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- 位相シフトマスクを照明する照明光学系を備え、前記位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を多結晶半導体膜または非晶質半導体膜に照射する結晶化装置であって、
前記照明光学系と前記位相シフトマスクとの間の光路中に配置されて、前記照明光学系から供給された光束を複数の光束に波面分割し且つ波面分割された各光束を対応する位相シフト部またはその近傍へ集光するための波面分割素子を備えていることを特徴とする結晶化装置。 - 前記波面分割素子は2つの方向に沿って二次元的に配置された複数の光学要素を有し、各光学要素は前記2つの方向に沿って二次元的な集光機能を有することを特徴とする請求項1に記載の結晶化装置。
- 前記波面分割素子は所定の方向に沿って一次元的に配置された複数の光学要素を有し、各光学要素は前記所定の方向に沿って一次元的な集光機能を有することを特徴とする請求項1に記載の結晶化装置。
- 前記照明光学系は、その照明瞳面またはその近傍において中央よりも周辺において光強度の大きい所定の光強度分布を形成するための光強度分布形成素子を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の結晶化装置。
- 前記所定の光強度分布は、光強度の比較的小さい円形状の中央領域と、該中央領域を包囲するように形成された光強度の比較的大きい円環状の周辺領域とを有することを特徴とする請求項4に記載の結晶化装置。
- 前記所定の光強度分布は、所定方向に沿って細長く延びた光強度の比較的小さい中央領域と、該中央領域を包囲または挟むように形成された光強度の比較的大きい周辺領域とを有することを特徴とする請求項4に記載の結晶化装置。
- 前記光強度分布形成素子は、前記照明瞳面またはその近傍に配置された所定の光透過率分布を有する透過フィルターを有することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の結晶化装置。
- 前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜と前記位相シフトマスクとは互いにほぼ平行に且つ近接して配置されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の結晶化装置。
- 前記照明光学系の開口数をNA1とし、前記波面分割素子の焦点距離をfとし、前記波面分割素子の開口数をNA2とし、照明光の波長をλとするとき、
λ/NA2<f×NA1
の条件を満足することを特徴とする請求項8に記載の結晶化装置。 - 前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜と前記位相シフトマスクとの間の光路中に配置された結像光学系をさらに備え、
前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜は、前記位相シフトマスクと光学的に共役な面から前記結像光学系の光軸に沿って所定距離だけ離れて設定されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の結晶化装置。 - 前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜と前記位相シフトマスクとの間の光路中に配置された結像光学系をさらに備え、
前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜は、前記位相シフトマスクと光学的にほぼ共役な面に設定され、
前記結像光学系の像側開口数は、前記逆ピークパターンの光強度分布を発生させるための所要の値に設定されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の結晶化装置。 - 前記照明光学系の開口数をNA1とし、前記波面分割素子の焦点距離をfとし、前記波面分割素子の開口数をNA2とし、照明光の波長をλとし、前記結像光学系の像側開口数をNA3とするとき、
λ/NA2<f×NA1
λ/NA3<f×NA1
の条件を満足することを特徴とする請求項10または11に記載の結晶化装置。 - 前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜に照射される光強度分布は、前記位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターン領域と、該逆ピークパターン領域から周囲に向かって光強度が増加する凹型パターン領域とを有し、前記逆ピークパターン領域と前記凹型パターン領域との間において周囲に向かって傾きが減じる変曲点を有することを特徴とする請求項4乃至12のいずれか1項に記載の結晶化装置。
- 前記波面分割素子と前記位相シフトマスクとが一体的に形成されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の結晶化装置。
- 一体的に形成された前記波面分割素子と前記位相シフトマスクとは、光の入射方向から順に、前記波面分割素子の入射面、前記波面分割素子と前記位相シフトマスクとの界面、および前記位相シフトマスクの位相シフト面を有することを特徴とする請求項14に記載の結晶化装置。
- 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の前記光変換素子と前記位相シフトマスクとが一体的に形成されていることを特徴とする光学部材。
- 照明光学系で位相シフトマスクを照明し、前記位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を多結晶半導体膜または非晶質半導体膜に照射する結晶化方法であって、
前記照明光学系から供給された光束を複数の光束に波面分割し且つ波面分割された各光束を対応する位相シフト部またはその近傍へ集光することを特徴とする結晶化方法。 - 前記照明光学系の照明瞳面において中央よりも周辺において光強度の大きい所定の光強度分布を形成することを特徴とする請求項17に記載の結晶化方法。
- 前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜と前記位相シフトマスクとを互いにほぼ平行に且つ近接して配置することを特徴とする請求項17または18に記載の結晶化方法。
- 前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜と前記位相シフトマスクとの間の光路中に結像光学系を配置し、
前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜を前記位相シフトマスクと光学的に共役な面から前記結像光学系の光軸に沿って所定距離だけ離れて設定することを特徴とする請求項17または18に記載の結晶化方法。 - 前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜と前記位相シフトマスクとの間の光路中に結像光学系を配置し、
前記結像光学系の像側開口数を前記逆ピークパターンの光強度分布を発生させるための所要の値に設定し、
前記位相シフトマスクと光学的にほぼ共役な面に前記多結晶半導体膜または前記非晶質半導体膜を設定することを特徴とする請求項17または18に記載の結晶化方法。 - 光源と、
この光源からの光路に設けられた二次元的な集光屈折面を有するマイクロレンズアレイと、
このマイクロレンズアレイからの光路に設けられて逆ピークパターンの光強度分布の光を形成するための位相シフトマスクとを具備してなることを特徴とする結晶化装置。 - 光源と、
この光源からの光路に設けられて前記光源からの光を面内でほぼ均一化するためのホモジナイザと、
このホモジナイザからの光路に設けられた二次元的な集光屈折面を有するマイクロレンズアレイと、
このマイクロレンズアレイからの光路に設けられて逆ピークパターンの光強度分布の光を形成する位相シフトマスクと、
この位相シフトマスクの透過光路に設けられた結像光学系とを具備してなることを特徴とする結晶化装置。 - 光源と、
この光源からの光路に設けられた二次元的な集光屈折面を有するマイクロレンズアレイと、
このマイクロレンズアレイからの光路に設けられて逆ピークパターンの光強度分布の光を形成するための位相シフトマスクとを具備してなることを特徴とする光学系。 - 光源と、
この光源からの光路に設けられて前記光源からの光を面内でほぼ均一化するためのホモジナイザと、
このホモジナイザからの光路に設けられた二次元的な集光屈折面を有するマイクロレンズアレイと、
このマイクロレンズアレイからの光路に設けられて逆ピークパターンの光強度分布の光を形成する位相シフトマスクと、
この位相シフトマスクの透過光路に設けられた結像光学系とを具備してなることを特徴とする光学系。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002188846A JP4347546B2 (ja) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | 結晶化装置、結晶化方法および光学系 |
TW092117035A TWI282581B (en) | 2002-06-28 | 2003-06-23 | Crystallization apparatus, optical member for use in crystallization apparatus, crystallization method, manufacturing method of thin film transistor |
US10/603,821 US7101436B2 (en) | 2002-06-28 | 2003-06-26 | Crystallization apparatus, optical member for use in crystallization apparatus, crystallization method, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of matrix circuit substrate of display |
KR1020030042975A KR20040002803A (ko) | 2002-06-28 | 2003-06-28 | 결정화 장치, 결정화 장치에 사용되는 광학부재, 결정화방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 표시 장치의매트릭스 회로 기판의 제조 방법 |
CNA031489591A CN1480982A (zh) | 2002-06-28 | 2003-06-30 | 晶化装置、用于晶化装置的光学部件和晶化方法 |
US11/442,331 US7537660B2 (en) | 2002-06-28 | 2006-05-30 | Crystallization apparatus, optical member for use in crystallization apparatus, crystallization method, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of matrix circuit substrate of display |
US12/403,726 US7692864B2 (en) | 2002-06-28 | 2009-03-13 | Crystallization apparatus, optical member for use in crystallization apparatus, crystallization method, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of matrix circuit substrate of display |
US12/403,776 US20090181483A1 (en) | 2002-06-28 | 2009-03-13 | Crystallization apparatus, optical member for use in crystallization apparatus, crystallization method, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of matrix circuit substrate of display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002188846A JP4347546B2 (ja) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | 結晶化装置、結晶化方法および光学系 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004031841A JP2004031841A (ja) | 2004-01-29 |
JP2004031841A5 true JP2004031841A5 (ja) | 2005-10-20 |
JP4347546B2 JP4347546B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=31183425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002188846A Expired - Fee Related JP4347546B2 (ja) | 2002-06-28 | 2002-06-28 | 結晶化装置、結晶化方法および光学系 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7101436B2 (ja) |
JP (1) | JP4347546B2 (ja) |
KR (1) | KR20040002803A (ja) |
CN (1) | CN1480982A (ja) |
TW (1) | TWI282581B (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4347545B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2009-10-21 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 結晶化装置および結晶化方法 |
JP4347546B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2009-10-21 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 結晶化装置、結晶化方法および光学系 |
TWI301295B (en) * | 2002-07-24 | 2008-09-21 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization apparatus, crystallization method, thim film transistor and display apparatus |
TWI300950B (en) * | 2002-11-29 | 2008-09-11 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same |
TW200422749A (en) * | 2003-04-22 | 2004-11-01 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization apparatus, crystallization method, phase modulation element, device and display apparatus |
TW200519503A (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization apparatus, crystallization method, device and phase modulation element |
US7374985B2 (en) * | 2003-11-20 | 2008-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
US7465648B2 (en) * | 2003-11-20 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
TW200528756A (en) * | 2004-01-27 | 2005-09-01 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Light application apparatus, crystallization apparatus and optical modulation element assembly |
TW200533982A (en) * | 2004-02-17 | 2005-10-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Light irradiation apparatus, light irradiation method, crystallization apparatus, crystallization method, device, and light modulation element |
JP4664088B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2011-04-06 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 光照射装置、光照射方法、結晶化装置、結晶化方法、および光変調素子 |
TW200541078A (en) * | 2004-03-31 | 2005-12-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization apparatus, crystallization method, device, optical modulation element, and display apparatus |
JP4492946B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2010-06-30 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 光照射装置、結晶化装置、結晶化方法 |
JP4291230B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2009-07-08 | 株式会社日本製鋼所 | 結晶化膜の形成方法及びその装置 |
TW200607008A (en) | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Light irradiation apparatus, crystallization apparatus, crystallization method and device |
US7365917B2 (en) * | 2004-08-16 | 2008-04-29 | Xceed Imaging Ltd. | Optical method and system for extended depth of focus |
JP4657774B2 (ja) | 2004-09-02 | 2011-03-23 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 光照射装置、結晶化装置、結晶化方法、半導体デバイス、及び光変調素子 |
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JP4607669B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-01-05 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | レーザアニール用位相シフタ及びレーザアニール装置 |
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US8173977B2 (en) * | 2006-10-03 | 2012-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus and laser irradiation method |
JP5471046B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2014-04-16 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール方法及びレーザアニール装置 |
US8531783B2 (en) | 2010-02-09 | 2013-09-10 | Xceed Imaging Ltd. | Imaging method and system for imaging with extended depth of focus |
DE102010053781B4 (de) * | 2010-12-08 | 2018-03-01 | LIMO GmbH | Vorrichtung zur Umwandlung von Laserstrahlung in Laserstrahlung mit einem M-Profil |
FR2972814B1 (fr) * | 2011-03-16 | 2014-04-18 | Essilor Int | Element optique transparent a plusieurs couches constituees de pavages cellulaires |
CN104220208B (zh) * | 2012-04-17 | 2017-03-15 | 皇家飞利浦有限公司 | 照明装置 |
TWI459122B (zh) | 2013-01-17 | 2014-11-01 | Delta Electronics Inc | 光學系統 |
CN105185694A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多晶硅薄膜形成方法、掩膜版、多晶硅薄膜和薄膜晶体管 |
KR102467462B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 |
WO2020084850A1 (ja) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出システム |
CN109814267B (zh) * | 2019-04-08 | 2021-06-18 | 长春理工大学 | 能够提高耦合效率的芯片式光谱仪前端耦合系统 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2732498B2 (ja) * | 1988-11-24 | 1998-03-30 | 株式会社日立製作所 | 縮小投影式露光方法及びその装置 |
WO1999046835A1 (fr) * | 1998-03-11 | 1999-09-16 | Nikon Corporation | Dispositif a laser ultraviolet et appareil d'exposition comportant un tel dispositif a laser ultraviolet |
JP2001176772A (ja) | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた投影露光装置 |
JP4403599B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 半導体薄膜の結晶化方法、レーザ照射装置、薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法 |
KR100319455B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2002-01-05 | 오길록 | 결정화 장비용 광학 시스템 |
US6746942B2 (en) | 2000-09-05 | 2004-06-08 | Sony Corporation | Semiconductor thin film and method of fabricating semiconductor thin film, apparatus for fabricating single crystal semiconductor thin film, and method of fabricating single crystal thin film, single crystal thin film substrate, and semiconductor device |
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US7450618B2 (en) * | 2001-01-30 | 2008-11-11 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Laser system using ultrashort laser pulses |
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TWI276179B (en) * | 2002-04-15 | 2007-03-11 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Semiconductor device having semiconductor films of different crystallinity, substrate unit, and liquid crystal display, and their manufacturing method |
SG160189A1 (en) * | 2002-04-23 | 2010-04-29 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization apparatus, crystallization method, and phase shift mask |
JP4347545B2 (ja) | 2002-06-28 | 2009-10-21 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 結晶化装置および結晶化方法 |
JP4347546B2 (ja) | 2002-06-28 | 2009-10-21 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 結晶化装置、結晶化方法および光学系 |
TW200414280A (en) * | 2002-09-25 | 2004-08-01 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Semiconductor device, annealing method, annealing apparatus and display apparatus |
TW200503061A (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Crystallization method, crystallization apparatus, processed substrate, thin film transistor and display apparatus |
JP4855886B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-01-18 | 株式会社東芝 | 電力増幅装置 |
-
2002
- 2002-06-28 JP JP2002188846A patent/JP4347546B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-23 TW TW092117035A patent/TWI282581B/zh active
- 2003-06-26 US US10/603,821 patent/US7101436B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-28 KR KR1020030042975A patent/KR20040002803A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-06-30 CN CNA031489591A patent/CN1480982A/zh active Pending
-
2006
- 2006-05-30 US US11/442,331 patent/US7537660B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-13 US US12/403,726 patent/US7692864B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-13 US US12/403,776 patent/US20090181483A1/en not_active Abandoned
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