JPS63278289A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS63278289A JPS63278289A JP7403887A JP7403887A JPS63278289A JP S63278289 A JPS63278289 A JP S63278289A JP 7403887 A JP7403887 A JP 7403887A JP 7403887 A JP7403887 A JP 7403887A JP S63278289 A JPS63278289 A JP S63278289A
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- current
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光部とモニタフォトダイオード部。
を同一基板上に集積した半導体装置において、特。
にモニタフォトダイオード部の電流出力効率を増大させ
ることに好適な構造とその駆動方法に関す１゜る。
ることに好適な構造とその駆動方法に関す１゜る。
従来の装置は、第３２回応用物理学会講演会予稿。
築ＩＰ ＺＢ ５−（Ｓ（１９８５春季）で代表さ
れ。
れ。
るように、レーザ部、モニタフォトダイオード部１共に
電流狭窄層を有しながら、フォトダイオード。
電流狭窄層を有しながら、フォトダイオード。
部の光吸収領域は、活性Ｗｂ ＫＢ分のｐｎ接合領域を
。
。
用いるだけであった。
従来の技術はモニタの出力電流効率を向上させ１′□る
ことにおいて、特に配慮されておらず、発光部。
ことにおいて、特に配慮されておらず、発光部。
置とのエツチング溝間隔が広い場合や、レーザの゛モニ
タ側出力が弱い場合はモニタ出力電流が著し゛く低下し
てしまう問題があった。
タ側出力が弱い場合はモニタ出力電流が著し゛く低下し
てしまう問題があった。
本発明の目的は、モニタ電流出力効率の高いフｌ−オド
ダイオードを集積した半導体発光装置を提供。
ダイオードを集積した半導体発光装置を提供。
することにある。
上記目的は、モニタフォトダイオード部に存在する電流
狭窄層を、それと同じ伝導形の半汀を体層と電気的に接
続し、ｐｎ接合部で構成される光電。
狭窄層を、それと同じ伝導形の半汀を体層と電気的に接
続し、ｐｎ接合部で構成される光電。
収領域を拡大させることにより達成される。 。
モニタフォトダイオード部は、活性層をばさむ。
ｐｎｎ両半体体層接合部を光吸収領域とし、との５ｐｎ
両半導体層間を負荷抵抗を介して電流間ルー。
両半導体層間を負荷抵抗を介して電流間ルー。
プを構成することにより、光電流をとり出すもの゛であ
る。一方、半導体レーザ出力光け１０〜３夕の広がり角
が存在するだめ、出力光の一部分が先の“光吸収領域で
吸収され光電流となるにすぎない。′１′モニタフォト
ダイオード部の電流狭窄層はそれと。
る。一方、半導体レーザ出力光け１０〜３夕の広がり角
が存在するだめ、出力光の一部分が先の“光吸収領域で
吸収され光電流となるにすぎない。′１′モニタフォト
ダイオード部の電流狭窄層はそれと。
相反する半導体層に囲まれているので、両者の接合部は
光吸収領域となり、電流狭窄層がそれと同′じ伝導形の
半導体層と電気的に接続されることに“より、この部分
に吸収された光も光電流としてと１−・り出すことがで
き、電流出力効率が向上する。 ・〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図、第２図、第。
光吸収領域となり、電流狭窄層がそれと同′じ伝導形の
半導体層と電気的に接続されることに“より、この部分
に吸収された光も光電流としてと１−・り出すことがで
き、電流出力効率が向上する。 ・〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図、第２図、第。
３図を用いて説明する。第１図は本発明の断面図、第２
図は第１図ＡＡ断面図、第３図は等価回路を−。
図は第１図ＡＡ断面図、第３図は等価回路を−。
示す。
まずｐ形ＧａＡ、半導体基板１上にｐ形（） （１，Ａ
Ｉ Ａ ｚ ’第１クラッド層２、ｎ形電流狭窄層３
をエビタキ゛シャル成長させ、レーザ電流通路４として
３の−゛部を幅３〜５ Ａｍ のストライプ状にエツチ
ングする。次いでｐ形ＧαＡｌＡ！第２クラッド層５．
アン。
Ｉ Ａ ｚ ’第１クラッド層２、ｎ形電流狭窄層３
をエビタキ゛シャル成長させ、レーザ電流通路４として
３の−゛部を幅３〜５ Ａｍ のストライプ状にエツチ
ングする。次いでｐ形ＧαＡｌＡ！第２クラッド層５．
アン。
ドープｅ ａ Ａ を活性層６、ｎ形［） ｃＬＡ Ｉ
Ａ ｚ第３クラツ゛ド層７、ｎ形ＧｃＬＡｌキャブ層
８を順次成長させる。
Ａ ｚ第３クラツ゛ド層７、ｎ形ＧｃＬＡｌキャブ層
８を順次成長させる。
エツチングにより断差部９を形成し乙の一部を露出させ
る。さらに深さが基板１まで達する幅４０′・μｍの分
離溝１０を塩素系イオビームエッチングに・より形成し
、レーザ部とモニタフォトダイオード部とに分離する。
る。さらに深さが基板１まで達する幅４０′・μｍの分
離溝１０を塩素系イオビームエッチングに・より形成し
、レーザ部とモニタフォトダイオード部とに分離する。
ｐ形共通電極１１ｎ形レーザ電極１２、ｎ形電流狭窄層
電極１５、ｎ形モニタ電極１４を・形成し、表面保護膜
１５を形成し、所定寸法にへき１−開分離する。
電極１５、ｎ形モニタ電極１４を・形成し、表面保護膜
１５を形成し、所定寸法にへき１−開分離する。
レーザ部に駆動電流■ＬＤを流すと、主出力光２０゜と
モニタ出力光２１が出射される。電極１３と１４をワイ
ヤボンディングにより短絡し、さらに抵抗Ｒを介してＯ
〜５ｖのバイアスｖＭを印加するとモニ、 ３ 。
モニタ出力光２１が出射される。電極１３と１４をワイ
ヤボンディングにより短絡し、さらに抵抗Ｒを介してＯ
〜５ｖのバイアスｖＭを印加するとモニ、 ３ 。
り出力電流工、を得る。
本実施例によれば、同一基板上に形成されたフ。
オドダイオード部により、レーザ出力のモニタが゛可能
であり、特にフォトダイオード部の電流狭窄。
であり、特にフォトダイオード部の電流狭窄。
層の電極１３とモニタ電極１４を短絡することによりモ
５．６．７で構成される部分のフォトダイオード。
５．６．７で構成される部分のフォトダイオード。
３１に加えて２，３；と５で構成される部分のフォトダ
イオード６２が並列に接続されるので、光吸収領域が拡
大し、電流出力効率が著しく向上する。・同一装置にお
いて電極１３と１４を短絡せず１４のみＯにバイアスを
加えた場合に比べ、電流出力効率は・３０ａＡ／ｍＷか
ら４０ ＃ Ａ／ｍＷに向上した。
イオード６２が並列に接続されるので、光吸収領域が拡
大し、電流出力効率が著しく向上する。・同一装置にお
いて電極１３と１４を短絡せず１４のみＯにバイアスを
加えた場合に比べ、電流出力効率は・３０ａＡ／ｍＷか
ら４０ ＃ Ａ／ｍＷに向上した。
なお本実施例では電極１３と１４の接続をワイヤボンデ
ィングによったが、予め両電極が接続された・配線パタ
ーンとして形成することや、イオン打ち、１−込み等に
より結晶内部で接続することも可能であ。
ィングによったが、予め両電極が接続された・配線パタ
ーンとして形成することや、イオン打ち、１−込み等に
より結晶内部で接続することも可能であ。
る。
本発明によれば、モニタホトダイオード部内の電流狭窄
領域が接するｐｎ接合部もフォトダイオ−。
領域が接するｐｎ接合部もフォトダイオ−。
、 ４ 、
一部の光吸収領域として作用させることができる・ので
、モニタ出力電流効率を増大させる効果があ。
、モニタ出力電流効率を増大させる効果があ。
る。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図Ｊは第１
図のＡ−Ａ’線断面図、第３図はモニタ部の゛等価回路
図である。 １・・・半導体基板、 ６・・・電流狭窄層
、６・・・活性層、 １０・・・分離溝
、 ・１３・・・電流狭窄層電極。 、４ 代理人弁理士 小 川 勝 男（ｊ：“ニー′。 栴 ２ 図 尺 第 ３ 図
図のＡ−Ａ’線断面図、第３図はモニタ部の゛等価回路
図である。 １・・・半導体基板、 ６・・・電流狭窄層
、６・・・活性層、 １０・・・分離溝
、 ・１３・・・電流狭窄層電極。 、４ 代理人弁理士 小 川 勝 男（ｊ：“ニー′。 栴 ２ 図 尺 第 ３ 図
Claims (1)
- １、半導体基板上にエピタキシャル成長させたｎ＾５形
導電層、活性層、ｐ形導電層と、ｐｎ接合による耐圧効
果を用いた電流狭窄層によつて得られる半導体レーザの
端面の一部にエッチングを施し、このエッチングにより
分離されたエピタキシャル領域の一方を半導体レーザの
出力モニタ用フォトダイオード部となした半導体装置に
おいて、上記フォトダイオード部の電流狭窄層と、これ
と同じ伝導形の半導体層とを電気的に接続してなること
を特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7403887A JPS63278289A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7403887A JPS63278289A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278289A true JPS63278289A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=13535591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7403887A Pending JPS63278289A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278289A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284359U (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-29 | ||
| WO1991017575A2 (en) * | 1990-05-01 | 1991-11-14 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| JP2002329934A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7403887A patent/JPS63278289A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284359U (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-29 | ||
| WO1991017575A2 (en) * | 1990-05-01 | 1991-11-14 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| US5446751A (en) * | 1990-05-01 | 1995-08-29 | British Telecommunications Public Limited Company | Optoelectronic device |
| JP2002329934A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Sony Corp | ２波長半導体レーザ装置 |
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