し領域が発光ドットの配列方向に長い形状である場合を示した図である。
【図5】従来の他の発光ダイオードアレイの発光ドット部の構成を示した平面図で、(a)は中心電極をその端部からT字状に延在させた形態を、(b)はその中心電極の端部にT字状延在部がない形態を示した図である。
【図6】従来の周辺電極型発光ドットの平面図である。
【図7】従来の中心電極型発光ドットの平面図である。
【符号の説明】
1 光取出し領域
1a、1b、1c 光取出し領域区画
2 電極(p側コンタクト電極)
3 p型電極コンタクト層
4 配線金属
20 発光ドット
Y1 発光ドットの縦幅
Y2 光取出し領域幅(縦幅)
Y3 電極長(縦幅)
Claims (5)
- 光取出し領域の中央に電極コンタクト層を介して中心電極を設け、この中心電極を配線金属に接続した構成の中心電極型発光ドットを複数個直線的に配列した発光ダイオードアレイにおいて、
各発光ドットの光取出し領域の形状を正方形或いは配列方向に長い長方形とし、
その各光取出し領域中に、上記中心電極として、光取出し領域が発光ドットの配列方向に3分割されるように二組の電極コンタクト層及び電極を、その二組全体が光取出し領域のほぼ中心に位置するように配置し、これにより各電極の配列方向両側に、配列方向に幅の短い長方形の光取出し領域区画が形成されるようにしたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 請求項1記載の発光ダイオードアレイにおいて、
上記二組の電極コンタクト層及び電極を、その両側に同じ幅の光取出し領域区画が形成されるように配置したことを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 請求項1又は2記載の発光ダイオードアレイにおいて、
上記二組の電極コンタクト層及び電極を、発光ドットの配列方向で見て同一の幅に形成し、且つ互いに平行に発光ドットの配列方向と直角な方向に延在させたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、
上記発光ダイオードアレイの発光ドットの光取出し領域外の領域が配線金属により被覆されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の発光ダイオードアレイにおいて、
上記各発光ドットの配列方向と直角な方向に見て、上記各電極の長さが光取出し領域の長さの0.7倍〜1.0倍であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
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