JP2004014832A

JP2004014832A - 電磁装置及び高電圧発生装置

Info

Publication number: JP2004014832A
Application number: JP2002166660A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ogasawara; 小笠原　宏
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2002-06-07
Filing date: 2002-06-07
Publication date: 2004-01-15

Abstract

【課題】小型で、良好な出力特性を有し、さらに２次巻線の抵抗値が小さい電磁装置及び高電圧発生装置を提供する。
【解決手段】棒状の磁気コア１、平角導線を磁気コア１に略当接して一層にエッジワイズ巻で巻装した２次巻線２ｂ、及び２次巻線２ｂの上に巻装して高耐圧被覆を有する１次巻線２ａとからなる電磁部材Ａと、電磁部材Ａの周囲を被覆し且つ２次巻線２ｂの線間にも充填する樹脂３と、コの字状のフェライトからなる磁気コア４とを備え、１次巻線２ａは、２次巻線２ｂ上の低圧側に寄せて巻装する。磁気コア４は、電磁部材Ａの長手方向の面に対向した面４ａと、電磁部材Ａの両端面に各々対向した面４ｂ，４ｃとを有するコの字形状であり、棒状の磁気コア１の両端から磁気コア１を挟むように取り付けられて閉磁路の磁気回路を構成している。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高輝度放電灯を瞬時に始動、再始動させるために高電圧パルスを発生する電磁装置及び高電圧発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＨＩＤランプ（高輝度放電灯）を始動、点灯させるためにはイグナイタと呼ばれる高電圧を発生する始動装置（高電圧発生装置）が必要であり、高電圧発生装置には低電圧の入力をパルス状の高電圧出力に変換するパルストランスのような電磁装置が用いられている。
【０００３】
ところで、近年自動車用の前照灯（ヘッドライト）において、安全性及びエコロジーを重視する観点から従来のハロゲンランプよりも高輝度、低消費電力、長寿命であるＨＩＤランプのような高圧放電ランプが使用されるようになっており、高圧放電ランプの急速な普及に伴ってイグナイタの寸法的な制約（イグナイタのランプソケット内蔵化等）から極めて小型の電磁装置が要望されている。
【０００４】
図７，８は、自動車用ヘッドライト向けのソケット内蔵型イグナイタ２０の回路図及び外観図を示している。イグナイタ２０の基本的な回路構成は、入力端子Ｔ１〜Ｔ３と、出力端子Ｔ４，Ｔ５と、入力端子Ｔ１（高電圧側）−入力端子Ｔ２（低電圧側）間に接続したコンデンサＣ１と、コンデンサＣ１に並列接続した放電ギャップＧＡＰ（スイッチ要素）とパルストランスＰＴの１次巻線２ａとの直列回路と、入力端子Ｔ１−出力端子Ｔ４（高電圧側）間に接続したパルストランスＰＴの２次巻線２ｂと、１次巻線２ａ、２次巻線２ｂが巻装した磁気コア１とから構成され、入力端子Ｔ３（低電圧側）−出力端子Ｔ５（低電圧側）間は短絡されている。高圧放電ランプＬｐは出力端子Ｔ４−Ｔ５間に接続されており、点灯装置５０は入力端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３に接続されている。
【０００５】
そして、高圧放電ランプＬｐが点灯していない状態で点灯装置５０から入力端子Ｔ１，Ｔ２を介して電圧を供給されるとコンデンサＣ１が充電され、コンデンサＣ１の両端電圧が上昇して所定値に達したときに放電ギャップＧＡＰがオンすることでパルストランスＰＴの１次巻線２ａに放電ギャップＧＡＰを介してコンデンサＣ１の充電電荷が放電され、パルストランスＰＴの２次巻線２ｂにパルス状の高電圧が発生する。この高電圧パルスが出力端子Ｔ４，Ｔ５を介して高圧放電ランプＬｐの両端に印加されて高圧放電ランプＬｐを絶縁破壊に至らしめて始動するものである。
【０００６】
また、イグナイタ２０は、図８に示すように高圧放電ランプＬｐが着脱自在に装着されるソケットと一体に構成されており、内部にイグナイタ２０を配置した合成樹脂製のソケット本体２３を備えて、ソケット本体２３の前面には略円形のソケット開口部２４と、ソケット開口部２４の内側略中央に突出した略円筒形の筒部２５とが形成されており、この筒部２５の内側にランプ口金の中央電極部（図示せず）と接触導通するランプ口金電極端子Ｔ４（図７参照）が収納されている。さらに、ランプ口金の外周面に設けられた外側電極部（図示せず）と接触導通する複数の外側電極Ｔ５（図７参照）がソケット開口部２４の内側に取り付けられており、ランプ口金をソケット開口部２４に挿入すると、イグナイタ２０と高圧放電ランプＬｐとが電気的且つ機械的に接続される。
【０００７】
そして、上記部品以外に、保護用の抵抗、ツェナダイオード、ノイズフィルター用コンデンサ、チョークコイル等が用いられることもあり、これらのイグナイタ２０の部品をソケット本体２３内に収納し、且つソケットの一層の小型化、薄型化を実現するには、部品として大きな割合を占めるパルストランスＰＴ（電磁装置）の小型化が大きな条件となっていた。
【０００８】
次に従来例１として示す特開２００２−９３６３５号公報では、パルストランスＰＴのより小型化、薄型化を狙った提案がされている。これは、図９〜１１に示すように、ロッド型の磁気コア１に抵抗率（固有抵抗）が大きいＮｉ−Ｚｎフェライト材を用い、このコア１に直接、平角導線を一層にエッジワイズ巻して（厚みの薄い箔状の平角導線をその幅広の面が対向するように巻回する）２次巻線２ｂを形成したものである。平角導線のエッジワイズ巻による巻線占積率の向上に加えて、磁気コア１と２次巻線２ｂとの間にコイルボビン等の絶縁物が不要となって、より小型、薄型を追求したパルストランスＰＴとなっている。さらに、高耐圧被覆を有する１次巻線２ａを、２次巻線２ｂ上の低圧側に寄せて巻装しており、１次巻線２ａと２次巻線２ｂとの間の絶縁を確保している。また、図１２はこの従来例１のパルストランスＰＴを用いた自動車用ヘッドライト向けソケット内蔵型イグナイタの部品配置図を示しており、ソケット本体２３の内部にコンデンサＣ１、放電ギャップＧＡＰ、パルストランスＰＴが収納されて、その回路構成は図７で示される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＨＩＤランプを用いた自動車用ヘッドライトは、環境負荷を軽減するという立場から、無水銀化が進みつつある。ここで、無水銀のＨＩＤランプは従来の水銀入りランプよりも低ランプ電圧、高ランプ電流となるランプ特性を有しており、例えば、図７に示した回路構成のイグナイタではパルストランスＰＴの２次巻線２ｂにランプ電流が流れるので、従来の２倍程度のランプ電流が流れた場合、２次巻線２ｂの抵抗成分による温度上昇、効率低下を引き起こすため、より低い巻線抵抗値を有するパルストランスＰＴが要望されていた。
【００１０】
ここで、図１１に構造を示す平角導線を用いた従来のパルストランスＰＴの場合、２次巻線２ｂの抵抗値を低下させるために２次巻線２ｂの平角導線の断面積を増加させる方法として、平角導線の厚みを厚くする方法と、巾を広げる方法とが考えられる。平角導線の厚みを厚くする場合は、パルストランスＰＴが長手方向に非常に長くなることを意味しており、例えば、２次巻線２ｂの抵抗値を１／３程度にしようとすると、パルストランスＰＴの長さが２倍以上となり、図１２に示すソケット本体２３の内部に入らなくなる。
【００１１】
また、平角導線の巾を広げる場合は、平角導線の曲率の限界（平角導線がコアに巻装されたときに内周に対する外周の伸び率が大きくなり過ぎると、外周部の絶縁皮膜が劣化し、絶縁性能が低下する）から、平角導線の巾を広くすることは実質不可能である。このように従来例１においては、ソケットに入る小型のイグナイタで、無水銀のＨＩＤランプに対応できるように巻線の低抵抗値化を図ることは困難であった。
【００１２】
次にパルストランスＰＴの巻線抵抗値を下げる他の方法として、磁気コアを閉磁路構成とし、磁気コアの結合を向上させて漏れ磁束を抑制することにより、巻線の巻き数を減少させて巻線抵抗値を下げる方法があり、特開２０００−３６４１６号公報に示される図１３（ａ），（ｂ），（ｃ），１４（ａ），（ｂ）の構成を従来例２として示す。図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ従来例２によるトランスの一実施の形態を示す平面図、正面図、側面図である。また、図１４（ａ）はこのトランスの縦断面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【００１３】
図１３（ａ），（ｂ），（ｃ），１４（ａ），（ｂ）において高電圧パルスを出力する２次巻線２ｂは平角導線を断面が略長円形の筒状をなすように巻かれている。２次巻線２ｂを覆って取付けられている絶縁カバー３０は樹脂製で、断面形状が略長円形の筒状を成している。絶縁カバー３０の両端には２次巻線２ｂの端子台３１ａ、３１ｂが一体に形成され、これらの端子台３１ａ，３１ｂには２次巻線２ｂの両端を接続する端子３２，３３が固定される。
【００１４】
２次巻線２ｂの外周には平角導線でなる１次巻線２ａが、絶縁上の安全性の向上を図るため、絶縁カバー３０の巻芯方向の中央より端部側に巻装される。すなわち、２次巻線２ｂの１次巻線２ａ側が２次巻線２ｂの低圧側となる。
【００１５】
筒状の絶縁カバー３０の外周には、１次巻線２ａの巻き位置および端末引き出しのための位置決め用ガイド３４を突出して一体に設けている。
【００１６】
図１４（ａ）において、磁気コア１は２次巻線２ｂとして巻かれたコイルに挿入された棒状コアである。磁気コア１は、断面形状が２次巻線２ｂのコイルの内周形状よりわずかに小さい略長円形をなす。磁気コア１として高抵抗のフェライトコアを用いることにより、２次巻線２ｂとの間に絶縁物を介せずに直接組み込むことができる。
【００１７】
コの字状の磁気コア４は、磁気コア１の長手方向の面に対向した面４ａと、磁気コア１の長手方向の両端面に各々対向した面４ｂ，４ｃとを有するコの字形状であり、面４ｂ，４ｃで棒状の磁気コア１の両端から磁気コア１を挟むように絶縁材３５を介して取り付けられて閉磁路の磁気回路を構成している。
【００１８】
なお、絶縁カバー３０と磁気コア１との間は接着剤（図示なし）により固定され、さらに一般的には、１次巻線２ａの端末や２次巻線２ｂの端子３２，３３以外の部分は樹脂（図示なし）によりモールドされる。
【００１９】
このような従来例２では、棒状の磁気コア１とコの字状の磁気コア４とで閉磁路を構成しているが、２次巻線２ｂとその上に巻装される１次巻線２ａとの間に、筒状の絶縁カバー３０が挿入されているために、小型化を阻害しているという問題点がある。さらに、閉磁路化によって２次巻線２ｂが出力するパルスピーク電圧Ｖｏｐは大きくなり巻数を低減できそうだが、パルス巾τは巻数の低下に伴って減少してしまい、従来例１のパルストランスＰＴと同様のパルスエネルギーを得るためには２次巻線２ｂの巻数を殆ど低減できないという問題点もある。
【００２０】
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型で、良好な出力特性を有し、さらに２次巻線の抵抗値が小さい電磁装置及び高電圧発生装置を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、棒状の第１の磁気コア、平角導線を第１の磁気コアに略当接してエッジワイズ巻で巻装した２次巻線、及び２次巻線の上に巻装した１次巻線からなる電磁部材と、前記電磁部材の周囲を被覆し、且つ２次巻線の巻回した線間を充填する樹脂と、前記樹脂で被覆された電磁部材の少なくとも長手方向の面に対向した面を有する第２の磁気コアとを備えることを特徴とする。
【００２２】
請求項２の発明は、請求項１において、前記第１の磁気コア及び第２の磁気コアの両方を通る磁束が通過する箇所の前記樹脂は、その厚さが略均一であることを特徴とする。
【００２３】
請求項３の発明は、請求項１または２において、前記第２の磁気コアは、前記電磁部材の長手方向の面に対向した面と、前記電磁部材の両端面に各々対向した面とを有するコの字形状であることを特徴とする。
【００２４】
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載された電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素とを備えたことを特徴とする。
【００２５】
請求項５の発明は、請求項４において、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体を備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介して前記パルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加することを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２７】
（実施形態１）
本実施形態の電磁装置（パルストランスＰＴ）の構成は図１に示すように、棒状の磁気コア１（第１の磁気コア）、平角導線を磁気コア１に略当接して一層にエッジワイズ巻で巻装した２次巻線２ｂ、及び高耐圧被覆を有して２次巻線２ｂの上に巻装した１次巻線２ａからなる電磁部材Ａと、電磁部材Ａの周囲を被覆する樹脂３と、コの字状のフェライトからなる磁気コア４（第２の磁気コア）とを備える。１次巻線２ａは、２次巻線２ｂ上の低圧側に寄せて巻装しており、１次巻線２ａと２次巻線２ｂとの間の絶縁を確保して、従来例１と同様の絶縁性能を有している。そして、磁気コア１として高抵抗のフェライトコアを用いることにより、２次巻線２ｂとの間に絶縁物を介せずに直接組み込むことができる。さらに、コの字状の磁気コア４は、電磁部材Ａの長手方向（磁気コア１の長手方向）の面に対向した面４ａと、電磁部材Ａの長手方向の両端面に各々対向した面４ｂ，４ｃとを有するコの字形状であり、面４ｂ，４ｃで棒状の磁気コア１の両端から磁気コア１を挟むように取り付けられて閉磁路の磁気回路を構成している。
【００２８】
樹脂３は、例えば不飽和ポリエステル樹脂を用いて、電磁部材Ａの周囲を略直方体状に覆うように成形されたもので、このとき不飽和ポリエステルからなる樹脂３は２次巻線２ｂを巻回した線間にも充填されている。また、図２に示すように、函体の樹脂ケース５を用い、電磁部材Ａを樹脂ケース５内に入れた後、エポキシからなる樹脂３を樹脂ケース５内に充填してもよく、このときも樹脂３は２次巻線２ｂを巻回した線間にも充填されている。
【００２９】
また、電磁部材Ａのみが樹脂３で全体を覆われ、磁気コア４は樹脂３で覆われていないので、コの字状の磁気コア４のように強度的に弱いエッジコーナ４ｄを有する構造であっても、樹脂３の膨張・収縮の影響でコアが割れることを防止できる。
【００３０】
次に、本実施形態と、従来例１，２との各パルストランスＰＴの出力特性比較結果を図３，４に示す。ここで、本実施形態の特性：Ｓ１、従来例１の特性：Ｓ１０、従来例２の特性：Ｓ２０としている。本比較試験で用いたパルストランスＰＴは本実施形態及び従来例１，２ともに、磁気コア１をφ８ｍｍ径，長さ３０ｍｍのＮｉ−Ｚｎフェライトとし、１次巻線２ａの巻数（１次巻数）Ｎ１は５ターン、２次巻線２ｂの巻数（２次巻数）Ｎ２は２２０ターンとし、平角導線は厚み７０μｍ，巾１．２ｍｍとした。また、本実施形態及び従来例２では、磁気コア４をφ８ｍｍ径相当のコア断面を有するＮｉ−Ｚｎフェライトからなるコの字状とし、磁気コア１の端面と、磁気コア１の長手方向の両端面に各々対向した磁気コア２の面４ｂ，４ｃとの間のギャップは各々１ｍｍづつとし、このギャップ間には樹脂３が充填されている。
【００３１】
まず、パルストランスＰＴの１次巻線２ａへの入力電圧を８００Ｖとしたとき、従来例１における２次巻線２ｂでのパルス出力電圧特性は、パルスピーク電圧Ｖｏｐが３０ＫＶ程度、パルスの半値巾τが１５０ｎｓ程度であった。従来例２においては、パルスピーク電圧Ｖｏｐが３７ＫＶ程度、パルスの半値巾τが１６０ｎｓ程度であった。
【００３２】
対して、本実施形態においては、パルスピーク電圧Ｖｏｐが３９ＫＶ程度、パルスの半値巾τが１９０ｎｓ程度であり、パルスピーク電圧Ｖｏｐ及びパルス反値巾τともに従来例１と比べて大幅に大きくなっており、従来例２と比べても大きくなっている。
【００３３】
次に、本実施形態と従来例２との各２次巻数Ｎ２を減少させていくと、従来例１と同程度のパルスピーク電圧Ｖｏｐ（＝３０ＫＶ）を得るのに、従来例２の構成ではパルスピーク電圧Ｖｏｐは２次巻数Ｎ２を１６５ターン程度まで減少させてもよく余裕があるものの、パルス半値巾τ（＝１５０ｎｓ）を得ようとすると２次巻数Ｎ２は２１０ターンまでしか減少させることができず、２次巻数Ｎ２は殆ど減少させることはできないことが確認された。
【００３４】
これに対し、本実施形態の場合、パルスピーク電圧Ｖｏｐ及びパルス半値巾τともに従来例２より大きく、従来例１と同程度のパルスピーク電圧Ｖｏｐ（＝３０ＫＶ）及びパルス半値巾τ（＝１５０ｎｓ）を得るのに、２次巻数Ｎ２は１３０ターン程度まで減少させてもよいことが確認できた。
【００３５】
この現象については、まず本実施形態のパルスピーク電圧Ｖｏｐが従来例２より大きくなったのは、従来例２と同様にコの字状の磁気コア４を用いて閉磁路化したことに加えて、従来例２の構成要素である１次−２次巻線間の絶縁カバー３０がなく、１次巻線２ａ−２次巻線２ｂ間の結合度が増加したためと考えられる。
【００３６】
また、本実施形態のパルス半値巾τが従来例２より大きくなったのは、２次巻線２ｂの平角導線を巻回した線間に樹脂３が充填されているため、２次巻線２ｂに寄生する浮遊容量が従来例２より大きくなり、パルス半値巾τを増加させたものと考えられる。
【００３７】
このように、本実施形態では、パルスピーク電圧Ｖｏｐやパルス半値巾τのパルス出力特性を従来例１と略同様のレベルに維持しつつ、２次巻数Ｎ２を大幅に減少させることができる。したがって、２次巻数Ｎ２が減少した分、２次巻線２ｂの巻幅が短くなるので、巻数Ｎ２を減少させる前と同様の巻幅になるよう平角導線の厚みを厚くして１２０μｍとしたところ、２次巻線２ｂの抵抗値は、従来の構造（平角導線の厚み：７０μｍ，平角導線の巾：１．２ｍｍ，２次巻数Ｎ２：２２０ターン，２次巻線巻幅：２５ｍｍ）で１．３Ω程度であったものが、本実施形態の場合（平角導線の厚み：１２０μｍ，平角導線の巾：１．２ｍｍ，２次巻数Ｎ２：１３０ターン，２次巻線巻幅：２５ｍｍ）、０．４Ω程度と大幅に減少させることができた。
【００３８】
したがって、本実施形態のパルストランスＰＴは、大型化を抑制した上で従来と同様の出力パルス特性を有し、且つ２次巻線の抵抗値を大幅に小さくできる。
【００３９】
また、本実施形態のパルストランスＰＴの構成は、棒状の磁気コア１と、磁気コア１に巻装した２次巻線２ｂと、２次巻線２ｂの上に巻装した１次巻線２ａとからなる電磁部材Ａの周囲を樹脂３で被覆することで電磁部材Ａの各部品の位置を固定し、さらに図１においては樹脂３が磁気コア１の両端面と磁気コア４の面４ｂ，４ｃとの間に存在して（図２においては、樹脂ケース５が存在している）、磁気コア１，４の互いの位置関係を支持固定しており、この磁気コア１の両端面と磁気コア４の面４ｂ，４ｃ間に各々充填される樹脂３の厚みを略均一，一定とすることによって、バラツキや経時変化の少ない安定した特性のパルストランスＰＴを供給できる。さらに、樹脂３が１，２次巻線２ａ，２ｂの線間，層間，及び端子間の絶縁性能確保に効果があることはいうまでもない。
【００４０】
なお、本実施形態においては、閉磁路を構成するためにコの字状の磁気コア４を用いたが、電磁部材Ａの少なくとも長手方向の面に対向した面を有する磁気コアであれば、コの字形状に限定するものではない。
【００４１】
（実施形態２）
図５，６は、実施形態１の図１に示すパルストランスＰＴ（電磁装置）を用いた自動車用ヘッドライト向けソケット内蔵型イグナイタ（高電圧発生装置）の部品配置図を示しており、ソケット本体（装置本体）２３の内部にコンデンサＣ１、放電ギャップＧＡＰ、パルストランスＰＴが収納されて、その外形及び回路構成は従来例同様に図７，８で示される。
【００４２】
本実施形態では、パルストランスＰＴの一端側に、１次巻線２ａの高圧側端末に接続した端子Ｔ１０、１次巻線２ａの低圧側端末に接続した端子Ｔ１１、２次巻線２ｂの低圧側端末に接続した端子Ｔ１２を備え、パルストランスＰＴの他端側には、２次巻線２ｂの高圧側端末に接続したランプ口金電極端子Ｔ４を備えている。端子Ｔ１０〜Ｔ１２はソケット本体２３の内部でコンデンサＣ１や放電ギャップＧＡＰに接続し、ランプ口金電極端子Ｔ４はソケットに装着された高圧放電ランプＬａのランプ口金と接続するものである。
【００４３】
したがって、配線は端子間で行うことができるので、高電圧発生装置の配線、組み立てが容易となり、さらにはコンデンサＣ１，放電ギャップＧＡＰ，パルストランスＰＴ間の絶縁を考慮した配線も容易となる。
【００４４】
また、ソケット本体２３の前面には略円形のソケット開口部２４と、ソケット開口部２４の内側略中央に突出した略円筒形の筒部２５とが形成されており（図８参照）、この筒部２５の内側にランプ口金の中央電極部（図示せず）と接触導通するランプ口金電極端子Ｔ４が収納されている。さらに、ランプ口金の外周面に設けられた外側電極部（図示せず）と接触導通する複数の外側電極Ｔ５がソケット開口部２４の内側に取り付けられており、ランプ口金をソケット開口部２４に挿入すると、高電圧発生装置と高圧放電ランプとが電気的且つ機械的に接続される。
【００４５】
【発明の効果】
請求項１の発明は、棒状の第１の磁気コア、平角導線を第１の磁気コアに略当接してエッジワイズ巻で巻装した２次巻線、及び２次巻線の上に巻装した１次巻線からなる電磁部材と、前記電磁部材の周囲を被覆し、且つ２次巻線の巻回した線間を充填する樹脂と、前記樹脂で被覆された電磁部材の少なくとも長手方向の面に対向した面を有する第２の磁気コアとを備えるので、大型化を抑制しながら、良好な出力特性を有し、さらに２次巻線の抵抗値が小さい電磁装置を提供することができるという効果がある。
【００４６】
請求項２の発明は、請求項１において、前記第１の磁気コア及び第２の磁気コアの両方を通る磁束が通過する箇所の前記樹脂は、その厚さが略均一であるので、バラツキや経時変化の少ない安定した特性を得ることができるという効果がある。
【００４７】
請求項３の発明は、請求項１または２において、前記第２の磁気コアは、前記電磁部材の長手方向の面に対向した面と、前記電磁部材の両端面に各々対向した面とを有するコの字形状であるので、磁気コアを閉磁路構成として漏れ磁束を抑制することにより、さらに巻線の巻き数を減少させて巻線抵抗値を下げることができるという効果がある。
【００４８】
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載された電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素とを備えたので、請求項１乃至３のいずれかと同様の効果を奏する高電圧発生装置を提供することができるという効果がある。
【００４９】
請求項５の発明は、請求項４において、少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体を備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介して前記パルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加するので、請求項４と同様の効果を奏し、放電ランプのランプ口金が接続されるソケットを一体に備えた高電圧発生装置を提供することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の電磁装置の構成を示す図である。
【図２】同上の電磁装置の別の構成を示す図である。
【図３】同上の電磁装置の２次巻数に対する出力のパルスピーク電圧特性を示す図である。
【図４】同上の電磁装置の２次巻数に対する出力のパルス半値巾特性を示す図である。
【図５】本発明の実施形態２のソケット内蔵型イグナイタの部品配置を示す図である。
【図６】同上の部品配置を示す図である。
【図７】ソケット内蔵型イグナイタの回路図である。
【図８】ソケット内蔵型イグナイタの外観図である。
【図９】従来例１の１次巻線を省略した電磁装置の構造を示す図である。
【図１０】同上の２次巻線の拡大図である。
【図１１】同上の構造を示す図である。
【図１２】従来例１のソケット内蔵型イグナイタの部品配置を示す図である。
【図１３】（ａ），（ｂ），（ｃ）従来例２のトランスの形態を示す平面図、正面図、側面図である。
【図１４】（ａ），（ｂ）同上の縦断面図、及びＥ−Ｅ断面図である。
【符号の説明】
ＰＴ　パルストランス
Ａ　電磁部材
１　棒状の磁気コア
２ａ　１次巻線
２ｂ　２次巻線
３　樹脂
４　コの字状の磁気コア

Claims

棒状の第１の磁気コア、平角導線を第１の磁気コアに略当接してエッジワイズ巻で巻装した２次巻線、及び２次巻線の上に巻装した１次巻線からなる電磁部材と、前記電磁部材の周囲を被覆し、且つ２次巻線の巻回した線間を充填する樹脂と、前記樹脂で被覆された電磁部材の少なくとも長手方向の面に対向した面を有する第２の磁気コアとを備えることを特徴とする電磁装置。
前記第１の磁気コア及び第２の磁気コアの両方を通る磁束が通過する箇所の前記樹脂は、その厚さが略均一であることを特徴とする請求項１記載の電磁装置。
前記第２の磁気コアは、前記電磁部材の長手方向の面に対向した面と、前記電磁部材の両端面に各々対向した面とを有するコの字形状であることを特徴とする請求項１または２記載の電磁装置。
請求項１乃至３のいずれかに記載された電磁装置からなるパルストランスと、パルストランスの１次巻線に並列接続されたコンデンサと、コンデンサから１次巻線への放電経路を開閉するスイッチ要素とを備えたことを特徴とする高電圧発生装置。
少なくとも前記パルストランス、コンデンサ、スイッチ要素を収容する装置本体を備え、この装置本体に放電ランプのランプ口金が電気的且つ機械的に接続されるソケット部を設け、このソケット部を介して前記パルストランスの２次巻線に発生する高電圧パルスをランプ口金に印加することを特徴とする請求項４記載の高電圧発生装置。