JP2004075853A - 半導体装置製造用接着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、耐熱性に優れ、かつ製造工程終了後には、半導体装置からの離型性がよい非シリコーン系の接着剤層を有する接着シートを提供すること。
【解決手段】基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、前記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート。
【選択図】 図１
【解決手段】基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、前記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートに関する。また本発明は、当該半導体装置製造用接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの実装技術において、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／ＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ）技術が注目されている。この技術のうち、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）に代表されるリード端子（導体）がパッケージ内部に取り込まれた形態のパッケージについては、小型化と高集積の面で特に注目されるパッケージ形態のひとつである。このようなＱＦＮの製造方法のなかでも、近年では複数のＱＦＮ用チップをリードフレームのパッケージパターン領域のダイパッド上に整然と配列し、金型のキャビティ内で、封止樹脂にて一括封止したのち、切断によって個別のＱＦＮ構造物に切り分けることにより、リードフレーム面積あたりの生産性を飛躍的に向上させる製造方法が、特に注目されている。
【０００３】
このような、複数の半導体素子を一括封止するＱＦＮの製造方法においては、樹脂封止時のモールド金型によってクランプされる領域はパッケージパターン領域より更に外側に広がった樹脂封止領域の外側だけである。従って、パッケージパターン領域、特にその中央部においては、アウターリード面をモールド金型に十分な圧力で押さえることができず、封止樹脂がアウタ−リード側に漏れ出すことを抑えることが非常に難しく、ＱＦＮの端子等が樹脂で被覆されるという問題が生じ易い。
【０００４】
このため、上記の如きＱＦＮの製造方法に対しては、リードフレームのアウターリード側に接着シートを貼り付け、この接着シートの自着力（マスキング）を利用したシール効果により、樹脂封止時のアウターリード側への樹脂漏れを防ぐ製造方法が特に効果的と考えられる。
【０００５】
このような製造方法において、接着シートは最初の段階でリードフレームのアウターパット面に貼り合わせられ、その後、半導体素子の搭載工程やワイヤボンディングの工程を経て、封止樹脂による封止工程まで貼り合わせられることが望ましい。したがって、接着シートとしては、単に封止樹脂の漏れ出しを防止するだけでなく、半導体素子の搭載工程に耐える高度な耐熱性や、ワイヤボンディング工程における繊細な操作性に支障をきたさないなど、これらのすべての工程を満足する特性が要求される。
【０００６】
また、近年では、特開平９−２５２０１４号公報に示されるように、更なる薄型化を目的として接着シート上に銅箔を貼り合わせて、エッチングにより導体部を形成する、いわゆるリードレスの半導体装置の製造方法が開示されている。かかる製造方法では、接着シート上で導体部を形成するため、導体部の薄型化が可能であり、また封止樹脂にて成型した半導体装置を個片化する場合には、リードフレームを切断する必要がないため、ダイシング時のブレードの磨耗等も少ない。このようなリードレスの半導体装置の製造方法に使用される接着シートの特性としてはリードフレームを使用した場合と同様に、単に封止樹脂の漏れ出しを防止するだけでなく、半導体素子の搭載工程に耐える高度な耐熱性や、ワイヤボンデイング工程における繊細な操作性に支障をきたさないなど、これらのすべての工程を満足する特性が要求される。
【０００７】
このような特性を有する接着シートの接着剤層は、製造工程終了後には、半導体装置からの離型性がよいこと、かつ優れた耐熱性、適度な弾性率および接着力を有していることが好ましい。そのため、前記接着シートの接着剤層には、一般的にシリコーン系接着剤が使用されている。
【０００８】
しかしながら、シリコーン系接着剤により形成された接着剤層には、次のような問題が生じていた。すなわち、上記一連の工程後に接着シートを剥離する際に、シリコーン系接着剤層はアウターパッド部へ移行してその表面を汚染する。その結果、半導体装置を実装基板にはんだ付けする際に濡れ性不良が生じ、実装の歩留りが低下するという問題が生じた。また、ワイヤボンディング工程ではワイヤとリードパットとの良好な金属接合を得るため、２００℃近くに加熱される場合があるが、このような条件下においてシリコーン系接着剤層はシロキサンガスを発生する。その結果、リードパット面が汚染され、ワイヤボンディング性が低下するという問題がある。さらに、特開平９−２５２０１４号公報に示されるようなリードレスの半導体装置の製造方法では、シリコーン系接着剤層はエッチング工程、メッキ工程でのウェットプロセスにて薬液に曝される。その結果、シリコーン成分が表面へ汚染しワイヤボンディング性が低下するという問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、耐熱性に優れ、かつ製造工程終了後には、半導体装置からの離型性がよい非シリコーン系の接着剤層を有する接着シートを提供することを目的とする。
【００１０】
さらには、当該半導体装置製造用接着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す接着シートを見出し本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明は、基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、
前記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート、に関する。
【００１３】
上記接着剤層は、ブロック共重合体および／またはその水添物により形成されている非シリコーン系の接着剤層であり、シリコーン成分の表面汚染によるはんだ付けする際の濡れ性不良、ワイヤボンデイング工程時の接合不良等を起こしにくく、シリコーンに係わる汚染の心配がない。また、上記接着剤層は、上記ブロック共重合体および／またはその水添物により形成され、かつそのゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されているため、離型性も良好であり封止工程後において、半導体装置（封止樹脂、アウターバット、導体部：金属部等）から糊残りなく良好に剥離できる。また、前記ブロック共重合体および／またはその水添物は、金属等の導体部に対して適度な接着性を有しており、しかも前記ゲル分率を有することから優れた耐熱性、適度な弾性率を有する。前記接着剤層のゲル分率は５０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上である。ゲル分率が５０％より小さくなると２００℃以上の高温にて軟化が起こり、糊はみ出し等の外観以上をきたす可能性が大きい。なお、ゲル分率は詳しくは実施例に記載の方法により測定される。
【００１４】
また、本発明は、基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、
前記接着シートの接着剤層が、接着剤層がエチレン系重合体を含有しており、かつゲル分率が５０％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート、に関する。
【００１５】
上記接着剤層は、エチレン系重合体により形成されている非シリコーン系の接着剤層であり、上記同様にシリコーンに係わる汚染の心配がない。また上記接着剤層は、エチレン系重合体により形成されており、かつそのがゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されているため、封止工程後において、半導体装置（封止樹脂、アウターバット、導体部等）から糊残りなく良好に剥離できる。また、前記エチレン系重合体は、金属等の導体部に対して適度な接着性を有しており、しかも前記ゲル分率を有することから優れた耐熱性、適度な弾性率を有する。前記接着剤層のゲル分率は５０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上である。ゲル分率が５０％より小さくなると２００℃以上の高温にて軟化が起こり、糊はみ出し等の外観以上をきたす可能性が大きい。なお、ゲル分率は詳しくは実施例に記載の方法により測定される。
【００１６】
前記接着剤層がブロック共重合体および／またはその水添物、エチレン系重合体のいずれにより形成される場合にも、接着剤層は、放射線照射により架橋することができる。
【００１７】
また、前記ブロック共重合体および／またはその水添物により形成される接着剤層は、当該ブロック共重合体および／またはその水添物が、官能基（ａ）を有する場合には、当該接着剤層は、たとえば、前記官能基（ａ）と反応しうる官能基（ｂ）を有する架橋剤により架橋することができる。官能基（ａ）としては、カルボキシル基もしくはその誘導体またはエポキシ基が好適である。
【００１８】
また、前記エチレン系重合体によりにより形成される接着剤層は、当該エチレン系重合体が、官能基（ａ）を有するモノマーを少なくとも共重合したものである場合には、当該接着剤層は、たとえば、前記官能基（ａ）と反応しうる官能基（ｂ）を有する架橋剤により架橋することができる。官能基（ａ）を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸および／またはグリシジル（メタ）アクリレートが好適である。エチレン系重合体としては、アクリル酸および／またはメタアクリル酸を共重合した、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体が好適である。またエチレン系重合体としては、エチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体が好適である。
【００１９】
さらには本発明は、開口に配列した導体部を有するリードフレームが、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に積層されていることを特徴とするリードフレーム積層物、に関する。
【００２０】
リードフレームを用いて、半導体装置を製造する場合には、本発明の半導体装置製造用接着シートは、予めリードフレームと積層した積層物として用いることができる。
【００２１】
さらに本発明は、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、開口に配列した導体部を有するリードフレームが積層され、かつ当該導体部と半導体素子を結線した状態で、封止樹脂による封止を少なくとも行うことを特徴とする半導体装置の製造方法（Ｉ）、に関する。
【００２２】
本発明の半導体装置製造用接着シートは、リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）に好適に用いられる。
【００２３】
さらに本発明は、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記導電部の所定位置に固着する工程（２ａ）、
前記半導体素子を固着していない導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法（ＩＩ）、に関する。
【００２４】
本発明の半導体装置製造用接着シートは、薄型化が可能な、リードレス構造の表面実装型の半導体装置の製造方法（ＩＩ）に好適に適用できる。
【００２５】
さらに本発明は、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記接着剤層上に固着する工程（２ｂ）、
前記複数の導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）、に関する。
【００２６】
本発明の半導体装置製造用接着シートは、薄型化が可能な、リードレス構造の表面実装型の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）に好適に適用できる。
【００２７】
上記製造方法（ＩＩＩ ）では、工程（２ｂ）において、支持体である接着シートの接着剤層上に半導体素子を固着して半導体装置を製造している。また半導体装置の製造後には、工程（５）において、前記接着シートは半導体装置から分離している。そのため、かかる製造方法（ＩＩＩ ）によれば、上記半導体素子の製造方法（ＩＩ）において、半導体素子を固定するために半導体装置に付随的に組み込まれていた、金属（ダイパッド）や接着剤層は不要であり、薄型化した半導体装置を得ることができる。
【００２８】
また、半導体素子は接着シートに固着されているため、搬送工程等での半導体素子の位置ズレがなくなる。また工程（４）等において、封止樹脂のトランスファーモールド工程での高温下及び樹脂が金型内を流れるときに発生する圧力下における半導体素子の位置ズレも無くなる。
【００２９】
さらには、従来技術では不用なダイパッドや接着剤が付随的に形成されるゆえ、半導体装置を薄型化するためには、半導体素子そのものを無理に研磨する必要があったが、本発明の製造方法では薄型化した半導体装置が得られることから、半導体素子の無理な研磨が必要でなくなり、半導体素子の割れ欠けを低減することができる。また接着剤等の余分な材料を使用する必要がないことから、コスト低減にも有利であり、余分な材料を使用する工程がないことから簡略化した製造方法としても有利である。
【００３０】
前記半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）において、半導体素子を接着剤層上に固着する工程（２ｂ）以前までは、接着剤層上における半導体素子を固着する領域に、保護層が形成されていることが好ましい。
【００３１】
一般的には半導体素子自体の製造工程は、空気中のパーティクルが除去されたクリーン環境で行われるが、半導体装置の組み立て工程は、厳格なクリーン環境でない場合もある。接着剤層には異物が付着しやすいため、接着剤層上における半導体素子を固着する領域には、半導体素子を固着させるまで保護層を設けておくことにより、半導体素子と接着剤層間に異物が介入することを防止することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置製造用接着シートおよび半導体装置について、その実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。まず、本発明の半導体装製造用接着シートについて説明する。図１に、その断面図を示す。本発明の半導体装置製造用接着シート３０は、基材層３２と接着剤層３１を有する。
【００３３】
接着剤層３１は、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物により形成される。前記ブロック共重合体は、スチレン重合体ブロックとイソプレンやブタジエン等の共役ジエン系重合体ブロックまたはその水添物を有する。
【００３４】
前記ブロック共重合体としては、たとえば、スチレン・ブタジエン（ＳＢ）、スチレン・イソプレン（ＳＩ）等のスチレン−ジエン系ＡＢ型ブロック共重合体（ジブロック共重合体）；スチレン・ブタジエン・スチレン（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレン（ＳＩＳ）等のスチレン系ＡＢＡ型ブロック共重合体（トリブロック共重合体）；スチレン・ブタジエン・スチレン・ブタジエン（ＳＢＳＢ）、スチレン・イソプレン・スチレン・イソプレン（ＳＩＳＩ）等のスチレン系ＡＢＡＢ型ブロック共重合体（テトラブロック共重合体）；スチレン・ブタジエン・スチレン・ブタジエン・スチレン（ＳＢＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレン・イソプレン・スチレン（ＳＩＳＩＳ）等のスチレン系ＡＢＡＢＡ型ブロック共重合体（ペンタブロック共重合体）、さらには、これ以上のＡＢ繰り返し単位を有するスチレン−ジエン系マルチブロック共重合体があげられる。
【００３５】
前記ブロック共重合体としては、エチレン性二重結合を水添した水添物を用いるのが好ましい。たとえば、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体（ＳＥＢ）、スチレン・エチレン−プロピレン共重合体（ＳＥＰ）、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体・スチレン（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン−プロピレン共重合体・スチレン（ＳＥＰＳ）、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体・スチレン・エチレン−ブチレン共重合体（ＳＥＢＳＥＢ）等があげられる。前記ブロック共重合体の水添物の市販品としては、タフテックＨシリーズ（旭化成（株）製）、クレイトンＧシリーズ（シェルジャパン（株）製）、セプトンシリーズ（（株）クラレ製）があげられる。
【００３６】
また前記ブロック共重合体および／またはその水添物は、官能基（ａ）を有するものを用いることができる。官能基（ａ）としては、カルボキシル基またはその誘導体があげられる。カルボキシル基等は、たとえば、マレイン酸等を付加することにより導入することができる。カルボキシル基またはその誘導体を有するブロック共重合体の水添物の市販品としては、タフテックＭシリーズ（旭化成（株）製）、クレイトンＦＧ１９０１Ｘ（シェルジャパン（株）製）等があげられる。また、官能基（ａ）としてはエポキシ基があげられる。エポキシ基は、グリシジル（メタ）アクリレートをグラフト重合させることにより導入することができる。
【００３７】
また、接着剤層３１は、エチレン系重合体により形成される。エチレン系重合体としては、ポリエチレンおよびエチレンと他のモノマーとのエチレン共重合体をいう。エチレン共重合体としては、エチレン−アクリレート共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−αオレフィン共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体等があげられる。エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体は、ＥＡＡ、ＥＭＡＡ等として市販品で入手でき、例えば日本ポリケム（株）製の商品名ノバテックＥＡＡ、三井・デュポンポリケミカル（株）製の商品名：ニュクレル等があげられる。また、ＥＡＡの水系ディスパージョン溶液として、東邦化学（株）のＨＹＴＥＣシリーズがあげられる。エチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体の市販品としては、住友化学工業（株）製のボンドファーストシリーズがあげられる。
【００３８】
接着剤層３１は、ゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されたものが用いられる。接着剤層の架橋方法としては、たとえば、電子線照射等の放射線照射による架橋する方法があげられる。放射線照射による架橋は、接着剤層の形成樹脂は、前記例示のブロック共重合体および／またはその水添物、エチレン系重合体のいずれの場合にも適用できる。
【００３９】
また、接着剤層３１の架橋方法としては、接着剤層の形成樹脂が、反応性官能基（ａ）を有する場合には、その反応性官能基（ａ）と反応性を有する官能基（ｂ）を有する架橋剤を添加し架橋させる方法があげられる。かかる架橋剤による架橋方法は、簡易的に低コストで既存の設備にて行うことができ好ましい。
【００４０】
反応性官能基（ａ）としては、たとえば、カルボキシル基があげられる。カルボキシル基を有するブロック共重合体としては、マレイン酸等を付加したブロック共重合体があげられる。カルボキシル基を有するエチレン系重合体としてはエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体等があげられる。
【００４１】
反応性官能基（ａ）としては、たとえば、エポキシ基があげられる。エポキシ基を有するブロック共重合体としては、グリシジル（メタ）アクリレート等をグラフトさせたものがあげられる。またエポキシ基を有するエチレン系重合体としてはエチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体等があげられる。
【００４２】
架橋剤としては、反応性官能基（ａ）の種類に応じて適宜に選択される。反応性官能基（ａ）が、カルボキシル基の場合には、たとえば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤等があげられる。これらのなかでも耐熱性の観点よりエポキシ系架橋剤が好ましい。
【００４３】
エポキシ系架橋剤としては、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を混合して用いることができる。
【００４４】
反応性官能基（ａ）が、エポキシ基の場合には、たとえば、カルボキシル基含有化合物等があげられる。カルボキシル基含有化合物としては、無水フタル酸およびその誘導体、無水コハク酸その誘導体等の無水カルボン酸類（新日本理化（株）製，リカシッドシリーズ）や、カルボキシ基含有ロジン化合物（荒川化学工業（株）製，ＫＥ−６０４）等があげられる。
【００４５】
架橋剤の使用割合は、接着剤層のゲル分率が５０重量％以上になれば特に制限されないが、通常、接着剤層の形成樹脂（ブロック共重合体および／またはその水添物、エチレン系重合体）１００重量部に対し、好適には０．０１〜１０重量部、さらに好ましくは０．１〜５重量部である。０．０１重量部より少ないと架橋反応が十分進行せず、耐熱性が不足する傾向がある。一方、１０重量部より多くなると接着性が低下する傾向がある。
【００４６】
前記接着剤層３１には、接着シート３０の諸特性を劣化させない範囲で、無機充填剤、有機充填剤、顔料、老化防止剤、シランカップリング剤、粘着付与剤などの公知の各種の添加剤を、必要により添加することができる。特に、老化防止剤の添加は高温での劣化を防止する上で有効である。
【００４７】
基材層３２は、耐熱性基材が用いられる。たとえば、ポリエステル、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、架橋ポリエチレン等のプラスチック基材及びその多孔質基材、グラシン紙、上質紙、和紙等の紙基材、セルロース、ポリアミド、ポリエステル、アラミド等の不織布基材、アルミ箔、ＳＵＳ箔、Ｎｉ箔、銅箔等の金属フィルム基材等があげられる。基材層３２は有機物、無機物のいずれでもよいが、半導体装置の製造方法において、メッキ処理等が施される場合には、有機物であるのが好ましい。
【００４８】
本発明の接着シートの作製法は特に制限されず、一般的な方法を採用できる。たとえば、接着剤層３１の形成材を、溶剤へ溶解した溶液を、基材層３２へ塗布し、加熱乾燥により接着シート３０を形成する方法があげられる。溶剤としては特に限定はないが、たとえば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤等が溶解性が良好であり好適に用いられる。また接着剤層３１の形成材を、水系のディスパージョン溶液とし基材層３２へ塗布し、加熱乾燥により接着シート３０を形成する方法；接着剤層３１の形成材をホットメルトコーティングにより基材層３２へ塗布し、接着シート３０を形成する方法があげられる。
【００４９】
こうして前記基材層３２と接着剤層３１を有する半導体装置製造用接着シート３０が得られる。基材層３２の厚みは、特に制限されないが、通常、１０〜２００μｍ程度、好ましくは２５〜１００μｍである。基材層３２の厚みが、１０μｍより薄くなるとハンドリング性が低下する傾向があり、２００μｍより厚くなるとコストアップになる。接着剤層３１の厚みは、特に制限されないが、通常、１〜５０μｍ程度、好ましくは５〜２０μｍである。接着シート３０は接着テープとして用いることができる。
【００５０】
前記接着シート３０は、前記基材層３２の１５０℃での弾性率が０．３ＧＰａ以上であり、かつ前記接着剤層３１の１５０℃における弾性率が０．１Ｍｐａ以上であるものを用いるのが好ましい。接着シート３０としては前記弾性率の基材層３２および接着剤層３１を有する耐熱性の良好なものを用いるのが好ましい。かかる観点から、基材層３２としては前記弾性率が０．３Ｇｐａ以上、好ましくは０．５Ｇｐａ以上、更に好ましくは１Ｇｐａ以上のものが好適に用いられる。基材層３２の前記弾性率は、通常、０．３〜１００ＧＰａ程度であるのが好ましい。また接着剤層３１としては、弾性率が０．１ＭＰａ以上、好ましくは０．５ＭＰａ以上、更に好ましくは１ＭＰａ以上のものが好適に用いられる。接着剤層３１の前記弾性率は、通常、０．１〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましい。かかる弾性率の接着剤層３１は、封止樹脂工程等において接着剤層の軟化・流動を起こしにくく、より安定した成型が可能である。なお、弾性率の測定は詳しくは実施例に記載の方法による。
【００５１】
また接着シート３０には、必要に応じて静電防止機能を設けることができる。図１に、接着シート３０に静電防止防止機能を付与する手法を示す。静電防止機能を付与する方法としては、接着剤層３１、基材層３２に帯電防止剤、導電性フィラーを混合する方法があげられる。また基材層３２と接着剤層３１との界面３３や、基材層３２の裏面３４に帯電防止剤を塗布する方法があげられる。当該静電防止機能により、接着シートを半導体装置から分離する時に発生する静電気を抑制することができる。帯電防止剤としては、上記静電防止機能を有するものであれば特に制限はない。具体例としては、例えば、アクリル系両性、アクリル系カチオン、無水マレイン酸−スチレン系アニオン等の界面活性剤等が使用できる。帯電防止層用の材料としては、具体的には、ボンディップＰＡ、ボンディップＰＸ、ボンディップＰ（コニシ（株）製）などがあげられる。また、前記導電性フィラーとしては、慣用のものを使用でき、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属、これらの合金または酸化物、カーボンブラックなどのカーボンなどが例示できる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。導電性フィラーは、粉体状、繊維状の何れであってもよい。
【００５２】
前記本発明の半導体装置製造用接着シートは、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される。
【００５３】
かかる半導体装置の製造方法としては、たとえば、リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）があげられる。リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）では、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、開口に配列した導体部を有するリードフレームが積層され、かつ当該導体部と半導体素子を結線した状態で、封止樹脂による封止を少なくとも行う。かかる半導体装置の製造方法（Ｉ）において、前記リードフレームは、半導体装置製造用接着シートの接着剤層に予め積層したリードフレーム積層物として用いることができる。
【００５４】
半導体装置の製造方法（Ｉ）の一例（Ｉａ）を、図２、図３を参照しながら説明する。図２はリードフレームの例を示すものであり、（イ）は全体を示す斜視図であり、（ロ）はその１ユニット分を示す平面図である。リードフレーム１２１は、半導体素子１０２を配置して接続を行うための開口１２１ａを有しており、その開口１２１ａには複数の端子部（導体部）１２１ｂを配列している。リードフレーム１２１少なくとも端子部１２１ｂが導体部であればよく、全体が導体部となっていてもよい。
【００５５】
半導体素子１０２は端子部１２１ｂにワイヤボンディング等によって電気的に接続されるが、リードフレーム積層物とした状態で半導体素子１０２を接続してもよく、また積層物とする前に接続を行ってもよい。したがって、リードフレーム積層物は、予め半導体素子１０２を接続してあるものも包含される。
【００５６】
端子部１２１ｂの形状や配列は特に制限されず、長方形に限らず、パターン化した形状や円形部を有する形状等でもよい。また開口１２１ａの全周に配列されたものに限らず、開口１２１ａの全面や対向する２辺に配列したもの等でもよい。
【００５７】
半導体装置の製造方法（Ｉａ）は、開口に配列した端子部が銅製であるリードフレームを使用して、その端子部に半導体素子を接続した状態で樹脂封止を行う成型工程（図３参照）を行う。
【００５８】
例えば、接着シート３０を、半導体素子１０２の電極と端子部１２１ｂとの間をワイヤ１２３でボンディングしたリードフレーム１２１に貼着して積層物を得る。この積層物を使用して、図３（イ）〜（ハ）に示すように、半導体素子１０２が下金型１０３のキャビティ１３１内に位置するように配置し、上金型１０４で型閉し、トランスファー成形によりキャビティ１３１内に樹脂１０５を注入・硬化させ、次いで型開する。必要に応じて、接着シート３０を貼着した状態で加熱装置内でＰＭＣ（ポストモールドキュア）工程を行う。その後、接着シート３０を剥離除去する。その後には、さらに端子部１２１ｂにはんだをメッキするメッキ工程を行うことができる。その後又はそれまでの適当な時期に、端子部１２１ｂを残してリードフレーム１２１をトリミングによりカットする。
【００５９】
また、半導体装置の製造方法（Ｉ）の一例（Ｉｂ）を、図４乃至図６を参照しながら説明する。図４は、本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）の一例の工程図であり、リードフレームに予め接着シートを貼り合わせたリードフレーム積層物を用いて、半導体チップの搭載・結線と封止樹脂による封止とを少なくとも行うものである。図４（ａ）〜（ｅ）に示すように、半導体チップ２１５の搭載工程と、ボンディングワイヤ２１６による結線工程と、封止樹脂２１７による封止工程と、封止された構造物２１を切断する切断工程とを含むＱＦＮの一括封止による製造方法の例を示す。
【００６０】
搭載工程は、図４（ａ）〜（ｂ）に示すように、アウターパッド側（図の下側）に接着シート３０を貼り合わせた金属製のリードフレーム２１０のダイパッド２１１ｃ上に半導体素子２１５をボンディングする工程である。
【００６１】
リードフレーム２１０とは、例えば銅などの金属を素材としてＱＦＮの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分には、銀、ニッケル、パラジウム、金などのなどの素材で被覆（めっき）されている場合もある。
【００６２】
リードフレーム２１０は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のＱＦＮの配置パターンが整然と並べられているものが好ましい。例えば図５に示すように、リードフレーム２１０上に縦横のマトリックス状に配列された形状などは、マトリックスＱＦＮあるいはＭＡＰ−ＱＦＮなどと呼ばれ、もっとも好ましいリードフレーム形状のひとつである。
【００６３】
図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、リードフレーム２１０のパッケージパターン領域２１１には、隣接した複数の開口２１１ａに端子部２１１ｂを複数配列した、ＱＦＮの基板デザインが整然と配列されている。一般的なＱＦＮの場合、各々の基板デザイン（図５（ａ）の格子で区分された領域）は、開口２１１ａの周囲に配列れさた、アウターリード面を下側に有する端子部２１１ｂと、開口２１１ａの中央に配置されるダイパッド２１１ｃと、ダイパッド２１１ｃを開口２１１ａの４角に支持させるダイバー２１１ｄとで構成される。
【００６４】
接着シート３０は、開口２１１ａと端子部２１１ｂとを含むパッケージパターン領域２１１より外側に少なくとも貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム２１０は、通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔２１３を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム２１０の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続して接着シート３０を貼着するのが好ましい。
【００６５】
上記のようなリードフレーム２１０上に、半導体素子２１５、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウエハ・チップが搭載される。リードフレーム２１０上にはこの半導体素子２１５を固定するためダイパッド２１１ｃと呼ばれる固定エリアが設けられており、このダイパッド２１１ｃヘのボンディング（固定）の方法は導電性ペースト２１９を使用したり、接着テープ、接着剤など各種の方法が用いられる。導電性ペーストや熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に１５０〜２００℃程度の温度で３０分〜９０分程度加熱キュアする。
【００６６】
結線工程は、図４（ｃ）に示すように、リードフレーム２１０の端子部２１１ｂ（インナーリード）の先端と半導体素子２１５上の電極パッド２１５ａとをボンディングワイヤ２１６で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤ２１６としては、例えば金線あるいはアルミ線などが用いられる。一般的には１６０〜２３０℃に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により結線される。その際、リードフレーム２１０に貼着した接着シート３０面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定することができる。
【００６７】
封止工程は、図４（ｄ）に示すように、封止樹脂２１７により半導体チップ側を片面封止する工程である。封止工程は、リードフレーム２１０に搭載された半導体素子２１５やボンディングワイヤ２１６を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂２１７を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、図６に示すように、複数のキャビティを有する上金型２１８ａと下金型２１８ｂからなる金型２１８を用いて、複数の封止樹脂２１７にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は１７０〜１８０℃であり、この温度で数分間キュアされた後、更に、ポストモールドキュアが数時間行われる。なお、接着シート３０はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。
【００６８】
切断工程は、図４（ｅ）に示すように、封止された構造物２２１を個別の半導体装置２２１ａに切断する工程である。一般的にはダイサーなどの回転切断刃を用いて封止樹脂２１７の切断部２１７ａをカットする切断工程が挙げられる。
【００６９】
接着シート３０とリードフレーム２１０との貼り合わせは、ニップ圧で両者を貼着させるニップロール等を備える各種ラミネータ等を用いることができる。
【００７０】
なお、前述の実施形態では、ＱＦＮの一括封止による製造方法の例を示したが、製造方法（Ｉｂ）は、ＱＦＮを個別に封止する方法であってもよい。その場合、個々の半導体チップが各々のキャビティ内に配置されて、封止樹脂による封止工程が行われる。また前述の実施形態では、半導体チップの搭載・結線を、ダイパッド上へのボンディングと、ワイヤボンディングとにより行う例を示したが、パッケージの種類に応じて搭載工程や結線工程を変えることができ、搭載と結線を同時に行うものでもよい。
【００７１】
以上は、リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）について説明したが、本発明の半導体装置製造用接着シートは、本発明の半導体装置製造用接着シートは、薄型化が可能な、リードレス構造の半導体装置の製造方法（ＩＩ）、（ＩＩＩ ）に適用できる。
【００７２】
半導体装置の製造方法（ＩＩ）は、半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記導電部の所定位置に固着する工程（２ａ）、
前記半導体素子を固着していない導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、を有する。
【００７３】
かかる半導体装置の製造方法（ＩＩ）は、たとえば、特開平９−２５２０１４号公報に記載されている。製造方法（ＩＩ）により得られた半導体装置の一例を図７に示す。当該半導体装置の製造方法（ＩＩ）は、まず、基材である接着シート３０（接着剤層３１）に金属箔を貼り付け、所定部分に金属箔を残すように当該金属箔のエッチングを行う（工程（１））。次いで、半導体素子１と同等の大きさを有する金属箔４ａ（ダイパッド）の上に接着剤２を用いて半導体素子１を固着する（工程（２ａ））。さらに、ワイヤー６によって半導体素子１と金属箔４ｂとの電気的接合を行う（工程（３））。次いで、金型を用い封止樹脂５でトランスファーモールドを行い（工程（４））、最後に成形された封止樹脂を基材３から分離する（工程（５））ことによって半導体素子をパッケージとして完成する。
【００７４】
他のリードレス構造の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）は、半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記接着剤層上に固着する工程（２ｂ）、
前記複数の導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、を有する。
【００７５】
かかる半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）は、特願２００２−２１７６８０号に記載されている。
【００７６】
以下、本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）について、その実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。まず、製造方法（ＩＩＩ ）により得られる半導体装置の構造について説明する。図８（Ａ）及び（Ｂ）に、その半導体装置の断面図を示す。
【００７７】
半導体素子１０は、導電部４０とを電気的に接続するために、ワイヤ６０で結線されている。半導体素子１０には上側に電極が形成されている（図示せず） 。半導体素子１０及びワイヤ６０等は外部環境から保護するため封止樹脂５０で封止されている。また、半導体素子１０、導電部４０の下面は封止樹脂５０で成形された樹脂表面に露出する構成となっており、半導体素子１０の電極が形成されていない側と導電部４０のワイヤーに接続していない側が同一面上に形成されている。このように本発明の半導体装置では、ダイパッドや半導体素子固着用の接着剤層を有しない構造になっている。
【００７８】
なお、図８（Ａ）と（Ｂ）との相違点の詳細は後述するが、図８（Ａ）においては導電部４０の側面４６が露出する構造であるのに対し、図８（Ｂ）においては導電部４０の側面４６は封止樹脂５０に埋設されている点が異なる。
【００７９】
従来の半導体装置では、ダイパッドの厚みが概略１００〜２００μｍ、半導体素子の固着用接着剤層の厚みは概略１０〜５０μｍである。そのため、半導体素子の厚さ及び半導体素子の上に覆われる封止樹脂の厚みが同じ場合には、本発明の半導体装置によれば、厚み１１０〜２５０μｍの薄層化が可能となる。半導体装置の構造例として、製造方法（ＩＩ）により得られる半導体装置（図７）の様に半導体装置を回路基板に実装する電極が半導体装置の下側にある型の半導体装置においては、その厚みＴ１は概略３００〜７００μｍであり、本発明による薄層化効果の影響は非常に大きい。
【００８０】
次いで、本発明の半導体装置の製造方法の各工程（１）〜（５）の概略の一例を、図９に示す。
【００８１】
まず、基材層３２および接着剤層３１を有する接着シート３０の当該接着剤層３１上に部分的に複数の導電部４０を形成する工程（１）について説明する。前記導電部４０を形成する工程（１）は特に制限されず、各種方法を採用できる。たとえば、図９（ａ）に示すように、接着シート３０の接着剤層３１に、金属箔４１貼り付ける。次いで、図９（ｂ）に示すように、一般的に用いられているフォトリソグラフを用いたパターンエッチング法により導電部４０を形成するがことができる。金属箔４１は、特に制限されず、通常、半導体業界で用いられているものを使用でき、たとえば、銅箔、銅−ニッケル合金箔、Ｆｅ−ニッケル合金箔、Ｆｅ−ニッケル−コバルト合金箔等を用いることができる。なお、金属箔４１と接着剤層３１とが接する面４２は、半導体装置を基板等へ実装する時の実装形態に適した表面処理を必要に応じて施しておくことができる。
【００８２】
前記導電部４０を形成した時点の導電部４０の配置平面図を模式的に示したのが図１０である。半導体素子１０の電極数に対応した導電部４０が複数個形成されているが、複数個の導電部４０は電解メッキ用のメッキリード４７で電気的に導通させることができる。図１０で破線で示す線ａ−ｂ部分の断面図が図９（ｂ）である。
【００８３】
次いで、電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子１０を、当該半導体素子１０の電極が形成されていない側が前記接着剤層３１側となるように、当該半導体素子１０を前記接着剤層３１上に固着する工程（２ｂ）を施す。さらに、前記複数の導電部４０と前記半導体素子１０の電極とをワイヤー６により電気的に接続する工程（３）を施す。これら工程（２ｂ）、（３）が図９（ｅ）に示されている。
【００８４】
なお、工程（２ｂ）の前には、前記したメッキリード４７を利用し、導電部４０の表面４４にワイヤーボンディングに最適な電解メッキを施すことができる。一般的にはＮｉメッキを施し、その上に金メッキが施されるが、これらに制限されるものではない。
【００８５】
次いで、前記半導体素子１０等を封止樹脂５０で封止して、前記接着シート３０の接着剤層３１上に半導体装置を形成する工程（４）を施す。封止樹脂５０による封止は、通常のトランスファーモールド法により、金型を用いて行うことができる。この工程（４）が図９（ｆ）に示されている。なお、トランスファーモールド後には、必要に応じてモールド樹脂の後硬化加熱を行うことができる。後硬化加熱は、後述する、接着シート３０を分離する工程（５）の前であってもよく、後であってもよい。
【００８６】
次いで、半導体装置から接着シート３０を分離する工程（５）を施す。これにより、半導体装置９０を得る。この工程（５）が図９（ｇ）に示されている。なお、前記メッキリード４７を利用した場合には、メッキリード部分を切断し、半導体装置を得る（ｈ）。このようにして得られた半導体装置が図８（Ａ）である。なお、メッキリード４７の切断は、接着シート３０を分離する前に行っても良いし、接着シート３０を分離した後に行っても良い。
【００８７】
本発明の半導体装置の製造は、図９の（ａ）（ｂ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）の順に行うことができるが、図９（ｃ）のように、工程（２ｂ）の以前においては、半導体素子１０を固着する領域の接着剤層３１に保護層４５を形成しておくのが好ましい。前記保護層４５の付設により、半導体素子１０と接着剤層３１との間に異物が付着するのを防止できる利点がある。
【００８８】
前記保護層４５の形成は、たとえば、金属箔４０のパターンエッチングにより行うことができる。前記図９における、前記工程（１）に係わる図９（ｂ）では、金属箔４０のパターンエッチングの工程で、半導体素子１０を固着する領域の金属箔４１もエッチングで除去したが、図９（ｃ）のように、金属箔のパターンエッチング工程において、半導体素子１０を固着する領域の金属箔４５はエッチングで除去することなく残しておくことで、金属箔４５を保護層とすることができる。その後、工程（２ｂ）に際しては金属箔４５を剥離する（ｄ）。保護層４５（金属箔４５）の剥離手段は特に制限されず各種手段を採用できる。その後は前記同様に図９（ｅ）乃至（ｆ）により半導体装置９０を得ることができる。
【００８９】
なお、導電部４０の表面４４を電解メッキする時、半導体素子１０を固着する領域を保護している金属箔４５は電解メッキが可能なようにメッキリードを電気的に導通していてもよく、またメッキリードとは導通していなくてもよい。電解メッキ工程で電位が付与されていない場合には、メッキ液に金属箔４５の成分が溶出する可能性もあるので、メッキすることが好ましい。
【００９０】
また、工程（２ｂ）の以前において、前記保護層４５を形成する方法としては、前記エッチング法の他に、図９（ｂ）の後に、接着剤層３１に保護皮膜を印刷する方法等を採用することもできる。しかし、当該方法では工程数が増えることから、保護層４５の形成は、前記エッチング法により形成した金属箔４５を利用するのが好ましい。
【００９１】
図９、図１０の説明では、導電部４０の表面４４をメッキ処理する方法として電解メッキ法を用いた場合を説明したが、メッキ処理は電解メッキに限らず、無電解メッキ法も採用できる。無電解メッキ法では前述したメッキリード４７は不要であり、導電部４０は電気的に個々に独立して存在する。そのため工程（４）のモールド樹脂形成後には、メッキリードを切断することが不要になる。このようにして得られた半導体装置が図８（Ｂ）である。なお、無電解メッキ法は、一般的にメッキ皮膜を形成したくない部分については、別途メッキが付着しないように保護しておく必要が有り、工程が増加するため電解メッキ法が好ましい。
【００９２】
前記図９に示す半導体装置の製造方法では、接着シート３０の接着剤層３１上に部分的に複数の導電部を形成する工程（１）として、接着剤層３１上に金属箔４１を貼り付ける方法を示したが、接着剤層３１への金属箔の形成方法は、メッキ法を採用することもできる。たとえば、接着剤層３１の全面に無電解メッキで金属を薄くメッキし（一般的には無電解メッキ厚さは０．０５〜３μｍ程度）、その後、金属箔の必要厚さ分を電解メッキで形成することにより、金属箔４１を形成できる。その他に、接着剤層３１上に、蒸着法やスパッタ法で薄く金属層を形成し（通常は０．０５〜３μｍ程度の厚さ）、その後、金属箔の必要厚さ分を電解メッキで形成する方法で金属箔４１を形成することもできる。
【００９３】
また、接着シート３０の接着剤層３１に感光性レジスト層を形成し、通常のフォトリソグラフ工法を用い、必要な形状および数の導電部形状の露光マスクを用い、露光・現像を経て必要な形状および数の導電部形状をレジスト層に形成することができる。この時、各導電部４０は電解メッキが可能なように、メッキリードで電気的に接続可能なように露光マスクを形成しておく。その後、無電解メッキにより薄くメッキする（一般的には無電解メッキ厚さは０．０５〜３μｍ程度）。無電解メッキ後、レジスト層を剥離し、前記のメッキリードを用いて、必要な厚みまで電解メッキを施し、導電部４０を形成できる。
【００９４】
また、接着シート３０の接着剤層３１に、蒸着法やスパッタ法で薄く金属層４１を形成し（通常は０．０５〜３μｍ程度の厚さ）、当該金属層４１の上に感光性レジスト層を形成し、通常のフォトリソグラフ工法を用い、必要な形状および数の導電部形状の露光マスクを用い、露光・現像を経て必要な形状および数の導電部形状をレジスト層に形成することができる。この時、各導電部４０は電解メッキが可能なように、メッキリードで電気的に接続されている。その後、メッキリードを用い、必要な厚みまで電解メッキを施しレジスト層を剥離し、ソフトエッチングにより蒸着法やスパッタ法で形成された薄い金属層４１を除去して導電部４３を得る方法を採用することもできる。この方法では蒸着法やスパッタ法で極薄い金属層４１を得る方法の代わりに、例えば三井金属鉱業（株）製の商品名（ＭｉｃｒｏＴｈｉｎ）等のような薄い銅箔（三井金属鉱業（株）製，銅箔では厚さ３μｍ）を接着シート３０の接着剤層３１に貼り付けて代用することもできる。
【００９５】
また、接着シート３０の接着剤層３１上に部分的に複数の導電部を形成する工程（１）として、プレス加工法により導電部４０を形成する方法を、図１１に示す。図１１の（ａ）（ｂ）（ｄ）（ｇ）は、接着剤層３１上に、工程（２ｂ）以前に保護層を形成していない場合の例であり、図１１の（ａ）（ｃ）（ｅ）（ｆ）（ｈ）は、接着剤層３１上に、工程（２ｂ）以前に保護層を形成した場合の例である。
【００９６】
まず図１１（ａ）では、工程フィルム７０に金属箔４１を貼り付ける。次いで、図１１（ｂ）、（ｃ）で金属箔４１を所定のパターンにプレス加工する。その後、図１１（ｄ）、（ｅ）で接着シート３０の接着剤層３１に金属箔４１側を貼り付ける。その後、工程フィルム７０を剥離し、導電部４０を形成する（ｇ）（ｈ）。なお、図１１（ｆ）に示される金属箔４５は、工程（２ｂ）以前において、導体素子の固着領域を保護するための保護層である。
【００９７】
工程フィルム７０としては、プレス加工後、導電部４０や金属箔４５を接着シート３０へ転写するため、弱接着性を有する接着シートまたは加熱、電子線、紫外線等により接着性が低下する接着フィルムが好ましい。特に、微細加工等を行う場合は、接着面積が小さくなるため、加工時は強接着性を有し、転写時は弱接着性であることが好ましい。このような接着シートとしては、加熱発泡剥離テープ〔日東電工（株）製：商品名リバアルファ〕、紫外線硬化型接着シート〔日東電工（株）製：エレップホルダー〕等があげられる。
【００９８】
上述した本発明の半導体装置の製造方法は、理解容易のために半導体装置１個の場合を例にあげて説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子を複数個単位で製造するのが実用的である。図１２に例を示す。図１２（ａ）は接着シート３０の平面図を模式的に示す。接着シート３０の上面には１つの半導体素子を固着する領域とその周囲に形成された導電部を一つのブロック８０として表し、そのブロック８０が支持体面上に升目状に多数形成されている。一方、図１２（ｂ）は前記の一つのブロック８０の拡大図である。半導体素子を固着する領域８１の周囲に導電部４０が必要な数だけ形成されている。
【００９９】
図１２（ａ）において、たとえば、接着シートの幅（Ｗ１）が５００ｍｍ幅であり、この例では通常のフォトリソグラフ工程と金属箔エッチング装置により連続的にロール状に巻かれた複数個のブロック８０が得られる。この様にして得られた幅５００ｍｍの接着シート３０を、次の半導体素子の固着工程（２ｂ）、ワイヤーボンディング工程（３）、トランスファーモールド法等による樹脂封止工程（４）に必要なブロック数になるように適時切断して使用される。このように複数個の半導体素子をトランスファーモールド法で樹脂封止する場合には、樹脂モールド後、所定の寸法に切断し半導体装置を得る。
【０１００】
【実施例】
つぎに、本発明の実施例を記載して、より具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味するものとする。
【０１０１】
実施例１
芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有する、マレイン酸変性ブロック共重合体（旭化成（株）製，タフテックＭ１９４３）１００部およびグリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）２部を配合し、濃度２０重量％となるようにトルエン溶媒に溶解した接着剤溶液を作成した。
【０１０２】
この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、厚さ５μｍの接着剤層を形成した接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０３】
実施例２
芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有する、マレイン酸変性ブロック共重合体（旭化成（株）製，タフテックＭ１９１３）１００部およびグリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）２部を配合し、濃度２０重量％となるようにトルエン溶媒に溶解し接着剤溶液を作成した。
【０１０４】
この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、厚さ５μｍの接着剤層を形成した接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０５】
実施例３
エチレン−メタクリル酸共重合体のディスパージョン溶液（東邦化学（株）製，ＨＹＴＥＣ Ｓ−３１２１）１００部およびグリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）２部を配合し、濃度２０重量％となるように水系ディスパージョン溶液を作成した。
【０１０６】
この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、厚さ５μｍの接着剤層を形成した接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０７】
実施例４
エチレン−メタクリル酸共重合体（三井・デュポンポリケミカル社製，ニュクレルＡＮ４２１４Ｃ）１００部に対し、老化防止剤（イルガノックス１０１０、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）２部を均一に混合した混合物を得た。この混合物を基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に１８０℃で厚さ１０μｍのフィルム状に押出成形した。次いで、このフィルムにγ線５０ＫＧｙを照射することにより接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０８】
比較例１
シリコーン系接着剤（ダウコーニングアジア社製，ＦＳ ＸＡ−２５４１）１００部に対し、シリコーンラバー（ダウコーニングアジア社製，シラスコン ＲＴＶ４０８６ Ｂ）２０部を配合し、濃度２０重量％となるようにトルエン溶媒に溶解した接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、接着剤厚さ５μｍの接着剤の層を形成して接着シートとした。接着シートにはフッ素系の剥離処理をしたセパレータを貼り合わせた。
【０１０９】
比較例２
実施例１において、グリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）の配合量を０．００５部に変えたこと以外は実施例１と同様にして接着剤溶液を作成した。また実施例１と同様にして接着シートを得た。
【０１１０】
比較例３
実施例３において、グリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）の配合量を０．００５部に変えたこと以外は実施例３と同様にして接着剤溶液を作成した。また実施例３と同様にして接着シートを得た。
【０１１１】
（評価）
上記の実施例１〜４および比較例１〜３で得られた接着シートについて、以下の方法により、ゲル分率、弾性率、シロキサン系発生ガス量、糊残り性の評価を行った。これらの結果を表１、表２に示す。
【０１１２】
〔ゲル分率（重量％）〕
接着シートの接着剤層を約０．１ｇ秤量し、孔径０．２μｍのフッ素樹脂膜（日東電工（株）製，ニトフロンＮＴＦ−１１２２又はその同等品）に包み、トルエン９０ｇに１００℃で２４時間浸漬した。その後、その残留物をフッ素樹脂膜と共に１３０℃で２時間乾燥させた。この後、浸漬前に採取した接着剤の初期重量：ａ（ｇ）に対する乾燥後にフッ素樹脂膜中に残った残留物重量：ｂ（ｇ）の割合：（ｂ／ａ）×１００（％）、をゲル分率（％）として求めた。
【０１１３】
〔弾性率測定方法〕
評価機器：レオメトリツクス社製の粘弾性スペクトルメ―タ（ＡＲＥＳ）
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
周波数：１Ｈｚ
測定モード：引張モード
【０１１４】
〔シロキサン系発生ガス量（ｎｇ／ｇ）〕
各接着シートを２００℃×３０分間にて加熱し、発生したシロキサン系ガスをＧＣ−ＭＳにて定量した。接着シートの単位グラムあたりのシロキサン系発生ガス量を示す。
【０１１５】
〔糊残り性〕
各接着シートを、端子部に一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリ−ドフレーム（Ｃｕ−Ｌ／Ｆ）のアウターパット側に、１５０℃×０．５ＭＰａ×５０ｍｍ／ｍｉｎのラミネート条件にて貼り合わせた。さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工（株）製，ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ社製，Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート時間：４０秒間、インジェクション時間：１１．５秒間、キュア時間：１２０秒間にてモールドした。その後、接着シートを剥離し、封止樹脂面及びリードフレーム面への糊残り性の有無を目視で確認した。
【０１１６】
【表１】
【０１１７】
【表２】
【０１１８】
表１、表２から明らかなように、本発明の実施例１〜４は封止樹脂及びリードフレームに対する離型性に優れており糊残りも見られない。また、接着剤層が非シリコーン系の材料であるため、シロキサン系の発生ガス量も極端に少ない。シロキサン系ガス発生はセパレータから転写物が確認されたものと認められる。これに対して、比較例１に示すシリコーン系接着剤を使用した場合には、離型性には優れているが、シロキサン系発生ガス量が極端に多く、表面へのシリコーン汚染、アウターパット側へのシリコーン成分の転写等により、ワイヤボンド時及びハンダ付け時の金属接合不良を起こす可能性が大きい。比較例２、３ではゲル分率が低く、糊残りが認められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置製造用接着シートの断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉａ）に用いるリードフレームの一例である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉａ）の工程図の概略である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）の工程図の概略である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）に用いるリードフレームの一例である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）の樹脂封止工程の一例を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩ）により得られた半導体装置の断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）により得られた半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）の工程図の概略である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）により得られた半導体装置の上面図の概略図である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）における工程（１）の他の一例である。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）における工程（１）で、接着シートに導電部を形成した状態の上面図である。
【符号の説明】
１、１０、１０２、２１５ 半導体素子
３０ 接着シート
３１ 接着剤層
３２ 基材層
４、４０、１２１ｂ、２１１ｂ 導電部
５、５０、１０５、２１７ 封止樹脂
６、６０、１２３、２１６ ワイヤー
７０ 工程フィルム
９０ 半導体装置
１２１、２１１ リードフレーム
【発明の属する技術分野】
本発明は、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートに関する。また本発明は、当該半導体装置製造用接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの実装技術において、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／ＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ）技術が注目されている。この技術のうち、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）に代表されるリード端子（導体）がパッケージ内部に取り込まれた形態のパッケージについては、小型化と高集積の面で特に注目されるパッケージ形態のひとつである。このようなＱＦＮの製造方法のなかでも、近年では複数のＱＦＮ用チップをリードフレームのパッケージパターン領域のダイパッド上に整然と配列し、金型のキャビティ内で、封止樹脂にて一括封止したのち、切断によって個別のＱＦＮ構造物に切り分けることにより、リードフレーム面積あたりの生産性を飛躍的に向上させる製造方法が、特に注目されている。
【０００３】
このような、複数の半導体素子を一括封止するＱＦＮの製造方法においては、樹脂封止時のモールド金型によってクランプされる領域はパッケージパターン領域より更に外側に広がった樹脂封止領域の外側だけである。従って、パッケージパターン領域、特にその中央部においては、アウターリード面をモールド金型に十分な圧力で押さえることができず、封止樹脂がアウタ−リード側に漏れ出すことを抑えることが非常に難しく、ＱＦＮの端子等が樹脂で被覆されるという問題が生じ易い。
【０００４】
このため、上記の如きＱＦＮの製造方法に対しては、リードフレームのアウターリード側に接着シートを貼り付け、この接着シートの自着力（マスキング）を利用したシール効果により、樹脂封止時のアウターリード側への樹脂漏れを防ぐ製造方法が特に効果的と考えられる。
【０００５】
このような製造方法において、接着シートは最初の段階でリードフレームのアウターパット面に貼り合わせられ、その後、半導体素子の搭載工程やワイヤボンディングの工程を経て、封止樹脂による封止工程まで貼り合わせられることが望ましい。したがって、接着シートとしては、単に封止樹脂の漏れ出しを防止するだけでなく、半導体素子の搭載工程に耐える高度な耐熱性や、ワイヤボンディング工程における繊細な操作性に支障をきたさないなど、これらのすべての工程を満足する特性が要求される。
【０００６】
また、近年では、特開平９−２５２０１４号公報に示されるように、更なる薄型化を目的として接着シート上に銅箔を貼り合わせて、エッチングにより導体部を形成する、いわゆるリードレスの半導体装置の製造方法が開示されている。かかる製造方法では、接着シート上で導体部を形成するため、導体部の薄型化が可能であり、また封止樹脂にて成型した半導体装置を個片化する場合には、リードフレームを切断する必要がないため、ダイシング時のブレードの磨耗等も少ない。このようなリードレスの半導体装置の製造方法に使用される接着シートの特性としてはリードフレームを使用した場合と同様に、単に封止樹脂の漏れ出しを防止するだけでなく、半導体素子の搭載工程に耐える高度な耐熱性や、ワイヤボンデイング工程における繊細な操作性に支障をきたさないなど、これらのすべての工程を満足する特性が要求される。
【０００７】
このような特性を有する接着シートの接着剤層は、製造工程終了後には、半導体装置からの離型性がよいこと、かつ優れた耐熱性、適度な弾性率および接着力を有していることが好ましい。そのため、前記接着シートの接着剤層には、一般的にシリコーン系接着剤が使用されている。
【０００８】
しかしながら、シリコーン系接着剤により形成された接着剤層には、次のような問題が生じていた。すなわち、上記一連の工程後に接着シートを剥離する際に、シリコーン系接着剤層はアウターパッド部へ移行してその表面を汚染する。その結果、半導体装置を実装基板にはんだ付けする際に濡れ性不良が生じ、実装の歩留りが低下するという問題が生じた。また、ワイヤボンディング工程ではワイヤとリードパットとの良好な金属接合を得るため、２００℃近くに加熱される場合があるが、このような条件下においてシリコーン系接着剤層はシロキサンガスを発生する。その結果、リードパット面が汚染され、ワイヤボンディング性が低下するという問題がある。さらに、特開平９−２５２０１４号公報に示されるようなリードレスの半導体装置の製造方法では、シリコーン系接着剤層はエッチング工程、メッキ工程でのウェットプロセスにて薬液に曝される。その結果、シリコーン成分が表面へ汚染しワイヤボンディング性が低下するという問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、耐熱性に優れ、かつ製造工程終了後には、半導体装置からの離型性がよい非シリコーン系の接着剤層を有する接着シートを提供することを目的とする。
【００１０】
さらには、当該半導体装置製造用接着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す接着シートを見出し本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明は、基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、
前記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート、に関する。
【００１３】
上記接着剤層は、ブロック共重合体および／またはその水添物により形成されている非シリコーン系の接着剤層であり、シリコーン成分の表面汚染によるはんだ付けする際の濡れ性不良、ワイヤボンデイング工程時の接合不良等を起こしにくく、シリコーンに係わる汚染の心配がない。また、上記接着剤層は、上記ブロック共重合体および／またはその水添物により形成され、かつそのゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されているため、離型性も良好であり封止工程後において、半導体装置（封止樹脂、アウターバット、導体部：金属部等）から糊残りなく良好に剥離できる。また、前記ブロック共重合体および／またはその水添物は、金属等の導体部に対して適度な接着性を有しており、しかも前記ゲル分率を有することから優れた耐熱性、適度な弾性率を有する。前記接着剤層のゲル分率は５０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上である。ゲル分率が５０％より小さくなると２００℃以上の高温にて軟化が起こり、糊はみ出し等の外観以上をきたす可能性が大きい。なお、ゲル分率は詳しくは実施例に記載の方法により測定される。
【００１４】
また、本発明は、基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、
前記接着シートの接着剤層が、接着剤層がエチレン系重合体を含有しており、かつゲル分率が５０％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート、に関する。
【００１５】
上記接着剤層は、エチレン系重合体により形成されている非シリコーン系の接着剤層であり、上記同様にシリコーンに係わる汚染の心配がない。また上記接着剤層は、エチレン系重合体により形成されており、かつそのがゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されているため、封止工程後において、半導体装置（封止樹脂、アウターバット、導体部等）から糊残りなく良好に剥離できる。また、前記エチレン系重合体は、金属等の導体部に対して適度な接着性を有しており、しかも前記ゲル分率を有することから優れた耐熱性、適度な弾性率を有する。前記接着剤層のゲル分率は５０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上である。ゲル分率が５０％より小さくなると２００℃以上の高温にて軟化が起こり、糊はみ出し等の外観以上をきたす可能性が大きい。なお、ゲル分率は詳しくは実施例に記載の方法により測定される。
【００１６】
前記接着剤層がブロック共重合体および／またはその水添物、エチレン系重合体のいずれにより形成される場合にも、接着剤層は、放射線照射により架橋することができる。
【００１７】
また、前記ブロック共重合体および／またはその水添物により形成される接着剤層は、当該ブロック共重合体および／またはその水添物が、官能基（ａ）を有する場合には、当該接着剤層は、たとえば、前記官能基（ａ）と反応しうる官能基（ｂ）を有する架橋剤により架橋することができる。官能基（ａ）としては、カルボキシル基もしくはその誘導体またはエポキシ基が好適である。
【００１８】
また、前記エチレン系重合体によりにより形成される接着剤層は、当該エチレン系重合体が、官能基（ａ）を有するモノマーを少なくとも共重合したものである場合には、当該接着剤層は、たとえば、前記官能基（ａ）と反応しうる官能基（ｂ）を有する架橋剤により架橋することができる。官能基（ａ）を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸および／またはグリシジル（メタ）アクリレートが好適である。エチレン系重合体としては、アクリル酸および／またはメタアクリル酸を共重合した、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体が好適である。またエチレン系重合体としては、エチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体が好適である。
【００１９】
さらには本発明は、開口に配列した導体部を有するリードフレームが、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に積層されていることを特徴とするリードフレーム積層物、に関する。
【００２０】
リードフレームを用いて、半導体装置を製造する場合には、本発明の半導体装置製造用接着シートは、予めリードフレームと積層した積層物として用いることができる。
【００２１】
さらに本発明は、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、開口に配列した導体部を有するリードフレームが積層され、かつ当該導体部と半導体素子を結線した状態で、封止樹脂による封止を少なくとも行うことを特徴とする半導体装置の製造方法（Ｉ）、に関する。
【００２２】
本発明の半導体装置製造用接着シートは、リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）に好適に用いられる。
【００２３】
さらに本発明は、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記導電部の所定位置に固着する工程（２ａ）、
前記半導体素子を固着していない導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法（ＩＩ）、に関する。
【００２４】
本発明の半導体装置製造用接着シートは、薄型化が可能な、リードレス構造の表面実装型の半導体装置の製造方法（ＩＩ）に好適に適用できる。
【００２５】
さらに本発明は、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記接着剤層上に固着する工程（２ｂ）、
前記複数の導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）、に関する。
【００２６】
本発明の半導体装置製造用接着シートは、薄型化が可能な、リードレス構造の表面実装型の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）に好適に適用できる。
【００２７】
上記製造方法（ＩＩＩ ）では、工程（２ｂ）において、支持体である接着シートの接着剤層上に半導体素子を固着して半導体装置を製造している。また半導体装置の製造後には、工程（５）において、前記接着シートは半導体装置から分離している。そのため、かかる製造方法（ＩＩＩ ）によれば、上記半導体素子の製造方法（ＩＩ）において、半導体素子を固定するために半導体装置に付随的に組み込まれていた、金属（ダイパッド）や接着剤層は不要であり、薄型化した半導体装置を得ることができる。
【００２８】
また、半導体素子は接着シートに固着されているため、搬送工程等での半導体素子の位置ズレがなくなる。また工程（４）等において、封止樹脂のトランスファーモールド工程での高温下及び樹脂が金型内を流れるときに発生する圧力下における半導体素子の位置ズレも無くなる。
【００２９】
さらには、従来技術では不用なダイパッドや接着剤が付随的に形成されるゆえ、半導体装置を薄型化するためには、半導体素子そのものを無理に研磨する必要があったが、本発明の製造方法では薄型化した半導体装置が得られることから、半導体素子の無理な研磨が必要でなくなり、半導体素子の割れ欠けを低減することができる。また接着剤等の余分な材料を使用する必要がないことから、コスト低減にも有利であり、余分な材料を使用する工程がないことから簡略化した製造方法としても有利である。
【００３０】
前記半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）において、半導体素子を接着剤層上に固着する工程（２ｂ）以前までは、接着剤層上における半導体素子を固着する領域に、保護層が形成されていることが好ましい。
【００３１】
一般的には半導体素子自体の製造工程は、空気中のパーティクルが除去されたクリーン環境で行われるが、半導体装置の組み立て工程は、厳格なクリーン環境でない場合もある。接着剤層には異物が付着しやすいため、接着剤層上における半導体素子を固着する領域には、半導体素子を固着させるまで保護層を設けておくことにより、半導体素子と接着剤層間に異物が介入することを防止することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置製造用接着シートおよび半導体装置について、その実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。まず、本発明の半導体装製造用接着シートについて説明する。図１に、その断面図を示す。本発明の半導体装置製造用接着シート３０は、基材層３２と接着剤層３１を有する。
【００３３】
接着剤層３１は、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物により形成される。前記ブロック共重合体は、スチレン重合体ブロックとイソプレンやブタジエン等の共役ジエン系重合体ブロックまたはその水添物を有する。
【００３４】
前記ブロック共重合体としては、たとえば、スチレン・ブタジエン（ＳＢ）、スチレン・イソプレン（ＳＩ）等のスチレン−ジエン系ＡＢ型ブロック共重合体（ジブロック共重合体）；スチレン・ブタジエン・スチレン（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレン（ＳＩＳ）等のスチレン系ＡＢＡ型ブロック共重合体（トリブロック共重合体）；スチレン・ブタジエン・スチレン・ブタジエン（ＳＢＳＢ）、スチレン・イソプレン・スチレン・イソプレン（ＳＩＳＩ）等のスチレン系ＡＢＡＢ型ブロック共重合体（テトラブロック共重合体）；スチレン・ブタジエン・スチレン・ブタジエン・スチレン（ＳＢＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレン・イソプレン・スチレン（ＳＩＳＩＳ）等のスチレン系ＡＢＡＢＡ型ブロック共重合体（ペンタブロック共重合体）、さらには、これ以上のＡＢ繰り返し単位を有するスチレン−ジエン系マルチブロック共重合体があげられる。
【００３５】
前記ブロック共重合体としては、エチレン性二重結合を水添した水添物を用いるのが好ましい。たとえば、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体（ＳＥＢ）、スチレン・エチレン−プロピレン共重合体（ＳＥＰ）、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体・スチレン（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン−プロピレン共重合体・スチレン（ＳＥＰＳ）、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体・スチレン・エチレン−ブチレン共重合体（ＳＥＢＳＥＢ）等があげられる。前記ブロック共重合体の水添物の市販品としては、タフテックＨシリーズ（旭化成（株）製）、クレイトンＧシリーズ（シェルジャパン（株）製）、セプトンシリーズ（（株）クラレ製）があげられる。
【００３６】
また前記ブロック共重合体および／またはその水添物は、官能基（ａ）を有するものを用いることができる。官能基（ａ）としては、カルボキシル基またはその誘導体があげられる。カルボキシル基等は、たとえば、マレイン酸等を付加することにより導入することができる。カルボキシル基またはその誘導体を有するブロック共重合体の水添物の市販品としては、タフテックＭシリーズ（旭化成（株）製）、クレイトンＦＧ１９０１Ｘ（シェルジャパン（株）製）等があげられる。また、官能基（ａ）としてはエポキシ基があげられる。エポキシ基は、グリシジル（メタ）アクリレートをグラフト重合させることにより導入することができる。
【００３７】
また、接着剤層３１は、エチレン系重合体により形成される。エチレン系重合体としては、ポリエチレンおよびエチレンと他のモノマーとのエチレン共重合体をいう。エチレン共重合体としては、エチレン−アクリレート共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−αオレフィン共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体等があげられる。エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体は、ＥＡＡ、ＥＭＡＡ等として市販品で入手でき、例えば日本ポリケム（株）製の商品名ノバテックＥＡＡ、三井・デュポンポリケミカル（株）製の商品名：ニュクレル等があげられる。また、ＥＡＡの水系ディスパージョン溶液として、東邦化学（株）のＨＹＴＥＣシリーズがあげられる。エチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体の市販品としては、住友化学工業（株）製のボンドファーストシリーズがあげられる。
【００３８】
接着剤層３１は、ゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されたものが用いられる。接着剤層の架橋方法としては、たとえば、電子線照射等の放射線照射による架橋する方法があげられる。放射線照射による架橋は、接着剤層の形成樹脂は、前記例示のブロック共重合体および／またはその水添物、エチレン系重合体のいずれの場合にも適用できる。
【００３９】
また、接着剤層３１の架橋方法としては、接着剤層の形成樹脂が、反応性官能基（ａ）を有する場合には、その反応性官能基（ａ）と反応性を有する官能基（ｂ）を有する架橋剤を添加し架橋させる方法があげられる。かかる架橋剤による架橋方法は、簡易的に低コストで既存の設備にて行うことができ好ましい。
【００４０】
反応性官能基（ａ）としては、たとえば、カルボキシル基があげられる。カルボキシル基を有するブロック共重合体としては、マレイン酸等を付加したブロック共重合体があげられる。カルボキシル基を有するエチレン系重合体としてはエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体等があげられる。
【００４１】
反応性官能基（ａ）としては、たとえば、エポキシ基があげられる。エポキシ基を有するブロック共重合体としては、グリシジル（メタ）アクリレート等をグラフトさせたものがあげられる。またエポキシ基を有するエチレン系重合体としてはエチレン−グリシジル（メタ）アクリレート共重合体等があげられる。
【００４２】
架橋剤としては、反応性官能基（ａ）の種類に応じて適宜に選択される。反応性官能基（ａ）が、カルボキシル基の場合には、たとえば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤等があげられる。これらのなかでも耐熱性の観点よりエポキシ系架橋剤が好ましい。
【００４３】
エポキシ系架橋剤としては、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を混合して用いることができる。
【００４４】
反応性官能基（ａ）が、エポキシ基の場合には、たとえば、カルボキシル基含有化合物等があげられる。カルボキシル基含有化合物としては、無水フタル酸およびその誘導体、無水コハク酸その誘導体等の無水カルボン酸類（新日本理化（株）製，リカシッドシリーズ）や、カルボキシ基含有ロジン化合物（荒川化学工業（株）製，ＫＥ−６０４）等があげられる。
【００４５】
架橋剤の使用割合は、接着剤層のゲル分率が５０重量％以上になれば特に制限されないが、通常、接着剤層の形成樹脂（ブロック共重合体および／またはその水添物、エチレン系重合体）１００重量部に対し、好適には０．０１〜１０重量部、さらに好ましくは０．１〜５重量部である。０．０１重量部より少ないと架橋反応が十分進行せず、耐熱性が不足する傾向がある。一方、１０重量部より多くなると接着性が低下する傾向がある。
【００４６】
前記接着剤層３１には、接着シート３０の諸特性を劣化させない範囲で、無機充填剤、有機充填剤、顔料、老化防止剤、シランカップリング剤、粘着付与剤などの公知の各種の添加剤を、必要により添加することができる。特に、老化防止剤の添加は高温での劣化を防止する上で有効である。
【００４７】
基材層３２は、耐熱性基材が用いられる。たとえば、ポリエステル、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、架橋ポリエチレン等のプラスチック基材及びその多孔質基材、グラシン紙、上質紙、和紙等の紙基材、セルロース、ポリアミド、ポリエステル、アラミド等の不織布基材、アルミ箔、ＳＵＳ箔、Ｎｉ箔、銅箔等の金属フィルム基材等があげられる。基材層３２は有機物、無機物のいずれでもよいが、半導体装置の製造方法において、メッキ処理等が施される場合には、有機物であるのが好ましい。
【００４８】
本発明の接着シートの作製法は特に制限されず、一般的な方法を採用できる。たとえば、接着剤層３１の形成材を、溶剤へ溶解した溶液を、基材層３２へ塗布し、加熱乾燥により接着シート３０を形成する方法があげられる。溶剤としては特に限定はないが、たとえば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤等が溶解性が良好であり好適に用いられる。また接着剤層３１の形成材を、水系のディスパージョン溶液とし基材層３２へ塗布し、加熱乾燥により接着シート３０を形成する方法；接着剤層３１の形成材をホットメルトコーティングにより基材層３２へ塗布し、接着シート３０を形成する方法があげられる。
【００４９】
こうして前記基材層３２と接着剤層３１を有する半導体装置製造用接着シート３０が得られる。基材層３２の厚みは、特に制限されないが、通常、１０〜２００μｍ程度、好ましくは２５〜１００μｍである。基材層３２の厚みが、１０μｍより薄くなるとハンドリング性が低下する傾向があり、２００μｍより厚くなるとコストアップになる。接着剤層３１の厚みは、特に制限されないが、通常、１〜５０μｍ程度、好ましくは５〜２０μｍである。接着シート３０は接着テープとして用いることができる。
【００５０】
前記接着シート３０は、前記基材層３２の１５０℃での弾性率が０．３ＧＰａ以上であり、かつ前記接着剤層３１の１５０℃における弾性率が０．１Ｍｐａ以上であるものを用いるのが好ましい。接着シート３０としては前記弾性率の基材層３２および接着剤層３１を有する耐熱性の良好なものを用いるのが好ましい。かかる観点から、基材層３２としては前記弾性率が０．３Ｇｐａ以上、好ましくは０．５Ｇｐａ以上、更に好ましくは１Ｇｐａ以上のものが好適に用いられる。基材層３２の前記弾性率は、通常、０．３〜１００ＧＰａ程度であるのが好ましい。また接着剤層３１としては、弾性率が０．１ＭＰａ以上、好ましくは０．５ＭＰａ以上、更に好ましくは１ＭＰａ以上のものが好適に用いられる。接着剤層３１の前記弾性率は、通常、０．１〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましい。かかる弾性率の接着剤層３１は、封止樹脂工程等において接着剤層の軟化・流動を起こしにくく、より安定した成型が可能である。なお、弾性率の測定は詳しくは実施例に記載の方法による。
【００５１】
また接着シート３０には、必要に応じて静電防止機能を設けることができる。図１に、接着シート３０に静電防止防止機能を付与する手法を示す。静電防止機能を付与する方法としては、接着剤層３１、基材層３２に帯電防止剤、導電性フィラーを混合する方法があげられる。また基材層３２と接着剤層３１との界面３３や、基材層３２の裏面３４に帯電防止剤を塗布する方法があげられる。当該静電防止機能により、接着シートを半導体装置から分離する時に発生する静電気を抑制することができる。帯電防止剤としては、上記静電防止機能を有するものであれば特に制限はない。具体例としては、例えば、アクリル系両性、アクリル系カチオン、無水マレイン酸−スチレン系アニオン等の界面活性剤等が使用できる。帯電防止層用の材料としては、具体的には、ボンディップＰＡ、ボンディップＰＸ、ボンディップＰ（コニシ（株）製）などがあげられる。また、前記導電性フィラーとしては、慣用のものを使用でき、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属、これらの合金または酸化物、カーボンブラックなどのカーボンなどが例示できる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。導電性フィラーは、粉体状、繊維状の何れであってもよい。
【００５２】
前記本発明の半導体装置製造用接着シートは、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される。
【００５３】
かかる半導体装置の製造方法としては、たとえば、リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）があげられる。リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）では、前記半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、開口に配列した導体部を有するリードフレームが積層され、かつ当該導体部と半導体素子を結線した状態で、封止樹脂による封止を少なくとも行う。かかる半導体装置の製造方法（Ｉ）において、前記リードフレームは、半導体装置製造用接着シートの接着剤層に予め積層したリードフレーム積層物として用いることができる。
【００５４】
半導体装置の製造方法（Ｉ）の一例（Ｉａ）を、図２、図３を参照しながら説明する。図２はリードフレームの例を示すものであり、（イ）は全体を示す斜視図であり、（ロ）はその１ユニット分を示す平面図である。リードフレーム１２１は、半導体素子１０２を配置して接続を行うための開口１２１ａを有しており、その開口１２１ａには複数の端子部（導体部）１２１ｂを配列している。リードフレーム１２１少なくとも端子部１２１ｂが導体部であればよく、全体が導体部となっていてもよい。
【００５５】
半導体素子１０２は端子部１２１ｂにワイヤボンディング等によって電気的に接続されるが、リードフレーム積層物とした状態で半導体素子１０２を接続してもよく、また積層物とする前に接続を行ってもよい。したがって、リードフレーム積層物は、予め半導体素子１０２を接続してあるものも包含される。
【００５６】
端子部１２１ｂの形状や配列は特に制限されず、長方形に限らず、パターン化した形状や円形部を有する形状等でもよい。また開口１２１ａの全周に配列されたものに限らず、開口１２１ａの全面や対向する２辺に配列したもの等でもよい。
【００５７】
半導体装置の製造方法（Ｉａ）は、開口に配列した端子部が銅製であるリードフレームを使用して、その端子部に半導体素子を接続した状態で樹脂封止を行う成型工程（図３参照）を行う。
【００５８】
例えば、接着シート３０を、半導体素子１０２の電極と端子部１２１ｂとの間をワイヤ１２３でボンディングしたリードフレーム１２１に貼着して積層物を得る。この積層物を使用して、図３（イ）〜（ハ）に示すように、半導体素子１０２が下金型１０３のキャビティ１３１内に位置するように配置し、上金型１０４で型閉し、トランスファー成形によりキャビティ１３１内に樹脂１０５を注入・硬化させ、次いで型開する。必要に応じて、接着シート３０を貼着した状態で加熱装置内でＰＭＣ（ポストモールドキュア）工程を行う。その後、接着シート３０を剥離除去する。その後には、さらに端子部１２１ｂにはんだをメッキするメッキ工程を行うことができる。その後又はそれまでの適当な時期に、端子部１２１ｂを残してリードフレーム１２１をトリミングによりカットする。
【００５９】
また、半導体装置の製造方法（Ｉ）の一例（Ｉｂ）を、図４乃至図６を参照しながら説明する。図４は、本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）の一例の工程図であり、リードフレームに予め接着シートを貼り合わせたリードフレーム積層物を用いて、半導体チップの搭載・結線と封止樹脂による封止とを少なくとも行うものである。図４（ａ）〜（ｅ）に示すように、半導体チップ２１５の搭載工程と、ボンディングワイヤ２１６による結線工程と、封止樹脂２１７による封止工程と、封止された構造物２１を切断する切断工程とを含むＱＦＮの一括封止による製造方法の例を示す。
【００６０】
搭載工程は、図４（ａ）〜（ｂ）に示すように、アウターパッド側（図の下側）に接着シート３０を貼り合わせた金属製のリードフレーム２１０のダイパッド２１１ｃ上に半導体素子２１５をボンディングする工程である。
【００６１】
リードフレーム２１０とは、例えば銅などの金属を素材としてＱＦＮの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分には、銀、ニッケル、パラジウム、金などのなどの素材で被覆（めっき）されている場合もある。
【００６２】
リードフレーム２１０は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のＱＦＮの配置パターンが整然と並べられているものが好ましい。例えば図５に示すように、リードフレーム２１０上に縦横のマトリックス状に配列された形状などは、マトリックスＱＦＮあるいはＭＡＰ−ＱＦＮなどと呼ばれ、もっとも好ましいリードフレーム形状のひとつである。
【００６３】
図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、リードフレーム２１０のパッケージパターン領域２１１には、隣接した複数の開口２１１ａに端子部２１１ｂを複数配列した、ＱＦＮの基板デザインが整然と配列されている。一般的なＱＦＮの場合、各々の基板デザイン（図５（ａ）の格子で区分された領域）は、開口２１１ａの周囲に配列れさた、アウターリード面を下側に有する端子部２１１ｂと、開口２１１ａの中央に配置されるダイパッド２１１ｃと、ダイパッド２１１ｃを開口２１１ａの４角に支持させるダイバー２１１ｄとで構成される。
【００６４】
接着シート３０は、開口２１１ａと端子部２１１ｂとを含むパッケージパターン領域２１１より外側に少なくとも貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム２１０は、通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔２１３を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム２１０の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続して接着シート３０を貼着するのが好ましい。
【００６５】
上記のようなリードフレーム２１０上に、半導体素子２１５、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウエハ・チップが搭載される。リードフレーム２１０上にはこの半導体素子２１５を固定するためダイパッド２１１ｃと呼ばれる固定エリアが設けられており、このダイパッド２１１ｃヘのボンディング（固定）の方法は導電性ペースト２１９を使用したり、接着テープ、接着剤など各種の方法が用いられる。導電性ペーストや熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に１５０〜２００℃程度の温度で３０分〜９０分程度加熱キュアする。
【００６６】
結線工程は、図４（ｃ）に示すように、リードフレーム２１０の端子部２１１ｂ（インナーリード）の先端と半導体素子２１５上の電極パッド２１５ａとをボンディングワイヤ２１６で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤ２１６としては、例えば金線あるいはアルミ線などが用いられる。一般的には１６０〜２３０℃に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により結線される。その際、リードフレーム２１０に貼着した接着シート３０面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定することができる。
【００６７】
封止工程は、図４（ｄ）に示すように、封止樹脂２１７により半導体チップ側を片面封止する工程である。封止工程は、リードフレーム２１０に搭載された半導体素子２１５やボンディングワイヤ２１６を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂２１７を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、図６に示すように、複数のキャビティを有する上金型２１８ａと下金型２１８ｂからなる金型２１８を用いて、複数の封止樹脂２１７にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は１７０〜１８０℃であり、この温度で数分間キュアされた後、更に、ポストモールドキュアが数時間行われる。なお、接着シート３０はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。
【００６８】
切断工程は、図４（ｅ）に示すように、封止された構造物２２１を個別の半導体装置２２１ａに切断する工程である。一般的にはダイサーなどの回転切断刃を用いて封止樹脂２１７の切断部２１７ａをカットする切断工程が挙げられる。
【００６９】
接着シート３０とリードフレーム２１０との貼り合わせは、ニップ圧で両者を貼着させるニップロール等を備える各種ラミネータ等を用いることができる。
【００７０】
なお、前述の実施形態では、ＱＦＮの一括封止による製造方法の例を示したが、製造方法（Ｉｂ）は、ＱＦＮを個別に封止する方法であってもよい。その場合、個々の半導体チップが各々のキャビティ内に配置されて、封止樹脂による封止工程が行われる。また前述の実施形態では、半導体チップの搭載・結線を、ダイパッド上へのボンディングと、ワイヤボンディングとにより行う例を示したが、パッケージの種類に応じて搭載工程や結線工程を変えることができ、搭載と結線を同時に行うものでもよい。
【００７１】
以上は、リードフレームを用いた半導体装置の製造方法（Ｉ）について説明したが、本発明の半導体装置製造用接着シートは、本発明の半導体装置製造用接着シートは、薄型化が可能な、リードレス構造の半導体装置の製造方法（ＩＩ）、（ＩＩＩ ）に適用できる。
【００７２】
半導体装置の製造方法（ＩＩ）は、半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記導電部の所定位置に固着する工程（２ａ）、
前記半導体素子を固着していない導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、を有する。
【００７３】
かかる半導体装置の製造方法（ＩＩ）は、たとえば、特開平９−２５２０１４号公報に記載されている。製造方法（ＩＩ）により得られた半導体装置の一例を図７に示す。当該半導体装置の製造方法（ＩＩ）は、まず、基材である接着シート３０（接着剤層３１）に金属箔を貼り付け、所定部分に金属箔を残すように当該金属箔のエッチングを行う（工程（１））。次いで、半導体素子１と同等の大きさを有する金属箔４ａ（ダイパッド）の上に接着剤２を用いて半導体素子１を固着する（工程（２ａ））。さらに、ワイヤー６によって半導体素子１と金属箔４ｂとの電気的接合を行う（工程（３））。次いで、金型を用い封止樹脂５でトランスファーモールドを行い（工程（４））、最後に成形された封止樹脂を基材３から分離する（工程（５））ことによって半導体素子をパッケージとして完成する。
【００７４】
他のリードレス構造の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）は、半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記接着剤層上に固着する工程（２ｂ）、
前記複数の導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、を有する。
【００７５】
かかる半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）は、特願２００２−２１７６８０号に記載されている。
【００７６】
以下、本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）について、その実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。まず、製造方法（ＩＩＩ ）により得られる半導体装置の構造について説明する。図８（Ａ）及び（Ｂ）に、その半導体装置の断面図を示す。
【００７７】
半導体素子１０は、導電部４０とを電気的に接続するために、ワイヤ６０で結線されている。半導体素子１０には上側に電極が形成されている（図示せず） 。半導体素子１０及びワイヤ６０等は外部環境から保護するため封止樹脂５０で封止されている。また、半導体素子１０、導電部４０の下面は封止樹脂５０で成形された樹脂表面に露出する構成となっており、半導体素子１０の電極が形成されていない側と導電部４０のワイヤーに接続していない側が同一面上に形成されている。このように本発明の半導体装置では、ダイパッドや半導体素子固着用の接着剤層を有しない構造になっている。
【００７８】
なお、図８（Ａ）と（Ｂ）との相違点の詳細は後述するが、図８（Ａ）においては導電部４０の側面４６が露出する構造であるのに対し、図８（Ｂ）においては導電部４０の側面４６は封止樹脂５０に埋設されている点が異なる。
【００７９】
従来の半導体装置では、ダイパッドの厚みが概略１００〜２００μｍ、半導体素子の固着用接着剤層の厚みは概略１０〜５０μｍである。そのため、半導体素子の厚さ及び半導体素子の上に覆われる封止樹脂の厚みが同じ場合には、本発明の半導体装置によれば、厚み１１０〜２５０μｍの薄層化が可能となる。半導体装置の構造例として、製造方法（ＩＩ）により得られる半導体装置（図７）の様に半導体装置を回路基板に実装する電極が半導体装置の下側にある型の半導体装置においては、その厚みＴ１は概略３００〜７００μｍであり、本発明による薄層化効果の影響は非常に大きい。
【００８０】
次いで、本発明の半導体装置の製造方法の各工程（１）〜（５）の概略の一例を、図９に示す。
【００８１】
まず、基材層３２および接着剤層３１を有する接着シート３０の当該接着剤層３１上に部分的に複数の導電部４０を形成する工程（１）について説明する。前記導電部４０を形成する工程（１）は特に制限されず、各種方法を採用できる。たとえば、図９（ａ）に示すように、接着シート３０の接着剤層３１に、金属箔４１貼り付ける。次いで、図９（ｂ）に示すように、一般的に用いられているフォトリソグラフを用いたパターンエッチング法により導電部４０を形成するがことができる。金属箔４１は、特に制限されず、通常、半導体業界で用いられているものを使用でき、たとえば、銅箔、銅−ニッケル合金箔、Ｆｅ−ニッケル合金箔、Ｆｅ−ニッケル−コバルト合金箔等を用いることができる。なお、金属箔４１と接着剤層３１とが接する面４２は、半導体装置を基板等へ実装する時の実装形態に適した表面処理を必要に応じて施しておくことができる。
【００８２】
前記導電部４０を形成した時点の導電部４０の配置平面図を模式的に示したのが図１０である。半導体素子１０の電極数に対応した導電部４０が複数個形成されているが、複数個の導電部４０は電解メッキ用のメッキリード４７で電気的に導通させることができる。図１０で破線で示す線ａ−ｂ部分の断面図が図９（ｂ）である。
【００８３】
次いで、電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子１０を、当該半導体素子１０の電極が形成されていない側が前記接着剤層３１側となるように、当該半導体素子１０を前記接着剤層３１上に固着する工程（２ｂ）を施す。さらに、前記複数の導電部４０と前記半導体素子１０の電極とをワイヤー６により電気的に接続する工程（３）を施す。これら工程（２ｂ）、（３）が図９（ｅ）に示されている。
【００８４】
なお、工程（２ｂ）の前には、前記したメッキリード４７を利用し、導電部４０の表面４４にワイヤーボンディングに最適な電解メッキを施すことができる。一般的にはＮｉメッキを施し、その上に金メッキが施されるが、これらに制限されるものではない。
【００８５】
次いで、前記半導体素子１０等を封止樹脂５０で封止して、前記接着シート３０の接着剤層３１上に半導体装置を形成する工程（４）を施す。封止樹脂５０による封止は、通常のトランスファーモールド法により、金型を用いて行うことができる。この工程（４）が図９（ｆ）に示されている。なお、トランスファーモールド後には、必要に応じてモールド樹脂の後硬化加熱を行うことができる。後硬化加熱は、後述する、接着シート３０を分離する工程（５）の前であってもよく、後であってもよい。
【００８６】
次いで、半導体装置から接着シート３０を分離する工程（５）を施す。これにより、半導体装置９０を得る。この工程（５）が図９（ｇ）に示されている。なお、前記メッキリード４７を利用した場合には、メッキリード部分を切断し、半導体装置を得る（ｈ）。このようにして得られた半導体装置が図８（Ａ）である。なお、メッキリード４７の切断は、接着シート３０を分離する前に行っても良いし、接着シート３０を分離した後に行っても良い。
【００８７】
本発明の半導体装置の製造は、図９の（ａ）（ｂ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）の順に行うことができるが、図９（ｃ）のように、工程（２ｂ）の以前においては、半導体素子１０を固着する領域の接着剤層３１に保護層４５を形成しておくのが好ましい。前記保護層４５の付設により、半導体素子１０と接着剤層３１との間に異物が付着するのを防止できる利点がある。
【００８８】
前記保護層４５の形成は、たとえば、金属箔４０のパターンエッチングにより行うことができる。前記図９における、前記工程（１）に係わる図９（ｂ）では、金属箔４０のパターンエッチングの工程で、半導体素子１０を固着する領域の金属箔４１もエッチングで除去したが、図９（ｃ）のように、金属箔のパターンエッチング工程において、半導体素子１０を固着する領域の金属箔４５はエッチングで除去することなく残しておくことで、金属箔４５を保護層とすることができる。その後、工程（２ｂ）に際しては金属箔４５を剥離する（ｄ）。保護層４５（金属箔４５）の剥離手段は特に制限されず各種手段を採用できる。その後は前記同様に図９（ｅ）乃至（ｆ）により半導体装置９０を得ることができる。
【００８９】
なお、導電部４０の表面４４を電解メッキする時、半導体素子１０を固着する領域を保護している金属箔４５は電解メッキが可能なようにメッキリードを電気的に導通していてもよく、またメッキリードとは導通していなくてもよい。電解メッキ工程で電位が付与されていない場合には、メッキ液に金属箔４５の成分が溶出する可能性もあるので、メッキすることが好ましい。
【００９０】
また、工程（２ｂ）の以前において、前記保護層４５を形成する方法としては、前記エッチング法の他に、図９（ｂ）の後に、接着剤層３１に保護皮膜を印刷する方法等を採用することもできる。しかし、当該方法では工程数が増えることから、保護層４５の形成は、前記エッチング法により形成した金属箔４５を利用するのが好ましい。
【００９１】
図９、図１０の説明では、導電部４０の表面４４をメッキ処理する方法として電解メッキ法を用いた場合を説明したが、メッキ処理は電解メッキに限らず、無電解メッキ法も採用できる。無電解メッキ法では前述したメッキリード４７は不要であり、導電部４０は電気的に個々に独立して存在する。そのため工程（４）のモールド樹脂形成後には、メッキリードを切断することが不要になる。このようにして得られた半導体装置が図８（Ｂ）である。なお、無電解メッキ法は、一般的にメッキ皮膜を形成したくない部分については、別途メッキが付着しないように保護しておく必要が有り、工程が増加するため電解メッキ法が好ましい。
【００９２】
前記図９に示す半導体装置の製造方法では、接着シート３０の接着剤層３１上に部分的に複数の導電部を形成する工程（１）として、接着剤層３１上に金属箔４１を貼り付ける方法を示したが、接着剤層３１への金属箔の形成方法は、メッキ法を採用することもできる。たとえば、接着剤層３１の全面に無電解メッキで金属を薄くメッキし（一般的には無電解メッキ厚さは０．０５〜３μｍ程度）、その後、金属箔の必要厚さ分を電解メッキで形成することにより、金属箔４１を形成できる。その他に、接着剤層３１上に、蒸着法やスパッタ法で薄く金属層を形成し（通常は０．０５〜３μｍ程度の厚さ）、その後、金属箔の必要厚さ分を電解メッキで形成する方法で金属箔４１を形成することもできる。
【００９３】
また、接着シート３０の接着剤層３１に感光性レジスト層を形成し、通常のフォトリソグラフ工法を用い、必要な形状および数の導電部形状の露光マスクを用い、露光・現像を経て必要な形状および数の導電部形状をレジスト層に形成することができる。この時、各導電部４０は電解メッキが可能なように、メッキリードで電気的に接続可能なように露光マスクを形成しておく。その後、無電解メッキにより薄くメッキする（一般的には無電解メッキ厚さは０．０５〜３μｍ程度）。無電解メッキ後、レジスト層を剥離し、前記のメッキリードを用いて、必要な厚みまで電解メッキを施し、導電部４０を形成できる。
【００９４】
また、接着シート３０の接着剤層３１に、蒸着法やスパッタ法で薄く金属層４１を形成し（通常は０．０５〜３μｍ程度の厚さ）、当該金属層４１の上に感光性レジスト層を形成し、通常のフォトリソグラフ工法を用い、必要な形状および数の導電部形状の露光マスクを用い、露光・現像を経て必要な形状および数の導電部形状をレジスト層に形成することができる。この時、各導電部４０は電解メッキが可能なように、メッキリードで電気的に接続されている。その後、メッキリードを用い、必要な厚みまで電解メッキを施しレジスト層を剥離し、ソフトエッチングにより蒸着法やスパッタ法で形成された薄い金属層４１を除去して導電部４３を得る方法を採用することもできる。この方法では蒸着法やスパッタ法で極薄い金属層４１を得る方法の代わりに、例えば三井金属鉱業（株）製の商品名（ＭｉｃｒｏＴｈｉｎ）等のような薄い銅箔（三井金属鉱業（株）製，銅箔では厚さ３μｍ）を接着シート３０の接着剤層３１に貼り付けて代用することもできる。
【００９５】
また、接着シート３０の接着剤層３１上に部分的に複数の導電部を形成する工程（１）として、プレス加工法により導電部４０を形成する方法を、図１１に示す。図１１の（ａ）（ｂ）（ｄ）（ｇ）は、接着剤層３１上に、工程（２ｂ）以前に保護層を形成していない場合の例であり、図１１の（ａ）（ｃ）（ｅ）（ｆ）（ｈ）は、接着剤層３１上に、工程（２ｂ）以前に保護層を形成した場合の例である。
【００９６】
まず図１１（ａ）では、工程フィルム７０に金属箔４１を貼り付ける。次いで、図１１（ｂ）、（ｃ）で金属箔４１を所定のパターンにプレス加工する。その後、図１１（ｄ）、（ｅ）で接着シート３０の接着剤層３１に金属箔４１側を貼り付ける。その後、工程フィルム７０を剥離し、導電部４０を形成する（ｇ）（ｈ）。なお、図１１（ｆ）に示される金属箔４５は、工程（２ｂ）以前において、導体素子の固着領域を保護するための保護層である。
【００９７】
工程フィルム７０としては、プレス加工後、導電部４０や金属箔４５を接着シート３０へ転写するため、弱接着性を有する接着シートまたは加熱、電子線、紫外線等により接着性が低下する接着フィルムが好ましい。特に、微細加工等を行う場合は、接着面積が小さくなるため、加工時は強接着性を有し、転写時は弱接着性であることが好ましい。このような接着シートとしては、加熱発泡剥離テープ〔日東電工（株）製：商品名リバアルファ〕、紫外線硬化型接着シート〔日東電工（株）製：エレップホルダー〕等があげられる。
【００９８】
上述した本発明の半導体装置の製造方法は、理解容易のために半導体装置１個の場合を例にあげて説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子を複数個単位で製造するのが実用的である。図１２に例を示す。図１２（ａ）は接着シート３０の平面図を模式的に示す。接着シート３０の上面には１つの半導体素子を固着する領域とその周囲に形成された導電部を一つのブロック８０として表し、そのブロック８０が支持体面上に升目状に多数形成されている。一方、図１２（ｂ）は前記の一つのブロック８０の拡大図である。半導体素子を固着する領域８１の周囲に導電部４０が必要な数だけ形成されている。
【００９９】
図１２（ａ）において、たとえば、接着シートの幅（Ｗ１）が５００ｍｍ幅であり、この例では通常のフォトリソグラフ工程と金属箔エッチング装置により連続的にロール状に巻かれた複数個のブロック８０が得られる。この様にして得られた幅５００ｍｍの接着シート３０を、次の半導体素子の固着工程（２ｂ）、ワイヤーボンディング工程（３）、トランスファーモールド法等による樹脂封止工程（４）に必要なブロック数になるように適時切断して使用される。このように複数個の半導体素子をトランスファーモールド法で樹脂封止する場合には、樹脂モールド後、所定の寸法に切断し半導体装置を得る。
【０１００】
【実施例】
つぎに、本発明の実施例を記載して、より具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味するものとする。
【０１０１】
実施例１
芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有する、マレイン酸変性ブロック共重合体（旭化成（株）製，タフテックＭ１９４３）１００部およびグリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）２部を配合し、濃度２０重量％となるようにトルエン溶媒に溶解した接着剤溶液を作成した。
【０１０２】
この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、厚さ５μｍの接着剤層を形成した接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０３】
実施例２
芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有する、マレイン酸変性ブロック共重合体（旭化成（株）製，タフテックＭ１９１３）１００部およびグリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）２部を配合し、濃度２０重量％となるようにトルエン溶媒に溶解し接着剤溶液を作成した。
【０１０４】
この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、厚さ５μｍの接着剤層を形成した接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０５】
実施例３
エチレン−メタクリル酸共重合体のディスパージョン溶液（東邦化学（株）製，ＨＹＴＥＣ Ｓ−３１２１）１００部およびグリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）２部を配合し、濃度２０重量％となるように水系ディスパージョン溶液を作成した。
【０１０６】
この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、厚さ５μｍの接着剤層を形成した接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０７】
実施例４
エチレン−メタクリル酸共重合体（三井・デュポンポリケミカル社製，ニュクレルＡＮ４２１４Ｃ）１００部に対し、老化防止剤（イルガノックス１０１０、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）２部を均一に混合した混合物を得た。この混合物を基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に１８０℃で厚さ１０μｍのフィルム状に押出成形した。次いで、このフィルムにγ線５０ＫＧｙを照射することにより接着シートを得た。接着シートにはシリコーン処理したセパレータを貼り合わせた。
【０１０８】
比較例１
シリコーン系接着剤（ダウコーニングアジア社製，ＦＳ ＸＡ−２５４１）１００部に対し、シリコーンラバー（ダウコーニングアジア社製，シラスコン ＲＴＶ４０８６ Ｂ）２０部を配合し、濃度２０重量％となるようにトルエン溶媒に溶解した接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液を、基材フィルムとして厚さが２５μｍのポリイミドフィルム上に塗布した後、１５０℃で３分間乾燥させることにより、接着剤厚さ５μｍの接着剤の層を形成して接着シートとした。接着シートにはフッ素系の剥離処理をしたセパレータを貼り合わせた。
【０１０９】
比較例２
実施例１において、グリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）の配合量を０．００５部に変えたこと以外は実施例１と同様にして接着剤溶液を作成した。また実施例１と同様にして接着シートを得た。
【０１１０】
比較例３
実施例３において、グリシジルアミノ基含有エポキシ樹脂（三菱ガス化学（株）製，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ）の配合量を０．００５部に変えたこと以外は実施例３と同様にして接着剤溶液を作成した。また実施例３と同様にして接着シートを得た。
【０１１１】
（評価）
上記の実施例１〜４および比較例１〜３で得られた接着シートについて、以下の方法により、ゲル分率、弾性率、シロキサン系発生ガス量、糊残り性の評価を行った。これらの結果を表１、表２に示す。
【０１１２】
〔ゲル分率（重量％）〕
接着シートの接着剤層を約０．１ｇ秤量し、孔径０．２μｍのフッ素樹脂膜（日東電工（株）製，ニトフロンＮＴＦ−１１２２又はその同等品）に包み、トルエン９０ｇに１００℃で２４時間浸漬した。その後、その残留物をフッ素樹脂膜と共に１３０℃で２時間乾燥させた。この後、浸漬前に採取した接着剤の初期重量：ａ（ｇ）に対する乾燥後にフッ素樹脂膜中に残った残留物重量：ｂ（ｇ）の割合：（ｂ／ａ）×１００（％）、をゲル分率（％）として求めた。
【０１１３】
〔弾性率測定方法〕
評価機器：レオメトリツクス社製の粘弾性スペクトルメ―タ（ＡＲＥＳ）
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
周波数：１Ｈｚ
測定モード：引張モード
【０１１４】
〔シロキサン系発生ガス量（ｎｇ／ｇ）〕
各接着シートを２００℃×３０分間にて加熱し、発生したシロキサン系ガスをＧＣ−ＭＳにて定量した。接着シートの単位グラムあたりのシロキサン系発生ガス量を示す。
【０１１５】
〔糊残り性〕
各接着シートを、端子部に一辺１６ＰｉｎタイプのＱＦＮが４個×４個に配列された銅製のリ−ドフレーム（Ｃｕ−Ｌ／Ｆ）のアウターパット側に、１５０℃×０．５ＭＰａ×５０ｍｍ／ｍｉｎのラミネート条件にて貼り合わせた。さらにエポキシ系封止樹脂（日東電工（株）製，ＨＣ−３００）により、これらをモールドマシン（ＴＯＷＡ社製，Ｍｏｄｅｌ−Ｙ−ｓｅｒｉｓｅ）を用いて、１７５℃で、プレヒート時間：４０秒間、インジェクション時間：１１．５秒間、キュア時間：１２０秒間にてモールドした。その後、接着シートを剥離し、封止樹脂面及びリードフレーム面への糊残り性の有無を目視で確認した。
【０１１６】
【表１】
【表２】
表１、表２から明らかなように、本発明の実施例１〜４は封止樹脂及びリードフレームに対する離型性に優れており糊残りも見られない。また、接着剤層が非シリコーン系の材料であるため、シロキサン系の発生ガス量も極端に少ない。シロキサン系ガス発生はセパレータから転写物が確認されたものと認められる。これに対して、比較例１に示すシリコーン系接着剤を使用した場合には、離型性には優れているが、シロキサン系発生ガス量が極端に多く、表面へのシリコーン汚染、アウターパット側へのシリコーン成分の転写等により、ワイヤボンド時及びハンダ付け時の金属接合不良を起こす可能性が大きい。比較例２、３ではゲル分率が低く、糊残りが認められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置製造用接着シートの断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉａ）に用いるリードフレームの一例である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉａ）の工程図の概略である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）の工程図の概略である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）に用いるリードフレームの一例である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法（Ｉｂ）の樹脂封止工程の一例を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩ）により得られた半導体装置の断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）により得られた半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）の工程図の概略である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）により得られた半導体装置の上面図の概略図である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）における工程（１）の他の一例である。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法（ＩＩＩ ）における工程（１）で、接着シートに導電部を形成した状態の上面図である。
【符号の説明】
１、１０、１０２、２１５ 半導体素子
３０ 接着シート
３１ 接着剤層
３２ 基材層
４、４０、１２１ｂ、２１１ｂ 導電部
５、５０、１０５、２１７ 封止樹脂
６、６０、１２３、２１６ ワイヤー
７０ 工程フィルム
９０ 半導体装置
１２１、２１１ リードフレーム
Claims (12)
- 基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、
前記接着シートの接着剤層が、芳香族ビニル化合物重合体ブロックと共役ジエン系化合物重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水添物を含有しており、かつゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート。 - 基材層および接着剤層を有する接着シートにおける当該接着剤層上で、導体と結線されている半導体素子に、封止樹脂による封止を少なくとも行う半導体装置の製造工程に使用される半導体装置製造用接着シートであって、
前記接着シートの接着剤層が、接着剤層がエチレン系重合体を含有しており、かつゲル分率が５０重量％以上になるように架橋されていることを特徴とする半導体装置製造用接着シート。 - 接着剤層が、放射線照射により架橋されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置製造用接着シート。
- 前記ブロック共重合体および／またはその水添物が、官能基（ａ）を有しており、かつ接着剤層は前記官能基（ａ）と反応しうる官能基（ｂ）を有する架橋剤により架橋されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造用接着シート。
- 官能基（ａ）が、カルボキシル基もしくはその誘導体またはエポキシ基であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置製造用接着シート。
- エチレン系重合体が、官能基（ａ）を有するモノマーを少なくとも共重合したものであり、かつ接着剤層が前記官能基（ａ）と反応しうる官能基（ｂ）を有する架橋剤により架橋されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置製造用接着シート。
- 官能基（ａ）を有するモノマーが、（メタ）アクリル酸および／またはグリシジル（メタ）アクリレートであることを特徴とする請求項６記載の半導体装置製造用接着シート。
- 開口に配列した導体部を有するリードフレームが、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置製造用接着シートの接着剤層に積層されていることを特徴とするリードフレーム積層物。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、開口に配列した導体部を有するリードフレームが積層され、かつ当該導体部と半導体素子を結線した状態で、封止樹脂による封止を少なくとも行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記導電部の所定位置に固着する工程（２ａ）、
前記半導体素子を固着していない導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置製造用接着シートの接着剤層に、部分的に複数の導電部を形成する工程（１）、
電極が形成されている少なくとも１つの半導体素子を、当該半導体素子の電極が形成されていない側が前記接着剤層側となるように、当該半導体素子を前記接着剤層上に固着する工程（２ｂ）、
前記複数の導電部と前記半導体素子の電極とをワイヤーにより電気的に接続する工程（３）、
前記半導体素子等を封止樹脂で封止して、前記接着シート上に半導体装置を形成する工程（４）、
次いで、半導体装置から接着シートを分離する工程（５）、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子を接着剤層上に固着する工程（２ｂ）以前までは、接着剤層上における半導体素子を固着する領域に、保護層が形成されていることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
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