JP2004048006A - 回転式基板乾燥装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回転式基板乾燥装置は、略円筒形のチャンバ11と、チャンバ11の上方に形成された開口部12の外周部に配設されたパッキング23と、開口部12を開閉するためのカバー13と、チャンバ11の斜め上方の予備室17内に配設された窒素ガス供給ノズル21と、開口部12の両側に配設された窒素ガス噴出ノズル24および窒素ガス吸引ノズル25と、チャンバ11の斜め下方の排出口26に接続された排気ダンパ27および真空排気ダンパ28とを有する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を回転させることにより、当該基板に付着した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
このような回転式基板乾燥装置としては、従来、複数の基板を一括して投入するための開口部を有するチャンバと、このチャンバの開口部を閉止することにより基板の回転乾燥時における液滴の外部への飛散を防止するためのカバーと、チャンバ内に外気を導入するためのカバーに付設されたフィルターと、チャンバ内において複数の基板を保持して回転するための回転手段と、フィルターから導入された外気をチャンバから排出するための排気口とを備えるものが知られている。そして、この回転式基板乾燥装置においては、回転手段に保持された基板をチャンバ内において回転させることにより、回転による遠心力で基板に付着した液滴を除去すると共に、回転手段の回転に伴ってフィルターから導入される外気により基板表面の液滴の乾燥を促進させる構成となっている。
【0003】
また、基板の乾燥をより促進させるため、基板の表面にエタノールを供給することにより、基板の表面に付着した水滴とエタノールとを置換した後、基板を回転させて乾燥する回転式基板乾燥装置も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開昭62−142328号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の回転式基板乾燥装置においては、チャンバ内に酸素を含んだ外気が導入されることから、回転し乾燥しつつある基板の表面と酸素とが接触することになる。基板が酸素と接触した状態で乾燥した場合においては、基板と液滴との界面において基板に酸化が発生する。このような酸化が発生した場合においては、後工程である基板の成膜処理工程において成膜不良等を引き起こし、当該基板により製造される製品の歩留まりを低下させる。
【0006】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、乾燥工程における基板の酸化を防止すると共に、基板を迅速に乾燥させることが可能な回転式基板乾燥装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板を回転させることにより基板に付着した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置において、基板を通過させるための開口部を有するチャンバと、前記開口部を気密状態で閉鎖するためのカバーと、前記チャンバとカバーとにより形成された空間内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記不活性ガス供給手段により供給された不活性ガスを前記チャンバとカバーとにより形成された空間内から排出するための排出口とを備え、前記排出口には、前記空間内の不活性ガスを前記排出口から排出させるための排気ダンパと、前記排気ダンパの作用により不活性ガスが排出された後に、前記空間内を減圧するための、真空ポンプに接続された真空排気ダンパとが接続されたことを特徴とする。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記不活性ガス供給手段により供給される不活性ガスをイオン化させるイオナイザをさらに備えている。
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記不活性ガス供給手段は、前記排気ダンパの作用により不活性ガスが排出された後、前記真空排気ダンパの作用により前記空間内が減圧されている間においても前記空間内に不活性ガスを供給する。
【0010】
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発明において、前記不活性ガス供給手段は、前記チャンバの斜め上方から不活性ガスを供給するとともに、前記排出口は、前記チャンバ内の基板に対して前記不活性ガス供給手段による不活性ガスの供給方向とは逆方向を向く前記チャンバの斜め下方へ不活性ガスを排出する。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る回転式基板乾燥装置の側断面図であり、図2はその斜視図である。
【0012】
この回転式基板乾燥装置は、基板Wとしての略円形の半導体ウエハに対して乾燥処理を行うものであり、略円筒形のチャンバ11と、チャンバ11の上方に形成された開口部12を開閉するためのカバー13と、チャンバ11内に回転可能に設けられた横軸形のロータ14と、ロータ14に着脱自在に架設された基板支持部15と、基板支持部15を昇降するためにチャンバ11の下部に昇降自在に配設された支持部昇降機構16とを備えている。
【0013】
略円筒形のチャンバ11の斜め上方には、予備室17が、チャンバ11と互いに接続した状態で配設されている。そして、この予備室17内には、窒素ガス供給ノズル21とイオナイザ22とが配設されている。この窒素ガス供給ノズル21は、チャンバ11内に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するためのものであり、図示しない窒素ガスの供給源と接続されている。また、イオナイザ22は、一対の放電針に高電圧を印加して放電させ、そこを通過する気体をイオン化するものであり、後述する基板の回転乾燥時において、窒素ガス等との摩擦により基板Wに生じた静電気を除去する目的で使用される。
【0014】
なお、窒素ガス供給ノズル21とイオナイザ22とを予備室17内に配設しているのは次のような理由による。すなわち、チャンバ11内に窒素供給ノズル21やイオナイザ22等による突起物を設けると、基板Wより飛散する液滴のハネを発生させ液滴が基板Wに再付着することや、突起物の周辺に液滴が溜まり汚染物質が蓄積されるという問題が生ずる。このため、窒素ガス供給ノズル21とイオナイザ22とをチャンバ11内に直接配設するかわりに、チャンバ11と接続する予備室17内に配設しているのである。
【0015】
チャンバ11の上方には矩形状の開口部12が形成されており、この開口部12の外周部にはパッキング23が配設されている。また、開口部12と対向する位置にはカバー13が配設されている。このため、図1に示すように、カバー13が開口部12と対向した状態においては、開口部12はカバー13とパッキング23とにより気密状態で閉鎖される。
【0016】
チャンバ11における開口部12の両側には、それぞれ、窒素ガス噴出ノズル24と窒素ガス吸引ノズル25とが配設されている。窒素ガス噴出ノズル24は、図2に示すように、窒素ガスを噴出するための格子状のノズル部を有し、窒素ガスを開口部12に沿って層状に噴出する。また、窒素ガス吸引ノズル25は、窒素ガス噴出ノズル24のノズル部と対向して配置された吸引部を有し、窒素ガス噴出ノズル24より噴出された窒素ガスを吸引する。このため、窒素ガス噴出ノズル24から窒素ガスを噴出すると共に窒素ガス吸引ノズル25により窒素ガスを吸引することにより、開口部12の上方において窒素ガスによるカーテン状の流れが発生する。
【0017】
なお、上述したカバー13は図示しない開閉機構と接続されており、図2に示すように、窒素ガス吸引ノズル25との干渉をさけるため、一旦上昇した後開放位置まで移動するよう構成されている。
【0018】
チャンバ11の斜め下方には、窒素ガス供給ノズル21からチャンバ11内に供給された窒素ガスを排出するための排出口26が配設されている。この排出口26は、排気ダンパ27を介してクリーンルーム等に装備された排気ダクトと接続されている。また、同様に、排気口26は、真空排気ダンパ28を介して真空ポンプ29と接続されている。なお、上記排気ダンパ27および真空排気ダンパ28は、閉鎖時にはその通路を完全に密閉しうるタイプのものが使用されている。
【0019】
ロータ14は間隔を隔てて対向配置された左右一対の回転フランジ31(図1においては一方のみ図示)を複数の連結棒33で連結した構造を有する。このロータ14には、複数の基板Wを支持した基板支持部15をロータ14に固定するための支持部クランプ機構34と、基板Wを基板支持部15に固定するための基板クランプ機構35とが設けられている。このロータ14は、ベルト36を介してモータ37と接続されており、モータ37の駆動により図1における紙面に垂直な軸を中心に高速で回転する。
【0020】
基板支持部15の下方には、基板支持部15を昇降するための支持部昇降機構16が配設されている。この支持部昇降機構16は、図示しないエアシリンダの駆動を受けて上下移動することにより、基板支持部15を、そこに支持した複数の基板Wを図示しないチャックとの間で受け渡しする受け渡し位置と、図1に示す位置との間で昇降させるよう構成されている。
【0021】
次に、この回転式基板乾燥装置による基板Wの乾燥動作について説明する。図3および図4は基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【0022】
初期状態においては、カバー13と排気ダンパ27および真空排気ダンパ28とは閉鎖されている。この状態において、窒素ガス供給ノズル21からチャンバ11とカバー13とにより形成された空間内に窒素ガスを供給すると共に(ステップS11)、排気ダンパ27を開放する(ステップS12)。そして、この状態で時間T1が経過するのを待つ(ステップS13)。これにより、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内が窒素ガスによりパージされる。
【0023】
次に、排気ダンパ27を閉鎖し(ステップS14)、窒素ガス供給ノズル21からの窒素ガスの供給を停止する(ステップS15)。また、窒素ガス噴出ノズル24から窒素ガスを噴出させると共に(ステップS16)、窒素ガス吸引ノズル25からの吸引を開始する(ステップS17)。
【0024】
この状態において、カバー13を開放する(ステップS18)。このとき、チャンバ11における排出口26は閉鎖されており、また、チャンバ11の開口部12の上方には窒素ガス噴出ノズル24と窒素ガス吸引ノズル25の作用により窒素ガスによるカーテン状の流れが形成されていることから、クリーンルームにおけるダウンフロー等の影響により開口部12からチャンバ11内に酸素を含んだ外気が進入することを防止することができる。
【0025】
続いて、基板支持部15を昇降させることにより開口部12を介して複数の基板Wをチャンバ11内に搬入する(ステップS19)。このとき、チャンバ11内に進入する基板Wは、窒素ガス噴出ノズル24と窒素ガス吸入ノズルとにより形成される窒素ガスの流れの中を通過する。このため、基板W間に存在する空気は窒素ガス噴出ノズル24から噴出される窒素ガスにより吹き飛ばされることとなり、チャンバ11内への外気の持ち込みが防止される。
【0026】
チャンバ11内への基板Wの搬入が完了すれば、カバー13を閉鎖し(ステップS20)、窒素ガス噴出ノズル24からの窒素ガスの噴出を停止すると共に(ステップS21)窒素ガス吸引ノズル25からの窒素ガスの吸引を停止する(ステップS22)。
【0027】
そして、再度、窒素ガス供給ノズル21からチャンバ11とカバー13とにより形成された空間内に窒素ガスを供給すると共に(ステップS23)、排気ダンパ27を開放して窒素ガスを排出口26から排出することによりチャンバ11内に窒素ガスの流れを生じさせる(ステップS24)。また、イオナイザ22を作動させてそこを通過する窒素ガスをイオン化する(ステップS25)。
【0028】
この状態において、ロータ14を回転させることにより基板Wをその主面の中心部付近を回転中心として回転させ(ステップS26)、基板Wに付着した液滴を回転による遠心力で除去すると共に、窒素ガス供給ノズル21より導入される窒素ガスにより基板W表面の液滴の乾燥を促進させる。基板Wより除去された液滴は、窒素ガスの流れに乗って排出口26から排出される。
【0029】
この基板Wの乾燥時に、基板Wが酸素と接触した場合には、基板Wを構成するシリコンと液滴との界面において酸化が発生し、これがウォータマークとなって、後工程の成膜処理において成膜不良を引き起こす。しかしながらこの実施の形態においては、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内は窒素ガスによりパージされているため、基板Wの表面で酸化が生ずることはなく、基板Wにウォータマークが生じることはない。
【0030】
また、従来の回転式基板乾燥装置のように外気をチャンバ11とカバー13とにより形成された空間内に導入する構成ではないので、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内に一定の湿度および温度の気体を導入することができ、基板Wの乾燥状態を一定に維持することが可能となる。
【0031】
この状態で時間T2が経過すれば(ステップS27)、排気ダンパ27を閉鎖すると共に(ステップS28)、真空排気ダンパ28を開放し(ステップS29)真空ポンプ29を作動させる(ステップS30)。これにより、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内が減圧され、基板Wの表面に残存する微細な液滴の蒸発が促進される。
【0032】
そして、さらに時間T3が経過して基板Wが完全に乾燥すれば(ステップS31)、ロータ14の回転を停止する(ステップS32)。そして、イオナイザ22と真空ポンプ29とを停止させると共に(ステップS33、S34)、真空排気ダンパ28を閉鎖する(ステップS35)。この状態においても、窒素ガス供給ノズル21からの窒素ガスの供給は継続している。
【0033】
所定の時間が経過し、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内の気圧が大気圧まで上昇すれば(ステップS36)、カバー13を開放し(ステップS37)、支持部昇降機構16で基板支持部15を上昇させることにより、基板Wをチャンバ11内より搬出する(ステップS38)。なお、後工程との関係から基板Wをすぐに搬出しない場合等においては、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内の気圧が過度に高くなることを防止するため、排気ダンパ27を開放する。
【0034】
基板Wの搬出が完了すれば、窒素ガス供給ノズル21からの窒素ガスの供給を停止すると共に(ステップS39)、カバー13を閉鎖して(ステップS40)処理を終了する。
【0035】
上述した実施の形態においては、基板Wをその主面に垂直な軸を回転中心として回転させることにより乾燥する横軸式の基板乾燥装置にこの発明を適用した場合について説明したが、縦軸式等の他の回転式基板乾燥装置にこの発明を適用することもできる。
【0036】
また、上述した実施の形態においては、複数の基板Wを直接基板支持部15で支持して回転する構成をとっているが、複数の基板Wをカセットに収納した状態で回転させる構成としてもよく、さらには、単一の基板Wをスピンチャック等により保持して回転させる回転式基板乾燥装置にこの発明を適用してもよい。
【0037】
さらに、上述した実施の形態においては、基板Wとして略円形の半導体ウエハを使用した場合について説明したが、液晶表示パネル用ガラス基板や半導体製造装置用マスク基板等の他の基板を乾燥する回転式基板乾燥装置にこの発明を適用することも可能である。
【0038】
【発明の効果】
請求項1乃至請求項4に記載の発明によれば、チャンバとカバーとにより形成された空間内を不活性ガスによりパージする構成を有することから、基板と液滴との界面における基板の酸化を防止することができる。このため、成膜不良に起因する製品の歩留まりの低下を防止することが可能となる。
【0039】
また、空間内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、不活性ガス供給手段により供給された不活性ガスを前記チャンバとカバーとにより形成された空間内から排出するための排気ダンパに接続された排出口とを備えることから、窒素ガスにより基板の乾燥を促進することが可能となる。
【0040】
さらに、排気ダンパの作用により不活性ガスが排出された後に、空間内を減圧するための、真空ポンプに接続された真空排気ダンパを備えることから、チャンバ内を減圧して基板の乾燥をさらに促進することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る回転式基板乾燥装置の側断面図である。
【図2】この発明に係る回転式基板乾燥装置の斜視図である。
【図3】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【図4】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
11 チャンバ
12 開口部
13 カバー
14 ロータ
15 基板支持部
17 予備室
21 窒素ガス供給ノズル
23 パッキング
24 窒素ガス噴出ノズル
25 窒素ガス吸引ノズル
26 排出口
27 排気ダンパ
28 真空排気ダンパ
29 真空ポンプ
W 基板
Claims (4)
- 基板を回転させることにより基板に付着した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置において、
基板を通過させるための開口部を有するチャンバと、
前記開口部を気密状態で閉鎖するためのカバーと、
前記チャンバとカバーとにより形成された空間内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記不活性ガス供給手段により供給された不活性ガスを前記チャンバとカバーとにより形成された空間内から排出するための排出口とを備え、
前記排出口には、
前記空間内の不活性ガスを前記排出口から排出させるための排気ダンパと、
前記排気ダンパの作用により不活性ガスが排出された後に、前記空間内を減圧するための、真空ポンプに接続された真空排気ダンパと、
が接続されたことを特徴とする回転式基板乾燥装置。 - 請求項1に記載の回転式基板乾燥装置において、
前記不活性ガス供給手段により供給される不活性ガスをイオン化させるイオナイザをさらに備える回転式基板乾燥装置。 - 請求項1または請求項2に記載の回転式基板乾燥装置において、
前記不活性ガス供給手段は、前記排気ダンパの作用により不活性ガスが排出された後、前記真空排気ダンパの作用により前記空間内が減圧されている間においても前記空間内に不活性ガスを供給する回転式基板乾燥装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の回転式基板乾燥装置において、
前記不活性ガス供給手段は、前記チャンバの斜め上方から不活性ガスを供給するとともに、
前記排出口は、前記チャンバ内の基板に対して前記不活性ガス供給手段による不活性ガスの供給方向とは逆方向を向く前記チャンバの斜め下方へ不活性ガスを排出する回転式基板乾燥装置。
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2003
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