JP2004056078A - 電極の回復処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】摩耗した電極板の電極部の接続面に容易にかつ確実に所定の凹凸を形成することができること。
【解決手段】所定の粗さを有する転写面10sを有する転写板10の転写面10aが転写板10の線膨張率よりも大なる線膨張率を有する基材44M上に形成されるコンタクトシート44の複数のバンプ44Bに対し所定の圧力で当接されるもとで、基材44Mおよび転写板10が所定の温度まで加熱されることにより、バンプ44Bの接続面が所定の粗さの表面に回復されるもの。
【選択図】    図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の端子に対し電気的接続を行う電極部を有する電極板の電極部の接続面を所定の表面粗さとなるように回復させることができる電極の回復処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器用ICソケットまたはコネクタにおいては、一般に、配線用基板の電極に装着される半導体装置の端子が電気的に確実に接続されることが要望される。このような装置においては、例えば、特開平8−96865号公報、および、特開2000−294043号公報にも示されるように、半導体装置の端子(電極)が電気的に接続される導体パターンの電気接点部、あるいは、導電路の端面に、その端子に形成される酸化被膜を突き破るために十分なセラミック溶射被膜を溶射により、または微小突起をエッチング処理により形成することが提案されている。このように微小突起が電気接点部、あるいは、導電路の端面に形成されることにより、互いの接触面積が低減され、かつ、単位面積あたりの接触圧力が増大するので酸化被膜が破壊され易いという効果を奏することとなる。
【0003】
その結果、半導体装置の端子が配線用基板の電極に電気的に確実に接続されることとなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような電子機器用ICソケットにおいては、導体パターンの電気接点部が繰り返し使用される場合、上述のような耐磨耗性を有する微小突起およびセラミック溶射被膜の耐久性にも一定の寿命があるので微小突起が接触圧力等により摩耗することとなる。従って、その電気接点部、あるいは、導電路の端面は、使用頻度に応じ回復することなく、凹凸のない略平坦な表面となるので接触面積が増大し、かつ、接触圧力が不十分となる虞がある。その結果、当初得られた確実な電気的な接続が、使用するにつれて得られなくなる場合がある。
【0005】
以上の問題点を考慮し、本発明は、半導体装置の端子に対し電気的接続を行う電極部を有する電極板の電極部の接続面を所定の表面粗さとなるように回復させることができる電極の回復処理方法であって、摩耗した電極板の電極部の接続面に容易にかつ確実に所定の凹凸を形成することができる電極の回復処理方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る電極の回復処理方法は、絶縁基板上に形成される電極部を有し、半導体装置の端子部に対して電極部の接続面を介して電気的接続を行う電極板における電極部の接続面に、電極板の絶縁基板の線膨張率と異なる線膨張率の材料で作られ、凹凸が形成される表面を有する転写板の表面と接続面とを互いに接触するように載置する第1の工程と、第1の工程において前記電極部の接続面に載置された転写板を所定の圧力で電極部の接続面に向けて押圧しつつ、転写板および該電極板を所定温度で所定期間、加熱する第2の工程と、転写板を前記電極板に対して離隔させ、電極部の接続面に所定の凹凸を得る第3の工程と、を含んでなる。
【0007】
また、第2の工程における所定温度および所定期間は、それぞれ、80℃以上から150℃未満までの温度範囲で、5分以上15分以下の期間に設定されてもよい。
【0008】
さらに、本発明に係る電極の回復処理方法は、母材の耐磨耗性に比して優れた耐摩耗性を有する微小な結晶物を母材中に所定量含んでなる電極部が絶縁基板上に形成され、半導体装置の端子部に対して電極部の接続面を介して電気的接続を行う電極板における電極部の接続面に、半導体装置の端子部を載置する第1の工程と、半導体装置の端子部を電極板の接続面に対して接触させつつ接続面を摩耗させ、結晶物の一部を露出させることにより、所定の凹凸を接続面に得る第2の工程とを含んでなる。
【0009】
結晶物は、母材である銅の硬度よりも大なる硬度を有し、かつ、電気伝導度が比較的高いパラジュウムまたはニッケルで作られてもよい。
【0010】
さらにまた、本発明に係る電極の回復処理方法は、絶縁基板上に形成される電極部を有し、半導体装置の端子部に対して電極部の接続面を介して電気的接続を行う電極板における該電極部の接続面に、凹凸が形成される表面を有する転写板の表面と接続面とを互いに接触するように載置する第1の工程と、第1の工程において電極部の接続面に載置された転写板を所定の圧力で電極部の接続面に向けて押圧しつつ、転写板または電極部の接続面を接続面に対し略平行ないずれかの方向に所定量、少なくとも1回、相対的に移動させる第2の工程と、転写板を電極板に対して離隔させ、電極部の接続面に所定の凹凸を得る第3の工程と、を含んでなる。
【0011】
また、第2の工程において、電極板を支持しつつ電極部の接続面に対し略平行に移動させる摺動装置により転写板に対し電極板が移動せしめられるものでもよい。
【0012】
第2の工程における押圧力が、一つの電極部あたり1g以上100g以下であってもよく、また、第2の工程における相対的な移動の所定量が、1μm以上1mm以下であってもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】
図7は、本発明に係る電極の回復処理方法の第1の実施例、後述する第2の実施例および第3の実施例が適用される接続用電極板を備える半導体装置用ソケットを示す。
【0014】
図7に示される半導体装置用ソケットにおいては、例えば、半導体装置の電気的特性試験、具体的にはバーンイン試験等に利用されるものとされる。半導体装置用ソケットは、半導体装置としてのベアチップが内部に収容されるキャリアユニット40と、キャリアユニット40が着脱可能に収容部に装着されるICソケット30とを含んで構成されている。
【0015】
ICソケット30は、ベアチップへの検査信号およびベアチップからの検出出力信号等の入出力を行なうプリント配線基板38上に配置され、キャリアユニット40を収容する収容部を有する本体部32と、本体部32に設けられ、キャリアユニット40における構成要素となる後述する接続用電極板としてのコンタクトシートの各パッドにそれぞれ電気的に接続される複数のコンタクトからなるコンタクト群34と、本体部32に対し昇降動可能に配されコンタクト群34の各接点部を選択的にコンタクトシートの各パッドに選択的に電気的に接続するカバー部材36とを主な要素として構成されている。
【0016】
樹脂材料で成形される本体部32は、プリント配線基板38の電極部に対応して所定位置に配置されている。本体部32は、図7に示されるように、キャリアユニット40が収容される収容部32Aを有している。収容部32Aは、後述するキャリアユニット40のベース部の下部に係合される下部基台部32aの内周部と、下部基台部32aに連なりそのベース部の上部に係合される上部基台部32bの内周部とにより包囲されて形成されている。下部基台部32aには、コンタクト群34が支持されている。下部基台部32aおよび上部基台部32bには、コンタクト群34を構成する各コンタクト34ai(i=1〜n,nは整数)が挿入されるスリットが形成されている。
【0017】
各コンタクト34ai(i=1〜n,nは整数)は、下部基台部32aに圧入されている端子部34Tと、端子部34Tに連なりコンタクトシートのパッドに下方側から電気的に接続される固定側接点部34fと、弾性を有し端子部34Tに連なりコンタクトシートのパッドに上方側から電気的に接続される可動側接点部34mと、可動側接点部34mから分岐され後述するカバー部材36の斜面部に選択的に係合されて可動側接点部34mを固定側接点部34fに対して離隔する方向に回動させる被係合部34eとを含んで構成されている。
【0018】
各コンタクト34aiは、図7において、後述するコンタクトシート44のパッドに対応して紙面に対し略垂直方向に沿って所定の間隔で配列されている。なお、図7においては、収容部32Aの四方を取り囲むコンタクト群34のうちの一辺に対応する部分のみのコンタクト群34を示す。
【0019】
樹脂材料で成形されるカバー部材36は、キャリアユニット40が通過する開口部36aを有している。開口部36aの周縁を形成する枠状部分は、本体部32の外周部に設けられる溝に案内される脚部により、昇降動可能に支持されている。なお、カバー部材36は、図示が省略される弾性部材により、本体部32に対し離隔する方向に付勢されている。その枠状部分の各辺の下端には、図7のニ点鎖線で示されるように、カバー部材36が所定位置まで下降せしめられるとき、上述の各コンタクト34aiの被係合部34eに係合し可動側接点部34mをその弾性力に抗して固定側接点部34fに対して離隔する方向に回動させる斜面部36sがそれぞれ形成されている。
【0020】
後述するキャリアユニット40がICソケット30の本体部32の収容部32Aに装着される場合、カバー部材36が所定量、押し下げ保持されることにより、コンタクト群34の各可動接点部34mが収容部32Aに対し後退せしめられた後、上方から開口部36aを介してキャリアユニット40が収容部32A内に位置決めされ載置される。その際、固定側接点部34fは、キャリアユニット40におけるコンタクトシート44のパッドの下面側に当接せしめられる。
【0021】
続いて、保持された状態のカバー部材36が解放されるとき、上述の弾性体の復帰力、および各コンタクト34aiの被係合部34eの弾性力の合力によりカバー部材36が上昇せしめられる。その際、コンタクト群34の各可動接点部34mは、元の位置に戻され、キャリアユニット40のコンタクトシート44のパッドの上面側に当接せしめられる。それにより、図7に示されるように、コンタクトシート44とコンタクト群34とが電気的に接続されることになる。
【0022】
キャリアユニット40は、図8に示されるように、ベアチップ60が収容される収容部46Aを有するキャリアハウジング46と、キャリアハウジング46の収容部46Aの底部を形成するベース部材42上に弾性シート58を介して配されるコンタクトシート44と、ベアチップ60の電極群をコンタクトシート44のバンプ44Bに対して押圧する押圧体56を含んでなる押圧用蓋52と、押圧用蓋52をキャリアハウジング46に選択的に保持するラッチ機構50(図7参照)とを含んで構成されている。
【0023】
押圧用蓋52は、図8に示されるように、ベアチップ60の上面に当接する押圧面56aを有する押圧体56と、押圧体56の基部を収容する蓋本体64と、押圧体56の基部の凹部と蓋本体64の比較的深い凹部との間の空間に配され押圧体56をベアチップ60に向けて付勢する複数のスプリング54とを含んで構成されている。
【0024】
略正方形のベアチップ60は、例えば、所定の電極群をコンタクトシート44のバンプに対向する下面に有している。
【0025】
押圧体56の基部は、蓋本体64の比較的浅く広い凹部内に移動可能に挿入されている。その押圧体56が挿入される部分の端部には、蓋本体64の下端に設けられる爪部に係合される爪部56nが相対向して複数個形成されている。これにより、押圧体56がスプリング54の付勢力で付勢された状態で蓋本体64に保持されることとなる。
【0026】
蓋本体64は、その対向する両端部にそれぞれ、ラッチ機構50のフック部材48Aおよび48Bが係合される突起部64pを有している。突起部64pは、後述するように、押圧用蓋52の装着のとき、フック部材48Aおよび48Bの先端の傾斜面に係合し、フック部材48Aおよび48Bを互いに離隔する方向に押圧する斜面部64psを有している。
【0027】
ラッチ機構50は、キャリアハウジング46の両端にそれぞれ、回動可能に支持され蓋本体64を保持するフック部材48Aおよび48Bと、フック部材48Aおよび48Bをそれぞれ、図7において矢印の示す方向、即ち、蓋本体64の突起部64pに係合させる方向に付勢するねじりコイルばね66と、フック部材48A、48B、およびねじりコイルばね66を支持する支持軸68とを含んで構成されている。
【0028】
キャリアハウジング46の両端部には、押圧用蓋52が装着されるとき、蓋本体64の下部の外周部を案内するガイド部46gが形成されている。ガイド部46gの周囲には、支持軸68の両端部が支持されている。
【0029】
コンタクトシート44は、図8および図9に示されるように、電気的に接続されるベアチップ60の電極群に対応した配列で複数のバンプ44Bを基材44M内に有している。例えば、母材となる銅の表面がニッケルおよび金メッキ処理されて形成される各バンプ44Bの先端は、その基材44Mの表面から所定の高さだけ突出している。基材44Mは、例えば、ポリイミド樹脂材料(線膨張係数:35×10−6/℃)で薄板状に作られ、約40μm程度の厚さを有している。
【0030】
各バンプ44Bは、図9に示されるように、銅箔で作られる導体層44cを介してパッド44pに接続されている。パッド44pは、基材44Mにおいてベース部材42の両端部からそれぞれ、外部に向けて突出する両端部に形成されている。
【0031】
なお、コンタクトシート44における複数のバンプ44Bの形成される部分は、ベース部材42の表面に略平行に相対的に所定の範囲だけ移動可能に支持されている。
【0032】
かかる構成において、キャリアユニット40内にベアチップ60を装着するにあたっては、先ず、ベアチップ60の電極群がコンタクトシート44のバンプ44Bに対して位置決めされ、ベアチップ60の電極群がバンプ44Bに当接するように配置される。次に、押圧用蓋52がキャリアハウジング46の収容部46A内に挿入される。その際、押圧用蓋52の蓋本体64の斜面部64psにより、ねじりコイルばね66の付勢力に抗してラッチ機構50のフック部材48Aおよび48Bの先端が互いに離隔する方向に回動される。また、蓋本体64の外周面がガイド部46gの内面に案内されつつ、押圧体56の押圧面56aがスプリング54の付勢力に抗してベアチップ60の上面に押し付けられる。
【0033】
続いて、ねじりコイルばね66より付勢されることにより、フック部材48Aおよび48Bの先端が互いに近接する方向に回動され蓋本体64の突起部64pに係合される。その結果、押圧用蓋52がキャリアハウジング46に保持されることとなる。
【0034】
そして、そのキャリアユニット40が上述したように収容部32Aに装着された状態でベアチップ60に対し所定の雰囲気中で試験が実行されることとなる。
【0035】
そのような試験にあたり、上述のようなコンタクトシート44は、所定数の装着される新たなベアチップ60に対し繰り返し利用されることとなる。
【0036】
このような試験に供される以前、各バンプ44Bは、当初、図5(A)に拡大されて示されるように、略円錐状の形状を有している。また、バンプ44Bの最先端部には、図6(A)に拡大されて示されるように、微小な凹凸44aがその表面全体に形成されている。
【0037】
次に、コンタクトシート44が試験に供されるとき、図5(B)および図6(B)に拡大されて示されるように、バンプ44Bの最先端部は、所定の潰し代をもって所定の圧力でベアチップ60の電極面に、当接されることとなる。
【0038】
続いて、一枚のコンタクトシート44が所定数のベアチップ60に対し繰り返し利用されることにより、図5(C)および図6(C)に拡大されて示されるように、各バンプ44B’の最先端部は、押し潰され、平坦面を有する略円錐台形状となる。そのような各バンプ44B’の平滑な平坦面44fsは、図6(A)に示されるような微小な凹凸を有していないものとなる。
【0039】
従って、一枚のコンタクトシート44が交換されることなく所定回数以上使用される場合、コンタクトシート44およびベアチップ60相互間の電気的接続が不確実となる虞がある。
【0040】
そこで、本発明に係る電極の回復処理方法の第1実施例においては、予め、図1(A)に示されるような、所定の厚さを有する転写板10が用意される。その転写板10は、例えば、表面処理としてクロム(線膨張係数:約6.2×10−6/℃)でメッキ処理した冷間工具鋼(JIS記号 SKS,SKD)(線膨張係数:約11.5×10−6/℃)で作られ、少なくとも一方側の転写面10sに、図2(A)に拡大されて示されるように、所定の粗さの凹凸10aを有している。
【0041】
先ず、図1(A)に示されるように、バンプが摩耗したコンタクトシート44が、配置されるとともに、ベアチップ60の代わりに転写板10が装着された上述のキャリアユニット40が所定の室内温度を維持する恒温槽12内に配置される。恒温槽12は、室内の温度を可変に調整できる温度調整器を備えるものとされる。
【0042】
その際、転写板10は、その転写面10sが恒温槽12内の各バンプ44B’の摩耗した平坦面44fsに接触するように複数の平坦面44fsにより形成される共通平面上に載置される。従って、転写板10は、複数のバンプ44B’の平坦面44fsにより支持されることとなる。その際、押圧体56を介してスプリング54の付勢力により、図1(A)に示される矢印Fの示す方向に沿って所定の圧力で加圧される。その加圧力は、例えば、1個のバンプ44Bあたり約1g以上100g以下の範囲に設定されている。本願の発明者による検証によれば、加圧力が1個のバンプ44Bあたり約1g未満の場合、回復処理の効果が殆どなく、また、加圧力が1個のバンプ44Bあたり100gを越える場合、バンプ44Bの突出高さが基準よりも低くなりすぎ、かつ、バンプ44Bの先端の潰れが比較的大となることにより、被検査物の電極に比較的大きな損傷を及ぼすという問題が生じることが確認されたのでその加圧力は、例えば、1個のバンプ44Bあたり約1g以上100g以下の範囲に設定されている。
【0043】
図3(B)は、転写面10sが平坦面44fsに接触し加圧された直後のバンプ44B’の先端部の状態を拡大して示す。これにより、図3(B)から明らかなように、バンプ44B’の先端部は、転写板10の凹凸10aにより押圧され比較的粗い凹凸44psが形成されることとなる。
【0044】
次に、恒温槽12内の温度が例えば、標準状態から80℃以上から150℃までの範囲に上昇せしめられ、5分以上維持される。なお、恒温槽12内の温度および維持する期間は、好ましくは、室温150℃で15分程度に設定される。
【0045】
従って、転写板10およびコンタクトシート44は、それぞれ、室温の温度上昇につれて例えば、図1(A)の矢印Eの示す方向に膨張した場合においては、基材44Mの熱膨張係数は、上述したように転写板10の線膨張係数よりも大に設定されているのでコンタクトシート44は、図3(B)に示される凹凸44psと転写面10sとの相互間の摩擦力に抗して転写板10の伸びに比して相対的に大に延びることとなる。その結果、凹凸44psが形成される面は、コンタクトシート44およびバンプ44B’の転写面10sの微小な凹凸10aに対する数十μm程度の相対的な摺動によりさらに削られ、図3(C)に示されるような、その表面粗さがより細かな粗さの凹凸44msが形成されることとなる。
【0046】
続いて、回復処理されたバンプ44B”を有するコンタクトシート44”が図1(B)に示されるように、キャリアユニット40から取り出される。
【0047】
従って、図2(B)および図3(D)に拡大されて示されるように、バンプ44B”の最先端の面44esには、比較的大きな押圧力を加えることなく、転写板10における転写面10sの微小な凹凸10aの押圧および摺動に対応した比較的微細な凹凸44msが形成されることとなる。
【0048】
また、上述のように、加熱することにより、バンプ44Bが変形し易くなるので上述の凹凸の形成がより容易となる。
【0049】
図4(A)、(B)、(C)は、それぞれ、本願発明の発明者により検証された比較例におけるバンプ44B’の各工程の状態を示す。
【0050】
その比較例においては、電極の回復処理を行うにあたり、上述の例のように加熱されることなく、上述のキャリアユニット40内に、上述の例と同様に図4(A)に拡大されて示されるような、バンプ44B’が摩耗したコンタクトシート44が配され、かつ、上述のようにベアチップ60の代わりに同様な転写板10が装着されるだけのものとされる。
【0051】
斯かる比較例においては、押圧体56を介してスプリング54の付勢力により、図1(A)に示される矢印Fの示す方向に沿って上述の例と同様な所定の圧力でバンプ44B’が転写板10により加圧される。図4(B)は、転写面10sが平坦面44fsに接触し加圧された直後のバンプ44BCの先端部の状態を拡大して示す。これにより、図4(B)から明らかなように、バンプ44BCの先端部は、転写板10の凹凸10aにより押圧され比較的粗い凹凸44psが形成されることとなる。
【0052】
次に、回復処理されたバンプ44BCを有するコンタクトシートが、キャリアユニット40から取り出される。
【0053】
従って、図4(C)に拡大されて示されるように、バンプ44BCの最先端の面には、転写板10における転写面10sの微小な凹凸10aの押圧に対応した比較的粗い凹凸44psが形成されることとなる。
【0054】
その結果、比較例の方法においては、本願の実施例1において得られるような比較的微細な凹凸44msが形成されないことが確認された。
【0055】
加えて、本願発明においては、上述したような転写面10sとバンプ44Bとの間の相対的な摺動により、バンプ44Bの接続面にヤスリをかけたような効果が得られ、しかも、押圧だけにより転写を行う場合に比してその凹凸の間隔がより狭くかつ凹凸が確実に形成されることとなる。
【0056】
図10(A)、(B)、(C)は、本発明に係る電極の回復処理方法の第2の実施例における各工程を模式的に示す。
【0057】
図10(A)〜(C)に示される例に用いられるコンタクトシート80は、図10(A)に示されるように、電気的に接続されるベアチップ60の電極群に対応した配列で複数のバンプ84Bを基材84M内に有している。その各バンプ84Bの先端は、その基材84Mの表面から所定の高さだけ突出している。その先端の表面全体には、図11(A)に拡大されて示されるように、微小な凹凸84aが形成されている。
【0058】
各バンプ84Bは、銅箔で作られる導体層84Cを通じてパッド(不図示)に電気的に接続されている。そのパッドは、基材84Mにおいて上述のようなベース部材42の両端部からそれぞれ、外部に向けて突出する両端部に形成されている。各バンプ84Bは、例えば、母材となる金(ヌープ硬度:80〜200)または銅(ヌープ硬度:250〜320)に所定の結晶物86が略均一に混合された材料で略円錐状に形成されている。
【0059】
結晶物86は、母材が金の場合、金の硬度よりも大なる硬度を有し比較的電気伝導度の高い約2〜3μmの粒子径のパラジュウム(Pd)(ヌープ硬度:250〜350)で作られ、約15〜20%/vol程度の含有率で混合されている。
【0060】
また、結晶物86は、母材が銅の場合、銅の硬度よりも大なる硬度を有し比較的電気伝導度の高い約2〜3μmの粒子径のニッケル(Ni)(ヌープ硬度:300〜490)で作られ、約15〜20%/vol程度の含有率で混合されている。
【0061】
基材84Mは、例えば、ポリイミド樹脂材料(線膨張係数:35×10−6/℃)で薄板状に作られ、約40μm程度の厚さを有している。
【0062】
斯かるコンタクトシート80の電極としてのバンプ84Bを回復処理するにあたっては、一枚のコンタクトシート80が上述のキャリアユニット40内に上述のように配置されるもとで、ベアチップ60に対し繰り返し利用されることによりバンプ84Bの先端の接続面が自動的に回復処理されることとなる。従って、上述の第1実施例において用いられている転写板10の押圧工程および加熱工程が不要とされる。
【0063】
即ち、キャリアユニット40内のコンタクトシート80が試験に供されるとき、図10(B)および図11(B)に拡大されて示されるように、バンプ84Bの最先端部は、所定の潰し代をもって所定の圧力でベアチップ60の電極面に、当接されることとなる。
【0064】
続いて、一枚のコンタクトシート80が所定数のベアチップ60に対し繰り返し利用されることにより、図10(C)および図11(C)に拡大されて示されるように、各バンプ84B’の最先端部は、押し潰され、略平坦な面を有する略円錐台形状となる。そのような各バンプ84B’の先端面84fsには、図11(C)に示されるように、母材の摩耗によって含有される複数の結晶物86の一部が露出することにより、微小な凹凸が形成されることとなる。
【0065】
従って、新たな微小な凹凸のある面が、各バンプ84B’の最先端部の母材の摩耗に伴ない、各バンプ84B’の最先端部に自動的に形成されることとなる。
【0066】
上述の本発明に係る電極の回復処理方法の第1の実施例に用いられるキャリアユニット40においては、コンタクトシート44における複数のバンプ44Bの形成される部分は、ベース部材42の表面に略平行に相対的に所定の範囲だけ移動可能に支持されている。
【0067】
しかしながら、キャリアユニット40の構造は、必ずしもこのようになされる必要がなく、例えば、図12(A)および(B)〜図14(A)および(B)に示されるキャリアユニットが用いられても良い。
【0068】
図12(A)において、キャリアユニットは、上述の例と同様に、ベアチップ60または転写板10が収容される収容部47Aを有するキャリアハウジング47と、キャリアハウジング47の収容部47Aの底部を形成するベース部材43と、ベース部材43上に弾性シート41を介して配されるコンタクトシート45と、ベアチップ60の電極群または転写板10をコンタクトシート45のバンプ45Bに対して押圧する押圧体を含んでなる押圧用蓋52と、押圧用蓋52をキャリアハウジング47に選択的に保持するラッチ機構49とを含んで構成されている。なお、押圧用蓋52およびラッチ機構49の構造は、上述の第1の実施例における押圧用蓋およびラッチ機構の構造と同一なのでその重複説明を省略する。
【0069】
キャリアハウジング47は、上述の転写板10の線膨張率よりも大なる線膨張率を有する材料、例えば、樹脂材料により成形されている。樹脂材料としては、例えば、ポリエーテルイミド(線膨張係数:56×10−6/℃)が望ましい。キャリアハウジング47の収容部47Aの内周部は、図12(B)に示されるように、押圧用蓋52が装着されるとき、押圧用蓋52の外周部を案内し所定位置に位置決めするように形成されている。キャリアハウジング47の収容部47Aの底面部には、中央の開口部47bの周囲に後述する締結部材51が挿入される孔47aが4箇所に形成されている。
【0070】
コンタクトシート45は、電気的に接続されるベアチップ60の電極群に対応した配列で複数のバンプ45Bを基材45M内に有している。例えば、母材となる銅の表面がニッケルおよび金メッキ処理されて形成される各バンプ45Bの先端は、その基材45Mの表面から所定の高さだけ突出している。基材45Mは、例えば、ポリイミド樹脂材料(線膨張係数:35×10−6/℃)で薄板状に作られ、約40μm程度の厚さを有している。
【0071】
各バンプ44Bは、銅箔で作られる導体層を介してパッド45pに接続されている。複数のパッド45pは、基材45Mにおいてベース部材43の両端部からそれぞれ、外部に向けて突出する両端部に形成されている。
【0072】
コンタクトシート45は、キャリアハウジング47の孔47aに対応して締結部材51が挿入される孔45aを複数のバンプ44Bの周辺に有している。
【0073】
ベース部材43は、キャリアハウジング47の材料と同一材料により成形されており、キャリアハウジング47の孔47aおよびコンタクトシート45の孔45aに対応して孔43aを有している。
【0074】
コンタクトシート45の複数のバンプ44Bの真下に配される弾性シート41が果たす役割のひとつは、上述の例と同様に各バンプ45Bの突出高さに起因するバンプ45Bの接触力のばらつきを均一にすることである。
【0075】
図12(B)に示されるように、コンタクトシート45を挟んでキャリアハウジング47とベース部材43とを互いに締結する締結部材51としては、例えば、リベット、または、ビスおよびナットが好ましい。
【0076】
このようなキャリアユニットが用いられるとき、バンプの回復処理にあたっては、上述の第1の実施例と同様に、先ず、バンプが摩耗したコンタクトシート45が、配置されるとともに、ベアチップ60の代わりに転写板10が装着された上述のキャリアユニットが所定の室内温度を維持する恒温槽12内に配置される。
【0077】
押圧力の条件は、上述の第1の実施例と同様に設定される。
【0078】
次に、恒温槽12内の温度が例えば、標準状態から80℃以上から150℃までの範囲に上昇せしめられ、5分以上維持される。なお、恒温槽12内の温度および維持する期間は、好ましくは、室温150℃で15分程度に設定される。
【0079】
従って、転写板10と、ベース部材43、キャリアハウジング47およびコンタクトシート45とは、それぞれ、室温の温度上昇につれて膨張した場合においては、キャリアハウジング47等の線膨張係数は、上述したように転写板10の線膨張係数よりも大に設定されているのでコンタクトシート45は、転写面10sとの相互間の摩擦力に抗して転写板10の伸びに比して相対的に大に延びることとなる。その結果、上述の第1の実施例と同様に、その表面粗さがより細かな粗さの凹凸が各バンプ45Bの先端に形成されることとなる。
【0080】
図13(A)および(B)は、それぞれ、本発明に係る電極の回復処理方法の一例に用いられる他のキャリアユニットを示す。
【0081】
図12(A)および(B)に示されるキャリアユニットにおいては、締結部材51により、コンタクトシート45を挟んでキャリアハウジング47とベース部材43とが互いに締結されているが、その代わりに、図13(A)および(B)においては、接着剤または融接により、コンタクトシート45を挟んでキャリアハウジング47とベース部材43とが互いに接合される。なお、図13(A)および(B)においては、図12(A)および(B)において同一とされる構成要素について同一の符号を付して示し、その重複説明を省略する。
【0082】
キャリアハウジング47’は、上述の転写板10の線膨張率よりも大なる線膨張率を有する材料、例えば、樹脂材料により成形されている。樹脂材料としては、例えば、ポリエーテルイミド(線膨張係数:56×10−6/℃)が望ましい。キャリアハウジング47’の収容部47’Aの内周部は、図13(B)に示されるように、押圧用蓋52が装着されるとき、押圧用蓋52の外周部を案内し所定位置に位置決めするように形成されている。キャリアハウジング47’の収容部47’Aの底面を形成する底面部には、中央に開口部47’bが形成されている。
【0083】
ベース部材43’は、キャリアハウジング47’の材料と同一材料により成形されており、コンタクトシート45の孔45aにそれぞれ対応して位置決めピン43’Pを4箇所に有している。位置決めピン43’Pは、弾性シート41が配される面に対して所定の長さ、例えば、コンタクトシート45の厚さ程度だけ突出している。位置決めピン43’Pは、コンタクトシート45のベース部材43’に対する相対位置を位置決めするとともに、ベース部材43’の熱膨張または収縮の変位に応じてコンタクトシート45を同様に変位させるためのものとされる。ベース部材43’のキャリアハウジング47’の収容部47’Aに対する相対位置は、融接のとき、位置決めされる。
【0084】
斯かる例においても、転写板10と、ベース部材43’、キャリアハウジング47’およびコンタクトシート45とは、それぞれ、室温の温度上昇につれて膨張した場合においては、キャリアハウジング47’等の線膨張係数は、上述したように転写板10の線膨張係数よりも大に設定されているのでコンタクトシート45は、転写面10sとの相互間の摩擦力に抗して転写板10の伸びに比して相対的に大に延びることとなる。その結果、上述の第1の実施例と同様に、その表面粗さがより細かな粗さの凹凸が各バンプ45Bの先端に形成されることとなる。
【0085】
図14(A)および(B)は、それぞれ、本発明に係る電極の回復処理方法の一例に用いられるさらなる他のキャリアユニットを示す。
【0086】
図13(A)および(B)に示されるキャリアユニットにおいては、コンタクトシート45を挟んでキャリアハウジング47’と位置決めピン43’Pを有するベース部材43’とが互いに接合されているが、その代わりに、図14(A)および(B)においては、接着剤または融接により、コンタクトシート45を挟んで位置決めピン47”Pを有するキャリアハウジング47”とベース部材43”とが互いに接合されるものとされる。なお、図14(A)および(B)においては、図12(A)および(B)において同一とされる構成要素について同一の符号を付して示し、その重複説明を省略する。
【0087】
キャリアハウジング47”は、上述の転写板10の線膨張率よりも大なる線膨張率を有する材料、例えば、樹脂材料により成形されている。樹脂材料としては、例えば、ポリエーテルイミド(線膨張係数:56×10−6/℃)が望ましい。キャリアハウジング47”の収容部47”Aの内周部は、図14(B)に示されるように、押圧用蓋52が装着されるとき、押圧用蓋52の外周部を案内し所定位置に位置決めするように形成されている。キャリアハウジング47”の収容部47”Aの底面部には、中央に開口部47”bが形成されている。開口部47”bの周辺の外面には、コンタクトシート45の孔45aにそれぞれ対応して位置決めピン47”Pが4箇所に突出している。位置決めピン47”Pは、その底面に対して所定の長さ、例えば、コンタクトシート45の厚さ程度だけ突出している。位置決めピン47”Pは、コンタクトシート45のキャリアハウジング47”に対する相対位置を位置決めするとともに、キャリアハウジング47”の熱膨張または収縮の変位に応じてコンタクトシート45を同様に変位させるためのものとされる。キャリアハウジング47”の収容部47’Aのベース部材43”に対する相対位置は、融接のとき、位置決めされる。
【0088】
ベース部材43”は、キャリアハウジング47”の材料と同一材料により成形されている。
【0089】
斯かる例においても、転写板10と、ベース部材43”、キャリアハウジング47”およびコンタクトシート45とは、それぞれ、室温の温度上昇につれて膨張した場合においては、キャリアハウジング47”等の線膨張係数は、上述したように転写板10の線膨張係数よりも大に設定されているのでコンタクトシート45は、転写面10sとの相互間の摩擦力に抗して転写板10の伸びに比して相対的に大に延びることとなる。その結果、上述の第1の実施例と同様に、その表面粗さがより細かな粗さの凹凸が各バンプ45Bの先端に形成されることとなる。
【0090】
図15および図16は、それぞれ、本発明に係る電極の回復処理方法の第3の実施例に用いられるキャリアユニットステージの構成を、転写板固定ヘッドとともに概略的に示す。
【0091】
なお、図15および図16においては、図7および図8に示される例におけるキャリアユニットにおいて同一とされる構成要素について同一の符号を付して示し、その重複説明を省略する。また、図15および図16においては、押圧用蓋が取り外された状態のキャリアユニットの一部の構成要素がキャリアユニットステージ内に保持された状態を示す。
【0092】
キャリアユニットは、その一部が図15および図17に示されるように、ベアチップ60が収容される収容部116Aを有するキャリアハウジング116と、キャリアハウジング116の収容部116Aの底部を形成するベース部材108上に弾性シート110を介して配されるコンタクトシート44と、ベアチップ60の電極群をコンタクトシート44のバンプ44Bに対して押圧する押圧体を含んでなる押圧用蓋と(不図示)、その押圧用蓋をキャリアハウジング116に選択的に保持するラッチ機構116Fとを含んで構成されている。
【0093】
なお、図示されていない上述の押圧用蓋は、図8に示される例における構成と同様な構成を備えている。
【0094】
ラッチ機構116Fは、図7に示されるようなキャリアハウジング116の両端にそれぞれ、支持軸により回動可能に支持され押圧用蓋の端部を保持するフック部材と、フック部材をそれぞれ、押圧用蓋の端部に係合させる方向に付勢するコイルスプリングと、を含んで構成されている。
【0095】
キャリアユニットステージ106は、コンタクトシート44のバンプ44Bの回復処理にあたり、キャリアハウジング116を一時的に収容する収容部106Aを有している。上方に向けて開口する収容部106Aの内周部は、図15および図17に示されるように、ベース部材108の収容部106Aに対する相対位置を規制するためにベース部材108の端部に係合するように形成されている。
【0096】
収容部106Aの周縁部には、図16および図17に示されるように、キャリアユニットのキャリアハウジング116を収容部106A内に着脱可能に保持する一対のラッチ機構が相対向して設けられている。そのラッチ機構は、キャリアユニットステージ106における収容部106Aを形成する壁部にそれぞれ、支持軸118により回動可能に支持されキャリアハウジング116の収容部116Aの周縁部を保持するフック部材112と、フック部材112をそれぞれ、収容部116Aの周縁部に係合させる方向に付勢するコイルスプリング114と、を含んで構成されている。
【0097】
フック部材112は、キャリアユニットのキャリアハウジング116だけが収容部106A内に装着されるとき、または、収容部106Aから取り外されるとき、図17に二点鎖線で示されるように、その一端がコイルスプリング114の付勢力に抗して収容部106A内から離隔するように回動される。一方、フック部材112の一端は、キャリアハウジング116が収容部106A内に保持されるとき、図15および図17に示されるように、コイルスプリング114の付勢力によりキャリアハウジング116の収容部116Aの周縁部に当接される。
【0098】
転写板固定ヘッドは、後述するように、バンプが摩耗したコンタクトシート44について回復処理が行なわれるとき、図15に示されるように、キャリアユニットにおけるキャリアハウジング116の収容部116A内に配置される。
【0099】
転写板固定ヘッドは、図15に示されるように、転写板104が固定される固定面102aを有する押圧体102と、押圧体102の基部を収容する凹部を有する蓋本体100と、押圧体102の基部の凹部と蓋本体100の比較的深い凹部との間の各空間にそれぞれ配され転写板104をコンタクトシート44のバンプ44Bに向けて付勢する複数のスプリング103とを含んで構成されている。
【0100】
押圧体102の基部は、蓋本体100の比較的浅く広い凹部内に移動可能に挿入されている。その押圧体102が挿入される部分の端部には、蓋本体100の下端に設けられる爪部に係合される爪部102nが相対向して複数個形成されている。これにより、押圧体102が複数のスプリング103の付勢力で付勢された状態で蓋本体100に保持されることとなる。
【0101】
金属材料またはセラミック材料等で作られる転写板104の一方の面は、固定面102aに対し接着または締結具により固定されている。転写板104の他方の面には、所定の平面度および所定の表面粗さを有した凹凸が形成されている。なお、転写板104は、斯かる例に限られることなく、押圧体102と一体に形成されてもよい。また、押圧体102は、複数のスプリング103が介在されることなく、例えば、蓋本体100と一体に形成されてもよい。
【0102】
一方、キャリアユニットの押圧用蓋(不図示)は、ベアチップ60に対し試験が実行されるとき、キャリアハウジング116にそのラッチ機構116Fにより保持される。
【0103】
蓋本体100の上部の略中央部には、後述するロードセルの雄ねじ部がはめ合わされる雌ねじ部100sが設けられている。
【0104】
図18は、コンタクトシート44のバンプ44Bについての回復処理の工程において、転写板固定ヘッドに対しコンタクトシート44を相対的に移動させる摺動装置の全体構成を概略的に示す。
【0105】
摺動装置は、ベース部材120上に配されコンタクトシート44が収容されるキャリアハウジング116を保持するキャリアユニットステージ106を固定するとともに所定の方向に移動させるテーブル機構部と、転写板固定ヘッドを保持し所定の圧力を転写板104およびコンタクトシート44のバンプ44Bに作用させる加圧機構部とを含んで構成されている。
【0106】
テーブル機構部は、ベース部材120上に配される基台122と、基台122に支持されるボールネジ部材124により移動されるX軸方向ステージ部材126と、ボールネジ部材124の軸線方向に略直交する方向に沿ってX軸方向ステージ部材126に支持されるボールネジ部材132により移動されるY軸方向ステージ部材130と、Y軸方向ステージ部材130に配されるステージ支持部134に回動可能に支持されキャリアユニットを保持する回転ステージ136とを含んで構成されている。
【0107】
基台122は、図18における矢印Xの示す方向に沿って形成される平坦部と、平坦部に対し略垂直に矢印Zの示す方向に広がり延在する倒立面部とからなる。
【0108】
X軸方向ステージ部材126は、ガイドレール168により案内され、かつ、ナットを介してボールネジ部材124により移動可能に支持されている。ボールネジ部材124の両端部は、それぞれ基台122の平坦部における図18において矢印Xの示す方向に沿った端部により支持されている。ボールネジ部材124の一方の端部には、遊星歯車機構等の減速機構160GHを介して基台122に固定される駆動モータ160の出力軸が連結されている。なお、駆動モータ160は、例えば、リニアモータ、ステッピングモータ、サーボモータ等が用いられても良い。駆動モータ160および後述する各駆動モータは、後述する制御ユニット150により制御される。
【0109】
Y軸方向ステージ部材130は、X軸方向ステージ部材126の内周部に一対対向配置されるガイドレール128Aおよび128Bにより紙面に垂直方向に沿って移動可能に支持されている。また、Y軸方向ステージ部材130は、ナットを介してボールネジ部材132により移動可能に支持されている。ボールネジ部材132の両端部は、それぞれX軸方向ステージ部材126における図18において紙面に垂直方向に沿った端部により支持されている。ボールネジ部材132の一方の端部には、遊星歯車機構等の減速機構を介してX軸方向ステージ部材126に固定される駆動モータ162の出力軸が連結されている。駆動モータ162は、例えば、リニアモータ、ステッピングモータ、サーボモータ等が用いられても良い。
【0110】
Y軸方向ステージ部材130の上面に固定されるステージ支持部134の中央部には、駆動モータ164が固定されている。ステージ支持部134は、X軸方向ステージ部材126の切欠きを介してY軸方向ステージ部材130の上面に固定されている。駆動モータ164の出力軸には、減速機構164GHを介して回転ステージ136の円板部の中央の内側に連結されている。回転ステージ136の側壁は、ベアリング137を介して回動可能にステージ支持部134の上部に支持されている。駆動モータ164は、例えば、リニアモータ、ステッピングモータ、サーボモータ等が用いられても良い。
【0111】
これにより、回転ステージ136は、駆動モータ164が作動状態とされるとき、Y軸方向ステージ部材130の中心軸線およびステージ支持部134の中心軸線回りに回動されることとなる。
【0112】
キャリアユニットステージ106は、図示が省略される締結部材、例えば、ねじ部材等により回転ステージ136の円板部に対し固定されている。
【0113】
加圧機構部は、転写板固定ヘッドを介してバンプ44Bに対する押圧力を検出するロードセル138と、ロードセル138を保持するとともに押圧力を転写板固定ヘッドに伝達するZ軸方向ステージ部材140と、Z軸方向ステージ部材140にはめ合わされ移動可能に支持するボールネジ部材142と、ボールネジ部材142を回動させる駆動モータ166とを含んで構成されている。
【0114】
ボールネジ部材142の両端部は、それぞれ、倒立面部に所定の間隔をもって設けられる一対のブラケット部に回動可能に支持されている。ボールネジ部材142の一方の端部は、減速機構166GHを介して倒立面部に固定される駆動モータ166の出力軸に連結されている。駆動モータ166は、例えば、リニアモータ、ステッピングモータ、サーボモータ等が用いられても良い。
【0115】
Z軸方向ステージ部材140は、ナットを介してボールネジ部材142がその軸線に対し略垂直となるように嵌め合わされており、かつ、自転しないようにガイドレール144により案内されている。
【0116】
ロードセル138は、内部のセンサ部に連結される雄ねじ部138sが転写板固定ヘッドの雌ねじ部100sにねじ込まれることにより、蓋本体100に連結されている。ロードセル138は、Z軸方向ステージ部材140の転写板固定ヘッドに対する押圧力を検出し押圧力をあらわす検出信号Spを制御ユニット150に送出する。
【0117】
制御ユニット150には、図示が省略される生産管理用のホストコンピュータからの各ステージ部材の位置を所定の基準位置に戻す命令をあらわすリセット指令信号Sr、キャリアハウジング116の移動すべき方向をあらわす移動方向指令信号Sd、回復処理開始指令信号Ss、および、上述のロードセル138からの検出信号Spが供給される。
【0118】
また、制御ユニット150は、コンタクトシート44に応じて設定される転写板固定ヘッドに対する押圧力の設定値、または、キャリアハウジング116(キャリアユニットステージ106)の移動量の設定値をあらわすデータ、回復処理を実行するためのプログラムデータ等が格納されるメモリ部150を内部に備えている。
【0119】
その押圧力の値は、バンプ44Bの大きさに応じて設定され、例えば、1つの電極あたり1g以上100g以下の範囲とされる。押圧力の値における下限の範囲の一例としては、1つの電極あたり1g以上40g以下の範囲とされる。
【0120】
キャリアハウジング116(キャリアユニットステージ106)の一方向の移動量は、各機構の遊びおよびコンタクトシート44の撓み等が加味され設定され、例えば、バンプ44Bの相対的な移動量が1μm以上1mm以下の範囲となるように設定される。バンプ44Bの相対的な移動量における下限の範囲の一例としては、1μm以上100μm以下の範囲とされる。
【0121】
本発明に係る電極の回復処理方法における第3の実施例による回復処理にあたり、先ず、図18に示されるように、バンプが摩耗したコンタクトシート44が配置されるキャリアハウジング116が取付けられたキャリアユニットステージ106が、所定の基準位置にある回転ステージ136の円板部に保持される。
【0122】
次に、制御ユニット150は、回復処理開始指令信号Ss、移動方向指令信号Sdおよびメモリ部150内のデータに基づいてキャリアハウジング116およびキャリアユニットステージ106の移動量が所定の値となるように各ステージ部材の移動量を設定する。
【0123】
その際、制御ユニット150は、検出信号Spおよびメモリ部150m内の押圧力の設定値のデータに基づいてZ軸ステージ140の移動量を設定する。
【0124】
制御ユニット150は、設定された移動量に応じてパルス制御信号Czを形成しモータ駆動回路158に供給する。モータ駆動回路158は、パルス制御信号Czに基づいて駆動信号を供給するものとされる。
【0125】
続いて、制御ユニット150は、設定された移動量に応じて少なくとも1回だけキャリアハウジング116およびキャリアユニットステージ106を移動させるべく、パルス制御信号Cx、Cy,Crを形成し、それぞれ、モータ駆動回路152、154、および156に供給する。モータ駆動回路152、154、および156は、それぞれ、パルス制御信号Cx、Cy,Crに基づいて駆動モータ160,162,および164に対し駆動信号を供給するものとされる。
【0126】
これにより、キャリアハウジング116内のコンタクトシート44のバンプ44Bは、転写板104に対して相対的に所定の方向に所定量だけ1回、移動せしめられることとなる。
【0127】
従って、上述の第1の実施例の場合と同様に比較的大きな押圧力を加えることなく、転写板104における転写面の微小な凹凸の押圧および摺動に対応した比較的微細な凹凸がバンプの摩耗した端部に形成されることとなる。その凹凸は、例えば、約0.1μm以上50μm以下程度の間隔で、約0.001μm以上5μm以下の高さで形成される。その凹凸の下限の範囲としては、例えば、約0.1μm以上50μm以下程度の間隔で、約0.002μm以上3μm以下の高さの範囲とされる。
【0128】
また、本実施例においては、第1の実施例の場合のように加熱する必要がないので回復処理における摺動量の制御が容易であり、かつ、比較的短期間で処理でき、その結果、より量産性に適している。
【0129】
そして、制御ユニット150は、押圧力を解除すべく、パルス制御信号Czを形成しモータ駆動回路158に供給する。
【0130】
回復処理されたコンタクトシートが収容されるキャリアハウジング116は、キャリアユニットステージ106から取り外される。その際、制御ユニット150は、供給される制御信号Srに基づいて各ステージ部材の位置を所定の基準位置に戻すべく制御パルス信号Cx、Cy,Cr、およびCzを形成しそれらをモータ駆動回路152、154,156、158に供給する。
【0131】
取り外されたキャリアハウジング116は、ベアチップ60および押圧用蓋が装着された後、上述の例と同様にキャリアユニットとしてICソケット30の収容部に装着されることとなる。
【0132】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る電極の回復処理方法によれば、第1の工程において電極部の接続面に載置された転写板を所定の圧力で電極部の接続面に向けて押圧しつつ、転写板および電極板を所定温度で所定期間、加熱するのでその膨張差によって相対的に摺動されることにより電極の接続面が所定の粗さに削られるので摩耗した電極板の電極部の接続面に容易にかつ確実に所定の凹凸を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A),(B)は、それぞれ、本発明に係る電極の回復処理方法の第1実施例の各工程を模式的に示す図である。
【図2】(A)は、図1(A)に示される工程におけるバンプの先端部が部分的に拡大して示され、各工程の説明に供される部分断面図であり、(B)は、図1(B)に示される工程におけるバンプの先端部が部分的に拡大して示され、各工程の説明に供される部分断面図である。
【図3】(A),(B)、(C)、(D)は、それぞれ、本発明に係る電極の回復処理方法の第1実施例の各工程におけるバンプの先端部が部分的に拡大して示され、各工程の説明に供される部分断面図である。
【図4】(A),(B),(C)は、それぞれ、比較例の各工程におけるバンプの先端部が部分的に拡大して示され、比較例の各工程の説明に供される部分断面図である。
【図5】(A),(B)、(C)は、それぞれ、バンプの先端が使用により摩耗していく各工程の説明に供される図である。
【図6】(A),(B)、(C)は、それぞれ、バンプの先端が部分的に拡大されて示され、図5(A),(B)、(C)に示されるバンプの先端が使用により摩耗していく各工程の説明に供される図である。
【図7】本発明に係る電極の回復処理方法の第1実施例および第2実施例が適用されるコンタクトシートを備える半導体装置用ソケットの一例を示す部分断面図である。
【図8】図7に示される例におけるキャリアユニットの構成を概略的に示す部分断面図である。
【図9】図8に示される例における平面図である。
【図10】(A),(B),(C)は、それぞれ、本発明に係る電極の回復処理方法の第2実施例の各工程の説明に供される要部を拡大して示す部分断面図である。
【図11】(A),(B),(C)は、それぞれ、図10(A),(B),(C)に示される図の一部を拡大して示す部分断面図である。
【図12】(A)は、本発明に係る電極の回復処理方法の第1実施例に用いられる他のキャリアハウジングおよびベース部材の一例の構成を分解して示す構成図であり、(B)は、(A)におけるキャリアハウジングを含むキャリアユニットの構成を示す構成図である。
【図13】(A)は、本発明に係る電極の回復処理方法の第1実施例に用いられるさらなる他のキャリアハウジングおよびベース部材の一例の構成を分解して示す構成図であり、(B)は、(A)におけるキャリアハウジングを含むキャリアユニットの構成を示す構成図である。
【図14】(A)は、本発明に係る電極の回復処理方法の第1実施例に用いられるさらなる他のキャリアハウジングおよびベース部材の一例の構成を分解して示す構成図であり、(B)は、(A)におけるキャリアハウジングを含むキャリアユニットの構成を示す構成図である。
【図15】本発明に係る電極の回復処理方法の第3実施例に用いられるキャリアユニットステージの構成を転写板固定ヘッドとともに示す断面図である。
【図16】図15に示される例における平面図である。
【図17】図15に示されるキャリアハウジングおよびキャリアユニットステージの構成を分解して示す構成図である。
【図18】本発明に係る電極の回復処理方法の第3実施例に用いられる摺動装置の全体構成を示す構成図である。
【符号の説明】
10a   凹凸
10、104   転写板
10s   転写面
12   恒温槽
44、80   コンタクトシート
44B、44B’、44B”、84B,84B’   バンプ
44a、44ps、44ms、84a   凹凸
44M,84M   基材
60   ベアチップ
86   結晶物
126  X軸方向ステージ部材
130  Y軸方向ステージ部材
136  回転ステージ
140  Z軸方向ステージ部材
160,162,164、166  駆動用モータ

Claims (8)

  1. 絶縁基板上に形成される電極部を有し、半導体装置の端子部に対して該電極部の接続面を介して電気的接続を行う電極板における該電極部の接続面に、該電極板の絶縁基板の線膨張率と異なる線膨張率の材料で作られ、凹凸が形成される表面を有する転写板の該表面と該接続面とを互いに接触するように載置する第1の工程と、
    前記第1の工程において前記電極部の接続面に載置された転写板を所定の圧力で該電極部の接続面に向けて押圧しつつ、該転写板および前記電極板を所定温度で所定期間、加熱する第2の工程と、
    前記転写板を前記電極板に対して離隔させ、前記電極部の接続面に所定の凹凸を得る第3の工程と、
    を含んでなる電極の回復処理方法。
  2. 前記第2の工程における所定温度および所定期間は、それぞれ、80℃以上から150℃未満までの温度範囲で、5分以上15分以下の期間に設定されることを特徴とする請求項1記載の電極の回復処理方法。
  3. 母材の耐磨耗性に比して優れた耐摩耗性を有する微小な結晶物を該母材中に所定量含んでなる電極部が絶縁基板上に形成され、半導体装置の端子部に対して該電極部の接続面を介して電気的接続を行う電極板における該電極部の接続面に、該半導体装置の端子部を載置する第1の工程と、
    前記半導体装置の端子部を前記電極板の接続面に対して接触させつつ該接続面を摩耗させ、前記結晶物の一部を露出させることにより、所定の凹凸を該接続面に得る第2の工程と、
    を含んでなる電極の回復処理方法。
  4. 前記結晶物は、前記母材である銅の硬度よりも大なる硬度を有し、かつ、電気伝導度が比較的高いパラジュウムまたはニッケルで作られることを特徴とする請求項3記載の電極の回復処理方法。
  5. 絶縁基板上に形成される電極部を有し、半導体装置の端子部に対して該電極部の接続面を介して電気的接続を行う電極板における該電極部の接続面に、凹凸が形成される表面を有する転写板の該表面と該接続面とを互いに接触するように載置する第1の工程と、
    前記第1の工程において前記電極部の接続面に載置された転写板を所定の圧力で該電極部の接続面に向けて押圧しつつ、該転写板または該電極部の接続面を該接続面に対し略平行ないずれかの方向に所定量、少なくとも1回、相対的に移動させる第2の工程と、
    前記転写板を前記電極板に対して離隔させ、前記電極部の接続面に所定の凹凸を得る第3の工程と、
    を含んでなる電極の回復処理方法。
  6. 前記第2の工程において、前記電極板を支持しつつ前記電極部の接続面に対し略平行に移動させる摺動装置により前記転写板に対し該電極板が移動せしめられることを特徴とする請求項5記載の電極の回復処理方法。
  7. 前記第2の工程における押圧力が、一つの電極部あたり1g以上100g以下であることを特徴とする請求項1または請求項5記載の電極の回復処理方法。
  8. 前記第2の工程における相対的な移動の所定量が、1μm以上1mm以下であることを特徴とする請求項5記載の電極の回復処理方法。
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