JP2004095583A - 磁気検出素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】ΔＲの大きなスピンバルブ型の磁気検出素子を提供する。
【解決手段】第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５、固定磁性層２４、それぞれを形成する磁性材料のβの正負を規定して、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層２６の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値をダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくさせることにより、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【選択図】 図１
【解決手段】第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５、固定磁性層２４、それぞれを形成する磁性材料のβの正負を規定して、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層２６の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値をダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくさせることにより、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スピンバルブ型の磁気検出素子に係り、特に抵抗変化ΔＲの向上を効果的に図ることが可能な磁気検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、従来の磁気検出素子を示す断面図である。
【０００３】
このスピンバルブ型磁気検出素子は、下から、反強磁性層２、固定磁性層３、非磁性材料層４、第１フリー磁性層５ａ、非磁性中間層５ｂ、第２フリー磁性層５ｃからなるシンセティックフェリ型のフリー磁性層５からなる多層膜６、多層膜６の下と上に形成された電極層１及び電極層７と、フリー磁性層５の両側部に形成されたハードバイアス層８，８及びハードバイアス層８，８の上下に形成された絶縁層９，９並びに絶縁層１０，１０からなっている。
【０００４】
反強磁性層２はＰｔＭｎ、固定磁性層３、及びフリー磁性層５の第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃはＣｏＦｅ、フリー磁性層５の非磁性中間層５ｂはＲｕ、非磁性材料層４はＣｕ、ハードバイアス層８はＣｏＰｔなどの硬磁性材料、絶縁層９、１０はアルミナ、電極層１、７はＣｒなどの導電性材料によって形成されている。
【０００５】
図１０に示す磁気検出素子は、スピンバルブ型磁気検出素子と呼ばれるものであり、ハードディスクなどの記録媒体からの記録磁界を検出するものである。
【０００６】
なお、図１０に示される磁気検出素子は、多層膜６の各層の膜面と垂直方向に電流が流れるＣＰＰ（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）型の磁気検出素子である。
【０００７】
固定磁性層３の磁化方向は図示Ｙ方向に固定されている。例えば、第２フリー磁性層５ｃの磁気的膜厚（飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔ）が第１フリー磁性層５ａの磁気的膜厚よりも大きいとき、外部磁界が印加されていない状態の第２フリー磁性層５ｃの磁化方向は、ハードバイアス層８，８からの縦バイアス磁界によってトラック幅方向（図示Ｘ方向）に向けられて単磁区化し、第１フリー磁性層５ａの磁化方向はトラック幅方向に反平行な方向に向けられる。フリー磁性層５全体の磁化方向は、磁気的膜厚の大きい第２フリー磁性層５ｃの磁化方向になる。外部磁界が印加されると第１フリー磁性層５ａと第２フリー磁性層５ｃの磁化が人工フェリ状態を維持したまま回転し、多層膜６の電気抵抗が変化する。この電気抵抗の変化を電圧変化または電流変化として取り出すことにより外部磁界を検出する。
【０００８】
磁性材料に電流を流すと、この磁性材料中では、メジャーリティの伝導電子に対する比抵抗とマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗が異なる値になる。
【０００９】
磁性材料を構成する磁性原子は、主に３ｄ軌道または４ｆ軌道の電子の軌道磁気モーメント及びスピン磁気モーメントによって、その磁気モーメントが規定される。基本的に、磁性原子の３ｄ軌道または４ｆ軌道に存在する電子は、アップスピンとダウンスピンの数が異なっている。この３ｄ軌道または４ｆ軌道に存在するアップスピンの電子とダウンスピンの電子のうち数が多い方の電子のスピンをメジャーリティスピンといい、少ない方の電子のスピンをマイノリティスピンという。
【００１０】
一方、磁性材料を流れる電流中には、アップスピンの伝導電子とダウンスピンの伝導電子がほぼ同数含まれている。アップスピンの伝導電子とダウンスピンの伝導電子のうち、磁性材料のメジャーリティスピンと同じスピンを有する方をメジャーリティ（ｍａｊｏｒｉｔｙ）の伝導電子といい、磁性材料のマイノリティスピンと同じスピンを有する方をマイノリティー（ｍｉｎｏｒｉｔｙ）の伝導電子という。
【００１１】
ここでρ↓をマイノリティーの伝導電子に対する磁性材料の比抵抗値とし、ρ↑をメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値とすると以下に示す関係式によって、磁性材料に固有の値βを定義できる。
【００１２】
ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β） （−１≦β≦１）
すなわち、磁性材料のβの値が正（β＞０）のとき、ρ↓＞ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、磁性材料のβの値が負（β＜０）のとき、ρ↓＜ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはマイノリティーの伝導電子の方になる。
【００１３】
また、磁性材料からなる磁性層に非磁性材料からなる非磁性層が積層されると、磁性層と非磁性層の界面に界面抵抗が発生する。
【００１４】
この界面抵抗も、メジャーリティの伝導電子に対する値とマイノリティーの伝導電子に対する値が異なる。
【００１５】
ｒ↓をマイノリティーの伝導電子に対する界面抵抗値とし、ｒ↑を伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値とすると以下に示す関係式によって、磁性材料と非磁性材料の組み合わせに固有の値γを定義できる。
【００１６】
ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）
すなわち、γの値が正（γ＞０）のとき、ｒ↓＞ｒ↑となり、界面を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、γの値が負（γ＜０）のとき、ｒ↓＜ｒ↑となり、界面を流れやすいのはマイノリティーの伝導電子の方になる。
【００１７】
図１０に示される磁気検出素子は、固定磁性層２、第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃがすべて同じ組成の磁性材料ＣｏＦｅによって形成されている。ＣｏＦｅのβは正の値を示す。すなわち、固定磁性層２、第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃ中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子である。
【００１８】
また、非磁性材料層４はＣｕによって形成されている。このとき、非磁性材料層４と固定磁性層３の界面のγの値、非磁性材料層４と第１フリー磁性層５ａの界面のγの値は、両方とも正の値を示す。
【００１９】
非磁性中間層５ｂはＲｕによって形成されている。このとき、第１フリー磁性層５ａと非磁性中間層５ｂの界面のγの値と第２フリー磁性層５ｃと非磁性中間層５ｂの界面のγの値は、両方とも負の値を示す。
【００２０】
各磁性層とβとγの値の関係を図１１にまとめる。図１１には、図１０に示された磁気検出素子の磁気抵抗効果に関係ある層を模式的に示している。固定磁性層３、第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃに記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。ここで、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５ａと第２フリー磁性層５ｃの磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくするためには、フリー磁性層５の磁化方向が図１１に示される方向を向いているときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層４及び非磁性中間層５ｂ）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さいことが好ましい（または、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層４及び非磁性中間層５ｂ）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さいことが好ましい）。
【００２２】
しかし、図１１をみると、メジャーリティスピンがアップスピンでありβ＞０である固定磁性層３及び第１フリー磁性層５ａは、アップスピンの伝導電子に対する抵抗値が小さくなっているが、メジャーリティスピンがダウンスピンであり、β＞０である第２フリー磁性層５ｃはアップスピンの伝導電子に対する抵抗値が大きくなっている。
【００２３】
また、非磁性材料層４と固定磁性層３の界面、非磁性材料層４と第１フリー磁性層５ａの界面、及び非磁性中間層５ｂと第２フリー磁性層５ｃの界面におけるアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗は、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗よりも小さくなっている。しかし、第１フリー磁性層５ａと非磁性中間層５ｂの界面におけるアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗は、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗よりも大きくなっている。
【００２４】
このように、従来の磁気検出素子は、伝導電子の流れ方の制御の効率が低いものであった。
【００２５】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることによって、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層の上に第２フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第１フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第２フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とするものである。
【００２７】
ただし、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β） （−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。
【００２８】
または、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記固定磁性層は、第１固定磁性層の上に第２固定磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第２固定磁性層、前記フリー磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１固定磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２固定磁性層のβと異なっているか、または、前記第１固定磁性層、前記フリー磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２固定磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１固定磁性層のβと異なっていることを特徴とするものである。
【００２９】
あるいは、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層、非磁性中間層、第２フリー磁性層、非磁性中間層、及び第３フリー磁性層順に積層されたものであり、
前記第３フリー磁性層、前記第１フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第２フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１フリー磁性層及び前記第３フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とするものである。
【００３０】
本発明のように、前記フリー磁性層（前記第１フリー磁性層、前記第２フリー磁性層、第３フリー磁性層）、前記固定磁性層（前記第１固定磁性層、前記第２固定磁性層）（以下これらをまとめて呼ぶときは単に磁性層と呼ぶ）それぞれを形成する磁性材料のβを規定すると、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００３１】
さらに、本発明では、前記第１フリー磁性層、第２フリー磁性層、第３フリー磁性層、第１固定磁性層、または第２固定磁性層と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の界面におけるγの正負の符号が、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しいことが好ましい。
【００３２】
ただし、γは、ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）の関係式を満たす界面に固有の値である（なお、ｒ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する界面抵抗値であり、ｒ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値である）。
【００３３】
本発明のように、γを規定すると、スピンバルブ型磁気検出素子において、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての、磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層及び非磁性中間層）の界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなるか、または、全ての前記界面における，ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００３４】
なお、上記のようにγを規定するためには、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の上面と磁性層の界面におけるγの正負の符号と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の下面と磁性層の界面におけるγの正負の符号を異ならせることが必要になる場合があるが、本発明では、前記非磁性材料層及び／または前記非磁性中間層を、種類の異なる非磁性材料からなる２層構造とすることによってそのような問題を解決できる。
【００３５】
または、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層の上に第２フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）をＢ群に属する合金としたときに、
前記第１フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第１フリー磁性層が属する群と異なる群に属する合金であるか、または、前記第２フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第１フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第２フリー磁性層が属する群と異なる群に属する合金であることを特徴とするものである。
【００３６】
または、本発明の磁気検出素子は、前記固定磁性層は、第１固定磁性層の上に第２固定磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第２固定磁性層及び前記フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第１固定磁性層を形成している磁性材料は前記第２固定磁性層が属する群と異なる群に属する合金であるか、または、前記第１固定磁性層及び前記フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２固定磁性層を形成している磁性材料は前記第１固定磁性層が属する群と異なる群に属する合金であることを特徴とするものである。
【００３７】
あるいは、本発明の磁気検出素子は、前記フリー磁性層が、第１フリー磁性層、非磁性中間層、第２フリー磁性層、非磁性中間層、及び第３フリー磁性層が順に積層されたものであり、
前記第３フリー磁性層、前記第１フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は、前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第１フリー磁性層が属する群とは異なる群に属する合金であるか、または、前記第１フリー磁性層、及び前記第３フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は、前記第１フリー磁性層が属する群とは異なる群に属する合金であることを特徴とするものである。
【００３８】
本発明のように、各磁性層を形成する磁性材料を規定すると、スピンバルブ型磁気検出素子において、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００３９】
さらに、本発明では、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層のうち少なくとも一つはＣｕ層とＣｒ層が積層された積層膜であって、この積層膜が、前記Ａ群に属している合金によって形成された磁性層と前記Ｂ群に属している合金によって形成された磁性層に挟まれることにより、全ての界面においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての界面においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４０】
本発明では、前記非磁性中間層の膜厚、前記第１フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくても、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４１】
また、前記フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚、前記第２固定磁性層の膜厚、前記非磁性中間層がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくても、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４２】
あるいは、前記非磁性中間層の膜厚、前記第２フリー磁性層の膜厚、前記非磁性中間層の膜厚、及び前記第１フリー磁性層の膜厚並びに、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくても、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明における第１実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【００４４】
図１に示す磁気検出素子は、いわゆるシングル型のスピンバルブ型薄膜素子である。
【００４５】
第１の電極層２０の中央上面には、下から下地層２１、シード層２２、反強磁性層２３、第１固定磁性層５０と第２固定磁性層５２とその間に形成されたＲｕなどの非磁性中間層５１からなる３層フェリ構造の固定磁性層２４、非磁性材料層２５及びフリー磁性層２６が形成されている。フリー磁性層２６は、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５とその間に形成された非磁性中間層５４からなる３層フェリ構造である。
【００４６】
第１の電極層２０、及び第２の電極層３０は、例えばα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成されている。下地層２１は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されることが好ましい。下地層２１は５０Å以下程度の膜厚で形成される。ただし、この下地層２１は形成されていなくても良い。
【００４７】
シード層２２は、主として面心立方晶から成り、次に説明する反強磁性層２３との界面と平行な方向に（１１１）面が優先配向されている。シード層２２は、Ｃｒ、ＮｉＦｅ合金、あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｙ合金（ただしＹは、Ｃｒ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉから選ばれる少なくとも１種以上）で形成されることが好ましい。これらの材質で形成されたシード層２２はＴａ等で形成された下地層２１上に形成されることにより反強磁性層２３との界面と平行な方向に（１１１）面が優先配向しやすくなる。シード層２２は、例えば３０Å程度で形成される。
【００４８】
なお本発明における磁気検出素子は各層の膜面と垂直方向にセンス電流が流れるＣＰＰ型であるため、シード層２２にも適切にセンス電流が流れる必要性がある。よってシード層２２は比抵抗の高い材質でないことが好ましい。すなわちＣＰＰ型ではシード層２２はＮｉＦｅ合金などの比抵抗の低い材質で形成されることが好ましい。ただし、シード層２２は形成されなくても良い。
【００４９】
反強磁性層２３は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。あるいは反強磁性層２３は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成されることが好ましい。
【００５０】
これらの反強磁性材料は、耐食性に優れしかもブロッキング温度も高く次に説明する固定磁性層２４との界面で大きな交換異方性磁界を発生し得る。また反強磁性層２３は８０Å以上で３００Å以下，例えば２００Åの膜厚で形成されることが好ましい。
【００５１】
この実施形態では、固定磁性層２４が３層のフェリ構造で形成されている。
固定磁性層２４を構成する符号５０及び５２の層は磁性層である。第１固定磁性層５０，第２固定磁性層５２間には非磁性材料によって形成された非磁性中間層５１が介在している。固定磁性層２４の材料については後述する。
【００５２】
反強磁性層２３と第１固定磁性層５０の間には交換異方性磁界が発生している。
【００５３】
例えば第１固定磁性層５０の磁化がハイト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に固定された場合、もう一方の第２固定磁性層５２はＲＫＫＹ相互作用により、ハイト方向に磁化され固定される。この構成により固定磁性層２４の磁化を安定した状態にでき、また固定磁性層２４の磁化方向を強固に固定できる。
【００５４】
なお例えば、第１固定磁性層５０，第２固定磁性層５２の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また非磁性中間層５１及び中間層６１の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成される。
【００５５】
なお固定磁性層２４はフェリ構造ではなく単層膜あるいは磁性層のみからなる積層膜で形成されていても良い。
【００５６】
非磁性材料層２５は電気抵抗の低い導電性材料によって形成される。非磁性材料層２５は例えば２５Å程度の膜厚で形成される。非磁性材料層２５は、第１層４０と第２層４１が積層された２層構造である。非磁性材料層２５の材料については後述する。
【００５７】
フリー磁性層２６は、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５とその間に形成された非磁性中間層５４からなる３層フェリ構造である。
【００５８】
第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５は磁性材料からなり、非磁性中間層５４は非磁性材料からなる。トラック幅方向（図示Ｘ方向）に磁化されているハードバイアス層３３，３３からの縦バイアス磁界によって、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５のうち、磁気的膜厚（単位面積当たりの磁気モーメント；飽和磁束密度Ｍｓ×膜厚ｔ）の大きい方の磁化が図示Ｘ方向に揃えられ、他方の磁化は図示Ｘ方向と反平行方向を向く。
【００５９】
例えば、図１では、第１フリー磁性層５３の磁気的膜厚の方が、第２フリー磁性層５５の磁気的膜厚より大きくなっているので、 第１フリー磁性層５３の磁化が図示Ｘ方向にそろえられる。そして、ＲＫＫＹ相互作用によって、第２フリー磁性層５５の磁化方向が図示Ｘ方向と反平行方向に向けられる。
【００６０】
フリー磁性層２６の合計の磁気的膜厚は、第１フリー磁性層５３の磁気的膜厚と第２フリー磁性層５５の磁気的膜厚の差になる。従って、本実施の形態のような人工フェリ型のフリー磁性層２６であれば、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５を安定して成膜できる膜厚で形成しても、フリー磁性層２６の実質的な磁気的膜厚を減少させることができ、磁気検出素子の磁界検出感度を向上させることができる。
【００６１】
第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５、非磁性中間層５４の材料及び膜厚については後述する。
【００６２】
図１に示すように、多層膜Ｔ１のトラック幅方向の両側領域の第１の電極層２０上には、絶縁層３１，３１が形成されている。絶縁層３１，３１は例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２など一般的な絶縁材料で形成される。
【００６３】
絶縁層３１，３１の上面３１ａ，３１ａは、フリー磁性層２６の下面２６ａよりも図示下側（図示Ｚ方向とは逆方向）に形成されていることが好ましい。
【００６４】
絶縁層３１，３１の上には、バイアス下地層３２，３２が形成されている。またバイアス下地層３２，３２の上にはハードバイアス層３３，３３が形成されている。ハードバイアス層３３，３３は、フリー磁性層２６の両側端面２６ｂ，２６ｂに対向する位置に形成される。ハードバイアス層３３，３３は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に磁化されている。
【００６５】
バイアス下地層３２，３２はハードバイアス層３３，３３の特性（保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ）を向上させるために設けられたものである。
【００６６】
本発明では、バイアス下地層３２，３２は、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜で形成されることが好ましい。なおこのときバイアス下地層３２，３２の結晶配向は（１００）面が優先配向するのが好ましい。
【００６７】
またハードバイアス層３３，３３は、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などで形成される。これら合金の結晶構造は、稠密六方構造（ｈｃｐ）単相あるいは面心立方構造（ｆｃｃ）と稠密六方構造（ｈｃｐ）の混相となっている。
【００６８】
ここで上記の金属膜で形成されたバイアス下地層３２，３２とハードバイアス層３３，３３を構成するＣｏＰｔ系合金のｈｃｐ構造の界面での原子配列が近くなるために、ＣｏＰｔ系合金はｆｃｃ構造を形成しづらくｈｃｐ構造で形成されやすくなる。このときｈｃｐ構造のｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層の境界面内に優先配向される。ｈｃｐ構造はｆｃｃ構造に比べてｃ軸方向に大きな磁気異方性を生じるため、ハードバイアス層３３，３３に磁界を与えたときの保磁力Ｈｃは大きくなるのである。さらにｈｃｐのｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層との境界面内で優先配向となっているため、残留磁化が増大し、残留磁化／飽和磁束密度で求められる角形比Ｓは大きくなる。その結果、ハードバイアス層３３，３３の特性を向上させることができ、ハードバイアス層３３，３３から発生するバイアス磁界を増大させることができる。結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜は、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１種または２種以上の元素で形成されることが好ましい。
【００６９】
また、バイアス下地層３２はハードバイアス層３３，３３の下側にのみ形成されていることが好ましいが、フリー磁性層２６の両側端面２６ｂ，２６ｂとハードバイアス層３３，３３間にも若干介在してもよい。フリー磁性層２６の両側端面２６ｂ，２６ｂとハードバイアス層３３，３３間に形成されるバイアス下地層３２，３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における膜厚は１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００７０】
これによりハードバイアス層３３，３３とフリー磁性層２６とを磁気的に連続体にでき、フリー磁性層２６の端部が反磁界の影響を受けるバックリング現象などの問題も発生せず、フリー磁性層２６の磁区制御を容易にできる。
【００７１】
図１の磁気検出素子は、ハードバイアス層３３，３３によって、フリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３及び第２フリー磁性層５５が単磁区化されるものであるが、本実施の形態のように第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化方向が互いに反平行方向を向くものであるときは、ハードバイアス層３３，３３の内側端面３３ａ，３３ａが、第１フリー磁性層５３及び第２フリー磁性層５５のいずれか一方の端部とのみ対向していることが好ましい。
【００７２】
図１では、ハードバイアス層３３，３３の内側端面３３ａ，３３ａが第１フリー磁性層５３の端部５３ａ，５３ａにのみ対向している。これによって、ハードバイアス層３３，３３から供給されるトラック幅方向（図示Ｘ方向）の縦バイアス磁界は第１フリー磁性層５３にのみ直接作用し、トラック幅方向と反平行方向の磁化を有する第２フリー磁性層５５の磁化に乱れが生じることを抑制または防止できる。
【００７３】
また図１に示すように、ハードバイアス層３３，３３の上には絶縁層３４，３４が形成されている。絶縁層３４，３４は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの一般的な絶縁材料で形成される。なおこの実施形態では、絶縁層３４，３４の上面とフリー磁性層２６の上面とが連続面となっている。
【００７４】
絶縁層３４，３４及びフリー磁性層２６の上には、第２の電極層３０が形成されている。
【００７５】
この実施形態では、第２の電極層３０から第１の電極層２０に向けてセンス電流が流れるが、第１の電極層２０から第２の電極層３０に向けてセンス電流が流れても良い。従ってセンス電流は、磁気検出素子の各層を膜面と垂直方向に流れ、このようなセンス電流の流れ方向はＣＰＰ型と呼ばれる。
【００７６】
フリー磁性層２６、非磁性材料層２５及び固定磁性層２４に検出電流（センス電流）が与えられ、走行方向がＺ方向であるハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層２６の磁化が図示Ｘ方向からＹ方向へ向けて変化する。第１フリー磁性層５３と第２固定磁性層５２の磁化方向の関係で電気抵抗が変化し（これを磁気抵抗効果という）、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化または電流変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検出される。
【００７７】
図１に示される磁気検出素子は、下地層２１、シード層２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６からなる多層膜Ｔ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面Ｓ１，Ｓ１が連続した傾斜面となっている。
【００７８】
図１に示された磁気検出素子の特徴部分について説明する。
本実施の形態の磁気検出素子は、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６を形成する材料を本発明特有の規定に基づいて適切に選択するによって、抵抗変化ΔＲを向上させるものである。
【００７９】
図１に示される磁気検出素子の固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６の材料は以下に示すとおりである。
【００８０】
ケース１．第２フリー磁性層５５、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【００８１】
非磁性材料層２５は、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｕ、第２層４１はＣｒによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４も第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｒ、第２層４３はＣｕによって形成されている。
【００８２】
ケース２．第２フリー磁性層５５、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【００８３】
非磁性材料層２５は、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｒ、第２層４１はＣｕによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４も第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｕ、第２層４３はＣｒによって形成されている。
【００８４】
固定磁性層２４の第１固定磁性層５０は第２固定磁性層５２と同じ材料で形成されている。
【００８５】
上記のＮｉＸ合金、ＣｏＴ合金、ＦｅＺ合金、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｄ合金をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金、ＣｏＱ合金、ＦｅＡ合金をＢ群に属する合金とすると、Ａ群に属する合金はβ＞０である磁性材料であり、Ｂ群に属する合金はβ＜０である磁性材料である。ＮｉＸ合金の１例としてＮｉ８０Ｆｅ２０合金をあげることができ、ＦｅＡ合金の１例としてＦｅ９０Ｃｒ１０合金をあげることができる。
【００８６】
なお、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β）（−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。すなわち、磁性材料のβの値が正（β＞０）のとき、ρ↓＞ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、磁性材料のβの値が負（β＜０）のとき、ρ↓＜ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【００８７】
また、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２と非磁性材料層２５との界面、非磁性材料層２５と第１フリー磁性層５３の界面、第１フリー磁性層５３と非磁性中間層５４との界面、非磁性中間層５４と第２フリー磁性層５５の界面におけるγの正負の符号が、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しくなっている。
【００８８】
なお、γは、ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）の関係式を満たす界面に固有の値である（なお、ｒ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する界面抵抗値であり、ｒ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値である）。すなわち、γの値が正（γ＞０）のとき、ｒ↓＞ｒ↑となり、界面を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、γの値が負（γ＜０）のとき、ｒ↓＜ｒ↑となり、界面を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【００８９】
導電性材料の中を電流が流れるとき、伝導電子はある距離だけ進むとスピンの向きが変化する。導電性材料の中を伝導電子がスピンを変えずに進む距離をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｌｅｎｇｔｈ）という。スピン拡散長は導電性材料によって特有の値を示す。
【００９０】
本実施の形態では、第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１、非磁性中間層５４の膜厚ｔ２、第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ３、非磁性材料層２５の膜厚ｔ４、第２固定磁性層５２の膜厚ｔ５がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくなっている。
【００９１】
従って、磁気抵抗効果に関与する伝導電子が例えばアップスピンの伝導電子のとき、このアップスピンの伝導電子は、スピンの方向の同一性を保持したまま第２フリー磁性層５５、非磁性中間層５４、第１フリー磁性層５３、非磁性材料層２５、第２固定磁性層５２を流れることになる。
【００９２】
例えば、Ｃｏ９０Ｆｅ１０のスピン拡散長は１５０Å、Ｎｉ８０Ｆｅ２０のスピン拡散長は１２０Å、Ｎｉ９７Ｃｒ３のスピン拡散長は５０Å、Ｆｅ９５Ｃｒ５のスピン拡散長は９０Å、Ｆｅ８０Ｃｒ２０のスピン拡散長は４０Å、Ｃｕのスピン拡散長は１０００Å、Ｃｒのスピン拡散長は１００Åである。
【００９３】
ケース１及びケース２の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図２にまとめる。図２には、図１に示された磁気検出素子の磁気抵抗効果に関係ある層を模式的に示している。固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。ここで、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図２では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに反平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【００９４】
図２をみると、ケース１の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４、第２非磁性材料層２７）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【００９５】
また、ケース２の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【００９６】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００９７】
また、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６を以下に示す材料の組み合わせで形成してもよい。
【００９８】
ケース３．第２フリー磁性層５５は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３及び固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【００９９】
非磁性材料層２５はＣｒによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４は、第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｒ、第２層４３はＣｕによって形成されている。
【０１００】
ケース４．第２フリー磁性層５５は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３及び固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１０１】
非磁性材料層２５はＣｕによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４は、第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｕ、第２層４３はＣｒによって形成されている。。
【０１０２】
ケース３及びケース４の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図３にまとめる。固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。また、図３では、非磁性材料層２５が単層構造である点が図２と異なっている。
【０１０３】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図３では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１０４】
図３をみると、ケース３の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１０５】
また、ケース４の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１０６】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１０７】
上述したケース１からケース４では、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、第１フリー磁性層５３、非磁性中間層５４、第２フリー磁性層５５の材料を選択して、各層のβ及び各界面のγの正負を調節した。
【０１０８】
ただし、本発明では、固定磁性層２４の第１固定磁性層５０、非磁性中間層５１、第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、及び第１フリー磁性層５３の材料を選択して、各層のβ及び各界面のγの正負を調節することによっても、磁気検出素子のΔＲを大きくすることができる。
【０１０９】
具体的な材料の組み合わせ例を以下に示す。
ケース５．第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０及び第１フリー磁性層５３は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１１０】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｒ、第２層４５はＣｕによって形成されている。非磁性材料層２５も、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｕ、第２層４１はＣｒによって形成されている。
【０１１１】
ケース６．第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０及び第１フリー磁性層５３は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１１２】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｕ、第２層４５はＣｒによって形成されている。非磁性材料層２５も、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｒ、第２層４１はＣｕによって形成されている。
【０１１３】
ケース５及びケース６の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図４にまとめる。第１固定磁性層５０、第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。
【０１１４】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図４では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに反平行方向を向くときに磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１１５】
図４をみると、ケース５の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１１６】
また、ケース６の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１１７】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１１８】
また、第１固定磁性層５０、非磁性中間層５１、第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６を以下に示す材料の組み合わせで形成してもよい。
【０１１９】
ケース７．第１フリー磁性層５３、及び第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１２０】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｒ、第２層４５はＣｕによって形成されている。非磁性材料層２５はＣｕによって形成されている。
【０１２１】
ケース８．第１フリー磁性層５３、及び第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１２２】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｕ、第２層４５はＣｒによって形成されている。非磁性材料層２５はＣｒによって形成されている。
【０１２３】
ケース７及びケース８の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図５にまとめる。第１固定磁性層５０、第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。また、図５では、非磁性材料層２５が単層構造である点が図４と異なっている。
【０１２４】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図５では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１２５】
図５をみると、ケース７の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１２６】
また、ケース８の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１２７】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１２８】
なお、上述した実施の形態では、フリー磁性層２６及び固定磁性層２４の両方が人工フェリ構造であるものとした。ただし、ケース１から４の場合には固定磁性層２４は単層また磁性層のみの積層体であってもよく、ケース５から８の場合には、フリー磁性層２６が単層または磁性層のみの積層体であってもよい。
【０１２９】
図６は本発明における第２実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１３０】
図６に示された磁気検出素子は図１に示された磁気検出素子に類似しており、フリー磁性層２６に縦バイアスを与える方式が、図１に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１３１】
なお、図１と同じ符号で示される層は、特に説明がない限り図１と同じ材料及び膜厚で形成された同一の層である。
【０１３２】
図６に示される磁気検出素子では、フリー磁性層２６の両側領域にハードバイアス層が形成されず、かわりにフリー磁性層２６上に、中間層８１を介してインスタックバイアス層８２が形成されている。下地層２１からインスタックバイアス層８２まで重ねられた各層によって多層膜Ｔ２が形成されている。
【０１３３】
このインスタックバイアス層８２はＣｏＰｔなどの硬磁性材料によって形成され、図示Ｘ方向に着磁されている。なお、インスタックバイアス層８２と中間層８１の間に、Ｃｒからなる下地層が形成されてもよい。中間層８１の材料はＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの非磁性導伝性材料である。
この実施形態では、インスタックバイアス層８２の両側端部からフリー磁性層２６に向けて縦バイアス磁界（静磁界）が供給され（矢印Ｍで示す）、フリー磁性層２６の第２フリー磁性層５５の磁化が図示Ｘ方向と反平行方向に向けられている。
【０１３４】
また、図６では、第２フリー磁性層５５の単位面積当たりの磁気モーメントが、第１フリー磁性層５３の単位面積当たりの磁気モーメントより大きくなっており、第２フリー磁性層５５の磁化がインスタックバイアス層８２から与えられる縦バイアス磁界と同じ方向を向いている状態を安定化させている。
【０１３５】
図６に示されるインスタックバイアス層８２が設けられた磁気検出素子は、フリー磁性層２６が強固に磁化されることがなくフリー磁性層２６の磁区制御を適正化でき、フリー磁性層２６の外部磁界に対する磁化変動を良好にすることが可能である。また多層膜Ｔ２の両側端面Ｓ２，Ｓ２の両側領域にはアルミナまたはＳｉＯ２からなる絶縁層８３，８３のみが形成されている。したがってセンス電流の分流ロスを低減させることが可能である。
【０１３６】
なお、図６に示される磁気検出素子は、フリー磁性層２６上にのみインスタックバイアス層８２を形成しているが、下側の反強磁性層２３の下にインスタックバイアス層を設けてもよいし、フリー磁性層２６上と反強磁性層２３の下の両方にインスタックバイアス層を設けてもよい。
【０１３７】
ただし、フリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化方向を反平行にさせるために、フリー磁性層２６の上または下側の反強磁性層２３の下のどちらか一方にのみインスタックバイアス層を設けることが好ましい。その上で、フリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５のうち、インスタックバイアス層に近い方の膜厚を厚くすることがより好ましい。
【０１３８】
図７は本発明における第３実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１３９】
図７に示された磁気検出素子は図１に示された磁気検出素子に類似しており、フリー磁性層８４が３層の人工フェリ構造である点で図１に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１４０】
フリー磁性層８４は、第１フリー磁性層８５、非磁性中間層８６、第２フリー磁性層８７、非磁性中間層８８、第３フリー磁性層８９からなっている。第１フリー磁性層８５と第２フリー磁性層８７の磁化方向は、非磁性中間層８６を介したＲＫＫＹ相互作用によって互いに反平行方向になっている。同様に、第２フリー磁性層８７と第３フリー磁性層８９の磁化方向も、非磁性中間層８８を介したＲＫＫＹ相互作用によって互いに反平行方向になっている。
【０１４１】
フリー磁性層８４を３層の人工フェリ構造にすると、第１フリー磁性層８５
、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化方向を互いに反平行方向に固定するスピンフロップ磁界が、図１ないし図６に示された２層の人工フェリ構造のフリー磁性層２６に比べて２倍以上になる。従って、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化方向の反平行状態が縦バイアス磁界によって崩されることを防止でき、フリー磁性層全体の単磁区構造が安定化し、バルクハウゼンノイズを著しく低減できる。
【０１４２】
図７に示される磁気検出素子の固定磁性層２４、フリー磁性層８４、及び非磁性材料層２５の材料は以下に示すとおりである。
【０１４３】
ケース１．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７、第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１４４】
非磁性材料層２５は第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｒ、第２層４１はＣｕよって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｕ、第２層９１はＣｒによって形成されている。非磁性中間層８８も第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｒ、第２層９３はＣｕによって形成されている。
【０１４５】
ケース２．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７及び第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１４６】
非磁性材料層２５は第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｕ、第２層４１はＣｒよって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｒ、第２層９１はＣｕによって形成されている。非磁性中間層８８も第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｕ、第２層９３はＣｒによって形成されている。
【０１４７】
固定磁性層２４の第１固定磁性層５０は第２固定磁性層５２と同じ材料で形成されている。
【０１４８】
上記のＮｉＸ合金、ＣｏＴ合金、ＦｅＺ合金、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｄ合金をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金、ＣｏＱ合金、ＦｅＡ合金をＢ群に属する合金とすると、Ａ群に属する合金はβ＞０である磁性材料であり、Ｂ群に属する合金はβ＜０である磁性材料である。ＮｉＸ合金の１例としてＮｉ８０Ｆｅ２０合金をあげることができ、ＦｅＡ合金の１例としてＦｅ９０Ｃｒ１０合金をあげることができる。
【０１４９】
なお、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β）（−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。すなわち、磁性材料のβの値が正（β＞０）のとき、ρ↓＞ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、磁性材料のβの値が負（β＜０）のとき、ρ↓＜ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【０１５０】
また第２固定磁性層５２と非磁性材料層２５との界面、非磁性材料層２５と第１フリー磁性層８５の界面、第１フリー磁性層８５と非磁性中間層８６との界面、非磁性中間層８６と第２フリー磁性層８７の界面、第２フリー磁性層８７と非磁性中間層８８の界面、非磁性中間層８８と第３フリー磁性層８９の界面におけるγの正負の符号が、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しくなっている。
【０１５１】
なお、γは、ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）の関係式を満たす界面に固有の値である（なお、ｒ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する界面抵抗値であり、ｒ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値である）。すなわち、γの値が正（γ＞０）のとき、ｒ↓＞ｒ↑となり、界面を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、γの値が負（γ＜０）のとき、ｒ↓＜ｒ↑となり、界面を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【０１５２】
導電性材料の中を電流が流れるとき、伝導電子はある距離だけ進むとスピンの向きが変化する。導電性材料の中を伝導電子がスピンを変えずに進む距離をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｌｅｎｇｔｈ）という。スピン拡散長は導電性材料によって特有の値を示す。
【０１５３】
例えば、Ｃｏ９０Ｆｅ１０のスピン拡散長は１５０Å、Ｎｉ８０Ｆｅ２０のスピン拡散長は１２０Å、Ｎｉ９７Ｃｒ３のスピン拡散長は５０Å、Ｆｅ９５Ｃｒ５のスピン拡散長は９０Å、Ｆｅ８０Ｃｒ２０のスピン拡散長は４０Å、Ｃｕのスピン拡散長は１０００Å、Ｃｒのスピン拡散長は１００Åである。
【０１５４】
本実施の形態では、第１フリー磁性層８５の膜厚ｔ１０、非磁性中間層８６の膜厚ｔ１１、第２フリー磁性層８７の膜厚ｔ１２、非磁性中間層８８の膜厚ｔ１３、第３フリー磁性層８９の膜厚ｔ１４、非磁性材料層２５の膜厚ｔ４、第２固定磁性層５２の膜厚ｔ５がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくなっている。
【０１５５】
従って、磁気抵抗効果に関与する伝導電子が例えばアップスピンの伝導電子のとき、このアップスピンの伝導電子は、スピンの方向の同一性を保持したまま第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、第１フリー磁性層８５、非磁性中間層８６、第２フリー磁性層８７、非磁性中間層８８、第３フリー磁性層８９を流れることになる。
【０１５６】
ケース１及びケース２の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図８にまとめる。図８には、図７に示された磁気検出素子の磁気抵抗効果に関係ある層を模式的に示している。固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。ここで、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図８では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層８５の磁化方向が互いに反平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１５７】
図８をみると、ケース１の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１５８】
また、ケース２の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１５９】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１６０】
また、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層８４を以下に示す材料の組み合わせで形成してもよい。
【０１６１】
ケース３．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９、第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１６２】
非磁性材料層２５はＣｒよって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｒ、第２層９１はＣｕによって形成されている。非磁性中間層８８も第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｕ、第２層９３はＣｒによって形成されている。
【０１６３】
ケース４．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９、第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１６４】
非磁性材料層２５はＣｕによって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｕ、第２層９１はＣｒによって形成されている。非磁性中間層８８は、第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｒ、第２層９３はＣｕによって形成されている。
【０１６５】
固定磁性層２４の第１固定磁性層５０は第２固定磁性層５２と同じ材料で形成されている。
【０１６６】
ケース３及びケース４の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図９にまとめる。第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。また、図９では、非磁性材料層２５が単層構造である点が図８と異なっている。
【０１６７】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図９では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層８５の磁化方向が互いに平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１６８】
図９をみると、ケース３の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１６９】
また、ケース４の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１７０】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１７１】
図１に示された磁気検出素子の製造方法について説明する。
まず、第１の電極層２０の中央上に、下から下地層２１、シード層２２、反強磁性層２３、第１固定磁性層５０、非磁性中間層５１、第２固定磁性層５２（固定磁性層２４）、非磁性材料層２５、第１フリー磁性層５３、非磁性中間層５４、第２フリー磁性層５５（フリー磁性層２６）を真空中でベタ膜状に連続成膜して多層膜Ｔ１の積層構造を形成する。各層の材料及び膜厚は、図１に示された完成後の磁気検出素子と同じである。
【０１７２】
多層膜Ｔ１をハイト方向（図示Ｙ方向）の磁場中でアニールして、反強磁性層２３と固定磁性層２４の第１固定磁性層５０間に交換結合磁界を発生させる。
【０１７３】
磁場中アニールの温度は例えば２７０℃であり、磁界の大きさは、８００ｋＡ／ｍの強磁場で行うか、または８〜３０（ｋＡ／ｍ）、例えば２４（ｋＡ／ｍ）である。
【０１７４】
次に、フリー磁性層２６上に、磁気検出素子の光学的な素子面積と同程度かあるいはそれよりも若干小さい面積を覆うリフトオフ用のレジスト層を形成する。
【０１７５】
次に、前記レジスト層に覆われていない、フリー磁性層２６から下地層２１までの多層膜Ｔ１をイオンミリングなどで除去する。これにより第１の電極層２０の上面中央には、下地層２１からフリー磁性層までで構成される多層膜Ｔ１が略台形状となって残される。なおイオンミリング後、多層膜Ｔ１の両側端面Ｓ１，Ｓ１にはミリングで除去された物質の一部が再付着するので、再付着物をサイドミリングで除去することが好ましい。
【０１７６】
次に、第１の電極層２０上から多層膜Ｔ１の両側端面Ｓ１，Ｓ１上にかけて、Ａｌ２Ｏ３などで形成された絶縁層３１，３１、Ｃｒなどで形成されたバイアス下地層３２，３２、ＣｏＰｔＣｒなどで形成されたハードバイアス層３３，３３及びＡｌ２Ｏ３などで形成された絶縁層３４，３４をスパッタ成膜する。
【０１７７】
なお、絶縁層３１，３１から絶縁層３４，３４までの各層のスパッタ成膜の際におけるスパッタ粒子照射角度は基板に対しほぼ垂直方向とすることが好ましい。
【０１７８】
多層膜Ｔ１の両側領域に絶縁層３１，３１から絶縁層３４，３４までの各層を積層した後、前記レジスト層を除去する。
【０１７９】
その後、絶縁層３４，３４上から多層膜Ｔ１のフリー磁性層２６上にかけて第２の電極層３０をスパッタ成膜することにより、図１に示された磁気検出素子を形成できる。
【０１８０】
なお、上述した実施の形態では、磁性層及び非磁性材料からなる層のβ、γ両方の正負をアップスピンまたはダウンスピンの伝導電子に対する比抵抗や界面抵抗の観点から最適化するように調節した。ただし、本発明には、磁性層のβのみ実施の形態に示したように調節したり、界面のγのみを調節したものも含まれる。例えば、各磁性層を実施の形態に示したβの組み合わせになる材料で形成し、各非磁性材料層はＣｕ、各非磁性中間層はＲｕで形成するという形態でもよい。
【０１８１】
なお、上述した実施の形態では、磁気検出素子の各層の膜厚上下方向にセンス電流が流れるＣＰＰ型（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）のスピンバルブ型磁気検出素子を示した。ただし、本発明には、磁気検出素子の各層の膜厚水平方向にセンス電流が流れるＣＩＰ型（ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｎ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）のスピンバルブ型磁気検出素子も含まれる。
【０１８２】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明では、前記第１フリー磁性層、前記第２フリー磁性層、前記第３フリー磁性層、前記第１固定磁性層、前記第２固定磁性層（以下これらをまとめて呼ぶときは単に磁性層と呼ぶ）それぞれを形成する磁性材料のβを規定することにより、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１８３】
さらに、本発明では、前記第１フリー磁性層、前記第２フリー磁性層、前記第３フリー磁性層、前記第１固定磁性層、または前記第２固定磁性層と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の界面におけるγの正負の符号を、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しくすることにより、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層及び非磁性中間層）との全ての界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなるか、または、全ての前記界面におけるダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１８４】
なお、上記のようにγを規定するためには、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の上面と磁性層との界面におけるγの正負の符号と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の下面と磁性層との界面におけるγの正負の符号を異ならせることが必要になる場合があるが、本発明では、前記非磁性材料層及び／または前記非磁性中間層を、種類の異なる非磁性材料からなる２層構造とすることによってそのような問題を解決できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図２】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図３】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図４】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図５】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図６】本発明における第２の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図７】本発明における第３の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図８】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図９】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図１０】従来の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１１】従来の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせを示す様式図、
【符号の説明】
２０ 第１の電極層
２１ 下地層
２２ シード層
２３ 反強磁性層
２４ 固定磁性層
２５ 非磁性材料層
２６、８４ フリー磁性層
５３ 第１フリー磁性層
５４ 非磁性中間層
５５ 第２フリー磁性層
３０ 第２の電極層
３１、３４ 絶縁層
３２ バイアス下地層
３３ ハードバイアス層
８０ インスタックバイアス層
８１ 中間層
【発明の属する技術分野】
本発明は、スピンバルブ型の磁気検出素子に係り、特に抵抗変化ΔＲの向上を効果的に図ることが可能な磁気検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、従来の磁気検出素子を示す断面図である。
【０００３】
このスピンバルブ型磁気検出素子は、下から、反強磁性層２、固定磁性層３、非磁性材料層４、第１フリー磁性層５ａ、非磁性中間層５ｂ、第２フリー磁性層５ｃからなるシンセティックフェリ型のフリー磁性層５からなる多層膜６、多層膜６の下と上に形成された電極層１及び電極層７と、フリー磁性層５の両側部に形成されたハードバイアス層８，８及びハードバイアス層８，８の上下に形成された絶縁層９，９並びに絶縁層１０，１０からなっている。
【０００４】
反強磁性層２はＰｔＭｎ、固定磁性層３、及びフリー磁性層５の第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃはＣｏＦｅ、フリー磁性層５の非磁性中間層５ｂはＲｕ、非磁性材料層４はＣｕ、ハードバイアス層８はＣｏＰｔなどの硬磁性材料、絶縁層９、１０はアルミナ、電極層１、７はＣｒなどの導電性材料によって形成されている。
【０００５】
図１０に示す磁気検出素子は、スピンバルブ型磁気検出素子と呼ばれるものであり、ハードディスクなどの記録媒体からの記録磁界を検出するものである。
【０００６】
なお、図１０に示される磁気検出素子は、多層膜６の各層の膜面と垂直方向に電流が流れるＣＰＰ（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）型の磁気検出素子である。
【０００７】
固定磁性層３の磁化方向は図示Ｙ方向に固定されている。例えば、第２フリー磁性層５ｃの磁気的膜厚（飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔ）が第１フリー磁性層５ａの磁気的膜厚よりも大きいとき、外部磁界が印加されていない状態の第２フリー磁性層５ｃの磁化方向は、ハードバイアス層８，８からの縦バイアス磁界によってトラック幅方向（図示Ｘ方向）に向けられて単磁区化し、第１フリー磁性層５ａの磁化方向はトラック幅方向に反平行な方向に向けられる。フリー磁性層５全体の磁化方向は、磁気的膜厚の大きい第２フリー磁性層５ｃの磁化方向になる。外部磁界が印加されると第１フリー磁性層５ａと第２フリー磁性層５ｃの磁化が人工フェリ状態を維持したまま回転し、多層膜６の電気抵抗が変化する。この電気抵抗の変化を電圧変化または電流変化として取り出すことにより外部磁界を検出する。
【０００８】
磁性材料に電流を流すと、この磁性材料中では、メジャーリティの伝導電子に対する比抵抗とマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗が異なる値になる。
【０００９】
磁性材料を構成する磁性原子は、主に３ｄ軌道または４ｆ軌道の電子の軌道磁気モーメント及びスピン磁気モーメントによって、その磁気モーメントが規定される。基本的に、磁性原子の３ｄ軌道または４ｆ軌道に存在する電子は、アップスピンとダウンスピンの数が異なっている。この３ｄ軌道または４ｆ軌道に存在するアップスピンの電子とダウンスピンの電子のうち数が多い方の電子のスピンをメジャーリティスピンといい、少ない方の電子のスピンをマイノリティスピンという。
【００１０】
一方、磁性材料を流れる電流中には、アップスピンの伝導電子とダウンスピンの伝導電子がほぼ同数含まれている。アップスピンの伝導電子とダウンスピンの伝導電子のうち、磁性材料のメジャーリティスピンと同じスピンを有する方をメジャーリティ（ｍａｊｏｒｉｔｙ）の伝導電子といい、磁性材料のマイノリティスピンと同じスピンを有する方をマイノリティー（ｍｉｎｏｒｉｔｙ）の伝導電子という。
【００１１】
ここでρ↓をマイノリティーの伝導電子に対する磁性材料の比抵抗値とし、ρ↑をメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値とすると以下に示す関係式によって、磁性材料に固有の値βを定義できる。
【００１２】
ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β） （−１≦β≦１）
すなわち、磁性材料のβの値が正（β＞０）のとき、ρ↓＞ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、磁性材料のβの値が負（β＜０）のとき、ρ↓＜ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはマイノリティーの伝導電子の方になる。
【００１３】
また、磁性材料からなる磁性層に非磁性材料からなる非磁性層が積層されると、磁性層と非磁性層の界面に界面抵抗が発生する。
【００１４】
この界面抵抗も、メジャーリティの伝導電子に対する値とマイノリティーの伝導電子に対する値が異なる。
【００１５】
ｒ↓をマイノリティーの伝導電子に対する界面抵抗値とし、ｒ↑を伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値とすると以下に示す関係式によって、磁性材料と非磁性材料の組み合わせに固有の値γを定義できる。
【００１６】
ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）
すなわち、γの値が正（γ＞０）のとき、ｒ↓＞ｒ↑となり、界面を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、γの値が負（γ＜０）のとき、ｒ↓＜ｒ↑となり、界面を流れやすいのはマイノリティーの伝導電子の方になる。
【００１７】
図１０に示される磁気検出素子は、固定磁性層２、第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃがすべて同じ組成の磁性材料ＣｏＦｅによって形成されている。ＣｏＦｅのβは正の値を示す。すなわち、固定磁性層２、第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃ中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子である。
【００１８】
また、非磁性材料層４はＣｕによって形成されている。このとき、非磁性材料層４と固定磁性層３の界面のγの値、非磁性材料層４と第１フリー磁性層５ａの界面のγの値は、両方とも正の値を示す。
【００１９】
非磁性中間層５ｂはＲｕによって形成されている。このとき、第１フリー磁性層５ａと非磁性中間層５ｂの界面のγの値と第２フリー磁性層５ｃと非磁性中間層５ｂの界面のγの値は、両方とも負の値を示す。
【００２０】
各磁性層とβとγの値の関係を図１１にまとめる。図１１には、図１０に示された磁気検出素子の磁気抵抗効果に関係ある層を模式的に示している。固定磁性層３、第１フリー磁性層５ａ、第２フリー磁性層５ｃに記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。ここで、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５ａと第２フリー磁性層５ｃの磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくするためには、フリー磁性層５の磁化方向が図１１に示される方向を向いているときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層４及び非磁性中間層５ｂ）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さいことが好ましい（または、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層４及び非磁性中間層５ｂ）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さいことが好ましい）。
【００２２】
しかし、図１１をみると、メジャーリティスピンがアップスピンでありβ＞０である固定磁性層３及び第１フリー磁性層５ａは、アップスピンの伝導電子に対する抵抗値が小さくなっているが、メジャーリティスピンがダウンスピンであり、β＞０である第２フリー磁性層５ｃはアップスピンの伝導電子に対する抵抗値が大きくなっている。
【００２３】
また、非磁性材料層４と固定磁性層３の界面、非磁性材料層４と第１フリー磁性層５ａの界面、及び非磁性中間層５ｂと第２フリー磁性層５ｃの界面におけるアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗は、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗よりも小さくなっている。しかし、第１フリー磁性層５ａと非磁性中間層５ｂの界面におけるアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗は、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗よりも大きくなっている。
【００２４】
このように、従来の磁気検出素子は、伝導電子の流れ方の制御の効率が低いものであった。
【００２５】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることによって、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層の上に第２フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第１フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第２フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とするものである。
【００２７】
ただし、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β） （−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。
【００２８】
または、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記固定磁性層は、第１固定磁性層の上に第２固定磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第２固定磁性層、前記フリー磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１固定磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２固定磁性層のβと異なっているか、または、前記第１固定磁性層、前記フリー磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２固定磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１固定磁性層のβと異なっていることを特徴とするものである。
【００２９】
あるいは、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層、非磁性中間層、第２フリー磁性層、非磁性中間層、及び第３フリー磁性層順に積層されたものであり、
前記第３フリー磁性層、前記第１フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第２フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１フリー磁性層及び前記第３フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とするものである。
【００３０】
本発明のように、前記フリー磁性層（前記第１フリー磁性層、前記第２フリー磁性層、第３フリー磁性層）、前記固定磁性層（前記第１固定磁性層、前記第２固定磁性層）（以下これらをまとめて呼ぶときは単に磁性層と呼ぶ）それぞれを形成する磁性材料のβを規定すると、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００３１】
さらに、本発明では、前記第１フリー磁性層、第２フリー磁性層、第３フリー磁性層、第１固定磁性層、または第２固定磁性層と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の界面におけるγの正負の符号が、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しいことが好ましい。
【００３２】
ただし、γは、ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）の関係式を満たす界面に固有の値である（なお、ｒ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する界面抵抗値であり、ｒ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値である）。
【００３３】
本発明のように、γを規定すると、スピンバルブ型磁気検出素子において、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての、磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層及び非磁性中間層）の界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなるか、または、全ての前記界面における，ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００３４】
なお、上記のようにγを規定するためには、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の上面と磁性層の界面におけるγの正負の符号と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の下面と磁性層の界面におけるγの正負の符号を異ならせることが必要になる場合があるが、本発明では、前記非磁性材料層及び／または前記非磁性中間層を、種類の異なる非磁性材料からなる２層構造とすることによってそのような問題を解決できる。
【００３５】
または、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層の上に第２フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）をＢ群に属する合金としたときに、
前記第１フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第１フリー磁性層が属する群と異なる群に属する合金であるか、または、前記第２フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第１フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第２フリー磁性層が属する群と異なる群に属する合金であることを特徴とするものである。
【００３６】
または、本発明の磁気検出素子は、前記固定磁性層は、第１固定磁性層の上に第２固定磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第２固定磁性層及び前記フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第１固定磁性層を形成している磁性材料は前記第２固定磁性層が属する群と異なる群に属する合金であるか、または、前記第１固定磁性層及び前記フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２固定磁性層を形成している磁性材料は前記第１固定磁性層が属する群と異なる群に属する合金であることを特徴とするものである。
【００３７】
あるいは、本発明の磁気検出素子は、前記フリー磁性層が、第１フリー磁性層、非磁性中間層、第２フリー磁性層、非磁性中間層、及び第３フリー磁性層が順に積層されたものであり、
前記第３フリー磁性層、前記第１フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は、前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第１フリー磁性層が属する群とは異なる群に属する合金であるか、または、前記第１フリー磁性層、及び前記第３フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は、前記第１フリー磁性層が属する群とは異なる群に属する合金であることを特徴とするものである。
【００３８】
本発明のように、各磁性層を形成する磁性材料を規定すると、スピンバルブ型磁気検出素子において、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００３９】
さらに、本発明では、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層のうち少なくとも一つはＣｕ層とＣｒ層が積層された積層膜であって、この積層膜が、前記Ａ群に属している合金によって形成された磁性層と前記Ｂ群に属している合金によって形成された磁性層に挟まれることにより、全ての界面においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての界面においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４０】
本発明では、前記非磁性中間層の膜厚、前記第１フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくても、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４１】
また、前記フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚、前記第２固定磁性層の膜厚、前記非磁性中間層がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくても、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４２】
あるいは、前記非磁性中間層の膜厚、前記第２フリー磁性層の膜厚、前記非磁性中間層の膜厚、及び前記第１フリー磁性層の膜厚並びに、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくても、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明における第１実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【００４４】
図１に示す磁気検出素子は、いわゆるシングル型のスピンバルブ型薄膜素子である。
【００４５】
第１の電極層２０の中央上面には、下から下地層２１、シード層２２、反強磁性層２３、第１固定磁性層５０と第２固定磁性層５２とその間に形成されたＲｕなどの非磁性中間層５１からなる３層フェリ構造の固定磁性層２４、非磁性材料層２５及びフリー磁性層２６が形成されている。フリー磁性層２６は、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５とその間に形成された非磁性中間層５４からなる３層フェリ構造である。
【００４６】
第１の電極層２０、及び第２の電極層３０は、例えばα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成されている。下地層２１は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されることが好ましい。下地層２１は５０Å以下程度の膜厚で形成される。ただし、この下地層２１は形成されていなくても良い。
【００４７】
シード層２２は、主として面心立方晶から成り、次に説明する反強磁性層２３との界面と平行な方向に（１１１）面が優先配向されている。シード層２２は、Ｃｒ、ＮｉＦｅ合金、あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｙ合金（ただしＹは、Ｃｒ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉから選ばれる少なくとも１種以上）で形成されることが好ましい。これらの材質で形成されたシード層２２はＴａ等で形成された下地層２１上に形成されることにより反強磁性層２３との界面と平行な方向に（１１１）面が優先配向しやすくなる。シード層２２は、例えば３０Å程度で形成される。
【００４８】
なお本発明における磁気検出素子は各層の膜面と垂直方向にセンス電流が流れるＣＰＰ型であるため、シード層２２にも適切にセンス電流が流れる必要性がある。よってシード層２２は比抵抗の高い材質でないことが好ましい。すなわちＣＰＰ型ではシード層２２はＮｉＦｅ合金などの比抵抗の低い材質で形成されることが好ましい。ただし、シード層２２は形成されなくても良い。
【００４９】
反強磁性層２３は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。あるいは反強磁性層２３は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成されることが好ましい。
【００５０】
これらの反強磁性材料は、耐食性に優れしかもブロッキング温度も高く次に説明する固定磁性層２４との界面で大きな交換異方性磁界を発生し得る。また反強磁性層２３は８０Å以上で３００Å以下，例えば２００Åの膜厚で形成されることが好ましい。
【００５１】
この実施形態では、固定磁性層２４が３層のフェリ構造で形成されている。
固定磁性層２４を構成する符号５０及び５２の層は磁性層である。第１固定磁性層５０，第２固定磁性層５２間には非磁性材料によって形成された非磁性中間層５１が介在している。固定磁性層２４の材料については後述する。
【００５２】
反強磁性層２３と第１固定磁性層５０の間には交換異方性磁界が発生している。
【００５３】
例えば第１固定磁性層５０の磁化がハイト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に固定された場合、もう一方の第２固定磁性層５２はＲＫＫＹ相互作用により、ハイト方向に磁化され固定される。この構成により固定磁性層２４の磁化を安定した状態にでき、また固定磁性層２４の磁化方向を強固に固定できる。
【００５４】
なお例えば、第１固定磁性層５０，第２固定磁性層５２の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また非磁性中間層５１及び中間層６１の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成される。
【００５５】
なお固定磁性層２４はフェリ構造ではなく単層膜あるいは磁性層のみからなる積層膜で形成されていても良い。
【００５６】
非磁性材料層２５は電気抵抗の低い導電性材料によって形成される。非磁性材料層２５は例えば２５Å程度の膜厚で形成される。非磁性材料層２５は、第１層４０と第２層４１が積層された２層構造である。非磁性材料層２５の材料については後述する。
【００５７】
フリー磁性層２６は、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５とその間に形成された非磁性中間層５４からなる３層フェリ構造である。
【００５８】
第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５は磁性材料からなり、非磁性中間層５４は非磁性材料からなる。トラック幅方向（図示Ｘ方向）に磁化されているハードバイアス層３３，３３からの縦バイアス磁界によって、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５のうち、磁気的膜厚（単位面積当たりの磁気モーメント；飽和磁束密度Ｍｓ×膜厚ｔ）の大きい方の磁化が図示Ｘ方向に揃えられ、他方の磁化は図示Ｘ方向と反平行方向を向く。
【００５９】
例えば、図１では、第１フリー磁性層５３の磁気的膜厚の方が、第２フリー磁性層５５の磁気的膜厚より大きくなっているので、 第１フリー磁性層５３の磁化が図示Ｘ方向にそろえられる。そして、ＲＫＫＹ相互作用によって、第２フリー磁性層５５の磁化方向が図示Ｘ方向と反平行方向に向けられる。
【００６０】
フリー磁性層２６の合計の磁気的膜厚は、第１フリー磁性層５３の磁気的膜厚と第２フリー磁性層５５の磁気的膜厚の差になる。従って、本実施の形態のような人工フェリ型のフリー磁性層２６であれば、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５を安定して成膜できる膜厚で形成しても、フリー磁性層２６の実質的な磁気的膜厚を減少させることができ、磁気検出素子の磁界検出感度を向上させることができる。
【００６１】
第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５、非磁性中間層５４の材料及び膜厚については後述する。
【００６２】
図１に示すように、多層膜Ｔ１のトラック幅方向の両側領域の第１の電極層２０上には、絶縁層３１，３１が形成されている。絶縁層３１，３１は例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２など一般的な絶縁材料で形成される。
【００６３】
絶縁層３１，３１の上面３１ａ，３１ａは、フリー磁性層２６の下面２６ａよりも図示下側（図示Ｚ方向とは逆方向）に形成されていることが好ましい。
【００６４】
絶縁層３１，３１の上には、バイアス下地層３２，３２が形成されている。またバイアス下地層３２，３２の上にはハードバイアス層３３，３３が形成されている。ハードバイアス層３３，３３は、フリー磁性層２６の両側端面２６ｂ，２６ｂに対向する位置に形成される。ハードバイアス層３３，３３は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に磁化されている。
【００６５】
バイアス下地層３２，３２はハードバイアス層３３，３３の特性（保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ）を向上させるために設けられたものである。
【００６６】
本発明では、バイアス下地層３２，３２は、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜で形成されることが好ましい。なおこのときバイアス下地層３２，３２の結晶配向は（１００）面が優先配向するのが好ましい。
【００６７】
またハードバイアス層３３，３３は、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などで形成される。これら合金の結晶構造は、稠密六方構造（ｈｃｐ）単相あるいは面心立方構造（ｆｃｃ）と稠密六方構造（ｈｃｐ）の混相となっている。
【００６８】
ここで上記の金属膜で形成されたバイアス下地層３２，３２とハードバイアス層３３，３３を構成するＣｏＰｔ系合金のｈｃｐ構造の界面での原子配列が近くなるために、ＣｏＰｔ系合金はｆｃｃ構造を形成しづらくｈｃｐ構造で形成されやすくなる。このときｈｃｐ構造のｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層の境界面内に優先配向される。ｈｃｐ構造はｆｃｃ構造に比べてｃ軸方向に大きな磁気異方性を生じるため、ハードバイアス層３３，３３に磁界を与えたときの保磁力Ｈｃは大きくなるのである。さらにｈｃｐのｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層との境界面内で優先配向となっているため、残留磁化が増大し、残留磁化／飽和磁束密度で求められる角形比Ｓは大きくなる。その結果、ハードバイアス層３３，３３の特性を向上させることができ、ハードバイアス層３３，３３から発生するバイアス磁界を増大させることができる。結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜は、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１種または２種以上の元素で形成されることが好ましい。
【００６９】
また、バイアス下地層３２はハードバイアス層３３，３３の下側にのみ形成されていることが好ましいが、フリー磁性層２６の両側端面２６ｂ，２６ｂとハードバイアス層３３，３３間にも若干介在してもよい。フリー磁性層２６の両側端面２６ｂ，２６ｂとハードバイアス層３３，３３間に形成されるバイアス下地層３２，３２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における膜厚は１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００７０】
これによりハードバイアス層３３，３３とフリー磁性層２６とを磁気的に連続体にでき、フリー磁性層２６の端部が反磁界の影響を受けるバックリング現象などの問題も発生せず、フリー磁性層２６の磁区制御を容易にできる。
【００７１】
図１の磁気検出素子は、ハードバイアス層３３，３３によって、フリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３及び第２フリー磁性層５５が単磁区化されるものであるが、本実施の形態のように第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化方向が互いに反平行方向を向くものであるときは、ハードバイアス層３３，３３の内側端面３３ａ，３３ａが、第１フリー磁性層５３及び第２フリー磁性層５５のいずれか一方の端部とのみ対向していることが好ましい。
【００７２】
図１では、ハードバイアス層３３，３３の内側端面３３ａ，３３ａが第１フリー磁性層５３の端部５３ａ，５３ａにのみ対向している。これによって、ハードバイアス層３３，３３から供給されるトラック幅方向（図示Ｘ方向）の縦バイアス磁界は第１フリー磁性層５３にのみ直接作用し、トラック幅方向と反平行方向の磁化を有する第２フリー磁性層５５の磁化に乱れが生じることを抑制または防止できる。
【００７３】
また図１に示すように、ハードバイアス層３３，３３の上には絶縁層３４，３４が形成されている。絶縁層３４，３４は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの一般的な絶縁材料で形成される。なおこの実施形態では、絶縁層３４，３４の上面とフリー磁性層２６の上面とが連続面となっている。
【００７４】
絶縁層３４，３４及びフリー磁性層２６の上には、第２の電極層３０が形成されている。
【００７５】
この実施形態では、第２の電極層３０から第１の電極層２０に向けてセンス電流が流れるが、第１の電極層２０から第２の電極層３０に向けてセンス電流が流れても良い。従ってセンス電流は、磁気検出素子の各層を膜面と垂直方向に流れ、このようなセンス電流の流れ方向はＣＰＰ型と呼ばれる。
【００７６】
フリー磁性層２６、非磁性材料層２５及び固定磁性層２４に検出電流（センス電流）が与えられ、走行方向がＺ方向であるハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層２６の磁化が図示Ｘ方向からＹ方向へ向けて変化する。第１フリー磁性層５３と第２固定磁性層５２の磁化方向の関係で電気抵抗が変化し（これを磁気抵抗効果という）、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化または電流変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検出される。
【００７７】
図１に示される磁気検出素子は、下地層２１、シード層２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６からなる多層膜Ｔ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面Ｓ１，Ｓ１が連続した傾斜面となっている。
【００７８】
図１に示された磁気検出素子の特徴部分について説明する。
本実施の形態の磁気検出素子は、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６を形成する材料を本発明特有の規定に基づいて適切に選択するによって、抵抗変化ΔＲを向上させるものである。
【００７９】
図１に示される磁気検出素子の固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６の材料は以下に示すとおりである。
【００８０】
ケース１．第２フリー磁性層５５、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【００８１】
非磁性材料層２５は、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｕ、第２層４１はＣｒによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４も第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｒ、第２層４３はＣｕによって形成されている。
【００８２】
ケース２．第２フリー磁性層５５、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【００８３】
非磁性材料層２５は、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｒ、第２層４１はＣｕによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４も第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｕ、第２層４３はＣｒによって形成されている。
【００８４】
固定磁性層２４の第１固定磁性層５０は第２固定磁性層５２と同じ材料で形成されている。
【００８５】
上記のＮｉＸ合金、ＣｏＴ合金、ＦｅＺ合金、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｄ合金をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金、ＣｏＱ合金、ＦｅＡ合金をＢ群に属する合金とすると、Ａ群に属する合金はβ＞０である磁性材料であり、Ｂ群に属する合金はβ＜０である磁性材料である。ＮｉＸ合金の１例としてＮｉ８０Ｆｅ２０合金をあげることができ、ＦｅＡ合金の１例としてＦｅ９０Ｃｒ１０合金をあげることができる。
【００８６】
なお、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β）（−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。すなわち、磁性材料のβの値が正（β＞０）のとき、ρ↓＞ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、磁性材料のβの値が負（β＜０）のとき、ρ↓＜ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【００８７】
また、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２と非磁性材料層２５との界面、非磁性材料層２５と第１フリー磁性層５３の界面、第１フリー磁性層５３と非磁性中間層５４との界面、非磁性中間層５４と第２フリー磁性層５５の界面におけるγの正負の符号が、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しくなっている。
【００８８】
なお、γは、ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）の関係式を満たす界面に固有の値である（なお、ｒ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する界面抵抗値であり、ｒ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値である）。すなわち、γの値が正（γ＞０）のとき、ｒ↓＞ｒ↑となり、界面を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、γの値が負（γ＜０）のとき、ｒ↓＜ｒ↑となり、界面を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【００８９】
導電性材料の中を電流が流れるとき、伝導電子はある距離だけ進むとスピンの向きが変化する。導電性材料の中を伝導電子がスピンを変えずに進む距離をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｌｅｎｇｔｈ）という。スピン拡散長は導電性材料によって特有の値を示す。
【００９０】
本実施の形態では、第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１、非磁性中間層５４の膜厚ｔ２、第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ３、非磁性材料層２５の膜厚ｔ４、第２固定磁性層５２の膜厚ｔ５がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくなっている。
【００９１】
従って、磁気抵抗効果に関与する伝導電子が例えばアップスピンの伝導電子のとき、このアップスピンの伝導電子は、スピンの方向の同一性を保持したまま第２フリー磁性層５５、非磁性中間層５４、第１フリー磁性層５３、非磁性材料層２５、第２固定磁性層５２を流れることになる。
【００９２】
例えば、Ｃｏ９０Ｆｅ１０のスピン拡散長は１５０Å、Ｎｉ８０Ｆｅ２０のスピン拡散長は１２０Å、Ｎｉ９７Ｃｒ３のスピン拡散長は５０Å、Ｆｅ９５Ｃｒ５のスピン拡散長は９０Å、Ｆｅ８０Ｃｒ２０のスピン拡散長は４０Å、Ｃｕのスピン拡散長は１０００Å、Ｃｒのスピン拡散長は１００Åである。
【００９３】
ケース１及びケース２の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図２にまとめる。図２には、図１に示された磁気検出素子の磁気抵抗効果に関係ある層を模式的に示している。固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。ここで、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図２では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに反平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【００９４】
図２をみると、ケース１の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４、第２非磁性材料層２７）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【００９５】
また、ケース２の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【００９６】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【００９７】
また、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６を以下に示す材料の組み合わせで形成してもよい。
【００９８】
ケース３．第２フリー磁性層５５は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３及び固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【００９９】
非磁性材料層２５はＣｒによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４は、第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｒ、第２層４３はＣｕによって形成されている。
【０１００】
ケース４．第２フリー磁性層５５は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１フリー磁性層５３及び固定磁性層２４の第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１０１】
非磁性材料層２５はＣｕによって形成されている。フリー磁性層２６の非磁性中間層５４は、第１層４２と第２層４３の積層体であって、第１層４２はＣｕ、第２層４３はＣｒによって形成されている。。
【０１０２】
ケース３及びケース４の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図３にまとめる。固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３、第２フリー磁性層５５に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。また、図３では、非磁性材料層２５が単層構造である点が図２と異なっている。
【０１０３】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図３では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１０４】
図３をみると、ケース３の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１０５】
また、ケース４の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層５４）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１０６】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１０７】
上述したケース１からケース４では、固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、第１フリー磁性層５３、非磁性中間層５４、第２フリー磁性層５５の材料を選択して、各層のβ及び各界面のγの正負を調節した。
【０１０８】
ただし、本発明では、固定磁性層２４の第１固定磁性層５０、非磁性中間層５１、第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、及び第１フリー磁性層５３の材料を選択して、各層のβ及び各界面のγの正負を調節することによっても、磁気検出素子のΔＲを大きくすることができる。
【０１０９】
具体的な材料の組み合わせ例を以下に示す。
ケース５．第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０及び第１フリー磁性層５３は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１１０】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｒ、第２層４５はＣｕによって形成されている。非磁性材料層２５も、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｕ、第２層４１はＣｒによって形成されている。
【０１１１】
ケース６．第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０及び第１フリー磁性層５３は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１１２】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｕ、第２層４５はＣｒによって形成されている。非磁性材料層２５も、第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｒ、第２層４１はＣｕによって形成されている。
【０１１３】
ケース５及びケース６の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図４にまとめる。第１固定磁性層５０、第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。
【０１１４】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図４では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに反平行方向を向くときに磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１１５】
図４をみると、ケース５の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１１６】
また、ケース６の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１１７】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１１８】
また、第１固定磁性層５０、非磁性中間層５１、第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、フリー磁性層２６を以下に示す材料の組み合わせで形成してもよい。
【０１１９】
ケース７．第１フリー磁性層５３、及び第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１２０】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｒ、第２層４５はＣｕによって形成されている。非磁性材料層２５はＣｕによって形成されている。
【０１２１】
ケース８．第１フリー磁性層５３、及び第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第１固定磁性層５０は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１２２】
固定磁性層２４の非磁性中間層５１は第１層４４と第２層４５の積層体であって、第１層４４はＣｕ、第２層４５はＣｒによって形成されている。非磁性材料層２５はＣｒによって形成されている。
【０１２３】
ケース７及びケース８の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図５にまとめる。第１固定磁性層５０、第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層５３に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。また、図５では、非磁性材料層２５が単層構造である点が図４と異なっている。
【０１２４】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図５では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層５３の磁化方向が互いに平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１２５】
図５をみると、ケース７の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１２６】
また、ケース８の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性中間層５１、非磁性材料層２５）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１２７】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１２８】
なお、上述した実施の形態では、フリー磁性層２６及び固定磁性層２４の両方が人工フェリ構造であるものとした。ただし、ケース１から４の場合には固定磁性層２４は単層また磁性層のみの積層体であってもよく、ケース５から８の場合には、フリー磁性層２６が単層または磁性層のみの積層体であってもよい。
【０１２９】
図６は本発明における第２実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１３０】
図６に示された磁気検出素子は図１に示された磁気検出素子に類似しており、フリー磁性層２６に縦バイアスを与える方式が、図１に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１３１】
なお、図１と同じ符号で示される層は、特に説明がない限り図１と同じ材料及び膜厚で形成された同一の層である。
【０１３２】
図６に示される磁気検出素子では、フリー磁性層２６の両側領域にハードバイアス層が形成されず、かわりにフリー磁性層２６上に、中間層８１を介してインスタックバイアス層８２が形成されている。下地層２１からインスタックバイアス層８２まで重ねられた各層によって多層膜Ｔ２が形成されている。
【０１３３】
このインスタックバイアス層８２はＣｏＰｔなどの硬磁性材料によって形成され、図示Ｘ方向に着磁されている。なお、インスタックバイアス層８２と中間層８１の間に、Ｃｒからなる下地層が形成されてもよい。中間層８１の材料はＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｕなどの非磁性導伝性材料である。
この実施形態では、インスタックバイアス層８２の両側端部からフリー磁性層２６に向けて縦バイアス磁界（静磁界）が供給され（矢印Ｍで示す）、フリー磁性層２６の第２フリー磁性層５５の磁化が図示Ｘ方向と反平行方向に向けられている。
【０１３４】
また、図６では、第２フリー磁性層５５の単位面積当たりの磁気モーメントが、第１フリー磁性層５３の単位面積当たりの磁気モーメントより大きくなっており、第２フリー磁性層５５の磁化がインスタックバイアス層８２から与えられる縦バイアス磁界と同じ方向を向いている状態を安定化させている。
【０１３５】
図６に示されるインスタックバイアス層８２が設けられた磁気検出素子は、フリー磁性層２６が強固に磁化されることがなくフリー磁性層２６の磁区制御を適正化でき、フリー磁性層２６の外部磁界に対する磁化変動を良好にすることが可能である。また多層膜Ｔ２の両側端面Ｓ２，Ｓ２の両側領域にはアルミナまたはＳｉＯ２からなる絶縁層８３，８３のみが形成されている。したがってセンス電流の分流ロスを低減させることが可能である。
【０１３６】
なお、図６に示される磁気検出素子は、フリー磁性層２６上にのみインスタックバイアス層８２を形成しているが、下側の反強磁性層２３の下にインスタックバイアス層を設けてもよいし、フリー磁性層２６上と反強磁性層２３の下の両方にインスタックバイアス層を設けてもよい。
【０１３７】
ただし、フリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５の磁化方向を反平行にさせるために、フリー磁性層２６の上または下側の反強磁性層２３の下のどちらか一方にのみインスタックバイアス層を設けることが好ましい。その上で、フリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３と第２フリー磁性層５５のうち、インスタックバイアス層に近い方の膜厚を厚くすることがより好ましい。
【０１３８】
図７は本発明における第３実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１３９】
図７に示された磁気検出素子は図１に示された磁気検出素子に類似しており、フリー磁性層８４が３層の人工フェリ構造である点で図１に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１４０】
フリー磁性層８４は、第１フリー磁性層８５、非磁性中間層８６、第２フリー磁性層８７、非磁性中間層８８、第３フリー磁性層８９からなっている。第１フリー磁性層８５と第２フリー磁性層８７の磁化方向は、非磁性中間層８６を介したＲＫＫＹ相互作用によって互いに反平行方向になっている。同様に、第２フリー磁性層８７と第３フリー磁性層８９の磁化方向も、非磁性中間層８８を介したＲＫＫＹ相互作用によって互いに反平行方向になっている。
【０１４１】
フリー磁性層８４を３層の人工フェリ構造にすると、第１フリー磁性層８５
、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化方向を互いに反平行方向に固定するスピンフロップ磁界が、図１ないし図６に示された２層の人工フェリ構造のフリー磁性層２６に比べて２倍以上になる。従って、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化方向の反平行状態が縦バイアス磁界によって崩されることを防止でき、フリー磁性層全体の単磁区構造が安定化し、バルクハウゼンノイズを著しく低減できる。
【０１４２】
図７に示される磁気検出素子の固定磁性層２４、フリー磁性層８４、及び非磁性材料層２５の材料は以下に示すとおりである。
【０１４３】
ケース１．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７、第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１４４】
非磁性材料層２５は第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｒ、第２層４１はＣｕよって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｕ、第２層９１はＣｒによって形成されている。非磁性中間層８８も第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｒ、第２層９３はＣｕによって形成されている。
【０１４５】
ケース２．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７及び第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１４６】
非磁性材料層２５は第１層４０と第２層４１の積層体であって、第１層４０はＣｕ、第２層４１はＣｒよって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｒ、第２層９１はＣｕによって形成されている。非磁性中間層８８も第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｕ、第２層９３はＣｒによって形成されている。
【０１４７】
固定磁性層２４の第１固定磁性層５０は第２固定磁性層５２と同じ材料で形成されている。
【０１４８】
上記のＮｉＸ合金、ＣｏＴ合金、ＦｅＺ合金、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｄ合金をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金、ＣｏＱ合金、ＦｅＡ合金をＢ群に属する合金とすると、Ａ群に属する合金はβ＞０である磁性材料であり、Ｂ群に属する合金はβ＜０である磁性材料である。ＮｉＸ合金の１例としてＮｉ８０Ｆｅ２０合金をあげることができ、ＦｅＡ合金の１例としてＦｅ９０Ｃｒ１０合金をあげることができる。
【０１４９】
なお、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β）（−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。すなわち、磁性材料のβの値が正（β＞０）のとき、ρ↓＞ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、磁性材料のβの値が負（β＜０）のとき、ρ↓＜ρ↑となり、磁性材料中を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【０１５０】
また第２固定磁性層５２と非磁性材料層２５との界面、非磁性材料層２５と第１フリー磁性層８５の界面、第１フリー磁性層８５と非磁性中間層８６との界面、非磁性中間層８６と第２フリー磁性層８７の界面、第２フリー磁性層８７と非磁性中間層８８の界面、非磁性中間層８８と第３フリー磁性層８９の界面におけるγの正負の符号が、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しくなっている。
【０１５１】
なお、γは、ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）の関係式を満たす界面に固有の値である（なお、ｒ↓は、伝導電子のうちマイノリティの伝導電子に対する界面抵抗値であり、ｒ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値である）。すなわち、γの値が正（γ＞０）のとき、ｒ↓＞ｒ↑となり、界面を流れやすいのはメジャーリティの伝導電子の方になる。一方、γの値が負（γ＜０）のとき、ｒ↓＜ｒ↑となり、界面を流れやすいのはマイノリティの伝導電子の方になる。
【０１５２】
導電性材料の中を電流が流れるとき、伝導電子はある距離だけ進むとスピンの向きが変化する。導電性材料の中を伝導電子がスピンを変えずに進む距離をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｌｅｎｇｔｈ）という。スピン拡散長は導電性材料によって特有の値を示す。
【０１５３】
例えば、Ｃｏ９０Ｆｅ１０のスピン拡散長は１５０Å、Ｎｉ８０Ｆｅ２０のスピン拡散長は１２０Å、Ｎｉ９７Ｃｒ３のスピン拡散長は５０Å、Ｆｅ９５Ｃｒ５のスピン拡散長は９０Å、Ｆｅ８０Ｃｒ２０のスピン拡散長は４０Å、Ｃｕのスピン拡散長は１０００Å、Ｃｒのスピン拡散長は１００Åである。
【０１５４】
本実施の形態では、第１フリー磁性層８５の膜厚ｔ１０、非磁性中間層８６の膜厚ｔ１１、第２フリー磁性層８７の膜厚ｔ１２、非磁性中間層８８の膜厚ｔ１３、第３フリー磁性層８９の膜厚ｔ１４、非磁性材料層２５の膜厚ｔ４、第２固定磁性層５２の膜厚ｔ５がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さくなっている。
【０１５５】
従って、磁気抵抗効果に関与する伝導電子が例えばアップスピンの伝導電子のとき、このアップスピンの伝導電子は、スピンの方向の同一性を保持したまま第２固定磁性層５２、非磁性材料層２５、第１フリー磁性層８５、非磁性中間層８６、第２フリー磁性層８７、非磁性中間層８８、第３フリー磁性層８９を流れることになる。
【０１５６】
ケース１及びケース２の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図８にまとめる。図８には、図７に示された磁気検出素子の磁気抵抗効果に関係ある層を模式的に示している。固定磁性層２４の第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。ここで、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図８では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層８５の磁化方向が互いに反平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１５７】
図８をみると、ケース１の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１５８】
また、ケース２の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１５９】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１６０】
また、固定磁性層２４、非磁性材料層２５、フリー磁性層８４を以下に示す材料の組み合わせで形成してもよい。
【０１６１】
ケース３．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９、第２固定磁性層５２は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１６２】
非磁性材料層２５はＣｒよって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｒ、第２層９１はＣｕによって形成されている。非磁性中間層８８も第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｕ、第２層９３はＣｒによって形成されている。
【０１６３】
ケース４．第１フリー磁性層８５、第３フリー磁性層８９、第２固定磁性層５２は、ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）によって形成され、
第２フリー磁性層８７は、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）によって形成される。
【０１６４】
非磁性材料層２５はＣｕによって形成されている。フリー磁性層８４の非磁性中間層８６は、第１層９０と第２層９１の積層体であって、第１層９０はＣｕ、第２層９１はＣｒによって形成されている。非磁性中間層８８は、第１層９２と第２層９３の積層体であって、第１層９２はＣｒ、第２層９３はＣｕによって形成されている。
【０１６５】
固定磁性層２４の第１固定磁性層５０は第２固定磁性層５２と同じ材料で形成されている。
【０１６６】
ケース３及びケース４の材料の組み合わせにおける、各磁性層とβとγの値の関係を図９にまとめる。第２固定磁性層５２、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９に記された矢印はそれぞれの磁性層の磁化方向を示している。また、図９では、非磁性材料層２５が単層構造である点が図８と異なっている。
【０１６７】
ここでも、磁化が図示右方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはアップスピンであり、磁化が図示左方向を向いている磁性層の磁性に関わる電子のメジャーリティスピンはダウンスピンであるとする。なお、第１フリー磁性層８５、第２フリー磁性層８７、第３フリー磁性層８９の磁化は、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなるときの方向を向いている。図９では、第２固定磁性層５２と第１フリー磁性層８５の磁化方向が互いに平行方向を向くときに、磁気検出素子の抵抗値が最も低くなる。
【０１６８】
図９をみると、ケース３の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、ダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１６９】
また、ケース４の材料の組み合わせのときは、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さく、また、全ての磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層２５、非磁性中間層８６、非磁性中間層８８）との界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなっている。
【０１７０】
従って、低抵抗状態における伝導電子の流れやすさと高抵抗状態における伝導電子の流れやすさの差を大きくすることができ、抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１７１】
図１に示された磁気検出素子の製造方法について説明する。
まず、第１の電極層２０の中央上に、下から下地層２１、シード層２２、反強磁性層２３、第１固定磁性層５０、非磁性中間層５１、第２固定磁性層５２（固定磁性層２４）、非磁性材料層２５、第１フリー磁性層５３、非磁性中間層５４、第２フリー磁性層５５（フリー磁性層２６）を真空中でベタ膜状に連続成膜して多層膜Ｔ１の積層構造を形成する。各層の材料及び膜厚は、図１に示された完成後の磁気検出素子と同じである。
【０１７２】
多層膜Ｔ１をハイト方向（図示Ｙ方向）の磁場中でアニールして、反強磁性層２３と固定磁性層２４の第１固定磁性層５０間に交換結合磁界を発生させる。
【０１７３】
磁場中アニールの温度は例えば２７０℃であり、磁界の大きさは、８００ｋＡ／ｍの強磁場で行うか、または８〜３０（ｋＡ／ｍ）、例えば２４（ｋＡ／ｍ）である。
【０１７４】
次に、フリー磁性層２６上に、磁気検出素子の光学的な素子面積と同程度かあるいはそれよりも若干小さい面積を覆うリフトオフ用のレジスト層を形成する。
【０１７５】
次に、前記レジスト層に覆われていない、フリー磁性層２６から下地層２１までの多層膜Ｔ１をイオンミリングなどで除去する。これにより第１の電極層２０の上面中央には、下地層２１からフリー磁性層までで構成される多層膜Ｔ１が略台形状となって残される。なおイオンミリング後、多層膜Ｔ１の両側端面Ｓ１，Ｓ１にはミリングで除去された物質の一部が再付着するので、再付着物をサイドミリングで除去することが好ましい。
【０１７６】
次に、第１の電極層２０上から多層膜Ｔ１の両側端面Ｓ１，Ｓ１上にかけて、Ａｌ２Ｏ３などで形成された絶縁層３１，３１、Ｃｒなどで形成されたバイアス下地層３２，３２、ＣｏＰｔＣｒなどで形成されたハードバイアス層３３，３３及びＡｌ２Ｏ３などで形成された絶縁層３４，３４をスパッタ成膜する。
【０１７７】
なお、絶縁層３１，３１から絶縁層３４，３４までの各層のスパッタ成膜の際におけるスパッタ粒子照射角度は基板に対しほぼ垂直方向とすることが好ましい。
【０１７８】
多層膜Ｔ１の両側領域に絶縁層３１，３１から絶縁層３４，３４までの各層を積層した後、前記レジスト層を除去する。
【０１７９】
その後、絶縁層３４，３４上から多層膜Ｔ１のフリー磁性層２６上にかけて第２の電極層３０をスパッタ成膜することにより、図１に示された磁気検出素子を形成できる。
【０１８０】
なお、上述した実施の形態では、磁性層及び非磁性材料からなる層のβ、γ両方の正負をアップスピンまたはダウンスピンの伝導電子に対する比抵抗や界面抵抗の観点から最適化するように調節した。ただし、本発明には、磁性層のβのみ実施の形態に示したように調節したり、界面のγのみを調節したものも含まれる。例えば、各磁性層を実施の形態に示したβの組み合わせになる材料で形成し、各非磁性材料層はＣｕ、各非磁性中間層はＲｕで形成するという形態でもよい。
【０１８１】
なお、上述した実施の形態では、磁気検出素子の各層の膜厚上下方向にセンス電流が流れるＣＰＰ型（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）のスピンバルブ型磁気検出素子を示した。ただし、本発明には、磁気検出素子の各層の膜厚水平方向にセンス電流が流れるＣＩＰ型（ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｎ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）のスピンバルブ型磁気検出素子も含まれる。
【０１８２】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明では、前記第１フリー磁性層、前記第２フリー磁性層、前記第３フリー磁性層、前記第１固定磁性層、前記第２固定磁性層（以下これらをまとめて呼ぶときは単に磁性層と呼ぶ）それぞれを形成する磁性材料のβを規定することにより、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、全ての磁性層においてアップスピンの伝導電子に対する抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなるか、または全ての磁性層においてダウンスピンの伝導電子に対する抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１８３】
さらに、本発明では、前記第１フリー磁性層、前記第２フリー磁性層、前記第３フリー磁性層、前記第１固定磁性層、または前記第２固定磁性層と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の界面におけるγの正負の符号を、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しくすることにより、抵抗値が最も低くなるようにフリー磁性層の磁化が変化したときに、磁性層と非磁性材料からなる層（非磁性材料層及び非磁性中間層）との全ての界面における、アップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなるか、または、全ての前記界面におけるダウンスピンの伝導電子に対する界面抵抗値がアップスピンの伝導電子に対する界面抵抗値よりも小さくなり、磁気検出素子の抵抗変化ΔＲを大きくすることができる。
【０１８４】
なお、上記のようにγを規定するためには、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の上面と磁性層との界面におけるγの正負の符号と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の下面と磁性層との界面におけるγの正負の符号を異ならせることが必要になる場合があるが、本発明では、前記非磁性材料層及び／または前記非磁性中間層を、種類の異なる非磁性材料からなる２層構造とすることによってそのような問題を解決できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図２】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図３】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図４】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図５】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図６】本発明における第２の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図７】本発明における第３の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図８】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図９】本発明の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせの例を示す様式図、
【図１０】従来の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１１】従来の磁気検出素子の磁性層のβの正負と、磁性層と非磁性材料からなる層の界面におけるγの組み合わせを示す様式図、
【符号の説明】
２０ 第１の電極層
２１ 下地層
２２ シード層
２３ 反強磁性層
２４ 固定磁性層
２５ 非磁性材料層
２６、８４ フリー磁性層
５３ 第１フリー磁性層
５４ 非磁性中間層
５５ 第２フリー磁性層
３０ 第２の電極層
３１、３４ 絶縁層
３２ バイアス下地層
３３ ハードバイアス層
８０ インスタックバイアス層
８１ 中間層
Claims (15)
- 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層の上に第２フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第１フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第２フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とする磁気検出素子。
ただし、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β） （−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。 - 前記非磁性中間層の膜厚、前記第１フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さい請求項１記載の磁気検出素子。
- 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記固定磁性層は、第１固定磁性層の上に第２固定磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
前記第２固定磁性層、前記フリー磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１固定磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２固定磁性層のβと異なっているか、または、前記第１固定磁性層、前記フリー磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２固定磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１固定磁性層のβと異なっていることを特徴とする磁気検出素子。
ただし、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β） （−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。 - 前記フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚、前記第２固定磁性層の膜厚、前記非磁性中間層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さい請求項３記載の磁気検出素子。
- 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層、非磁性中間層、第２フリー磁性層、非磁性中間層、及び第３フリー磁性層順に積層されたものであり、
前記第３フリー磁性層、前記第１フリー磁性層、前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第１フリー磁性層のβと異なっているか、または、前記第２フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料のβは正負の符号が同じものであり、前記第１フリー磁性層及び前記第３フリー磁性層を形成している磁性材料のβの正負の符号は前記第２フリー磁性層のβと異なっていることを特徴とする磁気検出素子。
ただし、βは、ρ↓／ρ↑＝（１＋β）／（１−β） （−１≦β≦１）の関係式を満たす磁性材料に固有の値である（なお、ρ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する比抵抗値であり、ρ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する比抵抗値である）。 - 前記非磁性中間層の膜厚、前記第２フリー磁性層の膜厚、前記非磁性中間層の膜厚、及び前記第１フリー磁性層の膜厚並びに、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さい請求項５記載の磁気検出素子。
- 前記第１フリー磁性層、第２フリー磁性層又は第３フリー磁性層、或いは第１固定磁性層又は第２固定磁性層と、前記非磁性材料層又は前記非磁性中間層との界面におけるγの正負の符号が、その界面に接している磁性層のβの正負の符号と等しい請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気検出素子。
ただし、γは、ｒ↓／ｒ↑＝（１＋γ）／（１−γ）（−１≦γ≦１）の関係式を満たす界面に固有の値である（なお、ｒ↓は、伝導電子のうちマイノリティーの伝導電子に対する界面抵抗値であり、ｒ↑は、伝導電子のうちメジャーリティの伝導電子に対する界面抵抗値である）。 - 前記非磁性材料層及び／または前記非磁性中間層が、種類の異なる非磁性材料からなる２層構造を有することにより、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の上面と磁性層の界面におけるγの正負の符号と、前記非磁性材料層または前記非磁性中間層の下面と磁性層の界面におけるγの正負の符号が異なっている請求項７記載の磁気検出素子。
- 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層の上に第２フリー磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）をＢ群に属する合金としたときに、
前記第１フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第１フリー磁性層が属する群と異なる群に属する合金であるか、または、前記第２フリー磁性層、及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第１フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第２フリー磁性層が属する群と異なる群に属する合金であることを特徴とする磁気検出素子。 - 前記非磁性中間層の膜厚、前記第１フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さい請求項９記載の磁気検出素子。
- 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記固定磁性層は、第１固定磁性層の上に第２固定磁性層が、非磁性中間層を介して積層されたものであり、
ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）をＢ群に属する合金としたときに、
前記第２固定磁性層及び前記フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第１固定磁性層を形成している磁性材料は前記第２固定磁性層が属する群と異なる群に属する合金であるか、または、前記第１固定磁性層及び前記フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２固定磁性層を形成している磁性材料は前記第１固定磁性層が属する群と異なる群に属する合金であることを特徴とする磁気検出素子。 - 前記フリー磁性層の膜厚、前記非磁性材料層の膜厚、前記第２固定磁性層の膜厚、前記非磁性中間層がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さい請求項１１記載の磁気検出素子。
- 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層が順に積層されている多層膜を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、第１フリー磁性層、非磁性中間層、第２フリー磁性層、非磁性中間層、及び第３フリー磁性層が順に積層されたものであり、
ＮｉＸ合金（ただし、ＸはＣｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＴ合金（ただし、Ｔは、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆから選ばれる１種の元素である）、ＦｅＺ合金（ただし、ＺはＮｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる１種の元素である）、またはＣｏ−Ｍｎ−Ｄ合金（ただし、ＤはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１種の元素である）をＡ群に属する合金とし、ＮｉＭ合金（ただし、ＭはＣｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａから選ばれる１種の元素である）、ＣｏＱ合金（ただし、ＱはＭｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）、またはＦｅＡ合金（ただし、ＡはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗから選ばれる１種の元素である）をＢ群に属する合金としたときに、
前記第３フリー磁性層、前記第１フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は、前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層を形成している磁性材料は前記第１フリー磁性層が属する群とは異なる群に属する合金であるか、または、前記第１フリー磁性層、及び前記第３フリー磁性層を形成している磁性材料は前記Ａ群またはＢ群のうち同じ群に属する合金であり、前記第２フリー磁性層及び前記固定磁性層を形成している磁性材料は、前記第１フリー磁性層が属する群とは異なる群に属する合金であることを特とする磁気検出素子。 - 前記非磁性中間層の膜厚、前記第２フリー磁性層の膜厚、前記非磁性中間層の膜厚、及び前記第１フリー磁性層の膜厚並びに、前記非磁性材料層の膜厚がすべて、それぞれの層を形成している材料のスピン拡散長より小さい請求項１３記載の磁気検出素子。
- 前記非磁性材料層、または前記非磁性中間層のうち少なくとも一つはＣｕ層とＣｒ層が積層された積層膜であって、この積層膜が、前記Ａ群に属している合金によって形成された磁性層と前記Ｂ群に属している合金によって形成された磁性層に挟まれている請求項９ないし１４のいずれかに記載の磁気検出素子。
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| JP3253556B2 (ja) | 1997-05-07 | 2002-02-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7466525B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-12-16 | Tdk Corporation | Magnetic sensing element including laminated film composed of half-metal and NiFe alloy as free layer |
| JP2007158058A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
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