JP2008032469A - 容量型センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複雑ではない製造工程を用いて、感度の向上が実現された容量型センサを提供する。
【解決手段】一部が振動板Mとして機能する基板3と背極板Bとを互いに対向して備え、振動板Mとして機能する部分の基板3と背極板Bとの間を空間11によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分の基板3と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある容量型センサであって、スペーサ形成領域Yにおいて基板3と背極板Bとは全て互いに平行に対向し、空間形成領域Xにおいて基板3と背極板Bとは互いに平行に対向し、スペーサ形成領域Yにおける基板3と背極板Bとの間隔が、空間形成領域Xにおける基板3と背極板Bとの間隔よりも大きく形成されている。
【選択図】図2
【解決手段】一部が振動板Mとして機能する基板3と背極板Bとを互いに対向して備え、振動板Mとして機能する部分の基板3と背極板Bとの間を空間11によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分の基板3と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある容量型センサであって、スペーサ形成領域Yにおいて基板3と背極板Bとは全て互いに平行に対向し、空間形成領域Xにおいて基板3と背極板Bとは互いに平行に対向し、スペーサ形成領域Yにおける基板3と背極板Bとの間隔が、空間形成領域Xにおける基板3と背極板Bとの間隔よりも大きく形成されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、一部が振動板として機能する基板と背極板とを互いに対向して備え、前記振動板として機能する部分の前記基板と前記背極板との間を空間によって隔てる空間形成領域と、前記振動板として機能しない部分の前記基板と前記背極板との間をスペーサ部材によって隔てるスペーサ形成領域とを設けてある容量型センサ及びその製造方法に関する。
一部が振動板として機能する基板と背極板とを互いに対向して備え、振動板と背極板とでコンデンサを形成した容量型センサがある。このような容量型センサでは、振動板として機能する部分の基板と背極板との間を空間によって隔てる空間形成領域と、振動板として機能しない部分の基板と背極板との間をスペーサ部材によって隔てるスペーサ形成領域とが設けられている。そして、振動板の振動(つまり、変位)によって振動板と背極板との間隔が変化すると、その変化に応じたコンデンサの静電容量の変化が出力される。振動板は音響(音圧)や振動によって変位するので、この容量型センサを用いて音響センサ(コンデンサ型マイクロホン)や振動センサを実現できる。加えて、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いれば、携帯電話などの小型の電気機器で用いるための非常に小型のコンデンサ型マイクロホンや振動センサを製造できる。
このような容量型センサの感度を向上させるための手法として、基板(振動板)と背極板との間隔を狭くして、上記空間形成領域で形成されているコンデンサの静電容量を大きくする方法がある。しかし、基板と背極板との間の間隔が狭くなると、スペーサ形成領域に設けられているスペーサ部材に起因した寄生容量も大きくなり、容量型センサの感度が低下してしまう虞がある。
このような問題に対して、空間形成領域で形成されているコンデンサの静電容量を大きくしながら、スペーサ形成領域における寄生容量の増大を抑制することを目的とした構造の容量型センサが提案されている。例えば、図22に示すように、特許文献1に記載されているコンデンサ型の音響・圧力センサは、基板30の一方の表面をエッチングして、頂部が平坦な上に凸の形状を形成する。また、基板30の他方の表面の頂部に対応する部分にキャビティ30aを形成する。その結果、図22に示したように、平板を上に凸の状態で折り曲げたような形状の基板30が得られる。また、その凸部の頂部は振動板mとして機能する。更に、上述のようにして形成された基板30に対向して、貫通孔31を有する背極板bがスペーサ部材sを介して形成されている。そして、振動板mとして機能する部分の基板30と背極板bとの間を空間32によって隔てる空間形成領域Xと、振動板mとして機能しない部分の基板30と背極板bとの間をスペーサ部材sによって隔てるスペーサ形成領域Yとが形成されている。また、スペーサ形成領域Yにおいてスペーサ部材sが介装された基板30と背極板bとの間隔は、振動板mから離れるにつれて徐々に増大しているので、スペーサ部材sが介装された基板30と背極板bとの間の寄生容量は、振動板mから離れるにつれて徐々に減少することになる。
特許文献1に記載の容量型センサでは、基板30はスペーサ形成領域Yにおいて傾斜面30bを有しており、基板30と背極板bとの間隔は振動板mから離れるにつれて徐々に増大している。つまり、スペーサ形成領域Yにおいて基板30と背極板bとは全てが平行に対向してはいない。そのため、特許文献1に記載の容量型センサのスペーサ形成領域Yにおいて、基板30と背極板bとの間隔が大きい部分では寄生容量の低減効果は大きいものの、基板30と背極板bとの間隔が小さい部分では寄生容量の低減効果は期待できない。よって、スペーサ形成領域Yに設けられているスペーサ部材sに起因した寄生容量を充分に低減させることができず、容量型センサの感度が低下してしまう虞がある。
更に、特許文献1において、スペーサ形成領域Yの基板30と背極板bとの間隔を振動板mから離れるにつれて徐々に増大させるような構造を作製するとき、その部分の形状は基板30を三次元的にエッチングすることにより得られる。しかしながら、エッチング深さを二次元的に制御するような場合に比べて、このような三次元的な構造のエッチングを正確に制御することは困難であり、容量型センサの製造工程を複雑にしている。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複雑ではない製造工程を用いて作製でき、感度の向上が実現された容量型センサ及びその製造方法を提供する点にある。
上記目的を達成するための本発明に係る容量型センサの特徴構成は、一部が振動板として機能する基板と背極板とを互いに対向して備え、前記振動板として機能する部分の前記基板と前記背極板との間を空間によって隔てる空間形成領域と、前記振動板として機能しない部分の前記基板と前記背極板との間をスペーサ部材によって隔てるスペーサ形成領域とを設けてある容量型センサであって、
前記スペーサ形成領域において前記基板と前記背極板とは全て互いに平行に対向し、前記空間形成領域において前記基板と前記背極板とは互いに平行に対向し、
前記スペーサ形成領域における前記基板と前記背極板との間隔が、前記空間形成領域における前記基板と前記背極板との間隔よりも大きく形成されている点にある。
前記スペーサ形成領域において前記基板と前記背極板とは全て互いに平行に対向し、前記空間形成領域において前記基板と前記背極板とは互いに平行に対向し、
前記スペーサ形成領域における前記基板と前記背極板との間隔が、前記空間形成領域における前記基板と前記背極板との間隔よりも大きく形成されている点にある。
上記特徴構成によれば、スペーサ形成領域において基板と背極板とが全て平行に対向しているので、基板と背極板との間隔はスペーサ形成領域において一定である。更に、スペーサ形成領域における基板と背極板との間隔が、空間形成領域における基板と背極板との間隔よりも大きく形成されている。つまり、スペーサ形成領域における基板と背極板との間の寄生容量は、一様に充分低減される。よって、容量型センサの感度を向上させることができる。
また、スペーサ形成領域の基板と背極板との間隔は一様であるので、容量型センサの製造工程が複雑になることもない。
従って、複雑ではない製造工程を用いて作製でき、感度の向上が実現された容量型センサを提供できる。
また、スペーサ形成領域の基板と背極板との間隔は一様であるので、容量型センサの製造工程が複雑になることもない。
従って、複雑ではない製造工程を用いて作製でき、感度の向上が実現された容量型センサを提供できる。
上記目的を達成するための本発明に係る容量型センサの製造方法の特徴構成は、一部が振動板として機能する基板と背極板とを互いに対向して備え、前記振動板として機能する部分の前記基板と前記背極板との間を空間によって隔てる空間形成領域と、前記振動板として機能しない部分の前記基板と前記背極板との間をスペーサ部材によって隔てるスペーサ形成領域とを設けてある容量型センサの製造方法であって、
前記基板上の前記空間形成領域に対応する部位に犠牲層を形成する工程と、
前記基板上の前記スペーサ形成領域に対応する部位に、前記犠牲層よりも厚いスペーサ部材を形成する工程と、
前記犠牲層上及び前記スペーサ部材上に、前記空間形成領域において前記犠牲層まで達する複数の貫通孔を有し、前記スペーサ形成領域において前記基板と全て互いに平行に対向する前記背極板を形成する工程と、
前記複数の貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして、前記基板と前記背極板との間に前記空間を形成する工程とを含む点にある。
前記基板上の前記空間形成領域に対応する部位に犠牲層を形成する工程と、
前記基板上の前記スペーサ形成領域に対応する部位に、前記犠牲層よりも厚いスペーサ部材を形成する工程と、
前記犠牲層上及び前記スペーサ部材上に、前記空間形成領域において前記犠牲層まで達する複数の貫通孔を有し、前記スペーサ形成領域において前記基板と全て互いに平行に対向する前記背極板を形成する工程と、
前記複数の貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして、前記基板と前記背極板との間に前記空間を形成する工程とを含む点にある。
上記特徴構成によれば、スペーサ形成領域において基板と背極板とが全て平行に対向しているので、基板と背極板との間隔はスペーサ形成領域において一定である。更に、スペーサ形成領域における基板と背極板との間隔が、空間形成領域における基板と背極板との間隔よりも大きく形成されている。つまり、スペーサ形成領域における基板と背極板との間の寄生容量は、一様に充分低減される。よって、容量型センサの感度を向上させることができる。
また、スペーサ形成領域の基板と背極板との間隔は一様であるので、容量型センサの製造工程が複雑になることもない。
従って、複雑ではない製造工程を用いて作製でき、感度の向上が実現された容量型センサの製造方法を提供できる。
また、スペーサ形成領域の基板と背極板との間隔は一様であるので、容量型センサの製造工程が複雑になることもない。
従って、複雑ではない製造工程を用いて作製でき、感度の向上が実現された容量型センサの製造方法を提供できる。
本発明に係る容量型センサの製造方法の別の特徴構成は、前記背極板を形成する工程は、
前記犠牲層上に複数の棒状部材を形成する工程と、
前記複数の棒状部材が形成された前記犠牲層上及び前記スペーサ部材上に、前記棒状部材を内包した状態で背極板材料層を形成する工程と、
前記背極板材料層から前記棒状部材をエッチングにより除去して前記背極板を形成する工程とを含む点にある。
前記犠牲層上に複数の棒状部材を形成する工程と、
前記複数の棒状部材が形成された前記犠牲層上及び前記スペーサ部材上に、前記棒状部材を内包した状態で背極板材料層を形成する工程と、
前記背極板材料層から前記棒状部材をエッチングにより除去して前記背極板を形成する工程とを含む点にある。
上記特徴構成によれば、犠牲層上に複数の棒状部材を形成し、複数の棒状部材が形成された犠牲層上及びスペーサ部材上に、棒状部材を内包した状態で背極板材料層を形成し、その背極板材料層から棒状部材をエッチングにより除去して背極板を形成する。つまり、物質の堆積とエッチングによる除去という簡単な工程を用いて容量型センサを製造することができる。
本発明に係る容量型センサの製造方法の別の特徴構成は、前記棒状部材は樹脂材料である点にある。
上記特徴構成によれば、取り扱いの容易な樹脂材料を用いて上記棒状部材が形成されるので、容量型センサの製造工程が複雑にならないようにできる。
以下に図面を参照して本発明に係る容量型センサについて説明する。図1は、本発明に係る容量型センサの斜視図であり、図2はその線分II−IIにおける断面図である。また、図3〜図10は、容量型センサの製造方法を説明する工程図である。
図1及び図2に示すように、容量型センサはSOI(Silicon On Insulator)基板15上に形成されている。また、SOI基板15は、シリコン支持基板1とシリコン活性層3との間に絶縁層2を設けて形成されている。そして、容量型センサは、一部が振動板Mとして機能する基板としてのシリコン活性層3と背極板Bとを互いに対向して備えている。この容量型センサには、振動板Mとして機能する部分のシリコン活性層3と背極板Bとの間を空間11によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分のシリコン活性層3と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある。そして、振動板Mと背極板Bとスペーサ部材Sとによってコンデンサが形成される。背極板Bには複数の貫通孔10が設けられているので、振動板Mが振動するとき、その振動板Mの周囲の空気は貫通孔10を通って容易に動ける。また、図1に示すように、SOI基板15上には4個のスペーサ部材Sが互いに分離して形成されている。つまり、本実施形態では、4個のスペーサ形成領域Yが設けられている。
次に、空間形成領域X及びスペーサ形成領域Yにおける静電容量について説明する。静電容量:Cは、真空の誘電率:ε0と、シリコン活性層3と背極板Bとの間の比誘電率:εr(本実施形態では、空間8の比誘電率及びスペーサ部材Sの比誘電率)と、シリコン活性層3と背極板Bとの間の対向面積:Sと、シリコン活性層3と背極板Bとの間隔:dとを用いて、下記〔数1〕のように表すことができる。
〔数1〕
C=ε0×εr×S/d
C=ε0×εr×S/d
つまり、シリコン活性層3と背極板Bとの間隔:dが大きいほど、静電容量:Cは小さくなる。よって、振動板Mの振動(変位)を高い感度で捉えるためには、空間形成領域Xにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間の間隔:aをできるだけ小さくすることが好ましい。また、寄生容量の起源となり得るスペーサ形成領域Yにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間の間隔:bはできるだけ大きくすることが好ましい。
本発明に係る容量型センサでは、スペーサ形成領域Yにおいて、シリコン活性層3と背極板Bとは互いに全て平行に対向しており、空間形成領域Xにおいて、シリコン活性層3と背極板Bとは互いに平行に対向している。更に、スペーサ形成領域Yにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間隔:bは、空間形成領域Xにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間隔:aよりも大きく形成されている。よって、寄生容量を低減するとともに、容量型センサの感度を十分に向上させることができる。
また、図2に示しているように、SOI基板15には、シリコン支持基板1及び絶縁層2を部分的に除去することでキャビティ1aが設けられており、このキャビティ1aが形成される領域に対応する部分のシリコン活性層3が振動板Mとして機能する。キャビティ1aは、振動板Mが音響により振動するときの音響特性を調節するために設けられている。よって、発生した音響が背極板Bの孔10及び振動板Mと背極板Bとの間の空間11を介して振動板Mに到達すると、その音響による振動板Mの振動(つまり、変位)によって背極板Bと振動板Mとの間隔が変化し、その変化に応じてコンデンサの静電容量が変化する。或いは、容量型センサに振動が加えられると、振動板Mが振動することによって背極板Bと振動板Mとの間隔が変化し、その変化に応じてコンデンサ部分の静電容量が変化する。
また、図2に示しているように、SOI基板15には、シリコン支持基板1及び絶縁層2を部分的に除去することでキャビティ1aが設けられており、このキャビティ1aが形成される領域に対応する部分のシリコン活性層3が振動板Mとして機能する。キャビティ1aは、振動板Mが音響により振動するときの音響特性を調節するために設けられている。よって、発生した音響が背極板Bの孔10及び振動板Mと背極板Bとの間の空間11を介して振動板Mに到達すると、その音響による振動板Mの振動(つまり、変位)によって背極板Bと振動板Mとの間隔が変化し、その変化に応じてコンデンサの静電容量が変化する。或いは、容量型センサに振動が加えられると、振動板Mが振動することによって背極板Bと振動板Mとの間隔が変化し、その変化に応じてコンデンサ部分の静電容量が変化する。
次に、図3〜図10を参照して、本発明に係る容量型センサの製造方法について説明する。
本発明の容量型センサはSOI基板15を用いて製造される。よって、図3に示すように、シリコン支持基板1とシリコン活性層3との間に絶縁層2が形成された構造のSOI基板15を用意する。その後、図4に示すように、シリコン活性層3上の空間形成領域Xに対応する部分に犠牲層4を形成する。例えば、先ずシリコン活性層3上にSiO2などの絶縁物を形成し、その後、空間形成領域Xに対応する部分以外をCFXガスなどを用いたドライエッチングにより除去することで上記犠牲層4を形成することができる。或いは、犠牲層4を形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)をシリコン活性層3上に形成する。その後、シリコン活性層3上の露出部分に、例えば、SiO2などの絶縁物を形成して犠牲層4とした後、上記マスクを除去してもよい。
本発明の容量型センサはSOI基板15を用いて製造される。よって、図3に示すように、シリコン支持基板1とシリコン活性層3との間に絶縁層2が形成された構造のSOI基板15を用意する。その後、図4に示すように、シリコン活性層3上の空間形成領域Xに対応する部分に犠牲層4を形成する。例えば、先ずシリコン活性層3上にSiO2などの絶縁物を形成し、その後、空間形成領域Xに対応する部分以外をCFXガスなどを用いたドライエッチングにより除去することで上記犠牲層4を形成することができる。或いは、犠牲層4を形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)をシリコン活性層3上に形成する。その後、シリコン活性層3上の露出部分に、例えば、SiO2などの絶縁物を形成して犠牲層4とした後、上記マスクを除去してもよい。
次に、図5に示すように、犠牲層4上に複数の棒状部材5を形成する。この棒状部材5は図1及び図2に示した貫通孔10を形成するためのものである。例えば、犠牲層4上に、棒状材料を構成するための樹脂材料層を一面に形成し、更に、複数の棒状部材5を形成する部分のみを覆い、且つ、他の部分を露出させるようなマスク(図示せず)を樹脂材料層上に形成する。その後、上記マスクで一部が覆われた樹脂材料層に対してエッチングを施すことで、図5に示したような構造の棒状部材5が得られる。このエッチング工程は、O2プラズマなどを利用したドライエッチング又は所定のアルカリ溶液を用いたウェットエッチングによって実施できる。
或いは、シリコン活性層3上及び犠牲層4上に、複数の棒状部材5を形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)を形成し、その後、犠牲層4上の露出部分に、例えば、樹脂材料を形成して棒状部材5とした後、上記マスクを除去してもよい。
或いは、シリコン活性層3上及び犠牲層4上に、複数の棒状部材5を形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)を形成し、その後、犠牲層4上の露出部分に、例えば、樹脂材料を形成して棒状部材5とした後、上記マスクを除去してもよい。
その後、図6に示すように、シリコン活性層3上のスペーサ形成領域Yに対応する部分に、図1及び図2に示したようなスペーサ部材Sを形成する。このとき、シリコン活性層3の表面を高さの基準面とすると、スペーサ部材Sは犠牲層4よりも高く形成されている。但し、棒状部材5は、スペーサ部材Sよりも高く形成されている。このようなスペーサ部材Sを形成するとき、例えば、スペーサ部材Sを形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)をシリコン活性層3上、犠牲層4上及び棒状部材5上に形成する。その後、シリコン活性層3上の露出部分に、例えば、SiNXなどの絶縁物を形成してスペーサ部材Sとした後、上記マスクを除去する。結果として、シリコン活性層3の表面を基準面とした場合、スペーサ部材Sは犠牲層4よりも厚く形成される。
次に、図7に示すように、複数の棒状部材5が形成された犠牲層4上及びスペーサ部材S上に、上記棒状部材5を内包した状態で背極板材料層7を形成する。このとき、シリコン活性層3の表面を基準面とすると、背極板材料層7の高さは棒状部材5の高さと同じにされている。つまり、棒状部材5は、背極板材料層7を貫通した状態になっている。また、棒状部材5はスペーサ部材Sよりも高く形成されているので、結果として、背極板材料層7はスペーサ部材Sよりも高く形成されている。このような背極板材料層7としては、多結晶シリコンなどを用いることができる。
図7に示した構造において、最終的に、シリコン活性層3の一部は振動板Mとして機能し、背極板材料層7は背極板Bとして機能することになる。そのため、図1、図2及び図8に示すように、シリコン活性層3及び背極板材料層7の夫々の表面に電極9及び電極8を形成する。この電極9及び電極8はシリコン活性層3及び背極板材料層7の夫々との間にオーミック接触を形成する。よって、電極材料としてはオーミック接触を形成できる材料であればよく、本実施形態では金(Au)電極をスパッタリングにより作製した。但し、背極板材料層7を構成する多結晶シリコン上に電極8を形成するとき、それらの間にAlやNiなどの下地層を形成しておく必要がある。
次に、図9に示すように、背極板材料層7中に内包されていた棒状部材5をエッチングにより除去して、空間形成領域Xにおいて犠牲層4まで達する複数の貫通孔10を有する背極板Bを形成する。このエッチング工程は、ウェットエッチング及びドライエッチングの何れの手法も利用できる。例えば、ウェットエッチングを行う場合、KOHなどのアルカリ溶液をエッチャントとして利用できる。また、ドライエッチングを行う場合、O2プラズマなどを利用したイオンエッチングを採用できる。
更に、図10に示すように、SOI基板15のシリコン支持基板1側の表面の、上記空間形成領域Xに対応する部分に、シリコン支持基板2及び絶縁層2の一部を除去して得られるキャビティ1aを形成する。これにより、SOI基板15を構成する3つの層のうち、空間形成領域Xにはシリコン活性層3のみが残される。よって、残されたシリコン活性層3が振動板Mとして機能することになる。このキャビティ1aの形成工程は、HFとHNO3との混合溶液、KOH、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)などのアルカリ溶液をエッチャントとして用いたウェットエッチングによって実施できる。或いは、XeF2やBrF3などのガスを用いたドライエッチングによっても実施できる。また、キャビティ1aの形状は、単結晶シリコンからなるシリコン支持基板2の面方位により決定される。
最後に、貫通孔10を介して犠牲層4をエッチングにより除去して、シリコン活性層3と背極板Bとの間に空間11を形成することで、図2に示した構造が得られる。この犠牲層4の除去工程は、HFとHNO3との混合溶液をエッチャントとして用いたウェットエッチングにより実施できる。
以上のように、本発明に係る容量型センサでは、犠牲層4とスペーサ部材Sとを別々に形成する手法を採用している。そして、スペーサ形成領域Yにおいてシリコン活性層3と背極板Bとは全て互いに平行に対向し、空間形成領域Xにおいてシリコン活性層3と背極板Bとは互いに平行に対向している構造を得ている。つまり、シリコン活性層3と背極板Bとの間隔はスペーサ形成領域Yにおいて一定であるので、スペーサ形成領域Yにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間の寄生容量は、一様に充分低減される。よって、容量型センサの感度を向上させることができる。
また、スペーサ形成領域Yのシリコン活性層3と背極板Bとの間隔は一様であるので、容量型センサの製造工程が複雑になることもない。具体的には、犠牲層4、スペーサ部材S及び棒状部材5の堆積厚さを調節するだけで、スペーサ形成領域Yにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間隔、及び、空間形成領域Xにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間隔を制御できる。
更に、振動板Mが単結晶シリコンで形成されるので、多結晶シリコンなどで形成された場合に比べて機械的な強度が充分に確保される。よって、安定した性能を長期間に渡って発揮できる容量型センサが得られる。
また、スペーサ形成領域Yのシリコン活性層3と背極板Bとの間隔は一様であるので、容量型センサの製造工程が複雑になることもない。具体的には、犠牲層4、スペーサ部材S及び棒状部材5の堆積厚さを調節するだけで、スペーサ形成領域Yにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間隔、及び、空間形成領域Xにおけるシリコン活性層3と背極板Bとの間隔を制御できる。
更に、振動板Mが単結晶シリコンで形成されるので、多結晶シリコンなどで形成された場合に比べて機械的な強度が充分に確保される。よって、安定した性能を長期間に渡って発揮できる容量型センサが得られる。
<別実施形態>
<1>
上記実施形態では、SOI基板を用いて容量型センサを製造する方法について説明したが、他の基板を用いて容量型センサを製造することもできる。以下に、図11〜図16を参照して、容量型センサの製造方法の別実施形態について説明する。よって、ここで説明する容量型センサも、図16に示すように、一部が振動板Mとして機能する単結晶シリコンからなる基板20と背極板Bとを互いに対向して備え、振動板Mとして機能する部分の単結晶シリコン基板20と背極板Bとの間を空間26によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分の単結晶シリコン基板20と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある構成となっている。
また、上記実施形態と同様に、スペーサ形成領域Yにおける基板20と背極板Bとの間隔:bは、空間形成領域Xにおける基板20と背極板Bとの間隔:aよりも大きく形成されている。よって、寄生容量を低減するとともに、容量型センサの感度を十分に向上させることができる。
<1>
上記実施形態では、SOI基板を用いて容量型センサを製造する方法について説明したが、他の基板を用いて容量型センサを製造することもできる。以下に、図11〜図16を参照して、容量型センサの製造方法の別実施形態について説明する。よって、ここで説明する容量型センサも、図16に示すように、一部が振動板Mとして機能する単結晶シリコンからなる基板20と背極板Bとを互いに対向して備え、振動板Mとして機能する部分の単結晶シリコン基板20と背極板Bとの間を空間26によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分の単結晶シリコン基板20と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある構成となっている。
また、上記実施形態と同様に、スペーサ形成領域Yにおける基板20と背極板Bとの間隔:bは、空間形成領域Xにおける基板20と背極板Bとの間隔:aよりも大きく形成されている。よって、寄生容量を低減するとともに、容量型センサの感度を十分に向上させることができる。
この別実施形態では、単結晶シリコンの基板20を出発材料とする。単結晶シリコンの基板20はSOI基板に比べて安価であるので、SOI基板を出発材料とした場合に比べて安価に容量型センサを製造できる利点がある。具体的には、図11に示すように、単結晶シリコンからなる基板20の裏面上の、空間形成領域Xに対応する部位にキャビティ20aを形成する。このキャビティ20aの形成工程は、HFとHNO3との混合溶液、KOH、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)などをエッチャントとして用いたウェットエッチングによって行われる。また、キャビティ20aの形状は、単結晶シリコンからなる基板20の面方位により決定される。基板20の面方位は、好ましくは(100)であるが、他の面方位を有するものであってもよい。
次に、図12に示すように、基板20の表面上の空間形成領域Xに対応する部位に犠牲層21を形成する。例えば、基板20の表面の、犠牲層21を形成しない部分にマスク(図示せず)を形成した後、熱酸化などを行うことでSiO2などの絶縁物からなる上記犠牲層21を形成する。
次に、図13に示すように、犠牲層21上に複数の棒状部材22を形成する。この棒状部材22は上記実施形態と同様に、背極板Bに貫通孔25を形成するためのものである。例えば、犠牲層21上に、棒状材料を構成するための樹脂材料層を一面に形成し、更に、複数の棒状部材22を形成する部分のみを覆い、且つ、他の部分を露出させるようなマスク(図示せず)を樹脂材料層上に形成する。その後、上記マスクで一部が覆われた樹脂材料層に対してエッチングを施すことで、図13に示したような構造の棒状部材22が得られる。このエッチング工程は、O2プラズマなどを利用したドライエッチングによって実施できる。
或いは、基板20上及び犠牲層21上に、複数の棒状部材22を形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)を形成し、その後、犠牲層21上の露出部分に、例えば、樹脂材料を形成して棒状部材22とした後、上記マスクを除去してもよい。
或いは、基板20上及び犠牲層21上に、複数の棒状部材22を形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)を形成し、その後、犠牲層21上の露出部分に、例えば、樹脂材料を形成して棒状部材22とした後、上記マスクを除去してもよい。
その後、図14に示すように、基板20上のスペーサ形成領域Yに対応する部分にスペーサ部材Sを形成する。このとき、スペーサ部材Sの厚さは犠牲層21の厚さよりも大きく形成されている。但し、棒状部材22は、基板20の表面を基準面とするとスペーサ部材Sよりも高く形成されている。このようなスペーサ部材Sを形成するとき、例えば、スペーサ部材Sを形成する部分のみを露出させ、且つ、他の部分を覆うようなマスク(図示せず)を基板20上、犠牲層21上及び棒状部材22上に形成する。その後、基板20上の露出部分に、例えば、SiNXなどの絶縁物を形成してスペーサ部材Sとした後、上記マスクを除去する。
次に、図15に示すように、複数の棒状部材22が形成された犠牲層21上及びスペーサ部材S上に、上記棒状部材22を内包した状態で背極板材料層24を形成する。このとき、基板20の表面を基準面とすると、背極板材料層24の高さは棒状部材22の高さと同じにされている。つまり、棒状部材22は、背極板材料層24を貫通した状態になっている。また、棒状部材22はスペーサ部材Sよりも高く形成されているので、結果として、背極板材料層24はスペーサ部材Sよりも高く形成されている。このような背極板材料層24としては、多結晶シリコンなどを用いることができる。
また、最終的に、基板20の一部は振動板Mとして機能し、背極板材料層24は背極板Bとして機能することになる。そのため、上記実施形態と同様に、基板20及び背極板材料層24の夫々の表面に電極8等を形成する。この電極8等は基板20及び背極板材料層24の夫々との間にオーミック接触を形成する。よって、電極材料としてはオーミック接触を形成できる材料であればよく、本実施形態では金(Au)電極をスパッタリングにより作製した。但し、背極板材料層24を構成する多結晶シリコン上に電極8を形成するとき、それらの間にAlやNiなどの下地層を形成しておく必要がある。
また、最終的に、基板20の一部は振動板Mとして機能し、背極板材料層24は背極板Bとして機能することになる。そのため、上記実施形態と同様に、基板20及び背極板材料層24の夫々の表面に電極8等を形成する。この電極8等は基板20及び背極板材料層24の夫々との間にオーミック接触を形成する。よって、電極材料としてはオーミック接触を形成できる材料であればよく、本実施形態では金(Au)電極をスパッタリングにより作製した。但し、背極板材料層24を構成する多結晶シリコン上に電極8を形成するとき、それらの間にAlやNiなどの下地層を形成しておく必要がある。
次に、図16に示すように、背極板材料層24中に内包されていた棒状部材22をエッチングにより除去して、空間形成領域Xにおいて犠牲層21まで達する複数の貫通孔25を有する背極板Bを形成する。このエッチング工程は、ウェットエッチング及びドライエッチングの何れの手法も利用できる。例えば、ウェットエッチングを行う場合、KOHなどのアルカリ溶液をエッチャントとして利用できる。また、ドライエッチングを行う場合、O2プラズマなどを利用したイオンエッチングを採用できる。
更に、この貫通孔25を介して犠牲層21をエッチングにより除去して、基板20と背極板Bとの間に空間26を形成する。この犠牲層21の除去工程は、HFとHNO3との混合溶液をエッチャントとして用いたウェットエッチングにより実施できる。
更に、この貫通孔25を介して犠牲層21をエッチングにより除去して、基板20と背極板Bとの間に空間26を形成する。この犠牲層21の除去工程は、HFとHNO3との混合溶液をエッチャントとして用いたウェットエッチングにより実施できる。
以上のように、この別実施形態の容量型センサの製造方法は、単結晶シリコン基板20上の空間形成領域Xに対応する部位の一方の表面に犠牲層21を形成する工程と、単結晶シリコン基板20上のスペーサ形成領域Yに対応する部位に、犠牲層21よりも厚いスペーサ部材Sを形成する工程と、犠牲層21上及びスペーサ部材S上に、空間形成領域Xにおいて犠牲層21まで達する複数の貫通孔25を有し、スペーサ形成領域において基板20と全て互いに平行に対向する背極板Bを形成する工程と、複数の貫通孔25を介して犠牲層21をエッチングして、単結晶シリコン基板20と背極板Bとの間に空間26を形成する工程とを含んでいる。
<2>
SOI基板以外の基板を用いて容量型センサを製造する方法として、更に別の方法もある。以下に、図17〜図21を参照して、別実施形態の容量型センサについて説明する。但し、上記実施形態及び別実施形態と同様の構成については説明を省略する。例えば、各材料のエッチングの手法などは上記実施形態及び別実施形態と同様である。
ここで説明する容量型センサも、図21に示すように、一部が振動板Mとして機能するイオン注入層41と背極板Bとを互いに対向して備え、振動板Mとして機能する部分のイオン注入層41と背極板Bとの間を空間47によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分のイオン注入層41と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある構成となっている。
また、上記実施形態と同様に、スペーサ形成領域Yにおけるイオン注入層41と背極板Bとの間隔:bは、空間形成領域Xにおけるイオン注入層41(振動板M)と背極板Bとの間隔:aよりも大きく形成されている。よって、寄生容量を低減するとともに、容量型センサの感度を十分に向上させることができる。
SOI基板以外の基板を用いて容量型センサを製造する方法として、更に別の方法もある。以下に、図17〜図21を参照して、別実施形態の容量型センサについて説明する。但し、上記実施形態及び別実施形態と同様の構成については説明を省略する。例えば、各材料のエッチングの手法などは上記実施形態及び別実施形態と同様である。
ここで説明する容量型センサも、図21に示すように、一部が振動板Mとして機能するイオン注入層41と背極板Bとを互いに対向して備え、振動板Mとして機能する部分のイオン注入層41と背極板Bとの間を空間47によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分のイオン注入層41と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある構成となっている。
また、上記実施形態と同様に、スペーサ形成領域Yにおけるイオン注入層41と背極板Bとの間隔:bは、空間形成領域Xにおけるイオン注入層41(振動板M)と背極板Bとの間隔:aよりも大きく形成されている。よって、寄生容量を低減するとともに、容量型センサの感度を十分に向上させることができる。
この別実施形態でも、単結晶シリコンの基板40を出発材料とする。図17に示すように、単結晶シリコンからなる基板40の一方の表面に、ホウ素などのイオン注入とその熱拡散を行う。その結果、基板の表面に所定の厚さのイオン注入層41が形成される。また、基板40の面方位は、好ましくは(100)であるが、他の面方位を有するものであってもよい。
次に、図18に示すように、イオン注入層41の表面上の空間形成領域Xに対応する部位に犠牲層42を形成し、その犠牲層42上に複数の棒状部材43を形成する。この棒状部材43は上記実施形態と同様に、背極板Bに貫通孔46を形成するためのものである。その後、イオン注入層41上のスペーサ形成領域Yに対応する部分にスペーサ部材Sを形成する。このとき、スペーサ部材Sの厚さは犠牲層42の厚さよりも大きく形成されている。但し、棒状部材43は、イオン注入層41の表面を基準面とするとスペーサ部材Sよりも高く形成されている。
次に、図19に示すように、複数の棒状部材43が形成された犠牲層42上及びスペーサ部材S上に、上記棒状部材43を内包した状態で背極板材料層45を形成する。更に、上記実施形態と同様に、基板40及び背極板材料層45の夫々の表面に電極8等を形成する。この電極8等はイオン注入層41及び背極板材料層45の夫々との間にオーミック接触を形成する。
次に、図20に示すように、背極板材料層45中に内包されていた棒状部材43をエッチングにより除去して、空間形成領域Xにおいて犠牲層42まで達する複数の貫通孔46を有する背極板B(45)を形成する。また、単結晶シリコンからなる基板40の裏面上の、空間形成領域Xに対応する部位にキャビティ40aを形成する。具体的には、基板40の裏面の空間形成領域Xに対応する部位をイオン注入層41が露出するまでエッチングすることで、このキャビティ40aが形成される。このとき、イオン注入層41と基板40とはエッチング速度が異なるので、イオン注入層41はエッチストップ層として機能している。
更に、図20〜図21に示すように、背極板B(45)に形成された上記貫通孔46を介して犠牲層42をエッチングにより除去して、イオン注入層41と背極板Bとの間に空間47を形成する。
更に、図20〜図21に示すように、背極板B(45)に形成された上記貫通孔46を介して犠牲層42をエッチングにより除去して、イオン注入層41と背極板Bとの間に空間47を形成する。
以上のように、この別実施形態の容量型センサの製造方法は、単結晶シリコン基板40上にイオン注入層41を形成する工程と、イオン注入層41の空間形成領域Xに対応する部位の表面に犠牲層42を形成する工程と、イオン注入層41上のスペーサ形成領域Yに対応する部位に、犠牲層42よりも厚いスペーサ部材Sを形成する工程と、犠牲層42上及びスペーサ部材S上に、空間形成領域Xにおいて犠牲層42まで達する複数の貫通孔46を有し、スペーサ形成領域Yにおいてイオン注入層41と全て互いに平行に対向する背極板Bを形成する工程と、複数の貫通孔46を介して犠牲層42をエッチングして、イオン注入層41と背極板Bとの間に空間47を形成する工程と、上記イオン注入層41が形成されていない方の基板40の表面の空間形成領域Xに対応する部位をイオン注入層41までエッチングして、基板40にキャビティ40aを形成する工程とを含んでいる。その結果、一部が振動板Mとして機能するイオン注入層41と背極板Bとを互いに対向して備え、振動板Mとして機能する部分のイオン注入層41と背極板Bとの間を空間47によって隔てる空間形成領域Xと、振動板Mとして機能しない部分の単結晶シリコン基板40と背極板Bとの間をスペーサ部材Sによって隔てるスペーサ形成領域Yとを設けてある構成の容量型センサが得られる。
<3>
上記実施形態において、容量型センサの構造を材料例を挙げて説明したが、それらの材料は適宜変更可能である。例えば、犠牲層、棒状部材、スペーサ部材の夫々は、本発明の容量型センサを製造するときに選択的なエッチングが可能な材料であることが好ましく、下記表1の例のように変更することができる。
上記実施形態において、容量型センサの構造を材料例を挙げて説明したが、それらの材料は適宜変更可能である。例えば、犠牲層、棒状部材、スペーサ部材の夫々は、本発明の容量型センサを製造するときに選択的なエッチングが可能な材料であることが好ましく、下記表1の例のように変更することができる。
<4>
上記実施形態において各層の材料を具体的に例示したが、他の材料を用いてもよい。例えば、背極板材料層として単結晶シリコンを用いてもよい。或いは、背極板材料層としてAl、Tiなどの金属材料を用いてもよい。背極板材料層としてこれらの材料を用いた場合、電極8、9としての金(Au)電極を背極板材料層に直接形成するだけで、両者のオーミック接触が確保される点で好ましい。
上記実施形態において各層の材料を具体的に例示したが、他の材料を用いてもよい。例えば、背極板材料層として単結晶シリコンを用いてもよい。或いは、背極板材料層としてAl、Tiなどの金属材料を用いてもよい。背極板材料層としてこれらの材料を用いた場合、電極8、9としての金(Au)電極を背極板材料層に直接形成するだけで、両者のオーミック接触が確保される点で好ましい。
本発明の容量型センサは、音響センサ(コンデンサ型マイクロホン)や振動センサなどに用いることができる。特に、コンデンサ部分がMEMS技術を利用して製造されるので、小型の容量型センサが得られる。
3 シリコン活性層(基板)
4 犠牲層
5 棒状部材
11 空間
B 背極板
M 振動板
S スペーサ部材
X 空間形成領域
Y スペーサ形成領域
4 犠牲層
5 棒状部材
11 空間
B 背極板
M 振動板
S スペーサ部材
X 空間形成領域
Y スペーサ形成領域
Claims (4)
- 一部が振動板として機能する基板と背極板とを互いに対向して備え、前記振動板として機能する部分の前記基板と前記背極板との間を空間によって隔てる空間形成領域と、前記振動板として機能しない部分の前記基板と前記背極板との間をスペーサ部材によって隔てるスペーサ形成領域とを設けてある容量型センサであって、
前記スペーサ形成領域において前記基板と前記背極板とは全て互いに平行に対向し、前記空間形成領域において前記基板と前記背極板とは互いに平行に対向し、
前記スペーサ形成領域における前記基板と前記背極板との間隔が、前記空間形成領域における前記基板と前記背極板との間隔よりも大きく形成されている容量型センサ。 - 一部が振動板として機能する基板と背極板とを互いに対向して備え、前記振動板として機能する部分の前記基板と前記背極板との間を空間によって隔てる空間形成領域と、前記振動板として機能しない部分の前記基板と前記背極板との間をスペーサ部材によって隔てるスペーサ形成領域とを設けてある容量型センサの製造方法であって、
前記基板上の前記空間形成領域に対応する部位に犠牲層を形成する工程と、
前記基板上の前記スペーサ形成領域に対応する部位に、前記犠牲層よりも厚いスペーサ部材を形成する工程と、
前記犠牲層上及び前記スペーサ部材上に、前記空間形成領域において前記犠牲層まで達する複数の貫通孔を有し、前記スペーサ形成領域において前記基板と全て互いに平行に対向する前記背極板を形成する工程と、
前記複数の貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして、前記基板と前記背極板との間に前記空間を形成する工程とを含む容量型センサの製造方法。 - 前記背極板を形成する工程は、
前記犠牲層上に複数の棒状部材を形成する工程と、
前記複数の棒状部材が形成された前記犠牲層上及び前記スペーサ部材上に、前記棒状部材を内包した状態で背極板材料層を形成する工程と、
前記背極板材料層から前記棒状部材をエッチングにより除去して前記背極板を形成する工程とを含む請求項2記載の容量型センサの製造方法。 - 前記棒状部材は樹脂材料である請求項3記載の容量型センサの製造方法。
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JP2006204648A JP2008032469A (ja) | 2006-07-27 | 2006-07-27 | 容量型センサ及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2008032469A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015044467A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | ボッシュ株式会社 | ハイブリッド自動車の制御システムおよび制御方法 |
-
2006
- 2006-07-27 JP JP2006204648A patent/JP2008032469A/ja active Pending
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