JP2004119620A5 - - Google Patents

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図１（ａ）〜図１（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置であって、（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は正面構成を示し、（ｃ）は左側面構成を示している。
その上、図３（ｂ）に示すように、第１のリセス部１０ａの幅寸法ｘ1 と第２のリセス部１０ｂの幅寸法ｙ1 とを異なる値としているため、たとえＦＳＡ法を用いたとしても、第１の半導体レーザ素子１１Ａと第２の半導体レーザ素子１２Ａとが互いに入れ替わってリセス部１０ａ、１０ｂに嵌め込まれることがない。
その後、複数の半導体レーザ素子１１Ｅが分散してスラリ化した液を、ウエハ保持具５１の上面に斜めの状態で保持されたウエハ１０Ａの主面に、ウエハ保持具５１を保持面内で回転させながら注ぐ。これにより、ウエハ１０Ａに設けた複数の第１のリセス部１０ａに第１の半導体レーザ素子１１Ｅがそれぞれ嵌め込まれる。このスラリ状の液はポンプ６０で循環されるため、第１のリセス部１０ａに嵌まらなかった半導体レーザ素子１１Ｅは回収され、何度も利用することができる。
しかしながら、本発明は、図１１（ｂ）に示すように、ウエハ１０Ａに設けるリセス部１０ａに、例えば第１の半導体レーザ素子１１Ｅの一部分のみを嵌め込む構成であるため、リセス部１０ａに嵌まった半導体レーザ素子１１Ｅにおけるウエハ１０Ａの表面からの飛び出し部分が、ウエハ１０Ａの表面を流れる他の半導体レーザ素子１１Ｅの障害となって、実装のスループット（効率）が低下する。そこで、第３の実施形態においては、図１０に示すように、ウエハ１０Ａを液中で回転させている。これにより、既にリセス部１０ａに嵌まった半導体レーザ素子１１Ｅの液の流れる方向に対する位置が変わるため、ウエハ１０Ａの表面を流れる他の半導体レーザ素子１１Ｅの障害とならなくなる。

Claims (1)

  1. 主面に複数のリセス部を有する基板と、
    前記複数のリセス部のそれぞれにその一部分が嵌め込まれた複数の半導体素子とを備え、
    前記各リセス部の深さ寸法は、各リセス部に嵌め込まれた前記半導体素子の高さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
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