JP2006124834A - シリコン基板上にZnOナノ構造を堆積するための、ALDよるZnOシード層 - Google Patents

シリコン基板上にZnOナノ構造を堆積するための、ALDよるZnOシード層 Download PDF

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Abstract

【課題】金属触媒を使用することなくZnOナノ構造を成長させる手法を提供する。
【解決手段】本発明の方法においては、基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することによって、金属触媒を使用することなく、酸化亜鉛のナノ構造を成長させる手法を提供する。シード層は原子層堆積法によって形成されることが出来る(102)。このシード層の上に、少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長が引き起こされる(103)。シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、RFスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。
【選択図】図1

Description


本発明はナノテクノロジーおよび/またはマイクロエレクトロニクスに関する。より詳細には、本発明はシリコン(Si)基板の上に酸化亜鉛(ZnO)のナノ構造を形成する方法に関する。
ナノワイヤ、ナノロッド、ナノファイバー、ウィスカーなどのナノ構造材料は、興味深い光学的および電気的性質を示し、化学およびバイオのセンサーおよび検出器、LED、トランジスタ、レーザー、フィールドエミッタ、などの多数の応用分野において、そのことが実証されてきた。例えば、P.Yangらの「Controlled growth of ZnO nanowires and their optical properties」、Adv.Func.Mat.12(5)、323(2002年)およびC.M.Lieberの「Nanoscale science and technology:Building a big future from small things」、MRS Bulletin、pp.486−491、(2003年7月)を参照されたい。酸化亜鉛(ZnO)は特に、固体光電子発光体、化学センサー、およびガス検知器の用途において有用であり得る、ナノ構造用として多くの興味深い性質を示す。
ナノ構造の形成に用いられる主要な手法の1つは、気相−液相−固相(VLS)成長である。レーザーアブレ−ションおよびアーク放電などのその他の手法もまた、ナノ構造を形成するために使用されてきた。代表的なVLS成長のメカニズムは金属触媒を必要とする。適切な温度範囲において、触媒は所望の成長材料の飽和溶液を形成する。液滴が所望の成長材料の過飽和状態になると、所望の材料は凝集し、その結果ナノ構造の成長が生ずる。例えば、金(Au)のような、触媒の薄膜(〜3nm)がしばしば用いられる。ナノ構造はAuが存在するすべての場所で成長が観察される。従来ではAuのナノ微粒子を基板上に散布させるか、またはパターン化されたシャドウマスクによってAuを蒸着させることにより、Au触媒をパターニングすることによって、ナノ構造の選択的成長は実現されてきた。
しかしながら、マイクロエレクトロニクス製造に用いられるウルトラクリーンな環境において、基板上に微粒子を散布させることは好ましくない。その上、ナノ構造成長の触媒に用いられる金属は、特有の性質としてエッチングが困難であり、従って減算的にパターニングすることが困難である。さらに、触媒として使用される金属は特有の性質として化学機械的研磨(CMP)が困難である。従ってナノ構造の触媒材料は特有の性質として、従来のマイクロエレクトロニクス処理によるパターニングが困難である。さらに、金属触媒を使用することによる汚染もまた重要な問題である。従って、金属触媒を排除することは、ウェーハおよび装置の汚染を削減するために有益である。
それ故に、金属触媒を使用することなくZnOナノ構造を成長させる手法が必要とされる。
本発明は、金属触媒を使用せずにZnOナノ構造を成長させる手法を提供する。
本発明の有利な点は、酸化亜鉛のナノ構造を形成する方法により提供される。その方法においては、基板が提供され、基板の表面上に少なくとも約0.5nm厚さの多結晶酸化亜鉛のシード層が形成され、シード層の上に少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長が引き起こされる。本発明の一例示的な実施形態においては、シード層は、ジエチル亜鉛前駆物質と水蒸気との交互のパルス注入の使用などによる、原子層堆積(ALD)法によって形成される。本発明に従えば、少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、シード層を微量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことを含む。亜鉛気体は酸化亜鉛の炭素熱還元によって形成されることが出来る。本発明の別の例示的な実施形態においては、シード層は、有機金属堆積(MOD)法、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法またはシード層の酸化によるなどの、スピンオン法を使用することによって形成される。
本発明はまた、基板の表面上に少なくとも0.5nm厚さの多結晶酸化亜鉛のシード層を形成すること、およびシード層の上に少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を含むこと、によって形成される酸化亜鉛のナノ構造を提供する。一例示的な実施形態においては、シード層はジエチル亜鉛前駆物質および水蒸気の交互のパルス注入の使用などによる原子層堆積(ALD)法を用いることによって形成される。酸化亜鉛のナノ構造は、シード層を微量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことにより、成長が引き起こされることが出来る。亜鉛気体は、酸化亜鉛の炭素熱還元によって形成されることが出来る。本発明の別の例示的な実施形態においては、シード層は、有機金属堆積(MOD)法、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法またはシード層の酸化によるなどの、スピンオン法を使用することによって形成されることが出来る。
本発明はまた、基板と、基板の表面上に形成された少なくとも0.5nm厚さのシード層と、シード層の上に形成された少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造とを含む、酸化亜鉛のナノ構造を提供する。シード層は、ジエチル亜鉛前駆物質および水蒸気の交互のパルス注入の使用などによる原子層堆積(ALD)法を用いることによって形成されることが出来る。少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造が、シード層を微量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことによって、形成される。亜鉛気体は、酸化亜鉛の炭素熱還元によって生成されることが出来る。本発明の代替の実施形態においては、シード層は、有機金属堆積(MOD)法、スプレイ熱分解法、RFスパッタリング法またはシード層の酸化によるなどの、スピンオン法を使用することにより形成される。
本発明は、さらに以下の手段を提供する。
酸化亜鉛のナノ構造を形成する方法であって、
基板を提供することと、
該基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することと、
該シード層の上に少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすこと
を包含する、方法。
(項目2)
上記シード層を形成することにおいて、原子層堆積法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の上記シード層が形成される、項目1に記載の方法。
(項目3)
上記シード層を形成することは、ジエチル亜鉛前駆物質と水蒸気との交互のパルスを使用することによって上記シード層を形成することを更に包含する、項目2に記載の方法。
(項目4)
上記シード層は少なくとも約0.5nmの厚さを有する、項目2に記載の方法。
(項目5)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、上記シード層を微量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことを包含する、項目1に記載の方法。
(項目6)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、酸化亜鉛の炭素熱還元によって亜鉛気体を形成することをさらに包含する、項目5に記載の方法。
(項目7)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、上記シード層をアニールすることをさらに包含する、項目5に記載の方法。
(項目8)
上記シード層を形成することにおいて、スピンオン法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の上記シード層が形成される、項目1に記載の方法。
(項目9)
上記シード層を形成することにおいて、有機金属堆積法にさらに基づいて多結晶酸化亜鉛の上記シード層が形成される、項目8に記載の方法。
(項目10)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、上記シード層をアニールすることをさらに包含する、項目9に記載の方法。
(項目11)
上記シード層を形成することにおいて、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法およびシード層の酸化のうちの1つにさらに基づいて多結晶酸化亜鉛のシード層が形成される、項目8に記載の方法。
(項目12)
酸化亜鉛のナノ構造であって、
基板を提供することと、
該基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することと、
該シード層の上に少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすこと
によって形成される、酸化亜鉛のナノ構造。
(項目13)
上記シード層を形成することにおいて、原子層堆積法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の上記シード層が形成される、項目12に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目14)
上記シード層の形成は、ジエチル亜鉛前駆物質と水蒸気との交互のパルスを使用することによって上記シード層を形成することをさらに包含する、項目13に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目15)
上記シード層は少なくとも約0.5nmの厚さを有する、項目13に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目16)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、上記シード層を少量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことを包含する、項目12に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目17)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、酸化亜鉛の炭素熱還元によって亜鉛気体を形成することをさらに包含する、項目16に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目18)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、上記シード層をアニールすることをさらに包含する、項目16に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目19)
上記シード層を形成することにおいて、スピンオン法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の上記シード層が形成される、項目12に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目20)
上記シード層を形成することにおいて、有機金属堆積法にさらに基づいて多結晶酸化亜鉛の上記シード層が形成される、項目19に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目21)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、上記シード層をアニールすることをさらに包含する、項目20に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目22)
上記シード層を形成することにおいて、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法およびシード層の酸化のうちの1つにさらに基づいて多結晶酸化亜鉛のシード層が形成される、項目19に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目23)
酸化亜鉛のナノ構造であって、
基板と、
該基板の表面の上に形成された多結晶酸化亜鉛のシード層と、
該シード層の上に形成された少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造と
を備える、酸化亜鉛のナノ構造。
(項目24)
上記シード層は、原子層堆積法によって形成される、項目23に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目25)
上記シード層は、ジエチル亜鉛前駆物質と水蒸気との交互のパルスを使用することによって形成される、項目24に記載の上記酸化亜鉛のナノ構造。
(項目26)
上記シード層は少なくとも約0.5nmの厚さを有する、項目24に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目27)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造が、上記シード層を微量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことによって形成される、項目23に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目28)
上記亜鉛気体は、酸化亜鉛の炭素熱還元によって生成される、項目27に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目29)
少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造が成長させられる前に、上記シード層がアニールされる、項目27に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目30)
上記シード層は、スピンオン法によって形成される、項目23に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目31)
上記シード層の形成において、有機金属堆積法にさらに基づいて多結晶酸化亜鉛のシード層が形成される、項目30に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(項目32)
上記シード層は、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法およびシード層の酸化のうちの1つによって形成される、項目30に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
(摘要)
基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することにより、金属触媒を使用することなく、酸化亜鉛のナノ構造が成長させられる。
シード層は原子層堆積法により形成されることが出来る。このシード層の上に、少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長が引き起こされる。シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、RFスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。
本発明は、金属触媒の使用を避けて、Si基板上にZnOナノ構造の成長を実現するための2つの手法を提供する。本発明の一例示的な実施形態においては、ZnOナノ構造は、原子層堆積(ALD)された多結晶ZnOの上に、気相−固相メカニズムを使用することによって成長させられる。本発明の別の例示的な実施形態においては、ZnOナノ構造は、有機金属堆積(MOD)されたZnOの上に、やはり気相−固相メカニズムを使用することによって成長させられる。両方の例示的な実施形態に対して、本発明は、金属触媒の従来手法を使用する、または表面を荒くすることによって得られるよりも、より一層安定しかつ再現性のあるナノ構造の成長領域を生み出す。そのうえ、最終的目標はSiCMOSプロセスにナノ構造を統合することであるので、ZnOナノ構造の成長に金属触媒の使用を排除することは、SiCMOS装置に対して潜在的に有害なSiCMOS装置の金属触媒による汚染を避けることにもつながる。
図1は、本発明に従いZnOナノ構造を形成する手法の、第1の例示的な実施形態100の流れ図を示す。図2Aおよび2Bは基板、および本発明に従いZnOナノ構造を形成する手法の第1の例示的な実施形態によって形成されたZnOナノ構造の、各ステップにおける断面図を示す。図1のステップ101では、クリーンなSi<100>またはSi<111>出発ウェーハが基板層201(図2A)として使用される。ステップ102では、基板層201の上に多結晶ZnOの薄いシード層202が、原子層堆積(ALD)を使用して堆積(図2A)される。ALDのために、前駆物質が堆積チャンバの中に交互にパルス注入され、排出によって分離される。基板の表面上で反応が生じるが、その反応は自己抑制的である。薄膜の厚さは前駆物質のパルス注入/排出のサイクルの数によって制御される。この処理の自己抑制的性質が、均一性および優れたコンフォーマリティ(conformality)をもたらす。一例示的な実施形態においては、層202は約6nmの厚さのALD ZnOを形成するために、約130℃と180度との間の基板温度においてジエチル亜鉛(DEZ)前駆物質およびHO蒸気の交互のパルス注入によって形成される。約0.5nmと約80nmとの間の厚さのシード層に対して、ナノ構造の成長が引き起こされてきた。原則的には、シード層202としてはいかなる厚さのALD ZnOでも使用可能である。代替案としては、ジメチル亜鉛、酢酸亜鉛、塩化亜鉛などの他の前駆物質が、ALD ZnOを形成するために使用されることが出来る。さらに追加として、シード層202が形成された後、シード層202の結晶構造を改善するために、シード層202はアニールされることが出来る。
ステップ103では、気相−固相メカニズムによって引き起こされたZnOナノ構造の成長が、図2Bに示されるようにナノ構造203を形成する。図2Aに示される層201および202によって形成されるウェーハ構造は、約915℃の亜鉛気体に約30分間、約30〜80sccmの流量のArおよび微量の酸素と共に、さらされる。亜鉛気体は例えば、等割合のZnOおよびグラファイトを使用しZnO粉末の炭素熱還元によって生成される。原理的には、しかしながら、ZnOナノ構造を成長させるためには、気相のZnを供給する方法は全て適切であり得る。
図3は、本発明に従うZnOナノ構造を形成する手法の、第2の例示的な実施形態300の流れ図を示す。図4Aおよび4Bは基板、および本発明に従いZnOナノ構造を形成する手法の第2の例示的な実施形態によって形成されたZnOナノ構造の、各ステップにおける断面図を示す。図3のステップ301では、クリーンなSi〈100〉またはSi〈111〉出発ウェーハが、基板層401(図4A)として使用される。ステップ302では、基板層401の上に多結晶ZnOの薄いシード層402が、スピンオン法を使用して堆積(図4A)される。一例示的な実施形態においては層402は、約80nmの厚さのMOD ZnOを形成するために、2−メトキシエタノールおよびエタノールアミンの中の酢酸亜鉛脱水物を使用する有機金属堆積(MOD)法によって形成される。シード層402としてのMOD ZnOは、如何なる厚さであっても使用可能である。スピンオン コーティングの後に、MODによって堆積された薄膜は、残留する溶媒を追い出すために100℃、200℃および300℃のそれぞれの温度で1分間づつベイクされ、さらにその後に、乾燥空気中で500℃で2分間および次いで1000℃で5分間の急速加熱(rapid thermal)アニールがなされる。代替案として、ZnO層402は噴霧熱分解、RFスパッタリング、または基板401の上のZnの薄膜の酸化による、などの他の方法を使用することによって堆積することが出来る。
ステップ303では、気相−固相メカニズムによって引き起こされるナノ構造の成長が、図4Bに示すようにナノ構造403を形成する。図4Aに示される層401および402によって形成されるウェーハ構造は、約915℃の亜鉛気体に約30分間、約30〜80sccmの流量のArおよび微量の酸素と共に、さらされる。亜鉛気体は例えば、等割合のZnOおよびグラファイトを使用しZnO粉末の炭素熱還元によって生成される。原則的には、ZnOナノ構造を成長させるためには、気相のZnを供給する方法は全て適切であり得る。
同時に出願され共有にかかるアメリカ特許出願シリアル番号(代理人整理番号No.SLA0923)、名称「Selective Growth of ZnO Nanostructures Using a Patterned ALD ZnO Seed Layer」、発明者J.F.ConleyおよびL.Stecker、の中に詳細に記述され、ここに援用され、本発明の別の例示的な実施形態においては、ナノ構造の成長に先立ってZnOシード層は、フォトレジストのレジスト層を塗布することによって、パターン化されたマスクを使用して露光および現像され、フッ化水素(HF)によってエッチングされ、フォトレジストを剥離されて、パターニングされる。垂直方向に整列したZnOの成長が気相−固相メカニズムによって引き起こされ、図4Bに示されたナノ構造403と同様のナノ構造を形成する。ZnOナノ構造の成長は、残留するシード層402で覆われた領域内のみにおいて生じる。
スピンオン法によって形成されたシード層の上に成長したナノ構造を、ALD法によって形成されたシード層の上に成長したナノ構造と比較すると、ナノ構造の直径、ナノ構造の長さ、面積あたりの密度および構造の整列度などの、形態の差異が見られる。このように、異なる方法を使用することによって堆積された同じシードの材料の使用が、ナノ構造の形態を調整するために使用できる。
明瞭な理解を得る目的のために、上記の発明について一部詳細に記述されてきたが、添付の請求項の範囲内において、ある種の変更および修正がなされ得ることは、明らかである。従って、本実施形態は例示であってこれに限定するものではないと、考えられるべきであり、本発明は、ここに示された詳細に限定されるべきではなく、添付の請求項の範囲およびその均等物の内において、変更され得るものである。
本発明に従うZnOナノ構造を形成する手法の、第1の例示的な実施形態のフローチャートである。 図2Aおよび図2Bは、本発明に従う基板およびZnOナノ構造を形成する手法の、第1の例示的な実施形態によって形成されるZnOナノ構造の、各ステップにおける断面図である。 本発明に従うZnOナノ構造を形成する手法の、第2の例示的な実施形態のフローチャートである。 図4Aおよび図4Bは、本発明に従う基板およびZnOナノ構造を形成する手法の、第2の例示的な実施形態によって形成されるZnOナノ構造の、各ステップにおける断面図である。
符号の説明
201、401 基板
202、402 シード層
203、403 ナノ構造

Claims (32)

  1. 酸化亜鉛のナノ構造を形成する方法であって、
    基板を提供することと、
    該基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することと、
    該シード層の上に少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすこと
    を包含する、方法。
  2. 前記シード層を形成することにおいて、原子層堆積法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の前記シード層が形成される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記シード層を形成することは、ジエチル亜鉛前駆物質と水蒸気との交互のパルスを使用することによって前記シード層を形成することを更に包含する、請求項2に記載の方法。
  4. 前記シード層は少なくとも約0.5nmの厚さを有する、請求項2に記載の方法。
  5. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、前記シード層を微量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことを包含する、請求項1に記載の方法。
  6. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、酸化亜鉛の炭素熱還元によって亜鉛気体を形成することをさらに包含する、請求項5に記載の方法。
  7. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、前記シード層をアニールすることをさらに包含する、請求項5に記載の方法。
  8. 前記シード層を形成することにおいて、スピンオン法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の前記シード層が形成される、請求項1に記載の方法。
  9. 前記シード層を形成することにおいて、有機金属堆積法にさらに基づいて多結晶酸化亜鉛の前記シード層が形成される、請求項8に記載の方法。
  10. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、前記シード層をアニールすることをさらに包含する、請求項9に記載の方法。
  11. 前記シード層を形成することにおいて、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法およびシード層の酸化のうちの1つにさらに基づいて多結晶酸化亜鉛のシード層が形成される、請求項8に記載の方法。
  12. 酸化亜鉛のナノ構造であって、
    基板を提供することと、
    該基板の表面の上に多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することと、
    該シード層の上に少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすこと
    によって形成される、酸化亜鉛のナノ構造。
  13. 前記シード層を形成することにおいて、原子層堆積法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の前記シード層が形成される、請求項12に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  14. 前記シード層の形成は、ジエチル亜鉛前駆物質と水蒸気との交互のパルスを使用することによって前記シード層を形成することをさらに包含する、請求項13に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  15. 前記シード層は少なくとも約0.5nmの厚さを有する、請求項13に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  16. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、前記シード層を少量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことを包含する、請求項12に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  17. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こすことは、酸化亜鉛の炭素熱還元によって亜鉛気体を形成することをさらに包含する、請求項16に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  18. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、前記シード層をアニールすることをさらに包含する、請求項16に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  19. 前記シード層を形成することにおいて、スピンオン法を使用することによって多結晶酸化亜鉛の前記シード層が形成される、請求項12に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  20. 前記シード層を形成することにおいて、有機金属堆積法にさらに基づいて多結晶酸化亜鉛の前記シード層が形成される、請求項19に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  21. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造の成長を引き起こす前に、前記シード層をアニールすることをさらに包含する、請求項20に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  22. 前記シード層を形成することにおいて、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法およびシード層の酸化のうちの1つにさらに基づいて多結晶酸化亜鉛のシード層が形成される、請求項19に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  23. 酸化亜鉛のナノ構造であって、
    基板と、
    該基板の表面の上に形成された多結晶酸化亜鉛のシード層と、
    該シード層の上に形成された少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造と
    を備える、酸化亜鉛のナノ構造。
  24. 前記シード層は、原子層堆積法によって形成される、請求項23に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  25. 前記シード層は、ジエチル亜鉛前駆物質と水蒸気との交互のパルスを使用することによって形成される、請求項24に記載の前記酸化亜鉛のナノ構造。
  26. 前記シード層は少なくとも約0.5nmの厚さを有する、請求項24に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  27. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造が、前記シード層を微量の酸素の存在下で亜鉛気体にさらすことによって形成される、請求項23に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  28. 前記亜鉛気体は、酸化亜鉛の炭素熱還元によって生成される、請求項27に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  29. 少なくとも1つの酸化亜鉛のナノ構造が成長させられる前に、前記シード層がアニールされる、請求項27に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  30. 前記シード層は、スピンオン法によって形成される、請求項23に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  31. 前記シード層の形成において、有機金属堆積法にさらに基づいて多結晶酸化亜鉛のシード層が形成される、請求項30に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
  32. 前記シード層は、噴霧熱分解法、RFスパッタリング法およびシード層の酸化のうちの1つによって形成される、請求項30に記載の酸化亜鉛のナノ構造。
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