JP2004053914A - 液晶パネルおよび液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐光性に優れる液晶パネルおよび液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶パネル１Ａは、液晶層２と、液晶層２の両面側に配設された配向膜３Ａ、３Ａ’と、配向膜３Ａに隣接して配設された無機材料膜４Ａと、配向膜３Ａ’に隣接して配設された無機材料膜４Ａ’と、無機材料膜４Ａに隣接して配設された透明導電膜５と、無機材料膜４Ａ’に隣接して配設された透明導電膜６とを有する。無機材料膜４Ａ、４Ａ’は、主として無機材料で構成されたものである。無機材料膜４Ａ、４Ａ’は、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大吸収率が２０％以下のものである。また、配向膜３Ａ、３Ａ’は、光安定化剤を含むものである。前記光安定化剤は、ヒンダートアミン系化合物を主とするものである。配向膜３Ａ、３Ａ’中における金属イオン濃度は、５ｐｐｍ以下であるのが好ましい。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネルおよび液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
スクリーン上に画像を投影する投射型表示装置が知られている。この投射型表示装置では、その画像形成に主として液晶パネルが用いられている。
【０００３】
このような液晶パネルは、通常、２枚の配向膜と、これらに挟持された液晶層とを有しているが、配向膜、液晶層等の構成材料が、使用環境、使用時間等により、光劣化を生じることがあった。このような光劣化が起こると、配向膜、液晶層等の構成材料が分解し、その分解生成物が液晶の性能等に悪影響を及ぼすことがある。
【０００４】
このような悪影響は、紫外線の照射量の多い屋外で用いられる場合に、特に顕著に現れることが知られていたが、近年の投射型表示装置（液晶パネル）の高輝度化等に伴い、紫外線の照射量の少ない屋内等で用いる場合でも、大きな問題になりつつある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、耐光性に優れる液晶パネルおよび液晶表示装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（２６）の本発明により達成される。
【０００７】
（１）　液晶層と、
前記液晶層の両面側に配設された配向膜と、
前記配向膜の前記液晶層と対向する面とは反対の面側に配設された電極とを有する液晶パネルであって、
前記配向膜と前記電極との間に、前記配向膜と前記電極との接触を防止する、主として無機材料で構成された無機材料膜を有し、かつ、
前記配向膜のうち少なくとも一方は、光安定化剤を含むものであることを特徴とする液晶パネル。
【０００８】
（２）　光源からの光を入射させて用いる上記（１）に記載の液晶パネル。
【０００９】
（３）　少なくとも、前記液晶層の光が入射する面側に設置された前記配向膜中に前記光安定化剤が含まれる上記（２）に記載の液晶パネル。
【００１０】
（４）　少なくとも、前記液晶層の光が入射する面側に、前記無機材料膜が設置されている上記（２）または（３）に記載の液晶パネル。
【００１１】
（５）　前記無機材料膜は、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大吸収率が２０％以下のものである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１２】
（６）　前記無機材料膜の平均厚さが１〜２０ｎｍである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１３】
（７）　前記無機材料膜は、主として、バンドギャップが４ｅＶ以上の材料で構成されたものである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１４】
（８）　前記無機材料膜は、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣｓＩ、ＨｆＯ_２から選択される１種または２種以上を含む材料で構成されたものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１５】
（９）　前記無機材料膜は、気相成膜法により形成されたものである上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１６】
（１０）　前記光安定化剤は、平均分子量Ｍｗが２５０〜３０００である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１７】
（１１）　前記光安定化剤は、フェノール系化合物、芳香族アミン系化合物、サルファイド系化合物、リン系化合物、サリシレート系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ヒンダートアミン系化合物、Ｎｉ系化合物、シアノアクリレート系化合物、オキザリックアシッドアニリド系化合物、シュウ酸誘導体、サリチル酸誘導体、ヒドラジド誘導体のうち少なくとも１種を含むものである上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１８】
（１２）　前記光安定化剤は、金属イオンを除去したものである上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００１９】
（１３）　前記配向膜中における金属イオン濃度は、５ｐｐｍ以下である上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２０】
（１４）　前記配向膜中における前記光安定化剤の含有量は、５ｗｔ％以下である上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２１】
（１５）　前記配向膜は、主としてポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂で構成されたものである上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２２】
（１６）　前記配向膜は、スピンコート法により形成されたものである上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２３】
（１７）　前記配向膜の平均厚さが２０〜１２０ｎｍである上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２４】
（１８）　前記無機材料膜の平均厚さをＴｉ［ｎｍ］、前記配向膜の平均厚さをＴｏ［ｎｍ］としたとき、２０≦Ｔｉ＋Ｔｏ≦１２０の関係を満足する上記（１）ないし（１７）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２５】
（１９）　前記無機材料膜の平均厚さをＴｉ［ｎｍ］、前記配向膜の平均厚さをＴｏ［ｎｍ］としたとき、１．０≦Ｔｏ／Ｔｉ≦１２０の関係を満足する上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２６】
（２０）　前記配向膜のうちの一方について、前記液晶層と対向する面とは反対の面側に、マイクロレンズ基板が配設された上記（１）ないし（１９）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２７】
（２１）　前記マイクロレンズ基板の前記液晶層と対向する面側に、ブラックマトリックスと、該ブラックマトリックスを覆う電極としての導電膜とが設けられた上記（２０）に記載の液晶パネル。
【００２８】
（２２）　画素電極を備えた液晶駆動基板を有する上記（１）ないし（２１）のいずれかに記載の液晶パネル。
【００２９】
（２３）　前記液晶駆動基板は、マトリックス状に配設された前記画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタとを有するＴＦＴ基板である上記（２２）に記載の液晶パネル。
【００３０】
（２４）　上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【００３１】
（２５）　上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の液晶パネルを備えたライトバルブを有し、該ライトバルブを少なくとも１個用いて画像を投射することを特徴とする液晶表示装置。
【００３２】
（２６）　画像を形成する赤色、緑色および青色に対応した３つのライトバルブと、光源と、該光源からの光を赤色、緑色および青色の光に分離し、前記各光を対応する前記ライトバルブに導く色分離光学系と、前記各画像を合成する色合成光学系と、前記合成された画像を投射する投射光学系とを有する液晶表示装置であって、
前記ライトバルブは、上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の液晶パネルおよび液晶表示装置について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の液晶パネルの第１実施形態を示す模式的な縦断面図である。図１に示すように、液晶パネル１Ａは、液晶層２と、配向膜３Ａ、３Ａ’と、無機材料膜４Ａ、４Ａ’と、透明導電膜（電極）５、６と、偏光膜７Ａ、７Ａ’と、基板９、１０とを有している。
【００３５】
液晶層２は、主として、液晶分子で構成されている。
液晶層２を構成する液晶分子としては、ネマチック液晶、スメクチック液晶など配向し得るものであればいかなる液晶分子を用いても構わないが、ＴＮ型液晶パネルの場合、ネマチック液晶を形成させるものが好ましく、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体液晶、ビフェニル誘導体液晶、ビフェニルシクロヘキサン誘導体液晶、テルフェニル誘導体液晶、フェニルエーテル誘導体液晶、フェニルエステル誘導体液晶、ビシクロヘキサン誘導体液晶、アゾメチン誘導体液晶、アゾキシ誘導体液晶、ピリミジン誘導体液晶、ジオキサン誘導体液晶、キュバン誘導体液晶等が挙げられる。さらに、これらネマチック液晶分子にモノフルオロ基、ジフルオロ基、トリフルオロ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基などのフッ素系置換基を導入した液晶分子も含まれる。
【００３６】
液晶層２の両面には、配向膜３Ａ、３Ａ’が配置されている。配向膜３Ａ、３Ａ’は、液晶層２を構成する液晶分子の（電圧無印加時における）配向状態を規制する機能を有する。
【００３７】
配向膜３Ａ、３Ａ’は、通常、主として、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリビニルアルコール、ポリテトラフルオロエチレン等の高分子材料で構成されたものである。前記高分子材料の中でも特に、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が好ましい。配向膜３Ａ、３Ａ’が、主として、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂で構成されたものであると、製造工程において簡便に高分子膜を形成できるとともに、耐熱性、耐薬品性などに優れた特性を有するものとなる。
【００３８】
また、配向膜３Ａ、３Ａ’としては、通常、上記のような材料で構成された膜に、液晶層２を構成する液晶分子の配向を規制する配向機能を付与するための処理が施されたものが用いられる。配向機能を付与するための処理法としては、例えば、ラビング法、光配向法等が挙げられる。
【００３９】
ラビング法は、ローラ等を用いて、膜の表面を一定の方向に擦る（ラビングする）方法である。このような処理を施すことにより、膜はラビングした方向に異方性を有するものとなり、液晶層を構成する液晶分子の配向方向を規制することが可能となる。
【００４０】
光配向法は、直線偏光紫外線等の光を膜の表面付近に照射することにより、膜を構成する高分子のうち、特定方向を向いている分子のみを選択的に反応させる方法である。このような処理を施すことにより、膜は異方性を有するものとなり、液晶層を構成する液晶分子の配向方向を規制することが可能となる。
【００４１】
上記のような配向処理は、通常、基板上に形成された無機材料膜の表面に、前記材料で構成された膜を形成した後、当該膜に対して施される。無機材料膜の表面に成膜を行う方法としては、例えば、ディッピング、ドクターブレード、スピンコート、刷毛塗り、スプレー塗装、静電塗装、電着塗装、ロールコーター等の各種塗装・塗布法、溶射法、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング等の乾式めっき法等が挙げられるが、この中でも特に、スピンコート法が好ましい。スピンコート法を用いることにより、均質で、均一な厚さの膜を、容易かつ確実に形成することができる。
【００４２】
上述したように、配向膜３Ａ、３Ａ’は、通常、主として、高分子材料で構成されたものであるが、本発明では、配向膜中に、光安定化剤を含有することに特徴を有する。このように、配向膜中に光安定化剤が含まれることにより、液晶パネル全体としての耐光性が向上し、配向膜の耐光性が向上し、光（特に紫外線、可視光）による配向膜の構成材料や液晶層の構成材料等の劣化（分解、変性等）を効果的に防止することが可能となる。これにより、液晶層２が、分解生成物等により汚損されるのが防止され、結果として、液晶パネル１Ａの長期安定性が向上し、液晶パネル１Ａは、長期間にわたって優れた表示特性を維持することが可能となる。
【００４３】
このように、本発明によれば、耐光性に優れた液晶パネルを得ることができる。したがって、本発明は、紫外線の照射量が多い環境（例えば、屋外）や、光源から入射する光量が多い装置（例えば、後述するような投射型表示装置等）に用いられる液晶パネルのような、従来では長期間にわたって安定した特性を得るのが困難であった液晶パネルにも、好適に適用することができる。
【００４４】
光安定化剤は、配向膜３Ａ、３Ａ’の両方に含まれているのが好ましいが、これらのうち少なくとも一方に含まれていればよい。この場合、光が入射する側に設置される配向膜中に光安定化剤が含まれているのが好ましい。これにより、光による配向膜の構成材料や液晶層の構成材料等の劣化（分解、変性等）を、より効果的に防止することが可能となる。その結果、液晶パネル１Ａの長期安定性がさらに向上する。
【００４５】
本発明で用いる光安定化剤は、光の照射による配向膜の構成材料、液晶層の構成材料等の劣化、分解等を防止、抑制する効果を有するものであればいかなるものであってもよい。
【００４６】
このような光安定化剤としては、フェノール系化合物、芳香族アミン系化合物、サルファイド系化合物、リン系化合物、サリシレート系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ヒンダートアミン系化合物、Ｎｉ系化合物、シアノアクリレート系化合物、オキザリックアシッドアニリド系化合物、シュウ酸誘導体、サリチル酸誘導体、ヒドラジド誘導体、酸アミン系化合物、グアニジン類、メルカプトベンゾチアゾール金属塩（例えば、ナトリウム塩）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
以下、これらの光安定化剤について詳細に説明する。
【００４７】
［１］フェノール系化合物
フェノール系化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジサリチリデン−１，２−プロパンジアミン、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２−ｔ−ブチル−４，６−ジメチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシメチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−２−ジメチルアミノ−ｐ−クレゾール、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、ｎ−オクタデシル−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、スチレン化されたフェノール、スチレン化されたクレゾール、２−ｔ−ブチル−６−（３’−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（６−シクロヘキシル−４−メチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−６−（１−メチルシクロヘキシル）−ｐ−クレゾール、２，２’−エチリデン−ビス−（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−ブチリデン−ビス−（２−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス−（２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，６−ヘキサンジオール−ビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート］、トリ−エチレングリコール−ビス−［３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヘキサメチレンジアミン、２，２’−チオ−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオ−ジエチレン−ビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ビス［２−ｔ−ブチル−４−メチル−６−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−ヒドロキシベンジル）フェニル］テレフテート、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、トリス［２−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシヒドロ−シナモイルオキシル）エチル］イソシアヌレート、トリス−（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチル−３−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、エチル−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）リン酸の金属塩（例えばカルシウム塩）、プロピル−３，４，５−トリ−ヒドロキシベンゼンカルボネート、オクチル−３，４，５−トリ−ヒドロキシベンゼンカルボネート、ドデシル−３，４，５−トリ−ヒドロキシベンゼンカルボネート、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス−（２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサン、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−｛β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカンや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
［２］芳香族アミン系化合物
芳香族アミン系化合物としては、例えば、アルキル化ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジアリール−ｐ−フェニレンジアミン、６−エトキシ−２，２，４−トリメチル−１，２−ヒドロキノリン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−１，３−ジメチルブチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノン（高分子化されたものを含む）、アルドール−α−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−β−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジオクチル−ジフェニルアミンや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
［３］サルファイド系化合物
サルファイド系化合物としては、例えば、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−メチル−３，３’−チオジプロピオネート、ラウリル−ステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ビス［２−メチル−４−｛３−ｎ−アルキルチオプロピオニルオキシ｝−５−ｔ−ブチルフェニル］サルファイド、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプト−５−メチルベンズイミダゾールや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
［４］リン系化合物
リン系化合物としては、例えば、トリス（イソデシル）ホスファイト、トリス（トリデシル）ホスファイト、フェニルジイソオクチルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、フェニルジ（トリデシル）ホスファイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、ジフェニルトリデシルホスファイト、ホスホナスアシッド［１，１−ジフェニル−４，４’−ジイルビステトラキス［２，４−ビス（１，１−ジメチルエチル）フェニル］エステル、トリフェニルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、４，４’−イソプロピリデン−ジフェノールアルキルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ビフェニル）ホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、フェニル−ビスフェノールＡ　ペンタエリスリトールジフォスファイト、テトラトリデシル−４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）−ジホスファイト、ヘキサトリデシル１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタントリホスファイト、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスフェート　ジエチルエステル、９，１０−ジヒドロ−９−エクサ−１０−ホスホフェナンスレン−１０−オキシド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）リン酸の金属塩（例えば、ナトリウム塩）、２，２’−メチレン−ビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）リン酸の金属塩（例えば、ナトリウム塩）、１，３−ビス（ジフェノキシホスホニルオキシ）ベンゼンや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５１】
［５］サリシレート系化合物
サリシレート系化合物としては、例えば、フェニルサリシレート、４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンゾエート、４−ｔ−オクチルフェニルサリシレートや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５２】
［６］ベンゾフェノン系化合物
ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−５−スルホン酸、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−ドデシルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ベンジルオキシベンゾフェノン、ビス（５−ベンゾイル−４−ヒドロキシ−２−メトキシフェニル）メタン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ドデシルオキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−カルボキシベンゾフェノンや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５３】
［７］ベンゾトリアゾール系化合物
ベンゾトリアゾール系化合物としては、例えば、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、トリルトリアゾール金属塩（例えば、カリウム塩）、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’，５’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−アミル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２’−メチレン−ビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｎ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］や、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
［８］ヒンダートアミン系化合物
ヒンダートアミン系化合物としては、例えば、フェニル−４−ピペリジニルカーボネート、ビス−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）セバケート、ビス−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）セバケート、ビス−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジニル）−２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロネート、ポリ［［６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル］［（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ］ヘキサメチレン［（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノール］］、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、１，１’−（１，２−エタンジイル）ビス（３，３，５，５−テトラメチルピペラジノン）、コハク酸と４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの共重合体、２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル−１，２，３，４−ブタン−テトラカルボキシレート、２，２，６，６−テトラメチル−４−トリデシル−１，２，３，４−ブタン−テトラカルボキシレート、１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル−１，２，３，４−ブタン−テトラカルボキシレート、１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−トリデシル−１，２，３，４−ブタン−テトラカルボキシレート、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸と１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジノールとβ，β，β，β−テトラメチル−３，９−（２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン）ジエタノールとの縮合物や、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
［９］Ｎｉ系化合物
Ｎｉ系化合物としては、例えば、［２，２’−チオ−ビス（４−ｔ−オクチルフェノレート）］−２−エチルヘキシルアミンニッケル（ＩＩ）、ニッケルジブチル−ジチオカルバメート、［２，２’−チオ−ビス（４−ｔ−オクチルフェノラート）］−ｎ−ブチルアミンニッケル（ＩＩ）、ニッケル−ビス（オクチルフェニル）サルファイド、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル酸モノエチルエステル−Ｎｉ錯体、２，２’−チオ−ビス（４−ｔ−オクチルフェノラート）トリエタノールアミンニッケル（ＩＩ）や、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５６】
［１０］シアノアクリレート系化合物
シアノアクリレート系化合物としては、例えば、エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニルアクリレート、ブチル−２−シアノ−３−メチル−３−（ｐ−メトキシフェニル）アクリレートや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５７】
［１１］オキザリックアシッドアニリド系化合物
オキザリックアシッドアニリド系化合物としては、例えば、２−エトキシ−２’−エチルオキザリックアシッドビスアニリド、２−エトキシ−５−ｔ−ブチル−２’−エチルオキザリックアシッドビスアニリドや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５８】
［１２］シュウ酸誘導体
シュウ酸誘導体としては、例えば、シュウ酸−ビス（ベンジリデンヒドラジド）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛２−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシル］エチル｝オキサミドや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５９】
［１３］サリチル酸誘導体
サリチル酸誘導体としては、例えば、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾール、１，１２−ドデカン酸−ビス［２−（２−ヒドロキシベンゾイル）ヒドラジド］、Ｎ−サリチロイル−Ｎ’−サリチリデンヒドラジンや、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６０】
［１４］ヒドラジド誘導体
ヒドラジド誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジン、イソフタル酸−ビス［２−フェノキシプロピオニルヒドラジド］や、これらの誘導体（例えば、アルキル、アリール置換体）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６１】
［１５］その他
その他の光安定化剤としては、例えば、酸アミン系化合物、グアニジン類、メルカプトベンゾチアゾール金属塩（例えば、ナトリウム塩）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６２】
以上説明したものの中でも、光安定化剤としては、フェノール系化合物、芳香族アミン系化合物、サルファイド系化合物、リン系化合物、サリシレート系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ヒンダートアミン系化合物、Ｎｉ系化合物、シアノアクリレート系化合物、オキザリックアシッドアニリド系化合物、シュウ酸誘導体、サリチル酸誘導体、ヒドラジド誘導体のうち少なくとも１種を含むものが好ましく、ベンゾトリアゾール系化合物またはヒンダートアミン系化合物を主とするものがより好ましい。光安定化剤としてこのような材料を用いることにより、上述した効果がさらに顕著なものとなる。
【００６３】
特に、光安定化剤として、ベンゾトリアゾール系化合物またはヒンダートアミン系化合物を主とするものを用いた場合、用いる光源（例えば、後述する投射型表示装置の光源やバックライト）の波長領域での耐光性が、特に優れたものとなる。また、耐光性の向上とともに、耐熱性も向上し、熱分解反応の発生等も効果的に防止することができる。その結果、液晶パネル１Ａ全体としての安定性がさらに優れたものとなる。
【００６４】
また、ベンゾトリアゾール系化合物、ヒンダートアミン系化合物は、上述した配向膜の主成分（例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリビニルアルコール、ポリテトラフルオロエチレン等の高分子材料）との相溶性が特に優れており、また、配向膜の主成分との化学反応等を生じ難い。このため、光安定化剤として、ベンゾトリアゾール系化合物またはヒンダートアミン系化合物を主とするものを用いることにより、配向膜として求められる機能を十分に保持しつつ、液晶パネル１Ａの耐光性をさらに優れたものとすることができる。
【００６５】
光安定化剤の平均分子量Ｍｗは、２５０〜３０００であるのが好ましく、４００〜２５００であるのがより好ましい。光安定化剤の平均分子量Ｍｗが前記下限値未満であると、光安定化剤が液晶層２等に移行し易くなり、液晶層２の機能が低下する可能性がある。一方、光安定化剤の平均分子量Ｍｗが前記上限値を超えると、高分子材料で構成された配向膜との相溶性が低下し、均一な高分子膜が形成できない可能性がある。
【００６６】
また、配向膜中に含まれる光安定化剤は、金属イオンを除去したものであるのが好ましい。これにより、液晶パネル１Ａの長期安定性がさらに向上する。金属イオンの除去は、例えば、イオン交換樹脂を用いた精製等により行うことができる。
【００６７】
配向膜中の金属イオン濃度は、５ｐｐｍ以下であるのが好ましく、０．５ｐｐｍ以下であるのがより好ましく、０．１０ｐｐｍ以下であるのがさらに好ましい。このように、金属イオン濃度を十分に低くすることにより、上記のような効果はさらに顕著なものとなる。一方、配向膜中の金属イオン濃度が大きすぎると、金属イオンが液晶層２等に移行し易くなり、電圧保持率の低下等の液晶層２の機能低下を生じる可能性がある。
【００６８】
配向膜中における光安定化剤の含有量は、例えば、５ｗｔ％以下であるのが好ましく、０．２〜３．０ｗｔ％であるのがより好ましく、０．５〜１．５ｗｔ％であるのがさらに好ましい。
【００６９】
配向膜中における光安定化剤の含有量が前記下限値未満であると、液晶表示パネルの使用環境等によっては、本発明の効果が十分に得られない可能性がある。一方、配向膜中における光安定化剤の含有量が前記上限値を越えると、配向膜としての特性が低下し、電圧無印加時における液晶分子の配向特性が低下する可能性がある。
【００７０】
このような配向膜は、その平均厚さが２０〜１２０ｎｍであるのが好ましく、３０〜８０ｎｍであるのがより好ましい。
【００７１】
配向膜の平均厚さが前記下限値未満であると、配向膜に十分な配向機能を付与するのが困難になるとともに、本発明の効果が十分に得られない可能性がある。
一方、配向膜の平均厚さが前記上限値を超えると、駆動電圧が高くなり、消費電力が大きくなる可能性がある。
【００７２】
なお、光安定化剤は、配向膜中に均一に分散したものであってもよいし、そうでなくてもよい。例えば、配向膜は、その厚さ方向に、光安定化剤の含有率が変化するものであってもよい。
【００７３】
また、配向膜は、例えば、その少なくとも一部が、配向膜と一体化したものであってもよい。
【００７４】
また、光安定化剤が、配向膜３Ａおよび配向膜３Ａ’に含まれる場合、光安定化剤の含有量は、互いに同一であってもよいし、異なるものであってもよい。
【００７５】
配向膜３Ａの外表面側（液晶層２と対向する面とは反対の面側）には、透明導電膜（電極）５が配置されている。同様に、配向膜３Ａ’の外表面側（液晶層２と対向する面とは反対の面側）には、透明導電膜（電極）６が配置されている。
【００７６】
透明導電膜５、６は、これらの間で通電を行うことにより、液晶層２の液晶分子を駆動する（配向を変化させる）機能を有する。
【００７７】
透明導電膜５、６間での通電の制御は、透明導電膜に接続された制御回路（図示せず）から供給する電流を制御することにより行われる。
【００７８】
透明導電膜５、６は、導電性を有しており、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）等で構成されている。
【００７９】
ところで、このような透明導電膜の構成材料は、優れた導電性と透明性とを兼ね備えており、従来から液晶パネルに適用されてきた。しかしながら、このような材料は、光量の大きい光や紫外線領域の光により、例えば、有機材料の分解反応等を促進する光触媒としての作用を発揮する。このため、近年における、液晶パネルの高輝度化や使用環境の多様化（例えば、屋外での使用）に伴い、透明導電膜（電極）の構成材料が、配向膜等の構成材料を分解し、液晶パネルの表示特性に悪影響を与えることがある。
【００８０】
そこで、本発明では、配向膜と透明導電膜（電極）との間に、主として無機材料で構成された無機材料膜を配設することにした。これにより、配向膜と電極との接触が防止される（配向膜と透明導電膜とが遮断される）。したがって、前記光触媒反応等による配向膜の分解等が防止され、その結果、液晶パネル全体としての耐光性、長期安定性が向上する。
【００８１】
図１に示すように、本実施形態では、配向膜３Ａと透明導電膜（電極）５との間には、無機材料膜４Ａが配置されており、同様に、配向膜３Ａ’と透明導電膜（電極）６との間には、無機材料膜４Ａ’が配置されている。
【００８２】
無機材料膜は、主として無機材料で構成されたものであれば、特に限定されないが、以下のような条件を満足するものであるのが好ましい。
【００８３】
無機材料膜は、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の吸収率が、２０％以下であるのが好ましく、１０％以下であるのがより好ましい。３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大吸収率が２０％を超えると、緑色〜青色の光の透過率が相対的に低下し、液晶パネルの高輝度化が困難になる場合がある。また、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大吸収率が２０％を超えると、無機材料膜自体が光触媒として作用し、配向膜の分解反応等を十分に防止することが困難となる場合がある。
【００８４】
また、無機材料膜は、主として、バンドギャップが、４ｅＶ以上の材料で構成されたものであるのが好ましく、６〜１５ｅＶの材料で構成されたものであるのがより好ましい。無機材料膜が４ｅＶ未満の材料で構成されたものであると、無機材料膜自体が光触媒として作用し、配向膜の分解反応等を十分に防止することが困難となる場合がある。
【００８５】
上記のような条件を満足するような材料としては、例えば、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣｓＩ、ＨｆＯ_２等が挙げられる。この中でも特に、ＭｇＦ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣａＦ_２が好ましい。
【００８６】
無機材料膜は、その平均厚さが１〜２０ｎｍであるのが好ましく、５〜１０ｎｍであるのがより好ましい。
【００８７】
無機材料膜の平均厚さが前記下限値未満であると、無機材料膜の構成材料によっては、無機材料膜の機能が十分に発揮されない場合がある。すなわち、成膜後の塗膜上にピンホールが多く存在し、電極材料の光触媒としての作用を十分に防止することができない場合がある。一方、無機材料膜の平均厚さが前記上限値を超えると、無機材料膜における光の吸収率が高くなるとともに、駆動電圧が上昇し消費電力が大きくなり、さらに焼付き現象を起こし易くなるなど、液晶パネルとしての特性が低下する。
【００８８】
また、無機材料膜の平均厚さをＴｉ［ｎｍ］、配向膜の平均厚さをＴｏ［ｎｍ］としたとき、２０≦Ｔｉ＋Ｔｏ≦１２０の関係を満足するのが好ましく、３０≦Ｔｉ＋Ｔｏ≦９０の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、消費電力を低く保ちながら、耐光性に優れた液晶パネルを形成できる。
【００８９】
また、無機材料膜の平均厚さをＴｉ［ｎｍ］、配向膜の平均厚さをＴｏ［ｎｍ］としたとき、１．０≦Ｔｏ／Ｔｉ≦１２０の関係を満足するのが好ましく、３．０≦Ｔｏ／Ｔｉ≦２０の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、消費電力を低く保ちながら、耐光性に優れた液晶パネルを形成できる。
【００９０】
無機材料膜の形成方法は、特に限定されないが、真空蒸着、スパッタリング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、イオンプレーティング等の気相成膜法が好ましい。気相成膜法を用いることにより、均一で緻密な薄膜が得られ、配向膜と透明電極の接触が完全に遮断される。このような効果は、真空蒸着を用いたときにより顕著に表れる。
【００９１】
なお、無機材料膜は、各部位で均一な組成を有するものであってもよいし、各部位で組成の異なるものであってもよい。例えば、無機材料膜は、その厚さ方向に、組成が連続的または非連続的（段階的）に変化するものであってもよい。
【００９２】
また、光安定化膜は、例えば、複数の層の積層体であってもよい。このように、無機材料膜を積層体として形成することにより、例えば、無機材料膜の、前記波長領域の光の吸収率を、容易かつ確実にコントロールすることができる。また、無機材料膜を積層体として形成することにより、隣接する部材（配向膜、透明電極）との、密着性を特に優れたものにすることができる。
無機材料膜を積層体として形成する場合、配向膜側の層の構成材料としてＣａＦ_２を用い、かつ、透明電極側の層の構成材料としてＡｌ_２Ｏ_３を用いるのが好ましい。このような材料の組み合わせとすることにより、配向膜および透明電極との、密着性を特に優れたものにすることができるとともに、無機材料膜全体としての、前記波長領域の光の吸収率を特に低いものにすることができる。
【００９３】
透明導電膜５の外表面側（無機材料膜４Ａと対向する面とは反対の面側）には、基板９が配置されている。同様に、透明導電膜６の外表面側（無機材料膜４Ａ’と対向する面とは反対の面側）には、基板１０が配置されている。
【００９４】
基板９、１０は、前述した液晶層２、配向膜３Ａ、３Ａ’、無機材料膜４Ａ、４Ａ’、透明導電膜５、６、および後述する偏光膜７Ａ、８Ａを支持する機能を有している。基板９、１０の構成材料は、特に限定されず、例えば、石英ガラス等のガラスやポリエチレンテレフタレート等のプラスチック材料等が挙げられる。この中でも特に、石英ガラス等のガラスで構成されたものであるのが好ましい。これにより、そり、たわみ等の生じにくい、より安定性に優れた液晶パネルを得ることができる。なお、図１では、シール材、配線等の記載は省略した。
【００９５】
基板９の外表面側（透明導電膜５と対向する面とは反対の面側）には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）７Ａが配置されている。同様に、基板１０の外表面側（透明導電膜６と対向する面とは反対の面側）には、偏光膜（偏光板、偏光フィルム）８Ａが配置されている。
【００９６】
偏光膜７Ａ、８Ａの構成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等が挙げられる。また、偏光膜としては、前記材料にヨウ素をドープしたもの等を用いてもよい。
【００９７】
偏光膜としては、例えば、上記材料で構成された膜を一軸方向に延伸したものを用いることができる。
【００９８】
このような偏光膜７Ａ、８Ａに配置することにより、通電量の調節による光の透過率の制御をより確実に行うことができる。
【００９９】
偏光膜７Ａ、８Ａの偏光軸の方向は、通常、配向膜３Ａ、３Ａ’の配向方向に応じて決定される。
【０１００】
図２は、本発明の液晶パネルの第２実施形態を示す模式的な縦断面図である。以下、図２に示す液晶パネル１Ｂについて、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１０１】
図２に示すように、液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１Ｂは、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７と、ＴＦＴ基板１７に接合された無機材料膜４Ｂと、無機材料膜４Ｂに接合された配向膜３Ｂと、液晶パネル用対向基板１２と、液晶パネル用対向基板１２に接合された無機材料膜４Ｂ’と、無機材料膜４Ｂ’に接合された配向膜３Ｂ’と、配向膜３Ｂと配向膜３Ｂ’との空隙に封入された液晶よりなる液晶層２と、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７の外表面側（無機材料膜４Ｂと対向する面とは反対の面側）に接合された偏光膜７Ｂと、液晶パネル用対向基板１２の外表面側（無機材料膜４Ｂ’と対向する面とは反対の面側）に接合された偏光膜８Ｂとを有している。配向膜３Ｂ、３Ｂ’は、前記第１実施形態で説明した配向膜３Ａ、３Ａ’と同様なものであり、無機材料膜４Ｂ、４Ｂ’は、前記第１実施形態で説明した無機材料膜４Ａ、４Ａ’と同様なものであり、偏光膜７Ｂ、８Ｂは、前記第１実施形態で説明した偏光膜７Ａ、８Ａと同様なものである。
【０１０２】
液晶パネル用対向基板１２は、マイクロレンズ基板１１と、かかるマイクロレンズ基板１１の表層１１４上に設けられ、開口１３１が形成されたブラックマトリックス１３と、表層１１４上にブラックマトリックス１３を覆うように設けられた透明導電膜（共通電極）１４とを有している。
【０１０３】
マイクロレンズ基板１１は、凹曲面を有する複数（多数）の凹部（マイクロレンズ用凹部）１１２が設けられたマイクロレンズ用凹部付き基板（第１の基板）１１１と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板１１１の凹部１１２が設けられた面に樹脂層（接着剤層）１１５を介して接合された表層（第２の基板）１１４とを有しており、また、樹脂層１１５では、凹部１１２内に充填された樹脂によりマイクロレンズ１１３が形成されている。
【０１０４】
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、平板状の母材（透明基板）より製造され、その表面には、複数（多数）の凹部１１２が形成されている。凹部１１２は、例えば、マスクを用いた、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等により形成することができる。
【０１０５】
このマイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、例えば、ガラス等で構成されている。
【０１０６】
前記母材の熱膨張係数は、ガラス基板１７１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）であることが好ましい。これにより、得られる液晶パネルでは、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。
【０１０７】
かかる観点からは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と、ガラス基板１７１とは、同種類の材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違によるそり、たわみ、剥離等が効果的に防止される。
【０１０８】
特に、マイクロレンズ基板１１を高温ポリシリコンのＴＦＴ液晶パネルに用いる場合には、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１は、石英ガラスで構成されていることが好ましい。ＴＦＴ液晶パネルは、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を有している。かかるＴＦＴ基板には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を石英ガラスで構成することにより、そり、たわみ等の生じにくい、安定性に優れたＴＦＴ液晶パネルを得ることができる。
【０１０９】
マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の上面には、凹部１１２を覆う樹脂層（接着剤層）１１５が設けられている。
【０１１０】
凹部１１２内には、樹脂層１１５の構成材料が充填されることにより、マイクロレンズ１１３が形成されている。
【０１１１】
樹脂層１１５は、例えば、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の構成材料の屈折率よりも高い屈折率の樹脂（接着剤）で構成することができ、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系のような紫外線硬化樹脂等で好適に構成することができる。
【０１１２】
樹脂層１１５の上面には、平板状の表層１１４が設けられている。
表層（ガラス層）１１４は、例えばガラスで構成することができる。この場合、表層１１４の熱膨張係数は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１の熱膨張係数とほぼ等しいもの（例えば両者の熱膨張係数の比が１／１０〜１０程度）とすることが好ましい。これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４の熱膨張係数の相違により生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。このような効果は、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１と表層１１４とを同種類の材料で構成すると、より効果的に得られる。
【０１１３】
表層１１４の厚さは、マイクロレンズ基板１１が液晶パネルに用いられる場合、必要な光学特性を得る観点からは、通常、５〜１０００μｍ程度とされ、より好ましくは１０〜１５０μｍ程度とされる。
【０１１４】
なお、表層（バリア層）１１４は、例えばセラミックスで構成することもできる。なお、セラミックスとしては、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物系セラミックス、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等の酸化物系セラミックス、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＴａＣ等の炭化物系セラミックスなどが挙げられる。表層１１４をセラミックスで構成する場合、表層１１４の厚さは、特に限定されないが、２０ｎｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度とすることがより好ましい。
なお、このような表層１１４は、必要に応じて省略することができる。
【０１１５】
ブラックマトリックス１３は、遮光機能を有し、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ等の金属、カーボンやチタン等を分散した樹脂等で構成されている。
【０１１６】
透明導電膜（電極）１４は、導電性を有し、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）等で構成されている。
【０１１７】
ＴＦＴ基板１７は、液晶層２の液晶を駆動する基板であり、ガラス基板１７１と、かかるガラス基板１７１上に設けられ、マトリックス状（行列状）に配設された複数（多数）の画素電極１７２と、各画素電極１７２に対応する複数（多数）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７３とを有している。なお、図２では、シール材、配線等の記載は省略した。
【０１１８】
ガラス基板１７１は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
【０１１９】
画素電極１７２は、透明導電膜（共通電極）１４との間で充放電を行うことにより、液晶層２の液晶を駆動する。この画素電極１７２は、例えば、前述した透明導電膜１４と同様の材料で構成されている。
【０１２０】
薄膜トランジスタ１７３は、近傍の対応する画素電極１７２に接続されている。また、薄膜トランジスタ１７３は、図示しない制御回路に接続され、画素電極１７２へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極１７２の充放電が制御される。
【０１２１】
無機材料膜４Ｂは、ＴＦＴ基板１７の画素電極１７２と接合しており、無機材料膜４Ｂ’は、液晶パネル用対向基板１２の透明導電膜１４と接合している。また、配向膜３Ｂは、無機材料膜４Ｂと接合しており、配向膜３Ｂ’は、無機材料膜４Ｂ’と接合している。
【０１２２】
液晶層２は液晶分子を含有しており、画素電極１７２の充放電に対応して、かかる液晶分子、すなわち液晶の配向が変化する。
【０１２３】
このような液晶パネル１Ｂでは、通常、１個のマイクロレンズ１１３と、かかるマイクロレンズ１１３の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス１３の１個の開口１３１と、１個の画素電極１７２と、かかる画素電極１７２に接続された１個の薄膜トランジスタ１７３とが、１画素に対応している。
【０１２４】
液晶パネル用対向基板１２側から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ用凹部付き基板１１１を通り、マイクロレンズ１１３を通過する際に集光されつつ、樹脂層１１５、表層１１４、ブラックマトリックス１３の開口１３１、透明導電膜１４、液晶層２、画素電極１７２、ガラス基板１７１を透過する。このとき、マイクロレンズ基板１１の入射側に偏光膜８Ｂが設けられているため、入射光Ｌが液晶層２を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層２の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１Ｂを透過した入射光Ｌを偏光膜７Ｂに透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
【０１２５】
このように、液晶パネル１Ｂは、マイクロレンズ１１３を有しており、しかも、マイクロレンズ１１３を通過した入射光Ｌは、集光されてブラックマトリックス１３の開口１３１を通過する。一方、ブラックマトリックス１３の開口１３１が形成されていない部分では、入射光Ｌは遮光される。したがって、液晶パネル１Ｂでは、画素以外の部分から不要光が漏洩することが防止され、かつ、画素部分での入射光Ｌの減衰が抑制される。このため、液晶パネル１Ｂは、画素部で高い光の透過率を有する。
【０１２６】
この液晶パネル１Ｂは、例えば、公知の方法により製造されたＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１２とに、それぞれ、無機材料膜４Ｂ、４Ｂ’を接合し、さらに、これらの表面に、配向膜３Ｂ、３Ｂ’を接合し、その後、シール材（図示せず）を介して両者を接合し、次いで、これにより形成された空隙部の封入孔（図示せず）から液晶を空隙部内に注入し、次いで、かかる封入孔を塞ぐことにより製造することができる。
【０１２７】
なお、上記液晶パネル１Ｂでは、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を用いたが、液晶駆動基板にＴＦＴ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、ＳＴＮ基板などを用いてもよい。
【０１２８】
次に、本発明の液晶表示装置の一例として、上記液晶パネル１Ｂを用いた投射型表示装置（液晶プロジェクター）について説明する。
【０１２９】
図３は、本発明の液晶表示装置（投射型表示装置）の光学系を模式的に示す図である。
同図に示すように、投射型表示装置３００は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２５と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）２１と、投射レンズ（投射光学系）２２とを有している。
【０１３０】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有している。
【０１３１】
液晶ライトバルブ２５は、前述した液晶パネル１Ｂを備えている。液晶ライトバルブ２４および２６も、液晶ライトバルブ２５と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４、２５および２６が備えている液晶パネル１Ｂは、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
【０１３２】
なお、投射型表示装置３００では、ダイクロイックプリズム２１と投射レンズ２２とで、光学ブロック２０が構成されている。また、この光学ブロック２０と、ダイクロイックプリズム２１に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４、２５および２６とで、表示ユニット２３が構成されている。
【０１３３】
以下、投射型表示装置３００の作用を説明する。
光源３０１から出射された白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一にされる。光源３０１から出射される白色光は、その光強度が比較的大きいものであるのが好ましい。これにより、スクリーン３２０上に形成される画像をより鮮明なものとすることができる。また、投射型表示装置３００では、耐光性に優れた液晶パネル１Ｂを用いているため、光源３０１から出射される光の強度が大きい場合であっても、優れた長期安定性が得られる。
【０１３４】
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図３中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図３中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
【０１３５】
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図３中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４に入射する。
【０１３６】
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図３中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
【０１３７】
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５に入射する。
【０１３８】
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）３０８で図３中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図３中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６に入射する。
【０１３９】
このように、光源３０１から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
【０１４０】
この際、液晶ライトバルブ２４が有する液晶パネル１Ｂの各画素（薄膜トランジスタ１７３とこれに接続された画素電極１７２）は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。
【０１４１】
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５および２６に入射し、それぞれの液晶パネル１Ｂで変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５が有する液晶パネル１Ｂの各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６が有する液晶パネル１Ｂの各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
【０１４２】
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４、２５および２６で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
【０１４３】
前記液晶ライトバルブ２４により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４からの赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図３中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４４】
また、前記液晶ライトバルブ２５により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４５】
また、前記液晶ライトバルブ２６により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図３中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４６】
このように、前記液晶ライトバルブ２４、２５および２６からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４、２５および２６により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム２１により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【０１４７】
以上、本発明の液晶パネルおよび液晶表示装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１４８】
例えば、前述した実施形態では、液晶層の両面側にそれぞれ、無機材料膜が設けられた構成について説明したが、少なくとも、１つの無機材料膜を有するものであればよい。この場合、少なくとも、光源からの光が入射する側に、無機材料膜が設置されているのが好ましい。
【０１４９】
また、前記光安定化剤は、配向膜以外の部位（例えば、無機材料膜中や液晶層中等）にも含まれていてもよい。これにより、液晶分子等の光劣化をより効果的に防止、抑制することが可能となり、液晶パネル、液晶表示装置としての長期安定性は、さらに優れたものとなる。
【０１５０】
また、前述した実施形態では、透明導電膜（電極）の表面に無機材料膜が形成され、さらにその表面に配向膜が積層された構成について説明したが、例えば、透明導電膜（電極）と無機材料膜との間や、無機材料膜と配向膜との間には、中間層が設けられていてもよい。
【０１５１】
また、前述した実施形態では、液晶表示装置の一例として投射型表示装置について説明したが、本発明の液晶表示装置は、これに限定されない。本発明を適用することが可能な液晶表示装置としては、この他に、例えば、携帯電話や腕時計およびワープロやパソコンなどの電子機器や屋外に設置される液晶ディスプレイ等が挙げられる。
【０１５２】
また、前述した実施形態では、投射型表示装置（液晶表示装置）は、３個の液晶パネルを有するものであり、これらの全てに本発明の液晶パネル（光安定化剤を含む配向膜と、無機材料膜とを有する液晶パネル）を適用したものについて説明したが、少なくともこれらのうち１個が、本発明の液晶パネルであればよい。この場合、少なくとも、青色用の液晶ライトバルブに用いられる液晶パネルに本発明を適用するのが好ましい。
【０１５３】
【実施例】
［液晶パネルの製造］
以下のようにして、図２に示すような液晶パネルを製造した。
【０１５４】
（実施例１）
まず、以下のようにして、マイクロレンズ基板を製造した。
【０１５５】
厚さ約１．２ｍｍの未加工の石英ガラス基板（透明基板）を母材として用意し、これを８５℃の洗浄液（硫酸と過酸化水素水との混合液）に浸漬して洗浄を行い、その表面を清浄化した。
【０１５６】
その後、この石英ガラス基板の表面および裏面に、ＣＶＤ法により、厚さ０．４μｍの多結晶シリコンの膜を形成した。
【０１５７】
次に、形成した多結晶シリコン膜に、形成する凹部に対応した開口を形成した。
【０１５８】
これは、次のようにして行った。まず、多結晶シリコン膜上に、形成する凹部のパターンを有するレジスト層を形成した。次に、多結晶シリコン膜に対してＣＦガスによるドライエッチングを行ない、開口を形成した。次に、前記レジスト層を除去した。
【０１５９】
次に、石英ガラス基板をエッチング液（１０ｗｔ％フッ酸＋１０ｗｔ％グリセリンの混合水溶液）に１２０分間浸漬してウエットエッチング（エッチング温度３０℃）を行い、石英ガラス基板上に凹部を形成した。
【０１６０】
その後、石英ガラス基板を、１５ｗｔ％テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に５分間浸漬して、表面および裏面に形成した多結晶シリコン膜を除去することにより、マイクロレンズ用凹部付き基板を得た。
【０１６１】
次に、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板の凹部が形成された面に、紫外線（ＵＶ）硬化型アクリル系の光学接着剤（屈折率１．６０）を気泡なく塗布し、次いで、かかる光学接着剤に石英ガラス製のカバーガラス（表層）を接合し、次いで、かかる光学接着剤に紫外線を照射して光学接着剤を硬化させ、積層体を得た。
【０１６２】
その後、カバーガラスを厚さ５０μｍに研削、研磨して、マイクロレンズ基板を得た。
なお、得られたマイクロレンズ基板では、樹脂層の厚みは１２μｍであった。
【０１６３】
以上のようにして得られたマイクロレンズ基板について、スパッタリング法およびフォトリソグラフィー法を用いて、カバーガラスのマイクロレンズに対応した位置に開口が設けられた厚さ０．１６μｍの遮光膜（Ｃｒ膜）、すなわち、ブラックマトリックスを形成した。さらに、ブラックマトリックス上に厚さ０．１５μｍのＩＴＯ膜（透明導電膜）をスパッタリング法により形成し、液晶パネル用対向基板を製造した。
【０１６４】
このようにして得られた液晶パネル用対向基板の透明導電膜上に、無機材料膜を真空蒸着（ＥＢ法）により形成した。
真空蒸着は、蒸発源として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用い、ＥＢ電流値：２００ｍＡ、成膜時間：４４秒間、液晶パネル用対向基板温度：２００℃、ベース圧力：５．００×１０^−３［Ｐａ］という条件で行った。形成された無機材料膜の平均厚さＴｉは、２０ｎｍであった。また、形成された無機材料膜の、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大透過率は、１０％であった。なお、酸化マグネシウムのバンドギャップは、７．８ｅＶである。
【０１６５】
次に、上記のようにして形成された無機材料膜の表面に配向膜を以下のようにして形成した。
まず、ポリイミド系樹脂の溶液（日本合成ゴム株式会社製：ＡＬ６２５６）を用意し、これに光安定化剤として旭電化工業株式会社製のアデカスタブ　ＬＡ−６３Ｐ（ヒンダートアミン系化合物：１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸と１，２，２，６，６−ぺンタメチル−４−ピペリジノールとβ，β，β，β−テトラメチル−３，９−（２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン）ジエタノールとの縮合物（平均分子量Ｍｗ：約２０００）を主とする光安定化剤）を加えた。このようにして得られた組成物中における光安定化剤の添加量は、樹脂固形分に対して０．５ｗｔ％とした。
次に、上記のようにして得られた組成物を用いて、スピンコート法により、無機材料膜の表面に、平均厚さ５０ｎｍの膜を形成した。
このようにして形成された膜に、プレチルドが２〜３°となるように、ラビング処理を施し、配向膜（平均厚さＴｏ：５０ｎｍ）とした。
【０１６６】
また、別途用意したＴＦＴ基板（石英ガラス製）の表面にも、上記と同様にして、無機材料膜、配向膜を積層した。
【０１６７】
無機材料膜、配向膜が形成された液晶パネル用対向基板と、無機材料膜、配向膜が形成されたＴＦＴ基板とを、シール材を介して接合した。この接合は、液晶層を構成する液晶分子が左ツイストするように配向膜の配向方向が９０°ずれるように行った。
【０１６８】
次に、配向膜−配向膜間に形成された空隙部の封入孔から液晶（メルク社製：ＭＪ９９２４７）を空隙部内に注入し、次いで、かかる封入孔を塞いだ。形成された液晶層の厚さは、約３μｍであった。
【０１６９】
その後、液晶パネル用対向基板の外表面側と、ＴＦＴ基板の外表面側とに、それぞれ、偏光膜８Ｂ、偏光膜７Ｂを接合することにより、図２に示すような構造のＴＦＴ液晶パネルを製造した。偏光膜としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）で構成された膜を一軸方向に延伸したものを用いた。なお、偏光膜７Ｂ、偏光膜８Ｂの接合方向は、それぞれ、配向膜３Ｂ、配向膜３Ｂ’の配向方向に基づき決定した。すなわち、電圧印可時には入射光が透過せず、電圧無印可時には入射光が透過するように、偏光膜７Ｂ、偏光膜８Ｂを接合した。
【０１７０】
（実施例２〜５）
配向膜中における光安定化剤の含有量、配向膜の平均厚さＴｏ、無機材料膜の平均厚さＴｉを表１に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１７１】
（実施例６）
配向膜中に含まれる光安定化剤として、金属イオンの除去操作を施したものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。なお、金属イオンの除去は、イオン交換樹脂を用いて行った。
【０１７２】
（実施例７〜１０）
配向膜中における光安定化剤の含有量、配向膜の平均厚さＴｏ、無機材料膜の平均厚さＴｉを表１に示すように変更した以外は、前記実施例６と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１７３】
（実施例１１）
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）を用いた真空蒸着（ＥＢ法）により無機材料膜を形成した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
真空蒸着は、ＥＢ電流値：４０ｍＡ、成膜時間：３５秒間、液晶パネル用対向基板温度：３００℃、ベース圧力：５．００×１０^−３［Ｐａ］という条件で行った。形成された無機材料膜の平均厚さＴｉは、１５ｎｍであった。また、形成された無機材料膜の、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大透過率は、８％であった。なお、フッ化マグネシウムのバンドギャップは、１１．０ｅＶである。
【０１７４】
（実施例１２〜１５）
配向膜中における光安定化剤の含有量、配向膜の平均厚さＴｏ、無機材料膜の平均厚さＴｉを表１に示すように変更した以外は、前記実施例１１と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１７５】
（実施例１６）
配向膜中に含まれる光安定化剤として、金属イオンの除去操作を施したものを用いた以外は、前記実施例１１と同様にして液晶パネルを製造した。なお、金属イオンの除去は、イオン交換樹脂を用いて行った。
【０１７６】
（実施例１７〜２０）
配向膜中における光安定化剤の含有量、配向膜の平均厚さＴｏ、無機材料膜の平均厚さＴｉを表１に示すように変更した以外は、前記実施例１６と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１７７】
（実施例２１）
光安定化膜中における光安定化剤として、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のＴＩＮＵＶＩＮ　２３４（ベンゾトリアゾール系化合物：２−［２’−ヒドロキシ−３’，５’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾール（平均分子量Ｍｗ：４４８）を主とする光安定化剤）を用い、無機材料膜を酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を用いた真空蒸着（ＥＢ法）により形成した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
真空蒸着は、ＥＢ電流値：１６０ｍＡ、成膜時間：２５秒間、液晶パネル用対向基板温度：２００℃、ベース圧力：５．００×１０^−３［Ｐａ］という条件で行った。形成された無機材料膜の平均厚さＴｉは、２０ｎｍであった。また、形成された無機材料膜の、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大透過率は、１０％であった。なお、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）のバンドギャップは、８．９５ｅＶである。
【０１７８】
（実施例２２〜２５）
配向膜中における光安定化剤の含有量、配向膜の平均厚さＴｏ、無機材料膜の平均厚さＴｉを表１に示すように変更した以外は、前記実施例２１と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１７９】
（実施例２６）
配向膜中に含まれる光安定化剤として、金属イオンの除去操作を施したものを用いた以外は、前記実施例２１と同様にして液晶パネルを製造した。なお、金属イオンの除去は、イオン交換樹脂を用いて行った。
【０１８０】
（実施例２７〜３０）
配向膜中における光安定化剤の含有量、配向膜の平均厚さＴｏ、無機材料膜の平均厚さＴｉを表１に示すように変更した以外は、前記実施例２６と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１８１】
（実施例３１）
無機材料膜を、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）からなる層（透明導電膜側の層）と、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる層（液晶層側の層）との２層からなる積層体として形成した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
無機材料膜の形成は、以下のようにして行った。
まず、蒸発源としてフッ化カルシウム（ＣａＦ_２）を用い、ＥＢ電流値：１５０ｍＡ、成膜時間：２５秒間、液晶パネル用対向基板温度：２００℃、ベース圧力：５．００×１０^−３［Ｐａ］という条件で真空蒸着を行うことにより、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）からなる層を形成した。
引き続き、蒸発源として酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を用い、ＥＢ電流値：１６０ｍＡ、成膜時間：３０秒間、液晶パネル用対向基板温度：２００℃、ベース圧力：５．００×１０^−３［Ｐａ］という条件で真空蒸着を行うことにより、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）からなる層を積層した。形成された無機材料膜の平均厚さＴｉは、１０ｎｍであった。また、形成された無機材料膜の、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大透過率は、８％であった。なお、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のバンドギャップは、それぞれ、９．４１ｅＶ、８．９５ｅＶである。
【０１８２】
（比較例１）
無機材料膜を形成せず、また、光安定化剤を用いずに配向膜を形成した以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１８３】
（比較例２）
無機材料膜を形成せず、また、配向膜中における光安定化剤の含有量を０．５ｗｔ％とした以外は、前記実施例１と同様にして液晶パネルを製造した。
【０１８４】
［液晶パネルの評価］
上記各実施例および各比較例で製造した液晶パネルについて、光透過率を連続的に測定した。光透過率の測定は、各液晶パネルを５０℃の温度下に置き、電圧無印加の状態で、１５ｌｍ／ｍｍ^２の光束密度の白色光を照射することにより行った。
【０１８５】
表１、表２には、配向膜、無機材料膜の条件とともに、光透過率の測定の結果をまとめて示した。なお、表１中のＡ［％］は、製造直後（光透過率の連続測定開始直後）の光透過率を示し、Ｂ［％］は、白色光の照射開始から３０００時間後の光透過率を示す。
【０１８６】
【表１】

【０１８７】
【表２】

【０１８８】
表１、表２から明らかなように、本発明の液晶パネルにおいては、光透過率はほとんど減少していない。特に、配向膜中の金属イオン濃度の低い液晶パネル、ＭｇＯ、ＭｇＦ_２で構成された無機材料膜を有する液晶パネルでは、光透過率の減少が極めて小さい。
【０１８９】
これに対して、比較例の液晶パネルでは、経時的な光透過率の減少が著しかった。特に、比較例１の液晶パネルでは、白色光の照射を開始してから６５０時間程度で、目視で確認できる変色（やけ）を生じ、光透過率が大きく減少し、白色光の照射開始９００時間後程度で、光透過率は０％になった。
【０１９０】
［液晶プロジェクター（液晶表示装置）の評価］
上記各実施例および比較例で製造したＴＦＴ液晶パネルを用いて、図３に示すような構造の液晶プロジェクター（投射型表示装置）を組み立て、５０００時間連続駆動させた。
【０１９１】
その結果、実施例１〜３１の液晶パネルを用いて製造された液晶プロジェクター（液晶表示装置）は、長時間連続して駆動させた場合であっても、鮮明な投射画像が得られた。
【０１９２】
これに対し、比較例の液晶パネルを用いて製造された液晶プロジェクター（液晶表示装置）では、駆動時間に伴い、投射画像の鮮明度が明らかに低下した。
【０１９３】
また、光安定化剤の種類をフェノール系化合物（トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、平均分子量Ｍｗ：７８４）、芳香族アミン系化合物（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、平均分子量Ｍｗ：２６０）、サルファイド系化合物（ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、平均分子量Ｍｗ：６８３）、リン系化合物（トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、平均分子量Ｍｗ：６４７）、サリシレート系化合物（４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、平均分子量Ｍｗ：２７０）、ベンゾフェノン系化合物（２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、平均分子量Ｍｗ：３２６）、Ｎｉ系化合物（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル酸モノエチルエステル−Ｎｉ錯体、平均分子量Ｍｗ：７１３）、シアノアクリレート系化合物（エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、平均分子量Ｍｗ：２７７）、オキザリックアシッドアニリド系化合物（２−エトキシ−５−ｔ−ブチル−２’−エチルオキザリックアシッドビスアニリド、平均分子量Ｍｗ：３６９）、シュウ酸誘導体（シュウ酸−ビス（ベンジリデンヒドラジド）、平均分子量Ｍｗ：２９２）、サリチル酸誘導体（１，１２−ドデカン酸−ビス［２−（２−ヒドロキシベンゾイル）ヒドラジド］、平均分子量Ｍｗ：４９８）、ヒドラジド誘導体（Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジン、平均分子量Ｍｗ：５５２）に変更した以外は、前記と同様にして、液晶パネル、液晶表示装置を製造し、これらについて前記と同様の評価を行った。
【０１９４】
その結果、これらの光安定化剤の含有量が、０．１〜７．０ｗｔ％の範囲においては、いずれの液晶パネルも、Ｂ／Ａの値が０．８８以上であり、前記と同様の効果が確認された。
【０１９５】
また、これらの液晶パネルを用いた液晶プロジェクター（投射型表示装置）は、実施例１〜３０による液晶プロジェクターと同様、５０００時間連続駆動させた後でも、鮮明な投射画像が得られた。
【０１９６】
これらの結果から、本発明の液晶パネル、液晶表示装置は、耐光性に優れ、長期間使用しても安定した特性が得られるものであることが分かる。
【０１９７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、耐光性に優れた液晶パネルおよび液晶表示装置を提供することができる。
【０１９８】
したがって、本発明によれば、入射する光量が多い環境で用いられる液晶パネルおよび液晶表示装置であっても、特に優れた長期安定性を確保することができる。
【０１９９】
このような効果は、光安定化剤の組成、分子量や、配向膜中の金属イオン濃度、無機材料膜の構成材料、厚さ等を調整することにより、さらに優れたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶パネルの第１実施形態を示す模式的な縦断面図である。
【図２】本発明の液晶パネルの第２実施形態を示す模式的な縦断面図である。
【図３】本発明の投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ……液晶パネル　２……液晶層　３Ａ、３Ａ’、３Ｂ、３Ｂ’……配向膜　４Ａ、４Ａ’、４Ｂ、４Ｂ’……無機材料膜　５……透明導電膜　６……透明導電膜　７Ａ、７Ｂ……偏光膜　８Ａ、８Ｂ……偏光膜　９……基板　１０……基板　１１……マイクロレンズ基板　１１１……マイクロレンズ用凹部付き基板　１１２……凹部　１１３……マイクロレンズ　１１４……表層　１１５……樹脂層　１２……液晶パネル用対向基板　１３……ブラックマトリックス　１３１……開口　１４……透明導電膜　１７……ＴＦＴ基板　１７１……ガラス基板　１７２……画素電極　１７３……薄膜トランジスタ　３００……投射型表示装置　３０１……光源　３０２、３０３……インテグレータレンズ　３０４、３０６、３０９……ミラー　３０５、３０７、３０８……ダイクロイックミラー３１０〜３１４……集光レンズ　３２０……スクリーン　２０……光学ブロック　２１……ダイクロイックプリズム　２１１、２１２……ダイクロイックミラー面　２１３〜２１５……面　２１６……出射面　２２……投射レンズ　２３……表示ユニット　２４〜２６……液晶ライトバルブ

Claims (26)

1. 液晶層と、
   前記液晶層の両面側に配設された配向膜と、
   前記配向膜の前記液晶層と対向する面とは反対の面側に配設された電極とを有する液晶パネルであって、
   前記配向膜と前記電極との間に、前記配向膜と前記電極との接触を防止する、主として無機材料で構成された無機材料膜を有し、かつ、
   前記配向膜のうち少なくとも一方は、光安定化剤を含むものであることを特徴とする液晶パネル。
2. 光源からの光を入射させて用いる請求項１に記載の液晶パネル。
3. 少なくとも、前記液晶層の光が入射する面側に設置された前記配向膜中に前記光安定化剤が含まれる請求項２に記載の液晶パネル。
4. 少なくとも、前記液晶層の光が入射する面側に、前記無機材料膜が設置されている請求項２または３に記載の液晶パネル。
5. 前記無機材料膜は、３００〜５００ｎｍの波長領域の光の最大吸収率が２０％以下のものである請求項１ないし４のいずれかに記載の液晶パネル。
6. 前記無機材料膜の平均厚さが１〜２０ｎｍである請求項１ないし５のいずれかに記載の液晶パネル。
7. 前記無機材料膜は、主として、バンドギャップが４ｅＶ以上の材料で構成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の液晶パネル。
8. 前記無機材料膜は、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣｓＩ、ＨｆＯ_２から選択される１種または２種以上を含む材料で構成されたものである請求項１ないし７のいずれかに記載の液晶パネル。
9. 前記無機材料膜は、気相成膜法により形成されたものである請求項１ないし８のいずれかに記載の液晶パネル。
10. 前記光安定化剤は、平均分子量Ｍｗが２５０〜３０００である請求項１ないし９のいずれかに記載の液晶パネル。
11. 前記光安定化剤は、フェノール系化合物、芳香族アミン系化合物、サルファイド系化合物、リン系化合物、サリシレート系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ヒンダートアミン系化合物、Ｎｉ系化合物、シアノアクリレート系化合物、オキザリックアシッドアニリド系化合物、シュウ酸誘導体、サリチル酸誘導体、ヒドラジド誘導体のうち少なくとも１種を含むものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の液晶パネル。
12. 前記光安定化剤は、金属イオンを除去したものである請求項１ないし１１のいずれかに記載の液晶パネル。
13. 前記配向膜中における金属イオン濃度は、５ｐｐｍ以下である請求項１ないし１２のいずれかに記載の液晶パネル。
14. 前記配向膜中における前記光安定化剤の含有量は、５ｗｔ％以下である請求項１ないし１３のいずれかに記載の液晶パネル。
15. 前記配向膜は、主としてポリイミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂で構成されたものである請求項１ないし１４のいずれかに記載の液晶パネル。
16. 前記配向膜は、スピンコート法により形成されたものである請求項１ないし１５のいずれかに記載の液晶パネル。
17. 前記配向膜の平均厚さが２０〜１２０ｎｍである請求項１ないし１６のいずれかに記載の液晶パネル。
18. 前記無機材料膜の平均厚さをＴｉ［ｎｍ］、前記配向膜の平均厚さをＴｏ［ｎｍ］としたとき、２０≦Ｔｉ＋Ｔｏ≦１２０の関係を満足する請求項１ないし１７のいずれかに記載の液晶パネル。
19. 前記無機材料膜の平均厚さをＴｉ［ｎｍ］、前記配向膜の平均厚さをＴｏ［ｎｍ］としたとき、１．０≦Ｔｏ／Ｔｉ≦１２０の関係を満足する請求項１ないし１８のいずれかに記載の液晶パネル。
20. 前記配向膜のうちの一方について、前記液晶層と対向する面とは反対の面側に、マイクロレンズ基板が配設された請求項１ないし１９のいずれかに記載の液晶パネル。
21. 前記マイクロレンズ基板の前記液晶層と対向する面側に、ブラックマトリックスと、該ブラックマトリックスを覆う電極としての導電膜とが設けられた請求項２０に記載の液晶パネル。
22. 画素電極を備えた液晶駆動基板を有する請求項１ないし２１のいずれかに記載の液晶パネル。
23. 前記液晶駆動基板は、マトリックス状に配設された前記画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタとを有するＴＦＴ基板である請求項２２に記載の液晶パネル。
24. 請求項１ないし２３のいずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
25. 請求項１ないし２３のいずれかに記載の液晶パネルを備えたライトバルブを有し、該ライトバルブを少なくとも１個用いて画像を投射することを特徴とする液晶表示装置。
26. 画像を形成する赤色、緑色および青色に対応した３つのライトバルブと、光源と、該光源からの光を赤色、緑色および青色の光に分離し、前記各光を対応する前記ライトバルブに導く色分離光学系と、前記各画像を合成する色合成光学系と、前記合成された画像を投射する投射光学系とを有する液晶表示装置であって、
    前記ライトバルブは、請求項１ないし２３のいずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする液晶表示装置。

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