JPH0720444A

JPH0720444A - 高分子分散型液晶表示素子

Info

Publication number: JPH0720444A
Application number: JP16094093A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Koyama; 均小山; Shin Tabata; 伸田畑; Shuichi Kita; 修市喜多; Masaya Mizunuma; 昌也水沼; Akira Tamaya; 晃玉谷; Tatsuo Masumi; 達生増見
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1993-06-30
Filing date: 1993-06-30
Publication date: 1995-01-24

Abstract

(57)【要約】【目的】比抵抗が高く、電圧の保持率が高く、ＴＦＴ
と組み合わせて用いられたときに低い電圧で駆動させる
ことができ、高輝度・高コントラストの表示を容易にう
ることができる高分子分散型液晶表示素子を提供するこ
と。【構成】２枚の透明電極を有する基板間に、誘電異方
性が正の液晶組成物が該液晶組成物の常光屈折率
（ｎ₀）に近似または同一の屈折率を有する高分子マト
リクス中に分散保持されてなる高分子分散型液晶を狭持
した高分子分散型液晶表示素子であって、各透明電極を
有する基板と高分子分散型液晶との間に絶縁膜が設けら
れたことを特徴とする高分子分散型液晶表示素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高分子分散型液晶表示素
子に関する。さらに詳しくは、液晶プロジェクションテ
レビなどに用いることができる高分子分散型液晶表示素
子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶の表示モードを大別するとつぎの３
つに分類できる。（イ）偏光板を２枚用いる複屈折モード（ロ）偏光板を１枚用いるゲスト−ホストモード（ハ）偏光板を用いない散乱モード前記（イ）および（ロ）の表示モードは、偏光板を用い
て表示を行なうため、光の利用効率が低く、実用化され
ている液晶表示素子においては、１０〜２０％程度の光
しか利用していないのが現状である。一方、液晶表示素
子の大画面化への要求が近年強くなってきており、投影
により１００インチ以上の画面をうることのできる液晶
プロジェクションテレビも上市されている。

【０００３】現在の液晶プロジェクションテレビには、
複屈折モードの１種であるＴＮモードの液晶表示素子が
用いられているが、前記のようにこの表示モードは光の
利用効率が低いため、投影を行なうためには光源の強度
を非常に強くする必要があり、またこのとき光吸収に起
因する発熱により液晶表示素子が劣化するという問題が
あり、光の利用効率の高い液晶表示素子が求められてい
る。

【０００４】さきに示した第３の表示モードである散乱
モードは、偏光板を用いない表示モードであるため、液
晶表示素子での光のロスがほとんどなく、８０％以上の
高い光の利用効率を達成することが可能であり、液晶プ
ロジェクションテレビへの適用が求められている。

【０００５】前記散乱モードはさらにつぎの２手法に分
類することができる。（ニ）動的散乱モード（ホ）高分子分散モード前記動的散乱モードは整列配向した誘電異方性が負（Δ
ε＜０）のネマチック液晶中にイオン流を走行させるこ
とにより多数のドメインを発生させ、このドメイン間の
強い複屈折性により散乱を起こさせるものである。この
表示モードでは液晶中にイオン剤を含むことが必要であ
るが、このイオン剤により液晶と電極との界面で液晶の
電気化学反応による分解が起こり、液晶表示素子が劣化
するという問題点があり、実用化の可能性はあまりない
といえる。

【０００６】これに対して、高分子分散モードは現在最
も有望視されている表示モードである。高分子分散モー
ドの液晶表示素子（高分子分散型液晶表示素子）は図２
（ａ）に示されるように、透明電極２、２間の高分子マ
トリクス５中に球状の液晶小滴４が分散した構造を有し
ており、電圧を印加しないばあいは液晶分子６は液晶小
滴４の内部で高分子マトリクス５と液晶小滴４との界面
に沿った配向をしている。このとき液晶小滴４の平均屈
折率と高分子マトリクス５の屈折率との間に差がある
と、入射光７は散乱光８のように散乱することになる。
一方、この液晶表示素子に電圧を印加すると液晶の誘電
異方性が正（Δε＞０）のばあい、液晶分子６は図２
（ｂ）に示されるように高分子マトリクス５と液晶小滴
４との界面の拘束から離れ、透明電極２の面に対して垂
直になる。電圧が印加されたときの、高分子マトリクス
５の屈折率と液晶分子６の屈折率とが同一または近接し
ているとき、入射光７は散乱することなく透過光９のよ
うに透過することができる。このように高分子分散モー
ドの液晶表示素子では散乱状態と透過状態との間でＯＮ
・ＯＦＦを行なうことができ、これにより表示を行なう
ことができる。なお、図２において１は基板である。

【０００７】高分子分散型液晶表示素子の製造方法につ
いてはジェイ・ダブリュー・ドーン（Ｊ．Ｗ．Ｄｏａｎ
ｅ）らがアプライドフィジックスレター（Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）、４８（４）２６９（１９
８６）で述べており、つぎのようであると考えられる。

【０００８】まず液晶組成物を、高分子マトリクス前駆
体、たとえばアクリレートモノマーまたはオリゴマーに
溶解させる。紫外線を照射することにより重合が始まる
と、高分子マトリクス前駆体への液晶組成物の溶解度が
低下して液晶組成物が徐々に小滴状に析出し始める。さ
らに重合が進行すると高分子マトリクス前駆体の流動性
が低下するので液晶組成物の小滴の成長は止まり、液晶
組成物の小滴の生成が完了する。その結果、高分子マト
リクス中に液晶組成物が小滴の形で分散保持されるか、
あるいは高分子マトリクスが３次元ネットワークを形成
し、該ネットワークの間隙に液晶組成物が連続層を形成
する。

【０００９】前記高分子分散型液晶表示素子を現在液晶
表示素子の駆動法の中心になっている薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴという）と組み合わせて用いるばあいに
は、高分子分散型液晶表示素子は、駆動電圧が１０Ｖ以
下、なかんづく５Ｖ以下、比抵抗（ρ）が５×１０¹⁰Ω
・ｃｍ以上、コントラスト比が８０以上および応答時間
（立ち上がり時間（τ_Ｒ）、立ち下がり時間（τ_Ｄ））
が２０ｍｓ以下であることが好ましい。

【００１０】ところで、ＴＦＴの駆動電圧は一般に５〜
１０Ｖである。図３に示されるように、高分子分散型液
晶表示素子をＴＦＴと組み合わせて用いて駆動させると
き実際に高分子分散型液晶表示素子にかかる電圧（実効
電圧１１）は、高分子分散型液晶表示素子の比抵抗が小
さいばあい、印加電圧（すなわち、信号電圧）を切った
のち低下する。図３において、時間軸と実効電圧１１の
正の部分を示す実線とに囲まれた部分１２の面積と、実
効電圧１１と減衰しないものと仮定したときの実効電圧
の正の部分１０に囲まれた部分（減衰による実効電圧の
損失部分）１３の面積との合計に対する前記部分１２の
面積の割合が電圧の保持率である。図４に示されるよう
に、高分子分散型液晶表示素子の比抵抗が低く電圧の保
持率が小さいばあい（実線１５）は、高分子分散型液晶
表示素子の比抵抗が高く保持率が大きいばあい（実線１
４）よりも高い信号電圧を印加しないと、充分な光透過
率をうることができず、見かけの駆動電圧は高くなる。

【００１１】高分子分散型液晶表示素子は、一般に２枚
の透明電極を備えた基板間に、液晶組成物が高分子マト
リクス中に分散保持されてなる高分子分散型液晶を狭持
した構造を有している。しかし、この構造では透明電極
と高分子分散型液晶との界面で液晶層が電極と接触して
いる部分が多く存在するために高分子分散型液晶表示素
子の比抵抗が低く、ＴＦＴと組み合わせて用いられたば
あい電圧の保持率が低く、入射光のスイッチングを行な
うためにはＴＦＴの性能をこえるような高い電圧を印加
することが必要になり、現状では充分な輝度、コントラ
ストをうることができない。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の問題点を解決するためになされたものであり、比抵
抗が高く、電圧の保持率が高く、ＴＦＴと組み合わせて
用いられたときに低い電圧で駆動させることができ、高
輝度・高コントラストの表示がえられる高分子分散型液
晶表示素子を提供することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、２
枚の透明電極を有する基板間に、誘電異方性が正の液晶
組成物が該液晶組成物の常光屈折率（ｎ₀）に近似また
は同一の屈折率を有する高分子マトリクス中に分散保持
されてなる高分子分散型液晶を狭持した高分子分散型液
晶表示素子であって、各透明電極を有する基板と高分子
分散型液晶との間に絶縁膜が設けられたことを特徴とす
る高分子分散型液晶表示素子に関する。

【００１４】

【作用および実施例】本発明の高分子分散型液晶表示素
子は、図１に示されるように、２枚の透明電極２を有す
る基板１、１間に、誘電異方性が正の液晶組成物が該液
晶組成物の常光屈折率（ｎ₀）に近似または同一の屈折
率を有する高分子マトリクス５中に分散保持されてなる
高分子分散型液晶を狭持した高分子分散型液晶表示素子
であって、各透明電極２を有する基板１と高分子分散型
液晶との間に絶縁膜３が設けられたものである。

【００１５】前記透明電極としては通常用いられている
ものであればとくに限定がなく、その代表的なものとし
て、たとえばＩＴＯ膜などがあげられる。

【００１６】前記基板としては通常用いられているもの
であればとくに限定がなく、その代表的なものとして、
たとえばガラス基板などがあげられる。

【００１７】前記誘電異方性が正の液晶組成物の構成成
分にはとくに限定がなく、通常用いられているものをあ
げることができる。

【００１８】また、前記液晶組成物の常光屈折率などに
もとくに限定がなく、通常の高分子分散型液晶と同じ程
度でよい。

【００１９】前記液晶組成物の代表例としては、たとえ
ばメルク社製のＥ８などがあげられる。

【００２０】前記高分子マトリクスとしては通常用いら
れているものであればとくに限定がなく、その代表的な
ものとして、たとえば２−エチルヘキシルアクリレート
などのモノマー成分と東亜合成化学工業（株）製のアロ
ニックスＭ−１２００などのオリゴマー成分との混合物
などの紫外線重合性組成物にメルク社製のダロキュア１
１１６などの光重合開始剤を添加して重合させたものな
どがあげられる。

【００２１】前記高分子マトリクスの屈折率が前記液晶
組成物の常光屈折率（ｎ₀）と近似または同一であると
は、高分子マトリクスの屈折率がｎ₀−０．０２〜ｎ₀＋
０．０２の範囲内にあることをいう。

【００２２】前記高分子マトリクスの層の厚さにはとく
に限定がなく、通常の高分子分散型液晶表示素子中にお
ける高分子マトリクスと同じ程度でよい。

【００２３】前記絶縁膜は、高分子分散型液晶表示素子
の比抵抗を上げ、電圧の保持率を高めて実効電圧の低下
を少なくし、高分子分散型液晶表示素子がＴＦＴと組み
合わせて用いられたときでも低い電圧で駆動させること
ができるようにするために設けられた膜である。

【００２４】前記絶縁膜の材質にはとくに限定がなく、
通常用いられているものを用いることができる。

【００２５】かかる絶縁膜の材質の具体例としては、た
とえばＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＳｉＣ、
ＢＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉ₆Ｎ、
ＴｉＮ、Ｔｉ₃Ｎ₄、ＴｉＯ₂、ＬｉＦ、ＭｇＦ₂、Ｔａ₂
Ｏ₅、ＺｒＯ₂、ＹＦ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＬａＦ₃、ダイヤモン
ド、合成石英、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＣ（ポリカーボ
ネート）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、Ｐ
ＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＶＤＦ（ポリフ
ッ化ビニリデン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）
などがあげられる。これらの材質からなる絶縁膜のう
ち、コストが低く、作製が容易である点からビニル系高
分子化合物などの有機化合物からなる透明の誘電体の膜
が好ましく、化学的な安定性の面でケイ素、チタン、ホ
ウ素、アルミニウムなどのチッ化物や酸化物、リチウ
ム、マグネシウム、イットリウムなどのフッ化物などの
無機化合物からなる透明の誘電体の膜が好ましい。なか
でも、比抵抗が高く、波長３６５ｎｍの紫外線に対する
透過率が比較的高い点からＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＰＣ、ＰＭＭＡなどからなる膜が好ま
しい。

【００２６】前記絶縁膜の膜厚は、均一な膜ができる厚
さであればとくに限定はないが、ピンホールのない膜を
作製するという点からは１００オングストローム以上で
あることが好ましく、高分子マトリクスの硬化不良が起
こらないようにするという点からは４０００オングスト
ローム以下であることが好ましい。また、短時間で絶縁
膜を作製するためには、該絶縁膜の膜厚は、２０００オ
ングストローム以下であることが好ましい。

【００２７】また、前記絶縁膜の波長３６５ｎｍの紫外
線に対する吸収率は、高分子マトリクスの硬化不良がな
いようにするという点から７０％以下であることが好ま
しい。

【００２８】また、前記絶縁膜の比抵抗は、絶縁膜の絶
縁性の点から５×１０¹²Ω・ｃｍ以上、なかんづく２×
１０¹³〜５×１０¹⁴Ω・ｃｍであることが好ましい。

【００２９】前記高分子分散型液晶表示素子の製造方法
にもとくに限定はなく、通常用いられている方法を用い
ることができる。

【００３０】本発明の高分子分散型液晶表示素子は、比
抵抗が大きく、電圧の保持率が高く、ＴＦＴと組み合わ
せて用いられるばあいでも低電圧で駆動させることがで
き、また、画素部分の保持容量を小さくすることができ
るので、保持容量部分（ＴＦＴと組み合わせて用いられ
た高分子分散型液晶表示素子のパネルの画素部分におい
て、電荷保持の時定数を増加させるために高分子分散型
液晶表示素子の液晶セルに並列に設けられているもの）
での入射光の吸収が少なく、光の利用効率が高く、高輝
度・高コントラストの表示を容易にうることができる。

【００３１】つぎに本発明の高分子分散型液晶表示素子
を実施例にもとづいてさらに詳細に説明するが、本発明
はかかる実施例のみに限定されるものではない。

【００３２】［実施例１］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板にＳｉＮをプラズマＣ
ＶＤ法により付着させて膜厚が約７００オングストロー
ムの絶縁膜を形成し、このガラス基板２枚を用いてギャ
ップ１０μｍのセルを作製した。ついで、アクリレート
系の紫外線重合性組成物（モノマー成分（２−エチルヘ
キシルアクリレート（２ＥＨＡ））とオリゴマー成分
（東亜合成化学工業（株）製のアロニックスＭ−１２０
０）とをモノマー成分／オリゴマー成分が重量比で７０
／３０となるように混合してえられたもの）、光重合開
始剤（ダロキュア１１１６、メルク社製）および液晶組
成物（Ｅ８、メルク社製）を均一に溶解し（液晶組成物
／紫外線重合性組成物（重量比）は７０／３０、開始剤
の配合割合は紫外線重合性組成物に対して０．５重量
％）、セルに注入したのち、主波長３６５ｎｍの紫外線
を０．５分間照射して高分子分散型液晶表示素子をえ
た。えられた高分子分散型液晶表示素子の比抵抗は１．
５×１０¹¹Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み合わせて駆動
させるのに充分な値であった。印加電圧と光透過率との
関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）は７．１Ｖ、
印加電圧７Ｖでのコントラストは９３と非常に良好であ
った。

【００３３】［比較例１］ＳｉＮ膜を設けなかったほか
はすべて実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示素
子を作製した。えられた高分子分散型液晶表示素子の比
抵抗は５×１０⁹Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み合わせ
て駆動させるには不充分な値であった。また、印加電圧
と光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧
（Ｖ₉₀）は１１．４Ｖと高く、印加電圧７Ｖでのコント
ラストは１５と低かった。

【００３４】［実施例２］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板に式：

【００３５】

【化１】で表わされる繰り返し単位からなるＰＣ（ポリカーボネ
ート）をスパッタ法により付着させて膜厚が約１００オ
ングストロームの絶縁膜を形成したほかはすべて実施例
１と同様にして高分子分散型液晶表示素子を作製した。
えられた高分子分散型液晶表示素子の比抵抗は１．１×
１０¹¹Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み合わせて駆動させ
るのに充分な値であった。印加電圧と光透過率との関係
を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）は６．９Ｖ、印加
電圧７Ｖでのコントラストは１１４と非常に良好であっ
た。

【００３６】［実施例３］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板にＳｉ₃Ｎ₄を減圧ＣＶ
Ｄ法により付着させ、膜厚が約１００オングストローム
の絶縁膜を形成したほかはすべて実施例１と同様にして
高分子分散型液晶表示素子を作製した。えられた高分子
分散型液晶表示素子の比抵抗は５．１×１０¹³Ω・ｃｍ
であり、ＴＦＴと組み合わせて駆動させるのに充分な値
であった。印加電圧と光透過率との関係を測定したとこ
ろ、駆動電圧（Ｖ₉₀）は７．４Ｖ、印加電圧７Ｖでのコ
ントラストは８２と非常に良好であった。

【００３７】［実施例４］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板にＭｇＦ₂を真空蒸着
法により付着させ、膜厚が約１２０オングストロームの
絶縁膜を形成したほかはすべて実施例１と同様にして高
分子分散型液晶表示素子を作製した。えられた高分子分
散型液晶表示素子の比抵抗は８．１×１０¹⁰Ω・ｃｍで
あり、ＴＦＴと組み合わせて駆動させるのに充分な値で
あった。印加電圧と光透過率との関係を測定したとこ
ろ、駆動電圧（Ｖ₉₀）が７．２Ｖ、印加電圧７Ｖでのコ
ントラストは９７と非常に良好であった。

【００３８】［実施例５］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板に膜厚約３０００オン
グストロームの式：

【００３９】

【化２】で表わされる繰り返し単位からなるＰＩ（ポリイミド）
の薄膜を転写により形成したほかはすべて実施例１と同
様にして高分子分散型液晶表示素子を作製した。なお、
前記ＰＩの薄膜は、主波長３６５ｎｍの紫外線を約７０
％吸収することが、瞬間マルチ測光検出器を用いた測定
によってわかった。えられた高分子分散型液晶表示素子
の比抵抗は６．１×１０¹¹Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組
み合わせて駆動させるのに充分な値であった。印加電圧
と光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧
（Ｖ₉₀）が７．１Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは
９１と非常に良好であった。

【００４０】［実施例６］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板にＰＶＤＦ（ポリフッ
化ビニリデン）をスパッタ法により付着させ、膜厚が約
３０００オングストロームの絶縁膜を形成したほかはす
べて実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示素子を
作製した。なお、前記絶縁膜は主波長３６５ｎｍの紫外
線を約２４％吸収することがわかった。えられた高分子
分散型液晶表示素子の比抵抗は１．２×１０¹²Ω・ｃｍ
であり、ＴＦＴと組み合わせて駆動させるのに充分な値
であった。印加電圧と光透過率との関係を測定したとこ
ろ、駆動電圧（Ｖ₉₀）が６．９Ｖ、印加電圧７Ｖでのコ
ントラストは１０３と非常に良好であった。

【００４１】［実施例７］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板にＢＮを減圧ＣＶＤ法
により付着させ、膜厚が約２５００オングストロームの
絶縁膜を形成したほかはすべて実施例１と同様にして高
分子分散型液晶表示素子を作製した。なお、前記絶縁膜
は主波長３６５ｎｍの紫外線を約１４％吸収することが
わかった。えられた高分子分散型液晶表示素子の比抵抗
は１．０×１０¹²Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み合わせ
て駆動させるのに充分な値であった。印加電圧と光透過
率との関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）が６．
８Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは１１２と非常に
良好であった。

【００４２】［実施例８］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板にＡｌ₂Ｏ₃を常圧ＣＶ
Ｄ法により付着させ、膜厚が約４００オングストロー
ム、比抵抗が５×１０¹²Ω・ｃｍの絶縁膜を形成したほ
かはすべて実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示
素子を作製した。えられた高分子分散型液晶表示素子の
比抵抗は５．１×１０¹⁰Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み
合わせて駆動させるのに充分な値であった。印加電圧と
光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）
が７．３Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは８９と非
常に良好であった。

【００４３】［実施例９］厚さ７００オングストローム
のＩＴＯ電極を有するガラス基板にＴｉＯ₂をゾル−ゲ
ル法により付着させ、膜厚が約３５０オングストロー
ム、比抵抗が６×１０¹²Ω・ｃｍの絶縁膜を形成したほ
かはすべて実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示
素子を作製した。えられた高分子分散型液晶表示素子の
比抵抗は５．３×１０¹⁰Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み
合わせて駆動させるのに充分な値であった。印加電圧と
光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）
が７．４Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは８２と非
常に良好であった。

【００４４】［実施例１０］厚さ７００オングストロー
ムのＩＴＯ電極を有するガラス基板にＳｉＯ₂を常圧Ｃ
ＶＤ法により付着させ、膜厚が約３００オングストロー
ム、比抵抗が４×１０¹³Ω・ｃｍの絶縁膜を形成したほ
かはすべて実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示
素子を作製した。えられた高分子分散型液晶表示素子の
比抵抗は２．５×１０¹¹Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み
合わせて駆動させるのに充分な値であった。印加電圧と
光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）
が６．８Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは１２２と
非常に良好であった。

【００４５】［実施例１１］厚さ７００オングストロー
ムのＩＴＯ電極を有するガラス基板にＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリレート）をスパッタ法により蒸着し、膜厚
が約３２０オングストロームの絶縁膜を形成したほかは
すべて実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示素子
を作製した。えられた高分子分散型液晶表示素子の比抵
抗は５．５×１０¹⁰Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み合わ
せて駆動させるのに充分な値であった。印加電圧と光透
過率との関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）が
７．３Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは８２と非常
に良好であった。

【００４６】［実施例１２］厚さ７００オングストロー
ムのＩＴＯ電極を有するガラス基板にＰＰＳ（ポリフェ
ニレンスルフィド）をスパッタ法により蒸着し、膜厚が
約３００オングストロームの絶縁膜を形成したほかはす
べて実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示素子を
作製した。えられた高分子分散型液晶表示素子の比抵抗
は６．４×１０¹⁰Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み合わせ
て駆動させるのに充分な値であった。印加電圧と光透過
率との関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）が７．
１Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは８６と非常に良
好であった。

【００４７】［実施例１３］厚さ７００オングストロー
ムのＩＴＯ電極を有するガラス基板にＰＶＫ（ポリビニ
ルカルバゾール）をスパッタ法により蒸着し、膜厚が約
２９０オングストロームの絶縁膜を形成したほかはすべ
て実施例１と同様にして高分子分散型液晶表示素子を作
製した。えられた高分子分散型液晶表示素子の比抵抗は
４．１×１０¹¹Ω・ｃｍであり、ＴＦＴと組み合わせて
駆動させるのに充分な値であった。印加電圧と光透過率
との関係を測定したところ、駆動電圧（Ｖ₉₀）が６．９
Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは１１５と非常に良
好であった。

【００４８】［実施例１４］厚さ７００オングストロー
ムのＩＴＯ電極を有するガラス基板に熱ＣＶＤ法により
膜厚が約３００オングストロームのＴａ₂Ｏ₅の薄膜を形
成したほかはすべて実施例１と同様にして高分子分散型
液晶表示素子を作製した。えられた高分子分散型液晶表
示素子の比抵抗は２．４×１０¹²Ω・ｃｍであり、ＴＦ
Ｔと組み合わせて駆動させるのに充分な値であった。印
加電圧と光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧
（Ｖ₉₀）は６．６Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは
１０９と非常に良好であった。

【００４９】［実施例１５］厚さ７００オングストロー
ムのＩＴＯ電極を有するガラス基板に減圧ＣＶＤ法によ
り膜厚が約３００オングストロームのＳｉＣの薄膜を形
成したほかはすべて実施例１と同様にして高分子分散型
液晶表示素子を作製した。えられた高分子分散型液晶表
示素子の比抵抗は５．５×１０¹¹Ω・ｃｍであり、ＴＦ
Ｔと組み合わせて駆動させるのに充分な値であった。印
加電圧と光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧
（Ｖ₉₀）は６．８Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは
１０４と非常に良好であった。

【００５０】［実施例１６］厚さ７００オングストロー
ムのＩＴＯ電極を有するガラス基板に熱ＣＶＤ法により
膜厚が約２８０オングストロームのＡｌＮの薄膜を形成
したほかはすべて実施例１と同様にして高分子分散型液
晶表示素子を作製した。えられた高分子分散型液晶表示
素子の比抵抗は９．２×１０¹⁰Ω・ｃｍであり、ＴＦＴ
と組み合わせて駆動させるのに充分な値であった。印加
電圧と光透過率との関係を測定したところ、駆動電圧
（Ｖ₉₀）は７．１Ｖ、印加電圧７Ｖでのコントラストは
９９と非常に良好であった。

【００５１】

【発明の効果】本発明の高分子分散型液晶表示素子は、
比抵抗が高く、電圧の保持率が高く、ＴＦＴと組み合わ
せて用いられるばあいにも低電圧で駆動させることがで
き、また画素部分の保持容量を小さくすることができる
ので、高輝度・高コントラストの表示を容易にうること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高分子分散型液晶表示素子の断面図で
ある。

【図２】一般に用いられている高分子分散型液晶表示素
子の表示原理を示す説明図であり、（ａ）は散乱状態、
（ｂ）は透過状態を示す。

【図３】一般に用いられている高分子分散型液晶表示素
子に印加される電圧と時間との関係を示すグラフおよび
信号電圧と時間との関係を示すグラフである。

【図４】ＴＦＴと組み合わせて駆動させたときの一般に
用いられている高分子分散型液晶表示素子の信号電圧と
光透過率との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板２透明電極３絶縁膜５高分子マトリクス

【手続補正書】

【提出日】平成５年９月１７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者水沼昌也尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者玉谷晃尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者増見達生尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】２枚の透明電極を有する基板間に、誘電
異方性が正の液晶組成物が該液晶組成物の常光屈折率
（ｎ₀）に近似または同一の屈折率を有する高分子マト
リクス中に分散保持されてなる高分子分散型液晶を狭持
した高分子分散型液晶表示素子であって、各透明電極を
有する基板と高分子分散型液晶との間に絶縁膜が設けら
れたことを特徴とする高分子分散型液晶表示素子。
【請求項２】絶縁膜の厚さが１００オングストローム
以上である請求項１記載の高分子分散型液晶表示素子。
【請求項３】絶縁膜の波長３６５ｎｍの紫外線に対す
る吸収率が７０％以下である請求項１または２記載の高
分子分散型液晶表示素子。
【請求項４】絶縁膜の比抵抗が５×１０¹²Ω・ｃｍ以
上である請求項１、２または３記載の高分子分散型液晶
表示素子。
【請求項５】絶縁膜が有機化合物からなる透明の誘電
体である請求項１、２、３または４記載の高分子分散型
液晶表示素子。
【請求項６】絶縁膜が無機化合物からなる透明の誘電
体である請求項１、２、３または４記載の高分子分散型
液晶表示素子。