JP2004104110A5 - - Google Patents
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- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 13
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 13
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 1
Claims (7)
- 絶縁表面上に酸素濃度が５×１０１９〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が４×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面上に、酸素を含む原料ガスを用いて減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法により酸素濃度が５×１０１９〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が４×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面上に酸素濃度が５×１０１９〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布した後、洗浄し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記洗浄することにより、前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が４×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面上に、酸素を含む原料ガスを用いて減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法により酸素濃度が５×１０１９〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布した後、洗浄し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記洗浄することにより、前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が４×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項３または請求項４において、前記洗浄することにより、前記金属元素を含む水溶液中の金属元素を０．０１〜０．０５ｐｐｍとすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、スピンコーティング法又はディップ法により前記結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、加熱により前記結晶性珪素膜を形成した後、レーザ光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003292162A JP2004104110A (ja) | 2002-08-22 | 2003-08-12 | 薄膜トランジスタ及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002241706 | 2002-08-22 | ||
| JP2003292162A JP2004104110A (ja) | 2002-08-22 | 2003-08-12 | 薄膜トランジスタ及びその作製方法 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2003292162A Withdrawn JP2004104110A (ja) | 2002-08-22 | 2003-08-12 | 薄膜トランジスタ及びその作製方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2004104110A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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