JP5079527B2 - 加速度センサの製造方法 - Google Patents
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Description
2、2−1、2−2 可動電極
2a、3a、4a 凸部
3 錘
4、4−1、4−2 梁
6、6−1、6−2 アンカー
10、10−1、10−2 半導体基板(Si基板)
10a 酸化膜(SiO2)
11 レジスト
12 縦溝
13 ギャップ
20 突起
Claims (4)
- 固定電極(1)と可動電極(2)の間の容量に基づいて加速度を検出する加速度センサの製造方法であって、
第1の基板(10−1)上に、酸化膜(10a)を挟んで第2の基板(10−2)を積層する工程と、
前記可動電極(2)を含む可動構造部に対応する線幅のパターンであって、前記複数の可動電極(2)をそれぞれ固定電極(1)に対向させるとともに、前記可動構造部と前記第1の基板(10−1)および前記第2の基板(10−2)の間に介在する前記酸化膜(10a)との付着を防止する突起(20)を形成する位置の線幅が部分的に太いパターンを形成する溝(12)を前記第2の基板(10−2)に形成する第1のエッチング工程と、
前記可動構造部と前記第1の基板(10−1)および前記第2の基板(10−2)の間に介在する前記酸化膜(10a)との間に隙間(13)が形成されるとともに、エッチング残りにより前記線幅が部分的に太い位置の前記可動構造部の下に前記第2の基板(10−2)から前記第1の基板方向に伸長する突起(20)が形成されると同時に、前記可動構造部において前記線幅が部分的に太い位置が前記固定電極(1)の方向に水平に伸長する突起(2a、3a)となるように、前記酸化膜(10a)を残して前記第2の基板(10−2)をエッチングする第2のエッチング工程とを、
有する加速度センサの製造方法。 - 前記可動構造部において前記固定電極(1)の方向に水平に伸長する前記突起(2a)の突出した寸法は、前記可動電極(2)と前記固定電極(1)との間の溝(12)の幅よりも小さくなるように当該可動電極(2)に形成されることを特徴とする請求項1に記載の加速度センサの製造方法。
- 前記突起(20)を、前記可動構造部に形成されて加速度に応じて変位する梁(4)に形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の加速度センサの製造方法。
- 前記第1のエッチング工程と前記第2のエッチング工程を同時に実行することを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の加速度センサの製造方法。
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