JP2005019839A - 化合物太陽電池用のcbd浴及び化合物太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層をCBD法で形成する際に、同一操作を複数回繰り返すことなく所定厚さのInS層を形成できるCBD浴を提供する。
【解決手段】化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層を形成する際に、前記InS層を形成する化学的溶液成長法に用いられる化合物太陽電池用のCBD浴であって、該CBD浴には、In供給源としての塩化インジウム及び/又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有され、且つ酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤、及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されていることを特徴とする。
【選択図】 なし
【解決手段】化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層を形成する際に、前記InS層を形成する化学的溶液成長法に用いられる化合物太陽電池用のCBD浴であって、該CBD浴には、In供給源としての塩化インジウム及び/又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有され、且つ酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤、及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されていることを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は化合物太陽電池用のCBD浴及び化合物太陽電池の製造方法に関し、更に詳細には化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層を形成する際に、前記InS層を形成する化学的溶液成長法に用いられる化合物太陽電池用のCBD浴、及びこのCBD浴を用いた化合物太陽電池の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
化合物太陽電池としては、例えば下記特許文献1及び特許文献2に提案されているpn接合の光吸収層を具備する化合物太陽電池が知られている。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−148489号公報
([0008]〜[0014]、図2)
【特許文献2】
特開2001−148490号公報
(特許請求の範囲、図1)
【0004】
かかる化合物太陽電池は、図1に示す様に、基板としてのガラス基板10上に電極膜としてモリブデン層12が形成されている。このモリブデン層12上には、CuInS2から成るp型半導体層14とn型半導体層16とが順次積層されており、n型半導体層16上に透明電極18が形成されている。更に、透明電極18上には櫛形電極20が形成されている。
通常、p型半導体層14とn型半導体層16との間に、両半導体層よりも薄いバッファー層22が形成されている。
かかるバッファー層22としては、CdSから成るCdS層が用いられており、このCdS層は化学的溶液成長法(Chemical Bath Deposition;CBD法と称することがある)によって形成されている。このCBD法は、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に浸漬して、p型半導体層の表面に所定厚さのCdS層を形成する方法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図1に示す化合物太陽電池によれば、化合物太陽電池を容易に製造でき、化合物太陽電池の製造コストの低減を図ることができる。このため、化合物太陽電池の普及を期待できる。
しかし、バッファー層22としてのCdS層を形成するCdは、人体等に有害であり、環境衛生の観点からは、バッファー層22としてのCdS層は好ましくない。
一方、環境衛生の観点からは無害であって、化合物太陽電池の特性を損ねることのないバッファー層22として、InS層について検討されている。
しかしながら、かかるInS層をCBD法によって形成する際に、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に浸漬して、p型半導体層の表面に所定厚さのInS層を形成するには、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に浸漬する操作を複数回繰り返すことを必要とする。このため、最終的に得られた化合物太陽電池の製造コストが高額となる。
そこで、本発明の課題は、化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層をCBD法で形成する際に、同一操作を複数回繰り返すことなく所定厚さのInS層を形成できるCBD浴、及びこのCBD浴を用いた化合物太陽電池の製造方法を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決すべく検討した結果、In供給源及びS供給源とを含有するCBD浴に、キレート剤と界面活性剤とを添加したところ、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に一回浸漬しただけで、p型半導体層の表面に所定厚さのInS層が形成されていることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層を形成する際に、前記InS層を形成する化学的溶液成長法に用いられる太陽電池用のCBD浴であって、該CBD浴には、In供給源としての塩化インジウム又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有され、且つ酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤、及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されていることを特徴とする化合物太陽電池用のCBD浴にある。
【0007】
また、本発明は、p型半導体層とn型半導体層との間に、バッファー層としてのInS層を形成された化合物太陽電池を製造する際に、該p型半導体層としてのCuInS2層をガラス板等の透明部材の一面側に形成した後、前記p型半導体層を形成した透明部材を、前述した化合物太陽電池用のCBD浴に浸漬し、前記CuInS2層の表面上にバッファー層としての所定厚さのInS層を形成し、次いで、前記バッファー層としてのInS層上にn型半導体層を形成する化合物太陽電池の製造方法でもある。
【0008】
本発明に係る化合物太陽電池用のCBD浴では、In供給源としての塩化インジウム又は硫酸インジウムから供給されるコロイド状のInはマイナスに帯電して、p型半導体層を形成した透明部材もマイナスに帯電しているものを推察される。このため、マイナスに帯電したコロイド状のInは、マイナスに帯電した透明基板に形成したp型半導体層の表面に付着し難い。
この点、本発明のCBD浴では、キレート剤及び界面活性剤の添加によって、コロイド状のInをp型半導体層に付着し易くする結果、p型半導体層を形成した透明部材を本発明のCBD浴に一回浸漬しただけで、p型半導体層の表面に所定厚さのInS層を形成できる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明に係る化合物太陽電池用のCBD浴では、In供給源としての塩化インジウム及び/又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有されている。
更に、このCBD浴には、酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されている。かかるキレート剤及び界面活性剤によって、In供給源から供給されたコロイド状のInの電荷を調整し、後述する様に、透明基板に形成されたp型半導体層の表面に付着し易くしている。
【0010】
かかるCBD浴を用いて、図1に示すp型半導体層14とn型半導体層16との間に、バッファー層22としてのInS層が形成された化合物太陽電池を製造する際には、ガラス板等の透明部材10の一面側にp型半導体層14としてのCuInS2層を形成する。
透明部材10の一面側にp型半導体層14としてのCuInS2層を形成する際には、先ず、ガラス板等の透明部材10の一面側に、モリブデン層12から成る電極膜を蒸着又はスパッタリングで形成した後、透明部材10をヒータで加熱しつつインジウム層を蒸着によって形成する。更に、このインジウム層に銅層を蒸着によって形成する。
次いで、インジウム層と銅層とから成る金属膜を、硫化水素雰囲気中で加熱処理する硫化処理を施してp型半導体層14としてのCuInS2層を形成する。CuInS2層の厚さは、2〜10μである。
この様にして得られたp型半導体層14の表面を、KCN溶液によって洗浄し、p型半導体層14に生成された硫化物(CuxSY)等の不純物を取り除きp型半導体層14の特性を適正化して安定した特性とするKCN処理を施す。
【0011】
p型半導体層14としてのCuInS2層が一面側に形成された透明部材10は、In供給源としての塩化インジウム及び/又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有され、更に酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されているCBD浴に浸漬し、CuInS2層の表面にバッファー層22としてのInS層する。このInS層の厚さは、10〜1000nmである。
かかるCBD浴を用いてInS層を形成する際に、CBD浴を室温〜70℃に加温しつつ、CuInS2層が一面側に形成された透明部材10をCBD浴に10〜20分間浸漬することによって、所定厚さのInS層をCuInS2層の表面側に形成できる。
【0012】
バッファー層22としてのInS層上には、スパッタリングによってZnSから成る厚さ1〜2μmのn型半導体層16及びAlがドープされたZnOから成る厚さ約1μmの透明電極18を形成し、更に、この透明電極18上に櫛形電極20を形成する。
この様にして形成した、p型半導体層とn型半導体層との間に、バッファー層としてのInS層が形成された化合物太陽電池は、CdS層をバッファー層22とする従来の化合物太陽電池の如く、環境安全面で問題のあるCdを用いておらず、環境衛生面の観点から優れている。
また、このInS層がバッファー層として形成された化合物太陽電池は、CdS層をバッファー層22とする従来の化合物太陽電池と、略同程度の時間で形成でき、且つ略同一の変換効率を呈することができる。
【0013】
【実施例】
実施例1
CBD浴として、In供給源としての塩化インジウム1.0g/リットル、S供給源としてのチオアセトアミド10.0g/リットル、キレート剤としての酒石酸10.0g/リットル及び界面活性剤としてのノニオン性界面活性剤[サーフィノール485(商品名)、エアープロダクツ社製]5ml/リットルを添加したCBD浴を調整した。
次いで、このCBD浴を70℃に昇温した状態で、ガラス板をCBD浴中に13分間浸漬した。
所定時間浸漬してからCBD浴から引き出したガラス板の表面に形成したInS層の一部をカッターで削り落として、表面形状測定器によってInS層の厚さを測定した。形成したInS層の厚さは、約104nmであった。
【0014】
比較例1
CBD浴として、In供給源としての塩化インジウム1.47g/リットル及びS供給源としてのチオアセトアミド11.3g/リットルのみを含むCBD浴を用いた。
次いで、このCBD浴を70℃に昇温した状態で、ガラス板をCBD浴中に浸漬する時間を1回当り7分とし、同様な浸漬操作を6回繰り返した。
かかる浸漬操作を所定回数繰り返した後、CBD浴から引き出したガラス板の表面に形成したInS層の厚さを、実施例1と同様にして測定したところ、約90nmであった。
【0015】
実施例2
ガラス板の一面側に、モリブデンから成る厚さ1μmの電極膜をスパッタリングで形成した後、ガラス板をヒータで加熱しつつ厚さ2000nmのインジウム層と厚さ2600nmの銅層とを蒸着によって形成する。
更に、このインジウム層と銅層とから成る金属膜に硫化処理を施してCuInS2から成る厚さ約8μmのp型半導体層を形成する。このCu/In原子濃度非は3.0である。
形成したp型半導体層にKCN処理を施した後、化学エッチングを施して厚さ約4μmのp型半導体層とした。
次いで、ガラスの一面側に形成したp型半導体層の表面に、実施例1と同様にしてバッファー層としてのInS層を形成した。
その後、このInS層上に、スパッタリングによってZnSから成る厚さ1〜2μmのn型半導体層及びAlがドープされたZnOから成る厚さ約1μmの透明電極を形成し、更に、この透明電極18上に櫛形電極20を形成し、化合物太陽電池を得た。
この化合物太陽電池の変換効率は、1.28%であった。
【0016】
比較例2
実施例2において、ガラスの一面側に形成したp型半導体層の表面に、比較例1と同様にしてバッファー層としてのInS層を形成した他は、実施例2と同様にして化合物太陽電池を得た。
この化合物太陽電池の変換効率は、1.29%であった。
【0017】
比較例3
実施例2において、ガラスの一面側に形成したp型半導体層の表面に、バッファー層としてのCdS層を形成した他は、実施例2と同様にして化合物太陽電池を得た。この化合物太陽電池の変換効率は、1.12%であった。
ここで、CdS層は、CBD浴として、CdI2[0.0015M]、SC(NH2)2[0.15M]、NH4I[0.01M]及びNH40H[1M]から成るCBD浴を用い、p型半導体層を一面側に形成したガラス板を、80℃に昇温したCBD浴に浸漬して、厚さ約120nmのCdS層を形成した。
【0018】
【発明の効果】
本発明に係るCBD浴によれば、化合物太陽電池を構成するInSから成る所定厚さのバッファー層を一回の浸漬操作で形成できるため、化合物太陽電池の製造工程を簡略化でき、化合物太陽電池の製造コストの低減を図ることができる。その結果、化合物太陽電池の普及を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】化合物太陽電池の概略を説明する斜視図である。
【符号の説明】
10 ガラス板
12 モリブデン層
14 p型半導体層
16 n型半導体層
18 透明電極
20 櫛型電極
22 バッファー層
【発明の属する技術分野】
本発明は化合物太陽電池用のCBD浴及び化合物太陽電池の製造方法に関し、更に詳細には化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層を形成する際に、前記InS層を形成する化学的溶液成長法に用いられる化合物太陽電池用のCBD浴、及びこのCBD浴を用いた化合物太陽電池の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
化合物太陽電池としては、例えば下記特許文献1及び特許文献2に提案されているpn接合の光吸収層を具備する化合物太陽電池が知られている。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−148489号公報
([0008]〜[0014]、図2)
【特許文献2】
特開2001−148490号公報
(特許請求の範囲、図1)
【0004】
かかる化合物太陽電池は、図1に示す様に、基板としてのガラス基板10上に電極膜としてモリブデン層12が形成されている。このモリブデン層12上には、CuInS2から成るp型半導体層14とn型半導体層16とが順次積層されており、n型半導体層16上に透明電極18が形成されている。更に、透明電極18上には櫛形電極20が形成されている。
通常、p型半導体層14とn型半導体層16との間に、両半導体層よりも薄いバッファー層22が形成されている。
かかるバッファー層22としては、CdSから成るCdS層が用いられており、このCdS層は化学的溶液成長法(Chemical Bath Deposition;CBD法と称することがある)によって形成されている。このCBD法は、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に浸漬して、p型半導体層の表面に所定厚さのCdS層を形成する方法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
図1に示す化合物太陽電池によれば、化合物太陽電池を容易に製造でき、化合物太陽電池の製造コストの低減を図ることができる。このため、化合物太陽電池の普及を期待できる。
しかし、バッファー層22としてのCdS層を形成するCdは、人体等に有害であり、環境衛生の観点からは、バッファー層22としてのCdS層は好ましくない。
一方、環境衛生の観点からは無害であって、化合物太陽電池の特性を損ねることのないバッファー層22として、InS層について検討されている。
しかしながら、かかるInS層をCBD法によって形成する際に、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に浸漬して、p型半導体層の表面に所定厚さのInS層を形成するには、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に浸漬する操作を複数回繰り返すことを必要とする。このため、最終的に得られた化合物太陽電池の製造コストが高額となる。
そこで、本発明の課題は、化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層をCBD法で形成する際に、同一操作を複数回繰り返すことなく所定厚さのInS層を形成できるCBD浴、及びこのCBD浴を用いた化合物太陽電池の製造方法を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決すべく検討した結果、In供給源及びS供給源とを含有するCBD浴に、キレート剤と界面活性剤とを添加したところ、p型半導体層を形成した基板をCBD浴に一回浸漬しただけで、p型半導体層の表面に所定厚さのInS層が形成されていることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層を形成する際に、前記InS層を形成する化学的溶液成長法に用いられる太陽電池用のCBD浴であって、該CBD浴には、In供給源としての塩化インジウム又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有され、且つ酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤、及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されていることを特徴とする化合物太陽電池用のCBD浴にある。
【0007】
また、本発明は、p型半導体層とn型半導体層との間に、バッファー層としてのInS層を形成された化合物太陽電池を製造する際に、該p型半導体層としてのCuInS2層をガラス板等の透明部材の一面側に形成した後、前記p型半導体層を形成した透明部材を、前述した化合物太陽電池用のCBD浴に浸漬し、前記CuInS2層の表面上にバッファー層としての所定厚さのInS層を形成し、次いで、前記バッファー層としてのInS層上にn型半導体層を形成する化合物太陽電池の製造方法でもある。
【0008】
本発明に係る化合物太陽電池用のCBD浴では、In供給源としての塩化インジウム又は硫酸インジウムから供給されるコロイド状のInはマイナスに帯電して、p型半導体層を形成した透明部材もマイナスに帯電しているものを推察される。このため、マイナスに帯電したコロイド状のInは、マイナスに帯電した透明基板に形成したp型半導体層の表面に付着し難い。
この点、本発明のCBD浴では、キレート剤及び界面活性剤の添加によって、コロイド状のInをp型半導体層に付着し易くする結果、p型半導体層を形成した透明部材を本発明のCBD浴に一回浸漬しただけで、p型半導体層の表面に所定厚さのInS層を形成できる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明に係る化合物太陽電池用のCBD浴では、In供給源としての塩化インジウム及び/又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有されている。
更に、このCBD浴には、酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されている。かかるキレート剤及び界面活性剤によって、In供給源から供給されたコロイド状のInの電荷を調整し、後述する様に、透明基板に形成されたp型半導体層の表面に付着し易くしている。
【0010】
かかるCBD浴を用いて、図1に示すp型半導体層14とn型半導体層16との間に、バッファー層22としてのInS層が形成された化合物太陽電池を製造する際には、ガラス板等の透明部材10の一面側にp型半導体層14としてのCuInS2層を形成する。
透明部材10の一面側にp型半導体層14としてのCuInS2層を形成する際には、先ず、ガラス板等の透明部材10の一面側に、モリブデン層12から成る電極膜を蒸着又はスパッタリングで形成した後、透明部材10をヒータで加熱しつつインジウム層を蒸着によって形成する。更に、このインジウム層に銅層を蒸着によって形成する。
次いで、インジウム層と銅層とから成る金属膜を、硫化水素雰囲気中で加熱処理する硫化処理を施してp型半導体層14としてのCuInS2層を形成する。CuInS2層の厚さは、2〜10μである。
この様にして得られたp型半導体層14の表面を、KCN溶液によって洗浄し、p型半導体層14に生成された硫化物(CuxSY)等の不純物を取り除きp型半導体層14の特性を適正化して安定した特性とするKCN処理を施す。
【0011】
p型半導体層14としてのCuInS2層が一面側に形成された透明部材10は、In供給源としての塩化インジウム及び/又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有され、更に酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されているCBD浴に浸漬し、CuInS2層の表面にバッファー層22としてのInS層する。このInS層の厚さは、10〜1000nmである。
かかるCBD浴を用いてInS層を形成する際に、CBD浴を室温〜70℃に加温しつつ、CuInS2層が一面側に形成された透明部材10をCBD浴に10〜20分間浸漬することによって、所定厚さのInS層をCuInS2層の表面側に形成できる。
【0012】
バッファー層22としてのInS層上には、スパッタリングによってZnSから成る厚さ1〜2μmのn型半導体層16及びAlがドープされたZnOから成る厚さ約1μmの透明電極18を形成し、更に、この透明電極18上に櫛形電極20を形成する。
この様にして形成した、p型半導体層とn型半導体層との間に、バッファー層としてのInS層が形成された化合物太陽電池は、CdS層をバッファー層22とする従来の化合物太陽電池の如く、環境安全面で問題のあるCdを用いておらず、環境衛生面の観点から優れている。
また、このInS層がバッファー層として形成された化合物太陽電池は、CdS層をバッファー層22とする従来の化合物太陽電池と、略同程度の時間で形成でき、且つ略同一の変換効率を呈することができる。
【0013】
【実施例】
実施例1
CBD浴として、In供給源としての塩化インジウム1.0g/リットル、S供給源としてのチオアセトアミド10.0g/リットル、キレート剤としての酒石酸10.0g/リットル及び界面活性剤としてのノニオン性界面活性剤[サーフィノール485(商品名)、エアープロダクツ社製]5ml/リットルを添加したCBD浴を調整した。
次いで、このCBD浴を70℃に昇温した状態で、ガラス板をCBD浴中に13分間浸漬した。
所定時間浸漬してからCBD浴から引き出したガラス板の表面に形成したInS層の一部をカッターで削り落として、表面形状測定器によってInS層の厚さを測定した。形成したInS層の厚さは、約104nmであった。
【0014】
比較例1
CBD浴として、In供給源としての塩化インジウム1.47g/リットル及びS供給源としてのチオアセトアミド11.3g/リットルのみを含むCBD浴を用いた。
次いで、このCBD浴を70℃に昇温した状態で、ガラス板をCBD浴中に浸漬する時間を1回当り7分とし、同様な浸漬操作を6回繰り返した。
かかる浸漬操作を所定回数繰り返した後、CBD浴から引き出したガラス板の表面に形成したInS層の厚さを、実施例1と同様にして測定したところ、約90nmであった。
【0015】
実施例2
ガラス板の一面側に、モリブデンから成る厚さ1μmの電極膜をスパッタリングで形成した後、ガラス板をヒータで加熱しつつ厚さ2000nmのインジウム層と厚さ2600nmの銅層とを蒸着によって形成する。
更に、このインジウム層と銅層とから成る金属膜に硫化処理を施してCuInS2から成る厚さ約8μmのp型半導体層を形成する。このCu/In原子濃度非は3.0である。
形成したp型半導体層にKCN処理を施した後、化学エッチングを施して厚さ約4μmのp型半導体層とした。
次いで、ガラスの一面側に形成したp型半導体層の表面に、実施例1と同様にしてバッファー層としてのInS層を形成した。
その後、このInS層上に、スパッタリングによってZnSから成る厚さ1〜2μmのn型半導体層及びAlがドープされたZnOから成る厚さ約1μmの透明電極を形成し、更に、この透明電極18上に櫛形電極20を形成し、化合物太陽電池を得た。
この化合物太陽電池の変換効率は、1.28%であった。
【0016】
比較例2
実施例2において、ガラスの一面側に形成したp型半導体層の表面に、比較例1と同様にしてバッファー層としてのInS層を形成した他は、実施例2と同様にして化合物太陽電池を得た。
この化合物太陽電池の変換効率は、1.29%であった。
【0017】
比較例3
実施例2において、ガラスの一面側に形成したp型半導体層の表面に、バッファー層としてのCdS層を形成した他は、実施例2と同様にして化合物太陽電池を得た。この化合物太陽電池の変換効率は、1.12%であった。
ここで、CdS層は、CBD浴として、CdI2[0.0015M]、SC(NH2)2[0.15M]、NH4I[0.01M]及びNH40H[1M]から成るCBD浴を用い、p型半導体層を一面側に形成したガラス板を、80℃に昇温したCBD浴に浸漬して、厚さ約120nmのCdS層を形成した。
【0018】
【発明の効果】
本発明に係るCBD浴によれば、化合物太陽電池を構成するInSから成る所定厚さのバッファー層を一回の浸漬操作で形成できるため、化合物太陽電池の製造工程を簡略化でき、化合物太陽電池の製造コストの低減を図ることができる。その結果、化合物太陽電池の普及を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】化合物太陽電池の概略を説明する斜視図である。
【符号の説明】
10 ガラス板
12 モリブデン層
14 p型半導体層
16 n型半導体層
18 透明電極
20 櫛型電極
22 バッファー層
Claims (2)
- 化合物太陽電池を構成するp型半導体層とn型半導体層との間にバッファー層としてのInS層を形成する際に、前記InS層を形成する化学的溶液成長法に用いられる化合物太陽電池用のCBD浴であって、
該CBD浴には、In供給源としての塩化インジウム及び/又は硫酸インジウムと、S供給源としてのチオアセトアミドとが含有され、
且つ酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸及びマロン酸から成る群から選ばれた一種又は二種以上のキレート剤、及びカチオン性又は非イオン性の界面活性剤が含有されていることを特徴とする化合物太陽電池用のCBD浴。 - p型半導体層とn型半導体層との間に、バッファー層としてのInS層を形成された化合物太陽電池を製造する際に、
該p型半導体層としてのCuInS2層をガラス板等の透明部材の一面側に形成した後、
前記p型半導体層を形成した透明部材を、請求項1記載の太陽電池用CBD浴に浸漬し、前記CuInS2層の表面上にバッファー層としての所定厚さのInS層を形成し、
次いで、前記バッファー層としてのInS層上にn型半導体層を形成する化合物太陽電池の製造方法。
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