JP2004055665A - 基板のマーキング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハマーキング時における突起や飛散物の発生を抑え、かつ視認性の失われないドット穴を形成することにより、歩留まりが低下しない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に保護膜２を形成し、保護膜２上にドット穴３を形成する。次に、ドット穴３に対しウェットエッチングを行い、突起４または飛散物５を除去すると共に、より深いドット穴３を形成する。その後、保護膜２を除去しマーキングを完成する。その結果、保護膜２が存在するため、突起４や飛散物５による欠陥が発生するのを抑制することが出来、かつドット穴３を深く形成出来るため、高い視認性を維持したマーキングを行うことが出来ると同時に、歩留り低下を防止することが出来る。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェットエッチングを用いた基板のマーキング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置はより高性能化、高速化を目指すために複雑化し、この複雑な構造を達成するために半導体装置はより微細化し、配線の多層化が著しい。これに伴い、ウェハにおけるマーキングの視認性が低下してきた。
【０００３】
半導体製造工程において、ウェハのマークを見えやすくするために図５に示すハードマーキングと呼ばれる方法と、図６に示すソフトマーキングと呼ばれる方法がある。
【０００４】
具体的にハードマーキング法では、半導体基板上にレーザーを照射し、数１０μｍ程度、例えば１０μｍ〜１００μｍの大きく深いドット穴３を形成する。一方、ソフトマーキング法では、数μｍ以下、例えば１μｍ〜１０μｍの浅いドット穴３を形成する。
【０００５】
その結果、ハードマーキングの場合は、大きく深いドット穴３を形成するため、視認性の高いマーキングを得ることが可能である。一方、ソフトマーキングの場合は、飛散物を発生させることなくマーキングを行うことが出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ハードマーキング、ソフトマーキング其々について、以下のような課題が存在する。
【０００７】
まず、ハードマーキングの場合は、半導体基板１（図５（ａ））上に、図５（ｂ）に示すように、レーザーを照射し、数１０μｍ程度、例えば１０μｍ〜１００μｍの大きく深いドット穴３を形成する。このレーザー照射によりドット穴３を形成する際の反動として、半導体基板の溶融物が跳ね返りとなり、ドット穴３周辺に突起４や飛散物５が発生する。
【０００８】
これらのマーキング形成の際に発生する突起４や飛散物５は、洗浄することによりある程度は除去されるが、そのほとんどは除去されずに残ったままとなる。
【０００９】
ここで、突起４や飛散物５を残したまま半導体装置の製造を行うと、突起４や飛散物５が存在する部分は欠陥となり、配線間ショート、又は電荷のリーク等を誘発するため、半導体装置の製造歩留りの低下を引き起こす。
【００１０】
特に、図５（ｃ）に示すように、半導体基板１上に突起４や飛散物５が存在する状態で半導体基板１に対してＣＭＰ工程を行うと、ＣＭＰ時にかかる力により突起４や飛散物５が取れ、半導体基板１のあらゆる場所にスクラッチを生じさせ、半導体装置の製造歩留りの著しい低下を引き起こす。
【００１１】
一方、ソフトマーキングの場合には、半導体基板１（図６（ａ））上にマーキングを行い、図６（ｂ）に示すように、数μｍ程度、例えば１ｍ〜１０μｍの比較的浅いドット穴３を形成する。このソフトマーキングではレーザー照射の出力が弱いため、ドット穴３を形成する際の反動が弱くなる。その結果、ドット穴３周辺には半導体基板１の溶融物からなる突起４や飛散物５を少なく抑えることが出来る。しかし、形成されるドット穴３の深さは浅くなり、視認性は低下する。
【００１２】
このようにドット穴３の深さが浅いと、図６（ｃ）に示すように、半導体装置の製造工程の中で行われる平坦化工程においてドット穴３も同様に平坦化され、ドット穴３はさらに浅くなる。特に、多層膜８を形成していくと、その都度に行われる平坦化工程によりドット穴３はより浅くなる。その結果、視認性も徐々に失われていき、最終的には、マーキングによる識別番号が認識できるほどの深さを確保できなくなる。
【００１３】
そこで本発明は、ハード、ソフトどちらの方法を用いた場合においても、特にウェハマーキング時における突起や飛散物の発生を抑え、かつ視認性の失われないドット穴を形成することが出来る、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、半導体基板に保護膜を形成する工程と、保護膜上にドット穴を形成する工程と、ドット穴が基板に達するようにウェットエッチングを行う工程と、保護膜を除去する工程と、を備えることを特徴とする基板のマーキング方法を提供する。
【００１５】
その結果、保護膜を用いて基板を保護することにより、マーキング時に発生する突起や飛散物をウェットエッチングにより除去できると同時に、この保護膜をマスクとしてドット穴を深く形成出来るため、高い視認性を維持したまま歩留りの低下を防止することが出来る。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施形態１）
実施形態１について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
まず、半導体基板１（図１（ａ））上に、図１（ｂ）に示すように、保護膜２を形成する。ここで保護膜２としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの単層膜、或いは積層膜を使用する。また、保護膜２として機能させるためには、１００ｎｍ以上の膜厚のものを使用するのが望ましい。
【００１９】
次に、図１（ｃ）に示すように、保護膜２上から、例えばＹＡＧレーザー等のレーザービームを照射することにより、保護膜２を通して半導体基板１上にドット穴３を形成する。ここで、ドット穴３は半導体基板１上に形成されており、またドット穴３を複数個形成することにより、その複数のドット穴３の並びから数字などの文字が認識できるように形成する。なお、ドット周辺の保護膜２上には、突起４や飛散物５が発生しているが、保護膜２が半導体基板１のカバー膜として働き、半導体基板１上に直接、突起４や飛散物５が付着しない。
【００２０】
その後、図１（ｄ）に示すように、ドット穴３を形成後、保護膜２をマスクとしてドット穴３内の半導体基板１に対してウェットエッチングを行うことにより、より深くドット穴を形成する。ここで、ウェットエッチング液としては、例えば、フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液や、アルカリ性の溶液を使用することができる。ただし、等方性のウェットエッチングを行う場合は酸性のエッチング溶液を、異方性のエッチングを行う場合はアルカリ性のエッチング溶液を使用する。
【００２１】
より具体的には、酸性のエッチング溶液であるフッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液として、例えばフッ化水素酸と硝酸の混合溶液を用いればよい。ただし、この場合の濃度比率は保護膜２をマスクとして使用するために必要な比率に設定しなければならない。
【００２２】
例えば、ここで保護膜２をマスクとして使用するためには、半導体基板１と保護膜２とのエッチング選択比が５０以上得られる濃度比率が望ましく、具体的には市販のフッ化水素酸水溶液（５０ｗｔ．％）を１の比率に対して市販の硝酸水溶液（７０ｗｔ．％）を１００以下の比率で混合した溶液を使用する。その結果、市販のフッ化水素酸水溶液を１の比率に対して市販の硝酸水溶液を５の比率で混合した溶液を用い、１０〜２０秒程度エッチング処理を行うことにより、保護膜２をマスクとして半導体基板１内のドット穴３を１０数μｍ、例えば１０μｍ〜１００μｍ深く掘り下げることが出来る。
【００２３】
またこのウェットエッチングの際に、レーザー照射により発生したドット穴３周辺の突起４や飛散物５、マーキング時の反動として跳ね返った半導体基板１の溶融物等の大部分を除去することが出来る。
【００２４】
最後に、図１（ｅ）に示すように、保護膜２をフッ化水素酸溶液などでウェットエッチングすることにより保護膜２を除去し、半導体基板１上に形成されたドット穴３からなるマークを完成する。
【００２５】
以上、本実施形態では、レーザー照射によりドット穴３を形成した後に、保護膜をマスクとして半導体基板をエッチングすることにより、発生した突起や飛散物を除去できるため、スクラッチ等の欠陥が発生せず、かつ視認性の失われないマーキングを行うことが出来る。その結果、歩留まり低下を防止した、半導体装置の製造方法を提供出来る。
【００２６】
なお以上で説明した方法は、図１（ｃ）に示すように、レーザー照射する工程において、保護膜２を突き破って半導体基板１が露出したドット穴３を形成しているので、いわゆるハードマーキング方法に該当する。
【００２７】
一方本実施形態においては、図１（ｃ）に示す工程において、レーザー照射する工程において、必ずしも保護膜２は突き破られず半導体基板１が露出しないドット穴３を形成する、いわゆるソフトマーキング方法を用いてもよい。この場合は、図１（ｄ）に示すように、たとえ保護膜２が残って基板に直接マーキングが形成されていなかったとしても、半導体基板１に対するウェットエッチングの際に保護膜２が突き破られて基板にドット穴３が到達し、基板へのマーキングが出来る。この場合には、僅かにウェットエッチングを行う濃度比率のエッチング液を用いるとよい。具体的には、半導体基板１と保護膜２のウェットエッチング選択比が、５０〜１００までの範囲で濃度比率を設定する。その結果、ソフトマーキング方法を用いた場合においても、視認性を失うことなく深いドット穴３を有するマーキングを行うことが出来る。加えて、ソフトマーキング法を用いた場合には、レーザー強度が弱いので、照射時に発生する半導体基板１の溶融物だけでなく、ドット穴３周辺の突起４や飛散物５も殆ど発生しないため、歩留まり低下も防ぐことが出来る。
【００２８】
（実施形態２）
実施形態２について、図面を参照しながら説明する。本実施形態は、ウェットエッチングを２回に分けて行う点に特徴がある。
【００２９】
まず、半導体基板１（図２（ａ））上に、図２（ｂ）に示すように、保護膜２を堆積する。保護膜２としては、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの単層膜、或いは積層膜を使用する。ここで、保護膜２として機能させるためには、１００ｎｍ以上の膜厚のものを使用するのが望ましい。
【００３０】
次に、図２（ｃ）に示すように、保護膜２上から例えばＹＡＧレーザー等のレーザービームを照射することにより、保護膜２を通して半導体基板１上にドット穴３を形成する。ここで、ドット穴３は半導体基板１上に形成されており、またドット穴３を複数個形成することにより、その複数のドット穴３の並びから数字などの文字が認識できるように形成する。なお、ドット周辺の保護膜２上には、突起４や飛散物５が発生しているが、保護膜２が半導体基板１のカバー膜として働き、半導体基板１には突起４や飛散物５は付着しない。
【００３１】
続いて、図２（ｄ）に示すように、ドット穴３を形成後、保護膜２をマスクとして半導体基板１内のドット穴３に対して、第１のウェットエッチングを行うことにより、より深くドット穴３を形成する。ここで、第１のウェットエッチング用の溶液としては、フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液を使用し、半導体基板１表面内のドット穴３に対して等方性エッチングを行う。
【００３２】
ここで、フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液としては、例えばフッ化水素酸と硝酸の混合溶液を用いればよい。ただし、その濃度比率は保護膜２をマスクとして使用するために必要な比率に設定しなければならない。保護膜２をマスクとして使用するためには、半導体基板１と保護膜２とのエッチング選択比が５０以上得られる濃度比率が望ましく、具体的には市販のフッ化水素酸水溶液（５０ｗｔ．％）を１の比率に対して市販の硝酸水溶液（７０ｗｔ．％）を１００以下の比率で混合した溶液を使用する。例えば、市販のフッ化水素酸水溶液を１の比率に対して市販の硝酸水溶液を５の比率で混合した溶液で、１０から２０秒程度エッチング処理を行うと、保護膜２をマスクとしてドット穴３内の半導体基板１を１０数μｍ、例えば１０μｍ〜１００μｍ深く掘り下げることが出来る。
【００３３】
またこのウェットエッチングの際に、レーザー照射により発生したドット穴３周辺の突起４や飛散物５、マーキング時の反動として跳ね返った半導体基板１の溶融物等の大部分を除去することが出来る。
【００３４】
次に、図２（ｅ）に示すように、半導体基板１表面内のドット穴３に対して、第２のウェットエッチングを行うことにより、ドット穴３内の半導体基板に凹凸を形成する。この工程が、本実施形態の特徴である。
【００３５】
ここで、第２のウェットエッチング用の溶液としては、アルカリ性の溶液を使用し、半導体基板１表面内のドット穴３に対して異方性エッチングを行う。具体的にはアルカリ性の溶液として、６０〜８０℃に加温した０．１〜５．０ｗｔ％の水酸化カリウム水溶液、或いはアンモニア水溶液を使用し、１〜１０分程度エッチング処理を行うことにより、半導体基板１表面内のドット穴３壁面に凹凸を形成する。その結果、この凹凸により光が散乱され、より優れた視認性を有するマーキングを行うことが出来る。
【００３６】
最後に、図２（ｆ）に示すように、保護膜２をフッ化水素酸溶液などでウェットエッチングすることにより保護膜２を除去し、半導体基板１上に形成されたドット穴３からなるマークを完成する。
【００３７】
以上、本実施形態では、レーザー照射によりドット穴３を形成した後に、保護膜２をマスクとして半導体基板１に対してウェットエッチングを行うことにより、発生した突起４や飛散物５を除去できるため、スクラッチ等の欠陥が発生せず、かつ視認性の失われないマーキングを得ることが出来る。
【００３８】
なお、実施形態１と同様に、以上で説明した方法は図２（ｃ）に示すように、レーザー照射により保護膜２を突き破って半導体基板１が露出したドット穴３を形成しているので、いわゆるハードマーキング方法に該当する。
【００３９】
一方、本実施形態においても、実施形態１と同様に図２（ｃ）に示す工程において、レーザー照射により保護膜２は突き破られず、必ずしも半導体基板１が露出しないドット穴３を形成する、いわゆるソフトマーキング方法を用いてもよい。実施形態１でも述べたように、この場合は、図１（ｄ）に示すように、たとえ保護膜２が残って基板に直接マーキングが形成されていなかったとしても、半導体基板１に対するウェットエッチングの際に保護膜２が突き破られて基板にドット穴３が到達し、基板へのマーキングが出来る。この場合には、僅かにウェットエッチングを行う濃度比率のエッチング液を用いるとよい。具体的には、半導体基板１と保護膜２のウェットエッチング選択比が、５０〜１００までの範囲で濃度比率を設定する。その結果、ソフトマーキング方法を用いた場合においても、視認性を失うことなく深いドット穴３を有するマーキングを行うことが出来る。加えて、ソフトマーキング法を用いた場合には、レーザー強度が弱いので、照射時に発生する半導体基板１の溶融物だけでなく、ドット穴３周辺の突起４や飛散物５も殆ど発生しないため、歩留まり低下も防ぐことが出来る。
【００４０】
（実施形態３）
実施形態３について、図面を参照しながら説明する。
【００４１】
まず、実施形態１と同様に、図１（ａ）に示した半導体基板１上に、図１（ｂ）に示すように、保護膜２を形成する。ここで保護膜２としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの単層膜或いは積層膜を使用するが、保護膜として機能させるためには１００ｎｍ以上の膜厚のものを使用するのが望ましい。
【００４２】
次に、図１（ｃ）に示すように、保護膜２上からＹＡＧレーザー等のレーザービームを照射することにより、保護膜２を通して半導体基板１上にドット穴３を形成する。このドット穴３は半導体基板１上に形成されており、またドット穴３を複数個形成することにより、その複数のドット穴３の並びから数字などの文字が認識できるように形成する。
【００４３】
ここで、図３（ａ）に示すように、ドット穴３の形成位置は、一般的に半導体装置を作製しない領域、すなわち半導体基板１の外周エッジ付近に形成する。半導体の素子形成領域を避けることにより、上に配線等の多層膜が形成されることがなく、マークの視認性が低下するのを防ぐためである。
【００４４】
その後、図１（ｄ）に示すように、ドット穴３を形成後、保護膜２をマスクとして、半導体基板１内表面のドット穴３に対して、ウェットエッチングを行うことにより、より深いドット穴３を形成する。
【００４５】
この際、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１のウェットエッチング処理は枚様式の洗浄装置を使用して行う。半導体基板１を枚様式の洗浄装置に導入し、ドット穴３が形成された半導体基板１の外周エッジ付近にのみウェットエッチング溶液６をかける。また、それと同時に、半導体基板１の中心から、水或いは窒素７を吹き付けることにより、半導体基板１をウェットエッチングする。
【００４６】
このように、半導体基板１の外周エッジ付近にのみ半導体基板１のウェットエッチング溶液６をかけることにより、半導体装置作製予定の領域の半導体基板１上にパーティクルや欠陥が存在することにより、余分な部分もウェットエッチング除去されてしまうのを防止出来る。
【００４７】
また、半導体基板１の中心から水或いは窒素７を吹き付けることにより、外周エッジ付近にかけたウェットエッチング液６が、半導体装置作製予定の領域の半導体基板１上に拡散するのを防ぐことが出来る。つまり、ウェットエッチング溶液の飛び散りやミスト発生により、半導体装置作製予定の領域の半導体基板１がエッチングされてしまうことを防止できる。
【００４８】
ここで、実施形態１と同様に、半導体基板１のウェットエッチング溶液としては、例えば、フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液や、アルカリ性の溶液を使用することができる。ただし、酸性のエッチング溶液を使用する場合は、等方性のウェットエッチングを、アルカリ性のエッチング溶液を使用する場合は、異方性のエッチングを行うことができる。
【００４９】
具体的には、酸性のエッチング溶液であるフッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液として、例えばフッ化水素酸と硝酸の混合溶液を用いればよい。ただし、この場合の濃度比率は保護膜２をマスクとして使用するために必要な比率に設定しなければならない。
【００５０】
ここで保護膜２をマスクとして使用するためには、半導体基板１と保護膜２とのエッチング選択比が５０以上得られる濃度比率が望ましく、具体的には市販のフッ化水素酸水溶液（５０ｗｔ．％）を１の比率に対して市販の硝酸水溶液（７０ｗｔ．％）を１００以下の比率で混合した溶液を使用する。
【００５１】
例えば、市販のフッ化水素酸水溶液を１の比率に対して市販の硝酸水溶液を５の比率で混合した溶液を用いて、１０〜２０秒程度エッチング処理を行うことにより、保護膜２をマスクとして半導体基板１内のドット穴３を数〜十数μｍ、例えば５μｍ〜１００μｍ深く掘り下げる。
【００５２】
またこの際に、レーザー照射により発生したドット穴３周辺の突起４や飛散物５、マーキング時の反動として跳ね返った半導体基板１の溶融物等の大部分を除去することが出来る。
【００５３】
最後に、図１（ｅ）に示すように、保護膜２をフッ化水素酸溶液などでウェットエッチングすることにより保護膜２を除去し、半導体基板１上に形成されたドット穴３からなるマークを完成する。
【００５４】
以上、本実施形態では、レーザー照射によりドット穴３を形成した後に、保護膜２をマスクとして半導体基板１に対してウェットエッチングを行うことにより、発生した突起４や飛散物５を除去できるため、スクラッチ等の欠陥が発生せず、かつ視認性の失われないマーキングを得ることが出来る。
【００５５】
更に、半導体装置作製予定の領域における予期せぬエッチングを防ぐことが出来る。
【００５６】
つまり、半導体基板１に対するウェットエッチングの際に、図３に示したように、枚様式の洗浄装置を使用し、ドット穴３が形成された半導体基板の外周エッジ付近にのみウェットエッチング液をかけ、かつ半導体基板１の中心からは水或いは窒素７を吹き付ける。
【００５７】
その結果、仮に半導体装置作製予定の領域にパーティクルや欠陥が存在したとしても、ウェットエッチング溶液がその部分に接触しないため、不必要にエッチングされてしまうことを防止できる。また、半導体基板１のウェットエッチング液６を半導体基板１にかけた際に発生するウェットエッチング液の飛び散りやミストが、半導体装置作製予定の領域に侵入するのを阻止できるため、半導体基板１上の不必要な部分がエッチングされてしまうことも防止できる。
【００５８】
なお、実施形態３の説明を本発明の実施形態１のマーキング方法に従って行ったが、実施形態２の場合においても使用可能であることは言うまでも無い。
【００５９】
この場合は、第１のウェットエッチング処理と第２のウェットエッチング処理を、枚様式の洗浄装置を使用して行い、ドット穴３が形成された半導体基板１の外周エッジ付近にのみウェットエッチング液６をかけ、かつ半導体基板１の中心からは水或いは窒素７を吹き付けることにより、ウェットエッチングを行う。
【００６０】
（実施形態４）
本発明の実施形態４について、図面を参照しながら説明する。
【００６１】
最初に、図４（ａ）（ｂ）は、本発明の実施形態４における半導体基板のマーキング形成方法を示した工程フローの概略図である。図４において、（ｃ）はマーキング形成工程であり、（ｄ）は素子間分離を行うためのＳＴＩ（Ｓｈａｒｒｏｗ　Ｔｒｅｎｃｈ　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）形成工程である。
【００６２】
まず、ＳＴＩ形成工程図４（ｄ）を開始する。
【００６３】
具体的には、図４（ａ）に示すように、工程（１）のＳｉ基板上に、工程（２）においてシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）を堆積する。
【００６４】
その後、図４（ａ）（３）に示すように、ＳｉＯ_２膜上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成する。ここで、ＳｉＯ_２膜は熱酸化法により、例えば５ｎｍ〜２０ｎｍ程度を、またＳｉＮ膜はＣＶＤ法により１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度を形成する。
【００６５】
ここまでのＳＴＩ形成工程図４（ｄ）を行った後、マーキング形成工程図４（ｃ）を開始する。
【００６６】
具体的には、図４（ａ）（４）に示すように、保護膜（ＳｉＮ膜）上からＳｉ基板に対してレーザービームを照射することにより、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ_２膜を通して、Ｓｉ基板上にマーキングのドット穴を形成する。ドット穴を複数個形成することにより、その複数のドット穴の並びから、数字などの文字が認識出来るように形成する。
【００６７】
その後、図４（ａ）の工程（５）において、最表面のＳｉＮ膜をマスクとして、Ｓｉ基板表面内のドット穴表面のＳｉ基板をウェットエッチングする。これにより、ドット穴の大きさを拡大し、またその深さを深くする。ここで、ウェットエッチング液としては、例えば、フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液や、アルカリ性の溶液を使用することができる。ただし、酸性のエッチング溶液を使用する場合は、等方性のウェットエッチングを、アルカリ性のエッチング溶液を使用する場合は、異方性のエッチングを行うことができる。
【００６８】
続いて、マーキング形成工程図４（ｃ）を終えた後、残りのＳＴＩ形成工程図４（ｄ）を行う。
【００６９】
具体的には、図４（ａ）（６）に示すように、Ｓｉ基板に対してエッチングを行い、ＳＴＩ形成用の溝を形成する。
【００７０】
次に、図４（ａ）の工程（７）において、ＳＴＩ溝を絶縁膜で埋め込み、図４（ａ）（８）に示すように、ＣＭＰ工程においてＳＴＩ形成用溝に埋め込んだ絶縁膜の平坦化を行う。
【００７１】
その後、図４（ａ）の工程（９）において、ＳｉＮ膜を除去し、ＳＴＩ構造を完成する。
【００７２】
一般的にマーキング形成工程図４（ｃ）は、半導体装置を形成する際に最も一番はじめに行われることが多い。従来の工程順序に従って本マーキング形成方法を行うと、例えば、図４（ｂ）のように示される。
【００７３】
具体的には、図４（ｂ）では、工程（１）のＳｉ基板上に保護膜、例えばＳｉＯ_２膜を堆積する。
【００７４】
次に、工程（２）のレーザーマーキングを行い、その後、保護膜をマスクとして、更に工程（４）のＳｉ基板のウェットエッチングを行い、基板上にマーキングを形成する。
【００７５】
続いて、工程（５）においてマーキングに用いた保護膜を除去し、マーキング工程を完了する。
【００７６】
次に、ＳＴＩの形成を行う。
【００７７】
まず、工程（６）に示すように、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２膜を形成し、工程（７）においてＳｉＯ_２膜上にＳｉＮ膜を形成する。
【００７８】
次に、工程（８）においてＳｉ基板のエッチングを行い、ＳＴＩ形成用の溝を形成する。
【００７９】
その後、図４（ｂ）の工程（９）において、ＳＴＩ溝を絶縁膜で埋め込み、図４（ｂ）（１０）に示すように、ＣＭＰ工程においてＳＴＩ形成用溝に埋め込んだ絶縁膜の平坦化を行う。
【００８０】
その後、図４（ｂ）の工程（１１）において、ＳｉＮ膜を除去し、ＳＴＩ構造を完成する。
【００８１】
例えば本発明の実施形態１を、従来方法の図４（ｂ）と同様に、半導体装置を形成する際の最も一番はじめに行う場合には、図４（ｂ）の工程フローでは、「Ｓｉ基板のエッチング工程」を行い、ドット穴３の深掘りをしているために、工程数が増加するという問題点を有することになる。
【００８２】
そこで、本発明の実施形態４では、ＳＴＩ形成工程の途中のシリコン窒化膜形成後にマーキング形成工程を実施することにより、ＳＴＩ形成時の絶縁膜やストッパー膜を、マーキング形成時の保護膜に代用することが出来る。
【００８３】
つまり、半導体装置の素子間分離構造の形成工程において、素子間分離（ＳＴＩ）のマスクに使用するシリコン窒化膜を形成した後に、シリコン窒化膜上にレーザーを照射しドット穴３を形成し、半導体基板１をウェットエッチングすることにより、素子間分離に使用するマスクをマーキング形成時の保護膜２として使用することが出来る。
【００８４】
その結果、マーキングのために保護膜２を形成し、再び除去する必要がないため、マーキングによる工程数の増加を防止できる。つまり、工程数の増加を最低限に抑えた上で、突起４や飛散物５などによる欠陥が発生せず、かつ多層配線を形成しても視認性の失われないドット穴３を持つマーキングを行うことが出来る。
【００８５】
【発明の効果】
以上より本発明は、レーザー照射後に保護膜をマスクとして半導体基板のエッチングを行うことにより、レーザー照射により発生する突起や飛散物をウェットエッチングにより除去することが出来る。また同時に、レーザー照射時は浅いドット穴であっても、ウェットエッチングにより、深掘りすることが出来る。
【００８６】
その結果、突起や飛散などによる欠陥が発生しないため、歩留まりの低下を抑制することが出来ると共に、多層配線を形成しても視認性の失われないドット穴を持つマーキングを形成する半導体装置の形成方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の工程断面図
【図２】実施形態２の工程断面図
【図３】実施形態３のウェットエッチング処理を示す図
【図４】工程フローを示す図
【図５】従来方法の工程断面図
【図６】従来方法の工程断面図
【符号の説明】
１　半導体基板
２　保護膜
３　マーキングのドット穴
４　突起
５　飛散物
６　半導体基板のエッチング液
７　水或いは窒素
８　多層膜

Claims (15)

1. 基板に保護膜を形成する工程と、
   前記保護膜上にドット穴を形成する工程と、
   前記ドット穴が前記基板に達するように、ウェットエッチングを行う工程と、
   前記保護膜を除去し、前記基板にマーキングを形成する工程と、を備えたことを特徴とする基板のマーキング方法。
2. 前記保護膜上にドット穴を形成する工程において、ドット穴が基板に達するように形成することを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
3. 前記保護膜上にドット穴を形成する工程において、ドット穴が基板に到達しないように形成することを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
4. 前記ドット穴は、レーザーを照射することによって形成されることを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
5. 前記基板の中心部から、溶液若しくはガスを吹き付けながらウェットエッチングを行い、前記基板の外周エッジ部分に前記ドット穴を形成することを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
6. 前記ウェットエッチングを行う工程において、
   薬液としてフッ化水素酸と酸化性酸との混合溶液、又はアルカリ系の溶液を使用することを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
7. 前記保護膜は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であり、
   前記保護膜のエッチングには、フッ化水素酸溶液または燐酸溶液を使用することを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
8. 前記基板と前記保護膜のエッチング選択比が５０以上になるように、前記ウェットエッチング液の濃度を設定することを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
9. 前記基板と前記保護膜のエッチング選択比が、５０以上１００以下になるように、前記ウェットエッチング液の濃度を設定することを特徴とする、請求項３記載の基板のマーキング方法。
10. 前記基板に対しウェットエッチングを行う工程において、
    前記ウェットエッチングを、第１のウェットエッチング工程と、第２のウェットエッチング工程の２回に分けて行うことを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
11. 前記第１のウェットエッチング工程は、等方性エッチングであり、
    前記第２のウェットエッチングは、異方性エッチングであることを特徴とする、請求項１０記載の基板のマーキング方法。
12. 前記第１のウェットエッチング工程では、フッ化水素酸と酸化性酸との混合溶液を使用し、
    前記第２のウェットエッチング工程では、アルカリ性溶液を使用することを特徴とする、請求項１０記載の基板のマーキング方法。
13. 前記ウェットエッチングを行う工程において、
    前記ドット穴を形成した外周エッジ部分にウェットエッチング液をかけエッチングすることを特徴とする、請求項１記載の基板のマーキング方法。
14. 前記ウェットエッチングを行う工程において、
    前記ウェットエッチング液を塗布すると同時に、前記基板の中心から水またはＮ_２、若しくは不活性ガスを吹き付けることを特徴とする、請求項１３記載の基板のマーキング方法。
15. 基板に素子分離構造とマーキングを形成する工程において、
    前記基板に、第１の絶縁膜を堆積する工程と、
    前記第１の絶縁膜上にドット穴を形成する工程と、
    前記ドット穴が前記基板に達するように、ウェットエッチングを行う工程と、
    前記第１の絶縁膜をマスクとして前記基板に対して素子分離構造用の溝を形成する工程と、
    前記素子分離構造用の溝に第２の絶縁膜を堆積する工程と、
    前記素子分離構造用の溝からはみ出した前記第２の絶縁膜とを除去し、素子分離構造を形成する工程と、
    前記基板上の第１の絶縁膜を除去して前記基板にマーキングを形成する工程と、を備えたことを特徴とする基板のマーキング方法。

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