JP2004063462A - パッシベーション構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の上に配置された電気素子を封止するパッシベーション構造を紹介している。パッシベーション構造は電気素子の表面と側面と基板の表面とを覆う第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜層と、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜層の上のバッファー層と、バッファー層の上の、第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜層を含む。第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜層の一部は、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜層を直接覆ってサイクリック構造を形成している。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
この発明はパッシベーション構造に係わるもので、特に、OLED(有機発光表示装置)の熱の問題を解決するために、ダイヤモンドに似た炭素薄膜からなるサイクリック構造を含むパシベーションの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
科学技術の進歩によって有機物が全ての種類の電気装置に応用されるようになってきた。例えば、有機物からなる有機発光表示装置(OLEDs)がある。それは単純な構造で、動作温度に優れ、高いコントラストをもち、視角が広く、表示素子として広い分野で使用されている整流性と明るさとをもつ発光ダイオード(LEDs)のように有用な特性を持っている。有機発光表示装置(以後OLEDと呼ぶ)は光源として有機物からなる発光素子を使っているので、湿気に対して非常に敏感である。一旦有機発光素子が湿気に曝されると、カソードが酸化されて有機化合物の境界がはがれることがある。これが発光素子に黒点を発生させる原因となり、表示装置の輝度と寿命を低下させることになる。したがって耐摩耗や熱伝達のためにパッケージが必要とされるだけでなく、有機物質が外部環境に曝されるのを防止して素子の寿命を改善するために、湿気を通しにくいパッケージが要求される。
【0003】
例えば、表示装置の通常のパッケージングプロセスでは、高分子材料で作った封止剤を使って、金属やガラスでできた函に基板と乾燥剤と隙間に乾燥窒素を封入して組み立てていた。しかし、このパッケージング構造は金属やガラスの基板を使った表示装置では適用可能であるが、柔軟な基板には適用できない。それに、金属の函は重くて酸化しやすいという欠点がある。組み立て工程では、金属の函はガラスがはがれやすいという欠点があり、高度の平坦性が要求される。ガラスの函は重くてひびが入りやすく、圧力の違いではがれやすいという欠点がある。そのうえ、高分子材料で作った大部分の封止剤は湿気を十分に防止することができない。したがって、電気装置はパッケージされてはいるけれど、湿気が外部環境から徐々に侵入して表示素子を浸食し、表示能力を低下させ、表示素子の寿命を縮める。
【0004】
上述した金属またはガラスの函の問題を解決するために、保護された素子を封入するのに薄膜を使う新しいパッシベーションプロセスが開発された。図1に、米国特許5,811,177号に開示されているパッシベーション構造16の断面図を示す。図1に示すように、OLED10は、主として基板12、基板12の上に位置する表示ユニット14、基板12と表示ユニット14とを覆うパッシベーション構造16とから構成されている。表示ユニット14は複数のピクセルから構成され、さらにピクセルを駆動するために、基板12配列された駆動回路から構成されている。複数の薄膜構造であるパッシベーション構造は、金属層18、バッファー層20、熱膨張係数のマッチング層22、低透湿層24、封止層26などが表示ユニット14を保護するために順番に積み重ねられた構造となっている。
【0005】
さらに、金属層、無機材料、撥水性高分子材料などを使った、もう一つのパッシベーション構造が米国特許5,952,778号に開示されている。上記の問題を改善するため、もう一つの防湿多層構造が中国台北特許379,531号に開示されている。そのような構造の層は、湿気を吸着する樹脂層と接着層と透明な樹脂層を含んでおり、発光素子を湿気と酸化から保護するために、発光素子を覆っている。
【0006】
上述したように、通常のパッシベーション構造は、無機セラミック材料、金属材料、高分子材料などをパッシベーション構造として、表示ユニットの上に積層し、電極金属や表示素子の有機材料を、外部環境の湿気や酸素による浸食や酸化から保護している。通常、OLEDのような湿度に敏感な電気素子は湿気の透過率が0.05 g/m2day未満であることが必要である。このように、一般的なパッシベーション構造は、湿気の透過率の要求から5層以上の層を重ねる構造になっている。しかし、上記の構造では熱放散が満足できない。言い換えれば、多層構造は湿気を防止する効果は大きいが、熱放散が小さいことと複雑な組み立て工程のために、組み立てコストが高く、時間がかかるという欠点がある。上記の問題を解決するためには、新しいパッシベーション構造を開発することが重要である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の主たる目的は、上記の問題を解決するために、ダイヤモンドに似た炭素薄膜からなるサイクリック構造からなるパッシベーション構造を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明の好ましい実施例では、基板の上に配列された電気素子を覆い被せるようなパッシベーション構造が導入されている。そのパッシベーション構造は、電気素子の表面と側面および基板の表面を覆う第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜と第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜の上にあるバッファー層とバッファー層の上にある第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜で構成されている。第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜の一部分は、直接、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜を覆ってサイクリック構造を形成している。
【0009】
この発明の利点は、このパッシベーション構造がダイヤモンドに似た炭素薄膜の、摩耗に対して強く低透湿性であるという材料の特性を利用して、サイクリック構造とすることによって高い熱伝導を得て電気素子の寿命を改善していることである。
この発明における、これらの目的は以下の好ましい実施例についての図表を使った詳細な記述を読めば明らかであろう。
【0010】
【発明の実施の形態】
この発明は電気素子のパッシベーションに関するものである。この発明によるパッシベーション構造と従来技術によるパッシベーション構造との違いを示すために、OLEDの図で、この発明におけるパッシベーション構造を説明する。この発明は、OLEDのパッシベーション構造に限定されるものではなくて、LCDや半導体素子などの他の電気素子にも適用できることが重要である。
【0011】
図2に、この発明の好ましい実施例を適用したOLEDのパッシベーション構造の断面図を示す。図2に示すように、OLED110は、基板112と、表示領域126と周辺領域128を定めるように基板112の上に置かれた表示ユニット114とで構成されている。さらに、OLED110は、表示ユニットが外気に曝されるのを防ぐために、表示ユニット114を覆うパッシベーション構造118から構成されている。
【0012】
図3に、図2で示されたパッシベーション構造118の局所拡大図を示す。図3に示すように、表示ユニット114は複数のピクセルから構成されている。多層構造をもつそれぞれのピクセルは、基板112の上に順に積層された導電層130、発光層132、金属層134、導電層138などから構成されている。この発明の好ましい実施例では、基板112はガラス基板である。導電層130と138は酸化すずインジューム(ITO)または酸化亜鉛インジューム(IZO)からなっている。発光層132は連接した高分子からなる有機発光層のような有機物から構成されている。金属層134は、Al−Mg, Al−Li, Al−LiFなどの合金で構成されている。
【0013】
パッシベーション構造118は、順に積層された第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜(DLC)120とバッファー層122と第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜(以後、DLCと呼ぶ)とから構成されている。第一のDLCは表示ユニット114の表面と側面および基板112を覆っており、表示ユニット114は基板112とパッシベーション構造118との間に完全に封じられている。この発明の好ましい実施例では、第一のDLC薄膜120と第二のDLC薄膜124とは、プラズマ付勢化学気相成長(PECVD)プロセスで、約10から50000オングストロームの厚さに作られる。バッファー層122は、溶剤型または非溶剤型の熱処理可能な材料、ダイヤモンドに似た炭素層と高分子からなる材料、UV処理可能な材料、熱蒸着高分子材料などからなっている。バッファー層122の主たる機能は、第一のDLC薄膜120と第二のDLC薄膜124との間のストレスを減少させ、第一のDLC薄膜120と第二のDLC薄膜124にひび割れが生じないようにすることである。
【0014】
図4は、この発明のパッシベーション構造118の上面図である。バッファー層122によって覆われている領域は、第一のDLC薄膜120で覆われる領域より狭く、かつ第二のDLC薄膜124で覆われる領域より狭いことが示されている。その結果として、第二のDLC薄膜124が第一のDLC薄膜120の部分を直接覆うことによって第一のDLC薄膜120と第二のDLC薄膜124とでサイクリック構造を形成している。さらに、サイクリック構造は周辺部分128にもあって、表示領域126の上のパッシベーション構造での透湿には影響を与えない。
【0015】
この発明のパッシベーション構造118は主たるパッケージ材料としてDLC薄膜を用いている。DLC薄膜はダイヤモンドのようなsp3状態とグラファイト(黒鉛)のようなsp2の状態との間で結合された炭素で、磁場内スパッタリング法、イオン蒸着法、アークイオン蒸着法、好ましい実施例で前述したPECVD法などで作成する。さらに、プロセスパラメータを制御したり、添加物を使うことにより、作成されたDLCは、ストレスが小さい高分子薄膜のような柔らかい特性を持たせたり、非常に硬いアモルファスDLC薄膜の特性を持たせたりすることができる。この発明において、低透湿性をもつDLC薄膜は、湿気が透過することを防ぐ目的で使用される。
【0016】
中東らは、米国特許6,136,386号で、高分子やガラスなどを炭素薄膜で覆う方法を開示している。中東らの開示内容によれば、DLC薄膜はCVD(化学気相成長)プロセスによってプラスティック薄膜の上に堆積されたもので、湿気と酸素の透過率が減少している。
【0017】
表1に示すように、プラスティックの上に堆積されたDLC薄膜は湿気と酸素の透過を効果的に少なくできる。プラスティック薄膜のみと比較すれば、DLCで覆ったプラスティック薄膜は湿気の透過率で1/14、酸素の透過率で1/12にすることができる。
【表1】
【0018】
Japan Industrial Material (日本工業材料)2000年7月号(48巻6号の97ページ)には、PETフィルムの上に約10〜100nmの厚さで堆積させたDLC薄膜が、酸素の透過率をPETフィルムだけのときの1/30に減少させたことを明らかにしている。
【0019】
DLC薄膜は低透過性だけでなく、硬度が高く(3000〜5000 kg/mm2)酸や塩基に侵されにくく、高誘電率、耐摩耗性、表面の滑らかさという特性を持っている。さらに、DLC薄膜の熱伝導率は約1100 W/cm−Kであり、通常のパッケージ材料である窒化アルミニウム(170 W/cm−K)、酸化アルミニウム(28 W/cm−K)、窒化シリコン(25 W/cm−K)、酸化チタン(10.4 W/cm−K)、酸化シリコン(0.02 W/cm−K)などよりもずっと大きい。その上さらに、第一のDLC薄膜120と第二のDLC薄膜124とで形成されるサイクリック構造をもつ、この発明によるパッシベーション構造はDLC薄膜の高熱伝導特性を十分に発揮させることができる。言い換えれば、表示ユニットが動作するときには、大量の熱を発生するが、その熱はサイクリック構造を通して、パッシベーション構造118の内部の層である第一のDLC薄膜120からパッシベーション構造118の外部の層である第二のDLC薄膜124へと速やかに伝達される。そこで、熱は外気と直接に接している第二のDLC薄膜124から外界へ速やかに放散される。これにより表示素子110の熱放散を効果的に改善するので、多層構造を使って、十分な耐水性を確保するために、表示ユニットの熱放散が低下するという通常のOLED装置における問題が解決する。
【0020】
先に述べた実施例のように、このパッシベーション構造がOLEDのパッケージングの分野に適用されることは重要である。しかし、この発明はOLEDの分野に限定されるものではない。この分野の技術者にとっては、この発明は電気素子の寿命を改善するために、先に述べたような耐摩耗性、低透湿性、高い熱放散性能などを必要とする全ての電気素子に適用できることが明らかである。
【0021】
当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲に属するものである。
【0022】
【発明の効果】
無機材料やセラミック材料を使う従来の技術とは対照的に、この発明は、主たるパッケージング材料として、DLC薄膜を使い、良好な耐摩耗性、高い熱放散性能、低い透湿性を得ている。それ故に、この発明によるパッシベーション構造は、電気素子の中の電極材料や有機材料が、電気素子の寿命を縮めるような外気に触れるのを防止する。さらに、第一のDLC薄膜120と第二のDLC薄膜124とが直接に接合してサイクリック構造を作っている。その結果として、パッシベーション構造の表面にあるDLC薄膜は、パッケージされた電気素子を保護するのに、高い耐摩耗性を提供するだけでなく、発生する熱を、内部のDLC薄膜からサイクリック構造を通して外界へ速やかに放散するように、高い熱伝導率のDLC薄膜となっている。したがって、パッシベーション構造の熱放散性能が効果的に増強されて電気素子の安定性と寿命が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術によるパッシベーション構造の概略図である。
【図2】この発明によるパッシベーション構造の概略図である。
【図3】図2で示されたパッシベーション構造の局所拡大図である。
【図4】この発明によるパッシベーション構造の上面図である。
【符号の説明】
10、110、 有機発光素子OLED
12、112、 基板
14、114、 表示ユニット
16、118、 パッシベーション構造
18、134、 金属層
20、122、 バッファー層
22、 熱膨張係数のマッチング層
24、 低透湿層
26、封止層
120、 第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜(DLC)
124、第二のDLC薄膜
126、表示領域
128、 周辺領域
130、138、 導電層
132、 発光層
Claims (13)
- 基板に置かれた電気素子を覆うパッシベーション構造であって、パッシベーション構造の最下層としては、基板と電気素子の表面および側面を覆う第一のダイヤモンドに似た炭素(DLC)薄膜であり、その第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜の上にバッファー層が配され、パッシベーション構造の表面層としては、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜の一部分とバッファー層を覆う第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜とで構成され、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜と第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜とでサイクリック構造をなしていることを特徴とするパッシベーション構造。
- 第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜と第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜の厚みが、それぞれ約10〜50000オングストロームであることを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- バッファー層は、溶剤型または非溶剤型の熱処理可能またはUV処理可能な材料からなることを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- バッファー層は、熱蒸着高分子材料からなることを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- バッファー層は、ダイヤモンドに似た炭素と高分子とで構成された材料からなることを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- バッファー層は、無機材料と高分子とで構成された材料からなることを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- 電気素子から発生する熱を第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜に伝えて熱伝導体として働く第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜と熱放散と電気装置の保護として働く第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜を有することを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- 電気素子の、熱放散のための構造として、サイクリック構造が使われていることを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- 電気素子が表示ユニットであることを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- 表示ユニットが有機発光表示ユニット(OLED)であることを特徴とする請求項9記載のパッシベーション構造。
- 有機発光表示ユニットは連接した高分子層と該連接した高分子層の上にある導電層と該連接した高分子層の下にある導電層とから構成されることを特徴とする請求項10記載のパッシベーション構造。
- バッファー層で覆われた領域より第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜層で覆われた領域が大きいことを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
- バッファー層で覆われた領域より第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜層で覆われた領域が大きいことを特徴とする請求項1記載のパッシベーション構造。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006111967A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスバリア膜及び容器 |
JP2008515148A (ja) * | 2004-09-23 | 2008-05-08 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
JP2009038019A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び有機elディスプレイ |
JP2011198675A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法 |
JP2013534034A (ja) * | 2010-07-07 | 2013-08-29 | エルジー・ケム・リミテッド | 封止構造を含む有機発光素子 |
JP2015213093A (ja) * | 2004-10-01 | 2015-11-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN106654045A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled封装方法与oled封装结构 |
US10135029B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-11-20 | Japan Display Inc. | Display device |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004002908B4 (de) * | 2004-01-20 | 2008-01-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements oder einer mikromechanischen Struktur |
US20060017055A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Eastman Kodak Company | Method for manufacturing a display device with low temperature diamond coatings |
JPWO2006100768A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2008-08-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102005020091A1 (de) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Integrierte Halbleiterbauelementeanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
US20070020451A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
US20080200838A1 (en) * | 2005-11-28 | 2008-08-21 | Daniel Goldberger | Wearable, programmable automated blood testing system |
DE102006011697B4 (de) * | 2006-03-14 | 2012-01-26 | Infineon Technologies Austria Ag | Integrierte Halbleiterbauelementeanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
US20080006819A1 (en) * | 2006-06-19 | 2008-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices |
TWI587734B (zh) * | 2009-03-26 | 2017-06-11 | 精工愛普生股份有限公司 | 有機el裝置、有機el裝置之製造方法、及電子機器 |
TWI463452B (zh) | 2009-04-21 | 2014-12-01 | Ind Tech Res Inst | 觸控式顯示裝置及其製造方法 |
US9565793B2 (en) | 2012-10-31 | 2017-02-07 | Industrial Technology Research Institute | Environmental sensitive electronic device package |
CN106450032B (zh) * | 2016-11-08 | 2018-01-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
CN106601931B (zh) * | 2016-12-19 | 2018-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled封装方法与oled封装结构 |
CN108511629A (zh) | 2018-05-31 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
US11157717B2 (en) * | 2018-07-10 | 2021-10-26 | Next Biometrics Group Asa | Thermally conductive and protective coating for electronic device |
DE102018118824A1 (de) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit einer stresskompensationsschicht und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5811177A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
DE69803365T2 (de) * | 1997-02-04 | 2002-10-31 | Bekaert Sa Nv | Beschichtung enthaltend filme aus diamantartigem kohlenstoff und diamantartigem nanokomposit |
US6069443A (en) * | 1997-06-23 | 2000-05-30 | Fed Corporation | Passive matrix OLED display |
GB9718393D0 (en) * | 1997-08-29 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent Device |
JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
US6573652B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
JP2001183163A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Mitsutoyo Corp | 変位測定装置 |
JP4004709B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
US6822391B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof |
KR100413450B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 표시소자의 보호막 구조 |
JP2003282241A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
KR100477745B1 (ko) * | 2002-05-23 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 소자의 봉지방법 및 이를 이용하는 유기전계발광 패널 |
TWI232693B (en) * | 2002-10-24 | 2005-05-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Hygroscopic passivation structure of an organic electroluminescent display |
TWI221678B (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Method of forming sealing structure for electroluminescent organic device |
-
2002
- 2002-07-25 TW TW091116648A patent/TWI283914B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-05-26 US US10/249,994 patent/US20040056269A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-20 JP JP2003176202A patent/JP2004063462A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006111967A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガスバリア膜及び容器 |
JP4545073B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2010-09-15 | 三菱重工業株式会社 | ガスバリア膜及び容器 |
JP2008515148A (ja) * | 2004-09-23 | 2008-05-08 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
JP2015213093A (ja) * | 2004-10-01 | 2015-11-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US9887294B2 (en) | 2004-10-01 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
US10333003B2 (en) | 2004-10-01 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
JP2009038019A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び有機elディスプレイ |
JP2011198675A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法 |
JP2013534034A (ja) * | 2010-07-07 | 2013-08-29 | エルジー・ケム・リミテッド | 封止構造を含む有機発光素子 |
US10135029B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-11-20 | Japan Display Inc. | Display device |
CN106654045A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled封装方法与oled封装结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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