JP2004082018A - チップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】溶剤置換を不要として作業環境を改善し、リードタイムの短縮、省力化を図り、さらに乾燥後のチップ電子部品の汚れ（シミ）低減を図る。
【解決手段】チップ電子部品を穴あき容器１０に収容して超音波洗浄する超音波洗浄部２と、超音波洗浄終了後に、穴あき容器１０に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴及び熱風乾燥を行う脱水乾燥部３と、該脱水除滴及び熱風乾燥を終了したチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却部４とを備える。前記超音波洗浄部２では洗浄水の電導度が一定値、例えば２μＳ／ｃｍを超えないように制御する。
【選択図】 図１
【解決手段】チップ電子部品を穴あき容器１０に収容して超音波洗浄する超音波洗浄部２と、超音波洗浄終了後に、穴あき容器１０に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴及び熱風乾燥を行う脱水乾燥部３と、該脱水除滴及び熱風乾燥を終了したチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却部４とを備える。前記超音波洗浄部２では洗浄水の電導度が一定値、例えば２μＳ／ｃｍを超えないように制御する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置に係り、とくに電気メッキ後の積層チップ電子部品等の洗浄、乾燥後の汚れ（シミ）を防止し、省力化を図った洗浄乾燥方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気メッキ後のチップ電子部品の作業フローは、メディア分離後のチップ電子部品の超音波洗浄、水切り、アルコール置換（アルコール液中にチップ電子部品を浸漬する）、液切り、送風乾燥の順に行うようになっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の作業フローは、溶剤置換（アルコール置換）作業工程があるため、作業環境に問題があった。また、アルコール置換を行っても乾燥後のチップ電子部品に汚れ（シミ）が残る場合があった。さらに、リードタイムも長くなる問題があった。
【０００４】
公知技術としては、薬液洗浄と水洗浄の両方を行うものとして特開２００１−２９９０３号公報等がある。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑み、溶剤置換を不要として作業環境を改善し、リードタイムの短縮、省力化を図り、さらに乾燥後のチップ電子部品の汚れ（シミ）低減を図ることが可能な洗浄乾燥方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、チップ電子部品を穴あき容器に収容して超音波洗浄する超音波洗浄工程と、該超音波洗浄工程終了後に、前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴を行う脱水除滴工程と、該脱水除滴工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を熱風により乾燥する熱風乾燥工程と、該熱風乾燥工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却工程とを備えることを特徴としている。
【０００８】
本願請求項２の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、請求項１において、前記超音波洗浄工程では洗浄水の電導度が２μＳ／ｃｍを超えないように制御することを特徴としている。
【０００９】
本願請求項３の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、チップ電子部品を穴あき容器に収容して洗浄する洗浄工程と、該洗浄工程終了後に、前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴を行う脱水除滴工程と、該脱水除滴工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を熱風により乾燥する熱風乾燥工程と、該熱風乾燥工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却工程とを備え、
前記脱水除滴工程では、前記穴あき容器の底面に対応する吸引筒を一体に有する第１の載置板と、上部に開口を持つ第１の筒状カバー本体及び該第１の筒状カバー本体の内側に設けられた第１の邪魔板を有する第１のカバーとを用い、前記第１の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第１の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を閉じた状態として前記吸引筒より空気吸引することを特徴としている。
【００１０】
本願請求項４の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、請求項３において、前記熱風乾燥工程では、前記第１の載置板と前記第１のカバーとを引き続き用い、前記吸引筒より空気吸引を行うとともに前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給し、その後、前記吸引筒よりの空気吸引を停止するとともに前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を開いた状態として前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給することを特徴としている。
【００１１】
本願請求項５の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、請求項３又は４において、前記乾燥冷却工程では、前記穴あき容器の底面を支持する第２の載置板と、上部に開口を持つ第２の筒状カバー本体及び該第２の筒状カバー本体の内側に設けられた第２の邪魔板を有する第２のカバーとを用い、前記第２の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第２の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第２の筒状カバー本体の下縁と前記第２の載置板間に隙間を設けた状態にて前記第２の筒状カバー本体の開口に空気を供給することを特徴としている。
【００１２】
本願請求項６の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥装置は、チップ電子部品を穴あき容器に収容して洗浄する洗浄部と、
前記穴あき容器の底面に対応する吸引筒を一体に有する第１の載置板と、上部に開口を持つ第１の筒状カバー本体及び該第１の筒状カバー本体の内側に設けられた第１の邪魔板を有する第１のカバーとを具備する脱水乾燥部とを備え、
前記脱水乾燥部では、前記第１の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第１の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を閉じた状態で前記吸引筒より空気吸引して脱水除滴し、また、前記脱水除滴後に前記吸引筒より空気吸引を行うとともに前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給して第１段階の熱風乾燥を行い、その後、前記吸引筒よりの空気吸引を停止するとともに前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を開いた状態で前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給して第２段階の熱風乾燥を行うことを特徴としている。
【００１３】
本願請求項７の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥装置は、請求項６において、前記穴あき容器の底面を支持する第２の載置板と、上部に開口を持つ第２の筒状カバー本体及び該第２の筒状カバー本体の内側に設けられた第２の邪魔板を有する第２のカバーとを具備する乾燥冷却部をさらに備え、
前記第２の筒状カバー本体の開口から空気を供給して乾燥冷却することを特徴としている。
【００１４】
本願請求項８の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥装置は、請求項６又は７において、前記洗浄部が、前記穴あき容器を浸す超音波洗浄槽を有する超音波洗浄部であり、前記超音波洗浄槽の洗浄水の電導度が一定値を超えないように制御することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１６】
図１は本発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置の実施の形態の全体構成を示す正断面図、図２は実施の形態における超音波洗浄部の構成を示す正断面図、図３乃至図５は実施の形態における脱水乾燥部の動作説明図、及び図６は乾燥冷却部の動作説明図である。
【００１７】
図１のように、実施の形態の装置フレーム６内には、チップ電子部品投入部１、超音波洗浄部２、脱水乾燥部３、乾燥冷却部４及び取出部５がライン状に設置され、チップ電子部品を多数収容した穴あき容器１０が搬送手段（フレーム６側に設けたトランスファ機構）よってチップ電子部品投入部１から取出部５に向けて各部間を順次間欠搬送されるようになっている。
【００１８】
前記穴あき容器１０は上面が開口したステンレス製であって、収容するチップ電子部品が外部に脱落しないような小穴が側面及び底面に多数形成されたものである。穴径は収容するチップ電子部品に対応して決められ、例えば穴径０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ等に設定する。
【００１９】
チップ電子部品投入部１は水又はお湯を満たした浸漬槽２０を装置フレーム６側に固定した構造を有し、浸漬槽２０にチップ電子部品を多数収容した穴あき容器１０ごと入れてチップ電子部品を浸漬槽２０内の水又はお湯に浸し、汚れの付着した状態でのチップ電子部品の乾燥を防ぐ（シミ発生対策）。
【００２０】
図２のように、超音波洗浄部２は、洗浄水としての温水（純水）が供給される超音波洗浄槽３０と、超音波洗浄槽３０の外側底面に設けられる超音波振動子３１と、超音波洗浄槽３０から溢れた温水を受ける受け槽３３と、超音波洗浄槽３０内の温水の電導度を測定する電導度測定器３８を有している。超音波洗浄槽３０及び受け槽３３は装置フレーム６側に固定されている。また、図１のように装置フレーム６の下部に超音波振動子３１を駆動する超音波発振機３２が設置されている。超音波洗浄槽３０に温水を供給するために、温水タンク（温水器）４５及びその温水タンク４５から温水を汲み上げて超音波洗浄槽３０に供給するポンプ４６が装置フレーム６の下部に設けられている。
【００２１】
また、図１のように濯ぎ用シャワー手段３４が超音波洗浄槽３０の上側を覆う筒状カバー３５の内側に設けられている。カバー３５は昇降スライダ３６に取り付けられ、昇降スライダ３６は昇降手段３７により昇降駆動される。昇降手段３７は、例えば上下のスプロケット４０，４１間にチェーン４２を巻き掛け、上側のスプロケット４０をモーター４３で回転駆動して昇降スライダ３６に一部が固定されたチェーン４２を走行させ、昇降スライダ３６を昇降駆動するものである。なお、濯ぎ用シャワー手段３４はカバー３５と一体的に昇降する。
【００２２】
図３乃至図５のように、脱水乾燥部３は、穴あき容器１０の底面に対応する吸引筒５１を一体に有する載置板５０と、上部に開口６２を持つ筒状カバー本体６１及び該筒状カバー本体６１の内側に設けられた邪魔板（遮蔽板）６３を有するカバー６０とを具備している。
【００２３】
前記載置板５０は穴あき容器１０の底面に対応する開口５２（吸引筒５１の上部開口となる）を有していて、容器１０の底面外縁部を開口５２の周縁部のパッキン（シリコンゴム等）５６で気密に支えるものであり、開口５２に連通するように吸引筒５１が載置板５０に一体化されている。これらの載置板５０及び吸引筒５１は図１の装置フレーム６側に固定であり、吸引筒５１の下端は空気吸引機５５にパイプで連結されている。吸引筒５１はテーパー状に細くなっていて、水滴が溜まりにくい形状である。また、載置板５０の外縁部のカバー本体６１に対面する位置には気密シールのためにシリコンゴム等のパッキン５３が一体化されている。
【００２４】
一方、図１のように、カバー６０（筒状カバー本体６１及び邪魔板６３）は昇降スライダ６６に取り付けられ、昇降スライダ６６は昇降手段６７により昇降駆動される。昇降手段６７は前述した昇降手段３７と同様の機構である。筒状カバー本体６１の上部開口６２には蛇腹パイプ６４等を介して装置フレーム６下部の熱風発生機６５から熱風が供給されるようになっている。
【００２５】
図６のように、乾燥冷却部４は、穴あき容器１０の底面を支持する載置板７０と、上部に開口８２を持つ筒状カバー本体８１及びこの内側に設けられた邪魔板（遮蔽板）８３を有するカバー８０とを具備している。載置板７０は図１の装置フレーム６側に固定である。また、図１のように、カバー８０（筒状カバー本体８１及び邪魔板８３）は昇降スライダ８６に取り付けられ、昇降スライダ８６は昇降手段８７により昇降駆動される。昇降手段８７は前述した昇降手段３７と同様の機構である。筒状カバー本体８１の上部開口８２には蛇腹パイプ８４等を介して装置フレーム６下部の送風機８５から空気（常温）が供給されるようになっている。
【００２６】
図１の取出部５は洗浄及び乾燥処理が終了した穴あき容器１０を一時的に載置して置く位置であり、穴あき容器１０の支持手段９０が設けられている。
【００２７】
次に、この実施の形態の全体的動作説明を行う。
【００２８】
まず、チップ電子部品投入部１にチップ電子部品を多数収容した穴あき容器１０を載置する。つまり、水又はお湯を満たした浸漬槽２０にチップ電子部品を収容した穴あき容器１０ごと入れてチップ電子部品を浸漬槽２０内の水又はお湯に浸し、汚れの付着した状態でのチップ電子部品の乾燥を防いで、シミ発生防止を図る。
【００２９】
次に、トランスファ機構によりチップ電子部品投入部１の穴あき容器１０は超音波洗浄部２に移送される。その際、図１のカバー３５は容器１０の移送の妨げにならないように一旦上昇位置となり、移送後に図示の下降位置となる。この超音波洗浄部２における超音波洗浄工程では、超音波洗浄槽３０内にチップ電子部品を収容した穴あき容器１０ごと入れてチップ電子部品を超音波洗浄槽３０内の温水に浸しかつ超音波を放射することでチップ電子部品を超音波洗浄する。このとき、超音波洗浄槽３０には純水の温水を供給するが、洗浄を継続すると超音波洗浄槽３０内の温水が汚れるため、電導度測定器３８にて超音波洗浄槽３０内の温水の電導度を連続的に測定することで、温水の電導度を管理し、電導度が２μＳ（ジーメンス）／ｃｍ近くの値を超えない範囲で新たに純水の温水を超音波洗浄槽３０に毎分１〜２リットル程度供給し、電導度を２μＳ／ｃｍ以下に制御する。その温水の供給はオーバーフロー式とし、超音波洗浄槽３０から溢れた温水は受け槽３３で受けて排出する。この超音波洗浄時間は１０分以内の適切な時間に設定する。
【００３０】
ここで、超音波洗浄工程において温水（例えば６５〜８０℃）を使用するのは、チップ電子部品の乾燥前の予熱の目的もあり、水温が低いと短時間には乾燥できず、シミが発生し易くなる。但し、チップ製品の一部には、常温の純水で洗浄するのが好ましいものもあり、このときは常温の純水を用いる。
【００３１】
超音波洗浄終了後、チップ電子部品を収容した穴あき容器１０をトランスファ機構で超音波洗浄槽３０から引き上げた状態とし、かつカバー３５及び濯ぎ用シャワー手段３４の位置もそれに合わせて上昇位置としてから、濯ぎのための純水を濯ぎ用シャワー手段３４から容器１０内のチップ電子部品に数１０秒間かける（流量は毎分１〜２リットル程度）。
【００３２】
超音波洗浄及びその後の濯ぎシャワーが終わったチップ電子部品を収容した穴あき容器１０はトランスファ機構により脱水乾燥部３に移送される。その際、カバー６０は容器１０の移送の妨げにならないように一旦上昇位置となり、移送後に図示の下降位置となる。
【００３３】
脱水乾燥部３では、まず図３の状態において脱水除滴工程を行う。すなわち、チップ電子部品を収容した穴あき容器１０は載置板５０上に載置され、容器１０の底面外縁部が載置板５０に形成した開口５２の周縁部で支えられている（パッキン５６で気密シールされている）。また、載置板５０側のパッキン５３にカバー本体６１の下縁が当接して載置板５０とカバー６０との間を気密に閉じ、隙間が生じないようにする。そして、開口５２に連通する吸引筒５１の下端側をパイプを介して空気吸引機５５で吸引する。このときカバー本体６１の上部開口６２からは常温の空気が取り入れられる。吸引圧力は例えば２ｋｐａで、吸引時間は数１０秒である。穴あき容器１０は上面に開口しているが、邪魔板６３が容器上方に位置することで乱流を発生し、穴あき容器１０の上から下に抜ける空気流とともに穴あき容器１０の側面から底面下方に抜ける空気流を発生させることができ、穴あき容器１０内のチップ電子部品に付着した水滴、水分を空気吸引機５５で効果的に除去できる。水滴が残った状態で乾燥を始めるとシミが発生し易いが、この脱水除滴工程を実行することでシミ発生の防止を図っている。
【００３４】
次に、図４のように、そのままの脱水乾燥部３の位置にて、吸引筒５１の下端側を空気吸引機５５で吸引しながら、カバー本体６１の上部開口６２より熱風を熱風発生器６５から供給して第１段階の熱風乾燥工程を実行する。このとき、図３と同様に載置板５０とカバー６０との間は気密に閉じている。熱風温度は９０±１０℃、風量は数ｍ３／分程度であり、吸引乾燥時間は数分である。上部開口６２からカバー６０内に入った熱風は、邪魔板６３があるため乱流となり、穴あき容器１０の全面に熱風が当たり、乾燥を促進する。
【００３５】
それから、図５のように、そのままの脱水乾燥部３の位置にて、吸引筒５１からの空気吸引は停止し、載置板５０からカバー６０を浮かせ、載置板５０とカバー本体６１の下縁との間に１０〜２０ｍｍの隙間を設けてから、カバー本体６１の上部開口６２より熱風を熱風発生器６５から供給することで第２段階の熱風乾燥工程を実行する。ここで、カバー６０を載置板５０から浮かせる目的は、カバー６０内の熱風の流れを良くし、穴あき容器１０の穴に表面張力で付着している水滴等を除去しやすくするためである（とくに容器側面に効果がある）。また、吸引を併用すると熱風の通り道が一定してしまい、乾燥しきれない箇所が発生するが、カバー６０を浮かせたことで、吸引時とは熱風の通り方が異なるようになり、穴あき容器１０内のチップ電子部品をまんべんなく乾燥することが可能になる。穴あき容器１０内に収容するチップ電子部品はその大きさにかかわらず容器底面より高さ２０ｍｍ位まで乾燥させ得る。なお、熱風温度及び風量は第１段階の熱風乾燥工程と同様である。
【００３６】
上記第２段階の熱風乾燥工程が終わったチップ電子部品を収容した穴あき容器１０は、脱水乾燥部３からトランスファ機構により乾燥冷却部４に移送される。その際、カバー８０は容器１０の移送の妨げにならないように一旦上昇位置となり、移送後に図示の下降位置となる。この乾燥冷却部４では乾燥冷却工程を実行する。すなわち、図６のように、載置板７０上にチップ電子部品を収容した穴あき容器１０が載置され、邪魔板８３が穴あき容器１０の上部開口の上方位置となるようにし、筒状カバー本体８１の下縁と載置板７０間に隙間を設けた状態にて筒状カバー本体８１の上部開口８２に送風機８５から常温空気を供給（送風）する。この場合も、カバー８０内に送り込まれた空気は、邪魔板８３があるため乱流となって穴あき容器１０の上方及び側面に当たり、チップ電子部品を乾燥、冷却する。送風温度は１０〜４０℃であり、送風時間は数１０秒〜数分である。風量は数ｍ３／分程度である。
【００３７】
乾燥冷却部４における乾燥冷却工程の終了した穴あき容器１０は取出部５にトランスファ機構で移送される。
【００３８】
この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００３９】
（１） 電気メッキ後の積層チップ電子部品等の洗浄、乾燥後の汚れ（シミ）を低減できる。
【００４０】
（２） 従来の洗浄、乾燥方法で行っていた溶剤置換（ソルミックス）作業が不要になり、作業環境を改善できる。
【００４１】
（３） 脱水乾燥部３及び乾燥冷却部４の構成を工夫したことにより、洗浄乾燥工程の省力化を図ることができる。
【００４２】
（４） 脱水乾燥部３の位置でチップ電子部品を収容した穴あき容器１０を移し替えることなく、脱水除滴、熱風乾燥を行うことができる。
【００４３】
（５） チップ電子部品を収容した穴あき容器１０をチップ電子部品投入部１、超音波洗浄部２、脱水乾燥部３、乾燥冷却部４の順にトランスファ機構により移送して行けば良く、工程数も少なくリードタイム短縮を図ることができる。
【００４４】
（６） 超音波洗浄部２では洗浄水の電導度が一定値を超えないように管理することにより、超音波洗浄を常時良好な条件で実行でき、この点でもシミの低減を図り得る。
【００４５】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電気メッキ後のチップ電子部品の洗浄、乾燥後のシミ低減を図ることができ、さらに、洗浄乾燥作業の省力化、溶剤置換を無くすことによる作業環境改善、リードタイム短縮を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置の実施の形態の全体構成を示す正断面図である。
【図２】実施の形態における超音波洗浄部の構成を示す正断面図である。
【図３】実施の形態において、脱水乾燥部が脱水除滴工程を実行するときの動作説明図である。
【図４】実施の形態において、脱水乾燥部が第１段階の熱風乾燥工程を実行するときの動作説明図である。
【図５】実施の形態において、脱水乾燥部が第２段階の熱風乾燥工程を実行するときの動作説明図である。
【図６】実施の形態における乾燥冷却部の動作説明図である。
【符号の説明】
１ チップ電子部品投入部
２ 超音波洗浄部
３ 脱水乾燥部
４ 乾燥冷却部
５ 取出部
６ 装置フレーム
１０ 穴あき容器
２０ 浸漬槽
３０ 超音波洗浄槽
３１ 超音波振動子
３２ 超音波発振機
３３ 受け槽
３４ 濯ぎ用シャワー手段
３５，６０，８０ カバー
３６，６６，８６ 昇降スライダ
３７，６７，８７ 昇降手段
３８ 電導度測定器
４０，４１ スプロケット
４２ チェーン
４３ モーター
５０，７０ 載置板
５１ 吸引筒
５２，６２，８２ 開口
５３，５６ パッキン
５５ 空気吸引機
６１，８１ カバー本体
６３，８３ 邪魔板
６５ 熱風発生器
８５ 送風機
９０ 支持手段
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置に係り、とくに電気メッキ後の積層チップ電子部品等の洗浄、乾燥後の汚れ（シミ）を防止し、省力化を図った洗浄乾燥方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気メッキ後のチップ電子部品の作業フローは、メディア分離後のチップ電子部品の超音波洗浄、水切り、アルコール置換（アルコール液中にチップ電子部品を浸漬する）、液切り、送風乾燥の順に行うようになっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の作業フローは、溶剤置換（アルコール置換）作業工程があるため、作業環境に問題があった。また、アルコール置換を行っても乾燥後のチップ電子部品に汚れ（シミ）が残る場合があった。さらに、リードタイムも長くなる問題があった。
【０００４】
公知技術としては、薬液洗浄と水洗浄の両方を行うものとして特開２００１−２９９０３号公報等がある。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑み、溶剤置換を不要として作業環境を改善し、リードタイムの短縮、省力化を図り、さらに乾燥後のチップ電子部品の汚れ（シミ）低減を図ることが可能な洗浄乾燥方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、チップ電子部品を穴あき容器に収容して超音波洗浄する超音波洗浄工程と、該超音波洗浄工程終了後に、前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴を行う脱水除滴工程と、該脱水除滴工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を熱風により乾燥する熱風乾燥工程と、該熱風乾燥工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却工程とを備えることを特徴としている。
【０００８】
本願請求項２の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、請求項１において、前記超音波洗浄工程では洗浄水の電導度が２μＳ／ｃｍを超えないように制御することを特徴としている。
【０００９】
本願請求項３の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、チップ電子部品を穴あき容器に収容して洗浄する洗浄工程と、該洗浄工程終了後に、前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴を行う脱水除滴工程と、該脱水除滴工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を熱風により乾燥する熱風乾燥工程と、該熱風乾燥工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却工程とを備え、
前記脱水除滴工程では、前記穴あき容器の底面に対応する吸引筒を一体に有する第１の載置板と、上部に開口を持つ第１の筒状カバー本体及び該第１の筒状カバー本体の内側に設けられた第１の邪魔板を有する第１のカバーとを用い、前記第１の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第１の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を閉じた状態として前記吸引筒より空気吸引することを特徴としている。
【００１０】
本願請求項４の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、請求項３において、前記熱風乾燥工程では、前記第１の載置板と前記第１のカバーとを引き続き用い、前記吸引筒より空気吸引を行うとともに前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給し、その後、前記吸引筒よりの空気吸引を停止するとともに前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を開いた状態として前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給することを特徴としている。
【００１１】
本願請求項５の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法は、請求項３又は４において、前記乾燥冷却工程では、前記穴あき容器の底面を支持する第２の載置板と、上部に開口を持つ第２の筒状カバー本体及び該第２の筒状カバー本体の内側に設けられた第２の邪魔板を有する第２のカバーとを用い、前記第２の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第２の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第２の筒状カバー本体の下縁と前記第２の載置板間に隙間を設けた状態にて前記第２の筒状カバー本体の開口に空気を供給することを特徴としている。
【００１２】
本願請求項６の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥装置は、チップ電子部品を穴あき容器に収容して洗浄する洗浄部と、
前記穴あき容器の底面に対応する吸引筒を一体に有する第１の載置板と、上部に開口を持つ第１の筒状カバー本体及び該第１の筒状カバー本体の内側に設けられた第１の邪魔板を有する第１のカバーとを具備する脱水乾燥部とを備え、
前記脱水乾燥部では、前記第１の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第１の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を閉じた状態で前記吸引筒より空気吸引して脱水除滴し、また、前記脱水除滴後に前記吸引筒より空気吸引を行うとともに前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給して第１段階の熱風乾燥を行い、その後、前記吸引筒よりの空気吸引を停止するとともに前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を開いた状態で前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給して第２段階の熱風乾燥を行うことを特徴としている。
【００１３】
本願請求項７の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥装置は、請求項６において、前記穴あき容器の底面を支持する第２の載置板と、上部に開口を持つ第２の筒状カバー本体及び該第２の筒状カバー本体の内側に設けられた第２の邪魔板を有する第２のカバーとを具備する乾燥冷却部をさらに備え、
前記第２の筒状カバー本体の開口から空気を供給して乾燥冷却することを特徴としている。
【００１４】
本願請求項８の発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥装置は、請求項６又は７において、前記洗浄部が、前記穴あき容器を浸す超音波洗浄槽を有する超音波洗浄部であり、前記超音波洗浄槽の洗浄水の電導度が一定値を超えないように制御することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１６】
図１は本発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置の実施の形態の全体構成を示す正断面図、図２は実施の形態における超音波洗浄部の構成を示す正断面図、図３乃至図５は実施の形態における脱水乾燥部の動作説明図、及び図６は乾燥冷却部の動作説明図である。
【００１７】
図１のように、実施の形態の装置フレーム６内には、チップ電子部品投入部１、超音波洗浄部２、脱水乾燥部３、乾燥冷却部４及び取出部５がライン状に設置され、チップ電子部品を多数収容した穴あき容器１０が搬送手段（フレーム６側に設けたトランスファ機構）よってチップ電子部品投入部１から取出部５に向けて各部間を順次間欠搬送されるようになっている。
【００１８】
前記穴あき容器１０は上面が開口したステンレス製であって、収容するチップ電子部品が外部に脱落しないような小穴が側面及び底面に多数形成されたものである。穴径は収容するチップ電子部品に対応して決められ、例えば穴径０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ等に設定する。
【００１９】
チップ電子部品投入部１は水又はお湯を満たした浸漬槽２０を装置フレーム６側に固定した構造を有し、浸漬槽２０にチップ電子部品を多数収容した穴あき容器１０ごと入れてチップ電子部品を浸漬槽２０内の水又はお湯に浸し、汚れの付着した状態でのチップ電子部品の乾燥を防ぐ（シミ発生対策）。
【００２０】
図２のように、超音波洗浄部２は、洗浄水としての温水（純水）が供給される超音波洗浄槽３０と、超音波洗浄槽３０の外側底面に設けられる超音波振動子３１と、超音波洗浄槽３０から溢れた温水を受ける受け槽３３と、超音波洗浄槽３０内の温水の電導度を測定する電導度測定器３８を有している。超音波洗浄槽３０及び受け槽３３は装置フレーム６側に固定されている。また、図１のように装置フレーム６の下部に超音波振動子３１を駆動する超音波発振機３２が設置されている。超音波洗浄槽３０に温水を供給するために、温水タンク（温水器）４５及びその温水タンク４５から温水を汲み上げて超音波洗浄槽３０に供給するポンプ４６が装置フレーム６の下部に設けられている。
【００２１】
また、図１のように濯ぎ用シャワー手段３４が超音波洗浄槽３０の上側を覆う筒状カバー３５の内側に設けられている。カバー３５は昇降スライダ３６に取り付けられ、昇降スライダ３６は昇降手段３７により昇降駆動される。昇降手段３７は、例えば上下のスプロケット４０，４１間にチェーン４２を巻き掛け、上側のスプロケット４０をモーター４３で回転駆動して昇降スライダ３６に一部が固定されたチェーン４２を走行させ、昇降スライダ３６を昇降駆動するものである。なお、濯ぎ用シャワー手段３４はカバー３５と一体的に昇降する。
【００２２】
図３乃至図５のように、脱水乾燥部３は、穴あき容器１０の底面に対応する吸引筒５１を一体に有する載置板５０と、上部に開口６２を持つ筒状カバー本体６１及び該筒状カバー本体６１の内側に設けられた邪魔板（遮蔽板）６３を有するカバー６０とを具備している。
【００２３】
前記載置板５０は穴あき容器１０の底面に対応する開口５２（吸引筒５１の上部開口となる）を有していて、容器１０の底面外縁部を開口５２の周縁部のパッキン（シリコンゴム等）５６で気密に支えるものであり、開口５２に連通するように吸引筒５１が載置板５０に一体化されている。これらの載置板５０及び吸引筒５１は図１の装置フレーム６側に固定であり、吸引筒５１の下端は空気吸引機５５にパイプで連結されている。吸引筒５１はテーパー状に細くなっていて、水滴が溜まりにくい形状である。また、載置板５０の外縁部のカバー本体６１に対面する位置には気密シールのためにシリコンゴム等のパッキン５３が一体化されている。
【００２４】
一方、図１のように、カバー６０（筒状カバー本体６１及び邪魔板６３）は昇降スライダ６６に取り付けられ、昇降スライダ６６は昇降手段６７により昇降駆動される。昇降手段６７は前述した昇降手段３７と同様の機構である。筒状カバー本体６１の上部開口６２には蛇腹パイプ６４等を介して装置フレーム６下部の熱風発生機６５から熱風が供給されるようになっている。
【００２５】
図６のように、乾燥冷却部４は、穴あき容器１０の底面を支持する載置板７０と、上部に開口８２を持つ筒状カバー本体８１及びこの内側に設けられた邪魔板（遮蔽板）８３を有するカバー８０とを具備している。載置板７０は図１の装置フレーム６側に固定である。また、図１のように、カバー８０（筒状カバー本体８１及び邪魔板８３）は昇降スライダ８６に取り付けられ、昇降スライダ８６は昇降手段８７により昇降駆動される。昇降手段８７は前述した昇降手段３７と同様の機構である。筒状カバー本体８１の上部開口８２には蛇腹パイプ８４等を介して装置フレーム６下部の送風機８５から空気（常温）が供給されるようになっている。
【００２６】
図１の取出部５は洗浄及び乾燥処理が終了した穴あき容器１０を一時的に載置して置く位置であり、穴あき容器１０の支持手段９０が設けられている。
【００２７】
次に、この実施の形態の全体的動作説明を行う。
【００２８】
まず、チップ電子部品投入部１にチップ電子部品を多数収容した穴あき容器１０を載置する。つまり、水又はお湯を満たした浸漬槽２０にチップ電子部品を収容した穴あき容器１０ごと入れてチップ電子部品を浸漬槽２０内の水又はお湯に浸し、汚れの付着した状態でのチップ電子部品の乾燥を防いで、シミ発生防止を図る。
【００２９】
次に、トランスファ機構によりチップ電子部品投入部１の穴あき容器１０は超音波洗浄部２に移送される。その際、図１のカバー３５は容器１０の移送の妨げにならないように一旦上昇位置となり、移送後に図示の下降位置となる。この超音波洗浄部２における超音波洗浄工程では、超音波洗浄槽３０内にチップ電子部品を収容した穴あき容器１０ごと入れてチップ電子部品を超音波洗浄槽３０内の温水に浸しかつ超音波を放射することでチップ電子部品を超音波洗浄する。このとき、超音波洗浄槽３０には純水の温水を供給するが、洗浄を継続すると超音波洗浄槽３０内の温水が汚れるため、電導度測定器３８にて超音波洗浄槽３０内の温水の電導度を連続的に測定することで、温水の電導度を管理し、電導度が２μＳ（ジーメンス）／ｃｍ近くの値を超えない範囲で新たに純水の温水を超音波洗浄槽３０に毎分１〜２リットル程度供給し、電導度を２μＳ／ｃｍ以下に制御する。その温水の供給はオーバーフロー式とし、超音波洗浄槽３０から溢れた温水は受け槽３３で受けて排出する。この超音波洗浄時間は１０分以内の適切な時間に設定する。
【００３０】
ここで、超音波洗浄工程において温水（例えば６５〜８０℃）を使用するのは、チップ電子部品の乾燥前の予熱の目的もあり、水温が低いと短時間には乾燥できず、シミが発生し易くなる。但し、チップ製品の一部には、常温の純水で洗浄するのが好ましいものもあり、このときは常温の純水を用いる。
【００３１】
超音波洗浄終了後、チップ電子部品を収容した穴あき容器１０をトランスファ機構で超音波洗浄槽３０から引き上げた状態とし、かつカバー３５及び濯ぎ用シャワー手段３４の位置もそれに合わせて上昇位置としてから、濯ぎのための純水を濯ぎ用シャワー手段３４から容器１０内のチップ電子部品に数１０秒間かける（流量は毎分１〜２リットル程度）。
【００３２】
超音波洗浄及びその後の濯ぎシャワーが終わったチップ電子部品を収容した穴あき容器１０はトランスファ機構により脱水乾燥部３に移送される。その際、カバー６０は容器１０の移送の妨げにならないように一旦上昇位置となり、移送後に図示の下降位置となる。
【００３３】
脱水乾燥部３では、まず図３の状態において脱水除滴工程を行う。すなわち、チップ電子部品を収容した穴あき容器１０は載置板５０上に載置され、容器１０の底面外縁部が載置板５０に形成した開口５２の周縁部で支えられている（パッキン５６で気密シールされている）。また、載置板５０側のパッキン５３にカバー本体６１の下縁が当接して載置板５０とカバー６０との間を気密に閉じ、隙間が生じないようにする。そして、開口５２に連通する吸引筒５１の下端側をパイプを介して空気吸引機５５で吸引する。このときカバー本体６１の上部開口６２からは常温の空気が取り入れられる。吸引圧力は例えば２ｋｐａで、吸引時間は数１０秒である。穴あき容器１０は上面に開口しているが、邪魔板６３が容器上方に位置することで乱流を発生し、穴あき容器１０の上から下に抜ける空気流とともに穴あき容器１０の側面から底面下方に抜ける空気流を発生させることができ、穴あき容器１０内のチップ電子部品に付着した水滴、水分を空気吸引機５５で効果的に除去できる。水滴が残った状態で乾燥を始めるとシミが発生し易いが、この脱水除滴工程を実行することでシミ発生の防止を図っている。
【００３４】
次に、図４のように、そのままの脱水乾燥部３の位置にて、吸引筒５１の下端側を空気吸引機５５で吸引しながら、カバー本体６１の上部開口６２より熱風を熱風発生器６５から供給して第１段階の熱風乾燥工程を実行する。このとき、図３と同様に載置板５０とカバー６０との間は気密に閉じている。熱風温度は９０±１０℃、風量は数ｍ３／分程度であり、吸引乾燥時間は数分である。上部開口６２からカバー６０内に入った熱風は、邪魔板６３があるため乱流となり、穴あき容器１０の全面に熱風が当たり、乾燥を促進する。
【００３５】
それから、図５のように、そのままの脱水乾燥部３の位置にて、吸引筒５１からの空気吸引は停止し、載置板５０からカバー６０を浮かせ、載置板５０とカバー本体６１の下縁との間に１０〜２０ｍｍの隙間を設けてから、カバー本体６１の上部開口６２より熱風を熱風発生器６５から供給することで第２段階の熱風乾燥工程を実行する。ここで、カバー６０を載置板５０から浮かせる目的は、カバー６０内の熱風の流れを良くし、穴あき容器１０の穴に表面張力で付着している水滴等を除去しやすくするためである（とくに容器側面に効果がある）。また、吸引を併用すると熱風の通り道が一定してしまい、乾燥しきれない箇所が発生するが、カバー６０を浮かせたことで、吸引時とは熱風の通り方が異なるようになり、穴あき容器１０内のチップ電子部品をまんべんなく乾燥することが可能になる。穴あき容器１０内に収容するチップ電子部品はその大きさにかかわらず容器底面より高さ２０ｍｍ位まで乾燥させ得る。なお、熱風温度及び風量は第１段階の熱風乾燥工程と同様である。
【００３６】
上記第２段階の熱風乾燥工程が終わったチップ電子部品を収容した穴あき容器１０は、脱水乾燥部３からトランスファ機構により乾燥冷却部４に移送される。その際、カバー８０は容器１０の移送の妨げにならないように一旦上昇位置となり、移送後に図示の下降位置となる。この乾燥冷却部４では乾燥冷却工程を実行する。すなわち、図６のように、載置板７０上にチップ電子部品を収容した穴あき容器１０が載置され、邪魔板８３が穴あき容器１０の上部開口の上方位置となるようにし、筒状カバー本体８１の下縁と載置板７０間に隙間を設けた状態にて筒状カバー本体８１の上部開口８２に送風機８５から常温空気を供給（送風）する。この場合も、カバー８０内に送り込まれた空気は、邪魔板８３があるため乱流となって穴あき容器１０の上方及び側面に当たり、チップ電子部品を乾燥、冷却する。送風温度は１０〜４０℃であり、送風時間は数１０秒〜数分である。風量は数ｍ３／分程度である。
【００３７】
乾燥冷却部４における乾燥冷却工程の終了した穴あき容器１０は取出部５にトランスファ機構で移送される。
【００３８】
この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００３９】
（１） 電気メッキ後の積層チップ電子部品等の洗浄、乾燥後の汚れ（シミ）を低減できる。
【００４０】
（２） 従来の洗浄、乾燥方法で行っていた溶剤置換（ソルミックス）作業が不要になり、作業環境を改善できる。
【００４１】
（３） 脱水乾燥部３及び乾燥冷却部４の構成を工夫したことにより、洗浄乾燥工程の省力化を図ることができる。
【００４２】
（４） 脱水乾燥部３の位置でチップ電子部品を収容した穴あき容器１０を移し替えることなく、脱水除滴、熱風乾燥を行うことができる。
【００４３】
（５） チップ電子部品を収容した穴あき容器１０をチップ電子部品投入部１、超音波洗浄部２、脱水乾燥部３、乾燥冷却部４の順にトランスファ機構により移送して行けば良く、工程数も少なくリードタイム短縮を図ることができる。
【００４４】
（６） 超音波洗浄部２では洗浄水の電導度が一定値を超えないように管理することにより、超音波洗浄を常時良好な条件で実行でき、この点でもシミの低減を図り得る。
【００４５】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電気メッキ後のチップ電子部品の洗浄、乾燥後のシミ低減を図ることができ、さらに、洗浄乾燥作業の省力化、溶剤置換を無くすことによる作業環境改善、リードタイム短縮を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るチップ電子部品の洗浄乾燥方法及び装置の実施の形態の全体構成を示す正断面図である。
【図２】実施の形態における超音波洗浄部の構成を示す正断面図である。
【図３】実施の形態において、脱水乾燥部が脱水除滴工程を実行するときの動作説明図である。
【図４】実施の形態において、脱水乾燥部が第１段階の熱風乾燥工程を実行するときの動作説明図である。
【図５】実施の形態において、脱水乾燥部が第２段階の熱風乾燥工程を実行するときの動作説明図である。
【図６】実施の形態における乾燥冷却部の動作説明図である。
【符号の説明】
１ チップ電子部品投入部
２ 超音波洗浄部
３ 脱水乾燥部
４ 乾燥冷却部
５ 取出部
６ 装置フレーム
１０ 穴あき容器
２０ 浸漬槽
３０ 超音波洗浄槽
３１ 超音波振動子
３２ 超音波発振機
３３ 受け槽
３４ 濯ぎ用シャワー手段
３５，６０，８０ カバー
３６，６６，８６ 昇降スライダ
３７，６７，８７ 昇降手段
３８ 電導度測定器
４０，４１ スプロケット
４２ チェーン
４３ モーター
５０，７０ 載置板
５１ 吸引筒
５２，６２，８２ 開口
５３，５６ パッキン
５５ 空気吸引機
６１，８１ カバー本体
６３，８３ 邪魔板
６５ 熱風発生器
８５ 送風機
９０ 支持手段
Claims (8)
- チップ電子部品を穴あき容器に収容して超音波洗浄する超音波洗浄工程と、該超音波洗浄工程終了後に、前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴を行う脱水除滴工程と、該脱水除滴工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を熱風により乾燥する熱風乾燥工程と、該熱風乾燥工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却工程とを備えることを特徴とするチップ電子部品の洗浄乾燥方法。
- 前記超音波洗浄工程では洗浄水の電導度が２μＳ／ｃｍを超えないように制御する請求項１記載のチップ電子部品の洗浄乾燥方法。
- チップ電子部品を穴あき容器に収容して洗浄する洗浄工程と、該洗浄工程終了後に、前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品に対して、空気吸引による脱水除滴を行う脱水除滴工程と、該脱水除滴工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を熱風により乾燥する熱風乾燥工程と、該熱風乾燥工程終了後に前記穴あき容器に収容されたチップ電子部品を送風により乾燥冷却する乾燥冷却工程とを備え、
前記脱水除滴工程では、前記穴あき容器の底面に対応する吸引筒を一体に有する第１の載置板と、上部に開口を持つ第１の筒状カバー本体及び該第１の筒状カバー本体の内側に設けられた第１の邪魔板を有する第１のカバーとを用い、前記第１の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第１の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を閉じた状態として前記吸引筒より空気吸引することを特徴するチップ電子部品の洗浄乾燥方法。 - 前記熱風乾燥工程では、前記第１の載置板と前記第１のカバーとを引き続き用い、前記吸引筒より空気吸引を行うとともに前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給し、その後、前記吸引筒よりの空気吸引を停止するとともに前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を開いた状態として前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給する請求項３記載のチップ電子部品の洗浄乾燥方法。
- 前記乾燥冷却工程では、前記穴あき容器の底面を支持する第２の載置板と、上部に開口を持つ第２の筒状カバー本体及び該第２の筒状カバー本体の内側に設けられた第２の邪魔板を有する第２のカバーとを用い、前記第２の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第２の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第２の筒状カバー本体の下縁と前記第２の載置板間に隙間を設けた状態にて前記第２の筒状カバー本体の開口に空気を供給する請求項３又は４記載のチップ電子部品の洗浄乾燥方法。
- チップ電子部品を穴あき容器に収容して洗浄する洗浄部と、
前記穴あき容器の底面に対応する吸引筒を一体に有する第１の載置板と、上部に開口を持つ第１の筒状カバー本体及び該第１の筒状カバー本体の内側に設けられた第１の邪魔板を有する第１のカバーとを具備する脱水乾燥部とを備え、
前記脱水乾燥部では、前記第１の載置板上に前記穴あき容器を載置し、前記第１の邪魔板が前記穴あき容器の上面開口の上方位置となるようにし、前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を閉じた状態で前記吸引筒より空気吸引して脱水除滴し、また、前記脱水除滴後に前記吸引筒より空気吸引を行うとともに前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給して第１段階の熱風乾燥を行い、その後、前記吸引筒よりの空気吸引を停止するとともに前記第１の筒状カバー本体の下縁と前記第１の載置板との間を開いた状態で前記第１の筒状カバー本体の開口に熱風を供給して第２段階の熱風乾燥を行うことを特徴とするチップ電子部品の洗浄乾燥装置。 - 前記穴あき容器の底面を支持する第２の載置板と、上部に開口を持つ第２の筒状カバー本体及び該第２の筒状カバー本体の内側に設けられた第２の邪魔板を有する第２のカバーとを具備する乾燥冷却部をさらに備え、
前記第２の筒状カバー本体の開口から空気を供給して乾燥冷却する請求項６記載のチップ電子部品の洗浄乾燥装置。 - 前記洗浄部が、前記穴あき容器を浸す超音波洗浄槽を有する超音波洗浄部であり、前記超音波洗浄槽の洗浄水の電導度が一定値を超えないように制御する請求項６又は７記載のチップ電子部品の洗浄乾燥装置。
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