JP2004006958A - Mimキャパシタ及び高周波集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 キャパシタ直下に第1の絶縁膜2及び第2の絶縁膜3を積層し、第2の絶縁膜3を凹状に加工し、凹状部分に下層電極6を形成する。この時、第2の絶縁膜3と下層電極6の厚さを等しくして表面段差を無くす様に形成する。更にバイアホール9形成工程で半絶縁性基板1のエッチングを行う際に、第1の絶縁膜2のエッチングがされにくい条件で行ない、第1の絶縁膜2の露出した段階でエッチングを中断し、エッチング条件を変更し第1の絶縁膜2をエッチングする。
【選択図】 図1
Description
2 第1の絶縁膜Si3N4膜
21 第1の絶縁膜SiO2膜
3 第2の絶縁膜SiO2膜
31 第2の絶縁膜Si3N4膜
32 第2の絶縁膜ポリイミド膜
4 フォトレジストパターン
5 第2の絶縁膜の溝
6 MIMキャパシタ下層電極
7 誘電体膜
8 MIMキャパシタ上層電極
9 バイアホール
10 裏面電極
11 チャネル層
12 不純物拡散領域(ソース)
13 不純物拡散領域(ドレイン)
101 MIMキャパシタ
102 MESFET
Claims (2)
- 半絶縁性基板上と、該半絶縁性基板上の下層電極と、該下層電極上に形成された誘電体膜と、該誘電体膜上の上層電極からなり、下層電極がその直下に形成された前記半絶縁性基板の裏面に達するバイアホールにより配線されているMIMキャパシタにおいて、半絶縁性基板上にSi3N4膜が形成され、該Si3N4膜の上にポリイミド膜と下層電極が形成され、該ポリイミド膜と下層電極の上面が同一平面上であり、上記Si3N4膜は、上記ポリイミド膜および半絶縁性基板よりもエッチング速度が遅い膜であることを特徴とするMIMキャパシタ。
- 請求項1のMIMキャパシタを用いた事を特徴とする高周波集積回路。
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2003
- 2003-07-17 JP JP2003276052A patent/JP2004006958A/ja active Pending
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