JP2004095547A - 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 - Google Patents
異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004095547A JP2004095547A JP2003289033A JP2003289033A JP2004095547A JP 2004095547 A JP2004095547 A JP 2004095547A JP 2003289033 A JP2003289033 A JP 2003289033A JP 2003289033 A JP2003289033 A JP 2003289033A JP 2004095547 A JP2004095547 A JP 2004095547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- anisotropic conductive
- wafer
- connection
- connector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
- H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
【解決手段】 上記のコネクターは、導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成されてなる弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、前記接続用導電部の最短幅をWとし、前記導電性粒子の数平均粒子径をDnとしたとき、導電性粒子の数平均粒子径に対する接続用導電部の最短幅の比W/Dnの値が3〜8の範囲にあり、当該導電性粒子の粒子径の変動係数が50%以下であることを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
このようなプローブ試験またはバーンイン試験などの集積回路の電気的検査においては、検査対象物における被検査電極の各々をテスターに電気的に接続するためにプローブ部材が用いられている。このようなプローブ部材としては、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された異方導電性エラストマーシートとよりなるものが知られている。
そして、偏在型異方導電性エラストマーシートは、検査すべき集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って導電部が形成されているため、分散型異方導電性エラストマーシートに比較して、被検査電極の配列ピッチすなわち隣接する被検査電極の中心間距離が小さい集積回路などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成することができる点で、有利である。
然るに、異方導電性エラストマーシートは柔軟で容易に変形しやすいものであって、その取扱い性が低いものである。しかも、近年、電気製品の小型化あるいは高密度配線化に伴い、これに使用される集積回路装置は、電極数が増加し、電極の配列ピッチが一層小さくなって高密度化する傾向にある。そのため、検査対象物の被検査電極に対する電気的接続を行う際に、偏在型異方導電性エラストマーシートの位置合わせおよび保持固定が困難になりつつある。
また、バーンイン試験においては、一旦は集積回路装置と偏在型異方導電性エラストマーシートとの所要の位置合わせおよび保持固定が実現された場合であっても、温度変化による熱履歴を受けると、熱膨張率が、検査対象である集積回路装置を構成する材料(例えばシリコン)と偏在型異方導電性エラストマーシートを構成する材料(例えばシリコーンゴム)との間で大きく異なるため、偏在型異方導電性エラストマーシートの導電部と集積回路装置の被検査電極との間に位置ずれが生じる結果、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されない、という問題がある。
図22に示すように、上型80およびこれと対となる下型85よりなる異方導電性エラストマーシート成形用の金型を用意し、この金型内に、開口91を有するフレーム板90を位置合わせして配置すると共に、硬化処理によって弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる成形材料を、フレーム板90の開口91およびその開口縁部を含む領域に供給して成形材料層95を形成する。ここで、成形材料層95に含有されている導電性粒子Pは、当該成形材料層95中に分散された状態である。
上記の金型における上型80および下型85の各々は、成形すべき異方導電性エラストマーシートの導電部のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の強磁性体層81,86と、これらの強磁性体層81,86が形成された個所以外の個所に形成された非磁性体層82,87とからなる成形面を有し、対応する強磁性体層81,86が互いに対向するよう配置されている。
そして、近年、検査効率を向上させ、検査コストの低減化を図るために、ウエハに形成された多数の集積回路のうち例えば64個若しくは124個または全部の集積回路について一括してプローブ試験を行うことが要請されている。
すなわち、直径が例えば8インチ(約20cm)のウエハを検査するためには、異方導電性コネクターとして、その異方導電性エラストマーシートの直径が8インチ程度のものを用いることが必要となる。然るに、このような異方導電性エラストマーシートは、全体の面積が大きいものであるが、各導電部は微細で、当該異方導電性エラストマーシート表面に占める導電部表面の面積の割合が小さいものであるため、当該異方導電性エラストマーシートを確実に製造することは極めて困難である。
異方導電性エラストマーシートの厚みが同じであれば、用いられる導電性粒子の粒子径が小さければ小さいほど、当該異方導電性エラストマーシートの厚み方向に並ぶ導電性粒子の数、すなわち一つの導電路を形成する導電性粒子の数が多くなり、これに伴って、一つの導電路において導電性粒子間の接触抵抗の総和が増大するため、高い導電性を有する導電部を形成することが困難となる。
また、異方導電性エラストマーシートを得るための成形材料層に磁場を作用させたときに、導電性粒子は、その粒子径が小さければ小さいほど移動しにくくなるため、当該成形材料層における絶縁部となるべき部分に導電性粒子が多量に残留し、結局、導電部間の絶縁性を十分に確保することが困難となると共に、導電部となる部分に十分に導電性粒子が集合しないため、所期の導電性を有する導電部を形成することが困難となる。
ウエハを構成する材料例えばシリコンの線熱膨張係数は3.3×10-6/K程度であり、一方、異方導電性エラストマーシートを構成する材料例えばシリコーンゴムの線熱膨張係数は2.2×10-4/K程度である。従って、例えば25℃において、それぞれ直径が20cmのウエハおよび異方導電性エラストマーシートの各々を、20℃から120℃までに加熱した場合には、理論上、ウエハの直径の変化は0.0066cmにすぎないが、異方導電性エラストマーシートの直径の変化は0.44cmに達する。
このように、ウエハと異方導電性エラストマーシートとの間で、面方向における熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、異方導電性エラストマーシートの周辺部を、ウエハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有するフレーム板によって固定しても、WLBI試験を行う場合において、ウエハにおける被検査電極と異方導電性エラストマーシートにおける導電部との位置ずれを防止することは極めて困難である。
しかしながら、螺子等によって異方導電性エラストマーシートにおける周辺部を固定する手段では、前述のフレーム板に固定する手段と同様の理由により、ウエハにおける被検査電極と異方導電性エラストマーシートにおける導電部との間の位置ずれを防止することは極めて困難である。
一方、接着剤によって固定する手段においては、検査用回路基板に対する電気的接続を確実に達成するためには、異方導電性エラストマーシートにおける絶縁部のみに接着剤を塗布することが必要となるが、WLBI試験に用いられる異方導電性エラストマーシートは、導電部の配置ピッチが小さく、隣接する導電部間の離間距離が小さいものであるため、そのようなことは実際上極めて困難である。また、接着剤によって固定する手段においては、異方導電性エラストマーシートが故障した場合には、当該異方導電性エラストマーシートのみを新たなものに交換することができず、検査用回路基板を含むプローブ部材全体を交換することが必要となり、その結果、検査コストの増大を招く。
本発明の第2の目的は、ウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、検査対象であるウエハが、例えば直径が8インチ以上の大面積のものであって、形成された集積回路における被検査電極のピッチが小さいものであっても、当該ウエハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、全ての接続用導電部について、良好な導電性が確実に得られると共に隣接する接続用導電部間の絶縁性が確実に得られ、更に、高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持される異方導電性コネクターを提供することにある。
本発明の第3の目的は、上記の目的に加えて、更に、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持される異方導電性コネクターを提供することにある。
本発明の第4の目的は、上記の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成するための導電性ペースト組成物を提供することにある。
本発明の第5の目的は、検査対象であるウエハが、例えば直径が8インチ以上の大面積のものであって、形成された集積回路における被検査電極のピッチが小さいものであっても、当該ウエハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、各被検査電極に対する接続信頼性が高く、高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持されるプローブ部材を提供することにある。
本発明の第6の目的は、上記のプローブ部材を使用して、ウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うウエハ検査装置およびウエハ検査方法を提供することにある。
前記接続用導電部の最短幅をWとし、前記導電性粒子の数平均粒子径をDnとしたとき、導電性粒子の数平均粒子径に対する接続用導電部の最短幅の比W/Dnの値が3〜8の範囲にあり、当該導電性粒子の粒子径の変動係数が50%以下であることを特徴とする。
検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導電膜とよりなり、
前記弾性異方導電膜の各々は、検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極に対応して配置された、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の接続用導電部、およびこれらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する機能部と、この機能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における異方導電膜配置用孔の周辺部に固定された被支持部とよりなり、
前記接続用導電部の最短幅をWとし、前記導電性粒子の数平均粒子径をDnとしたとき、導電性粒子の数平均粒子径に対する接続用導電部の最短幅の比W/Dnの値が3〜8の範囲にあり、当該導電性粒子の粒子径の変動係数が50%以下であることを特徴とする。
また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、導電性粒子の数平均粒子径が3〜30μmであることが好ましい。
また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、導電性粒子は、空気分級装置によって分級処理されたものであることが好ましい。
また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものであることが好ましい。
また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、フレーム板の線熱膨張係数が3×10-5/K以下であることが好ましい。
硬化可能な液状シリコーンゴムと、磁性を示す導電性粒子とを含有してなり、前記弾性異方導電膜における接続用導電部の最短幅をWとし、前記導電性粒子の数平均粒子径をDnとしたとき、導電性粒子の数平均粒子径に対する接続用導電部の最短幅の比W/Dnの値が3〜8の範囲にあり、当該導電性粒子の粒子径の変動係数が50%以下であることを特徴とする。
検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された上記の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。
また、前記異方導電性コネクター上に、絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクターが配置されていてもよい。
上記のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検査対象であるウエハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とする。
すなわち、弾性異方導電膜には、接続用導電部を有する機能部の周縁に被支持部が形成されており、この被支持部がフレーム板の異方導電膜配置用孔の周辺部に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウエハとの電気的接続作業において、当該ウエハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。
また、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々は、検査対象であるウエハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域に対応して形成されており、当該異方導電膜配置用孔の各々に配置される弾性異方導電膜は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜の形成が容易である。しかも、面積の小さい弾性異方導電膜は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウエハに対してWLBI試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
本発明に係るウエハの検査方法によれば、信頼性の高い検査を行うことができるので、ウエハに形成された多数の集積回路の中から欠陥または潜在的欠陥を有する集積回路を高い確率で選別することができ、これにより、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、欠陥または潜在的欠陥を有する半導体集積回路を除外して良品のみを確実に得ることができる。
本発明に係るウエハの検査方法を、半導体集積回路装置の製造プロセスの検査工程に適用することにより、半導体集積回路装置の生産性を向上させることができ、しかも、大量に生産された半導体集積回路装置の中に、欠陥または潜在的欠陥を有する半導体集積回路装置が含まれる確率を低減化することができる。従って、このような製造プロセスによって得られる半導体集積回路装置によれば、当該半導体集積回路装置が組み込まれる最終製品である電子機器において、高い信頼性が得られる。更に、潜在的欠陥を有する半導体集積回路が最終製品である電子機器に組み込まれることを高い確率で防止することができるので、得られる電子機器ににおいては、長期間の使用による故障の発生の頻度を低減化することができる。
〔異方導電性コネクター〕
図1は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図、図2は、図1に示す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、図3は、図1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す平面図、図4は、図1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。
機能部21の周縁には、フレーム板10における異方導電膜配置用孔11の周辺部に固定支持された被支持部25が、当該機能部21に一体に連続して形成されている。具体的には、この例における被支持部25は、二股状に形成されており、フレーム板10における異方導電膜配置用孔11の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持されている。 弾性異方導電膜20の機能部21における接続用導電部22には、図4に示すように、磁性を示す導電性粒子Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部23は、導電性粒子Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。この例においては、弾性異方導電膜20における被支持部25には、導電性粒子Pが含有されている。
また、図示の例では、弾性異方導電膜20における機能部21の両面には、接続用導電部22およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部24が形成されている。
この厚みが25μm未満である場合には、異方導電性コネクターを使用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものとなりやすく、また、当該フレーム板10の形状が維持される程度の剛性が得られず、異方導電性コネクターの取扱い性が低いものとなる。一方、厚みが600μmを超える場合には、異方導電膜配置用孔11に形成される弾性異方導電膜20は、その厚みが過大なものとなって、接続用導電部22における良好な導電性および隣接する接続用導電部22間における絶縁性を得ることが困難となることがある。 フレーム板10の異方導電膜配置用孔11における面方向の形状および寸法は、検査対象であるウエハの被検査電極の寸法、ピッチおよびパターンに応じて設計される。
フレーム板10を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
フレーム板10を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
このようなフレーム板10を構成する磁性体の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルト若しくはこれらの磁性金属の合金またはこれらの磁性金属と他の金属との合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、42合金などの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
突出部24の突出高さは、その合計が当該突出部24における厚みの10%以上であることが好ましく、より好ましくは20%以上である。このような突出高さを有する突出部24を形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部22が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
また、突出部24の突出高さは、当該突出部24の最短幅または直径の100%以下であることが好ましく、より好ましくは70%以下である。このような突出高さを有する突出部24を形成することにより、当該突出部24が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。
また、被支持部25の厚み(図示の例では二股部分の一方の厚み)は、5〜250μmであることが好ましく、より好ましくは10〜150μm、特に好ましくは15〜100μmである。
また、被支持部25は二股状に形成されることは必須のことではなく、フレーム板10の一面のみに固定されていてもよい。
液状シリコーンゴムは、付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、付加型液状シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビニル基とSi−H結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基およびSi−H結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型(一成分型)のものと、ビニル基を含有するポリシロキサンおよびSi−H結合を含有するポリシロキサンからなる二液型(二成分型)のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。
このような付加型液状シリコーンゴムの粘度は、B型粘度計によって測定することができる。
ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、JIS K 6249に準拠した方法によって測定することができる。
ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメーターA硬度は、JIS K 6249に準拠した方法によって測定することができる。
ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、JIS K 6249に準拠した方法によって測定することができる。
硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、付加型液状シリコーンゴム100重量部に対して3〜15重量部である。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。
本発明において、粒子の平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
上記の比W/Dnの値が3未満である場合には、隣接する接続用導電部22間における所要の絶縁性を確実に得ることが困難となる。一方、上記の比W/Dnが8を超える場合には、導電性粒子Pの粒子径が過小であることにより、一つの導電路を形成する導電性粒子P間の接触抵抗の総和が増大するため、高い導電性を有する接続用導電部22を確実に形成することが困難となり、また、絶縁部23に多量の導電性粒子Pが残存するため、隣接する接続用導電部22との所要の絶縁性を確実に得ることが困難となり、更に、導電性粒子Pに適度の厚みを有する被覆層を形成することができないため、高温環境下において繰り返し使用した場合には、導電性粒子の表面における導電性が低下する結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、粒子径の変動係数は、式:(σ/Dn)×100(但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示す。)によって求められるものである。
導電性粒子Pの粒子径の変動係数が50%を超える場合には、隣接する接続用導電部22間における所要の絶縁性を確実に得ることが困難となる。
また、導電性粒子Pの数平均粒子径は、3〜30μmであることが好ましく、より好ましくは6〜15μmである。
この数平均粒子径が3μm未満である場合には、高い導電性を有する接続用導電部22を確実に形成することが困難となり、また、隣接する接続用導電部22との所要の絶縁性を確実に得ることが困難となり、更に、高温環境下において繰り返し使用した場合には、所要の導電性を維持することが困難となる。一方、この数平均粒子径が30μmを超える場合には、形成すべき接続用導電部22の最短幅が小さい場合には、比W/Dnの値を上記の範囲内に設計することができない。
ここで、「高導電性金属」とは、0℃における導電率が5×106 Ω-1m-1以上のものをいう。
磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が0.1Wb/m2 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは0.3Wb/m2 以上、特に好ましくは0.5Wb/m2 以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金を挙げることができ、これらの中では、ニッケルが好ましい。
この飽和磁化が0.1Wb/m2 以上であれば、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜20を形成するための成形材料層中において導電性粒子Pを容易に移動させることができ、これにより、当該成形材料層における接続用導電部となる部分に、導電性粒子Pを確実に移動させて導電性粒子Pの連鎖を形成することができる。
磁性芯粒子を被覆する高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。
また、高い導電性を有する接続用導電部22を得るために、導電性粒子Pとしては、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔(高導電性金属の質量/芯粒子の質量)×100〕が15質量%以上のものを用いることが好ましく、より好ましくは25〜35質量%である。
先ず、強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して必要に応じて分級処理を行う。
ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。
また、分級処理の具体的な条件は、目的とする磁性芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
次いで、磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆することにより、磁性を示す導電性粒子が得られる。
ここで、磁性芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。
高導電性金属を磁性芯粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メッキ法、置換メッキ法等を用いることができるが、これらの方法に限定されるものではない。
また、磁性芯粒子の表面に下地メッキを行って下地メッキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成してもよい。下地メッキ層およびその表面に形成されるメッキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メッキ法により、磁性芯粒子の表面に下地メッキ層を形成し、その後、置換メッキ法により、下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメッキ層を形成することが好ましい。
無電解メッキまたは置換メッキに用いられるメッキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。
導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の磁性芯粒子の分級処理に用いられる分級装置として例示したものを用いることができるが、少なくとも空気分級装置を用いることが好ましい。空気分級装置によって導電性粒子を分級処理することにより、上記の粒子径および粒子径分布を有する導電性粒子が確実に得られる。
カップリング剤の使用量は、導電性粒子Pの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子Pの表面におけるカップリング剤の被覆率(導電性芯粒子の表面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合)が5%以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が7〜100%、さらに好ましくは10〜100%、特に好ましくは20〜100%となる量である。
また、被支持部25における導電性粒子Pの含有割合は、弾性異方導電膜20を形成するための成形材料中の導電性粒子の含有割合によって異なるが、弾性異方導電膜20における接続用導電部22のうち最も外側に位置する接続用導電部22に、過剰な量の導電性粒子Pが含有されることが確実に防止される点で、成形材料中の導電性粒子の含有割合と同等若しくはそれ以上であることが好ましく、また、十分な強度を有する被支持部25が得られる点で、体積分率で30%以下であることが好ましい。
先ず、検査対象であるウエハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域のパターンに対応して異方導電膜配置用孔11が形成された磁性金属よりなるフレーム板10を作製する。ここで、フレーム板10の異方導電膜配置用孔11を形成する方法としては、例えばエッチング法などを利用することができる。
上型61においては、図6に拡大して示すように、基板62の下面に、成形すべき弾性異方導電性膜20の接続用導電部22の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層63が形成され、この強磁性体層63以外の個所には、非磁性体層64が形成されており、これらの強磁性体層63および非磁性体層64によって成形面が形成されている。また、上型61の成形面には、成形すべき弾性異方導電膜20における突出部24に対応して凹所64aが形成されている。
一方、下型65においては、基板66の上面に、成形すべき弾性異方導電膜20の接続用導電部22の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層67が形成され、この強磁性体層67以外の個所には、非磁性体層68が形成されており、これらの強磁性体層67および非磁性体層68によって成形面が形成されている。また、下型65の成形面には、成形すべき弾性異方導電膜20における突出部24に対応して凹所68aが形成されている。
このようにフレーム板10と上型61および下型65との間にスペーサー69a,69bを配置することにより、目的とする形態の弾性異方導電膜を形成することができると共に、隣接する弾性異方導電膜同士が連結することが防止されるため、互いに独立した多数の弾性異方導電膜を確実に形成することができる。
成形材料層20Aの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。加熱により成形材料層20Aの硬化処理を行う場合には、電磁石にヒーターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層20Aを構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子Pの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
また、弾性異方導電膜20には、接続用導電部22を有する機能部21の周縁に被支持部25が形成されており、この被支持部25がフレーム板10の異方導電膜配置用孔11の周辺部に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウエハとの電気的接続作業において、当該ウエハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。
また、フレーム板10に空気流通孔15が形成されているため、後述するウエハ検査装置において、プローブ部材を押圧する手段として減圧方式によるものを利用した場合には、チャンバー内を減圧したときに、異方導電性コネクターと検査用回路基板との間に存在する空気がフレーム板10の空気流通孔15を介して排出され、これにより、異方導電性コネクターと検査用回路基板とを確実に密着させることができるので、所要の電気的接続を確実に達成することができる。
図11は、本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウエハ検査装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。このウエハ検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのものである。
また、プローブ部材1における検査用回路基板30の裏面(図において上面)には、当該プローブ部材1を下方に加圧する加圧板3が設けられ、プローブ部材1の下方には、検査対象であるウエハ6が載置されるウエハ載置台4が設けられており、加圧板3およびウエハ載置台4の各々には、加熱器5が接続されている。
また、WLBI試験を行うためのウエハ検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が3×10-5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは1×10-7〜1×10-5/K、特に好ましくは1×10-6〜6×10-6/Kである。
このような基板材料の具体例としては、パイレックス(登録商標)ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素など挙げられる。
電極構造体42の各々は、絶縁性シート41の表面(図において下面)に露出する突起状の表面電極部43と、絶縁性シート41の裏面に露出する板状の裏面電極部44とが、絶縁性シート41の厚み方向に貫通して伸びる短絡部45によって互いに一体に連結されて構成されている。
また、絶縁性シート41の厚みは、当該絶縁性シート41が柔軟なものであれば特に限定されないが、10〜50μmであることが好ましく、より好ましくは10〜25μmである。
また、電極構造体42における表面電極部43および裏面電極部44の表面には、当該電極部の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得られる点で、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていることが好ましい。
電極構造体42における裏面電極部44の径は、短絡部45の径より大きく、かつ、電極構造体42の配置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、異方導電性コネクター2の弾性異方導電膜20における接続用導電部22に対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。また、裏面電極部44の厚みは、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、20〜50μmであることが好ましく、より好ましくは35〜50μmである。
電極構造体42における短絡部45の径は、十分に高い強度が得られる点で、30〜80μmであることが好ましく、より好ましくは30〜50μmである。
すなわち、絶縁性シート41上に金属層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シート41に対して、レーザ加工、ドライエッチング加工等によって、当該絶縁性シート41の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、形成すべき電極構造体42のパターンに対応するパターンに従って形成する。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィーおよびメッキ処理を施すことによって、絶縁性シート41の貫通孔内に金属層に一体に連結された短絡部45を形成すると共に、当該絶縁性シート41の表面に、短絡部45に一体に連結された突起状の表面電極部43を形成する。その後、積層材料における金属層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、裏面電極部44を形成して電極構造体42を形成し、以てシート状コネクター40が得られる。
また、異方導電性コネクター2における弾性異方導電膜20は、それ自体の面積が小さいものであり、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜20の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板10を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜20の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウエハに対してWLBI試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。
このウエハ検査装置は、検査対象であるウエハ6が収納される、上面が開口した箱型のチャンバー50を有する。このチャンバー50の側壁には、当該チャンバー50の内部の空気を排気するための排気管51が設けられており、この排気管51には、例えば真空ポンプ等の排気装置(図示省略)が接続されている。
チャンバー50上には、図11に示すウエハ検査装置におけるプローブ部材1と同様の構成のプローブ部材1が、当該チャンバー50の開口を気密に塞ぐよう配置されている。具体的には、チャンバー50における側壁の上端面上には、弾性を有するO−リング55が密着して配置され、プローブ部材1は、その異方導電性コネクター2およびシート状コネクター40がチャンバー50内に収容され、かつ、その検査用回路基板30における周辺部がO−リング55に密着した状態で配置されており、更に、検査用回路基板30が、その裏面(図において上面)に設けられた加圧板3によって下方に加圧された状態とされている。
また、チャンバー50および加圧板3には、加熱器5が接続されている。
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、次のような種々の変更を加えることが可能である。
(1)異方導電性コネクターにおいては、弾性異方導電膜20には、接続用導電部22以外に、ウエハにおける被検査電極に電気的に接続されない非接続用導電部が形成されていてもよい。以下、非接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターについて説明する。
そして、接続用導電部22が並ぶ方向において、最も外側に位置する接続用導電部22とフレーム板10との間には、検査対象であるウエハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部26が形成されている。この非接続用導電部26は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部23によって、接続用導電部22と相互に絶縁されている。
また、図示の例では、弾性異方導電膜20における機能部21の両面には、接続用導電部22およびその周辺部分が位置する個所並びに非接続用導電部26およびその周辺部分が位置する個所に、それら以外の表面から突出する突出部24および突出部27が形成されている。
機能部21の周縁には、フレーム板10における異方導電膜配置用孔11の周辺部に固定支持された被支持部25が、当該機能部21に一体に連続して形成されており、この被支持部25には、導電性粒子が含有されている。
その他の構成は、基本的に図1〜図4に示す異方導電性コネクターの構成と同様である。
これらの接続用導電部22のうち中央に位置する互いに隣接する2つの接続用導電部22は、その他の互いに隣接する接続用導電部22間における離間距離より大きい離間距離で配置されている。そして、中央に位置する互いに隣接する2つの接続用導電部22の間には、検査対象であるウエハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部26が形成されている。この非接続用導電部26は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部23によって、接続用導電部22と相互に絶縁されている。
また、図示の例では、弾性異方導電膜20における機能部21の両面には、接続用導電部22およびその周辺部分が位置する個所並びに非接続用導電部26およびその周辺部分が位置する個所に、それら以外の表面から突出する突出部24および突出部27が形成されている。
機能部21の周縁には、フレーム板10における異方導電膜配置用孔11の周辺部に固定支持された被支持部25が、当該機能部21に一体に連続して形成されており、この被支持部25には、導電性粒子が含有されている。
その他の具体的な構成は、基本的に図1〜図4に示す異方導電性コネクターの構成と同様である。
そして、この状態において、成形材料層を硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部22および非接続用導電部26が、導電性粒子が全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部23によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部21と、この機能部21の周辺に連続して一体に形成された、弾性高分子物質中に導電性粒子が含有されてなる被支持部25とよりなる弾性異方導電膜20が、フレーム板10の異方導電膜配置用孔11の周辺部に当該被支持部25が固定された状態で形成され、以て異方導電性コネクターが製造される。
(3)弾性異方導電膜20における接続用導電部22の表面には、金属層が形成されていてもよい。
(4)異方導電性コネクターの製造において、フレーム板10の基材として非磁性のものを用いる場合には、成形材料層20Aにおける被支持部25となる部分に磁場を作用させる方法として、当該フレーム板10における異方導電膜配置用孔11の周辺部に磁性体をメッキしてまたは磁性塗料を塗布して磁場を作用させる手段、金型60に、弾性異方導電膜20の被支持部25に対応して強磁性体層を形成して磁場を作用させる手段を利用することができる。
(5)成形材料層の形成において、スペーサーを用いることは必須のことではなく、他の手段によって、上型および下型とフレーム板との間に弾性異方導電膜成形用の空間を確保してもよい。
(6)プローブ部材においては、シート状コネクター40は、必須のものではなく、異方導電性コネクター2における弾性異方導電膜20が検査対象であるウエハに接触して電気的接続を達成する構成であってもよい。
このような異方導電性コネクターによれば、ウエハを2以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行うことができる。
すなわち、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材を使用したウエハの検査方法においては、ウエハに形成された全ての集積回路について一括して行うことは必須のことではない。
バーンイン試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数時間と長いため、ウエハに形成された全ての集積回路について一括して検査を行えば高い時間的効率が得られるが、プローブ試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数分間と短いため、ウエハを2以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行っても、十分に高い時間的効率が得られる。
このように、ウエハに形成された集積回路について、分割されたエリア毎に電気的検査を行う方法によれば、直径が8インチまたは12インチのウエハに高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。
そして、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材は、繰り返し使用における耐久性が高いものであるため、ウエハに形成された集積回路について、分割されたエリア毎に電気的検査を行う方法に用いる場合には、異方導電性コネクターに故障が生じて新たなものに交換する頻度が少なくなるので、検査コストの低減化を図ることができる。
金やはんだなどよりなる電極は、アルミニウムよりなる電極に比較して、表面に酸化膜が形成されにくいものであるため、このような突起状電極を有する集積回路が形成されたウエハの検査においては、酸化膜を突き破るために必要な大きな荷重で加圧することが不要となり、シート状コネクターを用いずに、異方導電性コネクターの接続用導電部を被検査電極に直接接触させた状態で検査を実行することができる。
被検査電極である突起状電極に異方導電性コネクターの接続用導電部を直接接触させた状態でウエハの検査を行う場合においては、当該異方導電性コネクターを繰り返し使用すると、その接続用導電部が突起状電極によって加圧されることにより摩耗したり永久的に圧縮変形したりする結果、当該接続用導電部には、電気抵抗の増加や被検査電極に対する接続不良が発生するため、高い頻度で異方導電性コネクターを新たなものに交換することが必要であった。
而して、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材によれば、繰り返し使用における耐久性が高いものであるため、検査対象であるウエハが、直径が8インチまたは12インチであって高い集積度で集積回路が形成されたものであっても、長期間にわたって所要の導電性が維持され、これにより、異方導電性コネクターを新たなものに交換する頻度が少なくなるので、検査コストの低減化を図ることができる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
粉末メッキ装置の処理槽内に、数平均粒子径が10μmのニッケル(飽和磁化が0.6Wb/m2 )よりなる粒子100gを投入し、更に、0.32Nの塩酸水溶液2Lを加えて攪拌し、芯粒子を含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で30分間攪拌することにより、芯粒子の酸処理を行い、その後、1分間静置して芯粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。
次いで、酸処理が施された芯粒子に純水2Lを加え、常温で2分間攪拌し、その後、1分間静置して磁性芯粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に2回繰り返すことにより、芯粒子の洗浄処理を行った。
そして、酸処理および洗浄処理が施された芯粒子に、金の含有割合が20g/Lの金メッキ液2Lを加え、処理層内の温度を90℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、芯粒子に対して金の置換メッキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、ニッケルよりなる芯粒子の表面に金が被覆されてなる導電性粒子を得た。
次いで、日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア TC−15N」によって、導電性粒子200gを、比重が8.9、風量が2.5m3 /min、ローター回転数が1,600rpm、分級点が25μm、導電性粒子の供給速度が16g/minの条件で分級処理し、導電性粒子180gを捕集し、更に、この導電性粒子180gを、比重が8.9、風量が25m3 /min、ローター回転数が3,000rpm、分級点が10μm、導電性粒子の供給速度が14g/minの条件で分級処理し、導電性粒子150gを捕集した。
図16に示すように、直径が8インチのシリコン(線熱膨張係数3.3×10-6/K)製のウエハ6上に、それぞれ寸法が6.5mm×6.5mmの正方形の集積回路Lを合計で596個形成した。ウエハ6に形成された集積回路Lの各々は、図17に示すように、その中央に被検査電極領域Aを有し、この被検査電極領域Aには、図18に示すように、それぞれ縦方向(図18において上下方向)の寸法が200μmで横方向(図18において左右方向)の寸法が60μmの矩形の26個の被検査電極7が100μmのピッチで横方向に二列(一列の被検査電極7の数が13個)に配列されている。縦方向に隣接する被検査電極7の間の離間距離は、450μmである。また、26個の被検査電極7のうち2個ずつが互いに電気的に接続されている。このウエハ6全体の被検査電極7の総数は15496個である。以下、このウエハを「試験用ウエハ(1)」という。
また、全ての被検査電極が互いに電気的に絶縁されていること以外は、上記の試験用ウエハ(1)と同様の構成の集積回路Lをウエハ上に合計で596個形成した。以下、このウエハを「試験用ウエハ(2)」という。
図19および図20に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウエハWにおける各被検査電極領域に対応して形成された596の異方導電膜配置孔を有する直径が8インチのフレーム板を作製した。
このフレーム板10の材質はコバール(飽和磁化1.4Wb/m2 ,線熱膨張係数5×10-6/K)で、その厚みは、60μmである。
異方導電膜配置用孔11の各々は、その横方向(図19および図20において左右方向)の寸法が1540μmで縦方向(図19および図20において上下方向)の寸法が600μmである。
縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔11の間の中央位置には、円形の空気流入孔15が形成されており、その直径は1000μmである。
下記の条件により、試験用ウエハWにおける被検査電極領域に対応して形成された複数の貫通孔を有する弾性異方導電膜成形用のスペーサーを2枚作製した。
これらのスペーサーの材質はステンレス(SUS304)で、その厚みは20μmである。
各被検査電極領域に対応する貫通孔は、その横方向の寸法が2200μmで縦方向の寸法が1400μmである。
図6および図21に示す構成に従い、下記の条件により、弾性異方導電膜成形用の金型を作製した。
この金型における上型61および下型65は、それぞれ厚みが6mmの鉄よりなる基板62,66を有し、この基板62,66上には、試験用ウエハWにおける被検査電極のパターンに対応するパターンに従ってニッケルよりなる接続用導電部形成用の強磁性体層63(67)および非接続用導電部形成用の強磁性体層63a(67a)が配置されている。具体的には、接続用導電部形成用の強磁性体層63(67)の各々の寸法は50μm(横方向)×200μm(縦方向)×100μm(厚み)で、26個の強磁性体層63(67)が100μmのピッチで横方向に二列(一列の強磁性体層63(67)の数が13個で、縦方向に隣接する強磁性体層63(67)の間の離間距離が450μm)に配列されている。また、強磁性体層63(67)が並ぶ方向において、最も外側に位置する強磁性体層63(67)の外側には、非接続用導電部形成用の強磁性体層63a(67a)が配置されている。各強磁性体層63a(67a)の寸法は、80μm(横方向)×300μm(縦方向)×100μm(厚み)である。
そして、26個の接続用導電部形成用の強磁性体層63(67)および2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層63a(67a)が形成された領域が、試験用ウエハWにおける被検査電極領域に対応して合計で596個形成され、基板全体で15496個の接続用導電部形成用の強磁性体層63(67)および1192個の非接続用導電部形成用の強磁性体層63a(67a)が形成されている。
また、非磁性体層64(68)は、ドライフィルムレジストを硬化処理することによって形成され、接続用導電部形成用の強磁性体層63(67)が位置する凹所64a(68a)の各々の寸法は、60μm(横方向)×210μm(縦方向)×25μm(深さ)で、非接続用導電部形成用の強磁性体層63a(67a)が位置する凹所64b(68b)の各々の寸法は、90μm(横方向)×260μm(縦方向)×25μm(深さ)で、凹所以外の部分の厚みは125μm(凹所部分の厚み100μm)である。
上記のフレーム板、スペーサーおよび金型を用い、以下のようにしてフレーム板に弾性異方導電膜を形成した。
付加型液状シリコーンゴム100重量部に、導電性粒子(1)30重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、導電性ペースト組成物を調製した。
また、上記の付加型液状シリコーンゴムの特性は、次のようにして測定した。
(i)付加型液状シリコーンゴムの粘度:
B型粘度計により、23±2℃における粘度を測定した。
(ii)シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み:
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるA液とB液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、120℃、30分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが12.7mm、直径が29mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、200℃、4時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、JIS K 6249に準拠して150±2℃における圧縮永久歪みを測定した。
(iii )シリコーンゴム硬化物の引裂強度:
上記(ii)と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが2.5mmのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、JIS K 6249に準拠して23±2℃における引裂強度を測定した。
(iv)デュロメーターA硬度:
上記(iii )と同様にして作製されたシートを5枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、JIS K 6249に準拠して23±2℃におけるデュロメーターA硬度を測定した。
そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に2Tの磁場を作用させながら、100℃、1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜を形成し、以て、異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC1」という。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
基板材料としてアルミナセラミックス(線熱膨張係数4.8×10-6/K)を用い、試験用ウエハWにおける被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が30cm×30cmの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が60μmで縦方向の寸法が200μmである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板T」という。
厚みが20μmのポリイミドよりなる絶縁性シートの一面に厚みが15μmの銅層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シートに対してレーザ加工を施すことによって、当該絶縁性シートの厚み方向に貫通する、それぞれ直径が30μmの15496個の貫通孔を、試験用ウエハWにおける被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成した。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィーおよびニッケルメッキ処理を施すことによって、絶縁性シートの貫通孔内に銅層に一体に連結された短絡部を形成すると共に、当該絶縁性シートの表面に、短絡部に一体に連結された突起状の表面電極部を形成した。この表面電極部の径は40μmであり、絶縁性シートの表面からの高さは20μmであった。その後、積層材料における銅層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、70μm×210μmの矩形の裏面電極部を形成し、更に、表面電極部および裏面電極部に金メッキ処理を施すことによって電極構造体を形成し、以てシート状コネクターを製造した。以下、このシート状コネクターを「シート状コネクターM」という。
試験用ウエハ(2)を試験台に配置し、この試験用ウエハ(2)上に、異方導電性コネクターC1をその接続用導電部の各々が試験用ウエハ(2)の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置した。次いで、この異方導電製コネクターC1上に、検査用回路基板Tをその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターC1の接続用導電部上に位置するよう位置合わせして固定し、更に、検査用回路基板Tを下方に124kgの荷重で加圧した。
そして、室温(25℃)下において、検査用回路基板Tにおける検査電極の各々に順次電圧を印加すると共に、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の電気抵抗を、異方導電性コネクターC1における接続用導電部間の電気抵抗(以下、「絶縁抵抗」という。)として測定し、絶縁抵抗が10MΩ以下である接続用導電部の数を求めた。ここで、接続用導電部間の絶縁抵抗が10MΩ以下のものについては、ウエハに形成された集積回路の電気的検査において、これを実際上使用することが困難である。
以上、結果を下記表2に示す。
試験用ウエハ(1)を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウエハ(1)上に異方導電性コネクターC1をその接続用導電部の各々が当該試験用ウエハWの被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクターC1上に、検査用回路基板Tをその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターC1の接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板Tを下方に31kgの荷重(接続用導電部1個当たりに加わる荷重が平均で約2g)で加圧した。そして、室温(25℃)下において、検査用回路基板Tにおける15496個の検査電極について、異方導電性コネクターおよび試験用ウエハ(1)を介して互いに電気的に接続された2個の検査電極の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の2分の1の値を異方導電性コネクターC1における接続用導電部の電気抵抗(以下、「導通抵抗」という。)として記録し、導通抵抗が1Ω以上である接続用導電部の数を求めた。以上の操作を「操作1」とする。
次いで、検査用回路基板を加圧する荷重を126kgに変更し(接続用導電部1個当たりに加わる荷重が平均で約8g)、その後、試験台を125℃に加熱し、試験台の温度が安定した後、上記の操作1と同様にして異方導電性コネクターC1における接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が1Ω以上である接続用導電部の数を求めた。その後、この状態で1時間放置した。以上の操作を「操作2」とする。
次いで、試験台を室温まで冷却し、その後、検査用回路基板に対する加圧を解除した。以上の操作を「操作3」とする。
そして、上記の操作1、操作2および操作3を1サイクルとして、合計で500サイクル連続して行った。
以上において、接続用導電部の導通抵抗が1Ω以上のものについては、ウエハに形成された集積回路の電気的検査において、これを実際上使用することが困難である。
以上の結果を下記表3に示す。
試験台に配置された試験用ウエハ(1)上に、シート状コネクターMをその表面電極部が当該試験用ウエハ(1)の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状コネクター上に異方導電性コネクターC1をその接続用導電部がシート状コネクターMにおける裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板Tを下方に62kgの荷重(接続用導電部1個当たりに加わる荷重が平均で約4g)で加圧したこと以外は、上記試験2と同様にして接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が1Ω以上である接続用導電部の数を求めた。
以上の結果を下記表4に示す。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC2を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC3を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC4を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC5を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(6)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC6」という。この異方導電性コネクターC6においては、導電性粒子(6)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は2.6である。 得られた異方導電性コネクターC6の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC6を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1を行った。結果を下記表2に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(7)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC7」という。この異方導電性コネクターC7においては、導電性粒子(7)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は9.4である。 得られた異方導電性コネクターC7の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC7を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(8)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC8」という。この異方導電性コネクターC8においては、導電性粒子(8)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は11.9である。
得られた異方導電性コネクターC8の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC8を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(9)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC9」という。この異方導電性コネクターC9においては、導電性粒子(9)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は15.6である。
得られた異方導電性コネクターC9の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC9を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(10)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC10」という。この異方導電性コネクターC10においては、導電性粒子(10)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は5.2である。
得られた異方導電性コネクターC10の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC10を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(11)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC11」という。この異方導電性コネクターC11においては、導電性粒子(11)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は2.6である。
得られた異方導電性コネクターC11の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC11を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1を行った。結果を下記表2に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(12)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC12」という。この異方導電性コネクターC12においては、導電性粒子(12)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は8.8である。
得られた異方導電性コネクターC12の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC12を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(13)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC13」という。この異方導電性コネクターC13においては、導電性粒子(13)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は8.9である。
得られた異方導電性コネクターC13の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC13を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1、試験2および試験3を行った。結果を下記表2、表3および表4に示す。
導電性粒子(1)の代わりに導電性粒子(14)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターC14」という。この異方導電性コネクターC14においては、導電性粒子(14)の数平均粒子径Dnに対する接続用導電部の最短幅Wの比W/Dnの値は5.4である。
得られた異方導電性コネクターC14の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約30%であった。
また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。
異方導電性コネクターC1の代わりに異方導電性コネクターC14を用いたこと以外は、実施例1と同様にして試験1を行った。結果を下記表2に示す。
3 加圧板 4 ウエハ載置台
5 加熱器 6 ウエハ
7 被検査電極 10 フレーム板
11 異方導電膜配置用孔
15 空気流通孔
16 位置決め孔 20 弾性異方導電膜
20A 成形材料層 21 機能部
22 接続用導電部 23 絶縁部
24 突出部 25 被支持部
26 非接続用導電部 27 突出部
30 検査用回路基板 31 検査電極
41 絶縁性シート 40 シート状コネクター
42 電極構造体 43 表面電極部
44 裏面電極部 45 短絡部
50 チャンバー 51 排気管
55 O−リング
60 金型 61 上型
62 基板 63 強磁性体層
64 非磁性体層 64a 凹所
65 下型 66 基板
67 強磁性体層 68 非磁性体層
68a 凹所
69a,69b スペーサー
80 上型 81 強磁性体層
82 非磁性体層 85 下型
86 強磁性体層 87 非磁性体層
90 フレーム板 91 開口
95 成形材料層 P 導電性粒子
Claims (13)
- 導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成されてなる弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、
前記接続用導電部の最短幅をWとし、前記導電性粒子の数平均粒子径をDnとしたとき、導電性粒子の数平均粒子径に対する接続用導電部の最短幅の比W/Dnの値が3〜8の範囲にあり、当該導電性粒子の粒子径の変動係数が50%以下であることを特徴とする異方導電性コネクター。 - ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、
検査対象であるウエハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導電膜とよりなり、
前記弾性異方導電膜の各々は、検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極に対応して配置された、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の接続用導電部、およびこれらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する機能部と、この機能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における異方導電膜配置用孔の周辺部に固定された被支持部とよりなり、
前記接続用導電部の最短幅をWとし、前記導電性粒子の数平均粒子径をDnとしたとき、導電性粒子の数平均粒子径に対する接続用導電部の最短幅の比W/Dnの値が3〜8の範囲にあり、当該導電性粒子の粒子径の変動係数が50%以下であることを特徴とする異方導電性コネクター。 - 導電性粒子の重量平均粒子径をDwとしたとき、数平均粒子径に対する重量平均粒子径の比Dw/Dnの値が5以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の異方導電性コネクター。
- 導電性粒子の数平均粒子径が3〜30μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
- 導電性粒子は、空気分級装置によって分級処理されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
- 導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
- フレーム板の線熱膨張係数が3×10-5/K以下であることを特徴とする請求項2乃至請求項6のいずれかに記載の異方導電性コネクター。
- 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成するための導電性ペースト組成物であって、
硬化可能な液状シリコーンゴムと、磁性を示す導電性粒子とを含有してなり、前記弾性異方導電膜における接続用導電部の最短幅をWとし、前記導電性粒子の数平均粒子径をDnとしたとき、導電性粒子の数平均粒子径に対する接続用導電部の最短幅の比W/Dnの値が3〜8の範囲にあり、当該導電性粒子の粒子径の変動係数が50%以下であることを特徴とする導電性ペースト組成物。 - ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うために用いられるプローブ部材であって、
検査対象であるウエハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された、請求項2乃至請求項7のいずれかに記載の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とするプローブ部材。 - 異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線熱膨張係数が3×10-5/K以下であり、検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨張係数が3×10-5/K以下であることを特徴とする請求項9に記載のプローブ部材。
- 異方導電性コネクター上に、絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクターが配置されていることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のプローブ部材。
- ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うウエハ検査装置において、
請求項9項乃至請求項11のいずれかに記載のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検査対象であるウエハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とするウエハ検査装置。 - ウエハに形成された複数の集積回路の各々を、請求項9乃至請求項11のいずれかに記載のプローブ部材を介してテスターに電気的に接続し、当該ウエハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを特徴とするウエハ検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003289033A JP3685192B2 (ja) | 2002-08-09 | 2003-08-07 | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002232202 | 2002-08-09 | ||
JP2003289033A JP3685192B2 (ja) | 2002-08-09 | 2003-08-07 | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004362952A Division JP2005166678A (ja) | 2002-08-09 | 2004-12-15 | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004095547A true JP2004095547A (ja) | 2004-03-25 |
JP2004095547A5 JP2004095547A5 (ja) | 2005-06-30 |
JP3685192B2 JP3685192B2 (ja) | 2005-08-17 |
Family
ID=31711819
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003289033A Expired - Fee Related JP3685192B2 (ja) | 2002-08-09 | 2003-08-07 | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 |
JP2004362952A Pending JP2005166678A (ja) | 2002-08-09 | 2004-12-15 | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004362952A Pending JP2005166678A (ja) | 2002-08-09 | 2004-12-15 | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7049836B2 (ja) |
EP (1) | EP1553621A4 (ja) |
JP (2) | JP3685192B2 (ja) |
KR (1) | KR100756707B1 (ja) |
CN (1) | CN100369227C (ja) |
AU (1) | AU2003254853A1 (ja) |
WO (1) | WO2004015760A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013007766A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
CN106568993A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-04-19 | 苍南县三维电子塑胶有限公司 | 可编程的显示面板检测用探针结构及检测系统 |
US20210359434A1 (en) * | 2018-10-11 | 2021-11-18 | Sekisui Polymatech Co., Ltd. | Electrical connection sheet and terminal-equipped glass plate structure |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3573120B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2004-10-06 | Jsr株式会社 | 異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用製品 |
US8518304B1 (en) | 2003-03-31 | 2013-08-27 | The Research Foundation Of State University Of New York | Nano-structure enhancements for anisotropic conductive material and thermal interposers |
TWI239684B (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-11 | Jsr Corp | Anisotropic conductive connector and electric inspection device for circuit device |
US7446545B2 (en) * | 2003-05-08 | 2008-11-04 | Unitechno Inc. | Anisotropically conductive sheet |
TWI239685B (en) * | 2003-05-13 | 2005-09-11 | Jsr Corp | Flaky probe, its manufacturing method and its application |
US20060177971A1 (en) * | 2004-01-13 | 2006-08-10 | Jsr Corporation | Anisotropically conductive connector, production process thereof and application product thereof |
WO2006046650A1 (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Jsr Corporation | ウエハ検査用探針部材、ウエハ検査用プローブカードおよびウエハ検査装置 |
KR101167748B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2012-07-23 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 웨이퍼 검사용 탐침 부재, 웨이퍼 검사용 프로브 카드 및웨이퍼 검사 장치 |
TWI388846B (zh) * | 2005-07-14 | 2013-03-11 | Jsr Corp | An electrical impedance measuring device and a measuring method for connecting an electrical resistance measuring connector and a circuit board |
US7504331B2 (en) * | 2005-07-27 | 2009-03-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of fabricating self-assembled electrical interconnections |
US7525194B2 (en) * | 2005-07-27 | 2009-04-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | System including self-assembled interconnections |
US7662708B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-02-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Self-assembled interconnection particles |
US7405582B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-07-29 | Advantest Corporation | Measurement board for electronic device test apparatus |
EP1972930B1 (de) * | 2007-03-19 | 2019-11-13 | Concast Ag | Verfahren zur Erkennung von Oberflächenmerkmalen metallurgischer Erzeugnisse, insbesondere Strangguss- und Walzerzeugnisse, sowie eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
JP4952787B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-06-13 | Jsr株式会社 | 異方導電性コネクター、プローブ部材およびウエハ検査装置 |
KR100886712B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2009-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
JP2009193710A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Jsr Corp | 異方導電性コネクターおよびこの異方導電性コネクターを用いた回路装置の検査装置 |
KR100998356B1 (ko) | 2008-06-04 | 2010-12-03 | 주식회사 아이에스시테크놀러지 | 열전달시트 및 그 열전달시트의 제조방법 |
KR101145886B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2012-05-15 | 주식회사 아이에스시 | 전기적 접속체 및 그 전기적 접속체를 포함한 테스트 소켓 |
JP5152099B2 (ja) | 2009-05-18 | 2013-02-27 | 富士通株式会社 | 基板構造 |
WO2014021316A1 (ja) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 帝人株式会社 | ランダムマットおよび繊維強化複合材料成形体 |
BR112014021249B1 (pt) | 2012-08-01 | 2021-05-25 | Teijin Limited | tapete aleatório e produto conformado de material compósito reforçado por fibras |
US9142475B2 (en) * | 2013-08-13 | 2015-09-22 | Intel Corporation | Magnetic contacts |
KR20160047423A (ko) | 2014-09-26 | 2016-05-02 | 인텔 코포레이션 | 플렉시블 패키징 아키텍처 |
JP2018073577A (ja) * | 2016-10-27 | 2018-05-10 | 株式会社エンプラス | 異方導電性シート及びその製造方法 |
KR102180143B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2020-11-17 | 국도화학 주식회사 | 이방 도전성 필름, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및/또는 이를 포함하는 반도체 장치 |
KR102075669B1 (ko) * | 2018-10-26 | 2020-02-10 | 오재숙 | 신호 전송 커넥터 및 그 제조방법 |
TWI750578B (zh) * | 2020-02-04 | 2021-12-21 | 吳在淑 | 信號傳輸連接器及其製造方法 |
CN114413745B (zh) * | 2022-01-04 | 2023-05-23 | 华北电力科学研究院有限责任公司 | 一种检测发电机定子绝缘受潮深度的装置及方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6103359A (en) * | 1996-05-22 | 2000-08-15 | Jsr Corporation | Process and apparatus for manufacturing an anisotropic conductor sheet and a magnetic mold piece for the same |
JPH1140224A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-12 | Jsr Corp | 異方導電性シート |
JP4467024B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2010-05-26 | 新日本製鐵株式会社 | 高潤滑防錆油組成物 |
US6663799B2 (en) * | 2000-09-28 | 2003-12-16 | Jsr Corporation | Conductive metal particles, conductive composite metal particles and applied products using the same |
JP3770126B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2006-04-26 | Jsr株式会社 | 異方導電性シートおよび回路装置の電気的検査装置 |
US6870385B2 (en) * | 2000-12-08 | 2005-03-22 | Jsr Corporation | Anisotropic conductive sheet and wafer inspection device |
JP3543765B2 (ja) | 2000-12-28 | 2004-07-21 | Jsr株式会社 | ウエハ検査用プローブ装置 |
-
2003
- 2003-08-07 EP EP03784568A patent/EP1553621A4/en not_active Withdrawn
- 2003-08-07 AU AU2003254853A patent/AU2003254853A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-07 CN CNB038189127A patent/CN100369227C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-07 WO PCT/JP2003/010055 patent/WO2004015760A1/ja active Application Filing
- 2003-08-07 US US10/523,195 patent/US7049836B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-07 JP JP2003289033A patent/JP3685192B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-07 KR KR1020057001118A patent/KR100756707B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-12-15 JP JP2004362952A patent/JP2005166678A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013007766A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
CN106568993A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-04-19 | 苍南县三维电子塑胶有限公司 | 可编程的显示面板检测用探针结构及检测系统 |
US20210359434A1 (en) * | 2018-10-11 | 2021-11-18 | Sekisui Polymatech Co., Ltd. | Electrical connection sheet and terminal-equipped glass plate structure |
US12021322B2 (en) * | 2018-10-11 | 2024-06-25 | Sekisui Polymatech Co., Ltd. | Electrical connection sheet and terminal-equipped glass plate structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100756707B1 (ko) | 2007-09-07 |
CN1675757A (zh) | 2005-09-28 |
KR20050033614A (ko) | 2005-04-12 |
US7049836B2 (en) | 2006-05-23 |
EP1553621A1 (en) | 2005-07-13 |
CN100369227C (zh) | 2008-02-13 |
US20050264307A1 (en) | 2005-12-01 |
AU2003254853A1 (en) | 2004-02-25 |
JP2005166678A (ja) | 2005-06-23 |
JP3685192B2 (ja) | 2005-08-17 |
WO2004015760A1 (ja) | 2004-02-19 |
EP1553621A4 (en) | 2005-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3685192B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
KR100714327B1 (ko) | 이방 도전성 커넥터 및 도전성 페이스트 조성물, 프로우브부재 및 웨이퍼 검사 장치 및 웨이퍼 검사 방법 | |
JP3804542B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよびその製造方法、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
US7311531B2 (en) | Anisotropic conductive connector, conductive paste composition, probe member, wafer inspection device and wafer inspection method | |
KR100715751B1 (ko) | 이방 도전성 커넥터 및 프로우브 부재 및 웨이퍼 검사장치 및 웨이퍼 검사 방법 | |
JP2007085833A (ja) | ウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法、ウエハ検査用プローブカード並びにウエハ検査装置 | |
WO2006025279A1 (ja) | ウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用 | |
KR100741228B1 (ko) | 이방 도전성 커넥터 및 프로브 부재 및 웨이퍼 검사 장치및 웨이퍼 검사 방법 | |
JP5104265B2 (ja) | プローブ部材およびその製造方法ならびにその応用 | |
JP3788476B2 (ja) | ウエハ検査用探針部材、ウエハ検査用プローブカードおよびウエハ検査装置 | |
JP4423991B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
JP3938117B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
JP2006351504A (ja) | ウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法、ウエハ検査用プローブカードおよびその製造方法並びにウエハ検査装置 | |
WO2006043631A1 (ja) | ウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法、ウエハ検査用プローブカードおよびその製造方法並びにウエハ検査装置 | |
JP3685190B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
JP3685191B2 (ja) | 異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
JP2006063399A (ja) | 耐半田性金組成物およびその応用 | |
JP2009115579A (ja) | プローブ部材およびこのプローブ部材を用いたプローブカードならびにこれを用いたウエハ検査装置 | |
JP2009098065A (ja) | プローブ部材およびその製造方法ならびにその応用 | |
JP2006098395A (ja) | ウエハ検査用異方導電性コネクターおよびその製造方法並びにその応用 | |
JP2006216502A (ja) | 異方導電性コネクター、プローブカード並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
JP2004309465A (ja) | 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法 | |
JP2006100391A (ja) | ウエハ検査用プローブカードおよびウエハ検査装置 | |
WO2005103735A1 (ja) | シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041215 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20041216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050414 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050523 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3685192 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080610 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090610 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090610 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090610 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120610 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120610 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130610 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130610 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |