JP2004068151A5 - - Google Patents

Claims (33)

1. 基板の被メッキ面を下向きにしてメッキ液に浸漬することにより前記基板に対してメッキ処理を行なうメッキ方法であって、
   前記メッキ液中において前記基板を第１の回転速度で回転させることにより、前記基板に吸着している気泡を除去する工程と、
   前記気泡を除去する工程よりも後に、前記メッキ液中において前記基板を前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転させることにより、前記基板に対してメッキ処理を行なう工程とを備えていることを特徴とする基板メッキ方法。
2. 前記第１の回転速度は１００ｒｐｍ以上で且つ２００ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
3. 前記第２の回転速度は１０ｒｐｍ以上で且つ６０ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
4. 前記気泡を除去する工程における前記基板に印加される電流密度は、前記基板に対してメッキ処理を行なう工程における前記基板に印加される電流密度よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
5. 前記気泡を除去する工程よりも前に、前記被メッキ面側の前記基板上にシード層を形成する工程をさらに備え、
   前記気泡を除去する工程は、前記メッキ液中における前記シード層の溶解を防止する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
6. 前記気泡の大きさは１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
7. 前記メッキ液中において前記基板は、前記被メッキ面と接する電極と該電極を前記メッキ液から保護するように前記被メッキ面と接するシールとを有する基板保持機構によって保持されており、
   前記被メッキ面に対する前記シールの接触角は、１２０°以上で且つ１５０°以下であることを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
8. 前記気泡を除去する工程は、前記メッキ液に超音波振動を印加する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
9. 前記気泡を除去する工程よりも前に、前記メッキ液中において前記基板に対して、前記被メッキ面に設けられた凹部のうち少なくとも最小径の凹部が埋まるまでメッキ処理を行なう工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
10. 前記最小径の凹部を埋め込むために必要なメッキ膜の厚さは、該メッキ膜の狙い厚さの２０％以下であることを特徴とする請求項９に記載の基板メッキ方法。
11. 前記気泡を除去する工程よりも前に、前記基板を前記第１の回転速度で、又は前記第２の回転速度よりも高速の第３の回転速度で回転させながら前記基板を前記メッキ液中に浸漬する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板メッキ方法。
12. 基板の被メッキ面を下向きにしてメッキ液に浸漬することにより前記基板に対してメッキ処理を行なうメッキ方法であって、
    前記基板を前記メッキ液に浸漬する前に、前記被メッキ面の濡れ性を向上させる工程を備えていることを特徴とする基板メッキ方法。
13. 前記濡れ性を向上させる工程は、前記被メッキ面に対して液体を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板メッキ方法。
14. 前記濡れ性を向上させる工程は、前記被メッキ面に付着しているパーティクルを除去する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板メッキ方法。
15. 前記パーティクルを除去する工程は、前記被メッキ面に超音波振動を印加する工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板メッキ方法。
16. 前記パーティクルを除去する工程は、前記被メッキ面に対して、超音波振動を印加した液体を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板メッキ方法。
17. 前記濡れ性を向上させる工程よりも後に、
    前記メッキ液中において前記基板を第１の回転速度で回転させることにより、前記基板に吸着している気泡を除去した後、前記メッキ液中において前記基板を前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転させることにより、前記基板に対してメッキ処理を行なう工程とを備えていることを特徴とする請求項１２に記載の基板メッキ方法。
18. メッキ液を貯留するメッキ浴と、
    前記メッキ浴中に設置された第１の電極と、
    メッキ処理の対象となる基板を保持する基板保持機構と、
    前記基板保持機構に設置され、且つ前記基板の被メッキ面と接する第２の電極と、
    前記基板保持機構に設置され、且つ前記第２の電極を前記メッキ液から保護するように前記被メッキ面と接するシールと、
    前記メッキ浴の外側において前記被メッキ面に対して、超音波振動を印加した液体を供給する液体供給機構とを備えていることを特徴とする基板メッキ装置。
19. 前記メッキ浴に貯留された前記メッキ液を循環させるメッキ液循環機構をさらに備えていることを特徴とする請求項１８に記載の基板メッキ装置。
20. 前記基板保持機構は前記基板を保持した状態で回転させることを特徴とする請求項１８に記載の基板メッキ装置。
21. 前記第１の電極は、前記メッキ液に溶解しない材料よりなることを特徴とする請求項１８に記載の基板メッキ装置。
22. 前記第１の電極は白金よりなることを特徴とする請求項１８に記載の基板メッキ装置。
23. 前記被メッキ面に対する前記シールの接触角は、１２０°以上で且つ１５０°以下であることを特徴とする請求項１８に記載の基板メッキ装置。
24. メッキ液を貯留するメッキ浴と、
    前記メッキ浴中に設置された第１の電極と、
    メッキ処理の対象となる基板を保持する基板保持機構と、
    前記基板保持機構に設置され、且つ前記基板の被メッキ面と接する第２の電極と、
    前記基板保持機構に設置され、且つ前記第２の電極を前記メッキ液から保護するように前記被メッキ面と接するシールと、
    前記メッキ浴中に設置され、且つ前記メッキ浴に貯留された前記メッキ液に超音波振動を印加する超音波振動印加機構とを備えていることを特徴とする基板メッキ装置。
25. 前記メッキ浴の外側において、前記被メッキ面に対して液体を供給する液体供給機構をさらに備えていることを特徴とする請求項２４に記載の基板メッキ装置。
26. 前記メッキ浴に貯留された前記メッキ液を循環させるメッキ液循環機構をさらに備えていることを特徴とする請求項２４に記載の基板メッキ装置。
27. 前記基板保持機構は前記基板を保持した状態で回転させることを特徴とする請求項２４に記載の基板メッキ装置。
28. 前記第１の電極は、前記メッキ液に溶解しない材料よりなることを特徴とする請求項２４に記載の基板メッキ装置。
29. 前記第１の電極は白金よりなることを特徴とする請求項２４に記載の基板メッキ装置。
30. 前記被メッキ面に対する前記シールの接触角は、１２０°以上で且つ１５０°以下であることを特徴とする請求項２４に記載の基板メッキ装置。
31. 基板の被メッキ面を下向きにしてメッキ液に浸漬することにより前記基板に対してメッキ処理を行なうメッキ方法であって、
    前記基板を回転させながら前記メッキ液に浸漬した後、前記メッキ液中において前記基板を第１の回転速度で回転させることにより、前記基板に吸着している気泡を除去する工程と、
    前記気泡を除去する工程よりも後に、前記メッキ液中において前記基板を前記第１の回転速度よりも低速の第２の回転速度で回転させることにより、前記基板に対してメッキ処理を行なう工程とを備えていることを特徴とする基板メッキ方法。
32. 前記気泡を除去する工程における前記基板に印加される電流密度は、前記基板に対してメッキ処理を行なう工程における前記基板に印加される電流密度よりも小さいことを特徴とする請求項３１に記載の基板メッキ方法。
33. 前記基板に対してメッキ処理を行なう工程における前記基板に印加される電流密度は１０ｍＡ／ｃｍ ² 以上であることを特徴とする請求項３２に記載の基板メッキ方法。