JP2002083824A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- ＩＢ族元素、IIIＢ族元素およびVIＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、
（ａ）少なくともスパッタリング法を用いて原料元素を基板上に供給して、ＩＢ族元素およびIIIＢ族元素を含む前駆体薄膜、またはＩＢ族元素、IIIＢ族元素およびVIＢ族元素を含む前駆体薄膜を基板上に形成する工程と、
（ｂ）スパッタリング法以外の方法を用いてVIＢ族元素を該前駆体薄膜上に供給しながら、前駆体薄膜が形成された基板を工程（ａ）における温度よりも高い温度で熱処理して、該前駆体薄膜から、ＩＢ族元素、IIIＢ族元素およびVIＢ族元素を含む化合物半導体薄膜を基板上に形成する工程と
を含む方法。 - 工程（ａ）が、IIIＢ族元素を、またはIIIＢ族元素およびVIＢ族元素を供給する第１工程と、ＩＢ族元素を、ＩＢ族元素およびVIＢ族元素を、ＩＢ族元素およびIIIＢ族元素を、またはＩＢ族元素、IIIＢ族元素およびVIＢ族元素を供給する第２工程とを含む、請求項１に記載の方法。
- 第１工程を実施した後に第２工程を実施する、請求項２に記載の方法。
- 第２工程を実施した後に第１工程を実施する、請求項２に記載の方法。
- 第２工程が、ＩＢ族元素を、またはＩＢ族元素およびVIＢ族元素を供給する第２Ａ工程と、ＩＢ族元素およびIIIＢ族元素を、またはＩＢ族元素、IIIＢ族元素およびVIＢ族元素を供給する第２Ｂ工程とを含む、請求項２〜４のいずれかに記載の方法。
- 第２Ａ工程を実施した後に第２Ｂ工程を実施する、請求項５に記載の方法。
- 第２Ｂ工程を実施した後に第２Ａ工程を実施する、請求項５に記載の方法。
- 工程（ａ）における基板の温度が、２０〜４５０℃の範囲にある、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
- 工程（ｂ）における基板の温度が、３００〜６００℃の範囲にあり、かつ工程（ａ）における基板の温度よりも高い、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
- ＩＢ族元素がＡｇおよびＣｕのいずれかまたは双方であり、IIIＢ族元素がＩｎおよびＧａのいずれかまたは双方であり、VIＢ族元素がＳｅおよびＳのいずれかまたは双方である、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
- ＩＢ族元素がＣｕであり、IIIＢ族元素がＩｎ、またはＩｎおよびＧａであり、VIＢ族元素がＳｅである、請求項１０に記載の方法。
- 前駆体薄膜を基板上に形成する１またはそれ以上のスパッタ源と、スパッタ源に各々備えられるスパッタ源シャッターと、基板の温度を制御する温度制御手段と、スパッタリング法以外の方法を用いてVIＢ族元素を該前駆体薄膜上に供給する供給源とを備える、化合物半導体薄膜の製造装置。
- 前記供給源が、前記スパッタ源が収容されるチャンバとは異なるチャンバに収容されている、請求項１２に記載の装置。
- 請求項１〜１１のいずれかの製造方法に従って形成された化合物半導体薄膜を光吸収層として含む薄膜太陽電池。
- ＩＢ族元素、IIIＢ族元素およびVIＢ族元素を含む化合物半導体薄膜を光吸収層として含む薄膜太陽電池において、化合物半導体薄膜が、３ｃｍ×３ｃｍ以上に亘って０．０１〜０．５μmの表面ラフネスを有することを特徴とする薄膜太陽電池。
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