JP2004069541A - 容量式半導体センサ - Google Patents
容量式半導体センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004069541A JP2004069541A JP2002229995A JP2002229995A JP2004069541A JP 2004069541 A JP2004069541 A JP 2004069541A JP 2002229995 A JP2002229995 A JP 2002229995A JP 2002229995 A JP2002229995 A JP 2002229995A JP 2004069541 A JP2004069541 A JP 2004069541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- movable
- electrode
- fixed
- detection surface
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】半導体基板10に、互いの検出面15a、16aにて対向する可動電極部15及び固定電極16を形成し、可動電極の検出面15aと固定電極の検出面16aとの間隔17の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式加速度センサS1において、互いに対向する可動電極15及び固定電極16には、その検出面15a、16aからこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔18が形成されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板に形成された可動部及び固定部の間の容量変化を検出する容量式半導体センサに関し、例えば、加速度センサや角速度センサ等に適用することができる。
【0002】
【従来の技術】
この種の容量式半導体センサは、半導体基板に溝を形成することで可動部及び固定部を区画形成したものである。ここで、これら可動部と固定部は、それぞれ検出面を有し、可動部の検出面と固定部の検出面とが間隔を有して対向している。例えば、櫛歯構造の可動部と櫛歯構造の固定部とが噛み合って対向する構成が知られている。
【0003】
このセンサにおいては、加速度等の力学量が印加されたときに可動部の検出面と固定部の検出面との間隔が変化し、この間隔変化に伴う容量変化を検出し、検出された容量変化に基づいて印加力学量を求めるようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このように、容量式半導体センサにおいては、対向する可動部検出面と固定部検出面との間に形成される容量を使用して検出を行っているが、対向する検出面の間には空気が充填されている。
【0005】
速い応答性が求められる場合には、対向する可動部検出面と固定部検出面との間隔変化が速いこと、すなわち可動部と固定部とが素早く相対的に変位する必要があるが、上記した空気がダンパーとなって応答性が遅くなるというエアーダンピングの問題がある。
【0006】
本発明は上記問題に鑑み、可動部と固定部を有する容量式半導体センサにおいて、可動部と固定部との間に生じるエアーダンピングを軽減することで応答性を改善できるようにすることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体基板(10)に、互いの検出面(15a、16a)にて対向する可動部(15)及び固定部(16)を形成し、前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔(17)の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサにおいて、互いに対向する前記可動部及び前記固定部のうち少なくとも一方には、前記検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔(18)が形成されていることを特徴とする。
【0008】
それによれば、互いに対向する可動部及び固定部の両方またはどちらか一方に貫通孔(18)が形成された形になる。そのため、可動部検出面と固定部検出面との間の距離が縮むときには、両検出面の間に存在する空気が貫通孔を通じて排出され、空気が存在することで両検出面間の距離が縮むのを抑制しようとする力が低減される。
【0009】
一方、可動部検出面と固定部検出面との間の距離が広がるときには、貫通孔を通じて両検出面の間に空気が流入し、空気が存在することで両検出面間の距離が広がるのを抑制しようとする力が低減される。
【0010】
以上のように、本発明によれば、可動部と固定部との間に生じるエアーダンピングを軽減することが可能となり、応答性を改善することができる容量式半導体センサを提供することができる。
【0011】
また、請求項2に記載の発明では、前記互いに対向する前記可動部(15)及び前記固定部(16)の両方に、前記貫通孔(18)が形成されていることを特徴とする。
【0012】
このように、貫通孔が、互いに対向する可動部及び固定部の両方に形成されていれば、どちらか一方のみに貫通孔が形成されている場合に比べて、エアーダンピングの軽減効果はより大きくなり好ましい。
【0013】
ここで、請求項3に記載の発明のように、前記半導体基板(10)として、第1のシリコン層(11)の上に絶縁層(13)を介して第2のシリコン層(12)が積層されてなる基板を用い、前記可動部(15)及び前記固定部(16)は前記第2のシリコン層(12)に溝(14)を形成することで区画されたものにすることができる。
【0014】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図1は本発明の実施形態に係る容量式半導体センサとしての容量式加速度センサS1の概略断面構成を示す図である。
【0016】
このセンサS1は、半導体基板10として、第1のシリコン層11の上に絶縁層としての埋め込み酸化膜13を介して第2のシリコン層12が積層されてなる基板を有する。この基板10は、両シリコン層11、12を熱酸化により接合したもので、SOI(シリコンオンインシュレータ)基板といわれるものである。
【0017】
第2のシリコン層12には、その表面から厚さ方向に貫通する溝14が、トレンチエッチングなどによって形成されており、当該溝14を介して可動部としての可動電極15と固定部としての固定電極16とが区画されている。この可動及び固定電極15、16は、例えば良く知られている櫛歯状の梁構造体とすることができる。
【0018】
そして、可動電極15と固定電極16とが対向する部分の溝14は検出間隔17として構成されており、この検出間隔17を介して対向する両電極15、16の面は検出面15a、16aとして構成されている。これら可動電極15の検出面15aと固定電極16の検出面16aとが対向し、これら両検出面15a、16a間に検出容量が形成されている。
【0019】
ここにおいて、本実施形態では、互いに対向する可動電極15及び固定電極16のうち少なくとも一方には、当該少なくとも一方の電極における検出面15a、16aからこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔18を形成するようにする。
【0020】
図1に示す例では、可動電極15及び固定電極16の両方に、貫通孔18を形成している。ここで、1個の可動電極15又は固定電極16について一方の検出面とは反対側の面も検出面である場合には、貫通孔18は二つの検出面の間を貫通するものとなる。なお、変形例として、この貫通孔18は、可動電極15にのみ形成されていても良いし、固定電極16にのみ形成されていても良い。
【0021】
また、半導体基板10において、可動電極15及び固定電極16に対応してこれら電極の下部に位置する埋め込み酸化膜13及び第1のシリコン層11の部分は除去されており、それによって空洞部19が形成されている。この空洞部19の上部において可動及び固定電極15、16は開放されている。
【0022】
そして、図示しないが、空洞部19以外の領域において、固定電極16は、埋め込み酸化膜13を介して第1のシリコン層11に支持固定されており、可動電極15は、埋め込み酸化膜13を介して第1のシリコン層11に対して梁部などのバネ部を介して弾性的に支持されている。これにより、可動電極15は空洞部19上において可動状態となっている。
【0023】
このような容量式加速度センサS1においては、加速度が印加されたときには、可動電極の検出面15aと固定電極の検出面16aとの距離すなわち検出間隔17が変化し、この間隔変化に伴う容量変化を検出し、検出された容量変化に基づいて印加加速度が求められるようになっている。
【0024】
次に、この容量式加速度センサS1の製造方法について、図2に示す工程図を参照して述べる。図2中、(a)、(c)は上記図1に対応した断面にて示し、(b)は(a)のA矢視図である。なお、図2(b)ではSiO2層20の部分に便宜上ハッチングを施してある。
【0025】
[図2(a)、(b)の工程]
まず、上記半導体基板10を用意し、第2のシリコン層12の内部において予め貫通孔18を形成すべき深さのところにSiO2層20を形成する。
【0026】
図示されているSiO2層20のうち符号20aで示すものは、貫通孔18となる部位に形成されているSiO2層20aであり、符号20bで示すものは、SiO2層20aと同じ深さのところに位置し且つ上記溝14を形成すべき領域に形成されていSiO2層20bである。
【0027】
具体的なSiO2層20の形成方法は次のようである。図2(a)に示すSiO2層20の形状に対応したパターンを有するマスク(図示せず)により、第2のシリコン層12の表面を被覆する。このようにマスキングした状態にて、第2のシリコン層12の表面から酸素イオン注入を行う。
【0028】
このときイオン注入エネルギーを調整して、第2のシリコン層12のうちSiO2層20を形成すべき深さのところに酸素を蓄積させる。その後、半導体基板10を熱処理することにより熱酸化が起こり、SiO2層20(20a、20b)が形成される。
【0029】
次に、図2(a)に示すように、第2のシリコン層12の表面からトレンチエッチングを行うことにより、上記溝14の一部としてSiO2層20まで到達する溝14aを形成する。例えば、トレンチエッチングとしてはフッ素系のガス等を用いたプラズマエッチングを行うことでSiO2層20にてエッチングを選択的に停止させることができる。
【0030】
[図2(c)の工程]
次に、フッ酸等を用いたウェットエッチングを行うことにより、SiO2層20を除去する。これにより、上記貫通孔18が形成される。
【0031】
この後、さらに、第2のシリコン層12の表面から溝14aの部分をトレンチエッチングすることにより、埋め込み酸化膜13にまで到達する上記溝14を形成する。こうして、溝14にて区画された可動電極15及び固定電極16が形成される。ここまでが図2に示す工程である。
【0032】
その後、半導体基板10のうち上記空洞部19を形成すべき部位において、第1のシリコン層11側から、第1のシリコン層11をアルカリエッチング液等を用いて異方性エッチングし、さらに埋め込み酸化膜13をドライエッチングにてて除去する。
【0033】
それにより、空洞部19が形成され、この空洞部19によって可動電極15及び固定電極16が開放された状態となる。このようにして、可動状態となった可動電極15を有する上記図1に示す容量式加速度センサS1が完成する。
【0034】
ところで、本実施形態によれば、互いに対向する可動及び固定電極15、16のうち少なくとも一方に、検出面15a、16aからこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔18が形成されていることを特徴としている。
【0035】
それによれば、検出時において、可動電極の検出面15aと固定電極の検出面16aとの間の距離すなわち検出間隔17が縮むときには、両検出面15a、16aの間に存在する空気が貫通孔18を通じて排出され、空気が存在することで両検出面15a、16a間の距離が縮むのを抑制しようとする力が低減される。
【0036】
一方、可動電極の検出面15aと固定電極の検出面16aとの間の距離が広がるときには、貫通孔18を通じて両検出面15a、16aの間に空気が流入し、空気が存在することで両検出面15a、16a間の距離が広がるのを抑制しようとする力が低減される。
【0037】
このように、本実施形態によれば、可動電極15と固定電極16との間に生じるエアーダンピングを軽減することが可能となり、応答性を改善することができる容量式半導体センサS1を提供することができる。
【0038】
ここで、図1の例のように、貫通孔18が可動電極15及び固定電極16の両方に形成されていれば、どちらか一方の電極のみに貫通孔18が形成されている場合に比べて、上記した空気の排出、流入が行われやすくなってエアーダンピングの軽減効果はより大きくなり、好ましい。
【0039】
なお、図1に示すセンサS1は半導体基板の表面からトレンチエッチングを行い、裏面から空洞部を形成する表裏両面加工型であるが、その他の例として、上記図2(b)に示す工程の後、さらにトレンチエッチングを続けて、第2のシリコン層12の下部すなわち埋め込み酸化膜13と接する部分を除去することで可動電極15及び固定電極16を開放しても良い。あるいは、埋め込み酸化膜13を犠牲層エッチングすることで可動電極15及び固定電極16を開放しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る容量式半導体センサとしての容量式加速度センサの概略断面図である。
【図2】図1に示す容量式加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
10…半導体基板、11…第1のシリコン層、12…第2のシリコン層、
13…埋め込み酸化膜、14…溝、15…可動電極、
15a…可動電極の検出面、16…固定電極、16a…固定電極の検出面、
17…検出間隔、18…貫通孔。
Claims (3)
- 半導体基板(10)に、互いの検出面(15a、16a)にて対向する可動部(15)及び固定部(16)を形成し、前記可動部の検出面と前記固定部の検出面との間隔(17)の変化に伴う容量変化を検出するようにした容量式半導体センサにおいて、
互いに対向する前記可動部及び前記固定部のうち少なくとも一方には、前記検出面からこれとは反対側の面まで貫通する貫通孔(18)が形成されていることを特徴とする容量式半導体センサ。 - 前記互いに対向する前記可動部(15)及び前記固定部(16)の両方に、前記貫通孔(18)が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の容量式半導体センサ。
- 前記半導体基板(10)として、第1のシリコン層(11)の上に絶縁層(13)を介して第2のシリコン層(12)が積層されてなる基板を用い、
前記可動部(15)及び前記固定部(16)は前記第2のシリコン層(12)に溝(14)を形成することで区画されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載の容量式半導体センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002229995A JP2004069541A (ja) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 容量式半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002229995A JP2004069541A (ja) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 容量式半導体センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004069541A true JP2004069541A (ja) | 2004-03-04 |
Family
ID=32016203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002229995A Pending JP2004069541A (ja) | 2002-08-07 | 2002-08-07 | 容量式半導体センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004069541A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004347475A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Denso Corp | 容量式力学量センサ |
WO2013073162A1 (ja) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 富士電機株式会社 | 加速度センサ |
-
2002
- 2002-08-07 JP JP2002229995A patent/JP2004069541A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004347475A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Denso Corp | 容量式力学量センサ |
WO2013073162A1 (ja) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 富士電機株式会社 | 加速度センサ |
US9547021B2 (en) | 2011-11-14 | 2017-01-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Acceleration sensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100849570B1 (ko) | 박막 구조체의 형성 방법 및 박막 구조체, 진동 센서, 압력센서 및 가속도 센서 | |
JP4455831B2 (ja) | 加速度センサの製造方法 | |
KR101338856B1 (ko) | 음향 센서 및 그 제조방법 | |
KR100348177B1 (ko) | 단결정 실리콘의 마이크로머시닝 기법에서의 깊은 트렌치절연막을 이용한 절연 방법 | |
EP2019081B1 (en) | Boron doped shell for MEMS device | |
JP2005504644A (ja) | Soi基板にキャビティ構造を形成する方法およびsoi基板に形成されたキャビティ構造 | |
JP2004069541A (ja) | 容量式半導体センサ | |
KR100777192B1 (ko) | 가스센서용 마이크로 히터 제조방법 및 그에 의해 제조된마이크로히터 | |
JP2004077432A (ja) | 可動部を有する半導体センサ | |
US20040089903A1 (en) | Method for producing surface micromechanical structures, and sensor | |
JP4161857B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003270262A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
JP4193232B2 (ja) | 力学量センサ | |
JP6645652B2 (ja) | Mems素子の製造方法 | |
JPH07169736A (ja) | シリコン構造体の製造方法 | |
JP2004093494A (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
JP2008282889A (ja) | 振動構造体及びその製造方法 | |
JP4569167B2 (ja) | 外力検知センサの製造方法 | |
JP5079527B2 (ja) | 加速度センサの製造方法 | |
JP3966155B2 (ja) | 可動部を有する構造体の製造方法 | |
JP2004226362A (ja) | 容量式加速度センサ | |
JP2004069542A (ja) | 可動部を有する力学量センサの製造方法 | |
KR100383650B1 (ko) | 용량형압력센서및그제조방법 | |
JP2008032469A (ja) | 容量型センサ及びその製造方法 | |
JPH09223690A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040826 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051122 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051129 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20051226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060214 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20060414 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20060427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20060616 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |