JP2004104110A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 絶縁表面上に酸素濃度が5×1019〜1×1021atoms/cm3含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が4×1016atoms/cm3未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面上に、酸素を含む原料ガスを用いて減圧CVD法又はプラズマCVD法により酸素濃度が5×1019〜1×1021atoms/cm3含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が4×1016atoms/cm3未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面上に酸素濃度が5×1019〜1×1021atoms/cm3含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布した後、洗浄し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記洗浄することにより、前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が4×1016atoms/cm3未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面上に、酸素を含む原料ガスを用いて減圧CVD法又はプラズマCVD法により酸素濃度が5×1019〜1×1021atoms/cm3含むように非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布した後、洗浄し、
前記非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記洗浄することにより、前記結晶化を促進させる金属元素の塗布量を前記結晶性珪素膜における結晶化を促進させる金属元素の濃度が4×1016atoms/cm3未満となるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項3または請求項4において、前記洗浄することにより、前記金属元素を含む水溶液中の金属元素を0.01〜0.05ppmとすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、スピンコーティング法又はディップ法により前記結晶化を促進させる金属元素を含む水溶液を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、加熱により前記結晶性珪素膜を形成した後、レーザ光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
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