JP2004017654A - インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリントヘッドの製造方法 - Google Patents

インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリントヘッドの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】良好な疎水性のノズル板を有し,流路板に対するノズル板の接着性を向上する。
【解決手段】インクジェットプリントヘッドは,少なくとも一つのヒータ102およびこれを保護するパッシベーション層101が形成された基板100と,少なくとも一つのヒータ102に対応するチャンバ210およびこのチャンバに連結される流路を提供する流路板200と,チャンバ210に対応するオリフィス310が形成されたノズル板300とを具備し,流路板200はフォトレジストで形成され,ノズル板300は流路板200の物性により制限される工程温度で形成可能なシリコン系の低温蒸着化合物により形成される。
【選択図】 図3

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は,インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法に係り,より詳細には,良好な疎水性および接着性を有するノズル板を備えるインクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリントヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
インクジェットプリンタヘッドは,熱源を利用してインクに気泡(バブル)を発生させ,この力でインク液滴を吐出する電気−熱変換方式(インクジェット方式)が主流になっている。
【0003】
図1は,従来インクジェットプリントヘッドの概略構成を示す斜視図であり,図2は断面図である(例えば,特許文献1参照)。
【0004】
図1および図2に示すように,インクジェットプリントヘッドはインクが供給されるマニホルド(図示せず)を具備する。そしてこのマニホルドの表面に,ヒータ12およびこれを保護するパッシベーション層11が形成された基板1と,基板1上に流路22およびインクチャンバ21を形成する流路板2と,流路板2上に形成されてインクチャンバ21に対応するオリフィス31が形成されたノズル板3とを具備する。
【0005】
一般に流路板およびノズル板は,ポリイミドを利用したフォトリソグラフィー法により形成される。従来のインクジェットプリントヘッドにおいて,流路板およびノズル板は,同じ物質,例えば,ポリイミドなどで形成される。
【0006】
【特許文献1】
特開平7−266553号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし,従来のノズル板はポリイミドが有する弱い接着性のために,流路板から容易に離れるおそれがある。
【0008】
このような問題を解消するために,従来のインクジェットプリントヘッドの一製造方法によれば,上記のように流路板およびノズル板がポリイミドにより別の層で形成される場合に,流路板およびノズル板を別途に製作した後にこれを基板に接合させる。このような方法は,構造的なミスアラインの問題などによってウェハレベルでノズル板を接着できず,ウェハから分離されたチップそれぞれに対してノズル板を接着しなければならない。したがって,製品生産性に非常に不利である。
【0009】
一方,従来のインクジェットプリントヘッドの他の製造方法によれば,チャンバおよび流路を形成するための犠牲層としてのモールド層をフォトレジストにより形成した後,このモールド層上にポリイミドにより流路板およびノズル板を単一層として形成し,最終的に犠牲層を除去してチャンバおよび流路を形成する。しかし,モールド層により流路およびノズルを形成する場合,モールド層を保護するためにポリイミドなどを十分な温度でベーキングできない問題がある。
【0010】
このように,インクジェットプリントヘッドのノズル板は記録用紙に直接接触するものであって,ノズルを通じて行われるインク液滴の吐出に影響を及ぼすいろいろな因子を有する。これら因子中にはノズル板の表面の疎水性がある。疎水性が弱い場合,すなわち,親水性を有する場合にノズルを通じて吐出されるインクの一部がノズル板の表面に染み出てノズル板の表面を汚すだけでなく,吐出されるインク液滴の大きさ,方向,または速度などが一定でない問題が発生する。上記のようにポリイミドによるノズル板は親水性を有するために,上述した問題を有する。
【0011】
このような親水性による問題点を解消するために,一般に,ポリイミドよりなるノズル板の表面に,疎水化のためのコーティング層の形成が追加的に要求される。このコーティング膜には,例えば,メッキされたニッケル,金,パラジウム,またはタンタルなどの金属と,FC(fluoronated carbon),F−シラン,またはDLC(Diamond like carbon)などの疎水性に優れた過フルオロ化アルケン,またはシラン化合物などが使われる。疎水性コーティング膜は,例えば,スプレーコーティングやスピンコーティングなどの湿式法により形成されることもある。また,PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition),スパッタリングなどの乾式法により形成されることもある。このような疎水化のためのコーティング層は,結局ヘッドの製造コストを高める。
【0012】
そこで本発明は,良好な疎水性のノズル板を有し,流路板に対するノズル板の接着性が向上したモノリシックインクジェットプリントヘッドを提供することをその目的とする。
【0013】
また,本発明は,ウェハレベルでノズル板および流路板を形成できるモノリシックインクジェットプリントヘッドの製造方法を提供することを他の目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係るインクジェットプリントヘッドは,少なくとも一つのヒータおよびこれを保護するパッシベーション層が形成された基板と,この少なくとも一つのヒータに対応するチャンバおよびこのチャンバに連結される流路を提供する流路板と,チャンバに対応するオリフィスが形成されたノズル板とを具備する。そして,流路板は,フォトレジストで形成され,ノズル板は,流路板の物性により制限される工程温度で形成可能なシリコン系の低温蒸着化合物により形成されたことを特徴とする。
【0015】
本発明に係るインクジェットプリントヘッドにおいて,流路板は望ましくはポリイミドで形成され,さらにノズル板は,SiN,SiO,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質で形成されることが望ましく,ノズル板はPECVDにより形成されることが望ましい。
【0016】
また,ノズル板は,流路板に対向する第1ノズル板と,第1ノズル板に形成される第2ノズル板とを含み,ノズルは第1ノズル板に形成される第1オリフィスと,第2ノズル板に形成される第2オリフィスとを含むことが望ましいが,第1オリフィスは第2オリフィスに比べて大きい直径を有することが望ましい。
【0017】
また,上記目的を達成するための本発明に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法は,少なくとも一つのヒータおよびこれを保護するパッシベーション層がその表面に形成された基板を形成するa段階と,基板上に少なくとも一つのヒータに対応するインクチャンバおよびこのインクチャンバに連結される流路が備えられる流路板を第1フォトレジストで形成するb段階と,インクチャンバおよび流路を第2フォトレジストで充填するc段階と,流路板上に低温蒸着シリコン系の物質によりノズル板を形成するd段階と,ノズル板にチャンバに対応するオリフィスを形成するe段階と,ウェットエッチングによりチャンバ内の第2フォトレジストを除去するf段階とを含むことを特徴とする。
【0018】
本発明に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法において,第1フォトレジストはポリイミドで形成することが望ましく,また,ノズル板はSiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質で形成することが望ましい。
【0019】
上記c段階は,第2フォトレジストの全面コーティング過程と,インクチャンバ内のみにフォトレジストを残留させるためのエッチバック過程,または,流路板の表面に存在する部分を除去するための写真エッチング過程とを含むことが望ましい。
【0020】
上記d段階は,低温蒸着法,特にPECVD法によりSiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質でノズル板を形成することが望ましい。
【0021】
上記e段階とf段階との間に,プラズマまたは高温加熱を利用してチャンバ内に存在する第1フォトレジストをアッシングした後,その残留物をウェットエッチングソースにより剥離することが望ましい。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下,添付した図面を参照しながら本発明によるインクジェットプリントヘッドの望ましい実施の形態およびこの製造方法の望ましい実施の形態を詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0023】
(第1の実施の形態)
図3は,第1の実施の形態にかかるインクジェットプリントヘッドの概略構成を示す断面図である。
【0024】
シリコン基板100の表面にヒータ102が形成されており,この上にパッシベーション層101が形成されている。ヒータ102は電気的発熱装置であって,基板100に備えられているコンダクタおよびパッドに連結されている。第1の実施の形態では,このようなコンダクタおよびパッドについては説明を省略する。パッシベーション層101上には,ポリイミドなどのフォトレジストによる流路板200が位置する。流路板200は,ヒータ102の上方に位置するインクチャンバ210およびインクチャンバ210へのインク供給のためのインク供給経路(図示せず)を提供する。流路板200の上には,流路板200とは別の物質よりなるノズル板300が位置する。ノズル板300は,ポリイミドなどのフォトレジストとの接着性が優れたシリコン系の物質,例えばSiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質で形成される。ノズル板300には,インクチャンバ210に対応してインク液滴を吐出するオリフィス310が形成されている。
【0025】
上記構造で,流路板200は,フォトレジスト,特にポリイミドで形成される。ポリイミドは疎水性および接着性がよくないものとして知られている。しかし,基板100上のパッシベーション層101および流路板200上のノズル板300が,いずれもシリコン系の低温蒸着物質であるSiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質で形成される。このような物質は接着性が良いため,基板100に対して流路板200およびノズル板300が強く接着する。このようなノズル板300のための物質は,流路板200の物質特性により制限される工程限界温度以下,例えば,ポリイミドの場合に350℃以下の低温で蒸着される物質である。したがって,ノズル板300はポリイミド層上に直接形成でき,かつウェハレベルで流路板200およびノズル板300を形成できる。
【0026】
(第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法)
以下に,第1の実施の形態のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明する。以下の説明において,一般的に公知の工法,特にインクジェットプリントヘッドの製造のために使われる公知の技術についての詳細な説明は省略する。
【0027】
図5〜図10は,図3に示すインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す。
【0028】
図5に示すように,ヒータ102およびこれを保護するSiNパッシベーション層101を含む下部膜質層が形成されたシリコンウェハ状態の基板100が形成される(a段階)。この過程はウェハレベルでなされ,ヒータ物質の形成,パターニング,そしてパッシベーション層の蒸着などを伴う。
【0029】
図6に示すように,基板100上にフォトレジスト,例えば,ポリイミドを数十μm,例えば30μm厚さで全面コーティングした後,これを写真エッチング法によりパターニングして,インクチャンバ210およびこれに連結されるインク流路(図示せず)を形成する。パターニング以後にハードベーキング過程を通じて,ポリイミドによる流路板200を完成する(b段階)。
【0030】
図7に示すように,インクチャンバ210の内部に犠牲層としてのモールド層211を,フォトレジストで形成する(c段階)。ここでは,流路板200全体に対するフォトレジストのコーティングに続き,全面エッチングによりインクチャンバ210のみにフォトレジストを残留させるエッチバック,または部分露光およびエッチングを行う写真エッチング法を適用できる。
【0031】
図8に示すように,流路板200およびモールド層211上に,400℃以下の低温蒸着法,例えば,PECVD法により,SiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの層を蒸着してノズル板300を形成する(d段階)。
【0032】
図9に示すように,ノズル板300に,インクチャンバ210に対応するオリフィス310を形成する(e段階)。オリフィス310は,フォトレジストによるマスク形成およびドライおよびウェットエッチングによるパターニング過程により形成する。
【0033】
図10に示すように,インクチャンバ210内のモールド層211を除去する(f段階)。オリフィス310の形成後に,オリフィス310の形成のために使われたマスクを除去する工程中にアッシングおよび剥離を行えば,インクチャンバ210内のモールド層211も共に除去できる。モールド層211の残留物および他の流路上に存在するフォトレジストは,基板100の背面において行われるインクフィードホールなどの形成段階以後に,ウェットエッチング液により除去される。
【0034】
(第2の実施の形態)
次に,本発明の第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの詳細を,図面を参照しながら説明する。図4は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの概略構成を示す。
【0035】
第2の実施の形態で,ノズル板300は相異なる直径の,第1,第2オリフィス311,312を有する第1ノズル板301および第2ノズル板302を含む。第1,第2ノズル板301,302は同じ物質,特にシリコン系の物質で形成することが望ましい。第1,第2ノズル板301,302に形成された第1,第2オリフィス311,312により,第1,第2ノズル板によるノズル板300のオリフィス310は,液滴進行方向に縮少される直径を有する。
【0036】
(第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造方法)
次に,第2の実施の形態のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明する。図11〜図18は,図4に示すインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す。
【0037】
図11に図すように,ヒータ102およびこれを保護するSiNパッシベーション層101を含む下部膜質層が形成された,シリコンウェハ状態の基板100が形成される(g段階)。このような過程はウェハレベルでなされ,ヒータ物質の形成,パターニング,そしてパッシベーション層の蒸着などを伴う。
【0038】
図12に示すように,基板100上にフォトレジスト,例えば,ポリイミドを数十μm,例えば30μm厚さで全面コーティングした後,これを写真エッチング法によりパターニングして,インクチャンバ210およびこれに連結されるインク流路(図示せず)を形成する(h段階)。パターニング以後にハードベーキング過程を通じて,ポリイミドによる流路板200を完成する。
【0039】
図13に示すように,インクチャンバ210の内部に犠牲層としてのモールド層211を,フォトレジストで形成する(i段階)。ここでは流路板200全体に対するフォトレジストのコーティングに続き,全面エッチングによりインクチャンバ210のみにフォトレジストを残留させるエッチバック,または部分露光およびエッチングを行う写真エッチング法を適用できる。
【0040】
図14に示すように,流路板200およびモールド層211上に400℃以下の低温蒸着法,例えば,PECVD法により,SiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの層を順に2層301,302で蒸着してノズル板300を形成する(j段階)。ここで,下部の第1ノズル板301はSiO,上部の第2ノズル板302はSiOに対して高いウェットエッチング選択度を有するSiNで形成する。
【0041】
図15に示すように,第1ノズル板301と第2ノズル板302とを含むノズル板300にフォトレジストマスク401を形成した後,これを利用しドライエッチング法でインクチャンバ210に対応するオリフィス310を形成する(k段階)。オリフィス310は,第1ノズル板301に形成された第1オリフィス311,第2ノズル板302に形成された第2オリフィス312を具備する。ドライエッチングによってオリフィス310の第1オリフィス311および第2オリフィス312は,同じ直径を有する。
【0042】
図16に示すように,マスク401をアッシングおよび剥離を通じて除去する。この時,インクチャンバ210内のモールド層211も共に除去され,一部残留物だけ残る。
【0043】
図17に示すように,オリフィス310を通じて,HF,BOE,LALを供給して第1ノズル板301の第1オリフィス311をエッチングし,その直径を拡大させる(l段階)。モールド層211の残留物および他の流路上に存在するフォトレジストは,基板100の背面において行われるインクフィードホールなどの形成段階以後にウェットエッチング液により除去し,図4に示すような目的のインクジェットプリントヘッドを得る。
【0044】
第1,第2の実施の形態では,流路板とノズル板とが別々の構造になっているが,流路板とノズル板とが良好な相互接着性を有するために,ウェハレベルで流路板およびノズル板を連続形成できる。このような連続形成の可能性は,製品の収率向上および生産コストの減少効果をもたらす。また,ノズル板がシリコン系の物質で形成されるために,疎水性を有する。したがって,インクがノズル板に染み出る現象が防止され,インクによるノズルの汚染が防止される。このような構成によれば,ノズル板自体が疎水性を有するために,別の疎水性コーティング層を要求しない。
【0045】
以上,添付図面を参照しながら本発明のインクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリントヘッドの製造方法の好適な実施形態について説明したが,本発明はこれらの例に限定されない。いわゆる当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0046】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば,良好な疎水性のノズル板を有し,流路板に対するノズル板の接着性を向上させることができるインクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリントヘッドの製造方法が提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は,従来のインクジェットプリントヘッドの概略構成を示す斜視図である。
【図2】図2は,図1に示す従来のインクジェットプリントヘッドの概略構成を示す断面図である。
【図3】図3は,第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの概略構成を示す断面図である。
【図4】図4は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの概略構成を示す断面図である。
【図5】図5は,第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図6】図6は,第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図7】図7は,第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図8】図8は,第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図9】図9は,第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図10】図10は,第1の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図11】図11は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図12】図12は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図13】図13は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図14】図14は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図15】図15は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図16】図16は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図17】図17は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【図18】図18は,第2の実施の形態に係るインクジェットプリントヘッドの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
100 シリコン基板
101 パッシベーション層
102 ヒータ
200 流路板
210 インクチャンバ
300 ノズル板
310 オリフィス

Claims (18)

  1. 少なくとも一つのヒータおよびこれを保護するパッシベーション層が形成された基板と,
    前記ヒータに対応するチャンバおよびこのチャンバに連結される流路を提供する流路板と,
    前記チャンバに対応するオリフィスが形成されたノズル板とを具備し,
    前記流路板はフォトレジストで形成され,
    前記ノズル板は前記流路板の物性により制限される工程温度で形成可能なシリコン系の低温蒸着化合物により形成されたことを特徴とする,インクジェットプリントヘッド。
  2. 前記流路板はポリイミドで形成されることを特徴とする,請求項1に記載のインクジェットプリントヘッド。
  3. 前記ノズル板は,SiN,SiO,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質で形成されることを特徴とする,請求項2に記載のインクジェットプリントヘッド。
  4. 前記ノズル板はPECVD法により形成されることを特徴とする,請求項3に記載のインクジェットプリントヘッド。
  5. 前記ノズル板は流路板に対向する第1ノズル板と,第1ノズル板に形成される第2ノズル板とを含み,前記ノズルは第1ノズル板に形成される第1オリフィスと,第2ノズル板に形成される第2オリフィスとを含むことを特徴とする,請求項1,2,3,または4のうちのいずれか1項に記載のインクジェットプリントヘッド。
  6. 前記第1オリフィスは第2オリフィスに比べて大きい直径を有することを特徴とする,請求項5に記載のインクジェットプリントヘッド。
  7. 少なくとも一つのヒータおよびこれを保護するパッシベーション層がその表面に形成された基板を形成するa段階と,
    前記基板上に前記ヒータに対応するインクチャンバおよびこのインクチャンバに連結される流路が備えられる流路板を第1フォトレジストで形成するb段階と,
    前記インクチャンバおよび前記流路を第2フォトレジストで充填するc段階と,
    前記流路板上に低温蒸着シリコン系の物質によりノズル板を形成するd段階と,
    前記ノズル板に前記チャンバに対応するオリフィスを形成するe段階と,
    ウェットエッチングにより前記チャンバ内の第2フォトレジストを除去するf段階と,
    を含むことを特徴とする,インクジェットプリントヘッドの製造方法。
  8. 前記第1フォトレジストはポリイミドで形成することを特徴とする,請求項7に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  9. 前記ノズル板は,SiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質で形成することを特徴とする,請求項7に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  10. 前記SiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質をPECVD法により蒸着することを特徴とする,請求項9に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  11. 前記c段階は,第2フォトレジストの全面コーティング段階と,
    前記インクチャンバ内のみにフォトレジストを残留させるためのエッチバック段階と,
    を含むことを特徴とする,請求項7,8,9,または10のうちのいずれか1項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  12. 前記e段階と前記f段階との間に,チャンバ内に存在する第1フォトレジストを高温加熱によりアッシングした後,その残留物をウェットエッチング液により剥離する段階を含むことを特徴とする,請求項7,8,9,10,または11のうちのいずれか1項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  13. 少なくとも一つのヒータおよびこれを保護するパッシベーション層がその表面に形成された基板を形成するg段階と,
    前記基板上に前記ヒータに対応するインクチャンバおよびこのインクチャンバに連結される流路が備えられる流路板を第1フォトレジストで形成するh段階と,
    前記インクチャンバおよび前記流路を第2フォトレジストで充填するi段階と,
    前記流路板上に低温蒸着シリコン系の物質により第1,第2ノズル板を順次形成してノズル板を得るj段階と,
    前記第1ノズル板および第2ノズル板を貫通する第1オリフィスおよび第2オリフィスを形成するノズル板にオリフィスを形成するk段階と,
    前記第1オリフィスの直径を拡大エッチングしてオリフィスの直径を液滴進行方向に縮少するl段階と,
    ウェットエッチングにより前記チャンバ内の第2フォトレジストを除去するm段階と,
    を含むことを特徴とする,インクジェットプリントヘッドの製造方法。
  14. 前記第1フォトレジストはポリイミドで形成することを特徴とする,請求項13に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  15. 前記ノズル板はSiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質で形成することを特徴とする,請求項14に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  16. 前記i段階は,第2フォトレジストの全面コーティング段階と,
    前記インクチャンバ内のみにフォトレジストを残留させるためのエッチバック段階と,
    を含むことを特徴とする,請求項13,14,または15のうちのいずれか1項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  17. 前記SiO,SiN,SiONの群から選ばれるいずれか一つの物質をPECVD法により蒸着することを特徴とする,請求項15または16に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
  18. 前記l段階と前記m段階との間に,チャンバ内に存在する第1フォトレジストを高温加熱によりアッシングした後,その残留物をウェットエッチング液により剥離する段階を含むことを特徴とする,請求項13,14,15,16,または17のうちのいずれか1項に記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
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