JP2004083864A - フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法 - Google Patents

フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004083864A
JP2004083864A JP2003174422A JP2003174422A JP2004083864A JP 2004083864 A JP2004083864 A JP 2004083864A JP 2003174422 A JP2003174422 A JP 2003174422A JP 2003174422 A JP2003174422 A JP 2003174422A JP 2004083864 A JP2004083864 A JP 2004083864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
proton conductive
conductive polymer
proton
fluorinated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003174422A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetoshi Kuromatsu
黒松 秀寿
Kiyoyuki Minamimura
南村 清之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP2003174422A priority Critical patent/JP2004083864A/ja
Publication of JP2004083864A publication Critical patent/JP2004083864A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/50Fuel cells

Landscapes

  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Fuel Cell (AREA)

Abstract

【課題】プロトン伝導性に加え、優れた耐酸化性を有し、固体高分子形燃料電池の電解質膜として有用なフッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜であって、前記芳香族高分子化合物の芳香族単位の少なくとも一部分の原子がフッ素原子で置換されているフッ素化プロトン伝導性高分子膜。あるいは、芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜とフッ素導入剤を接触させるフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法。
【選択図】 なし

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体高分子形燃料電池の電解質膜として有用なフッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
プロトン伝導性高分子膜は、固体高分子形燃料電池の主要な構成材料である。現在、固体高分子形燃料電池は、将来の新エネルギー技術の柱の一つとして期待されている。高分子化合物からなるプロトン伝導性膜を電解質膜として用いた固体高分子形燃料電池(PEFCまたはPEMFC)は、低温作動、小型軽量等、他の燃料電池(リン酸型、固体酸化物型、溶融炭酸塩型)にない特徴を有することから、自動車などの移動体、民生用エレクトロニクス機器、家庭用電源への適用が検討されている。特に、固体高分子形燃料電池を搭載した燃料電池自動車は究極のエコロジーカーとして社会的な関心が高まっている。
【0003】
高分子化合物からなるプロトン伝導性高分子膜としては、1950年代に開発されたスチレン系の陽イオン交換膜があるが、燃料電池動作環境下における安定性に乏しく、本膜を用いての実用上、充分な寿命を有する燃料電池を製造するには至っていない。実用的安定性を有するプロトン伝導性高分子膜としては、ナフィオン(Nafion,デュポン社の登録商標。以下同様)に代表されるパーフルオロカーボンスルホン酸膜が開発され、固体高分子形燃料電池を始めとし、他の電気化学素子への応用が提案されている。しかしながら、パーフルオロカーボンスルホン酸膜は、モノマーなどの使用原料が高く、その製造方法も煩雑なため、非常に高価であるのが現状である。そこで、膜抵抗の低減や原料の使用量を減らすため、薄膜化が検討されているものの、より安価なプロトン伝導性高分子膜が要求されているのが現状である。
【0004】
安価なプロトン伝導性高分子膜を得るために、従来のパーフルオロカーボンスルホン酸膜に代わり炭化水素系高分子化合物のプロトン伝導性高分子膜も種々検討・提案されている。その代表的なものとしては、スルホン化ポリエーテルエーテルケトン(例えば、特許文献1参照のこと)、スルホン化ポリエーテルスルホン(例えば、特許文献2参照のこと)、スルホン化ポリスルホン(例えば、特許文献3参照のこと)、スルホン化ポリフェニレンサルファイド(例えば、特許文献4参照のこと)やスルホン化ポリイミド(例えば、特許文献5参照のこと)などの耐熱芳香族系高分子化合物のスルホン化物、また、安価で、機械的、化学的に安定とされるSEBS(スチレン−(エチレン−ブチレン)−スチレンの略)のスルホン化体からなるもの(例えば、特許文献6参照のこと)などが挙げられる。しかしながら、これらの炭化水素系プロトン伝導性高分子膜は、パーフルオロカーボンスルホン酸膜と比較して、プロトン伝導度が不充分であること、耐加水分解性や耐酸化性などの化学的安定性が不充分であることから、未だ実用化されていない。
【0005】
耐酸化性を改善する方法として、種々の試みが試されている。例えば、スルホン酸基の代わりにリン系の官能基を使用する方法が提案されている(例えば、特許文献7参照のこと)。しかしながら、リン系の官能基はスルホン酸基と比較して、プロトンが解離しにくく、充分なプロトン伝導度が発現しないため、燐官能基の導入反応が複雑であり、未だ実用化されていない。
【0006】
【特許文献1】特開平6−93114号公報
【0007】
【特許文献2】特開平10―45913号公報
【0008】
【特許文献3】特開平9−245818号公報
【0009】
【特許文献4】国際公開第02/062896号パンフレット
【0010】
【特許文献5】特表2000−510511号公報
【0011】
【特許文献6】特表平10−503788号公報
【0012】
【特許文献7】特開2000−11755号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、固体高分子形燃料電池の電解質膜として有用な、高いプロトン伝導性と耐酸化性に代表される化学的安定性を両立したプロトン伝導性膜およびその製造方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、下記一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜であって、前記芳香族高分子化合物の芳香族単位の少なくとも一部分の原子がフッ素原子で置換されているフッ素化プロトン伝導性高分子膜である。
【0015】
【化7】
Figure 2004083864
[式中、Ar〜Arは、(9)〜(18)で表される2価の芳香族単位であって、それぞれ同一または異なる式である。Ar〜Arは、同一または異なる4価の芳香族単位である。X,Y,Zは、それぞれ同一または異なり、−O−,−CO−,−CONH−,−COO−,−S−,−SO−,SO−の群から選択される2価の有機基である。R〜R12は、それぞれ同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基またはフェニル基である。]
【0016】
【化8】
Figure 2004083864
上記芳香族高分子化合物が、下記(A)群から選択される少なくとも1種からなることが好ましい。
(A)群:ポリベンゾオキサゾール(PBO),ポリベンゾチアゾール(PBT),ポリベンゾイミダゾール(PBI),ポリスルホン(PSU),ポリエーテルスルホン(PES),ポリエーテルエーテルスルホン(PEES),ポリアリールエーテルスルホン(PAS),ポリフェニレンスルホン(PPSU),ポリフェニレンオキシド(PPO),ポリフェニレンスルホキシド(PPSO),ポリフェニレンサルファイド(PPS),ポリフェニレンスルフィドスルホン(PPS/SO),ポリパラフェニレン(PPP),ポリエーテルケトン(PEK),ポリエーテルエーテルケトン(PEEK),ポリエーテルケトンケトン(PEKK),ポリイミド(PI)
また、プロトン伝導性置換基がスルホン酸基であることが好ましい。
【0017】
尚、本発明の燃料電池は上記したフッ素化プロトン伝導性高分子膜を電解質膜として用いた燃料電池である。
【0018】
一方、本発明の製造方法は上記した一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜とフッ素導入剤を接触させるフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法である。
【0019】
また、一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物からなる高分子フィルムとフッ素導入剤とを接触させてフッ素化高分子フィルムを得た後、プロトン伝導性置換基を導入するフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法とすることもできる。
【0020】
これら製造方法において、プロトン伝導性置換基がスルホン酸基であることが好ましい。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明のフッ素化プロトン伝導性高分子化合物は、下記一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜であって、前記芳香族高分子化合物の芳香族単位の少なくとも一部分の原子がフッ素原子で置換されているものである。
【0022】
【化9】
Figure 2004083864
[式中、Ar〜Arは、(9)〜(18)で表される2価の芳香族単位であって、それぞれ同一または異なる式である。Ar〜Arは、同一または異なる4価の芳香族単位である。X,Y,Zは、それぞれ同一または異なり、−O−,−CO−,−CONH−,−COO−,−S−,−SO−,SO−の群から選択される2価の有機基である。又R〜R12は、それぞれ同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基またはフェニル基である。]
【0023】
【化10】
Figure 2004083864
前記芳香族高分子化合物の中でも、工業的入手の容易さ、ハンドリング性、得られたプロトン伝導性高分子化合物の特性などを考慮すると、ポリベンゾオキサゾール(PBO),ポリベンゾチアゾール(PBT),ポリベンゾイミダゾール(PBI),ポリスルホン(PSU),ポリエーテルスルホン(PES),ポリエーテルエーテルスルホン(PEES),ポリアリールエーテルスルホン(PAS),ポリフェニレンスルホン(PPSU),ポリフェニレンオキシド(PPO),ポリフェニレンスルホキシド(PPSO),ポリフェニレンサルファイド(PPS),ポリフェニレンスルフィドスルホン(PPS/SO),ポリパラフェニレン(PPP),ポリエーテルケトン(PEK),ポリエーテルエーテルケトン(PEEK),ポリエーテルケトンケトン(PEKK),ポリイミド(PI)の群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。これらは単独、あるいは、2種以上の共重合体、あるいは、必要に応じて2種以上を混合して使用してもよい。
【0024】
フッ素化プロトン伝導性高分子膜のプロトン伝導性置換基としては、スルホン酸基、リン酸基、カルボン酸基、フェノール性水酸基などが例示できるが、固体高分子形燃料電池の電解質膜として有用なプロトン伝導性を発現させるといった点から、スルホン酸基であることが好ましい。スルホン酸基などのプロトン伝導性置換基は、芳香族高分子化合物の芳香族単位に直接置換されていても良いし、エーテル,アルキレン,ハロゲン化アルキレン,アリーレン,ハロゲン化アリーレンなどの結合単位を介して導入されていても良い。
【0025】
本発明のフッ素化プロトン伝導性高分子膜は、導入されたフッ素原子の特性のため、高分子主鎖の化学的安定性や撥水性が付与され、耐酸化性が向上するため、好ましい。また、一般的にプロトンは水を伴って膜中を移動するため、主鎖部分の撥水性が付与されることにより、プロトン伝導のパスが置換基の近傍に形成されやすくなるため、好ましい。さらに、フッ素系化合物からなる撥水剤(ポリテトラフルオロエチレンなど)や電解質(パーフルオロカーボンスルホン酸など)を含有するガス拡散層や触媒層などと接合する際に、フッ素原子による親和性により、接合性が向上するため、好ましい。
【0026】
フッ素化プロトン伝導性高分子膜を得る方法は、使用する芳香族高分子化合物の種類や、導入するプロトン伝導性置換基の種類に応じて、適宜設定する必要がある。本発明のフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法としては、次の(イ)、(ロ)、(ハ)のいずれかの方法であることが好ましい。
(イ)所定構造の芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜とフッ素導入剤を接触させる方法。
(ロ)所定構造の芳香族高分子化合物からなる高分子フィルムとフッ素導入剤を接触させてフッ素化高分子フィルムを得た後、プロトン伝導性置換基を導入する方法。
(ハ)所定構造の芳香族高分子化合物からなる高分子フィルムと、フッ素導入剤及びスルホン化剤とを同時に接触させてフッ素とプロトン伝導性置換基を同時に導入する方法。
【0027】
即ち、予めフィルムや膜上に加工した上で、フッ素導入剤と接触させ、芳香族高分子化合物の芳香族単位の少なくとも一部分にフッ素原子を置換するのが好ましい。このような方法は、工業的入手や困難であったり、非常に高価であったり、反応性や安定性が著しく劣る恐れのあるフッ素含有モノマーを使用した高分子重合過程を得る必要がなく、ハンドリングが容易である。
【0028】
芳香族高分子化合物としては、上述した理由から、前記一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなるものが好ましく、具体的には、ポリベンゾオキサゾール(PBO),ポリベンゾチアゾール(PBT),ポリベンゾイミダゾール(PBI),ポリスルホン(PSU),ポリエーテルスルホン(PES),ポリエーテルエーテルスルホン(PEES),ポリアリールエーテルスルホン(PAS),ポリフェニレンスルホン(PPSU),ポリフェニレンオキシド(PPO),ポリフェニレンスルホキシド(PPSO),ポリフェニレンサルファイド(PPS),ポリフェニレンスルフィドスルホン(PPS/SO),ポリパラフェニレン(PPP),ポリエーテルケトン(PEK),ポリエーテルエーテルケトン(PEEK),ポリエーテルケトンケトン(PEKK),ポリイミド(PI)の群から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。
【0029】
また、プロトン伝導性置換基としては、上述した理由からスルホン酸基であることが好ましい。
【0030】
本発明において、高分子フィルム、プロトン伝導性高分子膜を得るには、それぞれ公知の方法が使用できる。例えば、高分子フィルムを得る方法としては、溶融押し出し法や溶液キャスト法などを芳香族高分子化合物の特性に応じて選択すればよい。また、プロトン伝導性置換基の導入方法としては、例えばスルホン酸基の場合には、クロロスルホン酸、発煙硫酸、三酸化硫黄ガスなどのスルホン化剤と芳香族高分子化合物を適当な条件下で湿式あるいは乾式で接触させればよい。プロトン伝導性高分子膜を得るには、プロトン伝導性高分子化合物を得た後、溶液キャスト法などで製膜する方法や、高分子フィルムにスルホン酸基などのプロトン伝導性置換基を導入する方法などが選択可能である。
【0031】
本発明の製造方法において、フッ素化処理に用いるフッ素導入剤としては、フッ化水素(HF)、フッ化カリウム(KF)、フッ素ガス(F)、N−フルオロピリジニウム塩、フッ化水素−塩基、などが例示できる。その他にも、電解による炭化水素系化合物のフッ素化、ハロゲン置換体を使用したハロゲン交換フッ素化、ジアゾ化合物を使用して熱分解や光分解を用いる脱ジアゾフッ素化、などの各種フッ素導入剤、フッ素化方法が例示でき、フィルムまたは膜状に加工した後、フッ素を導入する技術領域は本発明の範疇である。
【0032】
このとき、フッ素化した高分子フィルムやフッ素化したプロトン伝導性高分子膜のフッ素化の程度は、フッ素導入剤との接触時間、フッ素導入剤の濃度、フッ素導入剤との接触温度などによって制御することができる。酸素存在下でフッ素導入剤をフッ素化する高分子フィルムや高分子電解質膜と接触させると、フッ素原子の導入が妨げられる恐れがある。従って、反応槽中の酸素や水分を除去するため、予め反応槽を減圧脱気したり、窒素などの不活性ガスで置換するのが好ましい。また、被処理物表面に存在する酸素や水分を除去するため、被処理物であるプロトン伝導性高分子膜や芳香族高分子化合物からなる高分子フィルムを加熱や減圧下で乾燥し、酸素や水分を除去するのが好ましい。
【0033】
本発明のフッ素化プロトン伝導性高分子膜のイオン交換容量は、0.5ミリ当量/g以上であることが好ましい。この範囲よりも小さい場合は、固体高分子形燃料電池の電解質膜として必要なプロトン伝導度を発現しない恐れがある。一方、イオン交換容量の上限は、得られたプロトン伝導性高分子化合物の物性や用途により制約される。例えば、固体高分子形燃料電池の電解質膜に使用する場合には、水やメタノールに不溶であり、ハンドリング不可能になるほど膜が膨潤しない値に設定する必要がある。使用する芳香族高分子化合物やプロトン伝導性置換基の種類によって異なるが、概ね3.0ミリ当量/g以下であることが好ましい。
【0034】
本発明のプロトン伝導性高分子膜は、固体高分子形燃料電池の電解質膜としての使用を考慮した場合、実用的な機械的強度や燃料・酸化剤の遮断性を有する範囲で、薄い程良い。イオン交換容量やプロトン伝導度が同等であれば、厚みが薄くなるほど、膜としての抵抗値が低くなるため、概ね5〜200μm、さらには20〜150μmの厚さであることが好ましい。
【0035】
本発明のプロトン伝導性高分子膜は、プロトン伝導性、化学的・熱的安定性、機械的特性を備えており、固体高分子形燃料電池の電解質膜として好適に使用可能である。実際に、固体高分子形燃料電池に使用する場合、ナフィオンに代表されるパーフルオロカーボンスルホン酸膜で適用されている公知の方法で、本発明のプロトン伝導性高分子膜と触媒担持ガス拡散電極を接合した膜−電極接合体を製造し、燃料および酸化剤の供給路を備えた1対のセパレータ間に狭持して、固体高分子形燃料電池セルを構成でき、固体高分子形燃料電池の電解質膜として使用可能となる。燃料としては、純水素、メタノール・天然ガス・ガソリンなどの改質ガス、メタノール、エタノール、ジメチルエーテル等の有機液体燃料等が使用可能である。また、必要な出力を得るため、セルを複数枚積層して、スタックを構成し、使用することもできる。
【0036】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更実施可能である。
【0037】
(実施例1)
芳香族高分子化合物からなるフィルムとして、ポリフェニレンサルファイドフィルム(東レ製トレリナ、厚み50μm、以下PPSフィルムと表記)を使用した。
【0038】
PPSフィルムを、クロロスルホン酸と塩化メチレンの混合溶液に室温で20時間浸漬した。このとき、クロロスルホン酸の添加量は、PPSフィルムの芳香族単位に対して、クロロスルホン酸の量が2当量になるように設定した。また、クロロスルホン酸と塩化メチレンの混合溶液中のクロロスルホン酸濃度は0.5重量%となるようにした。
【0039】
20時間経過後、PPSフィルムをイオン交換水で洗浄・加水分解処理を行った後、恒温恒湿槽内で23℃−98%RH、80%RH、60%RH、50%RHの条件で乾燥し、スルホン酸基含有PPSからなるプロトン伝導度性高分子膜を得た。
【0040】
次いで、このスルホン酸基含有PPSをフッ素化処理するために反応槽に設置し、窒素ガスで反応槽を充分パージした後、フッ素導入剤としてフッ素ガスを導入した。室温で0.5時間フッ素ガスと接触させ、フッ素化プロトン伝導性高分子膜として、フッ素化スルホン酸基含有PPSを得た。
【0041】
このフッ素化プロトン伝導性高分子膜のイオン交換容量を次の方法で測定した。約10mm×40mmのフッ素化プロトン伝導性高分子膜を塩化ナトリウム飽和水溶液に浸漬し、ウォーターバス中で60℃、3時間反応させた。室温まで冷却した後、膜をイオン交換水で充分に洗浄し、フェノールフタレイン溶液を指示薬として、0.01Nの水酸化ナトリウム水溶液で滴定し、フッ素化プロトン伝導性高分子膜のイオン交換容量を算出した。結果を表1に示す。
【0042】
さらにこのフッ素化プロトン伝導性高分子膜のプロトン伝導度を次の方法で測定した。イオン交換水中に保管したフッ素化プロトン伝導性高分子膜(10mm×40mm)を取り出し、試験体表面の水をろ紙で拭き取った。電極間距離30mmになるように、試験体表面に電極を設置し、2極非密閉系のテフロン(登録商標)製のセルに設置した。室温下で電圧0.2Vの条件で、交流インピーダンス法(周波数:42Hz〜5MHz)により、試験体の膜抵抗を測定し、プロトン伝導度を算出した。結果を表1に示す。
【0043】
さらにこのフッ素化プロトン伝導性高分子膜の耐酸化性を次の方法で評価した。3重量%の過酸化水素水に、鉄(II)イオンの濃度が4ppmになるように硫酸アンモニウム鉄(II)六水和物を添加し、フェントン試薬を調製した。フェントン試薬20mLに、約50mgのフッ素化プロトン伝導性高分子膜を浸漬し、60℃のウォーターバス中で振とうした。所定時間後の膜特性(膜外観の目視観察、重量、イオン交換容量)を評価した。結果を表2に示す。
【0044】
さらにこのフッ素化プロトン伝導性高分子膜の赤外線吸収スペクトルを全反射吸収測定法により測定した。結果を図1に示す。
【0045】
(比較例1)
フッ素化処理を施さなかった以外は実施例1と同様にしてプロトン伝導性高分子膜を得、同様にして測定した。結果を表1、表2、図2に示す。
【0046】
(実施例2)
塩化メチレンの代わりに1−クロロブタンを使用したこと、および、クロロスルホン酸の添加量を、PPSフィルムの芳香族単位に対して、クロロスルホン酸の量が8当量、さらに、クロロスルホン酸と1−クロロブタンの混合溶液中のクロロスルホン酸濃度は2.0重量%となるようにした以外は、実施例1と同様にした。結果を表1、表2に示す。
【0047】
(実施例3)
フッ素化処理するために反応槽に設置し、窒素ガスで反応槽を充分パージした後、フッ素化導入剤であるフッ素ガス導入前に、スルホン酸基含有PPS膜を90℃−3時間減圧乾燥した以外は実施例2と同様にした。結果を表1、表2に示す。
【0048】
(比較例2)
フッ素化処理を施さなかった以外は実施例2と同様にしてプロトン伝導性高分子膜を得、同様にして測定した。結果を表1、表2に示す。
【0049】
(実施例4)
芳香族高分子化合物からなるフィルムとして、ポリフェニレンサルファイドフィルム(東レ製トレリナ、厚み25μm、以下PPSフィルムと表記)を使用したこと、および、クロロスルホン酸の添加量を、PPSフィルムの芳香族単位に対して、クロロスルホン酸の量が6当量になるように設定したこと、さらに、クロロスルホン酸と1−クロロブタンの混合溶液中のクロロスルホン酸濃度を1.5重量%となるようにしたこと以外は、実施例2と同様にしてフッ素化プロトン伝導性高分子膜を得、同様にして測定した。結果を表1、表2、図3に示す。
【0050】
(実施例5)
フッ素化処理するために反応槽に設置し、窒素ガスで反応槽を充分パージした後、フッ素化導入剤であるフッ素ガス導入前に、スルホン酸基含有PPSフィルムを90℃−3時間減圧乾燥した以外は実施例4と同様にした。結果を表1、表2、図4に示す。
【0051】
(比較例3)
フッ素化処理を施さなかった以外は実施例4と同様にしてプロトン伝導性高分子膜を得、同様にして測定した。結果を表1、表2、図5に示す。
【0052】
(比較例4)
下記方法でプロトン伝導性高分子膜を得て、実施例1と同様に各種測定を実施した。
【0053】
2Lのセパラブルフラスコにポリエーテルスルホン(住友化学製PES−5200P)100gと濃硫酸500mL入れ、30時間攪拌した。次に窒素気流気下でクロロスルホン酸を約1.5時間かけて徐々に滴下し、室温で6時間攪拌した。攪拌後、3Lのイオン交換水中に反応液を徐々に滴下し、生成した沈殿物を回収した。沈殿物を洗浄水が中性になるまで洗浄し、80℃−20時間減圧乾燥し、スルホン化ポリエーテルスルホン(非フッ素化物)を得た。
【0054】
このスルホン化ポリエーテルスルホンの20重量%N−メチル−2−ピロリドン溶液を調製し、ガラス板状に300μmの厚みで塗布した。150℃で15時間減圧乾燥し、プロトン伝導性高分子膜として、厚さ約50μmのスルホン化ポリエーテルスルホン膜(非フッ素化物)を得た。結果を表1、表2に示す。
【0055】
(実施例6)
下記方法でフッ素化プロトン伝導性高分子膜を得た以外は、比較例4と同様にした。
【0056】
比較例4で得られたスルホン化ポリエーテルスルホン(非フッ素化物)2gとパーフルオロエーテル(CF(OCF(CF)CFOCFOCF)300mLとを内容積1000mLのニッケル製反応器に仕込んだ。反応器内にアルゴンガスを充分に通して器内の空気をアルゴンに置換して、温度を70℃に保持しつつ、フッ素ガスを6mL/分の速度で10時間導入した。反応終了後、反応生成物をろ過して回収し、60℃−20時間減圧乾燥してフッ素化したスルホン化ポリエーテルスルホンを得た。このフッ素化したスルホン化ポリエーテルスルホンの20重量%N−メチル−2−ピロリドン溶液を調製し、ガラス板状に300μmの厚みで塗布し、150℃で15時間減圧乾燥し、フッ素化プロトン伝導性高分子膜として、厚さ約50μmのフッ素化したスルホン化ポリエーテルスルホン膜を得た。結果を表1、表2に示す。
【0057】
(実施例7)
下記方法でフッ素化プロトン伝導性高分子膜を得た以外は、比較例4と同様にした。
【0058】
比較例4で得られたスルホン化ポリエーテルスルホン(非フッ素化物)膜2gとパーフルオロエーテル(CF(OCF(CF)CFOCFOCF)300mLとを内容積1000mLのニッケル製反応器に仕込んだ。反応器内にアルゴンガスを充分に通して器内の空気をアルゴンに置換した後、温度を70℃に保持しつつ、フッ素ガスを6mL/分の速度で10時間導入した。反応終了後、膜を回収し、60℃−20時間減圧乾燥し、フッ素化プロトン伝導性高分子膜として、フッ素化したスルホン化ポリエーテルスルホン膜を得た。結果を表1、表2に示す。
【0059】
【表1】
Figure 2004083864
【0060】
【表2】
Figure 2004083864
図1〜5の実施例1と比較例1、実施例4,5と比較例3の比較から、本発明のフッ素化プロトン伝導性高分子膜は、芳香族単位にフッ素化置換したことに由来する1188cm−1付近の吸収が生じ、フッ素化されていることが判る。
【0061】
表1の実施例1と比較例1、実施例2,3と比較例2、実施例4,5と比較例3、実施例6,7と比較例4の比較から、本発明のフッ素化プロトン伝導性高分子膜のプロトン伝導度は比較例のものと同等以上であり、フッ素化によってプロトン伝導性の低下がないことが実証されるとともに、フッ素化によるプロトン伝導度の向上効果も確認される。
【0062】
表1の実施例1と比較例1、実施例2,3と比較例2、実施例4,5と比較例3、実施例6,7と比較例4の比較から、比較例1〜4のプロトン伝導性高分子膜はフェントン試薬浸漬4時間程度で顕著な酸化劣化が生じるのに対し、実施例1〜7の本発明のフッ素化プロトン伝導性高分子膜は、6時間経過時にやや劣化する程度であった。これから、フッ素化によって耐酸性が向上することが明らかとなり、本発明が有効であることが示された。
【0063】
実施例6と7の比較から、実施例6のフッ素化してから膜形状に加工する方法は、フッ素化後の樹脂の回収や洗浄が困難であるのに対し、プロトン伝導性高分子膜を得てからフッ素化する実施例7の方法は、フッ素化後の膜の回収が容易であり、ハンドリングや生産性に優れる方法であることが示唆される。
【0064】
【発明の効果】
本発明のフッ素化プロトン伝導性膜は、高いプロトン伝導度を発現しつつ、優れた耐酸化性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1のフッ素化プロトン伝導性高分子膜の赤外線吸収スペクトル
【図2】比較例1のプロトン伝導性高分子膜の赤外線吸収スペクトル
【図3】実施例4のフッ素化プロトン伝導性高分子膜の赤外線吸収スペクトル
【図4】実施例5のフッ素化プロトン伝導性高分子膜の赤外線吸収スペクトル
【図5】比較例3のプロトン伝導性高分子膜の赤外線吸収スペクトル

Claims (8)

  1. 下記一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜であって、前記芳香族高分子化合物の芳香族単位の少なくとも一部分の原子がフッ素原子で置換されているフッ素化プロトン伝導性高分子膜。
    Figure 2004083864
    [式中、Ar〜Arは、下記(9)〜(18)で表される2価の芳香族単位であって、それぞれ同一または異なる式である。Ar〜Arは、同一または異なる4価の芳香族単位である。X,Y,Zは、それぞれ同一または異なり、−O−,−CO−,−CONH−,−COO−,−S−,−SO−,SO−の群から選択される2価の有機基である。又R〜R12は、それぞれ同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基またはフェニル基である。]
    Figure 2004083864
  2. 芳香族高分子化合物が、下記(A)群から選択される少なくとも1種からなる請求項1記載のフッ素化プロトン伝導性高分子膜。
    (A)群:ポリベンゾオキサゾール(PBO),ポリベンゾチアゾール(PBT),ポリベンゾイミダゾール(PBI),ポリスルホン(PSU),ポリエーテルスルホン(PES),ポリエーテルエーテルスルホン(PEES),ポリアリールエーテルスルホン(PAS),ポリフェニレンスルホン(PPSU),ポリフェニレンオキシド(PPO),ポリフェニレンスルホキシド(PPSO),ポリフェニレンサルファイド(PPS),ポリフェニレンスルフィドスルホン(PPS/SO),ポリパラフェニレン(PPP),ポリエーテルケトン(PEK),ポリエーテルエーテルケトン(PEEK),ポリエーテルケトンケトン(PEKK),ポリイミド(PI)
  3. プロトン伝導性置換基がスルホン酸基である請求項1または2のいずれかに記載のフッ素化プロトン伝導性高分子膜。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のフッ素化プロトン伝導性高分子膜を電解質膜とする燃料電池。
  5. 下記一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物とプロトン伝導性置換基からなるプロトン伝導性高分子膜とフッ素導入剤を接触させるフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法。
    Figure 2004083864
    [式中、Ar〜Arは、(9)〜(18)で表される2価の芳香族単位であって、それぞれ同一または異なる式である。Ar〜Arは、同一または異なる4価の芳香族単位である。X,Y,Zは、それぞれ同一または異なり、−O−,−CO−,−CONH−,−COO−,−S−,−SO−,SO−の群から選択される2価の有機基である。R〜R12は、それぞれ同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基またはフェニル基である。]
    Figure 2004083864
  6. 下記一般式(1)〜(8)の群から選択される少なくとも1種の繰り返し単位からなる芳香族高分子化合物からなる高分子フィルムとフッ素導入剤とを接触させてフッ素化高分子フィルムを得た後、プロトン伝導性置換基を導入するフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法。
    Figure 2004083864
    [式中、Ar〜Arは、(9)〜(18)で表される2価の芳香族単位であって、それぞれ同一または異なる式である。Ar〜Arは、同一または異なる4価の芳香族単位である。X,Y,Zは、それぞれ同一または異なり、−O−,−CO−,−CONH−,−COO−,−S−,−SO−,SO−の群から選択される2価の有機基である。R〜R12は、それぞれ同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、アリル基、アリール基またはフェニル基である。]
    Figure 2004083864
  7. 芳香族高分子化合物が、下記(A)群から選択される少なくとも1種からなる請求項5または6のいずれかに記載のフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法。
    (A)群:ポリベンゾオキサゾール(PBO),ポリベンゾチアゾール(PBT),ポリベンゾイミダゾール(PBI),ポリスルホン(PSU),ポリエーテルスルホン(PES),ポリエーテルエーテルスルホン(PEES),ポリアリールエーテルスルホン(PAS),ポリフェニレンスルホン(PPSU),ポリフェニレンオキシド(PPO),ポリフェニレンスルホキシド(PPSO),ポリフェニレンサルファイド(PPS),ポリフェニレンスルフィドスルホン(PPS/SO),ポリパラフェニレン(PPP),ポリエーテルケトン(PEK),ポリエーテルエーテルケトン(PEEK),ポリエーテルケトンケトン(PEKK),ポリイミド(PI)
  8. プロトン伝導性置換基がスルホン酸基である請求項5〜7のいずれかに記載のフッ素化プロトン伝導性高分子膜の製造方法。
JP2003174422A 2002-06-25 2003-06-19 フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法 Pending JP2004083864A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003174422A JP2004083864A (ja) 2002-06-25 2003-06-19 フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002184080 2002-06-25
JP2003174422A JP2004083864A (ja) 2002-06-25 2003-06-19 フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004083864A true JP2004083864A (ja) 2004-03-18

Family

ID=32071596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003174422A Pending JP2004083864A (ja) 2002-06-25 2003-06-19 フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004083864A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005307025A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Kaneka Corp 高分子電解質膜および高分子電解質膜の製造方法
JP2008180693A (ja) * 2006-12-28 2008-08-07 Toyota Motor Corp 高分子電解質膜の検査方法
JP2008226835A (ja) * 2007-02-19 2008-09-25 Gm Global Technology Operations Inc ポリ電解質膜のフッ素処理
WO2018190644A1 (ko) * 2017-04-14 2018-10-18 주식회사 엘지화학 고분자 고체 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20180116145A (ko) * 2017-04-14 2018-10-24 주식회사 엘지화학 고분자 고체 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005307025A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Kaneka Corp 高分子電解質膜および高分子電解質膜の製造方法
JP2008180693A (ja) * 2006-12-28 2008-08-07 Toyota Motor Corp 高分子電解質膜の検査方法
JP2008226835A (ja) * 2007-02-19 2008-09-25 Gm Global Technology Operations Inc ポリ電解質膜のフッ素処理
WO2018190644A1 (ko) * 2017-04-14 2018-10-18 주식회사 엘지화학 고분자 고체 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20180116145A (ko) * 2017-04-14 2018-10-24 주식회사 엘지화학 고분자 고체 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
EP3509153A4 (en) * 2017-04-14 2019-07-10 LG Chem, Ltd. SOLID POLYMER ELECTROLYTE AND LITHIUM SECONDARY BATTERY COMPRISING SAME
CN110100346A (zh) * 2017-04-14 2019-08-06 株式会社Lg化学 聚合物固体电解质和包含其的锂二次电池
JP2019530166A (ja) * 2017-04-14 2019-10-17 エルジー・ケム・リミテッド 高分子固体電解質及びこれを含むリチウム二次電池
KR102081773B1 (ko) * 2017-04-14 2020-02-26 주식회사 엘지화학 고분자 고체 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
CN110100346B (zh) * 2017-04-14 2022-06-03 株式会社Lg新能源 聚合物固体电解质和包含其的锂二次电池
US11710851B2 (en) 2017-04-14 2023-07-25 Lg Energy Solution, Ltd. Polymeric solid electrolyte and lithium secondary battery comprising same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100971640B1 (ko) 고체 고분자형 연료 전지용 전해질막, 그 제조 방법 및고체 고분자형 연료 전지용 막전극 접합체
KR100806416B1 (ko) 산 관능성 플루오로 중합체 막 및 그의 제조 방법
US7807759B2 (en) Branched and sulphonated multi block copolymer and electrolyte membrane using the same
Han et al. Cross-linked sulfonated poly (ether ether ketone) membranes formed by poly (2, 5-benzimidazole)-grafted graphene oxide as a novel cross-linker for direct methanol fuel cell applications
WO2006006357A1 (ja) 固体高分子型燃料電池用電解質膜、その製造方法及び固体高分子型燃料電池用膜電極接合体
KR101382126B1 (ko) 고분자 전해질 막, 수전해 장치, 연료 전지 및 이를 포함하는 연료 전지 시스템
JP2003288916A (ja) 直接アルコール形燃料電池膜およびその製法
KR20120108611A (ko) 술폰산기가 도입된 디페닐플루오렌기를 포함하는 수소이온 전도성 공중합체, 그의 제조방법, 그로부터 제조된 고분자 전해질 막, 이를 이용한 막-전극 접합체 및 이를 채용한 고분자 전해질 막 연료전지
KR100964238B1 (ko) 고분자 전해질 막, 수전해 장치, 연료 전지 및 이를포함하는 연료 전지 시스템
KR20140097255A (ko) 레독스 플로우 이차 전지 및 레독스 플로우 이차 전지용 전해질막
EP1519435A1 (en) Polymeric laminates, processes for producing the same, and use thereof
JP2004083864A (ja) フッ素化プロトン伝導性高分子膜およびその製造方法
JP2004083663A (ja) 高耐久高分子電解質及びその製造方法
JP5028736B2 (ja) 高分子電解質材、ならびにそれを用いた高分子電解質膜、膜電極複合体および高分子電解質型燃料電池
KR101827728B1 (ko) 셀룰로오스를 포함하는 고분자 전해질 막, 이를 이용한 수전해 장치, 연료 전지 및 연료 전지 시스템
JP4063596B2 (ja) プロトン伝導性高分子化合物およびプロトン伝導性高分子膜
EP2009724B1 (en) Method for producing polymer electrolyte membrane, polymer electrolyte membrane and direct methanol fuel cell
JP4720091B2 (ja) イオン交換膜
JP2003346815A (ja) 膜電極接合体、及びその製造方法
JP5168900B2 (ja) 高分子電解質膜及びその製造方法
JP2003068327A (ja) 燃料電池用膜
JP5590568B2 (ja) ブロック共重合体、およびその利用
JP5151051B2 (ja) 高分子電解質材料、ならびにそれを用いた高分子電解質部品、膜電極複合体および高分子電解質型燃料電池
JP2004002794A (ja) スルホン化高分子膜及びその製造方法
JP4729857B2 (ja) イオン交換膜

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060425

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081111

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090310