JP2004125907A - 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置 Download PDF

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Abstract

【課題】高感度、特に半導体レーザー波長領域に高感度特性を有し、繰り返し使用時の電位安定性、加えて画像欠陥、特にゴーストの出にくい電子写真感光体を提供する。
【解決手段】電荷発生層がフタロシアニン化合物に対して下記式で示される2級アミン化合物を1〜500ppm含有することを特徴とする電子写真感光体並びに該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置。
【化10】
Figure 2004125907

(式中、RとRは炭素数6以下の炭化水素基を示し、Xは水素、K、NaまたはNHを示し、Yはハロゲン原子またはSOを示す。)
【選択図】    なし

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子写真感光体並びに該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジおよび電子写真装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子写真感光体の光導電材料としてセレン、硫化カドミウムや酸化亜鉛などの無機光導電材料が従来より用いられている。一方、ポリビニルカルバゾール、オキサジアゾール、アゾ顔料やフタロシアニンなどの有機光導電材料は無機光導電材料に比べてその無公害性や高生産性等の利点があるが、感度が低くその実用化は困難であった。そのため、いくつかの増感方法が提案されているが、その効果的な方法としては電荷発生層と電荷輸送層を積層した機能分離型の感光体を用いることが主流となり実用化されるようになってきた。
【0003】
一方、近年、端末用プリンターとして従来のインパクト型のプリンターにかわり、電子写真技術を応用したノンインパクト型のプリンターが広く普及してきている。これらは主としてレーザー光を光源とするレーザービームプリンターであり、その光源としては、コストや装置の大きさ等の点から半導体レーザーが用いられ、その発振波長の光に十分な感度を有する電子写真感光体の開発が進められてきた。
【0004】
フタロシアニン化合物は、こうした半導体レーザー発振波長領域に感度を有する電荷発生材料として極めて有効であり、特にオキソチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、従来のフタロシアニン化合物に比べ優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形が報告されている(例えば,特許文献1〜8参照)。
【0005】
また、フタロシアニン化合物においては、結晶形が同じでも使用原料や溶剤といった製造法、および反応温度や仕込み比等の製造条件の差により電子写真感光体として使用する場合、電子写真特性が著しく変化し、特に感度や帯電性に著しく違いが出ることがわかっている。
【0006】
ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法に関しては種々開示されている(例えば,特許文献9〜13参照)。また、N,N−ジメチルホルムアミド等の極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が開示されている(例えば,特許文献14参照)が、これ等のガリウムフタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体は、製造毎の電子写真特性にバラツキが生じ、また電子写真プロセスの高速化あるいは高画質化の観点からみて必ずしも満足できるものではない。
【0007】
また、アミン化合物を感光体に含有させる例として、3級アミン化合物を電荷輸送材料として用いるのは周知の事実であり、1級または2級アミン化合物に関しても開示されている(例えば,特許文献15〜18参照)が、これらの効果はホール輸送能力の向上による感度や耐久電位変動の向上、または酸化防止効果による帯電劣化の低下や、表層の磨耗性改良であり、高画質化の観点からみて満足できるものではなく、複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置の更なる小型化、また高画質フルカラー化の中でゴーストの出ない電子写真感光体が望まれている。
【0008】
【特許文献1】
特開昭61−239248号公報
【特許文献2】
特開昭61−217050号公報
【特許文献3】
特開昭62−67094号公報
【特許文献4】
特開昭63−218768号公報
【特許文献5】
特開昭64−17066号公報
【特許文献6】
特開平5−098181号公報
【特許文献7】
特開平5−263007号公報
【特許文献8】
特開平10−67946号公報
【特許文献9】
特開平8−100134号公報
【特許文献10】
特開平9−111148号公報
【特許文献11】
特開平9−124967号公報
【特許文献12】
特開平10−7927号公報
【特許文献13】
特開平10−17784号公報
【特許文献14】
特開平7−331107号公報
【特許文献15】
特開昭59−171741号公報
【特許文献16】
特開平8−254844号公報
【特許文献17】
特開平8−262760号公報
【特許文献18】
特開2000−122314公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこうした問題点に鑑みなされたもので、その目的は、高感度、特に半導体レーザー波長領域に高感度特性を有し、繰り返し使用時の電位安定性、加えて画像欠陥、特にゴーストの出にくい電子写真感光体並びに該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、導電性支持体上に電荷発生材料としてフタロシアニン化合物を含有する電荷発生層と電荷輸送材料を含有する電荷輸送層の少なくとも二層からなる感光層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層がフタロシアニン化合物に対して下記一般式(1)で示される2級アミン化合物を1〜500ppm含有することを特徴とする電子写真感光体である。
一般式(1)
【0011】
【化2】
Figure 2004125907
(式中、RとRは縮合して環を形成してもよい、炭素数6以下の炭化水素基を示し、Xは水素、K、NaまたはNHを示し、Yはハロゲン原子またはSOを示し、nは1〜2の整数を示し、mとpは0〜2の整数を示す。)
また、本発明は、上記電子写真感光体、および帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【0012】
また、本発明は、上記電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下に本発明について詳しく説明する。
【0014】
一般式(1)において、Yのハロゲン原子としては塩素原子および臭素原子等が挙げられる。
【0015】
一般式(1)で示される2級アミン化合物は、塩の状態で存在してもイオンの形で存在してもさしつかえないが、好ましくはジアルキルアミン、更にジメチルアミンであることが電子写真特性の面から好ましい。
【0016】
電荷発生材料として用いられるフタロシアニン化合物は、無金属フタロシアニンや、軸配位子を有してもよい金属フタロシアニン等のいかなるフタロシアニンでも使用でき、置換基を有してもよく、いかなる結晶形でもよいが、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θの7.4±0.3°および28.2±0.3°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニンが電子写真特性の面で好ましい。更に、一般式(1)の2級アミン化合物を結晶中に含有したフタロシアニン結晶が優れた電子写真特性を発現するため特に好ましい。
【0017】
一般式(1)の2級アミン化合物のフタロシアニン化合物に対する含有量は、電子写真特性の面から5〜200ppmが特に好ましい。
【0018】
一般式(1)の2級アミン化合物の代表例を以降に示すが、これらに限定されるものではない。
【0019】
【表1】
Figure 2004125907
【0020】
次に、本発明の電子写真感光体について詳しく説明する。
【0021】
導電性支持体としては、導電性を有するものであればよく、アルミニウムおよびステンレス等の金属あるいは導電層を設けた金属、プラスチックおよび紙等が挙げられ、形状としては円筒状またはフィルム状等が挙げられる。
【0022】
導電性支持体と感光層の間にはバリヤー機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。下引き層の材料としてはポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド、にかわおよびゼラチン等が用いられる。これ等は過当な溶剤に溶解して導電性支持体上に塗布される。その膜厚は0.2〜3.0μmが好ましい。
【0023】
さらに、支持体と下引き層との間に、支持体のムラや欠陥の被覆、干渉縞防止を目的とした導電層を設けることが好適である。これは、カーボンブラック、金属粒子および金属酸化物等の導電性粉体を、バインダー樹脂中に分散して形成することができる。導電層の膜厚は、好ましくは5〜40μm、より好ましくは10〜30μmである。
【0024】
電荷発生層は、例えば、フタロシアニン化合物と2級アミン化合物、好ましくは2級アミン化合物を結晶中に含有したフタロシアニン化合物とを適当なバインダー樹脂溶液に分散し、この分散液を塗布し、乾燥して形成する。
【0025】
電荷輸送層は、主として電荷輸送材料とバインダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗布乾燥して形成する。電荷輸送材料としては各種のトリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物およびトリアリルメタン系化合物等が挙げられる。
【0026】
各層に用いるバインダー樹脂としては、例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体およびポリビニルベンザール等の樹脂が用いられる。
【0027】
感光層の塗布方法としては、ディッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法およびビームコーティング法等の塗布方法を用いることができる。
【0028】
電荷発生層中のフタロシアニン化合物の含有量は、電荷発生層の全固形分に対して30〜90質量%が好ましく、より好ましくは50〜80質量%である。電荷輸送材料の含有量は、電荷輸送層の全固形分に対して20〜80質量%が好ましく、より好ましくは30〜70質量%である。
【0029】
感光層上には、必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層はポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート(ポリカーボネートZや変性ポリカーボネート等)、ポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマーおよびスチレン−アクリロニトリルコポリマーなどの樹脂を適当な有機溶剤によって溶解し、感光層の上に塗布し、乾燥して形成できる。保護層の膜厚は、0.05〜20μmが好ましい。また、保護層中に導電性粒子や紫外線吸収剤などを含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば酸化錫粒子等の金属酸化物が好ましい。
【0030】
次に、本発明の電子写真感光体を有する電子写真装置について説明する。
【0031】
図1において、1は本発明のドラム型感光体であり軸1aを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動する。該感光体1はその回転過程で帯電手段2によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光部3にて不図示の露光手段により光像露光L(スリット露光あるいはレーザービーム走査露光など)を受ける。これにより感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次形成されていく。その静電潜像は、次いで現像手段4でトナー現像され、そのトナー像がコロナ転写手段5により不図示の給紙部から感光体1と転写手段5との間に感光体1の回転と同期取りされて給送された転写材9の面に順次転写されていく。像転写を受けた転写材9は感光体面から分離されて定着手段8へ導入されて像定着を受けて複写物(コピー)として機外へプリントアウトされる。像転写後の感光体1の表面はクリーニング手段6にて転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、前露光手段7により除電処理がされて繰り返して像形成に使用される。
【0032】
また、図2に示す装置では、少なくとも感光体1、帯電手段2および現像手段4を容器20に納めてプロセスカートリッジとし、このプロセスカートリッジを装置本件のレールなどの案内手段12を用いて着脱自在に構成している。クリーニング手段6は容器20内に配置しても配置しなくてもよい。
【0033】
また、図3および図4に示すように、帯電手段として直接帯電部材10を用い、電圧印加された直接帯電部材10を感光体1に接触させることにより感光体1の帯電を行ってもよい(この帯電方法を、以下直接帯電という)。図3および図4に示す装置では、感光体1上のトナー像も直接帯電部材23で転写材9に転写される。即ち、電圧印加された直接帯電部材23を転写材9に接触させることにより感光体1上のトナー像を転写材9に転写させる。
【0034】
更に、図4に示す装置では、少なくとも感光体1および直接帯電部材10を第1の容器21に納めて第1のプロセスカートリッジとし、少なくとも現像手段4を第2の容器22に納めて第2のプロセスカートリッジとし、これら第1のプロセスカートリッジと、第2のプロセスカートリッジとを着脱自在に構成している。クリーニング手段6は容器21内に配置しても配置しなくてもよい。
【0035】
光像露光Lは、電子写真装置を複写機やプリンターとして使用する場合には、原稿からの反射光や透過光を用いる、あるいは、原稿を読み取り信号化に従って、この信号によりレーザービームの走査、発光ダイオードアレイの駆動、または液晶シャッターアレイの駆動などにより行われる。
【0036】
以下、製造例、実施例および比較例に従って本発明を更に詳細に説明する。
【0037】
以下に示す「%」および「部」は、それぞれ「質量%」および「質量部」を意味する。α−クロロナフタレンは東京化成工業(株)製、純度85%以上品を使用。
【0038】
製造例1−1
窒素フロー下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜に投入後、加熱し、60℃まで昇温しこの温度をキープした。この時点でフタロニトリルは完全に溶解していた。次に、この温度(60℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入(投入時の反応液の水分値は83ppmであった)し、その後、200℃まで昇温した。窒素フロー下、200℃で5.5時間反応させた後、冷却し150℃に達した時に生成物をろ過した。得られた生成物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて140℃で2時間分散洗浄した後、ろ過し、メタノールで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニンを4.2部得た。
【0039】
製造例1−2
窒素フロー下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜に投入後、加熱し、60℃まで昇温しこの温度をキープした。この時点でフタロニトリルは完全に溶解していた。次に、この温度(60℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入(投入時の反応液の水分値は30ppmであった)し、その後、200℃まで昇温した。窒素フロー下、200℃で5.5時間反応させた後、冷却し150℃に達した時に生成物をろ過した。得られた生成物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて140℃で2時間分散洗浄した後、ろ過し、メタノールで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニンを4.0部得た。
【0040】
製造例1−3
窒素フロー下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜に投入後、加熱し、30℃まで昇温しこの温度をキープした。この時点でフタロニトリルは完全には溶解していなかった。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入(投入時の反応液の水分値は20ppmであった)し、その後、200℃まで昇温した。窒素フロー下、200℃で5.5時間反応させた後、冷却し150℃に達した時に生成物をろ過した。得られた生成物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて140℃で2時間分散洗浄した後、ろ過し、メタノールで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニンを4.5部得た。
【0041】
製造例1−4
窒素フロー下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜に投入後、加熱し、30℃まで昇温しこの温度をキープした。この時点でフタロニトリルは完全には溶解していなかった。次にこの温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入(投入時の反応液の水分値は100ppmであった)し、その後、200℃まで昇温した。窒素フロー下、200℃で3.5時間反応させた後、冷却し150℃に達した時に生成物をろ過した。得られた生成物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて140℃で2時間分散洗浄した後、ろ過し、メタノールで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニンを4.3部得た。
【0042】
製造例2−1
製造例1−1で得られたクロロガリウムフタロシアニン2.25部を5〜10℃の濃硫酸67.5部に溶解させ、氷水300部中に攪拌下に滴下して再析出させた後ろ過した。2%アンモニア水で分散洗浄、次いでイオン交換水で分散洗浄を4回行った後、乾燥してヒドロキシガリウムフタロシアニンを2.1部得た。
【0043】
製造例2−2、2−3および2−4
製造例1−2、1−3および1−4で、それぞれ得られたクロロガリウムフタロシアニンを製造例2−1と同様に処理した。
【0044】
製造例3−1
製造例2−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン0.8部およびN,N−ジメチルホルムアミド16部を1.2mmφのガラスビーズ24部と共にサンドミルでミリング処理を25±3℃で10時間行った。この分散液より固形分を取り出し、テトラヒドロフランで十分に洗浄後、真空乾燥して、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θの7.5°および28.3°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.7部得た。得られた結晶の粉末X線回折図を図5に示す。この結晶をメタノールに湿潤させた後、純水で熱処理してイオンクロマトグラフ法により分析し、ジメチルアミンを400ppm検出した。
【0045】
製造例3−2、3−3および3−4
製造例2−2、2−3および2−4で、それぞれ得られたヒドロキシガリウムフタロシアニンを製造例3−1と同様に処理した。それぞれ得られた結晶の粉末X線回折は図5と同様であった。製造例3−1と同様に分析しジメチルアミンをそれぞれ280ppm、360ppm、および660ppm検出した。
【0046】
製造例3−5
製造例2−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン0.8部およびN,N−ジメチルホルムアミド16部を1.2mmφのガラスビーズ24部と共にサンドミルでミリング処理を25±3℃で10時間行った。この分散液より固形分を取り出し、イオン交換水で分散洗浄、それに続くろ過工程とを3回繰り返しN,N−ジメチルホルムアミドウエットから完全に水ウエットとした後、凍結乾燥して、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θがの7.5°および28.3°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.7部得た。得られた結晶の粉末X線回折は図5と同様であった。製造例3−1と同様に分析しジメチルアミンを40ppm検出した。
【0047】
製造例3−6
製造例2−4で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン0.8部およびN,N−ジメチルホルムアミド16部を1.2mmφのガラスビーズ24部と共にサンドミルでミリング処理を25±3℃で10時間行った。この分散液より固形分を取り出し、イオン交換水で分散洗浄、それに続くろ過工程とを3回繰り返した後、真空乾燥して、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θの7.5°および28.3°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.7部得た。得られた結晶の粉末X線回折は図5と同様であった。製造例3−1と同様に分析しジメチルアミンを570ppm検出した。
【0048】
製造例3−7
製造例2−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン0.8部およびテトラヒドロフラン16部を1.2mmφのガラスビーズ24部と共にサンドミルでミリング処理を25℃で10時間行った。この分散液より固形分を取り出し、真空乾燥して、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θの7.5°および28.3°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を0.7部得た。製造例3−1と同様に分析したが、ジメチルアミンは検出されなかった。
【0049】
実施例1−1
10%の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体50部、レゾール型フェノール樹脂25部、メチルセロソルブ20部、メタノール5部およびシリコーンオイル(ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量3000)0.002部を1.2mmφガラスビーズを用いたサンドミル装置で2時間分散して導電層用塗料を調製した。
【0050】
アルミニウムシリンダー(φ30mm)上に、上記塗料をディッピング法で塗布し、140℃で30分間乾燥させて、膜厚が16μmの導電層を形成した。
【0051】
この上に6−66−610−12四元系ポリアミド共重合体樹脂5部をメタノール70部とブタノール25部の混合溶媒に溶解した溶液をディッピング法で塗布し、乾燥させて、膜厚が0.5μmの下引き層を設けた。
【0052】
次に、製造例3−1で製造したヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶2部とポリビニルブチラール樹脂(商品名:エスレックBX−1、積水化学工業社製)1部をシクロヘキサノン50部に添加し1.2mmφのガラスビーズを用いたサンドミルで6時間分散し、これにシクロヘキサノン50部と酢酸エチル120部を加えて希釈し、これを下引き層上に塗布した後、100℃で10分間乾燥させて、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
【0053】
次に下記構造式(化合物I−1)
【0054】
【化3】
Figure 2004125907
で示される電荷輸送材料7部と下記構造式
【0055】
【化4】
Figure 2004125907
で示される電荷輸送材料1部とポリアリレート樹脂10部をモノクロルベンゼン70部とメチラール30部に溶解した溶液を調製し、電荷発生層上にディッピング法により塗布した。これを110℃の温度で1時間乾燥させて、膜厚が18μmの電荷輸送層を形成し電子写真感光体を作成した。
【0056】
実施例1−2〜1−4および比較例1−1〜1−3
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、表1に示したように製造例3−2、3−3、3−5、および3−4、3−6、3−7で製造したガリウムフタロシアニン結晶を用いた他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体をそれぞれ作成した。
【0057】
実施例2−1
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、製造例3−7で製造したガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生材料として用い、ジメチルアミンをフタロシアニン化合物に対して400ppm添加した他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0058】
実施例2−2
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、製造例3−7で製造したガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生材料として用い、ジフェニルアミンをフタロシアニン化合物に対して400ppm添加した他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0059】
実施例2−3
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、製造例3−7で製造したガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生材料として用い、ジメチルアミン硫酸塩をフタロシアニン化合物に対して400ppm添加した他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0060】
比較例2−1
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、製造例3−7で製造したガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生材料として用い、下記構造式の電荷輸送材料(化合物I−1)をフタロシアニン化合物に対して400ppm添加した他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0061】
【化5】
Figure 2004125907
【0062】
比較例2−2
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、製造例3−7で製造したガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生材料として用い、下記構造式のフェニレンジアミン誘導体(化合物I−2)をフタロシアニン化合物に対して10%添加した他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0063】
【化6】
Figure 2004125907
【0064】
比較例2−3
比較例2−2において用いた、前記フェニレンジアミン誘導体をフタロシアニン化合物に対して400ppm添加した他は、比較例2−2と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0065】
比較例2−4
比較例2−2において用いた、前記フェニレンジアミン誘導体をフタロシアニン化合物に対して40ppm添加した他は、比較例2−2と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0066】
比較例2−5
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、製造例3−7で製造したガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生材料として用い、t−ブチルアミンをフタロシアニン化合物に対して400ppm添加した他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0067】
実施例3−1
実施例1−4と同様に電荷発生層までを形成した。次に下記構造式
【0068】
【化7】
Figure 2004125907
で示される電荷輸送材料7部と下記構造式
【0069】
【化8】
Figure 2004125907
で示される電荷輸送材料3部、およびポリカーボネート樹脂(商品名:ユーピロンZ−200、三菱ガス化学社製)10部をモノクロロベンゼン70部に溶解した溶液を調製し、電荷発生層上にディッピング法により塗布した。これを110℃の温度で1時間乾燥させて、膜厚が22μmの電荷輸送層を形成し電子写真感光体を作成した。
【0070】
比較例3−1
比較例1−1と同様に電荷発生層までを形成した。次に、実施例3−1と同様に電荷輸送層を形成し電子写真感光体を形成した。
【0071】
比較例4−1
実施例1−1において用いたフタロシアニン結晶に代えて、下記構造式のアゾ化合物(化合物I−3)を電荷発生材料として用い、ジメチルアミンをアゾ化合物に対して400ppm添加した他は、実施例1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0072】
【化9】
Figure 2004125907
【0073】
実施例1−1〜1−4、2−1〜2−3、3−1、および比較例1−1〜1−3、2−1〜2−5、3−1、4−1で作成した電子写真感光体を以下の方法で評価した。
【0074】
評価機はヒューレットパッカード社製LBP「レーザージェット4000」(プロセススピード94.2mm/sec)を使用して、レーザー光を照射後の表面電位(明部電位)を測定した。表面電位は、評価機から、現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位測定装置を挿入し測定を行った。電位測定装置は、現像用カートリッジの現像位置に電位測定プローブを配置することで構成されており、電子写真感光体に対する電位測定プローブの位置は、ドラム軸方向のほぼ中央、ドラム表面からのギャップを3mmとした。測定は25℃、相対湿度が50%となる環境で行い、電子写真感光体ドラムは、測定の24時間前から、測定環境に放置したものを用いた。
【0075】
また、ポジゴーストの評価は以下のように行った。ベタ黒画像を2枚打ち出した後、プリント画像書き出しから感光体1回転の部分に25mm角の正方形のベタ黒部を並べ、感光体2回転目以降に1ドットを桂馬パターンで印字したハーフトーンのテストチャートを打ち出し、ハーフトーンのテストチャート上に表れる、25mm角のベタ黒部の履歴の程度を目視により評価した。ゴーストの程度は以下のようにランク基準に従い、数値化を行った。
ランクA:ゴーストは全く見えない。
ランクB:履歴の輪郭が極わずかに見える。
ランクC:履歴の輪郭がうっすら見える。
ランクD:履歴の輪郭がはっきりと見える。
ランクE:履歴の25mm角がはっきりと見える。
【0076】
評価結果を表1および表2に示す。
【0077】
【表2】
Figure 2004125907
【0078】
【表3】
Figure 2004125907
【0079】
【発明の効果】
本発明は、高感度、特に半導体レーザー波長領域に高感度特性を有し、繰り返し使用時の電位安定性、加えて画像欠陥、特にゴーストの出にくい電子写真感光体が得られという顕著な効果を奏する電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子写真感光体を有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【図2】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【図3】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【図4】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【図5】製造例3−1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニンのCuKαの特性X線回折図である。
【符号の説明】
1  感光体
1a  軸
2  帯電手段
3  露光部
4  現像手段
5  コロナ転写手段
6  クリーニング手段
7  前露光手段
8  定着手段
9  転写材
10  直接帯電部材
12  案内手段
20、21、22  容器
23  直接帯電部材
L  露光光

Claims (10)

  1. 導電性支持体上に電荷発生材料としてフタロシアニン化合物を含有する電荷発生層と電荷輸送材料を含有する電荷輸送層の少なくとも二層からなる感光層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層がフタロシアニン化合物に対して下記一般式(1)で示される2級アミン化合物を1〜500ppm含有することを特徴とする電子写真感光体。
    一般式(1)
    Figure 2004125907
    (式中、RとRは縮合して環を形成してもよい、炭素数6以下の炭化水素基を示し、Xは水素、K、NaまたはNHを示し、Yはハロゲン原子またはSOを示し、nは1〜2の整数を示し、mとpは0〜2の整数を示す。)
  2. 前記2級アミン化合物がジアルキルアミン化合物である請求項1に記載の電子写真感光体。
  3. 前記ジアルキルアミン化合物がジメチルアミンである請求項2に記載の電子写真感光体。
  4. 前記フタロシアニン化合物がガリウムフタロシアニンである請求項1〜3のいずれかに記載の電子写真感光体。
  5. 前記ガリウムフタロシアニン化合物がヒドロキシガリウムフタロシアニンである請求項4に記載の電子写真感光体。
  6. 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニンがCuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θの7.4±0.3°および28.2±0.3°に強いピークを有する結晶形である請求項5に記載の電子写真感光体。
  7. 前記電荷発生材料に対して前記2級アミン化合物を5〜200ppm含有する請求項1〜6のいずれかに記載の電子写真感光体。
  8. 前記フタロシアニン化合物が、前記2級アミン化合物を結晶中に含有したフタロシアニン化合物である請求項1〜7のいずれかに記載の電子写真感光体。
  9. 請求項1〜8のいずれかに記載の電子写真感光体、および帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
  10. 請求項1〜8のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
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