JP2004000006U6

JP2004000006U6 - 半導体装置

Info

Publication number: JP2004000006U6
Application number: JP2003271410U
Authority: JP
Inventors: グリーム、マイケル、ワイボーン; ハワード、チャールズ、ニコルズ
Original assignee: STMICROELECTRONICS Ltd
Current assignee: STMICROELECTRONICS Ltd
Priority date: 1992-09-11
Filing date: 2003-09-25
Publication date: 2004-10-21

Abstract

【課題】アルミニウム相互接続層に電気的に接触するようにタングステン接点を選択的に成長させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、アルミニウムまたはアルミニウム合金のバイア及び相互接続層２と、相互接続層上に形成された電気的な導体材料からなるキャッピング層１２と、バイアを形成するためにキャッピング層上に選択的に堆積された接点１８とを含み、キャッピング層及びキャッピング層上に選択的に堆積された接点の間にはキャッピング層の材料から形成された不導体の成分がほとんど存在しない。
【選択図】図４

Description

本考案は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の相互接続層を組み込んだ半導体装置製造方法に関し、特にプラグまたはバイアスの形態の接点が相互接続層上に形成される方法に関する。

半導体処理技術において、アルミニウムのような金属を使用したプラグ及びバイアスの形態の接点を製造するための従来の金属化処理で得られるステップカバーは、接点の寸法が約１．５ミクロン以下に減少するにつれて１つの問題となった。小さくなったステップカバーは、接点の内の特定の接点の抵抗を増加させる傾向があるから、接点の信頼性は減少する。また、小さいステップカバーは、前の相互接続層の接点上の接点の垂直方向のスタッキングを防止する傾向がある。金属ステップカバーは接点が形成される絶縁層を薄くすることによって増大することができる。しかしながら、これは、結果的に半導体装置の速度の低下を生じる傾向がある２層の金属層の間の容量を増加させる。

従来の金属化におけるこのステップカバーの問題を克服する試みにおいて、接点ホールをプラグまたはバイアの形態の接点に形成するために化学的気相堆積処理によってタングステンで充填するタングステンプラグ技術を使用することが知られている。使用される通常の２つのタングステン堆積処理は、タングステンを絶縁層内に形成された接点ホール内に選択的に堆積する絶縁相または選択的なタングステン堆積部内にタングステン接点を残すように次にエッチバックが続くブランケットタングステン堆積である。ブランケット堆積及びエッチバック処理は、下に配置された絶縁層にタングステン層を堆積する必要性、追加的なエッチバック処理のための必要性、幅が異なる接点を充填する困難性及び結果としての接点構造の寸法を減少するための処理をスケーリングすることに関する困難性のような多数の不利益がある。選択的なタングステンプラグ堆積処理は、これらの問題を抱え、従って、選択的なタングステンプラグの堆積処理は、ブランケット堆積及びエッチバック処理上の利点を有する。低い接点抵抗を有するタングステンプラグは、シリコン、タングステン、窒化チタン及びシリサイドを含む一連の基板上で選択的に成長することができる。アルミニウム及びアルミニウム合金は、半導体装置の底抵抗相互接続層を形成するために広く使用されている。しかしながら、アルミニウムまたはアルミニウム合金上の選択的なタングステンの成長は、特定の接点の抵抗が非常に高くなるという問題がある。これは、部分的にアルミニウムの面上の絶縁酸化アルミニウム層の存在による。このアルミニウムは、選択的なタングステン堆積処理の前に容易に除去することができない絶縁性の酸素層によってカバーされる。もし酸素の層が、例えば真空における物理的な衝撃によって、またはアルミニウム金属をエッチングすることによって偶然に除去する場合があるが、これは絶縁層の表面上に選択的な堆積のために核の場所として作用するアルミニウムまたは酸化アルミニウム片を残す傾向がある。

また表れたアルミニウムは、選択的なタングステン堆積処理で上昇した温度でフッ素化合物にさらされる時、絶縁ふっ化アルミニウム層を形成する傾向がある。この反応は、堆積の早期の段階で選択的なタングステンを形成するための反応で終了し、アルミニウム及びタングステンの間の絶縁層の形成を生じることができる。

このように、アルミニウムまたはアルミニウム合金相互接続層に電気的に接触するように信頼できる方法でタングステン接点を選択的に成長させることができるようにする処理が必要になる。本考案は、この必要性を満足させることをねらいとする。

従って本考案は、アルミニウムまたはアルミニウム合金のバイア及び相互接続層と、相互接続層上に形成された電気的な導体材料のキャッピング層と、バイアを形成するためにキャッピング層上に選択的に堆積された電導体接点とを含み、キャッピング層及び接点の材料は、選択されその間にキャッピング層の材料から形成された不導体の成分がほとんどない半導体装置を提供する。

本考案の好ましい実施例は、低抵抗の接点を提供するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の相互接続層上にタングステン接点を選択的に成長させることを可能にすることによってタングステン接点を形成するための選択的なタングステン堆積処理の有効性を非常に向上させる。

窒化チタンまたはチタンは、キャッピング層として使用され、これは、複数の水準の金属化処理において要求される熱処理中にアルミニウムヒルロックまたはスパイクが形成されることを防止するように作用するアルミニウム上のヒルロック抑制層として作用する。アルミニウム相互接続層は、次の相互接続層の形成中、アルミニウム相互接続層が熱的に循環するとき、またはそれが電気が加えられた時に層の間の短絡、またはアルミニウム相互接続層の劣化を招き得るスパイクを形成する場合がある。

以下、本考案の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。
図１乃至図５を参照すると、絶縁層のタングステン接点の製造用の処理の流れが示されており、タングステン接点は、タングステン接点が電気的に接続されるアルミニウムまたはアルミニウム合金上に形成されたキャッピング層上に選択的に堆積されている。この説明において、「アルミニウム」という場合は、「アルミニウム合金」を含む。

図１を参照すると、本考案によって使用される典型的なシリコンウェーハ構造は、シリコン基板６上にそれ自身が延びるアルミニウムまたはアルミニウム合金を有する。接点ホール８は、絶縁層４内に配置され、接点ホール８の中に、例えばシリコン基板６を相互接続層２に電気的に接続するタングステンの接点１０が配置されている。

本考案によれば、相互接続層２は、相互接続層２が絶縁層４上に配置されるようにスパッタリング装置内にウェーハ構造を配置するスパッタリング処理によって形成され、所望のパターンは、パターン化された光露光マスク及びエッチングによって決定される（図示せず）。本考案によれば、図２を参照して示すように、キャッピング層１２は、相互接続層２上に配置されている。またキャッピング層１２は、スパッタリング処理によって形成され、相互接続層２をスパッタリングするために使用される同じスパッタリング装置内で堆積される。従って、キャッピング層１２及び相互接続層２は、１つのスパッタリング装置内で２つのスパッタリングステップを有する単一の処理で形成される。キャッピング層は、典型的にはタングステン、チタンまたは窒化チタンである。１つのスパッタリング装置内でさらに反応するアルミニウムまたはアルミニウム合金相互接続２上へのキャッピング層の堆積は、大気中の酸素とアルミニウムの反応から生じる相互接続層２上の酸化アルミニウム層の形成を防止する。キャッピング層１２は、さらに反応性を有するアルミニウム相互接続層２上に比較的に不活性の表面として作用し、キャッピング層１２で作られる次の電気接点の抵抗性を増大させる大気による酸化を受けない。典型的には、アルミニウム相互接続層２は、５０００から１５０００オングストロームの厚さであり、キャッピング層１２は、約１００オングストロームから約３０００オングストローム、さらに好ましくは５００オングストロームの範囲の厚さを有する。キャッピング層１２のパターンは、下に配置されるアルミニウム相互接続層２のパターンを規定するために使用されるものと同じ光露光マスキング層を使用して規定される。これによってキャッピング層１２は、下の相互接続層２と全く同じパターンであることを保証する。さらに１つのマスキング法のみが使用される。

図３を参照すると、絶縁層１４は、既知の方法でキャッピング層１２上に所望のパターンで堆積される。典型的には、絶縁層１４は、ドープされまたはドープされない酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを有する。絶縁層１４の厚さは、典型的には５０００オングストロームから２００００オングストロームであり、さらに好ましくは１００００から１５０００オングストロームである。絶縁層１４は、接点ホール１６を提供するためにパターン化される。図４に示すように、典型的には、タングステンプラグ１８によって構成される接点１８は、絶縁層１４の接点ホールに選択的に堆積される。接点１８は、接点ホール１６に堆積された選択的な銅または選択的なアルミニウムからなる。接点１８は、選択的な堆積処理中、アルミニウムの相互接続層上のフッ化アルミニウム層が形成されることを防止するように作用し、低抵抗の接点がバイアまたは接点１８とアルミニウム相互接続層２との間に形成されることを保証する。接点１８は、プラグまたはバイアの形態である。

接点を堆積するための選択された堆積処理は、接点がタングステンであるとき、好ましくは２段階の処理になる。また、このような２段階の処理は、キャッピング層がチタンからなるとき、特に使用される。第１の段階において、標本を含むタングステンのみが還元剤のないシリコンウェーハ構造上に導入される。典型的には、タングステンヘキサふっ化物が１から３０ｍＴｏｒｒ、さらに典型的には２ｍＴｏｒｒの部分的な圧力で３０から２００秒の間隔だけ流される。このステップ中、従来の還元剤がないタングステンヘキサふっ化物は、最初にキャッピング層の表面、特にチタン面と反応し、それによる反応によって酸化チタンのような表面をきれいにする。このような反応は、キャッピング層上にタングステンのシード層を堆積し、キャッピング層の表面上に酸化チタンのような不伝導材料の濃度を減少するようにタングステンに対するタングステンヘキサふっ化物を減少させる。本考案に使用されるタングステン接点の堆積処理中にこの第１の段階を使用することによって、処理の制御を選択的に行いながら、許容できる接点抵抗の製造を可能にする。第２の段階において、接点ホールへのタングステン金属の実質的な堆積を可能とするように適当な還元剤、一般的にシランの流れが、タングステンのヘキサふっ化物流に導入される。タングステンふっ化物は、最初に形成されているタングステンのきれいなシード層上にシランによって減少される。シランの部分的な圧力は、シラン／タングステンヘキサふっ化物を与える典型的には１から３０ｍＴｏｒｒの範囲内にあり、さらに典型的には０．５の付近の比である。タングステンの堆積処理を通じて大気温度は、２００°Ｃから３００°Ｃの範囲になければならない。

典型的には、本考案によるチタンまたは窒化チタンのキャッピング層上に形成されたバイアは、２．５×１０^-8オームｃｍ²までの特定の接点抵抗を有し、さらに好ましくは特定の接点抵抗は１．０×１０^-9から１．２×１０^-8オームｃｍ²である。これは、アルミニウム相互結合層上のタングステン接点のほぼ開放した回路接触抵抗と対比することができ、この回路接触抵抗は、タングステンとアルミニウムとの間の干渉で酸化アルミニウムド及び／またはふっ化アルミニウムのような誘電絶縁アルミニウム成分を破壊しないような十分に低い電位で測定される。キャッピング層がチタンまたは窒化チタンであるときに、接点の選択的な堆積中に形成されるふっ化チタンは、その揮発性の結果、除去され、ふっ化物の残留は、接点の下のキャッピング層上に残らず接点の抵抗が上昇する。さらに、前の大気の酸化の結果として形成されたキャッピング層内の最初の酸化チタン層は、それによって除去されるように、選択的な堆積処理のふっ化物と容易に反応するか接点の抵抗を上昇させないようにこの中のピンホールの存在の結果として十分な非コヒーレントであるかのいずれかである。従って、酸化チタンまたはふっ化物は、もし形成されるならば、従来の技術の問題を生じさせる対応するアルミニウム成分に比較して高抵抗の接点を生じない。従って、本考案によれば、接点内に、接点の抵抗をかなり増大させるキャッピング層と堆積した金属との境界でキャッピング層から形成された不導体の成分はほとんどない。

図５に示すように、アルミニウムまたはアルミニウム合金の第２の相互接続層２０は、相互接続構造を完成させるように絶縁層１４及び接点１８上にスパッタリング処理によって堆積される。

本考案の一実施例によるキャッピング層の堆積の前に相互接続層を有するシリコンウェーハの素子断面図である。相互接続層上にキャッピング層が堆積された後の状態を示す素子断面図である。キャッピング層及び接点またはバイアホールのエッチング上の絶縁層の堆積後の状態を示す素子断面図である。タングステンプラグを形成するように絶縁層の接点ホールに選択的なタングステンの堆積が行われた後の状態を示す素子断面図である。タングステンプラグ及び絶縁層上の第２の相互接続層の堆積後の状態を示す素子断面図である。

符号の説明

２アルミニウム合金相互接続層
４絶縁層
６シリコン基板
８接点ホール
１０接点
１２キャッピング層
１４絶縁層
１６接点ホール
１８タングステンプラグ

Claims

アルミニウムまたはアルミニウム合金のバイア及び相互接続層と、相互接続層上に形成された電気的な導体材料のキャッピング層と、バイアを形成するためにキャッピング層上に選択的に堆積された電導体とを含み、キャッピング層及び接点の材料は、選択されその間にキャッピング層の材料から形成された不導体の成分がほとんどない半導体装置。
キャッピング層は、タングステン、チタンおよび窒化チタンから選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記接点は、タングステンからなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
相互接続層及びキャッピング層は、同一の広がりを持ち、共通のマスキング層によってパターン化されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
相互接続層及びキャッピング層は、スパッタリング層であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
金属接点とキャッピング層との間の特定の接点抵抗は、２．５×１０^-8オームｃｍ²までの値であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。