JP2004061688A - 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004061688A
JP2004061688A JP2002217569A JP2002217569A JP2004061688A JP 2004061688 A JP2004061688 A JP 2004061688A JP 2002217569 A JP2002217569 A JP 2002217569A JP 2002217569 A JP2002217569 A JP 2002217569A JP 2004061688 A JP2004061688 A JP 2004061688A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
crystal display
display device
bus line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002217569A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4408192B2 (ja
Inventor
Yoshinori Tanaka
田中 義規
Yoji Nagase
長瀬 洋二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Display Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Display Technologies Corp filed Critical Fujitsu Display Technologies Corp
Priority to JP2002217569A priority Critical patent/JP4408192B2/ja
Priority to US10/624,224 priority patent/US6977708B2/en
Priority to TW092120226A priority patent/TW594322B/zh
Priority to KR1020030051282A priority patent/KR100831805B1/ko
Publication of JP2004061688A publication Critical patent/JP2004061688A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4408192B2 publication Critical patent/JP4408192B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

【課題】TFT素子の静電破壊を防止でき、狭額縁化が可能な液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外部から信号が入力する端子部44と、当該信号をドライバIC18、24に出力する端子部42とが、ゲートバスライン12や共通配線20と異なる導電層で形成されている。このため、共通配線20を面取り工程で除去される位置に配置しても、ゲートバスライン12を接続配線34を介して共通配線20に接続できる。これにより、面取り工程までTFT素子の静電破壊を防止できる。また、TFT基板2の製造工程が増加することもない。さらに、端子部30、42、44、接続配線34、共通配線20等を複数の導電層で形成することにより平面的な制約が減少するため、設計工程でTFT基板2の配線等のレイアウトが容易になり、狭額縁設計が可能になる。
【選択図】  図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器の表示部等に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置を動作させるために用いられるドライバIC(半導体チップ)の実装方法には、COG(Chip On Glass)実装、TAB(TapeAutomated Bonding)実装及びCOF(Chip On Film)実装等がある。COGは、画像表示に必要な映像信号や制御信号を出力するドライバICを直接ガラス基板表面に実装するため、近年要求されている液晶表示装置の狭額縁化に対応可能である。ドライバICの信号出力側の端子は、表示領域から延伸する複数のゲートバスラインやドレインバスラインに接続された複数の端子部に、バンプを介してそれぞれ接続される。ドライバICの信号入力側の端子は、別途設けられるFPC(Flexible Printed Circuit)に接続された端子部にバンプを介して接続される。一部の信号入力側端子は、ガラス基板上に形成されたパネル内配線によりカスケード接続される。
【0003】
また、液晶表示装置には、製造工程中に発生する静電気により薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)素子等が破壊されるのを防止するため、各バスラインを同電位にする共通配線が配置されている。共通配線は各バスラインに電気的に接続され、ガラス基板の端部に配置されている。
【0004】
図7は、液晶表示装置の製造工程の一部を示すフローチャートである。まず、それぞれの工程で製造されたTFT基板及び対向基板の表面(対向面)に、配向膜を塗布する(ステップS1)。次に、必要であれば両基板表面の配向膜にラビング処理を行う(ステップS2)。次に、一方の基板に例えば球状のスペーサを散布する(ステップS3)。次に、他方の基板のパネル毎の外周にシール材を塗布して両基板を貼り合わせ、貼り合わせ基板を作製する(ステップS4)。次に、両基板をそれぞれ所定形状に切断し、貼り合わせ基板をパネル毎に分断する(ステップS5)。次に、分断された貼り合わせ基板間に液晶を注入して封止し、液晶表示パネルを作製する(ステップS6)。
【0005】
次に、液晶表示パネル表面に付着した液晶等を除去するため、液晶表示パネルを洗浄し、その後乾燥させる(ステップS7)。次に、ガラス基板の切断面での割れ欠けを防止するために、各基板の端部を研磨して面取りする(ステップS8)。次に、液晶表示パネルの外側の面に偏光板をそれぞれ貼り付ける(ステップS9)。両偏光板は、互いの偏光軸がほぼ直交するように配置される。次に、液晶表示パネルの表示検査を行う(ステップS10)。次に、TFT基板の表面にドライバICを実装する(ステップS11)。以上の工程を経て液晶表示装置が完成する。
【0006】
検査工程(ステップS10)の前には、バスライン毎に所定の信号を入力して液晶表示装置を正常に動作させるために、各バスラインを電気的に分離する必要がある。通常は、パネル分断工程(ステップS5)又は面取り工程(ステップS8)で共通配線を除去し、各バスラインを電気的に分離している。あるいは検査工程の前に、共通配線と各バスラインとの接続部にレーザ光を照射して切断し、各バスラインを電気的に分離している。
【0007】
図8は、従来の液晶表示装置の構成を示している。図8に示すように、液晶表示装置は、周囲に塗布されたシール材(図示せず)を介して貼り合わされたTFT基板102と対向基板104とを有している。TFT基板102には、図の左右方向に延びる複数のゲートバスライン112と、ゲートバスライン112に不図示の絶縁膜を介して交差して図の上下方向に延びる複数のドレインバスライン114とが形成されている。TFT基板102の左方の端部には、複数のドライバICがCOG実装されるドライバIC実装領域118が設けられている。各ゲートバスライン112の左端には、ドライバIC実装領域118内に配置された端子部116がそれぞれ形成されている。
【0008】
TFT基板102の下方の端部には、複数のドライバICがCOG実装されるドライバIC実装領域124が設けられている。各ドレインバスライン114の下端には、ドライバIC実装領域124内に配置された端子部122がそれぞれ形成されている。
【0009】
図8では、パネル分断工程(ステップS5)で既に除去されている共通配線120、126を示している。共通配線120はTFT基板102の図中右方に配置され、各ゲートバスライン112に電気的に接続されている。共通配線126はTFT基板102の図中上方に配置され、各ドレインバスライン114に電気的に接続されている。図示していないが、共通配線120と共通配線126とは、例えば絶縁膜を開口して形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【0010】
ドライバIC実装領域124の図中下方には、外部からの信号を入力するためのFPC圧着領域130が形成されている。FPC圧着領域130には、FPC側の端子に接続される端子部132、133が形成されている。端子部133は、ドライバIC実装領域124の端子部123に電気的に接続されている。端子部132は、ドライバIC実装領域118の端子部117に、パネル内配線141を介して電気的に接続されている。図中上方のドライバIC実装領域118の端子部117は、図中下方のドライバIC実装領域118の端子部117’に、パネル内配線140を介して接続されている。これにより、ドライバIC実装領域118に実装される複数のドライバICはカスケード接続される。
【0011】
このように、TFT基板102及び対向基板104はドライバIC実装領域118、124側の端部で段違いに配置されており、TFT基板102の素子形成面が露出する構成になっている。
【0012】
図9は、従来の液晶表示装置の他の構成を示している。図9に示すように、ゲートバスライン112に電気的に接続された共通配線121は、TFT基板102のドライバIC実装領域118側に形成されている。また、ドレインバスライン114に電気的に接続された共通配線127は、TFT基板2のドライバIC実装領域124側に形成されている。このため、検査工程(ステップS10)の前には、切断線αにレーザ光を照射してゲートバスライン112と共通配線121との接続部を切断し、切断線βにレーザ光を照射してドレインバスライン114と共通配線127との接続部を切断して、各バスライン112、114を電気的に分離する必要がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図8に示す構成では、パネル分断工程(ステップS5)で共通配線120、126が切り離され、ゲートバスライン112、ドレインバスライン114が互いに電気的に分離されるため、それ以降の工程(例えば液晶注入工程(ステップS6))で発生した静電気によりTFT素子が破壊されてしまうおそれがあるという問題が生じる。
【0014】
この問題を解決するために、パネル分断工程で分断される位置より内側であって面取り工程(ステップS8)で除去される位置に共通配線120、126を配置する構成がある。しかし、共通配線120、126を面取り工程で除去するためには、共通配線120、126を配置する端部側でもTFT基板102と対向基板104とを段違いに配置して、TFT基板102の共通配線120、126形成面を露出させる必要がある。このため、TFT基板102の基板サイズが大きくなってしまい、液晶表示装置の額縁領域の面積が広くなってしまうという問題が生じる。
【0015】
また、図9に示す構成では、レーザ光を照射して各バスライン112、114を電気的に分離する切断工程が新たに必要になるため、液晶表示装置の製造工程が増加してしまうという問題が生じる。さらに、レーザ光を照射した際に溶融して飛散した金属により、ドライバIC実装時に接続不良が生じるおそれがあるという問題が生じる。
【0016】
図10は、従来の液晶表示装置のさらに他の構成を示している。ゲートバスライン112側のドライバICには、外部から入力される信号が比較的少なく、外部から接続される配線も例えば数本程度であり比較的少ない。このため、図10に示すように、ゲートバスライン112側のドライバIC実装領域118の端子部117をドライバIC実装領域118の短辺側(図10の辺C側)に配置できる。このようにすれば、ゲートバスライン112をTFT基板102の左端まで引き出すことができるため、共通配線121を面取り工程(ステップS8)で除去される位置に配置できる。これにより、面取り工程までTFT素子の静電破壊を防止できる。
【0017】
しかし、ゲートバスライン112側のドライバICへの入力信号数が多く、接続される配線が多い液晶表示装置では、ドライバIC実装領域118の短辺側の幅が広くなってしまう。このため、液晶表示装置の狭額縁化が困難になってしまうという問題が生じる。
【0018】
本発明の目的は、TFT素子の静電破壊を防止でき、狭額縁化が可能な液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に互いに並列して形成された第1のバスラインと、前記第1のバスライン上に形成された絶縁膜を介して前記第1のバスラインに交差して、互いに並列して形成された第2のバスラインと、前記第1及び第2のバスラインのいずれか一方と同一の形成材料で形成されて前記第1又は第2のバスラインにそれぞれ電気的に接続され、前記基板表面に実装される半導体チップの一端子に接続される第1の端子部と、前記第1及び第2のバスラインの他方と同一の形成材料で形成され、前記半導体チップの他端子に接続される第2の端子部と、前記第2の端子部に電気的に接続され、前記基板の端部に配置されて外部からの信号が入力する第3の端子部と、前記第1の端子部に電気的に接続された接続配線と、前記接続配線を介して前記第1又は第2のバスラインに電気的に接続され、前記基板の端部であって面取りする際に除去される位置に配置された共通配線とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【0020】
【発明の実施の形態】
〔第1の実施の形態〕
本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図1乃至図3を用いて説明する。図1は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図1に示すように、液晶表示装置は、TFT素子や画素電極等が画素領域毎に形成されたTFT基板2と、カラーフィルタ(CF;Color Filter)等が形成された対向基板4とを対向させて貼り合わせ、両基板2、4間に液晶を封入した構造を有している。
【0021】
TFT基板2には、互いに並列して図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン12と、ゲートバスライン12上に形成された絶縁膜を介してゲートバスライン12に交差して、互いに並列して図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン14とが形成されている。
【0022】
なお図1では、完成した液晶表示装置では既に除去されている共通配線20、26を併せて示している。ゲートバスライン12の図中右端には、ゲートバスライン20と同一の形成材料で形成された共通配線20が配置されている。共通配線20は、各ゲートバスライン20に電気的に接続されている。ドレインバスライン14の図中下端には、ドレインバスライン14と同一の形成材料で形成された共通配線26が配置されている。共通配線26は、各ドレインバスライン14に電気的に接続されている。共通配線20と共通配線26とは、例えば絶縁膜を開口して形成された不図示のコンタクトホールを介して電気的に接続されている。共通配線20、26は、後程説明するように、面取り工程でTFT基板2の端部を研磨して面取りする際に除去される。本例では共通配線20、26が各バスライン12、14に直接接続されているが、TFT等の非線形素子や高抵抗材料を介して接続されていてもよい。
【0023】
TFT基板2の右側の端部には、複数のゲートバスライン12を駆動するドライバIC18がCOG実装されている。また、TFT基板2の下側の端部には、複数のドレインバスライン14を駆動するドライバIC24がCOG実装されている。これらのドライバIC18、24は、不図示の制御回路から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン12あるいはドレインバスライン14に出力するようになっている。
【0024】
図2は、本実施の形態による液晶表示装置用基板であるTFT基板2の共通配線20近傍の構成を示している。図3は、図2のA−A線で切断したTFT基板2の断面図を示している。なお、図2及び図3に示すTFT基板2は、基板の端部を研磨する面取り工程はまだ行われていないものとする。図2及び図3に示すように、TFT基板2は、後のドライバIC実装工程でドライバIC18がCOG実装されるドライバIC実装領域28を共通配線20の内側に有している。ゲートバスライン12の図中右端部には、ドライバIC18からの信号が入力される端子部30(第1の端子部)が形成されている。端子部30上には、例えばITO等の透明導電膜からなる保護導電膜32が形成されている。保護導電膜32は、端子部30上の絶縁膜70(保護膜を含む)を開口して形成されたコンタクトホールを介して端子部30に電気的に接続されている。端子部30は、ゲートバスライン12と同様に図2の左右方向に延びる接続配線34を介して、共通配線20に電気的に接続されている。端子部30、接続配線34及び共通配線20は、ガラス基板10上にゲートバスライン12と同一の形成材料でゲートバスライン12と同時に形成されている。
【0025】
TFT基板2上には、外部からの信号が入力する端子部44(第3の端子部)が形成されている。端子部44上には、例えばITO等の透明導電膜からなる保護導電膜38が形成されている。保護導電膜38は、端子部44上の絶縁膜70を開口して形成されたコンタクトホールを介して端子部44に電気的に接続されている。またTFT基板2上には、外部から入力された信号をドライバIC18に出力する端子部42(第2の端子部)が形成されている。端子部42上には、例えばITO等の透明導電膜からなる保護導電膜40が形成されている。保護導電膜40は、端子部42上の絶縁膜70を開口して形成されたコンタクトホールを介して端子部42に電気的に接続されている。端子部44、42は、ドレインバスライン14と同一の形成材料でドレインバスライン14と同時に形成されている。
【0026】
ドライバIC実装領域28にCOG実装されるドライバIC18は、バンプ36を介して端子部30上の保護導電膜32に接続され、バンプ37を介して端子42上の保護導電膜40に接続される。
【0027】
本実施の形態では、外部から信号が入力する端子部44と、当該信号をドライバIC18、24に出力する端子部42とが、ゲートバスライン12や共通配線20と異なる導電層で形成されている。このため、共通配線20を面取り工程で除去される位置に配置しても、ゲートバスライン12を接続配線34を介して共通配線20に接続できる。これにより、面取り工程までTFT素子の静電破壊を防止できる。また、TFT基板2の製造工程が増加することもない。さらに、端子部30、42、44、接続配線34、共通配線20等を複数の導電層で形成することにより平面的な制約が減少するため、設計工程でTFT基板2の配線等のレイアウトが容易になり、狭額縁設計が可能になる。
【0028】
図示していないが、ドレインバスライン14に接続された共通配線26近傍では、図3に示す構成に対して導電層が入れ替わった構成になる。すなわち、ドライバIC24からの信号が入力される第1の端子部と、第1の端子部と共通配線26とを接続する接続配線と、共通配線26とは、ドレインバスライン14と同一の形成材料でドレインバスライン14と同時に形成されている。また、外部からの信号が入力する第3の端子部と、外部から入力された信号をドライバIC18に出力する第2の端子部とは、ゲートバスライン12と同一の形成材料でゲートバスライン12と同時に形成されている。ただし、第1の端子部と共通配線26とを接続する接続配線は、基板面に垂直方向に見て端子部42、44に重ならないように、迂回させる必要がある。また、ドレインバスライン14を第1の端子部の内側でゲートバスライン12形成層に繋ぎ替えるようにしてもよい。こうすることにより、共通配線26近傍でも図3に示す構成と同様の構成になる。
【0029】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法について、既に示した図7を参照しつつ説明する。まず、それぞれの工程で製造されたTFT基板2及び対向基板4の表面(対向面)に、配向膜を塗布する(図7のステップS1)。次に、必要であれば両基板2、4表面の配向膜にラビング処理を行う(ステップS2)。次に、例えば対向基板4に球状のスペーサを散布する(ステップS3)。次に、例えばTFT基板2のパネル毎の外周にシール材を塗布して両基板2、4を貼り合わせ、貼り合わせ基板を作製する(ステップS4)。次に、両基板2、4をそれぞれ所定形状に切断し、貼り合わせ基板をパネル毎に分断する(ステップS5)。このとき、TFT基板2上の各バスライン12、14は、TFT基板2端部に形成された共通配線20、26により互いに電気的に接続されている。次に、分断された貼り合わせ基板間に液晶を注入して封止し、液晶表示パネルを作製する(ステップS6)。
【0030】
次に、液晶表示パネル表面に付着した液晶等を除去するため、液晶表示パネルを洗浄し、その後乾燥させる(ステップS7)。次に、ガラス基板10の切断面での割れ欠けを防止するために、面取り装置を用いて各基板2、4の端部を研磨して面取りする(ステップS8)。これにより、図2及び図3に示す線γより端部側が除去され、TFT基板2の端部に形成されている共通配線20、24が除去される。線γから基板端部までの基板面方向の距離dは例えば0.35±0.1mmであり、基板表面に対する研磨角度θは例えば45°である。なお、図示を省略しているが、TFT基板2の裏面側(図3では下方)も同様に面取りされる。次に、液晶表示パネルの外側の面に偏光板をそれぞれ貼り付ける(ステップS9)。両偏光板は、互いの偏光軸がほぼ直交するように配置される。次に、液晶表示パネルの表示検査を行う(ステップS10)。次に、TFT基板2の表面にドライバIC18、24をCOG実装する(ステップS11)。以上の工程を経て本実施の形態による液晶表示装置が完成する。
【0031】
本実施の形態では、パネル分断工程(ステップS5)ではなく、面取り工程(ステップS8)で共通配線20、26が除去される。このため、液晶注入・封止工程(ステップS6)やパネル洗浄・乾燥工程(ステップS7)で発生する静電気により、TFT素子が破壊されるのを防止できる。
【0032】
〔第2の実施の形態〕
次に、本発明の第2の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図4及び図5を用いて説明する。図4は、本実施の形態による液晶表示装置用基板であるTFT基板2のドライバIC実装領域28近傍の構成を示している。図5は、図4のB−B線で切断したTFT基板2の断面図を示している。図4及び図5に示すように、本実施例によるTFT基板2は、ドライバIC実装領域28内に、端子部50(第4の端子部)を有している。端子部50上には、例えばITO等の透明導電膜からなる保護導電膜52が形成されている。保護導電膜52は、端子部50上の絶縁膜70を開口して形成されたコンタクトホールを介して端子部50に電気的に接続されている。
端子部50は、ゲートバスライン12と同様に図4の左右方向に延びる接続配線56を介して、端子部30に電気的に接続されている。端子部30、接続配線56、端子部50は、ゲートバスライン12と同一の形成材料でゲートバスライン12と同時に形成されている。また本実施の形態では、端子部42、44もゲートバスライン12と同一の形成材料でゲートバスライン12と同時に形成されている。
【0033】
図示を省略しているが、TFT基板2は、ドレインバスライン14側のドライバIC24が実装されるドライバIC実装領域内に、同様に第4の端子部を有している。この端子部は、接続配線を介してドレインバスライン14に電気的に接続されている。端子部はドレインバスライン14と同一の形成材料でドレインバスライン14と同時に形成されている。
【0034】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法について図7を参照しつつ説明する。本実施の形態では、パネル分断工程(図7のステップS5)で、共通配線が除去されている。その後、パネル洗浄・乾燥工程(ステップS7)の後に、導電性を有するペースト(以下、導電性ペーストという)60を複数の端子部50を接続するように図4の上下方向に塗布する。導電性ペースト60は、例えば樹脂にカーボンを混入して製造され、ペースト塗布装置を用いて塗布される。
塗布後の導電性ペースト60は、乾燥して硬化するようになっている。その後、検査工程(ステップS10)の前に、ピンセット等を用いて硬化した導電性ペースト60を剥離する。なお、導電性ペースト60の抵抗値が比較的高ければ、導電性ペースト60を剥離せずに検査できるため、検査工程の後でドライバIC実装工程(ステップS11)の前に剥離してもよい。検査工程では、プローブピン54を端子部50上の保護導電膜52に接触させる。
【0035】
本実施の形態では、パネル分断工程(ステップS5)で共通配線を除去した後においても、パネル洗浄・乾燥工程(ステップS7)の後から、導電性ペースト60を剥離するまで各バスライン12、14が電気的に接続される。このため、例えば偏光板貼り付け工程(ステップS9)等のラミネート工程で発生する静電気によりTFT素子が破壊されるのを防止できる。
【0036】
また、本実施の形態によれば、検査工程でプローブピン54を端子部50(保護導電膜52)に接触させることにより、ドライバIC18が実装される端子部30表面の損傷を防止できる。
【0037】
本実施の形態では、端子部42、44がゲートバスライン12と同一の形成材料でゲートバスライン12と同時に形成されているが、図3に示す第1の実施の形態のように、ドレインバスライン14と同一の形成材料で同時に形成してもよい。こうすることにより、共通配線を面取り工程(ステップS8)で除去される位置に配置しても、ゲートバスライン12を共通配線に接続できる。これにより、面取り工程より前に導電性ペースト60を塗布すれば、導電性ペースト60を剥離するまでTFT素子の静電破壊を防止できる。
【0038】
〔第3の実施の形態〕
次に、本発明の第3の実施の形態による液晶表示装置用基板について図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態による液晶表示装置用基板であるTFT基板2のドライバIC実装領域28近傍の構成を示している。図6に示すように、接続配線34は、ドライバIC実装領域28の短辺側から引き出され、端子部42、44を迂回して共通配線20に接続されている。また、一部の端子部42は、ドレインバスライン14と同一の形成材料で同時に形成されたパネル内配線62を介して、他のドライバIC実装領域の端子部42に接続されている。これにより、後に実装される複数のドライバIC18がカスケード接続されるようになっている。さらに、本実施の形態では、複数の端子部44がTFT基板2の端部まで延伸され、共通配線20’にそれぞれ接続されている。これにより、複数の端子部44は電気的に接続される。なお、共通配線20、20’は、面取り工程で除去される。
【0039】
本実施の形態では、接続配線34が端子部42、44を迂回して形成されているため、2層の導電層が絶縁膜70を介して重なって形成される領域の面積が狭くなっている。このため、層間短絡による製品不良の発生が低減できる。
【0040】
また従来の構成では、複数のドライバICがカスケード接続されるTFT基板2では、接続配線34を迂回させて共通配線20に接続することが困難であるため、静電気によりTFT素子が破壊されるのを防止できなかった。しかし本実施の形態によれば、複数のドライバICをカスケード接続するためのパネル配線62が形成されていても、接続配線34を迂回させるのが容易であるため、静電気によりTFT素子が破壊されるのを防止できる。
【0041】
さらに、本実施の形態では、複数の端子部42、44が共通配線20’に接続されている。このため、複数の端子部42、44を同電位に維持でき、静電気により強い液晶表示装置が実現できる。
【0042】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、ボトムゲート型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、トップゲート型の液晶表示装置用基板にも適用できる。また、TFTプロセスはチャネルエッチ型、エッチングストッパ型のいずれにも適用可能である。
【0043】
以上説明した本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにまとめられる。
(付記1)
基板上に互いに並列して形成された第1のバスラインと、
前記第1のバスライン上に形成された絶縁膜を介して前記第1のバスラインに交差して、互いに並列して形成された第2のバスラインと、
前記第1及び第2のバスラインのいずれか一方と同一の形成材料で形成されて前記第1又は第2のバスラインにそれぞれ電気的に接続され、前記基板表面に実装される半導体チップの一端子に接続される第1の端子部と、
前記第1及び第2のバスラインの他方と同一の形成材料で形成され、前記半導体チップの他端子に接続される第2の端子部と、
前記第2の端子部に電気的に接続され、前記基板の端部に配置されて外部からの信号が入力する第3の端子部と、
前記第1の端子部に電気的に接続された接続配線と、
前記接続配線を介して前記第1又は第2のバスラインに電気的に接続され、前記基板の端部であって面取りする際に除去される位置に配置された共通配線と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【0044】
(付記2)
付記1記載の液晶表示装置用基板において、
前記共通配線は、前記基板の前記半導体チップが実装される端部に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0045】
(付記3)
付記1又は2に記載の液晶表示装置用基板において、
前記第1及び第2のバスラインにそれぞれ接続され、前記半導体チップが実装される領域に形成された第4の端子部をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【0046】
(付記4)
基板上に互いに絶縁膜を介して交差して形成された第1及び第2のバスラインと、
前記第1及び第2のバスラインのいずれか一方と同一の形成材料で形成されて前記第1又は第2のバスラインにそれぞれ電気的に接続され、前記基板表面に実装される半導体チップの一端子に接続される端子部と、
前記半導体チップが実装される領域に形成されて前記端子部にそれぞれ接続され、検査用プローブピンが接触する別の端子部と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【0047】
(付記5)
第1の基板と、前記第1の基板表面に実装された半導体チップと、前記第1の基板に対向配置されて貼り合わされた第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記第1の基板は、付記1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板であること
を特徴とする液晶表示装置。
【0048】
(付記6)
絶縁膜を介して互いに交差して形成された複数のバスラインを備えた第1の基板と、前記第1の基板に対向配置された第2の基板との間に液晶を封止し、
前記第1及び第2の基板の端部を研磨して面取りするとともに、前記第1の基板の端部に形成され、前記複数のバスラインに接続された共通配線を除去する液晶表示装置の製造方法において、
前記第1の基板に、付記1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【0049】
(付記7)
絶縁膜を介して互いに交差して形成された複数のバスラインを備えた第1の基板と、前記第1の基板に対向配置された第2の基板との間に液晶を封止し、
前記第1及び第2の基板の端部を研磨して面取りするとともに、前記第1の基板の端部に形成され、前記複数のバスラインに接続された共通配線を除去し、
前記複数のバスラインにそれぞれ接続された複数の端子部を互いに接続するように導電性を有するペーストを塗布すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【0050】
(付記8)
付記7記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記ペーストは、前記第1の基板表面に半導体チップを実装する前に除去されること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【0051】
(付記9)
付記7又は8に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記第1の基板に、付記1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【0052】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、TFT素子の静電破壊を防止でき、狭額縁化が可能な液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置用基板の要部構成を示す図である。
【図3】図2のA−A線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態による液晶表示装置用基板の要部構成を示す図である。
【図5】図4のB−B線で切断した液晶表示装置用基板を示す断面図である。
【図6】本発明の第3の実施の形態による液晶表示装置用基板の要部構成を示す図である。
【図7】液晶表示装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図8】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図9】従来の液晶表示装置の他の構成を示す図である。
【図10】従来の液晶表示装置のさらに他の構成を示す図である。
【符号の説明】
2 TFT基板
4 対向基板
10 ガラス基板
12 ゲートバスライン
14 ドレインバスライン
18、24ドライバIC
20、20’、26 共通配線
28 ドライバIC実装領域
30、42、44 端子部
32、38、40、52 保護導電膜
34、56 接続配線
36、37 バンプ
50 検査用端子
54 プローブピン
60 導電性ペースト
62 パネル内配線
70 絶縁膜

Claims (5)

  1. 基板上に互いに並列して形成された第1のバスラインと、
    前記第1のバスライン上に形成された絶縁膜を介して前記第1のバスラインに交差して、互いに並列して形成された第2のバスラインと、
    前記第1及び第2のバスラインのいずれか一方と同一の形成材料で形成されて前記第1又は第2のバスラインにそれぞれ電気的に接続され、前記基板表面に実装される半導体チップの一端子に接続される第1の端子部と、
    前記第1及び第2のバスラインの他方と同一の形成材料で形成され、前記半導体チップの他端子に接続される第2の端子部と、
    前記第2の端子部に電気的に接続され、前記基板の端部に配置されて外部からの信号が入力する第3の端子部と、
    前記第1の端子部に電気的に接続された接続配線と、
    前記接続配線を介して前記第1又は第2のバスラインに電気的に接続され、前記基板の端部であって面取りする際に除去される位置に配置された共通配線と
    を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
  2. 基板上に互いに絶縁膜を介して交差して形成された第1及び第2のバスラインと、
    前記第1及び第2のバスラインのいずれか一方と同一の形成材料で形成されて前記第1又は第2のバスラインにそれぞれ電気的に接続され、前記基板表面に実装される半導体チップの一端子に接続される端子部と、
    前記半導体チップが実装される領域に形成されて前記端子部にそれぞれ接続され、検査用プローブピンが接触する別の端子部と
    を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
  3. 第1の基板と、前記第1の基板表面に実装された半導体チップと、前記第1の基板に対向配置されて貼り合わされた第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置において、
    前記第1の基板は、請求項1又は2に記載の液晶表示装置用基板であること
    を特徴とする液晶表示装置。
  4. 絶縁膜を介して互いに交差して形成された複数のバスラインを備えた第1の基板と、前記第1の基板に対向配置された第2の基板との間に液晶を封止し、
    前記第1及び第2の基板の端部を研磨して面取りするとともに、前記第1の基板の端部に形成され、前記複数のバスラインに接続された共通配線を除去する液晶表示装置の製造方法において、
    前記第1の基板に、請求項1又は2に記載の液晶表示装置用基板を用いること
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  5. 絶縁膜を介して互いに交差して形成された複数のバスラインを備えた第1の基板と、前記第1の基板に対向配置された第2の基板との間に液晶を封止し、
    前記第1及び第2の基板の端部を研磨して面取りするとともに、前記第1の基板の端部に形成され、前記複数のバスラインに接続された共通配線を除去し、
    前記複数のバスラインにそれぞれ接続された複数の端子部を互いに接続するように導電性を有するペーストを塗布すること
    を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
JP2002217569A 2002-07-26 2002-07-26 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4408192B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002217569A JP4408192B2 (ja) 2002-07-26 2002-07-26 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
US10/624,224 US6977708B2 (en) 2002-07-26 2003-07-22 Substrate for liquid crystal display having multiple terminals connected to semiconductor chip, and liquid crystal display having the same
TW092120226A TW594322B (en) 2002-07-26 2003-07-24 Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same
KR1020030051282A KR100831805B1 (ko) 2002-07-26 2003-07-25 액정 표시 장치용 기판 및 그것을 구비한 액정 표시 장치및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002217569A JP4408192B2 (ja) 2002-07-26 2002-07-26 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004061688A true JP2004061688A (ja) 2004-02-26
JP4408192B2 JP4408192B2 (ja) 2010-02-03

Family

ID=31938983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002217569A Expired - Fee Related JP4408192B2 (ja) 2002-07-26 2002-07-26 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6977708B2 (ja)
JP (1) JP4408192B2 (ja)
KR (1) KR100831805B1 (ja)
TW (1) TW594322B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005085939A1 (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. アレイ基板の検査方法
WO2006073010A1 (ja) * 2005-01-07 2006-07-13 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置、表示装置用基板、表示装置の製造方法、表示装置用基板の製造方法、検査信号入力装置用基板およびそれを備えた検査信号入力装置
JP2007233349A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2007316263A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nec Lcd Technologies Ltd 画像表示装置
US8395746B2 (en) 2006-01-31 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN106338867A (zh) * 2016-10-31 2017-01-18 昆山龙腾光电有限公司 Vcom走线结构、显示面板及vcom走线结构制作方法
US10319332B2 (en) 2016-03-30 2019-06-11 Japan Display Inc. Display apparatus and control method having semiconductor apparatuses

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4554983B2 (ja) * 2004-05-11 2010-09-29 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP2007108470A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Nec Lcd Technologies Ltd アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
KR101232157B1 (ko) * 2006-06-09 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 Lcd 검사 장비
JP2009003237A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Nishiyama Stainless Chem Kk 表示装置及びその製造方法
JP2009036794A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP5452290B2 (ja) * 2010-03-05 2014-03-26 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示パネル
KR20130031559A (ko) 2011-09-21 2013-03-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP6168777B2 (ja) * 2013-01-23 2017-07-26 三菱電機株式会社 表示パネル及び表示装置ならびに当該表示パネルの製造方法
CN107085333B (zh) * 2017-07-06 2021-02-02 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07175086A (ja) 1993-12-21 1995-07-14 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリックス型液晶表示素子の製造方法
JP3315834B2 (ja) * 1995-05-31 2002-08-19 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
TW440736B (en) * 1997-10-14 2001-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof
JPH11202353A (ja) * 1998-01-09 1999-07-30 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
US6204081B1 (en) * 1999-05-20 2001-03-20 Lg Lcd, Inc. Method for manufacturing a substrate of a liquid crystal display device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005085939A1 (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. アレイ基板の検査方法
WO2006073010A1 (ja) * 2005-01-07 2006-07-13 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置、表示装置用基板、表示装置の製造方法、表示装置用基板の製造方法、検査信号入力装置用基板およびそれを備えた検査信号入力装置
JP2007233349A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8395746B2 (en) 2006-01-31 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8773632B2 (en) 2006-01-31 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9235071B2 (en) 2006-01-31 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2007316263A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nec Lcd Technologies Ltd 画像表示装置
US10319332B2 (en) 2016-03-30 2019-06-11 Japan Display Inc. Display apparatus and control method having semiconductor apparatuses
CN106338867A (zh) * 2016-10-31 2017-01-18 昆山龙腾光电有限公司 Vcom走线结构、显示面板及vcom走线结构制作方法
CN106338867B (zh) * 2016-10-31 2019-04-05 昆山龙腾光电有限公司 Vcom走线结构、显示面板及vcom走线结构制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100831805B1 (ko) 2008-05-28
US20040119929A1 (en) 2004-06-24
TW200403506A (en) 2004-03-01
KR20040010387A (ko) 2004-01-31
US6977708B2 (en) 2005-12-20
JP4408192B2 (ja) 2010-02-03
TW594322B (en) 2004-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4408192B2 (ja) 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
US20080002130A1 (en) Substrate for gate-in-panel (GIP) type liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JPH07146481A (ja) 液晶表示基板
US10620483B2 (en) Method of producing liquid crystal panel
US7675602B2 (en) Board device and method for manufacturing display element
WO2018027523A1 (en) Display panel, methods of fabricating and repairing the same
TW200813540A (en) Liquid crystal display
KR100610994B1 (ko) 액정 표시 장치
JP2965979B2 (ja) 配線基板、表示装置のアレイ基板、アレイ基板を備えた液晶表示装置、並びに配線基板およびアレイ基板の製造方法
JPH06250221A (ja) 液晶表示基板の製造方法
JP3752824B2 (ja) アクティブマトリクス基板装置の製造方法及び該アクティブマトリクス基板装置並びにこれを備えた電気光学パネル
JPH06347825A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP2004205729A (ja) 液晶装置及びその製造方法
JP4842709B2 (ja) 表示装置の製造方法
JP2001091955A (ja) 液晶表示装置
JP3311838B2 (ja) 液晶表示装置
JP4674293B2 (ja) Mosトランジスタの製造方法
JPH0792489A (ja) 液晶表示装置
JPH11142874A (ja) 液晶表示装置
JPH06258667A (ja) 液晶表示装置
JPH07239478A (ja) 半導体装置
JPH0736052A (ja) Al合金層を配線層として備える基板とその製造方法
JP2000089685A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JPH07248505A (ja) 液晶表示装置
JP2000180889A (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050208

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050712

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050713

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050722

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070605

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090310

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091104

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091106

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131120

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees