JP2003535008A - アルキル−またはアリール−ハロゲンシランの調製のためのケイ素粉末 - Google Patents

アルキル−またはアリール−ハロゲンシランの調製のためのケイ素粉末

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、アルキル−またはアリール−ハロゲンシランの製造を目的とした、350μmより小さい粒度のケイ素粉末に関するものであり、該ケイ素粉末は、5μmより小さい大きさの粒子を3%未満、好ましくは2%未満含んでいる。該粉末は、合成の反応の収量を向上させることを可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【本発明の分野】
本発明は、350μmより小さい粒度のケイ素粉末またはケイ素重合体に関す
るものであり、シリコーンの合成を目的としたアルキル−またはアリール−ハロ
ゲンシランの製造に特に適合したものである。
【0002】
【技術の現状】
ケイ素に対する、例えば塩化メチルなどのハロゲン化炭化水素の250と35
0℃の間での反応による、アルキル−またはアリール−ハロゲンシランの合成は
、E.G.ROCHOWに属する1945年に交付されたUS2380995以
来既知である。
【0003】 この反応は、シリコーンの製造に関して重要な工業の発展に至った;該反応は
しばしば、粉末ケイ素を用いた流動層の反応装置において、多くの場合350μ
mより小さい粒度において行われる。約50と350μmの間に含まれる粒度の
画分を利用することが、長年にわたって習慣となっており、粉末における大きさ
が50μmより小さいケイ素粒子の存在は、物質の損失と、反応装置の収量の低
下の原因となってきた。このような粒度の断面の利用の例証として、例えば、4
8メッシュ(300μm)と325メッシュ(45μm)の間の断面を推奨する
、1986年に出願されたUnion Carbide社のEP0191502
、または実施例1と2で50−350μmの断面を示す、1998年に出願され
たPechiney Electrometallurgie社のEP0893
408が挙げられる。
【0004】
【本発明の目的】
本発明は、アルキル−またはアリール−ハロゲンシランの製造の為の、350
μmより小さい粒度のケイ素粉末またはケイ素重合体を目的としており、該ケイ
素粉末またはケイ素重合体は、大きさが5μmより小さい粒子の単位質量あたり
の画分を3%未満、好ましくは2%未満含んでいる。
【0005】
【本発明の詳細な説明】
本発明は、およそ50−350μmの粒度の断面を獲得するために篩にかけら
れたケイ素粉末のなかに、大きさが5μmより小さい粒子が無視できない分量存
在するという、出願人によって証明された事実に基づいている。
【0006】 予想外の仕方で、実験により、50μmより小さい画分を分離するための粉末
の篩い分けは、そこから最も細かい粒子、例えば5μmより小さい画分を取り除
くためには結局あまり性能が高くないことが示された。これらの非常に細かい粒
子は、恐らくは生成物のコンディショニングの際に生成され、顕微鏡で粉末を観
察することにより存在が確認される。
【0007】 それらの質量における相対的な量の評価は、レーザー粒度分析によって測定す
ることができる;ケイ素粉末のなかに、常にそれらの調製の仕方に関係なく、大
きさが5μmより小さい粒子の単位質量あたりの画分がおよそ少なくとも4%発
見される。本出願人は、これらの非常に細かい粒子の含有量の除去または削減に
より、Rochowの反応の収量を向上させることができることも確認した。し
たがって、本発明はつまり、ケイ素粉末を主成分とした接触した塊を可能な限り
効果的に使用するという目的において、ハロゲンシランの生成費用の大きな負担
である、大きさが5μmより小さい粒子の含有量を3%に、好ましくは2%未満
に減少させることにある。
【0008】 この結果を獲得するために、粉末の水による洗浄を利用することができるが、
該粉末は、350μm未満に粉砕され、また場合によっては篩にかけられ、50
−350μmの粒度の断面を獲得するものである。該洗浄の後には、選択的デカ
ンテーション、ついで粉末の乾燥が続くが、該粉末は、水が出て行くのを容易に
するための付随的な真空取り出しによって二層に分離されたものである。
【0009】 この技術は、狭義の粒度の断面が5μmであることを可能にし、大きさが5μ
mより小さい残留性の画分の最終的な秤量は、0.5%に達することができる。
【0010】 同様に最も細かい粒子の選択的消去のために、速度を落とされた気体の流れに
おける粉末の分散も利用することができる。所望の断面の許容限度に応じて気体
の速さを選ぶが、いずれにせよ層流状態で機能する。気体に関しては、安全性か
ら、酸素を失った空気を選ぶことが好ましい。
【0011】
【実施例】
実施例1 ハロゲンシランの実施に必要とされる明示に対応している、化学質の金属工学
のケイ素を、アーク炉に準備した。
【0012】 重合体は流れ、固まり、ついで350μmより小さい粒度に粉砕された。
【0013】 1kgの生成物から五つのサンプルを採取した。
【0014】 このタイプの粉末は通常は、性能を評価するために考案された装置で検査され
る。そのために、粉末40gを触媒と混ぜ合わせ、混合物を攪拌装置が備わった
直径30mmのガラス製の反応装置内に置く。気体のCH3Clの流れが、粉末
を受け容れるガラス製ディスクを通して送られる。気体の流量は、3.6×10-33/hで一定に保たれる。
【0015】 反応性媒質の加熱および反応の開始後、システムは300℃に保たれる。12
時間の反応の後、ジメチルジクロロシランで獲得される平均流量、並びに反応の
生成物の全体におけるこの生成物の比率に注目する。
【0016】 サンプルno1の粉末の粒度の質の評価について、二つの測定のタイプが実行
された: −レーザー粒度分析; −前述されたテストと比べて単純化された検査であり、常温で、加熱せずに、触
媒の付加なしで検査すべき粉末に直接作用し、また気体CH3Clを窒素に替え
るものである。
【0017】 レーザー粒度分析は、5μmより小さい大きさの細かいものを(重量で)5.
5%検出した。
【0018】 単純化された検査で、12時間の処理の後、反応装置に残っていた生成物は回
収され、計量された。初めの生成物40gのうち、37.2gしか残らず、すな
わち7%の損失となる。
【0019】 実施例2 サンプルNo2は、実施例1の初めに調製されたものであるが、0−50μm
の粒度の画分を分離するため、50μmの篩にかけられた。このように篩にかけ
られたサンプルに対し、レーザー粒度測定を実行し、大きさが5μmより小さい
細かいものを4.5%発見した。実施例1に記述された単純化された検査を行う
ために、粉末40gを採取した。12時間の処理の後、反応装置に残っていた生
成物は回収され、計量された。初めの生成物40gのうち、37.8gしか残ら
ず、すなわち5.5%の損失となる。
【0020】 実施例3 サンプルno3は、350μmより小さい粒度での、実施例1の初めに調製さ
れたものであり、水10リットルの中で洗浄された。つぎに、獲得された混合物
を一時間の間二層に分離させておき、ついで残存する液体を取り除き、二層に分
離された粉末は回収され、真空の赤外線ランプの下で乾燥される。このように洗
浄された粉末に、レーザー粒度測定を実行し、大きさが5μmより小さい細かい
ものを0.5%発見した。
【0021】 この洗浄されたサンプルno3に対し、実施例1に記述された単純化された検
査を行うため、粉末を40g採取した。12時間の処理の後、反応装置に残って
いた生成物は回収され、計量された。初めの生成物40gのうち、39.7gし
か残らず、すなわち0.75%の損失となる。
【0022】 実施例4 サンプルno4は、実施例1の初めに調製されたものであるが、直径50mm
および高さ500mmのチューブの上端に、一分ごとに10gの割合で規則正し
く投入することによって散らされたが、該チューブは、上昇する気体の流れが駆
け巡るもので、該気体は一つの空気体積と二つの窒素体積から成り、その流量は
、毎秒60cm3に調整されている。
【0023】 気体によって導かれた細かい微粒子がチューブの上端で出て行くことが確認さ
れた。チューブの下端に回収された粉末にレーザー粒度測定を実行し、大きさが
5μmより小さい細かいものを2%発見した。
【0024】 該サンプルno4に対し、実施例1に記述された単純化された検査を行うため
、粉末40gを採取した。12時間の処理の後、反応装置に残っていた生成物は
回収され、計量された。初めの生成物40gのうち、39.0g残り、すなわち
2.5%の損失となる。
【0025】 実施例5 サンプルno5は、50μmで篩にかけられ、50−350μmの粒度の画分
の粉末が調製され、該粉末は、その後で実施例4に記述されている作業をもう一
度おこなう為に利用される。
【0026】 チューブの下端に回収された粉末に、レーザー粒度測定を実行し、大きさが5
μmより小さい細かいものを1%発見した。こうして処理された該サンプルno
5に、実施例1に記述された単純化された検査を行うため、粉末40gを採取し
た。12時間の処理の後、反応装置に残っていた生成物は回収され、計量された
。初めの生成物40gのうち、39.4gが残り、すなわち1.5%の損失とな
る。
【手続補正書】
【提出日】平成14年12月18日(2002.12.18)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF ,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW, ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ, MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM, AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B Z,CA,CH,CN,CO,CR,CU,CZ,DE ,DK,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD, GE,GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,I S,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK ,LR,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG, MK,MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,P T,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL ,TJ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,US, UZ,VN,YU,ZA,ZW Fターム(参考) 4G072 AA01 BB05 DD02 DD03 DD04 GG01 GG03 HH01 MM23 MM26 MM28 MM31 TT01 UU30 4H049 VN01 VP01 VQ12 VR22 VR32 VT01 VW02 VW11

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルキル−またはアリール−ハロゲンシランの製造を目的とし
    た、350μmより小さい粒度であり、大きさが5μmより小さい粒子の単位質
    量あたりの画分が3%未満であることによって特徴づけられるケイ素粉末または
    ケイ素重合体。
  2. 【請求項2】ケイ素粉末であり、大きさが5μmより小さい粒子の単位質量
    あたりの画分が2%未満であることによって特徴づけられる、請求項1に記載の
    ケイ素粉末。
  3. 【請求項3】350μmより小さい粒子への粉末の粉砕、水による洗浄、デ
    カンテーション、および乾燥を含む、請求項1または2に記載の粉末の製造方法
  4. 【請求項4】350μm未満に粉砕された粉末が、50μmで篩にかけられ
    て50−350μmの粒度の断面を獲得することを特徴とする、請求項3に記載
    の粉末の製造方法。
  5. 【請求項5】350μmより小さい粒子への粉末の粉砕、50−350μm
    の粒度の断面を獲得するための篩い分け、および層流状態の気体の流れにおける
    該粉末の分散を含む、請求項1または2に記載の粉末の製造方法。
  6. 【請求項6】気体が酸素を失った空気であることを特徴とする、請求項5に
    記載の方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104105543A (zh) * 2011-12-19 2014-10-15 蓝星有机硅法国公司 烷基卤代硅烷的直接合成方法
US11072528B2 (en) * 2019-04-22 2021-07-27 Fei Company Halogen generator

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3133109A (en) * 1960-11-28 1964-05-12 Gen Electric Silicon compound process and apparatus
JPS58145611A (ja) * 1982-02-23 1983-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコン粒子の粉砕、篩別方法
JPS61187933A (ja) * 1985-02-15 1986-08-21 ユニオン・カーバイド・コーポレーシヨン 直接反応用の錫含有活性化ケイ素
JPS62108727A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd 疎水性微粒シリカの製造方法
JPS63225516A (ja) * 1987-03-14 1988-09-20 Mitsui Toatsu Chem Inc 高純度粒状珪素の製造方法
JPH0557276B2 (ja) * 1980-10-03 1993-08-23 Gen Electric
JPH06191817A (ja) * 1992-12-22 1994-07-12 Tonen Chem Corp 粒状多結晶シリコンの製造方法
JPH1129319A (ja) * 1997-07-08 1999-02-02 Kunimine Ind Co Ltd 補強性充填剤
JPH11228580A (ja) * 1997-07-24 1999-08-24 Pechiney Electrometall アルキルまたはアリール・ハロシランの調製のための活性珪素粉末及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2466412A (en) * 1946-02-21 1949-04-05 Gen Electric Method of preparation of hydrocarbon-substituted halosilanes
KR940006017B1 (ko) * 1992-03-19 1994-07-02 재단법인 한국화학연구소 실리콘 입자의 제트분쇄방법
JP3679175B2 (ja) * 1995-11-15 2005-08-03 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン系微粒子の分級方法
JP3159029B2 (ja) * 1996-01-12 2001-04-23 信越化学工業株式会社 シラン類の製造方法
US5728858A (en) * 1996-10-10 1998-03-17 Osi Specialties, Inc. Activation of copper-silicon slurries for the direct synthesis of trialkoxysilanes
JPH10279584A (ja) * 1997-04-01 1998-10-20 Shin Etsu Chem Co Ltd アルキルハロシランの製造方法
US6057469A (en) 1997-07-24 2000-05-02 Pechiney Electrometallurgie Process for manufacturing active silicon powder for the preparation of alkyl- or aryl-halosilanes
US6019667A (en) * 1998-05-26 2000-02-01 Dow Corning Corporation Method for grinding silicon metalloid
US6258970B1 (en) * 1999-04-19 2001-07-10 General Electric Company Method for promoting dialkyldihalosilane formation during direct method alkylhalosilane production

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3133109A (en) * 1960-11-28 1964-05-12 Gen Electric Silicon compound process and apparatus
JPH0557276B2 (ja) * 1980-10-03 1993-08-23 Gen Electric
JPS58145611A (ja) * 1982-02-23 1983-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコン粒子の粉砕、篩別方法
JPS61187933A (ja) * 1985-02-15 1986-08-21 ユニオン・カーバイド・コーポレーシヨン 直接反応用の錫含有活性化ケイ素
JPS62108727A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd 疎水性微粒シリカの製造方法
JPS63225516A (ja) * 1987-03-14 1988-09-20 Mitsui Toatsu Chem Inc 高純度粒状珪素の製造方法
JPH06191817A (ja) * 1992-12-22 1994-07-12 Tonen Chem Corp 粒状多結晶シリコンの製造方法
JPH1129319A (ja) * 1997-07-08 1999-02-02 Kunimine Ind Co Ltd 補強性充填剤
JPH11228580A (ja) * 1997-07-24 1999-08-24 Pechiney Electrometall アルキルまたはアリール・ハロシランの調製のための活性珪素粉末及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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BR0111189B1 (pt) 2010-10-19
CN1237003C (zh) 2006-01-18
DE60118365D1 (de) 2006-05-18
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AU2001264040A1 (en) 2001-12-11
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BR0111189A (pt) 2003-06-10
US7108734B2 (en) 2006-09-19
CA2410639A1 (fr) 2001-12-06
US20030171606A1 (en) 2003-09-11
ATE321734T1 (de) 2006-04-15
WO2001092153A1 (fr) 2001-12-06
NO20025733L (no) 2003-01-30
CA2410639C (fr) 2011-01-25
JP4782968B2 (ja) 2011-09-28
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DE60118365T2 (de) 2006-11-02

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