JP2004051438A - 圧電磁器組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＰｂＯの蒸発を回避し得る低温、即ち、１０５０℃以下の温度で焼結可能なＰＺＴ系圧電セラミクスを提供すること。
【解決手段】主成分としての、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３からなる３成分のモル分率を適正な範囲に設定するとともに、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３を０〜２０重量％（０を含まない）、ＺｎＯを０〜３重量％（０を含まない）添加することで、１０００℃以下で焼結可能で、しかも必要な特性を発現し得るＰＺＴ系圧電セラミクスを得る。
【選択図】 図１
【解決手段】主成分としての、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３からなる３成分のモル分率を適正な範囲に設定するとともに、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３を０〜２０重量％（０を含まない）、ＺｎＯを０〜３重量％（０を含まない）添加することで、１０００℃以下で焼結可能で、しかも必要な特性を発現し得るＰＺＴ系圧電セラミクスを得る。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種超音波振動子、セラミックフィルタ、圧電発音体、圧電アクチュエータなどの圧電体に使用される圧電磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、圧電磁器材料の汎用品として、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３を主成分として含む圧電セラミクス（以下、ＰＺＴ系圧電セラミクスと称する）が用いられている。一般に、この種の圧電セラミクスでは、その製造に要する焼結温度が２成分系では約１２６０℃であり、さらに特性改善のために複合ペロブスカイト類を第三成分、第四成分として固溶させた多成分ＰＺＴ圧電セラミクスでは、焼結温度が多少低下して１２００℃近辺となっている。
【０００３】
ところで、ＰＺＴ系圧電セラミクスの焼結過程において、主成分の一つであるＰｂＯの蒸発が１０００℃近辺から急激に増加することが知られている。従って、上記の温度領域では多量のＰｂＯの蒸発が起こるという問題がある。ＰｂＯの蒸発は、焼結体の組成ずれを引き起こし、特性のばらつきや劣化を招き、さらには蒸発したＰｂＯを含む物質が環境汚染の原因となる。
【０００４】
そこで、ＰｂＯの蒸発を制御することは、ＰＺＴ系圧電セラミクスの製造上、非常に重要となっており、このためには焼結温度を１０００℃以下にすることが望ましい。焼結温度の低下は、省エネルギーの点でも有益である上に、例えば一体焼結で製造される積層型圧電素子の場合、焼結温度が低下できれば内部電極の構成において、パラジウムの比率を減少し、銀の比率を増大させることが可能でとなり、製造コスト面で有利となると期待される。このように、ＰＺＴ系圧電セラミクスの焼結温度を低化させることは、製造コスト面での長所を有する他、省エネルギーを具現化する点でも有益である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のＰＺＴ系圧電セラミクスの場合、一般に焼結温度が１２００℃以上に設定する必要があるため、ＰｂＯの蒸発を回避したり、製造コストを低減したりすることが困難となっている。従って、本発明の技術的な課題は、ＰｂＯの蒸発を回避できる１０００℃以下の比較的低温で焼成可能であるとともに、製造コストを低減し得る圧電磁器組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の問題解決のため、ＰＺＴ系圧電セラミクスに添加物を加えることで、焼結温度を低下させることを検討した結果なされたものである。
【０００７】
即ち、本発明は、ＰｂＴｉ０３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３の３成分からなり、ＰｂＴｉＯ３のモル分率をａ、ＰｂＺｒＯ３のモル分率をｂ、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のモル分率をｃとしたとき、３成分のモル分率を示す三角座標において、ａ＝０．６０、ｂ＝０．４０、ｃ＝０なる組成を示す点Ａ、ａ＝０．６２、ｂ＝０．３０、ｃ＝０．０８なる組成を示す点Ｂ、ａ＝０．４５、ｂ＝０．３０、ｃ＝０．２５なる組成を示す点Ｃ、ａ＝０．２５、ｂ＝０．５７、ｃ＝０．１８なる組成を示す点Ｄ、ａ＝０．２１、ｂ＝０．７０、ｃ＝０．０９なる組成を示す点Ｅ、ａ＝０．３５、ｂ＝０．６５、ｃ＝０なる組成を示す点Ｆを結ぶ線で囲まれる範囲（線上を含まない）の組成を有する主成分に対し、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３で示される成分が０〜２０重量％添加されてなることを特徴とする圧電磁器組成物である。
【０００８】
また、本発明は、前記の圧電磁器組成物に、ＺｎＯが１〜３重量％添加されてなることを特徴とする圧電磁器組成物である。
【０００９】
【作用】
一般に、ＰｂＴｉＯ３及びＰｂＺｒＯ３からなる固溶体のＡサイトに、Ｐｂを含む複合ペロブスカイトを第三成分として固溶させると、この比率が大きいほど焼結温度が低下する。これは、複合ペロブスカイトの融点が、１２００℃以下と、低いことに起因している。
【００１０】
多成分のＰＺＴ圧電セラミクスである、ＰｂＴｉＯ３及びＰｂＺｒＯ３からなる固溶体は、１種もしくは複数種の複合ペロブスカイトを固溶させることで、２成分系では得られない優れた誘電特性や圧電特性が発現可能であり、実用に供されている。
【００１１】
特に、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３を固溶させた場合は、数百〜数千の機械的品質係数と、高い誘電特性、圧電特性が得られる。また、第４の成分、具体的には、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３やＺｎＯなどを一定の範囲で添加することにより、前記３成分系の圧電特性を維持しつつ、低温での焼結を可能とし得る。
【００１２】
また、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３、ＺｎＯの配合比を前記のように限定したのは、ＰＺＴ系圧電セラミクスとして必要な特性である、比誘電率：εｒが３５０以上、電気機械結合係数：Ｋｐが２５以上、機械的品質係数：Ｑｍが５００以上を発現させるためである。
【００１３】
また、前記のように、焼結工程におけるＰｂＯの蒸発を抑制するには、焼結温度を１０００℃以下に抑える必要がある。しかし、焼結温度を低下させることは、焼結体密度の低下に繋がり、ひいては特性が低下するという結果となる。
【００１４】
ＰＺＴ系圧電セラミクスとして必要な諸特性を確保するには、焼結体の密度を一定以上とする必要があるが、焼結温度が同じであっても、原料の組成によって焼結密度が変わるので、ここでは、焼結体の密度が７．７ｇ／ｃｍ３以上となる温度を求めた。つまり、前記の各原料の配合比を限定したもう一つの理由は、焼結体密度が７．７ｇ／ｃｍ３以上となる温度が、１０００℃以下となることである。
【００１５】
【実施例】
次に、本発明の実施例について、具体的な例を挙げ、詳しく説明する。
【００１６】
まず、主成分及び副成分の原料として、ＰｂＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｎＣＯ３、ＳｂＯ３、ＺｎＯ、ＷＯ３をそれぞれ秤量した。表１には、調製した各組成について、前記原料の秤量組成を示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】
これらの原料をジルコニアボールとともに、アクリルポットに投入して、２０時間湿式粉砕した。次いで、アクリルポットから取り出した混合粉末を、アルミナ製の匣鉢に挿入して、８００℃の温度で２時間予焼を行ない、再びジルコニアボールとともにアクリルポットに投入して、１５時間湿式粉砕した。
【００１９】
次に、ポットから取り出した予焼粉末を、乾燥してバインダを混合し、金型を用いて圧縮成形し、直径が１５ｍｍ、厚さが３ｍｍの円盤状のグリーン体を得た。これらのグリーン体を焼結して厚さ１ｍｍに加工した後、両面に銀ペーストの塗付、温度４５０℃での焼き付けを施すことで電極を形成し、評価用の試料とした。
【００２０】
試料の評価は、１００℃、４ｋＶ／ｍｍの条件で１５分間分極処理を施した後、比誘電率：εｒ、電気機械結合係数：Ｋｐ、機械的品質係数：Ｑｍを測定した。表２は、これらの結果をまとめて示したものである。併せて、前記の焼結体密度が７．７ｇ／ｃｍ３以上となる温度も、Ｔｓとして記載した。
【００２１】
【表２】
【００２２】
表１に示したように、本発明の組成の範囲から外れるのは、Ｎｏ．１、Ｎｏ．３、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１３、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２４の試料であるが、これらの試料は、表２に示したように、εｒ、Ｋｐ、Ｑｍ、Ｔｓのうちのいずれかが、前記の必要な特性値となっていないことが明らかである。
【００２３】
つまり、Ｎｏ．１のように、ＰｂＴｉＯ３のモル分率が０．６２を超え、ＰｂＺｒＯ３のモル分率が０．３以下では、εｒ、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。また、Ｎｏ．３のように、第４の成分であるＰｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が０では、焼結温度が１１７０℃となり、焼結工程におけるＰｂＯの蒸発が顕著となり好ましくない。
【００２４】
Ｎｏ．１０のように、ＺｎＯの添加量が過剰である場合や、Ｎｏ．１１のようにＰｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が過剰である場合は、εｒ、Ｑｍが低い数値となり好ましくない。また、Ｎｏ．１３のように、ＰｂＺｒＯ３のモル分率が０．７を超える場合や、Ｎｏ．１４のように、ＰｂＺｒＯ３のモル分率が０．３以下では、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。
【００２５】
Ｎｏ．１８のように、ＰｂＴｉＯ３のモル分率が０．２１以下では、εｒ、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。また、Ｎｏ．２０のように、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のモル分率が０．２５を超える場合は、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。また、Ｎｏ．２４のように、ＺｎＯの添加量が１重量％未満では、焼結温度が１０００℃を超えてしまうので、好ましくない。
【００２６】
図１は、適正なモル分率の範囲を三角座標で示した図である。つまり、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のモル分率が、図１に示した点ＡＢＣＤＥＦで形成される六角形に含まれ、かつ、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が、０〜２０重量％（０を含まない）、ＺｎＯの添加量が、０〜３重量％（０を含まない）の組成であれば、焼結温度を１０００℃以下に抑制でき、かつＰＺＴ系圧電セラミクスとして、必要な特性を発現できることが明らかである。
【００２７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、主成分及び第４の成分として、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３を含むＰＺＴ系圧電セラミクスに、さらにＺｎＯを加えて、各成分の配合比を調整することにより、比誘電率：εｒが３５０以上、電気機械結合係数：Ｋｐが２５以上、機械的品質係数：Ｑｍが５００以上で、焼結温度を、ＰｂＯの蒸発を抑制可能な１０００℃とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】適正なモル分率の範囲を三角座標で示す図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種超音波振動子、セラミックフィルタ、圧電発音体、圧電アクチュエータなどの圧電体に使用される圧電磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、圧電磁器材料の汎用品として、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３を主成分として含む圧電セラミクス（以下、ＰＺＴ系圧電セラミクスと称する）が用いられている。一般に、この種の圧電セラミクスでは、その製造に要する焼結温度が２成分系では約１２６０℃であり、さらに特性改善のために複合ペロブスカイト類を第三成分、第四成分として固溶させた多成分ＰＺＴ圧電セラミクスでは、焼結温度が多少低下して１２００℃近辺となっている。
【０００３】
ところで、ＰＺＴ系圧電セラミクスの焼結過程において、主成分の一つであるＰｂＯの蒸発が１０００℃近辺から急激に増加することが知られている。従って、上記の温度領域では多量のＰｂＯの蒸発が起こるという問題がある。ＰｂＯの蒸発は、焼結体の組成ずれを引き起こし、特性のばらつきや劣化を招き、さらには蒸発したＰｂＯを含む物質が環境汚染の原因となる。
【０００４】
そこで、ＰｂＯの蒸発を制御することは、ＰＺＴ系圧電セラミクスの製造上、非常に重要となっており、このためには焼結温度を１０００℃以下にすることが望ましい。焼結温度の低下は、省エネルギーの点でも有益である上に、例えば一体焼結で製造される積層型圧電素子の場合、焼結温度が低下できれば内部電極の構成において、パラジウムの比率を減少し、銀の比率を増大させることが可能でとなり、製造コスト面で有利となると期待される。このように、ＰＺＴ系圧電セラミクスの焼結温度を低化させることは、製造コスト面での長所を有する他、省エネルギーを具現化する点でも有益である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のＰＺＴ系圧電セラミクスの場合、一般に焼結温度が１２００℃以上に設定する必要があるため、ＰｂＯの蒸発を回避したり、製造コストを低減したりすることが困難となっている。従って、本発明の技術的な課題は、ＰｂＯの蒸発を回避できる１０００℃以下の比較的低温で焼成可能であるとともに、製造コストを低減し得る圧電磁器組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の問題解決のため、ＰＺＴ系圧電セラミクスに添加物を加えることで、焼結温度を低下させることを検討した結果なされたものである。
【０００７】
即ち、本発明は、ＰｂＴｉ０３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３の３成分からなり、ＰｂＴｉＯ３のモル分率をａ、ＰｂＺｒＯ３のモル分率をｂ、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のモル分率をｃとしたとき、３成分のモル分率を示す三角座標において、ａ＝０．６０、ｂ＝０．４０、ｃ＝０なる組成を示す点Ａ、ａ＝０．６２、ｂ＝０．３０、ｃ＝０．０８なる組成を示す点Ｂ、ａ＝０．４５、ｂ＝０．３０、ｃ＝０．２５なる組成を示す点Ｃ、ａ＝０．２５、ｂ＝０．５７、ｃ＝０．１８なる組成を示す点Ｄ、ａ＝０．２１、ｂ＝０．７０、ｃ＝０．０９なる組成を示す点Ｅ、ａ＝０．３５、ｂ＝０．６５、ｃ＝０なる組成を示す点Ｆを結ぶ線で囲まれる範囲（線上を含まない）の組成を有する主成分に対し、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３で示される成分が０〜２０重量％添加されてなることを特徴とする圧電磁器組成物である。
【０００８】
また、本発明は、前記の圧電磁器組成物に、ＺｎＯが１〜３重量％添加されてなることを特徴とする圧電磁器組成物である。
【０００９】
【作用】
一般に、ＰｂＴｉＯ３及びＰｂＺｒＯ３からなる固溶体のＡサイトに、Ｐｂを含む複合ペロブスカイトを第三成分として固溶させると、この比率が大きいほど焼結温度が低下する。これは、複合ペロブスカイトの融点が、１２００℃以下と、低いことに起因している。
【００１０】
多成分のＰＺＴ圧電セラミクスである、ＰｂＴｉＯ３及びＰｂＺｒＯ３からなる固溶体は、１種もしくは複数種の複合ペロブスカイトを固溶させることで、２成分系では得られない優れた誘電特性や圧電特性が発現可能であり、実用に供されている。
【００１１】
特に、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３を固溶させた場合は、数百〜数千の機械的品質係数と、高い誘電特性、圧電特性が得られる。また、第４の成分、具体的には、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３やＺｎＯなどを一定の範囲で添加することにより、前記３成分系の圧電特性を維持しつつ、低温での焼結を可能とし得る。
【００１２】
また、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３、ＺｎＯの配合比を前記のように限定したのは、ＰＺＴ系圧電セラミクスとして必要な特性である、比誘電率：εｒが３５０以上、電気機械結合係数：Ｋｐが２５以上、機械的品質係数：Ｑｍが５００以上を発現させるためである。
【００１３】
また、前記のように、焼結工程におけるＰｂＯの蒸発を抑制するには、焼結温度を１０００℃以下に抑える必要がある。しかし、焼結温度を低下させることは、焼結体密度の低下に繋がり、ひいては特性が低下するという結果となる。
【００１４】
ＰＺＴ系圧電セラミクスとして必要な諸特性を確保するには、焼結体の密度を一定以上とする必要があるが、焼結温度が同じであっても、原料の組成によって焼結密度が変わるので、ここでは、焼結体の密度が７．７ｇ／ｃｍ３以上となる温度を求めた。つまり、前記の各原料の配合比を限定したもう一つの理由は、焼結体密度が７．７ｇ／ｃｍ３以上となる温度が、１０００℃以下となることである。
【００１５】
【実施例】
次に、本発明の実施例について、具体的な例を挙げ、詳しく説明する。
【００１６】
まず、主成分及び副成分の原料として、ＰｂＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｎＣＯ３、ＳｂＯ３、ＺｎＯ、ＷＯ３をそれぞれ秤量した。表１には、調製した各組成について、前記原料の秤量組成を示した。
【００１７】
【表１】
これらの原料をジルコニアボールとともに、アクリルポットに投入して、２０時間湿式粉砕した。次いで、アクリルポットから取り出した混合粉末を、アルミナ製の匣鉢に挿入して、８００℃の温度で２時間予焼を行ない、再びジルコニアボールとともにアクリルポットに投入して、１５時間湿式粉砕した。
【００１９】
次に、ポットから取り出した予焼粉末を、乾燥してバインダを混合し、金型を用いて圧縮成形し、直径が１５ｍｍ、厚さが３ｍｍの円盤状のグリーン体を得た。これらのグリーン体を焼結して厚さ１ｍｍに加工した後、両面に銀ペーストの塗付、温度４５０℃での焼き付けを施すことで電極を形成し、評価用の試料とした。
【００２０】
試料の評価は、１００℃、４ｋＶ／ｍｍの条件で１５分間分極処理を施した後、比誘電率：εｒ、電気機械結合係数：Ｋｐ、機械的品質係数：Ｑｍを測定した。表２は、これらの結果をまとめて示したものである。併せて、前記の焼結体密度が７．７ｇ／ｃｍ３以上となる温度も、Ｔｓとして記載した。
【００２１】
【表２】
表１に示したように、本発明の組成の範囲から外れるのは、Ｎｏ．１、Ｎｏ．３、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１３、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２０、Ｎｏ．２４の試料であるが、これらの試料は、表２に示したように、εｒ、Ｋｐ、Ｑｍ、Ｔｓのうちのいずれかが、前記の必要な特性値となっていないことが明らかである。
【００２３】
つまり、Ｎｏ．１のように、ＰｂＴｉＯ３のモル分率が０．６２を超え、ＰｂＺｒＯ３のモル分率が０．３以下では、εｒ、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。また、Ｎｏ．３のように、第４の成分であるＰｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が０では、焼結温度が１１７０℃となり、焼結工程におけるＰｂＯの蒸発が顕著となり好ましくない。
【００２４】
Ｎｏ．１０のように、ＺｎＯの添加量が過剰である場合や、Ｎｏ．１１のようにＰｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が過剰である場合は、εｒ、Ｑｍが低い数値となり好ましくない。また、Ｎｏ．１３のように、ＰｂＺｒＯ３のモル分率が０．７を超える場合や、Ｎｏ．１４のように、ＰｂＺｒＯ３のモル分率が０．３以下では、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。
【００２５】
Ｎｏ．１８のように、ＰｂＴｉＯ３のモル分率が０．２１以下では、εｒ、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。また、Ｎｏ．２０のように、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のモル分率が０．２５を超える場合は、Ｋｐが低い数値となり、好ましくない。また、Ｎｏ．２４のように、ＺｎＯの添加量が１重量％未満では、焼結温度が１０００℃を超えてしまうので、好ましくない。
【００２６】
図１は、適正なモル分率の範囲を三角座標で示した図である。つまり、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のモル分率が、図１に示した点ＡＢＣＤＥＦで形成される六角形に含まれ、かつ、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３の添加量が、０〜２０重量％（０を含まない）、ＺｎＯの添加量が、０〜３重量％（０を含まない）の組成であれば、焼結温度を１０００℃以下に抑制でき、かつＰＺＴ系圧電セラミクスとして、必要な特性を発現できることが明らかである。
【００２７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、主成分及び第４の成分として、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３を含むＰＺＴ系圧電セラミクスに、さらにＺｎＯを加えて、各成分の配合比を調整することにより、比誘電率：εｒが３５０以上、電気機械結合係数：Ｋｐが２５以上、機械的品質係数：Ｑｍが５００以上で、焼結温度を、ＰｂＯの蒸発を抑制可能な１０００℃とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】適正なモル分率の範囲を三角座標で示す図。
Claims (2)
- ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のＰｂＴｉＯ３のモル分率をａ、ＰｂＺｒＯ３のモル分率をｂ、Ｐｂ（Ｍｎ１／３Ｓｂ２／３）Ｏ３のモル分率をｃとしたとき、３成分のモル分率を示す三角座標において、ａ＝０．６０、ｂ＝０．４０、ｃ＝０なる組成を示す点Ａ、ａ＝０．６２、ｂ＝０．３０、ｃ＝０．０８なる組成を示す点Ｂ、ａ＝０．４５、ｂ＝０．３０、ｃ＝０．２５なる組成を示す点Ｃ、ａ＝０．２５、ｂ＝０．５７、ｃ＝０．１８なる組成を示す点Ｄ、ａ＝０．２１、ｂ＝０．７０、ｃ＝０．０９なる組成を示す点Ｅ、ａ＝０．３５、ｂ＝０．６５、ｃ＝０なる組成を示す点Ｆを結ぶ線で囲まれる範囲（線上を含まない）の組成を有する主成分に対し、Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３で示される成分が０〜２０重量％（０を含まない）添加されてなることを特徴とする圧電磁器組成物。
- 請求項１に記載の圧電磁器組成物に、ＺｎＯが１〜３重量％（０を含まない）添加されてなることを特徴とする圧電磁器組成物。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002212208A JP2004051438A (ja) | 2002-07-22 | 2002-07-22 | 圧電磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002212208A JP2004051438A (ja) | 2002-07-22 | 2002-07-22 | 圧電磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004051438A true JP2004051438A (ja) | 2004-02-19 |
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ID=31935208
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002212208A Pending JP2004051438A (ja) | 2002-07-22 | 2002-07-22 | 圧電磁器組成物 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2004051438A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7944127B2 (en) * | 2007-05-14 | 2011-05-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric part |
| JP2015010007A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 太平洋セメント株式会社 | 圧電磁器およびこれを用いた圧電素子 |
| CN112573916A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-03-30 | 西安交通大学 | 一种PbHfO3基陶瓷材料及其制备方法 |
-
2002
- 2002-07-22 JP JP2002212208A patent/JP2004051438A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7944127B2 (en) * | 2007-05-14 | 2011-05-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric part |
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| CN112573916A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-03-30 | 西安交通大学 | 一种PbHfO3基陶瓷材料及其制备方法 |
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