JP2004040262A - レベルシフタ、半導体集積回路及び情報処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レベルシフタは、各ソースに電源電圧VDDが印加され、各ドレインが相手方のゲートに接続されたトランジスタMP3,MP4と、各ゲートに信号SIN,SINBが印加され、各ドレインがトランジスタMP3,MP4のドレインに接続され、そのソースが接地されたトランジスタMN3,MN4を有する第1レベルシフタ1と、各ソースが接地され、各ドレインが相手方のゲートに接続されたトランジスタMN5,MN6と、各ソースに電源電圧VDDが印加され、各ゲートに信号SIN,SINBが印加され、各ドレインがトランジスタMN5,MN6のドレインに接続されたトランジスタMP5,MP6とを有する第2レベルシフタ2とを備え、トランジスタMP3,MN5のドレイン同士を接続し、トランジスタMP4,MN6のドレイン同士を接続して構成される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力された信号のレベルを変換して出力するレベルシフタ、半導体集積回路及び情報処理システムに関し、特に、入力された低レベルの信号を高レベルの信号にレベル変換するレベルシフタ、半導体集積回路及び情報処理システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、コンピュータのマザーボートに、ASIC、マイクロプロセッサ、メモリ、周辺回路等のデバイスが多数搭載されて、所望の機能を満たすよう設計されるマイクロコンピュータが増加している。特に、ASICやマイクロプロセッサでは、消費電力の低減及び高周波数での動作を要求されるため、内部で使用されている電源電圧の振幅が小さくなるように設計されている。例えば、内部電源電圧が2.5Vであり、この電圧は将来的に1.8V、1.5V、1.2Vと低下して行く傾向がある。
これに対して、JEDECシステムインターフェース規格等により、各デバイス間でのデータの入出力は3.3Vで行なわれ、周辺回路等のデバイスは、3.3Vで動作するものが多い。このため、周辺回路は3.3V、ASICやマイクロプロセッサは2.5Vと、異なる電圧で動作する状況が多くなってきている。したがって、ASICやマイクロプロセッサは、電圧差をレベルシフトするために電源電圧を3.3Vとした入出力バッファを備えている。すなわち、ASICやマイクロプロセッサは、内部電源として2.5V及び入出力バッファ用の電源として3.3Vの2電源により駆動されている。
このような、レベルシフト機能を備えた、従来の入出力バッファを、図24に示す。従来の入出力バッファ(レベルシフタ)は、2.5V振幅の入力信号SINを3.3V振幅の出力信号SOUTにレベル変換するものであり、インバータINV1と、3.3V耐圧のPチャネルのMOSトランジスタMP1及びMP2と、3.3V耐圧のNチャネルのMOSトランジスタMN1及びMN2とから構成されている。以下、MOSトランジスタを単にトランジスタと呼ぶことにする。
インバータINV1は、PチャネルのトランジスタとNチャネルのトランジスタとから構成されたCMOS構造であり、2.5V振幅の入力信号SINを2.5V振幅で反転して反転入力信号SINBを出力する。トランジスタMP1は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのドレインがトランジスタMP2のゲートに接続され、そのゲートがトランジスタMP2のドレインに接続されている。トランジスタMP2は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加されており、そのドレインから3.3V振幅の出力信号SOUTが出力される。トランジスタMN1は、そのゲートに入力信号SINが印加され、そのドレインがトランジスタMP1のドレインに接続され、そのソースが接地に接続されている。トランジスタMN2は、そのゲートに反転入力信号SINBが印加され、そのドレインがトランジスタMP2のドレインに接続され、そのソースが接地に接続されている。
【0003】
次に、上記構成のレベルシフタの動作について説明する。まず、入力信号SINが2.5V振幅の”H”レベルのとき、トランジスタMN1がオン状態となる一方、反転入力信号SINBが”L”レベルとなるので、トランジスタMN2がオフ状態となる。これにより、トランジスタMP2がオン状態となるのに対し、トランジスタMP1がオフ状態となる。したがって、このレベルシフタからは、3.3V振幅の”H”レベルの出力信号SOUTが出力される。
これに対し、入力信号SINが”L”レベルのとき、トランジスタMN1がオフ状態となる一方、反転入力信号SINBが”H”レベルとなるので、トランジスタMN2がオン状態となる。これにより、トランジスタMP2がオフ状態となるのに対し、トランジスタMP1がオン状態となる。したがって、このレベルシフタからは、”L”レベルの出力信号SOUTが出力される。
なお、特開平11−239051号公報には、出力信号SOUTが上記した構成とは異なり負論理である場合の従来のレベルシフタが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来のレベルシフタは、反転入力信号SINBの”H”レベルがトランジスタMN2のゲート電圧のしきい電圧Vt(一般的には、0.7V)よりも充分高く、トランジスタMN2のオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗がトランジスタMP2のオフ状態におけるソース・ドレイン間抵抗に比べて十分小さい場合には正常に動作する。しかし、反転入力信号SINBの”H”レベルがトランジスタMN2のゲート電圧のしきい電圧Vt近傍まで低くなると、トランジスタMN1及びMN2が完全にオン状態とはならないために、トランジスタMN2の不十分なオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗がトランジスタMP2のオフ状態におけるソース・ドレイン間抵抗と拮抗するような値にまで急激に高くなり、後段のトランジスタMP1及びMP2を駆動することができなくなる。この結果、入力信号SINが”L”レベルのときであっても、出力信号SOUTは”L”レベル、すなわち、0Vにまで下がりきらず、レベルシフタとして正常に動作できなくなる。
ここで、図25乃至図30を用いて、入力と出力の波形と電圧について説明する。なお、図25乃至図30において、縦軸を入力信号の電圧(V)とし、横軸を時間(nS(ナノセカンド))としている。また、トランジスタMP1及びMP2のゲート幅を10μm、トランジスタMN1及びMN2のゲート幅を30μmとしている。
図25の波形から、入力信号の振幅が2.0Vまでであれば、デューティ比も変化することなく、3.3Vにレベルシフトすることができるが、図26及び図28の波形から、1.5V〜1.35Vと入力電圧が低下していくに従って、レベルシフトはされているが、デューティ比を保つことができなくなることが判る。
さらに、入力信号の電圧が低下し、1.2V、1.0Vとなると、図29及び図30に示すように、出力信号は3Vの近傍で変化するだけになる。すなわち、出力信号が、0Vまで低下しなくなる。その結果、レベルシフタは、実質的に”H”レベルを出力しているのと同じになり、入力信号の変化を後段の回路に伝達することができなくなる。
また、第1のレベルシフタでは、入力信号が変化してから、出力信号が変化しレベルが確定するまでの時間が長く、応答速度が遅く、特に入力電圧が低下するほど顕著であることが分かる。例えば、入力信号が2.0Vの時、図25に示すように、入力信号が立ちあがってから出力電圧が確定するまで、約0.5ナノセカンドかかっているが、入力信号が1.4Vの時、図27に示すように、入力信号が立ちあがってから出力信号が確定するまで、約1.5ナノセカンドかかっていることから分かる。
【0005】
さらに、トランジスタMN1及びMN2は、非飽和領域で駆動する(不十分なオン状態)ため、入力信号SINや接地線にノイズが重畳すると、トランジスタMN1及びMN2のソース・ドレイン間抵抗が急激に変動する結果、オン電流が大きく変動することになり、後段のトランジスタMP1及びMP2を駆動する能力に支障を来す場合がある。この場合には、出力信号SOUTの波形が大きく乱れてしまう。
また、トランジスタMN1及びMN2は、非飽和領域で駆動するため、トランジスタMN1及びMN2のオン電流の値が非常に小さい。この結果、後段のトランジスタMP1及びMP2のゲートを充放電するのに時間がかかり、入力信号SINが”L”レベルから”H”レベルへ、”H”レベルから”L”レベルへ変化してから出力信号SOUTの電位が確定するまで時間がかかる。これにより、この例のレベルシフタが動作することができる信号の最大周波数が制限されることになる。また、入力信号SINが変化してからSOUTが確定するまでの遷移期間中は、トランジスタMP1及びトランジスタMN1の両方が共にオフでは無い、又は、トランジスタMP2及びトランジスタMN2の両方が共にオフでは無い状態となる。そのため、トランジスタMP1及びトランジスタMN1又はトランジスタMP2及びトランジスタMN2を介して、電源VDDから接地GNDまで大きな電流、すなわち貫通電流が流れる。したがって、入力信号SINが変化してから出力信号SOUTが確定するまでに時間がかかる、すなわち遷移時間が長いということは、貫通電流が流れる時間が長いということになり消費電力を増大させる原因となる。
このことは、図37に示すように、第1のレベルシフタの電源電流波形から、入力信号が変化してから出力信号が確定するまでの間電流が流れつづけていることが分かり、消費電力が電流の大きさと流れている期間とによって決定されることから、第1のレベルシフタの消費電力が大きいことが分かる。なお、図37の電源電流波形は、第1のレベルシフタにおいて、入力信号が1.4Vのものを例として用いた。また、電源電流波形のグラフは、左側の縦軸に入力電圧V、横軸に時間nS(ナノセカンド)、右側の縦軸に電流mAを用いており、図38乃至図40も同様のグラフとなっている。
【0006】
したがって、本発明は、入力信号の電圧振幅と出力信号の電圧振幅との差が大きい場合や、トランジスタの閾値電圧近傍であっても、ノイズに強く、高い動作周波数で低消費電力動作するレベルシフタ、半導体集積回路及び情報処理システムを提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のレベルシフタは、入力信号が印加される入力端子に制御端子が接続され、第1の電源ラインと第1のノードとの間に接続された一導電型の第1のトランジスタと、第1のノードと第2の電源ラインとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された第二導電型の第2のトランジスタと、入力端子と第2のノードとの間に接続されたインバータと、第1の電源ラインと出力端子との間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された一導電型の第3のトランジスタと、第2の電源ラインと出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された第二導電型の第4のトランジスタと、第2の電源ラインと第1のノードとの間に接続され、制御端子が入力端子に接続された第二導電型の第5のトランジスタとを備えることを特徴とする。
このように、本発明のレベルシフタは、第5のトランジスタを備えることによって、入力が”L”レベルのとき、第1のノードを速やかに充電することができる。
【0008】
さらに、本発明のレベルシフタは、第2の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された第二導電型の第6のトランジスタを備えることを特徴とする。
このように、本発明のレベルシフタは、第6のトランジスタによって入力信号が”H”レベルのとき、出力端子を速やかに充電することができる。
【0009】
さらに、本発明のレベルシフタは、第1の電源ラインと出力端子との間に接続され、制御端子が第1のノードに接続された一導電型の第7のトランジスタと、第1の電源ラインと第1のノードとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された一導電型の第8のトランジスタを備えることを特徴とする。
このように、本発明のレベルシフタは、第7及び第8のトランジスタによって、入力信号が”H”レベルのとき第1のノードを速やかに放電することができ、入力信号が”L”レベルのとき出力端子を速やかに放電することができる。
【0010】
本発明のレベルシフタは、入力信号が印加される入力端子に制御端子が接続され、第1の電源ラインと第1のノードとの間に接続された一導電型の第1のトランジスタと、第1のノードと第2の電源ラインとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された第二導電型の第2のトランジスタと、入力端子と第2のノードとの間に接続されたインバータと、第1の電源ラインと出力端子との間に接続され、制御端子が第2のノードに接続された一導電型の第3のトランジスタと、第2の電源ラインと出力端子との間に接続され、制御端子が第1のノードに接続された第二導電型の第4のトランジスタと、第1の電源ラインと第1のノードとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された一導電型の第5のトランジスタと、第2の電源ラインと第3のノードとの間に接続され、制御端子が入力端子に接続された第二導電型の第6のトランジスタと、第1のノードと第3のノードとの間に接続され、制御端子が第1のノードに接続された一導電型の第7のトランジスタと、第1の電源ラインと出力端子との間に接続され、制御端子が第1のノードに接続された一導電型の第8のトランジスタと、第2の電源ラインと第4のノードとの間に接続され、制御端子が第2のノードに接続された第二導電型の第9のトランジスタと、第4のノードと出力端子との間に接続され、制御端子が出力端子に接続された一導電型の第10のトランジスタとを備えることを特徴とする。
【0011】
さらに、本発明のレベルシフタは、第7のトランジスタに代えて、第1のノードと前記第3のノードとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された第二導電型の第11のトランジスタと、第10のトランジスタに代えて、第4のノードと出力端子との間に接続され、制御端子が第1のノードに接続された第二導電型の第12のトランジスタを備えることを特徴とする。
このように、第9及び第10又は第11及び第12のトランジスタを備えることによって、貫通電流を防止することができ、消費電力を低減することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用いて具体的に行う。
A.第1の実施例
まず、この発明の第1の実施例について、図1を参照しながら説明する。
第1の実施例のレベルシフタは、1.2V振幅の入力信号SINを3.3V振幅の正論理の出力信号SOUTと3.3V振幅の負論理の出力信号SOUTBとにレベル変換するものである。この例のレベルシフタは、第1レベルシフタ1と、第2レベルシフタ2とから構成されており、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ2とは、後述するノードNAとノードNBとが接続されるとともに、後述するノードNCとノードNDとが接続されている。
【0013】
第1レベルシフタ1は、インバータINV2と、3.3V耐圧のPチャネルのトランジスタMP3及びMP4と、3.3V耐圧のNチャネルのトランジスタMN3及びMN4とから構成されている。
インバータINV2は、電源電圧が1.2Vの電源と接地の間に接続されたPチャネルのトランジスタとNチャネルのトランジスタとから構成されたCMOS構造であり、1.2V振幅の入力信号SINを1.2V振幅で反転して反転入力信号SINBとして出力する。トランジスタMP3は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのドレインがトランジスタMP4のゲートに接続され、そのゲートがトランジスタMP4のドレインに接続されており、そのドレインから3.3V振幅の負論理の出力信号SOUTBが出力される。トランジスタMP4は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加されており、そのドレインから3.3V振幅の正論理の出力信号SOUTが出力される。
【0014】
トランジスタMN3は、そのゲートに入力信号SINが印加され、そのドレインがトランジスタMP3のドレインに接続され、そのソースが接地されている。トランジスタMN4は、そのゲートに反転入力信号SINBが印加され、そのドレインがトランジスタMP4のドレインに接続され、そのソースが接地されている。すなわち、第1レベルシフタ1は、入力段にNチャネルのトランジスタMN3及びMN4が設けられるとともに、PチャネルのトランジスタMP3及びMP4の互いのゲートが相手方のドレインに接続されているので、いわばNチャネルトランジスタ入力型たすきがけ回路ともいうべきものである。トランジスタMP3のドレインとトランジスタMN3のドレインとの接続点がノードNAであり、トランジスタMP4のドレインとトランジスタMN4のドレインとの接続点がノードNCである。
【0015】
第2レベルシフタ2は、インバータINV2と、3.3V耐圧のPチャネルのトランジスタMP5及びMP6と、3.3V耐圧のNチャネルのトランジスタMN5及びMN6とから構成されている。
トランジスタMP5は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのゲートに入力信号SINが印加され、そのドレインがトランジスタMN6のゲートに接続されているとともに、そのドレインから3.3V振幅の負論理の出力信号SOUTBが出力される。トランジスタMP6は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのゲートに反転入力信号SINBが印加され、そのドレインがトランジスタMN5のゲートに接続されている。
【0016】
トランジスタMN5は、そのドレインがトランジスタMP5のドレインに接続され、そのゲートがトランジスタMP6のドレインに接続され、そのソースが接地されている。トランジスタMN6は、そのドレインがトランジスタMP6のドレインに接続され、そのゲートがトランジスタMP5のドレインに接続され、そのソースが接地されている。すなわち、第2レベルシフタ2は、入力段にPチャネルのトランジスタMP5及びMP6が設けられるとともに、NチャネルのトランジスタMN5及びMN6の互いのゲートが相手方のドレインに接続されているので、いわばPチャネルトランジスタ入力型たすきがけ回路ともいうべきものである。トランジスタMP5のドレインとトランジスタMN5のドレインとの接続点がノードNBであり、トランジスタMP6のドレインとトランジスタMN6のドレインとの接続点がノードNDである。
なお、トランジスタMP3〜MP6及びMN3〜MN6のゲート電圧のしきい電圧Vtは、いずれも0.7Vであるとする。
【0017】
次に、上記構成のレベルシフタの動作について説明する。まず、図2に示す波形を有する入力信号SINが入力された場合の第1レベルシフタ1単独の動作について、図3〜図5を参照して説明する。
まず、入力信号SINが1.2V振幅の”H”レベル(これを電位VHとする)のとき、1.2Vという振幅がトランジスタMN3の閾値電圧Vt(0.7V)より0.5V高いだけであるので、トランジスタMN3は、少しオンしかけた状態となり、非飽和領域(線形領域)で動作する。すなわち、トランジスタMN3は、駆動能力を著しく低下させた状態で動作する。この結果、トランジスタMN3は完全にオン状態とはならず、高抵抗素子として動作する(高抵抗状態)。
このため、図1に示すノードNAの電位は、完全には0V(GND)にならず、最終的には、トランジスタMN3の高抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗とトランジスタMP3のオフ状態(後述)におけるソース・ドレイン間抵抗との抵抗比で決まる、0Vから電源電圧VDD(3.3V)までの中間電位(これを電位VM1とする)になる。これにより、トランジスタMP4は、上記中間電位VM1がゲートに印加されるので、徐々にオン状態へと移行し、出力端であるノードNCの電位は、徐々に電源電圧VDD(3.3V)へと変化する。ここで、トランジスタMN3の高抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗を抵抗RN3、トランジスタMP3のオフ状態におけるソース・ドレイン間抵抗をRP3とすると、上記中間電位VM1は、式(1)で表される。
VM1=(RN3・VDD)/(RN3+RP3)…(1)
【0018】
入力信号SINが電位VHであるので、反転入力信号SINBは、図3に示すように、”L”レベル(これを電位VLとする)、今の場合、0Vとなる。これにより、トランジスタMN4は、上記電位VLがゲートに印加されるので、完全にオフ状態となり、図1に示すノードNCの電位は、トランジスタMP4の動作に応じて電源電圧VDD(3.3V)になるまで上昇を続けることができる。なお、トランジスタMP4は、上記したように、中間電位VM1がゲートに印加されることにより動作するので、十分なオン状態にはなっておらず、ソース・ドレイン間に抵抗を持つことになる(低抵抗状態)。しかし、トランジスタMP4のソース・ドレイン間抵抗の値は、完全にオフ状態にあるトランジスタMN4のソース・ドレイン間抵抗の値よりも十分低いので、ノードNCの電位は、ほぼ電源電圧VDD(3.3V)になるまで上昇を続ける。このようにノードNCの電位は、ほぼ電源電圧VDD(3.3V)になるまで上昇を続けるので、このノードNCの電位がゲートに印加されるトランジスタMP3は、最終的にオフ状態となる。
【0019】
これに対し、入力信号SINが電位VLのとき、図3に示すように、反転入力信号SINBは電位VHとなる。したがって、上記した入力信号SINが電位VHである場合のトランジスタMN3と同様に、トランジスタMN4は、非飽和領域(線形領域)で動作する。すなわち、トランジスタMN4は、駆動能力を著しく低下させた状態で動作する。この結果、トランジスタMN4は、完全にオン状態とはならず、高抵抗素子として動作する(高抵抗状態)。このため、図1に示す出力端であるノードNCの電位は、完全には0Vにならず、最終的には、トランジスタMN4の高抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗とトランジスタMP4のオフ状態におけるソース・ドレイン間抵抗との抵抗比で決まる、0Vから電源電圧VDD(3.3V)までの中間電位(これを電位VM2とする)になる。これにより、トランジスタMP3は、上記中間電位VM2がゲートに印加されるので、徐々にオン状態へと移行し、ノードNAの電位は、徐々に電源電圧VDD(3.3V)へと変化する。ここで、トランジスタMN4の高抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗を抵抗RN4、トランジスタMP4のオフ状態におけるソース・ドレイン間抵抗をRP4とすると、上記中間電位VM2は、式(2)で表される。
VM2=(RN4・VDD)/(RN4+RP4)…(2)
【0020】
入力信号SINが電位VLであるので、トランジスタMN3は、完全にオフ状態になり、図1に示すノードNAの電位は、電源電圧VDD(3.3V)になるまで上昇を続ける。なお、トランジスタMP3は、上記したように、中間電位VM2がゲートに印加されることにより動作するので、十分なオン状態にはなっておらず、ソース・ドレイン間に抵抗を持つことになる。しかし、トランジスタMP3の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗の値は、トランジスタMN3の完全なオフ状態におけるソース・ドレイン間抵抗の値よりも十分低いので、ノードNAの電位は、ほぼ電源電圧VDD(3.3V)になるまで上昇を続ける。このようにノードNAの電位がほぼ電源電圧VDD(3.3V)になるまで上昇を続けるので、このノードNAの電位がゲートに印加されるトランジスタMP4は、最終的にオフ状態となる。
【0021】
以上説明した第1レベルシフタ1単独の動作を整理すると図4に示すようになり、また出力信号SOUTの波形は、図5に示すようになる。
このように、第1レベルシフタ1が単独で動作した場合には、入力信号SINが電位VHのとき出力信号SOUTの電位をほぼ電源電圧VDD(3.3V)になるまで上昇することができるという利点がある反面、入力信号SINが電位VLのとき出力信号SOUTの電位が0Vまで下降しないという欠点がある。
なお、第1レベルシフタ1の入出力波形と、入力電圧との関係は、従来技術で説明した通り、図25から図30に示すとおりとなる。
【0022】
次に、図2に示す波形を有する入力信号SINが入力された場合の第2レベルシフタ2単独の動作について、図6及び図7を参照して説明する。
まず、入力信号SINが電位VHのとき、1.2Vという振幅がトランジスタMP5のゲート電圧のしきい電圧Vt(0.7V)より0.5V高いので、トランジスタMP5は、ドレインとゲートとの電位差の絶対値が3.3V−1.2V=2.1Vとなり、2.1V>0.7Vであるため、完全なオフ状態とはならず、ほぼオン状態となる。そのため、トランジスタMP5は、低抵抗素子のように動作する(低抵抗状態)。
一方、入力信号SINが電位VHであるので、反転入力信号SINBは、図3に示すように、電位VL(0V(GND)となる。トランジスタMP6は、上記電位VLがゲートに印加されるので、完全にオン状態となり、出力端であるノードNDの電位を電源電圧VDD(3.3V)まで急激に上昇させるべく動作する。これにより、トランジスタMN5は、ほぼ電源電圧VDDに近い十分な高電圧がゲートに印加されるので、ほぼオン状態となり、反転出力端であるノードNBの電位を急激に0Vに下降させるべく動作する。
【0023】
しかし、上記したように、トランジスタMP5は完全にはオフ状態とはなっていないので、図1に示すノードNBの電位は、完全には0Vにならず、最終的には、トランジスタMP5の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗とトランジスタMN5のオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗との抵抗比で決まる、0Vから電源電圧VDD(3.3V)までの中間電位(これを電位VM31とする)になる。ここで、トランジスタMP5の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗を抵抗RP51、トランジスタMN5のオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗をRN51とすると、上記中間電位VM31は、式(3)で表される。
VM31=(RN51・VDD)/(RP51+RN51)…(3)
【0024】
実際には、トランジスタMN5のほぼオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗の値は、トランジスタMP5の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗の値よりも十分低いので、ノードNBの電位は、0V近傍まで下降する。このようにノードNBの電位が0V近傍に下降するため、このノードNBの電位がゲートに印加されるトランジスタMN6は、ほぼオフ状態となる(高抵抗状態)。この結果、トランジスタMP6のオン状態がトランジスタMN6の高抵抗状態よりも優勢となり、出力端であるノードNDの電位が電源電圧VDD(3.3V)まで上昇するのを助長する。ここで、トランジスタMP6のオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗を抵抗RP61、トランジスタMN6の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗をRN61とした場合のノードNDの電位は、中間電位VM41として式(4)で表される。
VM41=(RN61・VDD)/(RP61+RN61)…(4)
【0025】
これに対し、入力信号SINが電位VLのとき、トランジスタMP5は、ゲートに0V(GND)が印加されるため、完全にオン状態になる。これにより、トランジスタMN6は、ほぼ電源電圧VDDに近い電圧がゲートに印加されるので、ほぼオン状態となり、出力端であるノードNDの電位を急激に0Vに下降させる。一方、入力信号SINが電位VLであるので、反転入力信号SINBは、図3に示すように、電位VH(1.2V)となる。トランジスタMP6は、ドレインとゲートとの電位差の絶対値が3.3V−1.2V=2.1Vとなり、2.1V>0.7Vであるため、完全にはオフ状態とはならず、ほぼオン状態となる。言いかえると、トランジスタMP6は、ほんの少しオフしかけた状態となる。そのため、トランジスタMP6は、低抵抗素子のように動作する(低抵抗状態)。この結果、出力端であるノードNDの電位は、完全には0Vにならず、最終的には、トランジスタMP6の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗とトランジスタMN6のほぼオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗との抵抗比で決まる、0Vから電源電圧VDD(3.3V)までの中間電位(これを電位VM42とする)になる。ここで、トランジスタMP6の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗を抵抗RP62、トランジスタMN6のほぼオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗をRN62とすると、上記中間電位VM42は、式(5)で表される。
VM42=(RN62・VDD)/(RP62+RN62)…(5)
【0026】
実際には、トランジスタMN6のほぼオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗の値は、トランジスタMP6の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗の値よりも十分低いので、ノードNDの電位は、0V近傍まで下降する。このようにノードNDの電位が0V近傍に下降するため、このノードNDの電位がゲートに印加されるトランジスタMN5は、ほぼオフ状態となる(高抵抗状態)。この結果、トランジスタMP5のオン状態がトランジスタMN5の高抵抗状態よりも優勢となり、反転出力端であるノードNBの電位が電源電圧VDD(3.3V)まで急激に上昇する。ここで、トランジスタMP5のオン状態におけるソース・ドレイン間抵抗を抵抗RP52、トランジスタMN5の低抵抗状態におけるソース・ドレイン間抵抗をRN52とした場合のノードNBの電位は、中間電位VM32として式(6)で表される。
VM32=(RN52・VDD)/(RP52+RN52)…(6)
【0027】
以上説明した第2レベルシフタ2単独の動作を整理すると図6に示すようになり、またこの場合の出力信号SOUTの波形は、図7に示すようになる。
このように、第2レベルシフタ2が単独で動作した場合には、出力端であるノードNBは、必ず十分な駆動能力を有するトランジスタMP6又はMN6により駆動されるので、入出力応答が非常に高速であるという利点がある反面、入力信号SINが電位VHのとき出力信号SOUTの電位が電源電源VDD(3.3V)まで上昇せず、入力信号SINが電位VLのとき出力信号SOUTの電位が0Vまで下降しないという欠点がある。
この第2レベルシフタ2の入力及び出力信号の波形と電圧との関係を図31から図36に示す。なお、図31乃至図36において、縦軸を入力信号の電圧(V)とし、横軸を時間(nS(ナノセカンド))としている。また、トランジスタMP5及びMP6のゲート幅を20μm、トランジスタMN5及びMN6のゲート幅を10μmとしている。
第2レベルシフタでは、図31の波形から、入力電圧が2.0Vの時、既に出力信号の”L”レベルが、GND(0V)ではなく、0.2Vに浮くことが分かる。この出力信号の”L”レベルの「浮き」は、入力電圧が低下して行くに従って顕著になり、入力電圧が1.0Vの時には、出力信号の”L”レベルが2.6V程度まで上昇してしまうことが図31乃至図36から分かる。
また、図34乃至図36の波形から、入力信号が1.3V以下になると、出力電圧の”H”レベルが3.3から低下し、入力信号が1.0Vの時には3.0V程度まで低下することが分かる。
また、第2のレベルシフタは、図31乃至図36の波形図から、入力信号のレベル変化に対応して出力信号が変化しており、追従性が良いことが分かる。例えば、入力信号が2.0Vの時、図31に示すように、入力信号が変化してから出力信号が確定するまでの時間は、約0.3ナノセカンドであり、入力信号が1.4Vの時、図33に示すように、入力信号が変化してから出力信号が確定するまでの時間は、約0.5ナノセカンドである。したがって、第2のレベルシフタは、第1のレベルシフタに比べて、出力信号が入力信号の変化に応答して確定するまでの期間が短いことが分かる。
従って、図38に示すように、第2のレベルシフタ回路の電源電流波形は、短い期間だけ立ち上がるような波形となるが、トランジスタMP5及びMN5又は、トランジスタMP6及びMN6を介して、定常的に貫通電流が流れているため、信号の変化が無い場所でも1.25mA程度の電流が流れつづけていることが分かる。なお、図38の電圧電流波形図は、第2のレベルシフタにおいて、入力電圧が1.4Vのものを例として用いた。
このように、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ2とは、各々単独で使用した場合には、上記した利点と欠点とを有している。そこで、この例のレベルシフタは、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ2とをノードNAとノードNB及びノードNCとノードNDとを互いに接続して構成することにより、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ2とを、互いの利点を活かしつつ、互いの欠点を補うように動作させ、所望の機能を得るものである。
【0028】
以下、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ2とが接続されたこの例のレベルシフタの動作について、図1〜図4、図6、図8及び図9を参照して説明する。
(1)入力信号SINの電位が電位VLから電位VHに変化した場合(図2参照)
この場合、トランジスタMN3及びMP5の各々ゲートに入力信号SINの電位VH(1.2V)が印加される。上記したように(図4参照)、トランジスタMN3は、完全にはオン状態にならず高抵抗状態となる。その結果、トランジスタMN3は、トランジスタMP4のゲート電圧、ノードNAの電位及びノードNAと接続されたノードNBの電位を徐々に0Vに下降させるべく動作する。また、トランジスタMP5は、そのゲートに入力信号SINの電位VH(1.2V)が印加されても、上記したように(図6参照)、完全にオフ状態にならず低抵抗状態となる。
【0029】
しかし、入力信号SINが電位VHであるので、反転入力信号SINBは、図3に示すように、電位VL(0V)となり、トランジスタMN4及びMP6の各ゲートには上記電位VLが印加される。これにより、上記したように(図4及び図6参照)、トランジスタMN4が完全なオフ状態になるとともに、トランジスタMP6は完全なオン状態になる。トランジスタMP6が完全なオン状態になることにより、出力端であるノードNDの電位、すなわち、出力信号SOUTの電位は、電源電圧(3.3V)まで急激に変化し、論理が”H”レベルに確定される。これと同時に、トランジスタMN5は、そのゲートに電源電圧(3.3V)が印加されるので、完全にオン状態となる(図6参照)。したがって、反転出力信号SOUTBが出力される反転出力端であるノードNBの電位は、0Vに急激に変化し、トランジスタMN5は、結果として、トランジスタMN3の、ノードNBの電位を0Vに下降させる動作を補完する形になる。また、トランジスタMN5は、完全にオン状態となることにより、トランジスタMN6のゲートに0Vを印加することになるので、トランジスタMN6は、完全にオフ状態になる。
以上説明した動作により、ノードNBの論理が”L”レベル(0V)に確定する。
【0030】
ノードNBの論理が”L”レベル(0V)に確定すると、この信号がノードNBと接続されたもう1つの反転出力端であるノードNAへ帰還されるので、この”L”レベル(0V)がゲートに印加されるトランジスタMP4が急激にオン状態となり、出力端であるノードNCの電位を電源電圧(3.3V)まで急激に上昇させる。このトランジスタMP4が急激にオン状態となる動作は、トランジスタMP6の動作に追従する形で、ノードNCと接続されたノードNDの電位、すなわち、出力信号SOUTの電位を”H”レベル(3.3V)に上昇させる。これにより、トランジスタMP3は、ノードNCと接続されたゲートに”H”レベル(3.3V)が印加されるので、完全にオフ状態となり、トランジスタMN3の、反転出力端であるノードNA及びNBの電位を0Vに下降させる動作を補完する。以上説明したように、トランジスタMP6が完全なオン状態となる動作がトリガとなって他のトランジスタが連鎖的にそのドレインの電位、すなわち、出力端(ノードNC及びND)並びに反転出力端(ノードNA及びNB)の論理を確定させるように動作する。この結果、出力信号SOUTが非常に高速に0Vから電源電圧VDD(3.3V)へと変化する。
【0031】
(2)入力信号SINの電位が電位VHから電位VLに変化した場合(図2参照)
入力信号SINが電位VLであるので、反転入力信号SINBは、図3に示すように、電位VH(1.2V)となり、トランジスタMN4及びMP6の各ゲートには上記電位VHが印加される。上記したように(図4参照)、トランジスタMN4は、完全にはオン状態にならず高抵抗状態となる。その結果、トランジスタMN4は、トランジスタMP3のゲート電圧、ノードNCの電位及びノードNCと接続されたノードNDの電位を徐々に0Vに下降させるべく動作する。また、トランジスタMP6は、そのゲートに入力信号SINの電位VH(1.2V)が印加されても、上記したように(図6参照)、完全にオフ状態にならず低抵抗状態となる。
【0032】
しかし、この場合、トランジスタMN3及びMP5の各々ゲートに入力信号SINの電位VL(0V)が印加される。これにより、上記したように(図4及び図6参照)、トランジスタMN3が完全なオフ状態になるとともに、トランジスタMP5は完全なオン状態になる。トランジスタMP5が完全なオン状態になることにより、反転出力端であるノードNBの電位、すなわち、反転出力信号SOUTBの電位は、電源電圧(3.3V)まで急激に変化し、論理が”H”レベルに確定される。これと同時に、トランジスタMN6は、そのゲートに電源電圧(3.3V)が印加されるので、完全にオン状態となる(図6参照)。したがって、出力信号SOUTが出力される出力端であるノードNDの電位は、0Vに急激に変化し、トランジスタMN6は、結果として、トランジスタMN4の、ノードNDの電位を0Vに下降させる動作を補完する。また、トランジスタMN6は、完全にオン状態となることにより、トランジスタMN5のゲートに0Vを印加することになるので、トランジスタMN5は、完全にオフ状態になる。
以上説明した動作により、ノードNDの論理が”L”レベル(0V)に確定する。
【0033】
ノードNDの論理が”L”レベル(0V)に確定すると、この信号がノードNDと接続されたもう1つの出力端であるノードNCへ帰還されるので、この”L”レベル(0V)がゲートに印加されるトランジスタMP3が急激にオン状態となり、反転出力端であるノードNAの電位を電源電圧(3.3V)まで急激に上昇させる。このトランジスタMP3の急激にオン状態となる動作が、トランジスタMP5の動作に追従する形で、ノードNAと接続されたノードNBの電位、すなわち、出力信号SOUTBの電位を”H”レベル(3.3V)に上昇させる。これにより、トランジスタMP4は、ノードNAと接続されたゲートに”H”レベル(3.3V)が印加されるので、完全にオフ状態となり、トランジスタMN4の、出力端であるノードNC及びNDの電位を0Vに下降させる動作を補完する形になる。
以上説明したように、トランジスタMP5が完全なオン状態となる動作がトリガとなって他のトランジスタが連鎖的にそのドレインの電位、すなわち、出力端(ノードNC及びND)並びに反転出力端(ノードNA及びNB)の論理を確定させるように動作する。この結果、出力信号SOUTが非常に高速に電源電圧VDD(3.3V)から0V(GND)へと変化する。
【0034】
以上説明したように、この例のレベルシフタでは、第2レベルシフタ2において、トランジスタMP5又はトランジスタMP6のいずれか一方のゲートには、必ず、入力信号SINの電位VL(0V)が印加される。したがって、電位VL(0V)が印加されたトランジスタMP5又はMP6は、飽和領域における高速な駆動動作となり、当該ドレイン端である出力端(便宜的に第1の出力端と呼ぶ)の電位を電源電圧(3.3V)に上昇させるべく動作し、他方のトランジスタMP6又はMP5のドレイン端である出力端(便宜的に第2の出力端と呼ぶ)の電位を0Vに下降させるべく動作する。同時に、第1レベルシフタ1は、第2レベルシフタ2の動作に同調するように、第1の出力端の電位を電源電圧(3.3V)に上昇させるべく動作し、第2の出力端の電位を0Vに下降させるべく動作する。
この結果、この例のレベルシフタにおいては、出力信号SOUT及び反転出力信号SOUTBの論理を”L”レベル又は”H”レベルのいずれかに安定的に確定させることができる。ここで、図8及び図9に、この例のレベルシフタから出力される出力信号SOUT及び反転出力信号SOUTBの波形の一例を示す。
【0035】
また、上記したように、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ2の各出力端同士(ノードNAとノードNB)と各反転出力端同士(ノードNCとノードND)が接続されている。したがって、第2レベルシフタ2を構成するトランジスタMP5又はMP6のいずれかオン状態になった方のドレインから出力される信号が第1レベルシフタ1へ帰還され、第1レベルシフタ1を構成するトランジスタMP3又はトランジスタMP4のいずれかの動作を完全に補完することになる。同時に、第2レベルシフタ2を構成するトランジスタMP6又はMP5のいずれか低抵抗状態になった方のドレインは、第1レベルシフタ1を構成するトランジスタMN4又はMN3により、高抵抗状態であるが、必ずその電位を確定する方向に誘導されるので、応答速度の遅さが補完されることになる。
したがって、この例のレベルシフタは、入力信号の電圧振幅と出力信号の電圧振幅との差が2倍以上ある場合であっても、正常に動作することができる。
【0036】
また、この例のレベルシフタは、上記したように、第1レベルシフタ1を構成する高抵抗状態のトランジスタMN3及びMN4が、第2レベルシフタ2を構成する完全なオン状態のトランジスタMN5及びMN6によって必ず動作が補完されるとともに、第1レベルシフタ1を構成する完全なオン状態のトランジスタMP3及びMP4が、第2レベルシフタ2を構成する低抵抗状態のトランジスタMP5及びMP6の動作を補完するので、入力ノイズや電源ノイズに強く、安定的に動作することができる。
また、この例のレベルシフタは、第2レベルシフタ2が有する応答時間の速さを活かしつつ、第1レベルシフタ1が第2レベルシフタ2の動作を補完するように動作するので、高い動作周波数で動作する。したがって、本例のレベルシフタは、高い周波数の入力信号に対しても、確実にレベルシフト動作を行なうことができる。
また、この例のレベルシフタは、入力信号が変化してから出力信号が確定するまでの期間が短いため、レベルシフタ内を電流が流れる期間が短くなり、その結果、消費電力が低減される。
また、この例のレベルシフタは、入力される信号の電圧レベルと、出力される信号の電圧レベルとの差が小さい場合には、レベルシフタを構成するトランジスタMP4の駆動性能(ゲート幅)とトランジスタMN4の駆動性能(ゲート幅)とを意図的にアンバランスにすることなく、所望の特性を得ることが可能である。
次に、図1のレベルシフタにおいて、トランジスタMP3のゲート幅を2μm、トランジスタMP4のゲート幅を2μm、トランジスタMN3のゲート幅を60μm、トランジスタMN3のゲート幅を60μm、トランジスタMP5のゲート幅を8μm、トランジスタMP6のゲート幅を8μm、トランジスタMN5のゲート幅を2μm、トランジスタMN4のゲート幅を2μmとして、入力電圧を変化させた場合のシミュレーション結果を図10から図15に示す。なお、図10乃至図15において、縦軸を入力信号の電圧(V)とし、横軸を時間(nS(ナノセカンド))としている。
入力電圧を2.0V、1.5V、1.4V、1.3V、1.2V、1.0Vと変化させても、出力電圧の振幅はほぼ3.3Vで一定しており、また、デューティ比も殆ど変化していないことが図10から図15の波形図で判る。ただ、入力電圧が低下すると、出力電圧の下限(”L”レベル)が0Vより若干浮いてくるという問題がある。この電圧の「浮き」は、入力が1.0Vのときで、約0.2V程度であることが図15から分かる。これは、第2レベルシフタ2に貫通電流が流れることに起因しており、レベルシフタの出力波形自体は、出力電圧を受けるインバータ等により容易に波形整形することができるものの、消費電力が増加する原因となる。したがって、以下の第2の実施例及び第3の実施例により、消費電力も低下させたレベルシフタについて説明する。
【0037】
B.第2の実施例
次に、この発明の第2の実施例について説明する。
図16は、この発明の第2の実施例であるレベルシフタの構成を示す回路図である。この図において、図1の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図16に示すレベルシフタにおいては、図1に示す第2レベルシフタ2に換えて、第2レベルシフタ10が新たに設けられている。第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ10とは、ノードNAとノードNBとが接続されるとともに、ノードNCとノードNDとが接続されている。そして、この例のレベルシフタは、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ10とが互いの欠点を補うように動作するので、相補型レベルシフタと呼ぶことができる。
【0038】
第2レベルシフタ10は、インバータINV2と、3.3V耐圧のPチャネルのトランジスタMP5、MP6、MP10及びMP11と、3.3V耐圧のNチャネルのトランジスタMN5及びMN6とから構成されている。
トランジスタMP5は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのゲートに入力信号SINが印加され、そのドレインがトランジスタMP10のソースに接続されている。トランジスタMP6は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのゲートに反転入力信号SINBが印加され、そのドレインがトランジスタMP11のソースに接続されている。トランジスタMP10は、そのゲートがトランジスタMP11のドレインに接続され、そのドレインがトランジスタMN5のドレインに接続されているとともに、そのドレインから3.3V振幅の負論理の出力信号SOUTBが出力される。トランジスタMP11は、そのゲートがトランジスタMP10のドレインに接続され、そのドレインがトランジスタMN6のドレインに接続されているとともに、そのドレインから3.3V振幅の正論理の出力信号SOUTが出力される。トランジスタMN5は、そのゲートがトランジスタMP11のドレインに接続され、そのソースが接地されている。トランジスタMN6は、そのゲートがトランジスタMP10のドレインに接続され、そのソースが接地されている。
【0039】
すなわち、第2レベルシフタ10は、入力段にPチャネルのトランジスタMP5及びMP6が設けられるとともに、NチャネルのトランジスタMN5及びMN6の互いのゲートが相手方のドレインに接続されているので、いわばPチャネルトランジスタ入力型たすきがけ回路ともいうべきものである。トランジスタMP10のドレインとトランジスタMN5のドレインとの接続点がノードNBであり、トランジスタMP11のドレインとトランジスタMN6のドレインとの接続点がノードNDである。
なお、トランジスタMP5、MP6、MP10、MP11、MN5及びMN6のゲート電圧のしきい電圧Vtは、いずれも0.7Vであるとする。
【0040】
上記構成のレベルシフタでは、第2のレベルシフタ10において、トランジスタMP10がトランジスタMP5のドレインとトランジスタMN5のドレインとの間に直列接続されるとともに、出力信号SOUTをトランジスタMP10のゲートへの帰還入力としている。また、トランジスタMP11がトランジスタMP6のドレインとトランジスタMN65のドレインとの間に直列接続されるとともに、反転出力信号SOUTBをトランジスタMP11のゲートへの帰還入力としている。これは以下に示す理由による。
すなわち、上記した第1の実施例によるレベルシフタにおいては、トランジスタMP5及びMP6は、ゲートに電位VH(1.2V)の入力信号SIN又は反転入力信号SINBが印加された場合、図6に示すように、低抵抗状態となる。このため、トランジスタMP5及びMP6の各ソース・ドレイン間には、出力信号SOUT及びSOUTBの電位が確定した後でも、微小ながら定常的な貫通電流が流れる。
【0041】
そこで、この例においては、トランジスタMP10をトランジスタMP5のドレインとトランジスタMN5のドレインとの間に直列接続するとともに、出力信号SOUTをトランジスタMP10のゲートへの帰還入力とすることにより、”H”レベル(3.3V)の出力信号SOUTによりトランジスタMP10を完全なオフ状態とし、トランジスタMP5のソース・ドレイン間に流れる上記定常的な貫通電流をトランジスタMP10のところで完全に遮断するのである。同様に、トランジスタMP11をトランジスタMP6のドレインとトランジスタMN6のドレインとの間に直列接続するとともに、反転出力信号SOUTBをトランジスタMP11のゲートへの帰還入力とすることにより、”H”レベル(3.3V)の反転出力信号SOUTBによりトランジスタMP11を完全なオフ状態とし、トランジスタMP6のソース・ドレイン間に流れる上記定常的な貫通電流をトランジスタMP11のところで完全に遮断するのである。
このように、この例の構成によれば、上記した第1の実施例で得られる効果の他、貫通電流の完全な遮断により、消費電力をより低減することができる。
この第2の実施例において、トランジスタMP3のゲート幅を2μm、トランジスタMP4のゲート幅を2μm、トランジスタMN3のゲート幅を60μm、トランジスタMN3のゲート幅を60μm、トランジスタMP5のゲート幅を8μm、トランジスタMP6のゲート幅を8μm、トランジスタMN5のゲート幅を2μm、トランジスタMN4のゲート幅を2μm、トランジスタMP10のゲート幅を2μm、トランジスタMP11のゲート幅を2μmとして、入力電圧を変化させた場合のシミュレーション結果を図17から図22に示す。なお、図17乃至図22において、縦軸を入力信号の電圧(V)とし、横軸を時間(nS(ナノセカンド))としている。
入力電圧を2.0V、1.5V、1.4V、1.3V、1.2V、1.0Vと変化させても、出力電圧の振幅はほぼ3.3Vで一定しており、また、デューティ比も殆ど変化していないことが図17から図22の波形図で判る。また、第1の実施例では出力電圧の下限が0Vより若干浮いてくるという問題があったが、第2の実施例では、入力電圧を低下させても「浮き」が発生していないことが分かる。
ここで、第1の実施例と、第2の実施例の電源電流波形について説明する。
第1の実施例の電源電流波形は、図39に示すように、入力電圧が変化してから出力電圧が確定するまでの期間のみ大きな電流が流れているため、図37及び図38に示された従来技術よりも、消費電力が少なくなっていることが分かる。ただし、第1の実施例では、上述のとおり、第2のレベルシフタを介して貫通電流が流れているため、定常的に0.8mA程度の電流が流れている。これに対し、第2の実施例の電源電流波形は、図40に示すように、定常的に流れていた電流が無くなり、入力信号が変化し出力信号が確定する間のみ電流が流れている。したがって、第1の実施例よりも消費電力が少なくなっていることが分かる。なお、図39及び図40において、図37及び図38の従来の波形と比較するために、本発明のレベルシフタにおいて、入力信号が1.4Vのものを例に使用した。
以下、第2の実施例の変形例である第3の実施例について、説明する。
【0042】
C.第3の実施例
次に、この発明の第3の実施例について説明する。
図11は、この発明の第3の実施例であるレベルシフタの構成を示す回路図である。この図において、図1の各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図11に示すレベルシフタにおいては、図1に示す第2レベルシフタ2に換えて、第2レベルシフタ11が新たに設けられている。第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ11とは、ノードNAとノードNBとが接続されるとともに、ノードNCとノードNDとが接続されている。そして、この例のレベルシフタは、第1レベルシフタ1と第2レベルシフタ11とが互いの欠点を補うように動作するので、相補型レベルシフタと呼ぶことができる。
【0043】
第2レベルシフタ11は、インバータINV2と、3.3V耐圧のPチャネルのトランジスタMP5及びMP6と、3.3V耐圧のNチャネルのトランジスタMN5、MN6、MN10及びMN11とから構成されている。
トランジスタMP5は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのゲートに入力信号SINが印加され、そのドレインがトランジスタMN10のドレインに接続されている。トランジスタMP6は、そのソースに3.3Vの電源電圧VDDが印加され、そのゲートに反転入力信号SINBが印加され、そのドレインがトランジスタMN11のドレインに接続されている。トランジスタMN10は、そのゲート及びソースがトランジスタMN5のドレインに接続されているとともに、そのソースから3.3V振幅の負論理の出力信号SOUTBが出力される。トランジスタMN11は、そのゲート及びソースがトランジスタMN6のドレインに接続されているとともに、そのソースから3.3V振幅の正論理の出力信号SOUTが出力される。トランジスタMN5は、そのゲートがトランジスタMN6のドレインに接続され、そのソースが接地されている。トランジスタMN6は、そのゲートがトランジスタMN5のドレインに接続され、そのソースが接地されている。
【0044】
すなわち、第2レベルシフタ11は、入力段にPチャネルのトランジスタMP5及びMP6が設けられるとともに、NチャネルのトランジスタMN5及びMN6の互いのゲートが相手方のドレインに接続されているので、いわばPチャネルトランジスタ入力型たすきがけ回路ともいうべきものである。トランジスタMN10のソースとトランジスタMN5のドレインとの接続点がノードNBであり、トランジスタMN11のソースとトランジスタMN6のドレインとの接続点がノードNDである。
なお、トランジスタMP5、MP6、MN5、MN6、MN10及びMN11のゲート電圧のしきい電圧Vtは、いずれも0.7Vであるとする。
【0045】
上記構成のレベルシフタでは、第2のレベルシフタ11において、トランジスタMN10がトランジスタMP5のドレインとトランジスタMN5のドレインとの間に直列接続されるとともに、反転出力信号SOUTBをトランジスタMN10のゲートへの帰還入力としている。また、トランジスタMN11がトランジスタMP6のドレインとトランジスタMN65のドレインとの間に直列接続されるとともに、出力信号SOUTをトランジスタMN11のゲートへの帰還入力としている。これは以下に示す理由による。
すなわち、上記した第1の実施例によるレベルシフタにおいては、トランジスタMP5及びMP6は、ゲートに電位VH(1.2V)の入力信号SIN又は反転入力信号SINBが印加された場合、図6に示すように、低抵抗状態となる。このため、トランジスタMP5及びMP6の各ソース・ドレイン間には、出力信号SOUT及びSOUTBの電位が確定した後でも、微小ながら定常的な貫通電流が流れる。
【0046】
そこで、この例においては、トランジスタMN10をトランジスタMP5のドレインとトランジスタMN5のドレインとの間に直列接続するとともに、反転出力信号SOUTBをトランジスタMN10のゲートへの帰還入力とすることにより、”L”レベル(0V)の反転出力信号SOUTBによりトランジスタMN10を完全なオフ状態とし、トランジスタMP5のソース・ドレイン間に流れる上記定常的な貫通電流をトランジスタMN10のところで完全に遮断するのである。同様に、トランジスタMN11をトランジスタMP6のドレインとトランジスタMN6のドレインとの間に直列接続するとともに、出力信号SOUTをトランジスタMN11のゲートへの帰還入力とすることにより、”L”レベル(0V)の出力信号SOUTによりトランジスタMN11を完全なオフ状態とし、トランジスタMP6のソース・ドレイン間に流れる上記定常的な貫通電流をトランジスタMN11のところで完全に遮断するのである。
このように、この例の構成によれば、上記した第1の実施例で得られる効果の他、第2の実施例と同様に、貫通電流を遮断することにより、消費電力をより低減することができる。
【0047】
以上、この発明の実施例を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
例えば、上述の各実施例においては、入力信号SINの振幅が1.2Vであり、出力信号SOUTが3.3Vである例を示したが、これに限定されず、この発明は、入力信号の電圧振幅と出力信号の電圧振幅との差が2倍以上ある場合にも適用することができる。
また、上述の各実施例においては、インバータINV2は、電源電圧が1.2Vであって、1.2Vの耐圧特性を有するPチャネルのトランジスタとNチャネルのトランジスタとから構成されたCMOS構造であり、1.2V振幅の入力信号SINを1.2V振幅で反転して反転入力信号SINBとして出力する例を示したが、これに限定されない。すなわち、インバータINV2を構成するトランジスタは、電源電圧(1.2V)よりも高い耐圧特性(例えば、3.3V)を有するトランジスタによって構成されても良い。なお、レベルシフタの動作速度を向上させるためには、インバータINV2は、高速に動作させることが望ましいため、ゲート容量の小さい、低い耐圧のトランジスタによって構成されることが望ましい。
また、上述の各実施例においては、入力信号の反転信号を生成する回路として、インバータを例にして説明したが、NAND、NOR、その他反転信号を生成する回路であれば、適宜置き換え可能である。なお、各実施例では、回路構成がシンプルで遅延時間の少ないインバータ回路を用いた。
また、トランジスタMN3及びMN4のゲート幅は、速やかにノードNA及びノードNCの電荷を引き抜くために、他のトランジスタよりも大きなゲート幅を有していることが好ましい。
また、上述の各実施例においては、トランジスタとしてNチャネル及びPチャネルのMOSトランジスタを用いて説明したが、MOSトランジスタに限定されず、他のトランジスタ、例えばバイポーラトランジスタに置きかえることも可能である。
なお、本発明のレベルシフタを半導体集積回路としてチップ上に搭載すれば、チップの内外での電圧差を容易に緩和することができるため、チップの汎用性を高めることができる。
また、当該チップをマザーボード等に搭載した情報処理システムにおいても、他のチップ等との電圧差を容易に緩和することができ、情報処理システムにおける設計の容易性を高めることができる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、第1のレベルシフタと第2のレベルシフタにより、入力信号の電圧振幅がトランジスタの閾値近傍まで低くなっても、安定して高速に動作する、低消費電力のレベルシフタを提供することができる。
また、第2のレベルシフタに貫通電流を遮断するトランジスタを付加することにより、さらに消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例であるレベルシフタの構成を示す回路図。
【図2】入力信号SINの波形の一例を示す図。
【図3】反転入力信号SINBの波形の一例を示す図。
【図4】同レベルシフタを構成する第1レベルシフタ1単独の動作を説明するための図。
【図5】同第1レベルシフタ1が単独で動作した場合の出力信号SOUTの波形の一例を示す図。
【図6】同レベルシフタを構成する第2レベルシフタ2単独の動作を説明するための図。
【図7】同第2レベルシフタ2が単独で動作した場合の出力信号SOUTの波形の一例を示す図。
【図8】同レベルシフタが動作した場合の出力信号SOUTの波形の一例を示す図。
【図9】同レベルシフタが動作した場合の反転出力信号SOUTBの波形の一例を示す図。
【図10】この発明の第1の実施例における、入力電圧2.0Vの時の入出力波形図。
【図11】この発明の第1の実施例における、入力電圧1.5Vの時の入出力波形図。
【図12】この発明の第1の実施例における、入力電圧1.4Vの時の入出力波形図。
【図13】この発明の第1の実施例における、入力電圧1.3Vの時の入出力波形図。
【図14】この発明の第1の実施例における、入力電圧1.2Vの時の入出力波形図。
【図15】この発明の第1の実施例における、入力電圧1.0Vの時の入出力波形図。
【図16】この発明の第2の実施例であるレベルシフタの構成を示す回路図。
【図17】この発明の第2の実施例における、入力電圧2.0Vの時の入出力波形図。
【図18】この発明の第2の実施例における、入力電圧1.5Vの時の入出力波形図。
【図19】この発明の第2の実施例における、入力電圧1.4Vの時の入出力波形図。
【図20】この発明の第2の実施例における、入力電圧1.3Vの時の入出力波形図。
【図21】この発明の第2の実施例における、入力電圧1.2Vの時の入出力波形図。
【図22】この発明の第2の実施例における、入力電圧1.0Vの時の入出力波形図。
【図23】この発明の第3の実施例であるレベルシフタの構成を示す回路図。
【図24】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)の構成例を示す回路図。
【図25】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)における、入力電圧2.0Vの時の入出力波形図。
【図26】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)における、入力電圧1.5Vの時の入出力波形図。
【図27】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)における、入力電圧1.4Vの時の入出力波形図。
【図28】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)における、入力電圧1.3Vの時の入出力波形図。
【図29】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)における、入力電圧1.2Vの時の入出力波形図。
【図30】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)における、入力電圧1.0Vの時の入出力波形図。
【図31】第2レベルシフタにおける、入力電圧2.0Vの時の入出力波形図。
【図32】第2のレベルシフタにおける、入力電圧1.5Vの時の入出力波形図。
【図33】第2のレベルシフタにおける、入力電圧1.4Vの時の入出力波形図。
【図34】第2のレベルシフタにおける、入力電圧1.3Vの時の入出力波形図。
【図35】第2のレベルシフタにおける、入力電圧1.2Vの時の入出力波形図。
【図36】第2のレベルシフタにおける、入力電圧1.0Vの時の入出力波形図。
【図37】従来のレベルシフタ(第1のレベルシフタ)における、入力電圧1.4Vの時の電源電流波形図。
【図38】第2のレベルシフタにおける、入力電圧1.4Vの時の電源電流波形図。
【図39】この発明の第1の実施例における、入力電圧1.4Vの時の電源電流波形図。
【図40】この発明の第2の実施例における、入力電圧1.4Vの時の電源電流波形図。
【符号の説明】
1 第1レベルシフタ
2、10,11 第2レベルシフタ
MN3〜MN6,MN10,MN11 NチャネルMOSトランジスタ
MP3〜MP6,MP10,MP11 PチャネルMOSトランジスタ
INV2 インバータ
Claims (14)
- 入力信号が印加される入力端子に制御端子が接続され、第1の電源ラインと第1のノードとの間に接続された一導電型の第1のトランジスタと、
前記第1のノードと第2の電源ラインとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された第二導電型の第2のトランジスタと、
前記入力端子と第2のノードとの間に接続されたインバータと、
前記第1の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された前記一導電型の第3のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記第二導電型の第4のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと前記第1のノードとの間に接続され、制御端子が前記入力端子に接続された前記第二導電型の第5のトランジスタとを備えることを特徴とするレベルシフタ。 - 前記第2の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された第二導電型の第6のトランジスタを備えることを特徴とする請求項1記載のレベルシフタ。
- 前記第1の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記一導電型の第7のトランジスタと、前記第1の電源ラインと前記第1のノードとの間に接続され、制御端子が前記出力端子に接続された前記一導電型の第8のトランジスタを備えることを特徴とする請求項2記載のレベルシフタ。
- 前記第5のトランジスタと前記第1のノードとの間に挿入され、制御端子が前記出力端子に接続された前記第二導電型の第9のトランジスタと、前記第6のトランジスタと前記出力端子との間に挿入され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記第二導電型の第10のトランジスタとを備えることを特徴とする請求項3記載のレベルシフタ。
- 前記第5の前記第1のノードとの間に挿入され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記一導電型の第9のトランジスタと、前記第6のトランジスタと前記出力端子との間に挿入され、制御端子が前記出力端子に接続された前記一導電型の第10のトランジスタとを備えることを特徴とする請求項3記載のレベルシフタ。
- 前記第1乃至第8のトランジスタは、略同一の電圧耐性を有していることを特徴とする請求項3記載のレベルシフタ。
- 前記第1及び第3のトランジスタは、他のトランジスタよりも大きなゲート幅を有していることを特徴とする請求項1乃至6記載のレベルシフタ。
- 前記第9及び第10のトランジスタは、第1乃至第8のトランジスタのうち最小のゲート幅を有するトランジスタと同一のゲート幅または、他のトランジスタよりも小さいゲート幅を有することを特徴とする請求項4又は5記載のレベルシフタ。
- 前記インバータは、前記第1乃至第5のトランジスタよりも低い電圧耐性を有していることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか記載のレベルシフタ。
- 入力信号が印加される入力端子に制御端子が接続され、第1の電源ラインと第1のノードとの間に接続された一導電型の第1のトランジスタと、
前記第1のノードと第2の電源ラインとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された第二導電型の第2のトランジスタと、
前記入力端子と第2のノードとの間に接続されたインバータと、
前記第1の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された前記一導電型の第3のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記第二導電型の第4のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと前記第1のノードとの間に接続され、制御端子が前記入力端子に接続された前記第二導電型の第5のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された第二導電型の第6のトランジスタと、
前記第1の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記一導電型の第7のトランジスタと、
前記第1の電源ラインと前記第1のノードとの間に接続され、制御端子が前記出力端子に接続された前記一導電型の第8のトランジスタとを備えることを特徴とするレベルシフタ。 - 入力信号が印加される入力端子に制御端子が接続され、第1の電源ラインと第1のノードとの間に接続された一導電型の第1のトランジスタと、
前記第1のノードと第2の電源ラインとの間に接続され、制御端子が出力端子に接続された第二導電型の第2のトランジスタと、
前記入力端子と第2のノードとの間に接続されたインバータと、
前記第1の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された前記一導電型の第3のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記第二導電型の第4のトランジスタと、
前記第1の電源ラインと前記第1のノードとの間に接続され、制御端子が前記出力端子に接続された前記一導電型の第5のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと第3のノードとの間に接続され、制御端子が前記入力端子に接続された前記第二導電型の第6のトランジスタと、
前記第1のノードと前記第3のノードとの間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記一導電型の第7のトランジスタと、
前記第1の電源ラインと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記一導電型の第8のトランジスタと、
前記第2の電源ラインと第4のノードとの間に接続され、制御端子が前記第2のノードに接続された前記第二導電型の第9のトランジスタと、
前記第4のノードと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記出力端子に接続された前記一導電型の第10のトランジスタとを備えることを特徴とするレベルシフタ。 - 前記第7のトランジスタに代えて、前記第1のノードと前記第3のノードとの間に接続され、制御端子が前記出力端子に接続された前記第二導電型の第11のトランジスタと、前記第10のトランジスタに代えて、前記第4のノードと前記出力端子との間に接続され、制御端子が前記第1のノードに接続された前記第二導電型の第12のトランジスタを備えることを特徴とする請求項11に記載のレベルシフタ。
- 請求項1乃至12のいずれかに記載のレベルシフタを備えることを特徴とする半導体集積回路。
- 請求項13に記載の半導体集積回路を備えることを特徴とする情報処理システム。
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