JP2788523B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、光通信用の光源等として用い得る端面発
光型の半導体発光素子に関するものである。
光型の半導体発光素子に関するものである。
（従来の技術） 端面発光型の半導体発光素子では、シングルモード光
ファイバに対しても実用レベルの光結合出力が得られ
る。このため、この半導体発光素子は、シングルモード
光通信用光源、光ファイバジャイロの光センサ用光源等
に適したものとされている。
ファイバに対しても実用レベルの光結合出力が得られ
る。このため、この半導体発光素子は、シングルモード
光通信用光源、光ファイバジャイロの光センサ用光源等
に適したものとされている。
しかし、この種の半導体発光素子は、所謂ストライプ
構造の発光部を有しており、その構造が半導体レーザの
構造に類似していることから、動作温度が低い場合や駆
動電流を増加させて光出力を高めた場合等に、発光部で
誘導放出が生じてしまうことがある。このように誘電放
出が起きると、自然放出光を出力するべき半導体発光素
子がレーザ光を出力してしまうことになり種々の問題が
生じる。
構造の発光部を有しており、その構造が半導体レーザの
構造に類似していることから、動作温度が低い場合や駆
動電流を増加させて光出力を高めた場合等に、発光部で
誘導放出が生じてしまうことがある。このように誘電放
出が起きると、自然放出光を出力するべき半導体発光素
子がレーザ光を出力してしまうことになり種々の問題が
生じる。
そこで、誘導放出の発生を抑えるための種々の試みが
従来からなされている。
従来からなされている。
このような試みがなされている半導体発光素子の一例
としては、例えばこの出願の出願人に係る文献（カンフ
ァレンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクトロ・オ
プテイクス（CLEO（Ｃonference Ｌasers and Ｅlectro
Ｏptics）,THM39（1988）p.356〜357）に開示されてい
るInGaAsP/InP系の端面発光型の半導体発光素子があっ
た。第２図は、この半導体発光素子を、発光部が縦割と
なるよう分解して概略的に示した斜視図である。
としては、例えばこの出願の出願人に係る文献（カンフ
ァレンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクトロ・オ
プテイクス（CLEO（Ｃonference Ｌasers and Ｅlectro
Ｏptics）,THM39（1988）p.356〜357）に開示されてい
るInGaAsP/InP系の端面発光型の半導体発光素子があっ
た。第２図は、この半導体発光素子を、発光部が縦割と
なるよう分解して概略的に示した斜視図である。
この半導体発光素子は、基本的には、共通の下地（こ
の場合はＰ−InP基板21）に、ストライプ構造の発光部1
1と、この発光部11の一端11aから所定距離だけ離間した
位置に設けられこの一端11aから生ずる光を吸収するた
めの光吸収部13とを具えた構造となっていた。その構造
について、さらに詳細に説明すれば以下の通りである。
の場合はＰ−InP基板21）に、ストライプ構造の発光部1
1と、この発光部11の一端11aから所定距離だけ離間した
位置に設けられこの一端11aから生ずる光を吸収するた
めの光吸収部13とを具えた構造となっていた。その構造
について、さらに詳細に説明すれば以下の通りである。
この半導体発光素子では、第一導電型のInP基板21
（この場合Ｐ−InP基板21）上に、第二導電型の電流狭
窄層23（Ｎ−InP層）及び第一導電型の電流狭窄層（Ｐ
−InP層）25がこの順で積層されている。さらに、この
基板21の所定領域には、Ｐ−InP層25表面からＮ−InP層
23を通してＰ−InP基板21に至るストライプ状の溝でス
トライプ方向と直交する方向に切った断面がＶ字状であ
る第一のＶ溝27が形成されている。さらに、この基板21
の第一のＶ溝27が形成された位置からストライプ方向に
所定距離離間した領域には、第一のＶ溝27とストライプ
が同軸になるように第二のＶ溝29が形成されている。さ
らにこれら第一及び第二のＶ溝27,29内には、Ｐ−InPク
ラッド層31、Ｐ−InGaAsP活性層33及びＮ−InPクラッド
層35がこの順でそれぞれ積層され所謂DH構造がそれぞれ
構成されている。なお、説明の都合上、第一の溝27内に
設けたＰ−InGaAsP活性層33部分には番号33aを、第二の
溝29内に設けたＰ−InGaAsP活性層33部分には番号33bを
付して示す。
（この場合Ｐ−InP基板21）上に、第二導電型の電流狭
窄層23（Ｎ−InP層）及び第一導電型の電流狭窄層（Ｐ
−InP層）25がこの順で積層されている。さらに、この
基板21の所定領域には、Ｐ−InP層25表面からＮ−InP層
23を通してＰ−InP基板21に至るストライプ状の溝でス
トライプ方向と直交する方向に切った断面がＶ字状であ
る第一のＶ溝27が形成されている。さらに、この基板21
の第一のＶ溝27が形成された位置からストライプ方向に
所定距離離間した領域には、第一のＶ溝27とストライプ
が同軸になるように第二のＶ溝29が形成されている。さ
らにこれら第一及び第二のＶ溝27,29内には、Ｐ−InPク
ラッド層31、Ｐ−InGaAsP活性層33及びＮ−InPクラッド
層35がこの順でそれぞれ積層され所謂DH構造がそれぞれ
構成されている。なお、説明の都合上、第一の溝27内に
設けたＰ−InGaAsP活性層33部分には番号33aを、第二の
溝29内に設けたＰ−InGaAsP活性層33部分には番号33bを
付して示す。
さらにこの半導体発光素子では、Ｎ−InPクラッド層3
5上にＮ−InGaAsPコンタクト層37が形成され、このコン
タクト層37の、第一のＶ溝27と対向する領域にはｎ側電
極38が設けられそれ以外の領域はSiO2膜39で覆われてい
る。さらに、Ｐ−InP基板21の下側にはｐ側電極41が設
けられている。
5上にＮ−InGaAsPコンタクト層37が形成され、このコン
タクト層37の、第一のＶ溝27と対向する領域にはｎ側電
極38が設けられそれ以外の領域はSiO2膜39で覆われてい
る。さらに、Ｐ−InP基板21の下側にはｐ側電極41が設
けられている。
なお、この半導体発光素子の製造に当たっては、各半
導体層31,33,35,37は、液相成長により順次にかつ両溝2
7,29内には同時に形成される。
導体層31,33,35,37は、液相成長により順次にかつ両溝2
7,29内には同時に形成される。
この半導体発光素子においては、第一のＶ溝27と第二
のＶ溝29とがこれら溝間に在るＰ−InP層の一部分31aに
より分離されている。また、該半導体発光素子の駆動時
には、電流は、コンタクト層37のSiO膜39から露出する
部分にのみ狭窄されるようになるので第一のＶ溝27に有
効に注入される。この結果、第一のＶ溝27の領域が発光
部11となる。また、第二のＶ溝29内に設けたＰ−InGaAs
P層33aは、第一のＶ溝27内のＰ−InGaAsP層33bと同一組
成であるが、半導体発光素子動作時にはバンドフィリン
グ（bandfilling）効果により発光波長エネルギーが第
二のＶ溝29のＰ−InGaAsP層33bのバンドギャップエネル
ギーより大となるので、光を吸収するようになる（光吸
収層）。この結果、第二のＶ溝29の領域が光収部13とな
る。
のＶ溝29とがこれら溝間に在るＰ−InP層の一部分31aに
より分離されている。また、該半導体発光素子の駆動時
には、電流は、コンタクト層37のSiO膜39から露出する
部分にのみ狭窄されるようになるので第一のＶ溝27に有
効に注入される。この結果、第一のＶ溝27の領域が発光
部11となる。また、第二のＶ溝29内に設けたＰ−InGaAs
P層33aは、第一のＶ溝27内のＰ−InGaAsP層33bと同一組
成であるが、半導体発光素子動作時にはバンドフィリン
グ（bandfilling）効果により発光波長エネルギーが第
二のＶ溝29のＰ−InGaAsP層33bのバンドギャップエネル
ギーより大となるので、光を吸収するようになる（光吸
収層）。この結果、第二のＶ溝29の領域が光収部13とな
る。
従って、この半導体発光素子では、発光部11で生じた
光のうちの光吸収部13側に向う光は光吸収層33aに吸収
されるため、半導体発光素子の光吸収部13側の端面での
多重反射が防止され、誘導放出及び両端面での多重反射
に基づく共振器モードが抑制できた。
光のうちの光吸収部13側に向う光は光吸収層33aに吸収
されるため、半導体発光素子の光吸収部13側の端面での
多重反射が防止され、誘導放出及び両端面での多重反射
に基づく共振器モードが抑制できた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述の半導体発光素子では、光吸収層
としてのｐ−InGaAsP層33b上には発光部11上から連なる
Ｎ−InP層35及びＮ−InGaAsPコンタクト層37が在り、該
光吸収層33b下には発光部11上から連なる基板21等が在
るため、ｎ側電極38を発光部11上のみに設けて発光部11
のみに電流を狭窄しようとしても、光吸収層33bには、
基板21→Ｐ−InP層31→光吸収層33b→Ｎ−InP層35→Ｎ
−InGaAsPコンタクト層37という経路で電流が注入され
てしまうという問題点があった（この電流を、説明の都
合上リーク電流と称する）。
としてのｐ−InGaAsP層33b上には発光部11上から連なる
Ｎ−InP層35及びＮ−InGaAsPコンタクト層37が在り、該
光吸収層33b下には発光部11上から連なる基板21等が在
るため、ｎ側電極38を発光部11上のみに設けて発光部11
のみに電流を狭窄しようとしても、光吸収層33bには、
基板21→Ｐ−InP層31→光吸収層33b→Ｎ−InP層35→Ｎ
−InGaAsPコンタクト層37という経路で電流が注入され
てしまうという問題点があった（この電流を、説明の都
合上リーク電流と称する）。
従って、光吸収部13の光吸収効果は、リーク電流が無
い場合より低くなってしまう。
い場合より低くなってしまう。
この発明はこのような点に鑑みなされたものであり、
従ってこの発明の目的は、光吸収部の光吸収層へのリー
ク電流を従来より低減出来る構造を有する半導体発光素
子を提供することにある。
従ってこの発明の目的は、光吸収部の光吸収層へのリー
ク電流を従来より低減出来る構造を有する半導体発光素
子を提供することにある。
（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、共通
の下地に、ストライプ構造の発光部と、該発光部の一端
から生ずる光を吸収するため該一端側に設けられ光吸収
層を有する光吸収部を具え、前述の発光部の他端側から
光を放射する半導体発光素子において、 互いに短絡される第一の電極及び第二の電極を、第一
の電極については光吸収層の上側に直接にまたは他の半
導体層を介して具え、第二の電極については前述の光吸
収層の下側に直接にまたは他の半導体層を介して具えた
ことを特徴とする。
の下地に、ストライプ構造の発光部と、該発光部の一端
から生ずる光を吸収するため該一端側に設けられ光吸収
層を有する光吸収部を具え、前述の発光部の他端側から
光を放射する半導体発光素子において、 互いに短絡される第一の電極及び第二の電極を、第一
の電極については光吸収層の上側に直接にまたは他の半
導体層を介して具え、第二の電極については前述の光吸
収層の下側に直接にまたは他の半導体層を介して具えた
ことを特徴とする。
なお、ここで云う他の半導体層とは、半導体基板をも
含む。
含む。
（作用） このような構成によれば、第一電極及び第二電極間を
端絡して成るバイパスが光吸収層に並列に設けられた構
造になるので、光吸収部に電流が注入されることはなく
なる。
端絡して成るバイパスが光吸収層に並列に設けられた構
造になるので、光吸収部に電流が注入されることはなく
なる。
（実施例） 以下、第２図に示した半導体発光素子にこの発明を適
用した例により実施例の説明を行う。第１図（Ａ）及び
（Ｂ）はその説明に供する図である。特に、第１図
（Ａ）は実施例の半導体発光素子をストライプ方向の中
心線に沿って縦割にした状態を示した斜視図、第１図
（Ｂ）はこの実施例の半導体発光素子に具わる第一の電
極及び第二の電極間を短絡する一例を示した説明図であ
る。しかしながら、いずれの図も、この発明を理解出来
る程度に各構成成分の寸法、形状、及び配置関係を概略
的に示してある。また、各図において、第２図に示した
構成成分と同様な構成成分については第２図に示した番
号と同様な番号を付してある。また、以下の説明におい
ては、第２図を用いて既に説明した構成成分の説明は一
部省略する。
用した例により実施例の説明を行う。第１図（Ａ）及び
（Ｂ）はその説明に供する図である。特に、第１図
（Ａ）は実施例の半導体発光素子をストライプ方向の中
心線に沿って縦割にした状態を示した斜視図、第１図
（Ｂ）はこの実施例の半導体発光素子に具わる第一の電
極及び第二の電極間を短絡する一例を示した説明図であ
る。しかしながら、いずれの図も、この発明を理解出来
る程度に各構成成分の寸法、形状、及び配置関係を概略
的に示してある。また、各図において、第２図に示した
構成成分と同様な構成成分については第２図に示した番
号と同様な番号を付してある。また、以下の説明におい
ては、第２図を用いて既に説明した構成成分の説明は一
部省略する。
この実施例の半導体発光素子は、第２図を用いて説明
したと同様な構成のストライプ構造の発光部11及び該発
光部11の一端から生ずる光を吸収するため該一端から離
間した位置に設けられ光吸収層33bを有する光吸収部13
を具える。さらに、この半導体発光素子は、互いに短絡
される第一の電極51及び第二の電極53を、第一の電極51
については光吸収層33bの上側にＮ−InPクラッド層35及
びＮ−InGaAsPコンタクト層37を介して具え、また、第
二の電極については光吸収層33bの下側にＰ−InPクラッ
ド層31及びＰ−InP基板を介して具えている。
したと同様な構成のストライプ構造の発光部11及び該発
光部11の一端から生ずる光を吸収するため該一端から離
間した位置に設けられ光吸収層33bを有する光吸収部13
を具える。さらに、この半導体発光素子は、互いに短絡
される第一の電極51及び第二の電極53を、第一の電極51
については光吸収層33bの上側にＮ−InPクラッド層35及
びＮ−InGaAsPコンタクト層37を介して具え、また、第
二の電極については光吸収層33bの下側にＰ−InPクラッ
ド層31及びＰ−InP基板を介して具えている。
具体的には、第一の電極51は、SiO2膜39の第二の溝29
上に当る領域を除去して露出したＮ−InGaAsPコンタク
ト層37の部分上に設けたオーミック電極で構成してい
る。なお、この第一電極51は、発光部11のｎ側電極とは
分離されている。また、第二の電極53は、基板21の裏面
全面に設けたｐ側電極41でそのまま構成している。
上に当る領域を除去して露出したＮ−InGaAsPコンタク
ト層37の部分上に設けたオーミック電極で構成してい
る。なお、この第一電極51は、発光部11のｎ側電極とは
分離されている。また、第二の電極53は、基板21の裏面
全面に設けたｐ側電極41でそのまま構成している。
これら第一の電極51及び第二の電極53は、互いに短絡
されるものである。その短絡方法は、この半導体発光素
子に短絡用の配線を直接設けても良いし、外付けの配線
によって互いを短絡しても良い。外付けの配線による短
絡方法の具体的な例を第１図（Ｂ）を参照して説明す
る。
されるものである。その短絡方法は、この半導体発光素
子に短絡用の配線を直接設けても良いし、外付けの配線
によって互いを短絡しても良い。外付けの配線による短
絡方法の具体的な例を第１図（Ｂ）を参照して説明す
る。
第１図（Ｂ）に示した例は、半導体発光素子の実際の
使用に即した実装例であり、実施例の半導体発光素子61
をヒートシンク63にボンディングし、さらにヘッダにマ
ウントした状態を示した図である。なお、第１図（Ｂ）
においては、ヘッダは、ヘッダの一部分であるヘッダカ
ソード65及びヘッダアノード67部分のみを示している。
使用に即した実装例であり、実施例の半導体発光素子61
をヒートシンク63にボンディングし、さらにヘッダにマ
ウントした状態を示した図である。なお、第１図（Ｂ）
においては、ヘッダは、ヘッダの一部分であるヘッダカ
ソード65及びヘッダアノード67部分のみを示している。
半導体発光素子61は、ｐ側電極41（第二の電極53をも
兼ねている。）を介しヒートシンク63にボンディングし
てある。ボンディングは、例えば融着金属により行なえ
る。ヒートシンク63としては、例えば高抵抗シリコンを
用いることが出来る。また、半導体発光素子61の第一の
電極51と、ヒートシンク63との間は金ワイヤ69aにより
接続してあり、これにより第一の電極51及び第二の電極
53（ｐ側電極41）間を短絡している。また、ヒートシン
ク61及びヘッダアノード67間を金ワイヤ69bにより接続
してあり、ｎ側電極38及びヘッダカソード65間は金ワイ
ヤ69cにより接続してある。
兼ねている。）を介しヒートシンク63にボンディングし
てある。ボンディングは、例えば融着金属により行なえ
る。ヒートシンク63としては、例えば高抵抗シリコンを
用いることが出来る。また、半導体発光素子61の第一の
電極51と、ヒートシンク63との間は金ワイヤ69aにより
接続してあり、これにより第一の電極51及び第二の電極
53（ｐ側電極41）間を短絡している。また、ヒートシン
ク61及びヘッダアノード67間を金ワイヤ69bにより接続
してあり、ｎ側電極38及びヘッダカソード65間は金ワイ
ヤ69cにより接続してある。
第１図（Ｂ）に示した例の場合、発光部11にはヘッダ
アノード67→発光層33a→ヘッダカソード65の経路で所
望の電流が注入される。このため、所望の光が従来と同
様に得られる。一方、光吸収部13では金ワイヤ69aによ
り第一の電極51及び第二の電極53（ｐ側電極41）間を短
絡してあるので光吸収層33b（第１図（Ａ）参照）には
電流が流れることはなくなる。このため、光吸収層では
光吸収のみ効率的に行なわれる。
アノード67→発光層33a→ヘッダカソード65の経路で所
望の電流が注入される。このため、所望の光が従来と同
様に得られる。一方、光吸収部13では金ワイヤ69aによ
り第一の電極51及び第二の電極53（ｐ側電極41）間を短
絡してあるので光吸収層33b（第１図（Ａ）参照）には
電流が流れることはなくなる。このため、光吸収層では
光吸収のみ効率的に行なわれる。
上述においてはこの発明の半導体発光素子の実施例に
つき説明したが、この発明は上述の実施例のみに限られ
るものではなく以下に説明するような種々の変更を加え
ることが出来る。
つき説明したが、この発明は上述の実施例のみに限られ
るものではなく以下に説明するような種々の変更を加え
ることが出来る。
例えば、上述の実施例では下地をＰ−InP基板とした
例で説明しているが、下地をＮ−InP基板として各半導
体層の導電型を全て反対にして半導体発光素子を構成し
ても実施例と同様な効果を得ることが出来る。
例で説明しているが、下地をＮ−InP基板として各半導
体層の導電型を全て反対にして半導体発光素子を構成し
ても実施例と同様な効果を得ることが出来る。
また、上述の実施例では溝27,29をその断面がＶ字状
の溝とした例で説明しているが溝の断面形状はこれ以外
のものでも勿論良い。
の溝とした例で説明しているが溝の断面形状はこれ以外
のものでも勿論良い。
また、発光部及び光吸収部の光導波路構造は溝を用い
た構造のものに限られるものではなく、BH構造等のよう
な他の構造でも良い。
た構造のものに限られるものではなく、BH構造等のよう
な他の構造でも良い。
また、上述の例では発光部及び光吸収部は離間してい
る構造であったが、これらが接している場合もこの発明
を適用することが出来る。
る構造であったが、これらが接している場合もこの発明
を適用することが出来る。
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の半導
体発光素子によれば、光吸収層上側に設けた第一の電極
及び該光吸収層下側に設けた第二の電極間を短絡させた
構造になるので、光吸収部を流れようとする電流は第一
電極及び第二電極間を短絡して成るバイパスに流れるよ
うになる。このため、光吸収層に電流が流れることが全
くなくなるので、光吸収層にリーク電流が流れる従来構
造に比し、光吸収層における吸収効果を向上させること
が出来る。
体発光素子によれば、光吸収層上側に設けた第一の電極
及び該光吸収層下側に設けた第二の電極間を短絡させた
構造になるので、光吸収部を流れようとする電流は第一
電極及び第二電極間を短絡して成るバイパスに流れるよ
うになる。このため、光吸収層に電流が流れることが全
くなくなるので、光吸収層にリーク電流が流れる従来構
造に比し、光吸収層における吸収効果を向上させること
が出来る。
第１図（Ａ）は、実施例の半導体発光素子の構造を概略
的に示す分解斜視図、 第１図（Ｂ）は、実施例の半導体発光素子の説明に供す
る図、 第２図は、従来の半導体発光素子の構造説明に供する分
解斜視図である。 11……発光部、11a……発光部の一端 11b……発光部の他端、13……光吸収部 21……共通な下地（Ｐ−InP基板） 23……Ｎ−InP層（電流狭窄層） 25……Ｐ−InP層（電流狭窄層） 27……第一のＶ溝、29……第二のＶ溝 31……Ｐ−InPクラッド層 33……Ｐ−InGaAsP活性層 33a……発光層、33b……光吸収層 35……Ｎ−InPクラッド層 37……Ｎ−InGaAsPコンタクト層 38……ｎ側電極、39……SiO2膜 41……ｐ側電極、51……第一の電極 53……第二の電極、61……半導体発光素子 63……ヒートシンク、65……ヘッダカソード 67……ヘッダアノード、69a〜69c……金ワイヤ。
的に示す分解斜視図、 第１図（Ｂ）は、実施例の半導体発光素子の説明に供す
る図、 第２図は、従来の半導体発光素子の構造説明に供する分
解斜視図である。 11……発光部、11a……発光部の一端 11b……発光部の他端、13……光吸収部 21……共通な下地（Ｐ−InP基板） 23……Ｎ−InP層（電流狭窄層） 25……Ｐ−InP層（電流狭窄層） 27……第一のＶ溝、29……第二のＶ溝 31……Ｐ−InPクラッド層 33……Ｐ−InGaAsP活性層 33a……発光層、33b……光吸収層 35……Ｎ−InPクラッド層 37……Ｎ−InGaAsPコンタクト層 38……ｎ側電極、39……SiO2膜 41……ｐ側電極、51……第一の電極 53……第二の電極、61……半導体発光素子 63……ヒートシンク、65……ヘッダカソード 67……ヘッダアノード、69a〜69c……金ワイヤ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−16280（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−321670（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−55984（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−153578（ＪＰ，Ａ) ＣＬＥＯ ＴＨＭ39（1988）Ｐ．356 −357 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】共通の下地に、ストライプ構造の発光部
と、該発光部の一端から生ずる光を吸収するため該一端
側に設けられ光吸収層を有する光吸収部とを具え、前記
発光部の他端側から光を放射する半導体発光素子におい
て、 互いに短絡される第一の電極及び第二の電極を、第一の
電極については光吸収層の上側に直接にまたは他の半導
体層を介して具え、第二の電極については前記光吸収層
の下側に直接にまたは他の半導体層を介して具えたこと を特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003914A JP2788523B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003914A JP2788523B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209787A JPH03209787A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2788523B2 true JP2788523B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=11570446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003914A Expired - Fee Related JP2788523B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2788523B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071269A (ja) * | 2007-09-17 | 2009-04-02 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009030549A1 (de) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Projektionsgerät |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2003914A patent/JP2788523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＣＬＥＯ ＴＨＭ３９（１９８８）Ｐ．３５６−３５７ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071269A (ja) * | 2007-09-17 | 2009-04-02 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03209787A (ja) | 1991-09-12 |
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