KR20110011229A - 습식 식각을 통해 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 습식 식각을 통해 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 산화아연 나노선이 기판 상의 패터닝된 산화아연 시드층에서만 성장할 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 저온에서 기판 상의 목적하는 위치에 선택적으로 산화아연 나노선을 제조할 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법을 제공할 수 있으며, 반도체 공정 일부로 편입될 수 있어 반도체 공정과의 연계성을 높일 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법을 제공할 수 있다.

산화아연 나노선, 포토리소그래피, 습식식각공정, RCA 용액, 패터닝

Description

습식 식각을 통해 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법{METHOD FOR FORMING ZnO NANOWIRES PATTERNED SELECTIVELY ON SUBSTRATE VIA WET ETCHING}

본 발명은 습식 식각을 통해 기판 상에 선택적으로 패터닝되는 산화아연 나노선 제조방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 산화아연 나노선이 기판 상의 패터닝된 산화아연 시드층에만 성장할 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법에 관한 것이다.

최근, 나노 크기의 물질과 재료들은 새로운 전기적, 화학적, 전자적, 기계적인 특성을 가짐에 따라 과학 기술계에서 활발히 연구되고 있다. 특히 산화 아연계 나노선과 나노막대들은 산화아연의 다양한 특성들에 의해 최근 연구가 급증하는 추세이다. 산화아연은 광역 밴드갭(wide bandgap)의 다이렉트 밴드갭(direct bandgap) 물질로서 자외선 센서로도 유망한 재료이며, 압전 성질에 의해 소(SAW) 소자, 나노 발전기 등으로도 연구되고, 태양 전지의 재료로도 활발히 연구되고 있 다.

또한, 산화아연은 일차원 형상의 나노선 또는 나노막대로 쉽게 제조될 수 있고, 잘 정렬된 산화아연 나노선 또는 나노막대는 우수한 전계 방출 특성을 나타내므로, 산화아연 나노구조를 이용하여 태양 전지, 화학 센서, 필드 이미션 전자 방출원, 나노 발전기 등에 적용하기 위한 연구가 진행되고 있다.

최근 산화아연은 탄소나노튜브보다 산소가 많은 환경에서 우수한 내성이 알려짐에 따라, 필드 이미션 전자 방출원의 소재로 활용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다(Wang, X.D., et al., In situ field emission of density - controlled ZnO nanowire arrays . Advanced Materials, 2007. 19(12): p. 1627). 전자 방출원의 소재로 연구되었던 탄소나노튜브의 경우, 탄소나노튜브 자체의 우수한 전자방출 특성에도 불구하고 밀도 조절과 수직형성이 어려워서, 필드 이미션 디스플레이로의 응용이 걸림돌이 되어 왔다.

이와 같은 산화아연을 일차원 형상의 나노선으로 제조하기 위한 종래의 기술은 아래와 같다.

한국등록특허 제456016호에서는 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노선에 대해 개시하고 있다. 한국등록특허 제456016호의 산화아연계 나노선의 제조방법은 산화아연계 나노선의 제조시 화학증착법으로 사용하기 때문에 고온의 환경에서 수행되며, 또 다양한 기판 상에 산화아연계 나노선을 합성하기 어렵다는 문제점이 있다.

한국등록특허 제836890호에서는 ITO 기판을 이용한 산화아연 나노선의 수직 성장 방법에 대해 개시하고 있다. 한국등록특허 제836890호에서의 산화아연 나노선의 수직성장 방법은 저온에서 나노선을 제조할 수 있으나, 기판 상의 원하는 위치에 나노선을 합성할 수 없다는 문제점이 있다.

한국등록특허 제849685호에서는 시드층의 패터닝을 통한 선택적 산화아연 나노선의 제조방법에 대해 개시하고 있다. 한국등록특허 제849685호에서는 임프린트 방법을 사용하여 산화아연 나노선을 제조하므로 반도체 공정에 용이하게 연계하기 어려우며, 트라이오드(triode)의 전계방출구조에 적용하기 적합하지 않으며, 기판 상에 임프린트 물질이 묻게 되어, 목적하는 패턴이 형성되기 곤란하다는 문제점이 있다.

본 발명자들은 종래기술의 이와 같은 점을 문제점을 해결하여 산화아연 나노선을 제조하기 위한 방법에 대해 연구하던 중, 산화아연 나노선을 저온에서 제조할 수 있으며, 기판 상의 원하는 위치에 산화아연 나노선을 합성할 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법을 개발하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

본 발명의 목적은 기판 상의 목적하는 위치에 저온에서 선택적으로 산화아연 나노선을 제조할 수 있는 산화아연 나노선 제조방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 반도체 공정 일부로 편입될 수 있어 반도체 공정과의 연계성을 높일 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,

기판 상에 산화아연 시드층을 증착시키는 단계(단계 1);

기판 상에 산화아연 시드층을 증착시킨 후 포토리소그래피 공정을 통해 산화아연 시드층을 패터닝하는 단계(단계 2);

상기 산화아연 시드층이 패터닝된 기판을 과산화수소와 암모니아의 혼합용액에 침지시켜 패터닝되지 않는 부분의 산화아연 시드층을 습식 식각하는 단계(단계 3); 및

상기 습식 식각을 수행한 후, 기판의 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시키는 단계(단계 4)를 포함하는, 습식 식각을 통해 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법을 제공한다.

단계 1은 기판 상에 산화아연 시드층을 증착시키는 단계이다.

본 발명에서는 산화아연 나노선을 증착시키기 위한 기판으로 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판 등을 사용할 수 있다.

단계 1에서 실리콘 기판을 사용하는 경우 실리콘 기판을 아세톤, 에탄올 등으로 세척한 후 BOE(buffered oxide etchant) 용액을 사용하여 산화 실리콘층을 제거하여 사용하는 것이 바람직하다.

그리고 산화아연 시드층은 기판 상에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법 등을 사 용하여 증착될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 다양한 방법이 사용될 수 있다.

산화아연 시드층은 300Å 내지 1 ㎛의 두께로 기판 상에 증착되는 것이 바람직하다. 산화아연 시드층이 기판 상에 300Å 미만의 두께로 형성되는 경우 산화아연 시드층이 제대로 형성되지 않아 산화아연 나노선이 난방향으로 성장되고, 산화아연 나노선의 굵기가 정렬되지 않는 문제가 있으며, 산화아연 시드층이 기판 상에 1 ㎛ 초과의 두께로 형성되는 경우에는 산화아연 나노선 성장에 영향을 주지 않으나, 산화아연 시드층을 1 ㎛ 초과의 두께로 기판 상에 증착시키는 과정에서 기판이 오랫동안 플라즈마 상태에 노출되어 온도가 상승하며, 산화아연 나노선 타겟을 많이 소모하므로 경제적으로 비효율적인 문제점이 있다.

단계 2는 기판 상에 산화아연 시드층을 증착시킨 후 포토리소그래피 공정을 통해 산화아연 시드층을 패터닝하는 단계이다. 본 발명에서는 포토리소그래피 공정을 통하여 산화아연 시드층을 패터닝함으로써 기판 상에 원하는 위치에 산화아연 나노선을 성장시킬 수 있다.

본 발명의 한 실시형태에서 포토리소그래피 공정을 이용하여 산화아연 시드층을 패터닝하는 방법은, 기판 상에 형성된 산화아연 시드층 위에 포지티브 포토레지스트층을 형성한 후, 포토 마스크 필름을 이용한 노광공정을 통해 산화아연 시드층을 패터닝함으로써 이루어질 수 있다. 포토레지스트층은 스핀코터 등을 사용하여 실리콘 기판 상에 도포될 수 있으며, 1.2 내지 1.8 ㎛의 두께로 형성되는 것이 바 람직하다. 이와 같은 포토리소그래피 공정을 이용하여 산화아연 시드층을 패터닝하는 기술은 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 알려져 있는 것이므로 구체적인 설명은 생략한다.

단계 2에서는 기판 상에 포토레지스트층을 형성한 후 소프트 베이크(soft bake) 공정을 더 수행할 수 있다. 이와 같이 포토레지스트층을 형성한 후 소프트 베이크 공정을 수행하여 포토레지스트층에서 수분 및 유기 용매를 증발시키는 것이 바람직하다.

단계 3은 단계 2에서 포토리소그래피 공정을 통하여 기판 상에 패턴화된 산화아연 시드층을 형성한 후 패턴화되지 않은 부분의 산화아연 시드층을 습식 식각하는 공정을 수행하는 단계이다.

본 발명에서는 패턴화되지 않은 부분의 산화아연 시드층, 즉 포토레지스트층에 의해 보호되지 않는 산화아연 시드층을 습식 식각하기 위해 과산화수소와 암모니아의 혼합용액(RCA 용액)을 사용하는 것을 특징으로 한다.

패턴화된 산화아연 시드층을 기판 상에 형성한 후 열수합성법에 의해 산화아연 나노선을 성장시키는 경우, 패턴화되지 않은 부분의 산화아연 시드층에도 산화아연 나노선이 성장될 수 있는 문제점이 있다. 그러나 본 발명에서와 같이 기판 상에 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝된 산화아연 시드층을 형성한 후 과산화수소와 암모니아의 혼합용액(RCA 용액)을 사용하여 습식 식각하는 경우, 패터닝되지 않은 산화아연 시드층에 산화아연 나노선이 성장되지 않는 것을 실험을 통하여 알 수 있었다(후술하는 실시예 1 및 비교예 1 참조).

습식 식각 과정에서 사용하는 과산화수소와 암모니아의 혼합용액으로는 암모니아, 과산화수소, 탈이온수가 각각 1:1:10 ~ 1:1:2 비율로 혼합된 용액을 사용하는 것이 바람직하며, 암모니아, 과산화수소, 탈이온수가 각각 1:1:5의 비율로 혼합된 용액을 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 암모니아, 과산화수소, 탈이온수 양의 비율이 1:1:10 초과하여, 탈이온수 대비 암모니아 및 과산화수소의 농도가 적어지게 되면 산화아연 시드층에 대한 식각 과정이 느리게 진행되어 오랫동안 담궈 두어야 한다. 따라서 산화아연 시드층을 보호하고 있는 포토레지스트층이 손상을 입게 되어 원하는 패턴이 형성되기 어렵다. 또한 암모니아, 과산화수소, 탈이온수 양의 비율이 1:1:2 미만으로 제조되어, 탈이온수 대비 암모니아 및 과산화수소의 농도가 높아지게 되면 산화아연 시드층에 대한 식각과정에서 반응이 너무 격렬하게 일어나 1초 미만의 시간동안 형성된 패턴이 제거되어 포토레지스트층 아래 부분이 식각되어 산화아연 시드층이 손상되게 된다.

상술한 바와 같이 패터닝된 산화아연 시드층이 형성된 기판에 대해 습식 식각 과정을 수행한 후, 기판을 초순수에 침지시켜 과산화수소와 암모니아의 혼합용액을 제거함으로써 식각 작용이 더 이상 일어나지 않도록 한다. 이후 단계 4에서는, 실리콘 기판의 패터닝된 산화아연 시드층에 대해, 산화아연 나노선을 성장시키기 이전에, 산화아연 시드층을 스퍼터로 증착을 시키기 때문에 산화아연 시드층의 결정이 균질하지 못하다. 따라서 산화아연 나노선을 수직정렬 및 균일한 두께를 성장시키기 위해서는 산화아연 시드층의 조직 균질화가 요구되며 (0001) 면의 결정을 형성하는 공정이 필요하다. 이러한 산화아연 시드층의 조직 균질화와 결정을 형성하기 위해서 핫플레이트를 사용하여 풀림 작업을 수행하는 것이 바람직하다.

단계 4는 습식 식각을 수행한 후, 기판의 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시키는 단계이다.

본 발명의 바람직한 실시형태에서, 기판 상의 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시키는 단계는, 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate)와 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylenetetramine)의 혼합용액이 담긴 비이커 수면 위에, 기판을 산화아연 시드층이 용액과 반응할 수 있도록 표면이 뒤집힌 채로 띄워놓아 산화아연 나노선을 성장시킴으로서 수행될 수 있다.

본 발명은 저온에서 기판 상의 목적하는 위치에 선택적으로 산화아연 나노선을 제조할 수 있는 산화아연 나노선의 제조방법을 제공할 수 있다. 또한 본 발명의 산화아연 나노선의 제조방법은 반도체 공정 일부로 편입될 수 있어, 반도체 공정과의 연계성을 높일 수 있고, 따라서 디바이스의 효율을 향상시킬 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 바람직한 실시예를 통해 상세하게 설명한다.

실시예 1

4인치짜리의 N-type 실리콘 웨이퍼를 준비하고, 아세톤, 에탄올을 사용하여 세척을 하였다. 이후 BOE(Buffered Oxide Etchant)를 이용하여 산화 실리콘층을 제거하였다. 다음으로 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 동작 압력은 10 mTorr, 아르곤을 20 sccm으로 맞추고, RF 전력을 80 W로 맞춰 놓고 플라즈마를 발생시켜 10분간 수행하여 500Å의 산화아연 시드층을 증착시켰다. 스핀코터 위에 산화아연 시드층을 증착시킨 실리콘 웨이퍼를 탑재하고, 포지티브 포토 레지스터(AZ1512)를 적당량을 도포한 후 500 rpm으로 5초간 회전시켜 포토레지스터가 실리콘 웨이퍼 전면을 고르게 분산시키고, 3000 rpm으로 35초간 회전시켜 약 1.2～1.8 ㎛의 포토레지스트층을 형성하였다. 이후 95℃에서 소프트 베이크 공정을 수행하여 포토레지스트층으로부터 수분 및 유기 용매를 증발시키고, 포토 마스크를 이용하여 10 ㎽/㎠의 에너지로 적외선 노광작업을 실시하였다. 이후 현상액을 이용하여 약 1분간 자외선에 노출된 영역의 포토레지스트층을 제거하여 패터닝된 산화아연 시드층을 형성하였다.

이와 같이 형성된 산화아연 시드층을 보호하고 포토레지스트층에 남아 있는 수분과 유기용매를 증발시키기 위하여 110℃에서 하드 베이크 공정을 수행하였다. 산화아연 시드층이 형성된 기판을 300 ml의 과산화수소와 암모니아의 혼합용액(NH₄OH:H₂O₂:DI = 1:1:5)에 약 5초간 침지시켜 포토레지스트층에 의해 보호되지 않은 산화아연 시드층을 습식 식각하여 완전히 제거하였다. 이후, 과산화수소와 암 모니아의 혼합용액으로부터 꺼낸 기판을 초순수에 넣어 상기 혼합용액을 완전히 제거하였다. 다음으로 15분간 아세톤에 넣어 포토레지스트층을 제거한 후 에탄올, 이소프로필 알콜(IPA), 초순수 순으로 세척을 한 후 100℃의 오븐에서 건조하였다.

이후 상기 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선이 수직방향으로 가늘게 성장할 수 있도록 500 ℃의 핫플레이트에서 풀림 작업을 하여 산화아연 시드층의 결을 좋게 만들었다. 마지막으로 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(농도 15 mM)와 헥사메틸렌테트라아민(농도 15 mM)의 혼합용액이 담긴 비이커의 수면 위에 기판 표면이 뒤집힌 채로 띄워놓았다. 상기 혼합용액을 섭씨 90도로 유지하면서 6시간 동안 반응시켜 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시켜 제조하였다. 이와 같이 수행하여 시드층에 성장된 산화아연 나노선에 대해 주사전자현미경 사진을 촬영하여 도 1 및 도 2에 나타내었다.

비교예 1

상기 실시예 1에서 습식 식각 과정에서 과산화수소와 암모니아의 혼합용액이 아닌 염산을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 산화아연 나노선을 제조하였고, 패터닝된 산화아연 시드층에 성장된 산화아연 나노선에 대해 주사전자현미경 사진을 촬영하여 도 3 내지 도 5에 나타내었다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따라 산화아연 시드층에 성장시킨 산화아연 나노선의 측면에 대한 주사전자현미경 사진이다. 도 2는 본 발명의 실시예 1에 따라 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시킨 기판의 주사전자현미경 사진이다.

도 3은 비교예 1에 따라 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시킨 기판의 주사전자현미경 사진이다. 도 4는 비교예 1에 따라 산화아연 시드층에서 성장한 산화아연 나노선의 주사전자현미경 사진이다. 도 5는 비교예 1에 따라, 패터닝되지 않은 산화아연 시드층에서 성장된 산화아연 나노선의 주사전자현미경 사진이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따라 산화아연 나노선을 제조하는 경우 패터닝된 산화아연 시드층에만 산화아연 나노선이 성장됨을 알 수 있다. 그러나 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하면 염산을 사용하여 습식 식각 공정을 수행한 후 기판 상에 산화아연 나노선을 성장시킨 비교예 1의 경우에는 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선이 잘 성장된 것을 알 수 있으나, 도 5에 나타난 바와 같이 패터닝되지 않은 산화아연 시드층에도 산화아연 나노선이 성장됨을 알 수 있다.

이와 같이 본 발명에 따라 패터닝된 산화아연 시드층을 과산화수소와 암모니아의 혼합용액을 사용하여 습식 식각하는 경우에만 패터닝되지 않은 산화아연 시드층에 산화아연 나노선이 성장되지 않고 패터닝된 산화아연 시드층에만 산화아연 나노선이 성장될 수 있음을 알 수 있다.

도 6은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 산화아연 나노선에 대한 CL(cathodoluminescence) 분석 결과를 나타내는 그래프이고, 도 7은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 산화아연 나노선에 대한 EDX 분석 결과를 나타내는 그래프이다. 이들 그래프로부터 순수하고 산소 결함이 적은 산화아연 나노선이 얻어졌음을 알 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따라 산화아연 시드층에 성장시킨 산화아연 나노선의 측면에 대한 주사전자현미경 사진이다.

도 2는 본 발명의 실시예 1에 따라 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시킨 기판의 주사전자현미경 사진이다.

도 3은 비교예 1에 따라 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시킨 기판의 주사전자현미경 사진이다.

도 4는 비교예 1에 따라 산화아연 시드층에서 성장한 산화아연 나노선의 주사전자현미경 사진이다.

도 5는 비교예 1에 따라, 패터닝되지 않은 산화아연 시드층에서 성장된 산화아연 나노선의 주사전자현미경 사진이다.

도 6은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 산화아연 나노선에 대한 CL(cathodoluminescence) 분석 결과를 나타내는 그래프이다.

도 7은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 산화아연 나노선에 대한 EDX 분석 결과를 나타내는 그래프이다.

Claims (11)

1. 기판 상에 산화아연 시드층을 증착시키는 단계(단계 1);

   기판 상에 산화아연 시드층을 증착시킨 후 포토리소그래피 공정을 통해 산화아연 시드층을 패터닝하는 단계(단계 2);

   상기 패터닝된 산화아연 시드층이 형성된 기판을 과산화수소와 암모니아의 혼합용액에 침지시켜 패터닝되지 않는 부분의 산화아연 시드층을 습식 식각하는 단계(단계 3); 및

   상기 습식 식각을 수행한 후 기판의 패터닝된 산화아연 시드층에 산화아연 나노선을 성장시키는 단계(단계 4)를 포함하는, 습식 식각을 통해 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 기판이 실리콘 기판, 플라스틱 기판 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
3. 청구항 2에 있어서,

   BOE(buffered oxide etchant) 용액을 사용하여 상기 실리콘 기판의 산화 실 리콘층이 제거되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 단계 1에서 산화아연 시드층이 RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 단계 1에서 산화아연 시드층이 300Å 내지 1 ㎛의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
6. 청구항 1에 있어서,

   상기 단계 2에서 포토리소그래피 공정이,

   기판 상의 산화아연 시드층에 포토레지스트층을 형성하고 소프트 베이크 공정을 수행한 후, 포토 마스크 필름을 사용한 노광공정을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
7. 청구항 1에 있어서,

   상기 단계 3에서 습식 식각 과정에서 사용하는 과산화수소와 암모니아의 혼합용액은 암모니아, 과산화수소, 탈이온수가 각각 1:1:10 ~ 1:1:2의 비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
8. 청구항 7에 있어서,

   상기 과산화수소와 암모니아의 혼합용액은 암모니아, 과산화수소, 탈이온수가 각각 1:1:5의 비율로 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
9. 청구항 1에 있어서,

   상기 단계 3에서 습식 식각 과정을 수행한 후, 상기 기판을 초순수에 침지시켜 과산화수소와 암모니아의 혼합용액을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
10. 청구항 1에 있어서,

    상기 단계 4에서 상기 패터닝된 산화아연 시드층에 핫플레이트를 사용한 풀림 작업을 수행하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.
11. 청구항 1에 있어서,

    상기 단계 4에서는 기판의 산화아연 시드층이 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate)와 헥사메틸렌테트라아민의 혼합용액과 반응될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는, 기판 상에 선택적으로 패터닝된 산화아연 나노선의 제조방법.

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