JP2007233349A

JP2007233349A - 表示装置

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Publication number: JP2007233349A
Application number: JP2007007535A
Authority: JP
Inventors: Kunio Hosoya; 邦雄細谷
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2006-01-31
Filing date: 2007-01-17
Publication date: 2007-09-13
Anticipated expiration: 2027-01-17
Also published as: JP4845749B2

Abstract

【課題】アクティブマトリクス基板上の引き回し配線の形成に伴う、基板上の額縁部分の広がりを最低限に抑え、狭額縁化を実現させた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向して配置された一対の基板のうち、少なくとも画素部を有するアクティブマトリクス基板の端部に面取り部を形成し、面取り部に形成された共通配線によって、アクティブマトリクス基板上の配線（ソース線、ゲート線、保持容量線、引き出し線等）が電気的に接続される。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと示す）を形成してなるアクティブマトリクス方式の表示部を有するアクティブマトリクス型の表示装置に関する。

従来より、ＴＦＴなどの能動素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置として、液晶表示装置や発光装置に代表される表示装置が知られている。これらのアクティブマトリクス型の表示装置は、画素密度を高くすることが可能であり、小型軽量でしかも低消費電力であることから、ＣＲＴに代わるフラットパネルディスプレイの一つとしてコンピューターのモニター、テレビ、カーナビゲーションのモニターなどの製品が開発されている。

また、これらのアクティブマトリクス型の表示装置は、いずれもアクティブマトリクス基板を含んで構成されており、例えば、液晶表示装置の場合には、複数のＴＦＴや配線の他、第１の電極（画素電極）を含む画素部等が形成された基板（アクティブマトリクス基板）と、第２の電極（対向電極）、遮光膜（ブラックマトリクス）、および着色膜（カラーフィルター）等が形成された基板（対向基板）とを貼り合わせ、これらの間に液晶材料を封入し、画素電極と対向電極との間に印加される電界により液晶分子を配向させ、光源からの光量を制御することによって表示が行われている。

なお、アクティブマトリクス基板において、画素部に形成される配線（ソース線、ゲート線、保持容量線等）は、その機能および最適なレイアウトを確保するために画素部周辺に形成される引き回し配線（コモン線、グランド線、またはアース線とも呼ばれる）と電気的に接続されており、従来、これらの引き回し配線は、画素部に形成される構造物と同様の導電材料を用いて、同一工程において作製可能であることから、製造工程が簡素化できるという利点を有していた。

しかし、これらの引き回し配線は、低抵抗な金属を用いた場合であっても配線の長さが長く配線抵抗が増大してしまうため、画素部の配線に比べて配線の幅を大きくする必要があるが、配線の幅を大きくするためには額縁（画素部を除いた基板上の周辺領域）部分の面積が広がってしまうという問題を抱えていた。

表示装置の小型化を図る上で、表示領域の大きなパネルを形成する為に狭額縁化を図ることは重要であり、様々な試みがなされている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−１８７２３７号公報

本発明では、アクティブマトリクス基板上の引き回し配線の形成に伴う、基板上の額縁部分の広がりを最低限に抑え、狭額縁化を実現させた表示装置を提供することを目的とする。

本発明の表示装置は、対向して配置された一対の基板のうち、少なくとも画素部を有するアクティブマトリクス基板の端部に面取り部を形成し、面取り部に形成された共通配線によって、アクティブマトリクス基板上の配線（ソース線、ゲート線、保持容量線、引き出し線等）が電気的に接続されることを特徴とする。

本発明の表示装置に関する具体的な構成は、対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板の一方の対向面の端部まで形成された配線と、前記配線が形成された基板の端部に形成された面取り部と、前記面取り部およびその近傍に形成された共通配線とを少なくとも有し、前記配線は、前記面取り部またはその近傍において、前記共通配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置である。

また、本発明の表示装置に関する別の構成は、対向して配置された面積の異なる一対の基板と、前記一対の基板のうちの面積の大きい基板の対向面の端部であって、面積の小さい基板と重ならない位置に形成された面取り部と、前記面取り部の近傍まで形成された配線と、前記面取り部およびその近傍に形成された共通配線とを少なくとも有し、前記配線は、前記面取り部またはその近傍において、前記共通配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置である。

また、本発明の表示装置に関する別の構成は、対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板の一方の対向面に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つと電気的に接続された配線と、複数の薄膜トランジスタおよび前記配線が形成された基板の端部に形成された面取り部と、前記面取り部およびその近傍に形成された共通配線とを少なくとも有し、前記配線は、前記面取り部またはその近傍において、前記共通配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置である。

また、本発明の表示装置に関する別の構成は、対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板の一方の対向面に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つと電気的に接続されたソース線と、外部回路と電気的に接続される引き出し線と、前記複数の薄膜トランジスタ、前記ソース線、および前記引き出し線が形成された基板の端部に形成された面取り部と、前記面取り部およびその近傍に形成された共通配線とを少なくとも有し、前記ソース線および前記引き出し線は、前記面取り部またはその近傍において、前記共通配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置である。

なお、上記各構成において、前記共通配線は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄのいずれか一を少なくとも含む導電性材料、または透明導電膜であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を含んで形成されていることを特徴とする。

本発明において、表示装置とは、液晶素子または発光素子を用いたデバイス、即ち画像表示デバイスを指す。また、表示パネル（液晶表示パネル、発光パネル）にコネクター、例えばフレキシブルプリント配線（ＦＰＣ：ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示パネルにＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）やＣＰＵ（中央演算処理装置）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。

本発明を実施することにより、アクティブマトリクス基板上の引き回し配線に代わる共通配線が基板端部に形成され、基板上の額縁部分の広がりを最低限に抑えることができるため表示パネルの狭額縁化を図ることができる。また、本発明における共通配線は、その作製上、膜厚を厚く形成することが可能である為、配線抵抗を低減させることが可能である。

以下に、本発明の一態様について図面等を用いながら詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、表示装置に用いる表示パネルの一例として液晶表示装置に用いる液晶パネルについて説明する。具体的には、液晶滴下法（ＯＤＦ法：ＯｎｅＤｒｏｐＦｉｌｌｉｎｇ）によりアクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶材料を挟み、貼り合わせを行った後、アクティブマトリクス基板の素子形成面側の端部の面取りを行い、面取り部等に共通配線を形成し、アクティブマトリクス基板上に形成されている配線（ソース線、ゲート線、保持容量線、引き出し線等）を共通配線によって電気的に接続させた構造とする場合について説明する。なお、引き出し線とは、ソース線、ゲート線、保持容量線などを画素部の外側に引き出した部分であり、外部回路と画素部を接続する部分である。

図１には、アクティブマトリクス基板１０１と対向基板１０２との間に液晶材料１０３を挟んで、シール材１０４で張り合わされた液晶パネルの端部断面を示す。なお、ここでは図示しないがアクティブマトリクス基板１０１の対向基板１０２が配置されている側の面（対向面）には、画素部を構成する複数の画素電極、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の素子、および複数の配線（ソース線、ゲート線、保持容量線等）の他、外部の駆動回路等との接続に用いられる配線（引き出し線）等が形成されており、これらの複数のＴＦＴ等の素子は、画素電極、または配線（ソース線、ゲート線、保持容量線等）と電気的に接続されている。

従って、図１に示す配線１０５は、画素部を構成するＴＦＴ等の素子と電気的に接続される配線（ソース線、ゲート線、保持容量線等）や、外部の駆動回路等との接続に用いられる配線（引き出し線）を示すものであり、アクティブマトリクス基板１０１の端部まで形成されている。

本実施の形態１の場合には、アクティブマトリクス基板１０１よりも対向基板１０２の方が基板面積が小さく、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせた際、アクティブマトリクス基板１０１上に対向基板１０２が重ならない部分を有している為、図１に示すようにアクティブマトリクス基板１０１の端部を面取りすることができる。なお、後に形成される補助電極の形成を容易にする為に、対向基板１０２のアクティブマトリクス基板１０１が配置されている面とは反対側の面の端部を同様に面取りしても良い。

また、面取りされた部分（以下、面取り部１０６とよぶ）には、導電性材料からなる共通配線１０７が形成されている。なお、共通配線１０７は、アクティブマトリクス基板１０１上の配線１０５と接続部１０８において、電気的に接続するように形成される。

以上のように面取り部１０６に共通配線１０７を形成することにより、アクティブマトリクス基板上に形成される配線のパターンを最低限の形状とすることができる為、画素部を除いた基板上の周辺部分の面積を従来よりも小さくする（いわゆる狭額縁化を図る）ことができる。

ここで、図１に示す液晶パネルの具体的な作製方法について、図２、３を用いて説明する。なお、図２、３においては、共通の符号を用いることとする。

まず、図２（Ａ）に示すように第１の基板２０１上には、アクティブマトリクス基板２０３が複数形成されており、各アクティブマトリクス基板の画素部２０４を囲むようにシール材２０５を塗布する。そして、シール材２０５で囲まれた領域に液晶材料２０６を滴下した後、第１の基板２０１に対向基板２０７が複数形成された第２の基板２０２を貼り合わせる（図２（Ｂ））。

なお、ここで用いる液晶材料２０６としては、公知の液晶材料を用いることができる。

次に、貼り合わせた基板を図２（Ｂ）の点線に合わせて分断し、図２（Ｃ）に示す液晶パネルを得る。なお、図２（Ｃ）に示す液晶パネルは、アクティブマトリクス基板２０３と、対向基板２０７とがシール材２０５で貼り合わされた構造を有する。

次に、分断した液晶パネルを図２（Ｃ）の点線に合わせて対向基板２０７のみを分断し、図２（Ｄ）に示す構造を得る。これにより得られた対向基板２０８の面積は、アクティブマトリクス基板２０３の面積よりも小さくなる。図２（Ｄ）に示す液晶パネルにおいて、２０９で示す２辺に駆動回路との接続部を形成し、２１０で示す残りの２辺に共通配線を形成する為に面取り部を形成する。なお、駆動回路との接続部が形成される辺にも面取り部を形成しても良い。

具体的には、アクティブマトリクス基板と対向基板の大きさは、図３（Ａ）に示すようにするのが好ましい。すなわち、図３（Ａ）において、駆動回路との接続部が形成される２辺を含む領域ａ（２０９）は、対向基板２０８からアクティブマトリクス基板２０３の端部までに距離（ａ）を設け、駆動回路との接続部が形成されない残りの２辺を含む領域ｂ（２１０）については、対向基板２０８からアクティブマトリクス基板２０３の端部までに距離（ｂ）を設けることとする。なお、この場合において距離（ａ）と距離（ｂ）との関係は、距離（ａ）＞距離（ｂ）とする。

また、図３（Ａ）に示す液晶パネルの領域ｂ（２１０）に面取り部２１２が形成された様子を図３（Ｂ）に示し、図３（Ｂ）のＡ−Ａ’における断面図を図２（Ｅ）に示す。なお、面取り部２１２の形成には、公知の方法、例えばダイヤモンド等の砥石を用いて研磨する方法やレーザーを用いた面取り方法を用いることができる。また、本発明において面取り部２１２の形状は、図２（Ｅ）に示すように基板平面と、面取り部２１２を形成する平面が交差する角度（θ）を面取り角とし、面取り角（θ）が０°＜θ＜９０°であるか、または、曲面（Ｒ面）を有する形状であればよい。

また、面取り部２１２を形成する際に先にアクティブマトリクス基板２０３の端部まで形成されていた配線２１１の一部がアクティブマトリクス基板２０３の端部と一緒に面取りされる。ただし、次の工程で形成される共通配線と配線２１１とを電気的に接続する為に、面取り部２１２と対向基板２０８の端部との間に配線２１１の一部が残されているようにする必要がある。

そして、図３（Ｂ）の領域ｃ（２１３）で示される部分に共通配線２１４を形成することにより、アクティブマトリクス基板２０３上に形成されている全ての配線２１１を電気的に接続することができる。

なお、共通配線２１４の作製方法としては、スパッタリング法、蒸着法、液滴吐出法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、塗布法などを用いることができ、共通配線２１４の形成に用いる導電性材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄ等の金属元素、または前記金属元素を主成分とする合金材料、前記金属元素を含む金属窒化物等の化合物材料、または、これらを複数用いた導電性材料を用いることができる。これらの導電性材料を用いることにより、配線抵抗を低抵抗化させることができる。

また、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成されたインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）等も用いることができ、これらを用いる場合には、透光性を有する配線の形成が可能である為、画素部の開口率を高めたい場合には有効である。

また、本発明において共通配線２１４を形成する導電性材料は、液晶パネルの構成や、導電性材料の性質によって、対向基板２０８上の一部または全部に形成することができる。特にＩＰＳ（Ｉｎ−ＰｌａｉｎＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶パネルの場合には、対向基板２０８上を全て覆うように共通配線２１４を形成するのが好ましい。

なお、図３（Ｂ）のＡ−Ａ’における共通配線２１４形成後の断面図を図２（Ｆ）に示す。図２（Ｆ）に示すように接続部２１５において配線２１１と共通配線２１４とが電気的に接続されている。

以上のように、アクティブマトリクス基板の端部に面取り部を形成し、画素部等に形成される配線を電気的に接続する共通配線が面取り部に形成されることにより、従来、画素部周辺に引き回されていた配線が占める面積の低減が可能となる為、液晶パネルの狭額縁化を図ることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、表示装置に用いる表示パネルの一例として液晶表示装置に用いる液晶パネルについて説明する。具体的には、アクティブマトリクス基板の素子形成面側の端部を予め面取りしたアクティブマトリクス基板と、対向基板とを貼り合わせた後、両基板の間に液晶材料を挟み、面取り部等に共通配線を形成し、アクティブマトリクス基板上に形成されている配線（ソース線、ゲート線、保持容量線、引き出し線等）を共通配線によって電気的に接続させた構造とする場合について説明する。

図４には、予め面取りしたアクティブマトリクス基板４０１と対向基板４０２とをシール材４０４で張り合わせた後、液晶材料４０３を注入してなる液晶パネルの端部断面を示す。なお、ここでは図示しないがアクティブマトリクス基板４０１の対向基板４０２が配置されている側の面（対向面）には、画素部を構成する複数の画素電極、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の素子、および複数の配線（ソース線、ゲート線、保持容量線等）の他、外部の駆動回路等との接続に用いられる配線（引き出し線）等が形成されており、これらの複数のＴＦＴ等の素子は、画素電極、または配線（ソース線、ゲート線、保持容量線等）と電気的に接続されている。

従って、図４に示す配線４０５は、画素部を構成するＴＦＴ等の素子と電気的に接続される配線（ソース線、ゲート線、保持容量線等）や、外部の駆動回路等との接続に用いられる配線（引き出し線）を示すものであり、アクティブマトリクス基板４０１の端部まで形成されている。

本実施の形態２の場合には、アクティブマトリクス基板４０１と対向基板４０２の向かい合う面の端部にそれぞれ面取り部が形成される場合について示したが、必ずしも両基板の端部に面取り部を形成する必要はなく、少なくともアクティブマトリクス基板４０１に面取り部が形成されていればよい。

また、面取りされた部分（以下、面取り部４０６とよぶ）には、導電性材料からなる共通配線４０７が形成されている。なお、共通配線４０７は、アクティブマトリクス基板４０１上の配線４０５と接続部４０８において、電気的に接続するように形成される。

以上のように面取り部４０６に共通配線４０７を形成することにより、アクティブマトリクス基板上に形成される配線のパターンを最低限の形状とすることができる為、画素部を除いた基板上の周辺部分の面積を従来よりも小さくする（いわゆる狭額縁化を図る）ことができる。

ここで、図４に示す液晶パネルの具体的な作製方法について、図５、６を用いて説明する。なお、図５、６においては、共通の符号を用いることとする。

まず、図５（Ａ）に示すように第１の基板５０１上には、アクティブマトリクス基板が複数形成されており、これらを分離して、複数のアクティブマトリクス基板５０３を得る。なお、第１の基板５０１の詳細について、図６（Ａ）に示す。また、第１の基板５０１は、図６（Ａ）に示す点線のように分離され、図６（Ｂ）に示すアクティブマトリクス基板５０３が複数得られる。

また、第２の基板５０２上には、対向基板が複数形成されており、これらを分離して、複数の対向基板５０４を得る。なお、対向基板５０４は、アクティブマトリクス基板の面積よりも小さくなるように分離されている。そして、アクティブマトリクス基板５０３、対向基板５０４それぞれの端部の面取りを行い、面取り部５０５を有するアクティブマトリクス基板５０３ａ、面取り部５０６を有する対向基板５０４ａを得る。なお、面取り部（５０５、５０６）の形成には、公知の方法、例えばダイヤモンド等の砥石を用いて研磨する方法やレーザーを用いた面取り方法を用いることができる。なお、本実施の形態の場合における面取り部（５０５、５０６）の形状も実施の形態１で説明したのと同様に基板平面と、面取り部（５０５、５０６）を形成する平面が交差する角度（θ）を面取り角とし、面取り角（θ）が０°＜θ＜９０°であるか、または、曲面（Ｒ面）を有する形状であればよい。

また、面取り部５０５を形成する際、先にアクティブマトリクス基板５０３の端部まで形成されていた配線５１１の一部は、アクティブマトリクス基板５０３の端部と一緒に面取りされる。

本実施の形態２では、アクティブマトリクス基板５０３の２辺に駆動回路との接続部を形成するため、アクティブマトリクス基板５０３上の残りの２辺と、それに対応する対向基板の２辺にそれぞれ面取り部を形成する。

次に、アクティブマトリクス基板５０３ａと対向基板５０４ａとをシール材５０７により貼り合わせる（図５（Ｂ））。なお、シール材５０７は、アクティブマトリクス基板５０３ａの画素部を囲み、かつ注入口が形成されるように設けられており、両基板は、それぞれの面取り部（５０５、５０６）が内側になるように配置される。

また、本実施の形態２の場合も、実施の形態１の場合と同様に、駆動回路との接続部が形成される２辺を含む領域ｃ（５０８）において、対向基板５０４ａからアクティブマトリクス基板５０３ａの端部までに距離（ａ）＞０を設ける。なお、面取り部が形成される残りの２辺を含む領域ｄ（５０９）については、対向基板５０４ａからアクティブマトリクス基板５０３ａの端部までに距離を設けないこととする。

次に、図５（Ｃ）に示すように張り合わされた両基板（アクティブマトリクス基板５０３ａおよび対向基板５０４ａ）間に液晶材料５１０を注入し、注入口を封止することにより液晶パネルを得る。なお、ここで用いる液晶材料５１０としては、公知の液晶材料を用いることができる。

また、図５（Ｄ）には、液晶注入後の液晶パネルの領域ｄ（５０９）における断面図を示す。面取り部５０５において、アクティブマトリクス基板５０３ａ上に先に形成された配線５１１の一部はアクティブマトリクス基板５０３ａの端部と一緒に面取りされている。このような構造とすることにより、後の工程で形成される共通配線５１２と配線５１１との電気的な接続を容易にすることができる。

そして、図５（Ｅ）に示すように共通配線５１２を形成することにより、アクティブマトリクス基板５０３ａ上に形成されている配線５１１を電気的に接続することができる。なお、本実施の形態２の場合における共通配線５１２の作製方法としては、面取り部が形成される位置等を考慮した作業性の良さから塗布法を用いることが好ましく、また、共通配線５１２の形成に用いる材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄ等の金属元素、または前記金属元素を主成分とする合金材料等の導電性のペースト材料を用いるのが好ましい。

本実施の形態２では、アクティブマトリクス基板の素子形成面側の端部を予め面取りしたアクティブマトリクス基板と、対向基板とを貼り合わせた後、液晶注入法を用いて、両基板の間に液晶材料を挟み、面取り部等に共通配線を形成する場合について説明したが、アクティブマトリクス基板の素子形成面側の端部を予め面取りしたアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶材料を挟み、両基板を貼り合わせる方法（ＯＤＦ法）を用いることもできる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１または２に用いることができるアクティブマトリクス基板の作製方法として、特にアクティブマトリクス基板上の画素部（図３（Ｂ）の２０４、図６の５１３）に形成されるアモルファスシリコン型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および画素電極の作製方法について図７、図８を用いて説明する。なお、図７、図８においては、共通の符号を用いて説明することとする。

図７（Ａ）に示すように、基板７０１上に第１の導電膜７０２を形成する。第１の導電膜７０２は、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、液滴吐出法、印刷法、電界メッキ法等の成膜方法を用いて形成することができる。第１の導電膜７０２の形成に用いる材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄ等の金属元素、または前記金属元素を主成分とする合金材料、前記金属元素を含む金属窒化物等の化合物材料または、これらを複数用いた材料を用いることができる。これらの材料は、低抵抗な導電性材料であることから、配線抵抗を低抵抗化させることができる。

また、第１の導電膜７０２の形成に用いる材料としては、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成されたインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）等も用いることができ、これらを用いる場合には、透光性を有する配線の形成が可能である為、画素部の開口率を高めたい場合には有効である。

なお、基板７０１には、ガラス基板、石英基板、アルミナなどのセラミック等絶縁物質で形成される基板、プラスチック基板、シリコンウェハ、金属板等を用いることができる。

また、ここでは図示しないが、基板７０１から半導体膜等への不純物の混入を防止するため、基板７０１上に窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、あるいはこれらの積層膜等のブロッキング膜が形成されていても良い。

次に、第１の導電膜７０２をパターニングすることによって、ゲート電極７０３およびゲート線７０４が形成される（図７（Ｂ））。スパッタリング法やＣＶＤ法等の成膜方法を用いて第１の導電膜７０２を形成する場合には、液滴吐出法、フォトリソグラフィー工程、レーザービーム直接描画装置を用いた感光性材料の露光及び現像等によって、導電膜上にマスクを形成し、マスクを用いて導電膜を所望の形状にパターニングすることとする。

また、液滴吐出法を用いる場合には、そのままパターン形成が可能であるため、吐出口（以下、ノズルと示す）から上記金属の粒子が有機樹脂に溶解又は分散された液状物質を吐出し、加熱することにより、ゲート電極７０３およびゲート線７０４が形成される。有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤、及び被覆剤として機能する有機樹脂から選ばれた一種又は複数種を用いることができる。代表的には、ポリイミド、アクリル、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、珪素樹脂、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等や、公知の有機樹脂が挙げられる。

なお、液状物質の粘度は５〜２０ｍＰａ・ｓが好適であり、これは、乾燥が起こることを防止し、吐出口から金属粒子を円滑に吐出できるようにするためである。また、表面張力は４０ｍＮ／ｍ以下が好ましい。なお、用いる溶媒や用途に合わせて、液状物質の粘度等は適宜調整するとよい。

また、液状物質に含まれる金属粒子の径は、数ｎｍ〜１０μｍのものを用いることができるが、ノズルの目詰まり防止や高精細なパターンの作製のためには、なるべく小さい方が好ましく、粒径０．１μｍ以下の金属粒子を用いるのがより好ましい。

次に、絶縁膜７０５を形成する。絶縁膜７０５は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、およびその他の珪素を含む絶縁膜等の単層または積層構造で形成される。なお、絶縁膜７０５の膜厚は、３００〜５００ｎｍとするのが好ましく、さらに３５０〜４８０ｎｍとするのが好ましい。

次に、第１の半導体膜７０６を成膜する。第１の半導体膜７０６は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により形成することができ、シリコン、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とし、結晶状態がそれぞれ異なる非晶質半導膜、結晶状態を一部に含む非晶質半導体膜、及び結晶質半導体膜のいずれかを用いることができる。また、第１の半導体膜７０６には、上記主成分の他に、リン、ヒ素、ボロン等のアクセプター型元素又はドナー型元素が含まれていても良い。また、第１の半導体膜７０６の膜厚は、４０〜２５０ｎｍとし、さらに５０〜２２０ｎｍとするのが好ましい。

次に、第１の半導体膜７０６上に一導電型を呈する第２の半導体膜７０７を形成する。第２の半導体膜７０７は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により形成される。また、ここで形成されるシリコン、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等を主成分とし、結晶状態がそれぞれ異なる非晶質半導膜、結晶状態を一部に含む非晶質半導体膜、及び結晶質半導体膜等の膜中には、上記主成分の他に、リン、ヒ素、ボロン等のアクセプター型元素又はドナー型元素が含まれている（図７（Ｃ））。

図７（Ｄ）に示すように第２の半導体膜７０７上の所望の位置に第１のマスク７０８を形成し、これを用いて第１の半導体膜７０６および第２の半導体膜７０７の一部をそれぞれエッチングし、パターニングされた第１の半導体膜７０９および第２の半導体膜７１０がそれぞれ得られる（図７（Ｄ））。なお、第１の半導体膜７０９は、後の工程において形成されるＴＦＴ７１４のチャネル形成領域として機能する。

第１のマスク７０８を除去した後、第２の半導体膜７１０および絶縁膜７０５上に第２の導電膜７１１が形成される。なお、第２の導電膜７１１の膜厚は、１００ｎｍ以上とするのが好ましく、さらに２００〜７００ｎｍとするのが好ましい。また、第２の導電膜７１１に用いる導電性材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属元素からなる膜、または前記元素を主成分とする合金材料からなる膜、又は金属窒化物等の化合物材料からなる膜等が挙げられる。

第２の導電膜７１１上に第２のマスク（７１２ａ、７１２ｂ）を形成し、第２の導電膜７１１の一部をエッチングし、所望の形状に形成する。ここでパターニングされた第２の導電膜（７１３ａ、７１３ｂ）は、ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極として機能する（図８（Ａ）（Ｂ））。なお、第２の導電膜７１１を所望の形状に形成するためには、液滴吐出法、フォトリソグラフィー工程、レーザービーム直接描画装置を用いた感光性材料の露光及び現像等によって、第２の導電膜７１１上にマスクを形成し、マスクを用いて所望の形状にエッチングする方法を用いることができる。

第２のマスク（７１２ａ、７１２ｂ）を除去した後、パターニングされた第２の導電膜（７１３ａ、７１３ｂ）をマスクとして第２の半導体膜７１０の一部をエッチングすることにより、ＴＦＴ７１４のソース領域７１５ａおよびドレイン領域７１５ｂが形成される（図８（Ｃ））。

なお、ここでは第２の導電膜（７１３ａ、７１３ｂ）のうち、ソース領域７１５ａと重なる部分（７１３ａ）がソース電極７１６ａとなり、ドレイン領域７１５ｂと重なる部分（７１３ｂ）がドレイン電極７１６ｂとなる。

以上により、ゲート電極７０３、絶縁膜７０５、第１の半導体膜（チャネル形成領域）７０９、ソース領域７１５ａ、ドレイン領域７１５ｂ、ソース電極７１６ａ、およびドレイン電極７１６ｂを含むＴＦＴ７１４が形成される（図８（Ｃ））。

次に、保護膜７１７を形成する。なお、保護膜７１７は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の成膜方法により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、および酸化窒化珪素膜等の絶縁膜により単層又は積層構造で形成される。なお、保護膜７１７の膜厚は、１００〜５００ｎｍとし、さらに２００〜３００ｎｍとするのが好ましい。

次に、保護膜７１７の一部であって、ドレイン電極７１６ｂと重なる位置に開口部を形成し、開口部においてドレイン電極７１６ｂと電気的に接続された画素電極７１８を形成する（図８（Ｄ））。

なお、画素電極７１８は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、塗布法等の成膜方法を用いて形成することができる。画素電極７１８の形成に用いる材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成されたインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、酸化ケイ素を組成物として有するＩＴＳＯ等を用いることができ、それらからなる透明導電膜をパターニングすることにより画素電極７１８が形成される。なお、画素電極７１８の膜厚は、１０〜１５０ｎｍとし、さらに４０〜１２０ｎｍとするのが好ましい。

また、基板７０１にアルミナ、シリコンウェハ、金属板等の遮光性の基板を用いる場合には、画素電極７１８の形成に用いる材料として、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｎｄ等の金属元素、または前記金属元素を主成分とする合金材料、前記金属元素を含む金属窒化物等の化合物材料または、これらを複数用いた材料を用いることができる。

以上の工程により、本発明に用いることのできるアクティブマトリクス基板を形成することができる。また、このようなアクティブマトリクス基板の端部に実施の形態１や２で説明したような面取り部を形成し、面取り部において、画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を形成することにより、従来よりも表示パネルの狭額縁化を図ることができる。なお、表示パネルの構成については、実施の形態４で詳細に説明することとする。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の表示パネルの構成として、液晶表示パネルを例にとり、図９を用いて説明する。図９（Ａ）は、アクティブマトリクス基板９０１と、対向基板９０２との間に液晶材料を挟んでなる液晶表示パネルの上面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。

図９（Ａ）において、点線で示された９０５は画素部である。本実施の形態において、画素部９０５は、シール材９０３で囲まれた領域内に形成され、駆動回路部は、ＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）９２３を介して液晶表示パネル外に実装されている構成とする。

また、アクティブマトリクス基板９０１と対向基板９０２とを封止するシール材９０３には、密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されており、これらにより形成される空間には、液晶材料が充填されている。

次に、断面構造について図９（Ｂ）を用いて説明する。アクティブマトリクス基板９０１を形成する第１の基板９０７上には画素部９０５が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。また、本実施の形態において、外部に実装される駆動回路部は、ソース線駆動回路およびゲート線駆動回路を含むものとする。

画素部９０５には、複数の画素が形成されており、画素電極である第１の電極９１１は、配線を介して駆動用ＴＦＴ９１３と電気的に接続されている。また、第１の電極９１１、駆動用ＴＦＴ９１３、ゲート線９１４上には、配向膜９１５が形成されている。

一方、対向基板９０２を形成する第２の基板９０８上には、遮光膜９１６、着色層（カラーフィルター）９１７、および対向電極である第２の電極９１９が形成されている。また、第２の電極９１９上には、配向膜９２０が形成されている。

なお、本実施の形態で示す液晶表示パネルにおいて、アクティブマトリクス基板９０１上に形成された第１の電極９１１と、対向基板９０２上に形成された第２の電極９１９との間に液晶材料９１２を挟んでなる部分が液晶素子９１０である。

また、９２１は柱状のスペーサーであり、アクティブマトリクス基板９０１と対向基板９０２との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。絶縁膜を所望の形状にエッチングして形成されている。なお、球状スペーサーを用いても良い。

画素部９０５に与えられる各種信号及び電位は、接続配線９２２を介して、ＦＰＣ９２３から供給されている。なお、接続配線９２２とＦＰＣ９２３とは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂９２４で電気的に接続されている。なお、異方性導電膜又は異方性導電樹脂の代わりに半田や銀ペースト等の導電性ペーストを用いてもよい。

また、画素部９０５にマトリクス状に形成された各画素は、配線９２５により縦方向または横方向にそれぞれ接続されている。なお、本発明において、アクティブマトリクス基板９０１上の配線９２５は、分離して複数形成されているため、共通配線９２６を配線９２５と接するように形成することで配線９２５を電気的に接続することができる。

また、図示しないが、アクティブマトリクス基板９０１及び対向基板９０２の一方又は両方の表面には、接着剤によって偏光板が固定されている。なお、偏光板の他に位相差板を設けてもよい。

以上に説明した表示パネルは、実施の形態１や２で説明したような面取り部に画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線が形成されたアクティブマトリクス基板を用いて形成されるため、従来よりも表示パネルの狭額縁化を図ることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１〜４を実施することにより形成される本発明の表示パネルとして液晶表示パネルを例にとり、これに電源回路、コントローラ等の外部回路を接続して形成されるモジュール（ここでは、液晶モジュール）であって、白色ライトを用いてカラー表示をするモジュールについて、図１０の断面図を用いて説明する。

図１０に示すように、アクティブマトリクス基板１００１と対向基板１００２は、シール材１００３により固着され、それらの間には液晶材料１００５が備えられ、液晶表示パネルが形成されている。

なお、アクティブマトリクス基板１００１は、その端部を面取りすることにより面取り部が形成されている。そして、面取り部には、アクティブマトリクス基板１００１の画素部に形成された複数の画素を電気的に接続する配線１０２０と接するように共通配線１０２１が形成されている。

また、アクティブマトリクス基板１００１上に形成された着色膜１００６は、カラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色膜が各画素に対応して設けられている。アクティブマトリクス基板１００１と対向基板１００２との内側には、配向膜１０１８、１０１９が形成されている。また、アクティブマトリクス基板１００１と対向基板１００２との外側には、偏光板１００７、１００８が配設されている。また、偏光板１００７の表面には、保護膜１００９が形成されており、外部からの衝撃を緩和している。

アクティブマトリクス基板１００１に設けられた接続端子１０１０には、ＦＰＣ１０１１を介して配線基板１０１２が接続されている。配線基板１０１２には、画素駆動回路（ＩＣチップ、ドライバＩＣ等）、コントロール回路や電源回路などの外部回路１０１３が組み込まれている。

冷陰極管１０１４、反射板１０１５、及び光学フィルム１０１６、インバーター（図示しない）は、バックライトユニットであり、これらが光源となって液晶表示パネルへ光を投射する。液晶表示パネル、光源、配線基板１０１２、ＦＰＣ１０１１等は、ベゼル１０１７で保持及び保護されている。

以上に示すモジュールには、実施の形態４で説明したように面取り部において画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を形成することにより、狭額縁化を図ったアクティブマトリクス基板を用いた表示パネルが含まれている。従って、モジュールを形成した場合においても、従来に比べて小型化（狭額縁化）を実現することができる。

（実施の形態６）
本発明の表示装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、電話装置（単に電話機、電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の情報端末、ゲーム機、コンピューター用のモニター、コンピューター、カーオーディオやＭＰ３プレーヤー等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その好ましい形態について、図１１を参照して説明する。

図１１（Ａ）に示すテレビジョン装置は、本体８００１、表示部８００２等を含んでいる。表示部８００２は、本発明の表示装置を適用することができる。なお、本発明の表示装置は、基板の端部に面取り部を形成し、従来、画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を面取り部に形成することにより、狭額縁化を図ると共に配線抵抗を低減させたアクティブマトリクス基板を含む表示パネルを用いていることから、従来よりも小型化（狭額縁化）され、配線抵抗が低減されたテレビジョン装置を提供することができる。

図１１（Ｂ）に示す情報端末機器は、本体８１０１、表示部８１０２等を含んでいる。表示部８１０２は、本発明の表示装置を適用することができる。なお、本発明の表示装置は、基板の端部に面取り部を形成し、従来、画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を面取り部に形成することにより、狭額縁化を図ったアクティブマトリクス基板を含む表示パネルを用いていることから、従来よりも小型化（狭額縁化）された情報端末機器を提供することができる。

図１１（Ｃ）に示すデジタルビデオカメラは、本体８２０１、表示部８２０２等を含んでいる。表示部８２０２は本発明の表示装置を適用することができる。なお、本発明の表示装置は、基板の端部に面取り部を形成し、従来、画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を面取り部に形成することにより、狭額縁化を図ったアクティブマトリクス基板を含む表示パネルを用いていることから、従来よりも小型化（狭額縁化）されたデジタルビデオカメラを提供することができる。

図１１（Ｄ）に示す電話機は、本体８３０１、表示部８３０２等を含んでいる。表示部８３０２は、本発明の表示装置を適用することができる。なお、本発明の表示装置は、基板の端部に面取り部を形成し、従来、画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を面取り部に形成することにより、狭額縁化を図ったアクティブマトリクス基板を含む表示パネルを用いていることから、従来よりも小型化（狭額縁化）された電話機を提供することができる。

図１１（Ｅ）に示す液晶モニターは、本体８４０１、表示部８４０２等を含んでいる。表示部８４０２は、本発明の表示装置を適用することができる。なお、本発明の表示装置は、基板の端部に面取り部を形成し、従来、画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を面取り部に形成することにより、狭額縁化を図ると共に配線抵抗を低減させたアクティブマトリクス基板を含む表示パネルを用いていることから、従来よりも小型化（狭額縁化）され、配線抵抗が低減された液晶モニターを提供することができる。

このように、基板の端部に形成された面取り部に画素部周辺に形成されていた配線に代わる共通配線を形成することにより、狭額縁化を図ったアクティブマトリクス基板を含む表示装置をその表示部に用いることにより、従来よりも小型化（狭額縁化）された電子機器を提供することができる。

本発明の構成について説明する図。本発明の表示パネルの作製方法について説明する図。本発明の表示パネルの構成について説明する図。本発明の構成について説明する図。本発明の表示パネルの作製方法について説明する図。本発明の表示パネルの作製方法について説明する図。本発明のアクティブマトリクス基板の作製方法を説明する図。本発明のアクティブマトリクス基板の作製方法を説明する図。本発明の表示パネルについて説明する図。本発明のモジュールについて説明する図。電子機器について説明する図。

符号の説明

１０１アクティブマトリクス基板
１０２対向基板
１０３液晶材料
１０４シール材
１０５配線
１０６面取り部
１０７共通配線
１０８接続部
２０１第１の基板
２０２第２の基板
２０３アクティブマトリクス基板
２０４画素部
２０５シール材
２０６液晶材料
２０７、２０８対向基板
２０９領域ａ
２１０領域ｂ
２１１配線
２１２面取り部
２１３領域ｃ
２１４共通配線
２１５接続部
４０１アクティブマトリクス基板
４０２対向基板
４０３液晶材料
４０４シール材
４０５配線
４０６面取り部
４０７共通配線
４０８接続部
５０１第１の基板
５０２第２の基板
５０３アクティブマトリクス基板
５０３ａアクティブマトリクス基板
５０４対向基板
５０４ａ対向基板
５０５面取り部
５０６面取り部
５０７シール材
５０８領域ｃ
５０９領域ｄ
５１０液晶材料
５１１配線
５１２共通配線
５１３画素部
７０１第１の基板
７０２第１の導電膜
７０３ゲート電極
７０４ゲート線
７０５絶縁膜
７０６第１の半導体膜
７０７第２の半導体膜
７０８第１のマスク
７０９第１の半導体膜
７１０第２の半導体膜
７１１第２の導電膜
７１２ａ第２のマスク
７１２ｂ第２のマスク
７１３ａ第２の導電膜
７１３ｂ第２の導電膜
７１４ＴＦＴ
７１５ａソース領域
７１５ｂドレイン領域
７１６ａソース電極
７１６ｂドレイン電極
７１７保護膜
７１８画素電極
９０１アクティブマトリクス基板
９０２対向基板
９０３シール材
９０５画素部
９０７第１の基板
９０８第２の基板
９１０液晶素子
９１１第１の電極
９１２液晶材料
９１３駆動用ＴＦＴ
９１４ゲート線
９１５配向膜
９１６遮光膜
９１７着色層（カラーフィルター）
９１９第２の電極
９２０配向膜
９２１スペーサー
９２２接続配線
９２３ＦＰＣ
９２４異方性導電樹脂
９２５配線
９２６共通配線
１００１アクティブマトリクス基板
１００２対向基板
１００３シール材
１００４対向電極
１００５液晶材料
１００６着色膜
１００７偏光板
１００８偏光板
１００９保護膜
１０１０接続端子
１０１１ＦＰＣ
１０１２配線基板
１０１３外部回路
１０１４冷陰極管
１０１５反射板
１０１６光学フィルム
１０１７ベゼル
１０１８配向膜
１０１９配向膜
１０２０配線
１０２１共通配線
８００１本体
８００２表示部
８１０１本体
８１０２表示部
８２０１本体
８２０２表示部
８３０１本体
８３０２表示部
８４０１本体
８４０２表示部

Claims

第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板上に形成された配線と、
前記第１の基板の端部に形成された面取り部と、
前記面取り部に形成された共通配線とを有し、
前記第２の基板は前記第１の基板上に形成され、
前記配線は、前記共通配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板の端部であり、前記第２の基板と重ならない位置に形成された面取り部と、
前記第１の基板上に形成された配線と、
前記面取り部に形成された共通配線とを有し、
前記第２の基板は前記第１の基板上に形成され、
前記第１の基板は前記第２の基板よりも面積が大きく、
前記配線は、前記共通配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つと電気的に接続された配線と、
前記第１の基板の端部に形成された面取り部と、
前記面取り部に形成された共通配線とを有し、
前記第２の基板は前記第１の基板上に形成され、
前記配線は、前記共通配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、
前記第１の基板上に形成され、前記前記複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つと電気的に接続されたソース線と、
前記第１の基板上に形成され、外部回路と電気的に接続された引き出し線と、
前記第１の基板の端部に形成された面取り部と、
前記面取り部に形成された共通配線とを有し、
前記第２の基板は前記第１の基板上に形成され、
前記ソース線および前記引き出し線は、前記共通配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記共通配線は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、ＢａまたはＮｄのいずれか一を少なくとも含む導電性材料を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記共通配線は、インジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。