JP2004018720A - 半導体装置用接着剤 - Google Patents
半導体装置用接着剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004018720A JP2004018720A JP2002177123A JP2002177123A JP2004018720A JP 2004018720 A JP2004018720 A JP 2004018720A JP 2002177123 A JP2002177123 A JP 2002177123A JP 2002177123 A JP2002177123 A JP 2002177123A JP 2004018720 A JP2004018720 A JP 2004018720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- hydrogen atom
- adhesive
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 0 C*N(*)C(C)(C)OC Chemical compound C*N(*)C(C)(C)OC 0.000 description 2
- LPSXSORODABQKT-UHFFFAOYSA-N C(C1)CC2C1C1CC2CC1 Chemical compound C(C1)CC2C1C1CC2CC1 LPSXSORODABQKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJQGDUPVTDXXOT-UHFFFAOYSA-N CC(CN)C1OC1 Chemical compound CC(CN)C1OC1 QJQGDUPVTDXXOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
【課題】低吸湿率で、特に耐クラック性に優れた半導体装置用接着剤を提供する耐クラック性に優れ、耐吸湿リフロー性に優れた半導体装置用接着剤を提供する。
【解決手段】硬化促進剤として特定のホスファゼニウム化合物を必須の成分とし、2官能以上のエポキシ樹脂と硬化剤として水酸基の10モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂を含有することを特徴とする半導体装置用接着剤。
【選択図】 なし
【解決手段】硬化促進剤として特定のホスファゼニウム化合物を必須の成分とし、2官能以上のエポキシ樹脂と硬化剤として水酸基の10モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂を含有することを特徴とする半導体装置用接着剤。
【選択図】 なし
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路を含む半導体装置の組み立てに供するエポキシ樹脂系接着剤に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体用接着剤は、熱硬化性樹脂系、熱可塑性樹脂系あるいはその組み合わせで構成されてきた。半導体装置の構造にもよるが、リードフレームの固定、半導体チップと基板、リードフレームなど支持体との接着、チップ積層型工法ではチップとチップ間の接着、フリップチップ接続の補強、柔軟な基板と支持体との接着、放熱板と支持体との接着、薄型パッケージ積層型工法ではパッケージ間の接着などに供されてきた。
【0003】
半導体装置内に取り込まれる接着剤の場合、封止樹脂同様に、半導体装置内に空隙を残さないこと、線膨張率の異なる被着体間の応力緩和能に優れること、配線腐食を起こさないこと、吸湿環境に置かれたあとでのはんだリフロー工程でクラックを生じないこと、長期湿熱環境に置かれても性能を維持することなど各種信頼性に耐える性能が要求されてきた。その中でも特に吸湿後のリフロー工程で、半田処理条件下に晒される際、高温下におかれ、水分の爆発的な気化によりクラックを生じる現象に対する耐性を要求されてきた。
【0004】
耐クラック性を向上するために材料特性では、低い吸湿率、高い接着強度、耐熱性などが要求される。従来の熱硬化性樹脂を含む接着剤系においては、コスト面と物性面のバランスからフェノール系樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂系接着剤が多く使われてきた。
【0005】
しかし、樹脂の吸湿に関しては、エポキシ基と水酸基の反応による硬化反応である限り、下記反応式(i)で表される様に、必ず水酸基を生成する反応であり、水酸基を要因として親水性が大きくなり、基本骨格を疎水化しても全体としての吸湿率の低減には限界がある。また、接着剤では、封止剤のように充填剤を高配合することで吸湿率を低下させようとすると、接着強度や、応力緩和能が低下する傾向があるため、樹脂自身の吸湿特性を改善することが要求されていた。
【0006】
【化15】
(式中、Aはエポキシ残基、Bはフェノール残基を示す。)
【0007】
これらの問題を解決する一つの手法として、西久保氏ら出願の特開昭62−53327号公報に示される様なエポキシ基とエステル基の反応が提案されている。該公報中には、触媒の好ましいものとして4級オニウム塩やクラウンエーテル錯体が示され、更に同氏らの論文「エポキシ化合物とエステル類との付加反応とその高分子合成への応用」〔有機合成化学第49巻第218〜233頁(1991)〕中において、具体的に単位反応としての各触媒を用いたときの収率が示されている。それによれば最高値としてテトラブチルアンモニウムクロライドの91%があるものの、収率は総じて低い。また、これら4級オニウム塩やクラウンエーテル錯体は、半導体集積回路の封止材として用いられた樹脂中に含まれたままであると、電気的な短絡等の好ましくない結果をもたらすのみでなく、それが接触する金属部分の腐食等も引き起こし、製品として重大な欠陥の原因となることは言うまでもない。
【0008】
一方、一般的なエポキシ樹脂とフェノール樹脂との付加反応においては、触媒としてトリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンの様なホスフィン類、イミダゾール類、三級アミン類等が用いられ、特に半導体封止用としてはイミダゾール類、ホスフィン類が多く用いられる。
【0009】
これらの内、イミダゾール類では、反応活性はあるが副反応であるエポキシ単独重合を起こしやすく、フェノール樹脂の水酸基が過剰となり、耐湿性、電気特性に劣ったり、本来のエポキシ−フェノール樹脂ネットワーク以外に、エポキシ単独重合部分や、過剰となったフェノール樹脂部分が存在することにより機械特性が低下したりする問題が大きい。
【0010】
イミダゾール類を触媒としてエポキシ/エステル硬化反応に応用した場合、先の西久保氏らの文献によるとエポキシ基に対するエステル基の付加反応の反応収率は約50%程度であり、その他はエポキシ樹脂の単独重合等の副反応であることもふまえると、充分な硬化物が得られる触媒ではない。
【0011】
また、エポキシ樹脂をエステル硬化させ、半導体集積回路の封止材として利用するために、フェノール樹脂の10〜90%をエステル化し、硬化剤とする方法が提案されている(特開平9−235451号公報)。この方法は、エステル樹脂を製造するに当たり、原料であるフェノール樹脂のフェノール性水酸基を一部残存させることにより、硬化初期において反応し易いフェノール部分により一次的に架橋部分を形成させ、後のアフターキュアーによりエステル基をエポキシ基に作用させるという発想に基づくものである。
【0012】
しかしながら、該公報に示されている硬化触媒は、ホスフィン類、イミダゾール類およびジアザビシクロ類であり、ホスフィン類はエポキシ基とエステル基に対する充分な硬化触媒能を示さず、また、イミダゾール、ジアザビシクロ類は、先の西久保氏らの論文から明らかなように、エポキシ単独重合が多く起こり、エポキシ基と硬化剤官能基のモル比の調節が難しく、また物性的にも好ましくない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、脂肪族カルボン酸あるいは芳香族カルボン酸によるエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂を効果的にエポキシ樹脂と反応させる反応系を接着剤分野に応用し、低吸湿率で、特に耐クラック性に優れた半導体装置用接着剤を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、硬化促進剤として一般式(I)のホスファゼニウム化合物を必須の成分として用いることにより、上記の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0015】
すなわち、本発明は以下に記載の内容を包含する。
(1)(A)分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤として、水酸基の10モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂、(C)硬化促進剤として一般式(I)
【0016】
【化16】
(但し、式中R1は水素原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐、環状のアルキル基あるいは炭素数6〜10のアリール基またはアラルキル基を示し、全て同一でもそれぞれ異なっていても良い。Z−はハロゲンアニオン、ヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオンまたはカルボキシアニオンである。)で表されるホスファゼニウム化合物を必須の成分とする半導体装置用接着剤。
【0017】
(2)一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物のR1がメチル基或いはエチル基である前記(1)に記載の半導体装置用接着剤。
【0018】
(3)一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物中のZ−が、ヒドロキシアニオンである前記(1)ないし(2)に記載の半導体装置用接着剤。
【0019】
(4)分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(A)が、一般式(II)で表されるノボラックエポキシ樹脂、一般式(III)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラックエポキシ樹脂、一般式(IV)で表されるフェノールアラルキルエポキシ樹脂、一般式(V)で表されるナフトールアラルキルエポキシ樹脂、一般式(VI)で表されるビフェノール型エポキシを含むエポキシ樹脂、一般式(VII)で表されるビスフェノール型エポキシを含むエポキシ樹脂から選ばれるエポキシ樹脂である前記(1)〜(3)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0020】
【化17】
(式中R2は水素原子、メチル基またはエチル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0021】
【化18】
(式中R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0022】
【化19】
【0023】
(式中R4は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0024】
【化20】
(式中R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基あるいはグリシジルエーテル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0025】
【化21】
(式中R6は水素原子、メチル基またはエチル基を表す。)
【0026】
【化22】
(式中R7は水素原子あるいは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、またはハロゲンを表し、Yは炭素数1〜10のアルキリデン、炭素数2〜10のアルキレン、炭素数3〜10のシクロアルキリデン、炭素数3〜10のシクロアルキレン、−O−、−CO−、−CO2−、−S−、−SO−、または−SO2−の二価の基を表す。)
【0027】
(5)硬化剤(B)が、水酸基の90モル%〜100モル%をカルボン酸類によりエステル化した、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂である前記(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0028】
(6)硬化剤(B)が、一般式(VIII)で表されるノボラック型エステル樹脂、一般式(IX)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラック型エステル樹脂、一般式(X)で表されるフェノールアラルキル型エステル樹脂、一般式(XI)で表されるナフトールアラルキル型エステル樹脂、一般式(XII)で表されるビフェノールエステル化合物、一般式(XIII)で表されるビスフェノールエステル化合物から選ばれる硬化剤である前記(1)〜(4)いずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0029】
(7)前記(A)、(B)、(C)に加え、(E)熱可塑性樹脂を含有する前記(1)〜(6)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0030】
(8)前記(E)熱可塑性樹脂が(F)エチレン−アクリル系エラストマー、(G)Tg(ガラス転移温度)が、−50℃以上、重量平均分子量が10万以上であり、グリシジル(メタ)アクリレートを2〜6重量%含むエポキシ基含有アクリル系共重合体、(H)シリコーン変成ポリイミドから選ばれるもののうち1種以上である前記(7)に記載の半導体装置用接着剤。
【0031】
(9)前記(H)シリコーン変成ポリイミドが、テトラカルボン酸2無水物と、一般式(XIV)で表されるジアミンを含むジアミンを原料として合成されたポリイミドである前記(8)に記載の半導体装置用接着剤。
【化23】
(式中、R1、R6は二価の炭素数1〜4の脂肪族基または芳香族基を表し、R2〜R5は一価の脂肪族基または芳香族基を表し、nは0〜20の整数を表す。)
【0032】
(10)前記(A)、(B)、(C)の合計100重量部に対して、前記(F)、(G)、(H)から選ばれるもののうち1種以上を10〜2000重量部含有する前記(7)〜(9)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0033】
(11)前記(A)、(B)の合計100重量部に対して、(D)有機充填剤および/または無機充填剤を0.1重量部以上1900重量部以下の範囲で含有する前記(1)〜(10)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0034】
(12)前記(1)〜(11)のいずれかに記載の接着剤からなる半導体装置用シート状接着剤。
【0035】
【発明の実施の形態】
本発明は、(A)分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤として、水酸基の10モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂、(C)硬化促進剤として一般式(I)
【0036】
【化24】
(但し、式中R1は水素原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐、環状のアルキル基あるいは炭素数6〜10のアリール基またはアラルキル基を示し、全て同一でもそれぞれ異なっていても良い。Z−はハロゲンアニオン、ヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオンまたはカルボキシアニオンである。)で表されるホスファゼニウム化合物を必須の成分とするエポキシ樹脂系半導体装置組み立用接着剤に関するものである。
【0037】
ホスファゼニウム化合物
本発明のエポキシ樹脂系接着剤において、必須の成分として用いられる硬化促進剤である、前記一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物について説明する。
【0038】
一般式(I)において、置換基R1は水素原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐、環状のアルキル基あるいは炭素数6〜10のアリール基またはアラルキル基を示し、全て同一でもそれぞれ異なっていても良い。
【0039】
具体的には、水素原子;メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、1−ペンチル基、2−ペンチル基、3−ペンチル基、2−メチル−1−ブチル基、イソペンチル基、tert−ペンチル基、3−メチル−2−ブチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、4−メチル−2−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1−ヘプチル基、3−ヘプチル基、1−オクチル基、2−オクチル基、2−エチル−1−ヘキシル基、ノニル基またはデシル基等の直鎖、分岐または環状のアルキル基;フェニル基等のアリール基;トルイル基、ベンジル基、1−フェニルエチルまたは2−フェニルエチル基等のアラルキル基を挙げることができる。
【0040】
これらのうち、好ましいものは、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基またはシクロヘキシル基の様な炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基である。
【0041】
一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物のZ−は、ハロゲンアニオン、ヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオンまたはカルボキシアニオン等である。
【0042】
これらのZ−を具体的に例示すれば、例えばフッ素アニオン、塩素アニオン、臭素アニオンまたはヨウ素アニオン等のハロゲンアニオンが挙げられ、ヒドロキシアニオンが挙げられ、例えばメタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、アリルアルコール、n−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、シクロヘキサノール、2−ヘプタノール、1−オクタノール、1−デカノールまたはオクタヒドロナフトール等のアルコール類から導かれるアルコキシアニオンが挙げられ、例えばフェノール、クレゾール、キシレノール、ナフトール、2−メチル−1−ナフトールまたは9−フェナンスロール等の芳香族ヒドロキシ化合物から導かれるアリールオキシアニオンが挙げられ、例えば蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、カプロン酸、デカンカルボン酸、オレイン酸、安息香酸またはナフトエ酸等のカルボン酸類から導かれるカルボキシアニオン等が挙げられる。
【0043】
これらのうち好ましくは、ヒドロキシアニオン、例えばメタノール、エタノールn−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノールまたはtert−ブタノール等の炭素数1ないし4個のアルコール類から導かれるアルコキシアニオン、例えばフェノール、クレゾール等の炭素数6ないし8個の芳香族ヒドロキシ化合物から導かれるアリールオキシアニオンである。
【0044】
更に好ましくは、ヒドロキシアニオン、メトキシアニオンまたはフェノキシアニオンである。
【0045】
これらのホスファゼニウム化合物は、単独で用いても2種以上を混合して用いても良い。
【0046】
また、これらのホスファゼニウム化合物は、欧州特許出願EP0791600号公報の12頁から13頁に記載の方法またはその類似の方法により合成することができる。
【0047】
本発明のエポキシ樹脂系フィルム状接着剤において、硬化促進剤であるホスファゼニウム化合物の使用量は、通常、樹脂成分(エポキシ樹脂と硬化剤の合計)100重量部に対して0.001〜25重量部の範囲、好ましくは0.01〜15重量部、更に好ましくは0.1〜8重量部の範囲で用いられる。
【0048】
また、本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤においては、このホスファゼニウム化合物以外の一般に用いられる公知の硬化促進剤、例えば2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン等のホスフィン類等をホスファゼニウム化合物100重量部に対して0.5〜500重量部の範囲で併用してもよい。その量が500重量部(5倍当量)を超えるとエポキシ樹脂どうしの反応が促進され、エポキシ樹脂とエステル化硬化剤の反応が阻害される。
【0049】
このホスファゼニウム化合物は潮解性を殆ど有していないので、以下に示す組成物の調製の際にも他の化合物同様、通常の雰囲気下で取扱いが可能である。
【0050】
エポキシ樹脂
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤において、(A)成分のエポキシ樹脂としては1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であって、このエポキシ樹脂は後述するような各種硬化剤で硬化させられることが可能な限り分子構造、分子量等に特に制限はなく、従来から知られている種々のものを使用することができる。例えばエピクロルヒドリンとビスフェノールをはじめとする各種ノボラック樹脂から合成されるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、塩素や臭素等のハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂などを用いることができる。上記エポキシ樹脂は単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても構わない。
【0051】
エポキシ原料の好ましい例としては、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノンのジヒドロキシベンゼン類;1,4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,5−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類;一般式(XIV)で表されるフェノールノボラック樹脂類
【0052】
【化25】
(式中R14は水素原子、メチル基またはエチル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
一般式(XV)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラック樹脂類
【0053】
【化26】
(式中R15は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0054】
一般式(XVI)で表されるフェノールアラルキル樹脂類
【化27】
(式中R16は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0055】
一般式(XVII)で表されるナフトールアラルキル樹脂類
【化28】
(式中R17は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基あるいは水酸基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0056】
一般式(XVIII)で表されるビフェノール類
【化29】
(式中R18は水素原子、メチル基またはエチル基を表す。);
【0057】
一般式(XIX)で表されるビスフェノール類
【化30】
(式中R19は水素原子あるいは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、またはハロゲンを表し、Yは炭素数1〜10のアルキリデン、炭素数2〜10のアルキレン、炭素数3〜10のシクロアルキリデン、炭素数3〜10のシクロアルキレン、−O−、−CO−、−CO2−、−S−、−SO−、または−SO2−の二価の基を表す。);
【0058】
4,4’−ジアミノフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、2,2’−ビス(4,4’−ジアミノフェニル)プロパン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミン、一般式(XX)で表されるアラルキルアニリン樹脂等の芳香族多価アミン類
【0059】
【化31】
(式中R20は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0060】
m−アミノフェノール、p−アミノフェノール、2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、4−アミノフェニル−(4‘−ヒドロキシフェニル)メタン等のアミノフェノール類である。
【0061】
中でも更に好ましいのはフェノールノボラック樹脂類、フェノールジシクロペンタジエン共重合樹脂類、フェノールアラルキル樹脂類、ナフトールアラルキル樹脂類、ビフェノール類、ビスフェノール類である。
【0062】
硬化剤
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤において、(B)成分の硬化剤としては、水酸基の10〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂であり、2官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物あるいは樹脂をエステル化したものは全て該当する。中でも好ましいものとして一般式(XIV)で表されるフェノールノボラック樹脂類
【0063】
【化32】
(式中R14は水素原子、メチル基またはエチル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0064】
一般式(XV)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラック樹脂類
【化33】
(式中R15は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0065】
一般式(XVI)で表されるフェノールアラルキル樹脂類
【化34】
(式中R16は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0066】
一般式(XVII)で表されるナフトールアラルキル樹脂類
【化35】
(式中R17は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基あるいは水酸基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0067】
一般式(XVIII)で表されるビフェノール類
【化36】
(式中R18は水素原子、メチル基またはエチル基を表す。);
【0068】
一般式(XIX)で表されるビスフェノール類
【化37】
(式中R19は水素原子あるいは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、またはハロゲンを表し、Yは炭素数1〜10のアルキリデン、炭素数2〜10のアルキレン、炭素数3〜10のシクロアルキリデン、炭素数3〜10のシクロアルキレン、−O−、−CO−、−CO2−、−S−、−SO−、または−SO2−の二価の基を表す。)が挙げられる。
【0069】
これらのフェノール樹脂等のエステル化方法は公知の方法で行うことが可能である。また、上述のような水酸基をエステル化する際に用いるエステル化剤としては、有機カルボン酸無水物、有機カルボン酸ハロゲン化物、有機カルボン酸のいずれでも良い。誘導したいエステルの炭素数によるエステル化剤の特徴により都合の良いものを選択すればよい。このエステル化剤を具体的に例示すれば、無水酢酸、アセチルクロライド、アセチルブロマイド、酢酸、無水プロピオン酸、プロピオン酸クロライド、プロピオン酸ブロマイド、プロピオン酸、無水酪酸、酪酸クロライド、酪酸、無水吉草酸、吉草酸クロライド、吉草酸ブロマイド、吉草酸、ピバリン酸クロライド、ピバリン酸、フェニル酢酸、フェニル酢酸クロライド、2−フェニルプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、o−トリル酢酸、m−トリル酢酸、p−トリル酢酸、クメン酸、無水安息香酸、安息香酸クロライド、安息香酸ブロマイド、安息香酸、o−メチル安息香酸クロライド、m−メチル安息香酸クロライド、p−メチル安息香酸クロライド、o−メチル安息香酸、m−メチル安息香酸、p−メチル安息香酸、ジメチル安息香酸類、ナフトエ酸類等を挙げることが出来る。
これらのエステル化剤は単独あるいは任意の2種類以上を併用して用いることも可能である。
【0070】
また、本発明において、エステル化率は10モル%〜100モル%の範囲であるが、好ましくは50モル%〜100モル%、より好ましくは80モル%〜100モル%、さらに好ましくは90モル%〜100モル%の範囲である。
【0071】
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤は2官能以上のエポキシ樹脂に対して2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂を硬化剤として用いるが、従来のエポキシ−フェノール硬化物と同様に熱硬化性樹脂として同一の分野へ利用することを目的としており、組成物の硬化後に3次元構造を取り得るような組み合わせが望ましい。
【0072】
エポキシ樹脂と硬化剤との配合比は、エポキシ基1モル当量に対して、エステル基もしくはエステル基および水酸基の合計、すなわちエポキシ基に対する活性基が、好ましくは0.5〜1.5モル当量、より好ましくは0.7〜1.3モル当量の範囲であり、硬化物の最適物性が得られるモル比を調整して用いることがより好ましい。
【0073】
添加剤
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤においては、必要に応じて、(D)成分としての有機および/または無機充填剤やその他の添加剤、例えば、カップリング剤、難燃剤、イオントラップ剤を添加してもよい。
【0074】
有機および/または無機充填剤の使用量としては、成分(A+B)100重量部に対し、好ましくは0.1重量%以上、1900重量部以下の範囲であり、接着強度の観点から、より好ましくは0.1〜40vol%、さらに好ましくは0.1〜20vol%の範囲である。
【0075】
用いられる有機および/または無機充填剤としては、例えばシリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ、炭化珪素、タルク、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、マイカ、クレー、チタンホワイト、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂等の粉体、ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維等の繊維体等が挙げられる。
【0076】
また、本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤においては、接着強度や耐熱性の面を考慮した各種添加剤を配合することが好ましい。例えば、樹脂と無機充填材との接着性向上のためにはカップリング剤を用いることが望ましく、かかるカップリング剤としてはシラン系、チタネート系、アルミネート系、およびジルコアルミネート系等を挙げることができる。なかでも好ましいものとしてはシランカップリング剤であり、特にエポキシ基と反応する官能基を持つシランカップリング剤が最も好ましい。
【0077】
そのようなカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、N−(2−アミノメチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アニリノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を挙げることができ、これらは単独で、あるいは2種類以上組み合わせて使用することができる。
これらのカップリング剤は、予め無機充填材の表面に吸着あるいは、反応により固定化されていることが望ましい。
【0078】
熱可塑性樹脂
本発明のエポキシ樹脂系接着剤組成物には、被接着体間の線膨張率の違いや、硬化収縮により発生する応力を緩和するため、あるいは、フィルムの成形性をよくするため熱可塑性樹脂((E)成分)を添加することが望ましい。添加する熱可塑性樹脂は、特に減退されないが、耐熱性がある点で、アクリル系樹脂、エチレンアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリイミドアミド系樹脂、マレイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン系樹脂などが好ましい。さらに、エポキシ樹脂と反応するグリシジル基、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、酸無水物などが望ましい。
【0079】
なかでも、耐熱性があり吸湿性が低い点では、(F)エチレン−アクリル系エラストマーや(H)シリコーン変成ポリイミドなどが好ましい。
シリコーン変成ポリイミドに関しては、前記式(XIV)で表されるシリコーンジアミンを含むジアミンとテトラカルボン酸2無水物を公知の方法で反応させて得られる溶剤可溶型ポリイミドが好ましい。シリコーン変成ポリイミドは、溶剤可溶性、低吸湿性、低Tg、溶剤乾燥性などで、本発明の目的に適している。
また、反応性官能基としてグリシジル基を有する(G)のアクリル樹脂は、強い接着強度をもち、耐熱性、保存安定性にも優れ好ましい。
【0080】
熱可塑性樹脂の分子量は、硬化前のフィルム強度、接着時の流動性、硬化後の機械強度を考慮すると重量平均分子量として5〜200万程度が好ましく、10〜100万程度がより好ましい。
熱可塑性樹脂のガラス転移温度(Tg)は、エポキシ樹脂、硬化剤との配合物に要求されるTgを考慮して選択することが好ましい。近年の低応力化への要求を考慮すると、比較的高Tgのエポキシ樹脂との組合せになる熱可塑性樹脂のTgは、より低温の100℃以下のものが望ましい。
【0081】
また、エポキシ樹脂、硬化剤と著しく相溶性が悪く、硬化物でも分離が激しい組合せは接着剤組成物として好ましくない。しかし、エポキシ樹脂も硬化剤も、構造に多様性があるため、相溶性のよい組合せのものを見つけるのは可能である。同様に、エポキシ樹脂が可溶な溶剤に溶解可能であることも、エポキシ樹脂との混合を考慮すると望ましいことである。
【0082】
シート状接着剤
一般にシート状接着剤は、厚み制御が容易であること、プロセスでの扱いが容易であることなどから広く商品展開されているが、本発明の接着剤組成物も、例えば、以下のようにしてフィルム化することができる。
【0083】
エポキシ樹脂、硬化剤、熱可塑性樹脂などの樹脂分は、可溶な有機溶剤、例えばメチルエチルケトンなどに溶解しワニスとする。必要に応じワニスに充填剤を加え混練分散させる。こうして得られたワニスを、コーターでベースフィルム(シート状接着剤がはがしやすいよう、表面処理してあるものが望ましい。)上にコートし、加熱により溶剤を蒸発させ乾燥し、必要に応じBステージ化する。このようにしてフィルム状接着剤とすることができる。
【0084】
シート状接着剤は、粘着性が低いと取り扱いが容易である。粘着性には使用するエポキシ樹脂、添加する高分子の軟化点温度、Tg、分子量などが影響する。被着体とは、加熱圧着と、その後の硬化で接着できる。
【0085】
上記の様にして得られる本発明の接着剤は、半導体パッケージや半導体基板などの半導体装置で、半導体チップと支持体(リードフレーム、樹脂基板、フレキシブル基板、放熱板、チップをスタックする場合はチップ上面、スペーサなど)の接着に供することができる。接着剤は、ペースト状の接着剤もしくはフィルム状の接着剤として使用することができる。フィルム状接着剤としては、単層、耐熱性樹脂の少なくとも片面、金属箔の少なくとも片面に接着層を形成したフィルム状接着剤などとして利用できる。
【0086】
【実施例】
(実施例1)
エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ(三井化学(株)製R140S)13重量部、クレゾールノボラック型エポキシ(日本化薬(株)製EOCN102S)39重量部、ベンゾイル化フェノールノボラック樹脂49重量部、促進剤としてPZN触媒((I)式のR1が全てメチル基で、Z−がOH−である化合物)を0.15重量部、アクリル樹脂(ナガセケムテック(株)製P3−DR)70部をメチルエチルケトンに溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲1▼を得た。
【0087】
(実施例2)
エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ(ジャパンエポキシレジン(株)製YX4000H)24重量部、DCPG型エポキシ(大日本インキ化学工業(株)製HP7200H)24重量部、ベンゾイル化したジシクロペンタジエン変成フェノールノボラック樹脂52重量部、PZN触媒0.15重量部、エチレンアクリル樹脂(三井・デュポンポリケミカル(株)製ベイマックGLS)70重量部をメチルエチルケトンに溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲2▼を得た。
【0088】
(実施例3)
4,4’−オキシジフタル酸2無水物(ODPA)、シリコーン系ジアミン(α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(APPS)、平均分子量906)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)をそれぞれ101:60:40のモル比で混合調製し重合したシリコーン変成ポリイミド100重量部に対し、エポキシ樹脂としてDCPG型エポキシ(大日本インキ製HP7200H)10重量部、ベンゾイル化したジシクロペンタジエン変成フェノールノボラック8重量部、PZN触媒0.15重量部をNMP(1−メチル−2−ピロリドン)に溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲3▼を得た。
【0089】
(比較例1)
エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ(三井化学(株)製R140S)13重量部、クレゾールノボラック型エポキシ(日本化薬(株)製EOCN102S)39重量部、フェノールノボラック樹脂49重量部、促進剤としてイミダゾール(四国化成工業(株)製2E4MZ)を0.15重量部、アクリル樹脂(ナガセケムテック(株)製P3−DR)70重量部をメチルエチルケトンに溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲4▼を得た。
【0090】
(試験例1)
乾燥フィルム▲1▼〜▲4▼のフィルムを50×50×0.5mmの試験片に加工し、125℃のて5時間乾燥後の重量を測定した。これを85℃、85%RH環境下で48時間吸湿させ吸湿後重量を測定した。二つの重量から吸湿率を求め、その結果を表1にまとめた。
【0091】
【表1】
【0092】
(試験例2)
乾燥フィルム▲1▼〜▲4▼のフィルム(30μm厚)をSiチップ(5mm×5mm)とSiチップ(20mm×20mm)にはさみ接着硬化し、260℃でのせん断接着強度を測定した。その結果を表2にまとめた。せん断接着強度の測定は、260℃に加熱したホットプレート上に基板を固定し、プッシュプルゲージでチップにせん断力を加え、チップがはがれる強度を測定して行った。
【0093】
【表2】
【0094】
(試験例3)
乾燥フィルム▲1▼〜▲4▼のフィルム(30μm厚)をSiチップ(5mm×5mm)とSiチップ(20mm×20mm)にはさみ接着硬化し、温度85℃、湿度85RH%中で、168時間吸湿させ、吸湿槽から取り出して30分以内に260℃でのせん断接着強度を測定した。その結果を表3にまとめた。
【0095】
【表3】
【0096】
【発明の効果】
本発明により得られるエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤は、従来エポキシ樹脂系接着剤が用いられてきた産業分野において用いることが可能であり、特に低吸湿率が要求される半導体装置分野において、従来のエポキシ樹脂−フェノール樹脂硬化剤系接着剤よりも吸湿リフロー耐性に優れた接着剤である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路を含む半導体装置の組み立てに供するエポキシ樹脂系接着剤に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体用接着剤は、熱硬化性樹脂系、熱可塑性樹脂系あるいはその組み合わせで構成されてきた。半導体装置の構造にもよるが、リードフレームの固定、半導体チップと基板、リードフレームなど支持体との接着、チップ積層型工法ではチップとチップ間の接着、フリップチップ接続の補強、柔軟な基板と支持体との接着、放熱板と支持体との接着、薄型パッケージ積層型工法ではパッケージ間の接着などに供されてきた。
【0003】
半導体装置内に取り込まれる接着剤の場合、封止樹脂同様に、半導体装置内に空隙を残さないこと、線膨張率の異なる被着体間の応力緩和能に優れること、配線腐食を起こさないこと、吸湿環境に置かれたあとでのはんだリフロー工程でクラックを生じないこと、長期湿熱環境に置かれても性能を維持することなど各種信頼性に耐える性能が要求されてきた。その中でも特に吸湿後のリフロー工程で、半田処理条件下に晒される際、高温下におかれ、水分の爆発的な気化によりクラックを生じる現象に対する耐性を要求されてきた。
【0004】
耐クラック性を向上するために材料特性では、低い吸湿率、高い接着強度、耐熱性などが要求される。従来の熱硬化性樹脂を含む接着剤系においては、コスト面と物性面のバランスからフェノール系樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂系接着剤が多く使われてきた。
【0005】
しかし、樹脂の吸湿に関しては、エポキシ基と水酸基の反応による硬化反応である限り、下記反応式(i)で表される様に、必ず水酸基を生成する反応であり、水酸基を要因として親水性が大きくなり、基本骨格を疎水化しても全体としての吸湿率の低減には限界がある。また、接着剤では、封止剤のように充填剤を高配合することで吸湿率を低下させようとすると、接着強度や、応力緩和能が低下する傾向があるため、樹脂自身の吸湿特性を改善することが要求されていた。
【0006】
【化15】
(式中、Aはエポキシ残基、Bはフェノール残基を示す。)
【0007】
これらの問題を解決する一つの手法として、西久保氏ら出願の特開昭62−53327号公報に示される様なエポキシ基とエステル基の反応が提案されている。該公報中には、触媒の好ましいものとして4級オニウム塩やクラウンエーテル錯体が示され、更に同氏らの論文「エポキシ化合物とエステル類との付加反応とその高分子合成への応用」〔有機合成化学第49巻第218〜233頁(1991)〕中において、具体的に単位反応としての各触媒を用いたときの収率が示されている。それによれば最高値としてテトラブチルアンモニウムクロライドの91%があるものの、収率は総じて低い。また、これら4級オニウム塩やクラウンエーテル錯体は、半導体集積回路の封止材として用いられた樹脂中に含まれたままであると、電気的な短絡等の好ましくない結果をもたらすのみでなく、それが接触する金属部分の腐食等も引き起こし、製品として重大な欠陥の原因となることは言うまでもない。
【0008】
一方、一般的なエポキシ樹脂とフェノール樹脂との付加反応においては、触媒としてトリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンの様なホスフィン類、イミダゾール類、三級アミン類等が用いられ、特に半導体封止用としてはイミダゾール類、ホスフィン類が多く用いられる。
【0009】
これらの内、イミダゾール類では、反応活性はあるが副反応であるエポキシ単独重合を起こしやすく、フェノール樹脂の水酸基が過剰となり、耐湿性、電気特性に劣ったり、本来のエポキシ−フェノール樹脂ネットワーク以外に、エポキシ単独重合部分や、過剰となったフェノール樹脂部分が存在することにより機械特性が低下したりする問題が大きい。
【0010】
イミダゾール類を触媒としてエポキシ/エステル硬化反応に応用した場合、先の西久保氏らの文献によるとエポキシ基に対するエステル基の付加反応の反応収率は約50%程度であり、その他はエポキシ樹脂の単独重合等の副反応であることもふまえると、充分な硬化物が得られる触媒ではない。
【0011】
また、エポキシ樹脂をエステル硬化させ、半導体集積回路の封止材として利用するために、フェノール樹脂の10〜90%をエステル化し、硬化剤とする方法が提案されている(特開平9−235451号公報)。この方法は、エステル樹脂を製造するに当たり、原料であるフェノール樹脂のフェノール性水酸基を一部残存させることにより、硬化初期において反応し易いフェノール部分により一次的に架橋部分を形成させ、後のアフターキュアーによりエステル基をエポキシ基に作用させるという発想に基づくものである。
【0012】
しかしながら、該公報に示されている硬化触媒は、ホスフィン類、イミダゾール類およびジアザビシクロ類であり、ホスフィン類はエポキシ基とエステル基に対する充分な硬化触媒能を示さず、また、イミダゾール、ジアザビシクロ類は、先の西久保氏らの論文から明らかなように、エポキシ単独重合が多く起こり、エポキシ基と硬化剤官能基のモル比の調節が難しく、また物性的にも好ましくない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、脂肪族カルボン酸あるいは芳香族カルボン酸によるエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂を効果的にエポキシ樹脂と反応させる反応系を接着剤分野に応用し、低吸湿率で、特に耐クラック性に優れた半導体装置用接着剤を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、硬化促進剤として一般式(I)のホスファゼニウム化合物を必須の成分として用いることにより、上記の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0015】
すなわち、本発明は以下に記載の内容を包含する。
(1)(A)分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤として、水酸基の10モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂、(C)硬化促進剤として一般式(I)
【0016】
【化16】
(但し、式中R1は水素原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐、環状のアルキル基あるいは炭素数6〜10のアリール基またはアラルキル基を示し、全て同一でもそれぞれ異なっていても良い。Z−はハロゲンアニオン、ヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオンまたはカルボキシアニオンである。)で表されるホスファゼニウム化合物を必須の成分とする半導体装置用接着剤。
【0017】
(2)一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物のR1がメチル基或いはエチル基である前記(1)に記載の半導体装置用接着剤。
【0018】
(3)一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物中のZ−が、ヒドロキシアニオンである前記(1)ないし(2)に記載の半導体装置用接着剤。
【0019】
(4)分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(A)が、一般式(II)で表されるノボラックエポキシ樹脂、一般式(III)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラックエポキシ樹脂、一般式(IV)で表されるフェノールアラルキルエポキシ樹脂、一般式(V)で表されるナフトールアラルキルエポキシ樹脂、一般式(VI)で表されるビフェノール型エポキシを含むエポキシ樹脂、一般式(VII)で表されるビスフェノール型エポキシを含むエポキシ樹脂から選ばれるエポキシ樹脂である前記(1)〜(3)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0020】
【化17】
(式中R2は水素原子、メチル基またはエチル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0021】
【化18】
(式中R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0022】
【化19】
【0023】
(式中R4は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0024】
【化20】
(式中R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基あるいはグリシジルエーテル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0025】
【化21】
(式中R6は水素原子、メチル基またはエチル基を表す。)
【0026】
【化22】
(式中R7は水素原子あるいは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、またはハロゲンを表し、Yは炭素数1〜10のアルキリデン、炭素数2〜10のアルキレン、炭素数3〜10のシクロアルキリデン、炭素数3〜10のシクロアルキレン、−O−、−CO−、−CO2−、−S−、−SO−、または−SO2−の二価の基を表す。)
【0027】
(5)硬化剤(B)が、水酸基の90モル%〜100モル%をカルボン酸類によりエステル化した、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂である前記(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0028】
(6)硬化剤(B)が、一般式(VIII)で表されるノボラック型エステル樹脂、一般式(IX)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラック型エステル樹脂、一般式(X)で表されるフェノールアラルキル型エステル樹脂、一般式(XI)で表されるナフトールアラルキル型エステル樹脂、一般式(XII)で表されるビフェノールエステル化合物、一般式(XIII)で表されるビスフェノールエステル化合物から選ばれる硬化剤である前記(1)〜(4)いずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0029】
(7)前記(A)、(B)、(C)に加え、(E)熱可塑性樹脂を含有する前記(1)〜(6)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0030】
(8)前記(E)熱可塑性樹脂が(F)エチレン−アクリル系エラストマー、(G)Tg(ガラス転移温度)が、−50℃以上、重量平均分子量が10万以上であり、グリシジル(メタ)アクリレートを2〜6重量%含むエポキシ基含有アクリル系共重合体、(H)シリコーン変成ポリイミドから選ばれるもののうち1種以上である前記(7)に記載の半導体装置用接着剤。
【0031】
(9)前記(H)シリコーン変成ポリイミドが、テトラカルボン酸2無水物と、一般式(XIV)で表されるジアミンを含むジアミンを原料として合成されたポリイミドである前記(8)に記載の半導体装置用接着剤。
【化23】
(式中、R1、R6は二価の炭素数1〜4の脂肪族基または芳香族基を表し、R2〜R5は一価の脂肪族基または芳香族基を表し、nは0〜20の整数を表す。)
【0032】
(10)前記(A)、(B)、(C)の合計100重量部に対して、前記(F)、(G)、(H)から選ばれるもののうち1種以上を10〜2000重量部含有する前記(7)〜(9)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0033】
(11)前記(A)、(B)の合計100重量部に対して、(D)有機充填剤および/または無機充填剤を0.1重量部以上1900重量部以下の範囲で含有する前記(1)〜(10)のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
【0034】
(12)前記(1)〜(11)のいずれかに記載の接着剤からなる半導体装置用シート状接着剤。
【0035】
【発明の実施の形態】
本発明は、(A)分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤として、水酸基の10モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂、(C)硬化促進剤として一般式(I)
【0036】
【化24】
(但し、式中R1は水素原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐、環状のアルキル基あるいは炭素数6〜10のアリール基またはアラルキル基を示し、全て同一でもそれぞれ異なっていても良い。Z−はハロゲンアニオン、ヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオンまたはカルボキシアニオンである。)で表されるホスファゼニウム化合物を必須の成分とするエポキシ樹脂系半導体装置組み立用接着剤に関するものである。
【0037】
ホスファゼニウム化合物
本発明のエポキシ樹脂系接着剤において、必須の成分として用いられる硬化促進剤である、前記一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物について説明する。
【0038】
一般式(I)において、置換基R1は水素原子、炭素数1〜10の直鎖、分岐、環状のアルキル基あるいは炭素数6〜10のアリール基またはアラルキル基を示し、全て同一でもそれぞれ異なっていても良い。
【0039】
具体的には、水素原子;メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、1−ペンチル基、2−ペンチル基、3−ペンチル基、2−メチル−1−ブチル基、イソペンチル基、tert−ペンチル基、3−メチル−2−ブチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、4−メチル−2−ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1−ヘプチル基、3−ヘプチル基、1−オクチル基、2−オクチル基、2−エチル−1−ヘキシル基、ノニル基またはデシル基等の直鎖、分岐または環状のアルキル基;フェニル基等のアリール基;トルイル基、ベンジル基、1−フェニルエチルまたは2−フェニルエチル基等のアラルキル基を挙げることができる。
【0040】
これらのうち、好ましいものは、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基またはシクロヘキシル基の様な炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基である。
【0041】
一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物のZ−は、ハロゲンアニオン、ヒドロキシアニオン、アルコキシアニオン、アリールオキシアニオンまたはカルボキシアニオン等である。
【0042】
これらのZ−を具体的に例示すれば、例えばフッ素アニオン、塩素アニオン、臭素アニオンまたはヨウ素アニオン等のハロゲンアニオンが挙げられ、ヒドロキシアニオンが挙げられ、例えばメタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、アリルアルコール、n−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、シクロヘキサノール、2−ヘプタノール、1−オクタノール、1−デカノールまたはオクタヒドロナフトール等のアルコール類から導かれるアルコキシアニオンが挙げられ、例えばフェノール、クレゾール、キシレノール、ナフトール、2−メチル−1−ナフトールまたは9−フェナンスロール等の芳香族ヒドロキシ化合物から導かれるアリールオキシアニオンが挙げられ、例えば蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、カプロン酸、デカンカルボン酸、オレイン酸、安息香酸またはナフトエ酸等のカルボン酸類から導かれるカルボキシアニオン等が挙げられる。
【0043】
これらのうち好ましくは、ヒドロキシアニオン、例えばメタノール、エタノールn−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノールまたはtert−ブタノール等の炭素数1ないし4個のアルコール類から導かれるアルコキシアニオン、例えばフェノール、クレゾール等の炭素数6ないし8個の芳香族ヒドロキシ化合物から導かれるアリールオキシアニオンである。
【0044】
更に好ましくは、ヒドロキシアニオン、メトキシアニオンまたはフェノキシアニオンである。
【0045】
これらのホスファゼニウム化合物は、単独で用いても2種以上を混合して用いても良い。
【0046】
また、これらのホスファゼニウム化合物は、欧州特許出願EP0791600号公報の12頁から13頁に記載の方法またはその類似の方法により合成することができる。
【0047】
本発明のエポキシ樹脂系フィルム状接着剤において、硬化促進剤であるホスファゼニウム化合物の使用量は、通常、樹脂成分(エポキシ樹脂と硬化剤の合計)100重量部に対して0.001〜25重量部の範囲、好ましくは0.01〜15重量部、更に好ましくは0.1〜8重量部の範囲で用いられる。
【0048】
また、本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤においては、このホスファゼニウム化合物以外の一般に用いられる公知の硬化促進剤、例えば2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン等のホスフィン類等をホスファゼニウム化合物100重量部に対して0.5〜500重量部の範囲で併用してもよい。その量が500重量部(5倍当量)を超えるとエポキシ樹脂どうしの反応が促進され、エポキシ樹脂とエステル化硬化剤の反応が阻害される。
【0049】
このホスファゼニウム化合物は潮解性を殆ど有していないので、以下に示す組成物の調製の際にも他の化合物同様、通常の雰囲気下で取扱いが可能である。
【0050】
エポキシ樹脂
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤において、(A)成分のエポキシ樹脂としては1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であって、このエポキシ樹脂は後述するような各種硬化剤で硬化させられることが可能な限り分子構造、分子量等に特に制限はなく、従来から知られている種々のものを使用することができる。例えばエピクロルヒドリンとビスフェノールをはじめとする各種ノボラック樹脂から合成されるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、塩素や臭素等のハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂などを用いることができる。上記エポキシ樹脂は単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても構わない。
【0051】
エポキシ原料の好ましい例としては、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノンのジヒドロキシベンゼン類;1,4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,5−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類;一般式(XIV)で表されるフェノールノボラック樹脂類
【0052】
【化25】
(式中R14は水素原子、メチル基またはエチル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
一般式(XV)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラック樹脂類
【0053】
【化26】
(式中R15は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0054】
一般式(XVI)で表されるフェノールアラルキル樹脂類
【化27】
(式中R16は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0055】
一般式(XVII)で表されるナフトールアラルキル樹脂類
【化28】
(式中R17は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基あるいは水酸基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0056】
一般式(XVIII)で表されるビフェノール類
【化29】
(式中R18は水素原子、メチル基またはエチル基を表す。);
【0057】
一般式(XIX)で表されるビスフェノール類
【化30】
(式中R19は水素原子あるいは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、またはハロゲンを表し、Yは炭素数1〜10のアルキリデン、炭素数2〜10のアルキレン、炭素数3〜10のシクロアルキリデン、炭素数3〜10のシクロアルキレン、−O−、−CO−、−CO2−、−S−、−SO−、または−SO2−の二価の基を表す。);
【0058】
4,4’−ジアミノフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、2,2’−ビス(4,4’−ジアミノフェニル)プロパン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミン、一般式(XX)で表されるアラルキルアニリン樹脂等の芳香族多価アミン類
【0059】
【化31】
(式中R20は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0060】
m−アミノフェノール、p−アミノフェノール、2−(4−アミノフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、4−アミノフェニル−(4‘−ヒドロキシフェニル)メタン等のアミノフェノール類である。
【0061】
中でも更に好ましいのはフェノールノボラック樹脂類、フェノールジシクロペンタジエン共重合樹脂類、フェノールアラルキル樹脂類、ナフトールアラルキル樹脂類、ビフェノール類、ビスフェノール類である。
【0062】
硬化剤
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤において、(B)成分の硬化剤としては、水酸基の10〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂であり、2官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物あるいは樹脂をエステル化したものは全て該当する。中でも好ましいものとして一般式(XIV)で表されるフェノールノボラック樹脂類
【0063】
【化32】
(式中R14は水素原子、メチル基またはエチル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0064】
一般式(XV)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラック樹脂類
【化33】
(式中R15は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0065】
一般式(XVI)で表されるフェノールアラルキル樹脂類
【化34】
(式中R16は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいはフェニル基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。)
【0066】
一般式(XVII)で表されるナフトールアラルキル樹脂類
【化35】
(式中R17は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8の直鎖あるいは分岐または環状の脂肪族アルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、フェニル基あるいは水酸基を表し、繰り返し単位数nは0〜50の整数を表し、その平均値は0〜15の範囲である。);
【0067】
一般式(XVIII)で表されるビフェノール類
【化36】
(式中R18は水素原子、メチル基またはエチル基を表す。);
【0068】
一般式(XIX)で表されるビスフェノール類
【化37】
(式中R19は水素原子あるいは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアリールオキシ基、またはハロゲンを表し、Yは炭素数1〜10のアルキリデン、炭素数2〜10のアルキレン、炭素数3〜10のシクロアルキリデン、炭素数3〜10のシクロアルキレン、−O−、−CO−、−CO2−、−S−、−SO−、または−SO2−の二価の基を表す。)が挙げられる。
【0069】
これらのフェノール樹脂等のエステル化方法は公知の方法で行うことが可能である。また、上述のような水酸基をエステル化する際に用いるエステル化剤としては、有機カルボン酸無水物、有機カルボン酸ハロゲン化物、有機カルボン酸のいずれでも良い。誘導したいエステルの炭素数によるエステル化剤の特徴により都合の良いものを選択すればよい。このエステル化剤を具体的に例示すれば、無水酢酸、アセチルクロライド、アセチルブロマイド、酢酸、無水プロピオン酸、プロピオン酸クロライド、プロピオン酸ブロマイド、プロピオン酸、無水酪酸、酪酸クロライド、酪酸、無水吉草酸、吉草酸クロライド、吉草酸ブロマイド、吉草酸、ピバリン酸クロライド、ピバリン酸、フェニル酢酸、フェニル酢酸クロライド、2−フェニルプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、o−トリル酢酸、m−トリル酢酸、p−トリル酢酸、クメン酸、無水安息香酸、安息香酸クロライド、安息香酸ブロマイド、安息香酸、o−メチル安息香酸クロライド、m−メチル安息香酸クロライド、p−メチル安息香酸クロライド、o−メチル安息香酸、m−メチル安息香酸、p−メチル安息香酸、ジメチル安息香酸類、ナフトエ酸類等を挙げることが出来る。
これらのエステル化剤は単独あるいは任意の2種類以上を併用して用いることも可能である。
【0070】
また、本発明において、エステル化率は10モル%〜100モル%の範囲であるが、好ましくは50モル%〜100モル%、より好ましくは80モル%〜100モル%、さらに好ましくは90モル%〜100モル%の範囲である。
【0071】
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤は2官能以上のエポキシ樹脂に対して2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂を硬化剤として用いるが、従来のエポキシ−フェノール硬化物と同様に熱硬化性樹脂として同一の分野へ利用することを目的としており、組成物の硬化後に3次元構造を取り得るような組み合わせが望ましい。
【0072】
エポキシ樹脂と硬化剤との配合比は、エポキシ基1モル当量に対して、エステル基もしくはエステル基および水酸基の合計、すなわちエポキシ基に対する活性基が、好ましくは0.5〜1.5モル当量、より好ましくは0.7〜1.3モル当量の範囲であり、硬化物の最適物性が得られるモル比を調整して用いることがより好ましい。
【0073】
添加剤
本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤においては、必要に応じて、(D)成分としての有機および/または無機充填剤やその他の添加剤、例えば、カップリング剤、難燃剤、イオントラップ剤を添加してもよい。
【0074】
有機および/または無機充填剤の使用量としては、成分(A+B)100重量部に対し、好ましくは0.1重量%以上、1900重量部以下の範囲であり、接着強度の観点から、より好ましくは0.1〜40vol%、さらに好ましくは0.1〜20vol%の範囲である。
【0075】
用いられる有機および/または無機充填剤としては、例えばシリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ、炭化珪素、タルク、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、マイカ、クレー、チタンホワイト、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂等の粉体、ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維等の繊維体等が挙げられる。
【0076】
また、本発明のエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤においては、接着強度や耐熱性の面を考慮した各種添加剤を配合することが好ましい。例えば、樹脂と無機充填材との接着性向上のためにはカップリング剤を用いることが望ましく、かかるカップリング剤としてはシラン系、チタネート系、アルミネート系、およびジルコアルミネート系等を挙げることができる。なかでも好ましいものとしてはシランカップリング剤であり、特にエポキシ基と反応する官能基を持つシランカップリング剤が最も好ましい。
【0077】
そのようなカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、N−(2−アミノメチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アニリノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を挙げることができ、これらは単独で、あるいは2種類以上組み合わせて使用することができる。
これらのカップリング剤は、予め無機充填材の表面に吸着あるいは、反応により固定化されていることが望ましい。
【0078】
熱可塑性樹脂
本発明のエポキシ樹脂系接着剤組成物には、被接着体間の線膨張率の違いや、硬化収縮により発生する応力を緩和するため、あるいは、フィルムの成形性をよくするため熱可塑性樹脂((E)成分)を添加することが望ましい。添加する熱可塑性樹脂は、特に減退されないが、耐熱性がある点で、アクリル系樹脂、エチレンアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリイミドアミド系樹脂、マレイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン系樹脂などが好ましい。さらに、エポキシ樹脂と反応するグリシジル基、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、酸無水物などが望ましい。
【0079】
なかでも、耐熱性があり吸湿性が低い点では、(F)エチレン−アクリル系エラストマーや(H)シリコーン変成ポリイミドなどが好ましい。
シリコーン変成ポリイミドに関しては、前記式(XIV)で表されるシリコーンジアミンを含むジアミンとテトラカルボン酸2無水物を公知の方法で反応させて得られる溶剤可溶型ポリイミドが好ましい。シリコーン変成ポリイミドは、溶剤可溶性、低吸湿性、低Tg、溶剤乾燥性などで、本発明の目的に適している。
また、反応性官能基としてグリシジル基を有する(G)のアクリル樹脂は、強い接着強度をもち、耐熱性、保存安定性にも優れ好ましい。
【0080】
熱可塑性樹脂の分子量は、硬化前のフィルム強度、接着時の流動性、硬化後の機械強度を考慮すると重量平均分子量として5〜200万程度が好ましく、10〜100万程度がより好ましい。
熱可塑性樹脂のガラス転移温度(Tg)は、エポキシ樹脂、硬化剤との配合物に要求されるTgを考慮して選択することが好ましい。近年の低応力化への要求を考慮すると、比較的高Tgのエポキシ樹脂との組合せになる熱可塑性樹脂のTgは、より低温の100℃以下のものが望ましい。
【0081】
また、エポキシ樹脂、硬化剤と著しく相溶性が悪く、硬化物でも分離が激しい組合せは接着剤組成物として好ましくない。しかし、エポキシ樹脂も硬化剤も、構造に多様性があるため、相溶性のよい組合せのものを見つけるのは可能である。同様に、エポキシ樹脂が可溶な溶剤に溶解可能であることも、エポキシ樹脂との混合を考慮すると望ましいことである。
【0082】
シート状接着剤
一般にシート状接着剤は、厚み制御が容易であること、プロセスでの扱いが容易であることなどから広く商品展開されているが、本発明の接着剤組成物も、例えば、以下のようにしてフィルム化することができる。
【0083】
エポキシ樹脂、硬化剤、熱可塑性樹脂などの樹脂分は、可溶な有機溶剤、例えばメチルエチルケトンなどに溶解しワニスとする。必要に応じワニスに充填剤を加え混練分散させる。こうして得られたワニスを、コーターでベースフィルム(シート状接着剤がはがしやすいよう、表面処理してあるものが望ましい。)上にコートし、加熱により溶剤を蒸発させ乾燥し、必要に応じBステージ化する。このようにしてフィルム状接着剤とすることができる。
【0084】
シート状接着剤は、粘着性が低いと取り扱いが容易である。粘着性には使用するエポキシ樹脂、添加する高分子の軟化点温度、Tg、分子量などが影響する。被着体とは、加熱圧着と、その後の硬化で接着できる。
【0085】
上記の様にして得られる本発明の接着剤は、半導体パッケージや半導体基板などの半導体装置で、半導体チップと支持体(リードフレーム、樹脂基板、フレキシブル基板、放熱板、チップをスタックする場合はチップ上面、スペーサなど)の接着に供することができる。接着剤は、ペースト状の接着剤もしくはフィルム状の接着剤として使用することができる。フィルム状接着剤としては、単層、耐熱性樹脂の少なくとも片面、金属箔の少なくとも片面に接着層を形成したフィルム状接着剤などとして利用できる。
【0086】
【実施例】
(実施例1)
エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ(三井化学(株)製R140S)13重量部、クレゾールノボラック型エポキシ(日本化薬(株)製EOCN102S)39重量部、ベンゾイル化フェノールノボラック樹脂49重量部、促進剤としてPZN触媒((I)式のR1が全てメチル基で、Z−がOH−である化合物)を0.15重量部、アクリル樹脂(ナガセケムテック(株)製P3−DR)70部をメチルエチルケトンに溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲1▼を得た。
【0087】
(実施例2)
エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ(ジャパンエポキシレジン(株)製YX4000H)24重量部、DCPG型エポキシ(大日本インキ化学工業(株)製HP7200H)24重量部、ベンゾイル化したジシクロペンタジエン変成フェノールノボラック樹脂52重量部、PZN触媒0.15重量部、エチレンアクリル樹脂(三井・デュポンポリケミカル(株)製ベイマックGLS)70重量部をメチルエチルケトンに溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲2▼を得た。
【0088】
(実施例3)
4,4’−オキシジフタル酸2無水物(ODPA)、シリコーン系ジアミン(α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(APPS)、平均分子量906)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)をそれぞれ101:60:40のモル比で混合調製し重合したシリコーン変成ポリイミド100重量部に対し、エポキシ樹脂としてDCPG型エポキシ(大日本インキ製HP7200H)10重量部、ベンゾイル化したジシクロペンタジエン変成フェノールノボラック8重量部、PZN触媒0.15重量部をNMP(1−メチル−2−ピロリドン)に溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲3▼を得た。
【0089】
(比較例1)
エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ(三井化学(株)製R140S)13重量部、クレゾールノボラック型エポキシ(日本化薬(株)製EOCN102S)39重量部、フェノールノボラック樹脂49重量部、促進剤としてイミダゾール(四国化成工業(株)製2E4MZ)を0.15重量部、アクリル樹脂(ナガセケムテック(株)製P3−DR)70重量部をメチルエチルケトンに溶解しワニスを得た。このワニスを表面離型処理したPETフィルムにコート、加熱し、乾燥フィルム▲4▼を得た。
【0090】
(試験例1)
乾燥フィルム▲1▼〜▲4▼のフィルムを50×50×0.5mmの試験片に加工し、125℃のて5時間乾燥後の重量を測定した。これを85℃、85%RH環境下で48時間吸湿させ吸湿後重量を測定した。二つの重量から吸湿率を求め、その結果を表1にまとめた。
【0091】
【表1】
【0092】
(試験例2)
乾燥フィルム▲1▼〜▲4▼のフィルム(30μm厚)をSiチップ(5mm×5mm)とSiチップ(20mm×20mm)にはさみ接着硬化し、260℃でのせん断接着強度を測定した。その結果を表2にまとめた。せん断接着強度の測定は、260℃に加熱したホットプレート上に基板を固定し、プッシュプルゲージでチップにせん断力を加え、チップがはがれる強度を測定して行った。
【0093】
【表2】
【0094】
(試験例3)
乾燥フィルム▲1▼〜▲4▼のフィルム(30μm厚)をSiチップ(5mm×5mm)とSiチップ(20mm×20mm)にはさみ接着硬化し、温度85℃、湿度85RH%中で、168時間吸湿させ、吸湿槽から取り出して30分以内に260℃でのせん断接着強度を測定した。その結果を表3にまとめた。
【0095】
【表3】
【0096】
【発明の効果】
本発明により得られるエポキシ樹脂系半導体装置用接着剤は、従来エポキシ樹脂系接着剤が用いられてきた産業分野において用いることが可能であり、特に低吸湿率が要求される半導体装置分野において、従来のエポキシ樹脂−フェノール樹脂硬化剤系接着剤よりも吸湿リフロー耐性に優れた接着剤である。
Claims (12)
- (A)分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤として、水酸基の10モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂、(C)硬化促進剤として一般式(I)
- 一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物のR1がメチル基或いはエチル基である請求項1に記載の半導体装置用接着剤。
- 一般式(I)で表されるホスファゼニウム化合物のZ−が、ヒドロキシアニオンである請求項1ないし2に記載の半導体装置用接着剤。
- 分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(A)が、一般式(II)で表されるノボラックエポキシ樹脂、一般式(III)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラックエポキシ樹脂、一般式(IV)で表されるフェノールアラルキルエポキシ樹脂、一般式(V)で表されるナフトールアラルキルエポキシ樹脂、一般式(VI)で表されるビフェノール型エポキシを含むエポキシ樹脂、一般式(VII)で表されるビスフェノール型エポキシを含むエポキシ樹脂から選ばれるエポキシ樹脂である請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
- 前記硬化剤(B)が、水酸基の90モル%〜100モル%がカルボン酸類によりエステル化された、2官能以上のエステル含有化合物もしくはエステル含有樹脂である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
- 前記硬化剤(B)が、一般式(VIII)で表されるノボラック型エステル樹脂、一般式(IX)で表されるジシクロペンタジエン変性ノボラック型エステル樹脂、一般式(X)で表されるフェノールアラルキル型エステル樹脂、一般式(XI)で表されるナフトールアラルキル型エステル樹脂、一般式(XII)で表されるビフェノールエステル化合物、一般式(XIII)で表されるビスフェノールエステル化合物から選ばれる硬化剤である請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
- 前記(A)、(B)、(C)に加え、(E)熱可塑性樹脂を含有する請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
- 前記(E)熱可塑性樹脂が(F)エチレン−アクリル系エラストマー、(G)Tg(ガラス転移温度)が、−50℃以上、重量平均分子量が10万以上であり、グリシジル(メタ)アクリレートを2〜6重量%含むエポキシ基含有アクリル系共重合体、(H)シリコーン変成ポリイミドから選ばれるもののうち1種以上である請求項7に記載の半導体装置用接着剤。
- 前記(A)、(B)、(C)の合計100重量部に対して、前記(F)、(G)、(H)から選ばれるもののうち1種以上を10〜2000重量部含有する請求項7〜9のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
- 前記(A)、(B)の合計100重量部に対して、(D)有機充填剤および/または無機充填剤を0.1重量部以上1900重量部以下の範囲で含有する請求項1〜10のいずれかに記載の半導体装置用接着剤。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の接着剤からなる半導体装置用シート状接着剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002177123A JP2004018720A (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 半導体装置用接着剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002177123A JP2004018720A (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 半導体装置用接着剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004018720A true JP2004018720A (ja) | 2004-01-22 |
Family
ID=31175232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002177123A Pending JP2004018720A (ja) | 2002-06-18 | 2002-06-18 | 半導体装置用接着剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004018720A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004277708A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Nitto Denko Corp | 樹脂シート、それを用いた液晶セル基板 |
US6911503B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-06-28 | Mitsui Chemicals, Inc. | Curing agent composition for epoxy resins, epoxy resin composition and use thereof |
JP2005235915A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
JP2005314604A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 難燃性接着剤組成物およびこれを用いた接着剤シート |
JP2007051215A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 接着剤組成物及び接着フィルム |
WO2009022574A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | 接着剤及び接合体 |
JP2010053233A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | San Nopco Ltd | 紫外線硬化型組成物 |
JP2010077327A (ja) * | 2008-09-27 | 2010-04-08 | San Nopco Ltd | 紫外線硬化型組成物 |
JP2010129816A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Lintec Corp | 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物 |
JP2014114352A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Dic Corp | 活性エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 |
US8916655B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-12-23 | Dow Global Technologies Llc | Phosphazene blocked imidazole as latent catalyst for epoxy resins |
KR20180108482A (ko) * | 2017-03-23 | 2018-10-04 | 아지노모토 가부시키가이샤 | 수지 조성물 |
JPWO2019003822A1 (ja) * | 2017-06-28 | 2020-04-23 | Dic株式会社 | 活性エステル化合物及び硬化性組成物 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60260611A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-23 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 高分子量クレゾ−ルノボラツク樹脂の製造方法 |
JPS6377915A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | フェノール類ノボラック組成物の製造法 |
JPH07278520A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-24 | Ube Ind Ltd | ポリイミドシロキサン樹脂組成物 |
JPH1077289A (ja) * | 1996-02-20 | 1998-03-24 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | ホスファゼニウム塩およびその製造方法ならびにポリアルキレンオキシドの製造方法 |
JP2000327750A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-28 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物およびその用途 |
JP2001026644A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-30 | Mitsui Chemicals Inc | 末端にエーテル結合およびエステル結合を有するポリアルキレンオキシドの製造方法。 |
JP2001115127A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電性接着剤とそれを用いた配線板 |
JP2002069160A (ja) * | 1999-12-14 | 2002-03-08 | Mitsui Chemicals Inc | 液晶表示セル用シール剤、液晶表示セルシール剤用組成物及び液晶表示素子 |
JP3813105B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-08-23 | 三井化学株式会社 | 硬化性に優れたエポキシ樹脂組成物、その硬化物およびその用途 |
-
2002
- 2002-06-18 JP JP2002177123A patent/JP2004018720A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60260611A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-23 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 高分子量クレゾ−ルノボラツク樹脂の製造方法 |
JPS6377915A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | フェノール類ノボラック組成物の製造法 |
JPH07278520A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-24 | Ube Ind Ltd | ポリイミドシロキサン樹脂組成物 |
JPH1077289A (ja) * | 1996-02-20 | 1998-03-24 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | ホスファゼニウム塩およびその製造方法ならびにポリアルキレンオキシドの製造方法 |
JP2000327750A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-28 | Mitsui Chemicals Inc | エポキシ樹脂組成物およびその用途 |
JP2001026644A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-30 | Mitsui Chemicals Inc | 末端にエーテル結合およびエステル結合を有するポリアルキレンオキシドの製造方法。 |
JP2001115127A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電性接着剤とそれを用いた配線板 |
JP2002069160A (ja) * | 1999-12-14 | 2002-03-08 | Mitsui Chemicals Inc | 液晶表示セル用シール剤、液晶表示セルシール剤用組成物及び液晶表示素子 |
JP3813105B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-08-23 | 三井化学株式会社 | 硬化性に優れたエポキシ樹脂組成物、その硬化物およびその用途 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6911503B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-06-28 | Mitsui Chemicals, Inc. | Curing agent composition for epoxy resins, epoxy resin composition and use thereof |
JP2004277708A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Nitto Denko Corp | 樹脂シート、それを用いた液晶セル基板 |
JP2005235915A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
JP4584619B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-11-24 | 信越化学工業株式会社 | 難燃性接着剤組成物およびこれを用いた接着剤シート |
JP2005314604A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 難燃性接着剤組成物およびこれを用いた接着剤シート |
JP2007051215A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 接着剤組成物及び接着フィルム |
JP4658735B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着フィルム |
WO2009022574A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | 接着剤及び接合体 |
JP5337034B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-11-06 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 接着剤及び接合体 |
JP2010053233A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | San Nopco Ltd | 紫外線硬化型組成物 |
JP2010077327A (ja) * | 2008-09-27 | 2010-04-08 | San Nopco Ltd | 紫外線硬化型組成物 |
JP2010129816A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Lintec Corp | 半導体チップ積層体および半導体チップ積層用接着剤組成物 |
US8716401B2 (en) | 2008-11-28 | 2014-05-06 | Lintec Corporation | Semiconductor chip laminate and adhesive composition for semiconductor chip lamination |
US8916655B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-12-23 | Dow Global Technologies Llc | Phosphazene blocked imidazole as latent catalyst for epoxy resins |
JP2014114352A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Dic Corp | 活性エステル樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 |
KR20180108482A (ko) * | 2017-03-23 | 2018-10-04 | 아지노모토 가부시키가이샤 | 수지 조성물 |
JP2018159028A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
KR102610333B1 (ko) | 2017-03-23 | 2023-12-07 | 아지노모토 가부시키가이샤 | 수지 조성물 |
JPWO2019003822A1 (ja) * | 2017-06-28 | 2020-04-23 | Dic株式会社 | 活性エステル化合物及び硬化性組成物 |
JP7228085B2 (ja) | 2017-06-28 | 2023-02-24 | Dic株式会社 | 活性エステル化合物及び硬化性組成物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4858459B2 (ja) | 接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着フィルム、半導体搭載用基板及び半導体装置 | |
KR101788878B1 (ko) | 접착제 조성물 및 접착제 시트, 반도체 장치 보호용 재료, 및 반도체 장치 | |
KR101031151B1 (ko) | 전자 부품 밀봉용 액상 수지 조성물 및 이것을 이용한 전자 부품 장치 | |
TWI742139B (zh) | 樹脂組成物、樹脂薄片及半導體裝置 | |
KR100988653B1 (ko) | 웨이퍼 다이싱 및 다이본드 시트 | |
KR20120130705A (ko) | 실페닐렌 구조 및 실록산 구조를 갖는 중합체 및 이의 제조 방법, 접착제 조성물, 접착 시트 및 반도체 장치 보호용 재료, 및 반도체 장치 | |
JP2004018720A (ja) | 半導体装置用接着剤 | |
JP4656269B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
US6210811B1 (en) | Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device | |
JP3672009B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置 | |
JP5236134B2 (ja) | 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置等 | |
JP2004018718A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物 | |
WO2010131655A1 (ja) | 接着シート | |
JP4618464B2 (ja) | 接着剤組成物、これを用いた接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 | |
JP4719992B2 (ja) | 接着剤組成物およびその用途 | |
JP2008004751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3672011B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置 | |
JP2009124133A (ja) | 接着部材、半導体素子搭載用支持部材及び半導体装置 | |
JP7222955B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂フィルム | |
KR20000051521A (ko) | 전자부품용 접착테이프의 제조방법 | |
JP5251949B2 (ja) | 基板およびプリント回路板 | |
KR20110080418A (ko) | 비유동성 언더필용 수지 조성물, 그를 이용한 비유동성 언더필 필름 및 그 비유동성 언더필 필름의 제조방법 | |
KR100727550B1 (ko) | 반도체 장치용 접착제 조성물 및 반도체 장치용 접착시트 | |
KR20110121882A (ko) | 고온에서 추가 경화 가능한 리드락 테이프용 수지 조성물 및 이를 이용한 리드락 테이프 | |
JP2009132830A (ja) | 接着剤組成物およびダイシング・ダイアタッチフィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |