JP2004214349A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
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Abstract
【課題】高光出力で、かつ順方向電圧Vfが低い周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードアレイは、光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介して電極が設けられたメサ分離方式の周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイであり、前記コンタクト層は、前記電極の周辺部から前記光取出し領域の傍らをメサ分離型発光ドットの逆メサ部のヘリに沿って引出されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の発光ダイオードアレイは、光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介して電極が設けられたメサ分離方式の周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイであり、前記コンタクト層は、前記電極の周辺部から前記光取出し領域の傍らをメサ分離型発光ドットの逆メサ部のヘリに沿って引出されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光ダイオードアレイに関し、特にLEDプリンタに好適な高密度発光ダイオードアレイに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の高密度発光ダイオードアレイは、図5に示すように各発光ダイオード(すなわち発光ドット20)の光取出し領域1の一端部(周辺部)に電極2が設けられた周辺電極型と、図6(a)に示すように発光ドット30の光取出し領域1の中心部に電極2が設けられた中心電極型の2通りに分類される。いずれも光取出し領域1上に低抵抗コンタクト層3を介して電極2が形成され、電極2が配線金属4に接続されている。
【0003】
しかしながら、1200DPIのような高密度発光ダイオードアレイの場合、その光取出し領域1のサイズが縦横約10μmに制限されてしまうことにより発光ドット自体が非常に小さくなる。そのため、発光ドット内の光発生領域であるpn接合面積が小さくなり、発光ドットの抵抗が大きく、かつ光出力が小さくなる。
【0004】
その結果、発光に必要な順方向電圧Vfが増大し、LEDプリンタヘッドの消費電力を上昇させてしまう。また抵抗が大きくなることにより発光ドット自体の発熱量が増大し、光出力の低下及び信頼性の低下につながっていた。
【0005】
そこで、周辺電極型発光ドット20の場合、図5に示すように光取出し領域1のサイズに関係なく発光ドット自体のサイズを大きくすることにより、順方向電圧Vfの低減が図られてきた。しかし、周辺電極型発光ドット20では電極2が光取出し領域の周辺部にあるため、注入した電流を光取出し領域の全域に均等に拡散させることが困難となる。すなわち、図5に示す周辺電極型発光ドット20の場合、通電するとほとんどの電流が電極2直下に集中し、光取り出し領域1内に拡散しないため、光出力が大幅に低下していた。また、光取り出し領域1内に電流が拡散しにくいことから、発光ドットサイズを増大させることによる効果も不充分となり順方向電圧Vfの低減率も低かった。
【0006】
これに対し、図6(a)に示す中心電極型の発光ドット30の場合、電極2が光取出し領域1の中央部にあるため、電流を光取出し領域全体に拡散させることが容易となり周辺電極型より高光出力が得られ易い。しかしながら、発光ドット30の縦横幅がそのまま光取出し領域幅と一致するため、発光ドット自体を大きくすることができない。
【0007】
図6(b)は図6(a)の発光ドット30をD−D線に沿ってへき開した断面図である。メサ分離の場合図6(b)に示すように逆メサ領域となる光発生領域(pn接合領域)は光取出し領域より幅が狭くなり順方向電圧Vfが高くなる原因となる。さらに、順方向電圧Vfを低減するため中心電極2を大きく形成すると光の外部取出し効率が下がり光出力が大幅に低下する。以上の通り、これらの従来型の周辺電極型及び中心電極型発光ダイオードアレイにおいては順方向電圧Vfの低減と光出力の向上を同時に達成することは極めて困難であった。
【0008】
特許文献1にはコンタクト層が光取出し領域の中央に向かって引き延ばされるとともに電極が光取出し領域の中心に向かって引き延ばされた周辺電極型発光ダイオードアレイが開示されている。また、特許文献2にはコンタクト層が電極周辺部から光取出し領域の外周部及び中心部に引き出された発光ダイオードアレイが開示されている。しかしながら、これらの発光ダイオードアレイの場合、コンタクト層の配置が効果的でないため光取出しに関係する領域が広がらず、光出力が充分でない。
【0009】
【特許文献1】
特開平11−186594号公報
【特許文献2】
特開平11−121802号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、高光出力で、かつ順方向電圧Vfが低い周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、発光ダイオードアレイの光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介した周辺電極を設け、このコンタクト層を発光ドットの逆メサ部となる光取出し領域のヘリ部に沿って引出すことにより、電流拡散効果がある領域が広がり、順方向電圧Vfが低減し光出力が向上することを発見し、本発明に想到した。
【0012】
すなわち、本発明の発光ダイオードアレイは、光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介して電極が設けられたメサ分離方式の周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイであって、前記コンタクト層は、前記電極の周辺部から前記光取出し領域の傍らをメサ分離型発光ドットの逆メサ部のヘリに沿って引出されていることを特徴とする。
【0013】
発光ダイオードアレイをこのような構造にすることにより、光発生領域であるpn接合領域の幅が広がるとともに広がった領域は電流を注入する役割を担う。すなわち、本発明の発光ダイオードアレイはコンタクト層により単に光取出しができない無駄なpn接合部を増やすのではなく、電流拡散を担う効果のある領域を広げることができるため、順方向電圧Vfの低減及び光出力の向上を図ることができる。また、コンタクト層を発光ドットのヘリ部の逆メサ部に沿って引出すことにより、発光ドット中の逆メサ方向の電流分布はコンタクト層直下ではなく、コンタクト層近傍の光取出し領域で最も高くなる。このようにコンタクト層近傍の光取出し領域の電流密度を高くすることにより発光ドットの光出力を向上させることができる。
【0014】
前記発光ドットはメサ分離構造の周辺電極型発光ドットからなり、前記発光ドット配列方向の前記光取出し領域の幅が25μm以下であるのが好ましく、コンタクト層は低抵抗のGaAsにより形成されているのが好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の発光ダイオードアレイの好ましい実施例を図1〜4を参照して説明する。発光ドット40は1200DPIの発光ダイオードアレイを構成する周辺電極型発光ドットのうちの1つを示す。発光ドット40の構造はメサ分離型ダブルヘテロ構造であり、微細寸法のGaAlAs系発光ドットである。
【0016】
図1は平面図であり、発光ドット40の配列方向をx、これに垂直な方向をyとしている。発光ドット40の大きさはx方向の横幅X1が13.5μm、y方向の縦幅Y1は20μmであり、光取出し領域1のx方向の横幅X2及びy方向の縦幅Y2は共に10μmである。なお、発光ドット40のx方向が逆メサ方向となり、配線金属が引出されるy方向が順メサ方向になっている。
【0017】
光取出し領域1の発光ドット配列方向(x方向)の横幅X2は25μm以下が好ましく、10〜25μmがより好ましい。光取出し領域の幅が25μmを超えると図6に示す中心電極型が特性的に有利となる。
【0018】
カソード電極及びアノード電極はボンディング特性及び下層とのオーミック接続特性が良好であればよい。図示の例では、周辺電極であるp側コンタクト電極は、AuZn/Ni/Auにより形成されている。この周辺電極の下に形成されたコンタクト層3は、電極から発光ドットの逆メサ部のヘリに沿って横幅2.5μmで引き出されており、丁度光取出し領域の傍らを進行するように形成されている。
【0019】
配線金属4はボンディング特性及び密着性が良好であればよく、例えばTi/Auにより形成され、図2に示すように順メサ段差部及び光染み出し防止のためコンタクト層の逆メサ段差部を被覆している。また、発光ドット40の裏面には共通電極としてn型電極5がAuGe/Ni/Auにより形成されている。
【0020】
図2は図1の発光ドット40をA−A線に沿ってへき開した断面図であり、図3は図1の発光ドット40をB−B線に沿ってへき開した断面図であり、図4は図1の発光ドット40をC−C線に沿ってへき開した断面図である。
【0021】
発光ドット40は、n型GaAs基板6上にn型GaAsバッファー層7、n型GaAlAsクラッド層8、p型GaAlAs活性層9、p型GaAlAsクラッド層10及び低抵抗のp型GaAsコンタクト層3が形成されており、断面構造は前述したようにダブルヘテロ構造でメサ分離型構造となっている。また、発光ドット40の表面には保護膜としてガラス膜11が形成されている。
【0022】
図1〜4に示す構成の発光ドットに通電すると、光取出し領域1の傍らの逆メサ部に低抵抗のコンタクト層3が形成されているためpn接合面積が広げられると同時に、その広げられた領域が電流注入層としての効果も有するため、順方向電圧Vfを大幅に低減することが可能となる。
【0023】
図4に示すように、電極が設けられた光取出し領域1周辺部から引き出されたコンタクト層3は傾斜構造を有する逆メサ部上にあるため、この領域において電流密度分布が最も高くなるのはコンタクト層3直下ではなく、光取出し領域1のコンタクト層3近傍である。このため、逆メサ方向から光出力の分布をみると、通電により最も電流が集中し高光出力が得られるのは周辺電極付近であるが、その他に光取出し領域1のコンタクト層3近傍で高光出力が得られる。
【0024】
図1〜4に示す本発明の発光ダイオードアレイに用いる周辺電極型発光ドットの特性を図5に示す従来の周辺電極型発光ドットの特性と同じ発光ドット面積(pn接合面積が同じ)で比較すると、発光波長が720 nmの場合、順方向電圧Vf(5mA通電時の電圧)は従来型で2.1Vであるのに対し、本発明に用いる発光ドットでは1.9Vとなり、−0.2Vの低減効果が得られた。また、光出力は従来型が40μWであるのに対し、本発明に用いる発光ドットでは65μWとなり1.5倍以上の光出力向上効果が得られた。同様に図6に示す従来の中心電極型発光ドットの特性を同じ発光ドット面積(pn接合面積が同じ)で比較すると、従来型の順方向電圧Vfは2.4V、光出力は55μWであり、本発明に用いる発光ドットは従来の中心電極型に比べ順方向電圧Vfが低減され、光出力が向上していた。
【0025】
【発明の効果】
上記の通り、本発明の発光ダイオードアレイは光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介して周辺電極が設けられ、この周辺電極を配線金属に接続して周辺電極型発光ドットが形成され、さらに周辺電極型発光ドットを複数個配列して構成されている。周辺電極のコンタクト層は発光ドット中の光取出し領域の傍らの逆メサ部に沿って引出されているので逆メサ方向のpn接合面積を増大することができ、かつ引出された低抵抗のコンタクト層はpn接合領域への電流分散が良好であり、逆メサ方向の電流分布はコンタクト層近傍の光取出し領域で最も電流密度が高くなる。そのため、発光ドットの順方向電圧Vfの低減及び光出力の向上を同時に達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による高密度発光ダイオードアレイの発光ドットの構成を示す平面図である。
【図2】図1のA−A断面図である。
【図3】図1のB−B断面図である。
【図4】図1のC−C断面図である。
【図5】従来例の発光ダイオードアレイの周辺電極型発光ドットを示す平面図である。
【図6】従来例の発光ダイオードアレイの中心電極型発光ドットを示し、(a)は平面図であり、(b)は(a)のD−D断面図である。
【符号の説明】
1・・・光取出し領域
2・・・電極
3・・・コンタクト層(p型GaAs層)
4・・・配線金属
5・・・n型電極(共通電極)
6・・・n型GaAs基板
7・・・n型GaAs層
8・・・n型GaAlAsクラッド層
9・・・p型GaAlAs活性層
10・・・p型GaAlAsクラッド層
11・・・ガラス膜
20,30,40・・・発光ドット
X2・・・光取出し領域の横幅
Y2・・・光取出し領域の縦幅
【発明の属する技術分野】
本発明は発光ダイオードアレイに関し、特にLEDプリンタに好適な高密度発光ダイオードアレイに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の高密度発光ダイオードアレイは、図5に示すように各発光ダイオード(すなわち発光ドット20)の光取出し領域1の一端部(周辺部)に電極2が設けられた周辺電極型と、図6(a)に示すように発光ドット30の光取出し領域1の中心部に電極2が設けられた中心電極型の2通りに分類される。いずれも光取出し領域1上に低抵抗コンタクト層3を介して電極2が形成され、電極2が配線金属4に接続されている。
【0003】
しかしながら、1200DPIのような高密度発光ダイオードアレイの場合、その光取出し領域1のサイズが縦横約10μmに制限されてしまうことにより発光ドット自体が非常に小さくなる。そのため、発光ドット内の光発生領域であるpn接合面積が小さくなり、発光ドットの抵抗が大きく、かつ光出力が小さくなる。
【0004】
その結果、発光に必要な順方向電圧Vfが増大し、LEDプリンタヘッドの消費電力を上昇させてしまう。また抵抗が大きくなることにより発光ドット自体の発熱量が増大し、光出力の低下及び信頼性の低下につながっていた。
【0005】
そこで、周辺電極型発光ドット20の場合、図5に示すように光取出し領域1のサイズに関係なく発光ドット自体のサイズを大きくすることにより、順方向電圧Vfの低減が図られてきた。しかし、周辺電極型発光ドット20では電極2が光取出し領域の周辺部にあるため、注入した電流を光取出し領域の全域に均等に拡散させることが困難となる。すなわち、図5に示す周辺電極型発光ドット20の場合、通電するとほとんどの電流が電極2直下に集中し、光取り出し領域1内に拡散しないため、光出力が大幅に低下していた。また、光取り出し領域1内に電流が拡散しにくいことから、発光ドットサイズを増大させることによる効果も不充分となり順方向電圧Vfの低減率も低かった。
【0006】
これに対し、図6(a)に示す中心電極型の発光ドット30の場合、電極2が光取出し領域1の中央部にあるため、電流を光取出し領域全体に拡散させることが容易となり周辺電極型より高光出力が得られ易い。しかしながら、発光ドット30の縦横幅がそのまま光取出し領域幅と一致するため、発光ドット自体を大きくすることができない。
【0007】
図6(b)は図6(a)の発光ドット30をD−D線に沿ってへき開した断面図である。メサ分離の場合図6(b)に示すように逆メサ領域となる光発生領域(pn接合領域)は光取出し領域より幅が狭くなり順方向電圧Vfが高くなる原因となる。さらに、順方向電圧Vfを低減するため中心電極2を大きく形成すると光の外部取出し効率が下がり光出力が大幅に低下する。以上の通り、これらの従来型の周辺電極型及び中心電極型発光ダイオードアレイにおいては順方向電圧Vfの低減と光出力の向上を同時に達成することは極めて困難であった。
【0008】
特許文献1にはコンタクト層が光取出し領域の中央に向かって引き延ばされるとともに電極が光取出し領域の中心に向かって引き延ばされた周辺電極型発光ダイオードアレイが開示されている。また、特許文献2にはコンタクト層が電極周辺部から光取出し領域の外周部及び中心部に引き出された発光ダイオードアレイが開示されている。しかしながら、これらの発光ダイオードアレイの場合、コンタクト層の配置が効果的でないため光取出しに関係する領域が広がらず、光出力が充分でない。
【0009】
【特許文献1】
特開平11−186594号公報
【特許文献2】
特開平11−121802号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、高光出力で、かつ順方向電圧Vfが低い周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、発光ダイオードアレイの光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介した周辺電極を設け、このコンタクト層を発光ドットの逆メサ部となる光取出し領域のヘリ部に沿って引出すことにより、電流拡散効果がある領域が広がり、順方向電圧Vfが低減し光出力が向上することを発見し、本発明に想到した。
【0012】
すなわち、本発明の発光ダイオードアレイは、光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介して電極が設けられたメサ分離方式の周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイであって、前記コンタクト層は、前記電極の周辺部から前記光取出し領域の傍らをメサ分離型発光ドットの逆メサ部のヘリに沿って引出されていることを特徴とする。
【0013】
発光ダイオードアレイをこのような構造にすることにより、光発生領域であるpn接合領域の幅が広がるとともに広がった領域は電流を注入する役割を担う。すなわち、本発明の発光ダイオードアレイはコンタクト層により単に光取出しができない無駄なpn接合部を増やすのではなく、電流拡散を担う効果のある領域を広げることができるため、順方向電圧Vfの低減及び光出力の向上を図ることができる。また、コンタクト層を発光ドットのヘリ部の逆メサ部に沿って引出すことにより、発光ドット中の逆メサ方向の電流分布はコンタクト層直下ではなく、コンタクト層近傍の光取出し領域で最も高くなる。このようにコンタクト層近傍の光取出し領域の電流密度を高くすることにより発光ドットの光出力を向上させることができる。
【0014】
前記発光ドットはメサ分離構造の周辺電極型発光ドットからなり、前記発光ドット配列方向の前記光取出し領域の幅が25μm以下であるのが好ましく、コンタクト層は低抵抗のGaAsにより形成されているのが好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の発光ダイオードアレイの好ましい実施例を図1〜4を参照して説明する。発光ドット40は1200DPIの発光ダイオードアレイを構成する周辺電極型発光ドットのうちの1つを示す。発光ドット40の構造はメサ分離型ダブルヘテロ構造であり、微細寸法のGaAlAs系発光ドットである。
【0016】
図1は平面図であり、発光ドット40の配列方向をx、これに垂直な方向をyとしている。発光ドット40の大きさはx方向の横幅X1が13.5μm、y方向の縦幅Y1は20μmであり、光取出し領域1のx方向の横幅X2及びy方向の縦幅Y2は共に10μmである。なお、発光ドット40のx方向が逆メサ方向となり、配線金属が引出されるy方向が順メサ方向になっている。
【0017】
光取出し領域1の発光ドット配列方向(x方向)の横幅X2は25μm以下が好ましく、10〜25μmがより好ましい。光取出し領域の幅が25μmを超えると図6に示す中心電極型が特性的に有利となる。
【0018】
カソード電極及びアノード電極はボンディング特性及び下層とのオーミック接続特性が良好であればよい。図示の例では、周辺電極であるp側コンタクト電極は、AuZn/Ni/Auにより形成されている。この周辺電極の下に形成されたコンタクト層3は、電極から発光ドットの逆メサ部のヘリに沿って横幅2.5μmで引き出されており、丁度光取出し領域の傍らを進行するように形成されている。
【0019】
配線金属4はボンディング特性及び密着性が良好であればよく、例えばTi/Auにより形成され、図2に示すように順メサ段差部及び光染み出し防止のためコンタクト層の逆メサ段差部を被覆している。また、発光ドット40の裏面には共通電極としてn型電極5がAuGe/Ni/Auにより形成されている。
【0020】
図2は図1の発光ドット40をA−A線に沿ってへき開した断面図であり、図3は図1の発光ドット40をB−B線に沿ってへき開した断面図であり、図4は図1の発光ドット40をC−C線に沿ってへき開した断面図である。
【0021】
発光ドット40は、n型GaAs基板6上にn型GaAsバッファー層7、n型GaAlAsクラッド層8、p型GaAlAs活性層9、p型GaAlAsクラッド層10及び低抵抗のp型GaAsコンタクト層3が形成されており、断面構造は前述したようにダブルヘテロ構造でメサ分離型構造となっている。また、発光ドット40の表面には保護膜としてガラス膜11が形成されている。
【0022】
図1〜4に示す構成の発光ドットに通電すると、光取出し領域1の傍らの逆メサ部に低抵抗のコンタクト層3が形成されているためpn接合面積が広げられると同時に、その広げられた領域が電流注入層としての効果も有するため、順方向電圧Vfを大幅に低減することが可能となる。
【0023】
図4に示すように、電極が設けられた光取出し領域1周辺部から引き出されたコンタクト層3は傾斜構造を有する逆メサ部上にあるため、この領域において電流密度分布が最も高くなるのはコンタクト層3直下ではなく、光取出し領域1のコンタクト層3近傍である。このため、逆メサ方向から光出力の分布をみると、通電により最も電流が集中し高光出力が得られるのは周辺電極付近であるが、その他に光取出し領域1のコンタクト層3近傍で高光出力が得られる。
【0024】
図1〜4に示す本発明の発光ダイオードアレイに用いる周辺電極型発光ドットの特性を図5に示す従来の周辺電極型発光ドットの特性と同じ発光ドット面積(pn接合面積が同じ)で比較すると、発光波長が720 nmの場合、順方向電圧Vf(5mA通電時の電圧)は従来型で2.1Vであるのに対し、本発明に用いる発光ドットでは1.9Vとなり、−0.2Vの低減効果が得られた。また、光出力は従来型が40μWであるのに対し、本発明に用いる発光ドットでは65μWとなり1.5倍以上の光出力向上効果が得られた。同様に図6に示す従来の中心電極型発光ドットの特性を同じ発光ドット面積(pn接合面積が同じ)で比較すると、従来型の順方向電圧Vfは2.4V、光出力は55μWであり、本発明に用いる発光ドットは従来の中心電極型に比べ順方向電圧Vfが低減され、光出力が向上していた。
【0025】
【発明の効果】
上記の通り、本発明の発光ダイオードアレイは光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介して周辺電極が設けられ、この周辺電極を配線金属に接続して周辺電極型発光ドットが形成され、さらに周辺電極型発光ドットを複数個配列して構成されている。周辺電極のコンタクト層は発光ドット中の光取出し領域の傍らの逆メサ部に沿って引出されているので逆メサ方向のpn接合面積を増大することができ、かつ引出された低抵抗のコンタクト層はpn接合領域への電流分散が良好であり、逆メサ方向の電流分布はコンタクト層近傍の光取出し領域で最も電流密度が高くなる。そのため、発光ドットの順方向電圧Vfの低減及び光出力の向上を同時に達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による高密度発光ダイオードアレイの発光ドットの構成を示す平面図である。
【図2】図1のA−A断面図である。
【図3】図1のB−B断面図である。
【図4】図1のC−C断面図である。
【図5】従来例の発光ダイオードアレイの周辺電極型発光ドットを示す平面図である。
【図6】従来例の発光ダイオードアレイの中心電極型発光ドットを示し、(a)は平面図であり、(b)は(a)のD−D断面図である。
【符号の説明】
1・・・光取出し領域
2・・・電極
3・・・コンタクト層(p型GaAs層)
4・・・配線金属
5・・・n型電極(共通電極)
6・・・n型GaAs基板
7・・・n型GaAs層
8・・・n型GaAlAsクラッド層
9・・・p型GaAlAs活性層
10・・・p型GaAlAsクラッド層
11・・・ガラス膜
20,30,40・・・発光ドット
X2・・・光取出し領域の横幅
Y2・・・光取出し領域の縦幅
Claims (2)
- 光取出し領域の周辺部にコンタクト層を介して電極が設けられたメサ分離方式の周辺電極型GaAlAs系発光ダイオードアレイにおいて、前記コンタクト層は、前記電極の周辺部から前記光取出し領域の傍らをメサ分離型発光ドットの逆メサ部のヘリに沿って引出されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
- 請求項1に記載の発光ダイオードアレイにおいて、前記発光ドット配列方向の前記光取出し領域の幅が25μm以下であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。
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---|---|---|---|
JP2002380864A JP2004214349A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002380864A JP2004214349A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004214349A true JP2004214349A (ja) | 2004-07-29 |
Family
ID=32816965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002380864A Pending JP2004214349A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004214349A (ja) |
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2002
- 2002-12-27 JP JP2002380864A patent/JP2004214349A/ja active Pending
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