JP2003530540A - 一体形マイクロ機械的リング振動子を有する時間基準部 - Google Patents
一体形マイクロ機械的リング振動子を有する時間基準部Info
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Abstract
Description
共に、この振動に応答して所定振動数を有する信号を発生する集積電子回路とを
含む装置に関する。
準部、すなわち振動数標準部が必要である。そのような時間基準部は一般的に、
水晶振動子と、振動子を駆動して振動させる電子回路とを含む発振器によって形
成されている。低振動数が得られるように、発振器が発生した信号の振動数を分
周するために、追加の分周チェーンを使用してもよい。回路の他の部分が、たと
えば、分周チェーンの分周比を調整することによって振動数を調整する働きをす
ることができる。電子回路の構成部材は、CMOS技術で単一の半導体基板上に
集積されている。振動数処理には直接的には関係ない他の機構を同じ基板上に集
積してもよい。
良好になり、電力消費量が低下すると共に、温度安定性が良好になる。しかし、
水晶振動子を使用した一般的な時間基準部の欠点として、高精度振動数とするた
めには、水晶振動子と集積電子回路の2部材が必要である。個別の水晶振動子は
ボード空間を必要とする。ボード空間は多くの場合に不足している。たとえば、
腕時計に使用される標準的な水晶振動子は、2×2×6mm3 程度の空間を必
要とする。さらに、2つの構成部材の組み立ておよび接続によって、追加コスト
が発生する。しかし、特に成長分野の携帯式電子装置では、空間および組み立て
コストが大きな問題である。
準部を提供することによって、上記問題の解決策を提供することである。
適し、CMOS技術に適合する時間基準部を提供することである。
く、電力消費量が低い振動子を有する時間基準部を提供することである。
さい表面積しか必要としないそのような時間基準部を提供することである。
応答して所定振動数を有する信号を発生する集積電子回路とを含む時間基準部で
あって、振動子は、基板に支持されて、第1振動モードによって基板にほぼ垂直
な回転軸線を中心にして振動することができる一体形マイクロ機械的リング振動
子であり、このリング振動子は、 基板から回転軸線に沿って延びる中央支柱と、 この中央支柱に連結された自立振動構造体とを含み、この自立振動構造体は、 回転軸線と同軸の外リングと、 中央支柱を中心にして対称配置されて外リングを中央支柱に連結する複数のば
ね素子とを含み、 さらに、 外リングの周囲に配置されて集積電子回路に接続された少なくとも一対の直径
方向に向き合った電極構造体を含むことを特徴とする時間基準部が提供されてい
る。
を示すことにある。2×105 もの高いQ値が測定された。それと比較して、
音叉水晶振動子は一般的に、音叉の枝のレーザトリミング後に5×104 〜1
×105 の値を示す。高いQ値を助長するさまざまな構造特徴が、従属請求項
の目的であり、以下に詳細に説明する。
な表面積が、他の振動子に較べて小さい。
緒に基板上に好都合に一体化されており、それによって低価格の時間基準部が得
られる。ウェハボンディング技術を使用して振動子をウェハレベルパッケージす
ることによっても、低価格化が得られる。
スコープなどの感知装置から周知であることを指摘する必要がある。たとえば、
パティ(Putty)他の米国特許第5,450,751号およびスパークス(Sparks)
の米国特許第5,547,093号は共に、シリコン基板の上方に支持されたメ
ッキ金属リングおよびばねシステムを有する振動ジャイロスコープ用のマイクロ
機械的リング振動子を開示している。ザラバディ(Zarabadi)他の米国特許第5,
872,313号は、温度変化に対して最低限度の敏感性を示すように構成され
た上記センサの変更例を開示している。米国特許第5,025,346号も、ジ
ャイロスコープまたは角速度センサ内のマイクロセンサとして使用するリング振
動子を開示している。
動子を振動数標準部または時間基準部として機能するように使用することを表示
または暗示していない。さらに、これらの特許に開示されているリング振動子の
多くの構造特徴(たとえば、ばね素子の形状および数)は、振動数安定性および
低電力消費量が必須である時計用途に適さないようなものである。たとえば、米
国特許第5,025,346号に開示されている共振構造体では、Q値が20〜
140であって、これは時計用途の高精度時間基準部に使用するには低すぎるの
に対して、時計に使用される水晶振動子は、1×104 ×105 程度のQ値を
示す。
、さらに組み立て処理のばらつきの許容誤差を与えるさまざまな構造特徴が提案
されている。実際に、発振器としての用途での主要目的の1つは、高いQ値であ
る。高いQ値であることによって、時計用途に必要な低位相雑音および低電力消
費量の安定した振動が得られる。
ほぼ補償するために、さまざまな機構が提案されている。
の影響を補償するために、さらに温度測定回路が基板上に一体に組み込まれてい
る。本発明のリング振動子は、ほぼ線形の温度特性を示すという利点を有するの
で、振動子の温度依存のそのような補償を容易に行うことができる。
的リング振動子を基板上に形成することができる。本発明の別の態様によれば、
同時に異なった共振振動数を有する2つの振動モードで作動する単一のマイクロ
機械的リング振動子を使用することによっても、温度補償を行うことができる。
よび実施形態の以下の詳細な説明を読めば明らかになるであろう。
で表された一体形時間基準部が示されており、これは、振動子4と、振動子を駆
動して振動させると共に、この振動に応答して所定振動数を有する信号を発生す
る集積電子回路3とを含む。図4は、図1に示されたA−A’線に沿ったリング
振動子4の断面図である。
るので、この回路は詳細には示されていない。好ましくは、図1に示されている
ように、集積電子回路3および振動子4の両方が、同一基板2上に実現されて一
体化されている。好適な基板材料はシリコンであるが、本発明の時間基準部を実
現するのに等しく適することが当該技術分野の専門家にわかっている他の同様な
材料も使用することができる。
にマイクロ機械的リング振動子と呼ぶものの形として実現されている。これは、
実質的に基板2に支持されて、基板2にほぼ垂直な回転軸線Oを中心にして振動
することができる。リング振動子4は実質的に、基板2から回転軸線Oに沿って
延びる中央支柱5と、全体的に参照番号6で表されて中央支柱5に連結された自
立振動構造体とを含む。
にして対称配置されて外リング60を中央支柱5に連結する複数のばね素子62
とを含む。ばね素子62は実質的に、湾曲ロッド形ばね素子として形成されてい
る。中央支柱5が、リング振動子4と基板2との間の唯一の機械的連結部を構成
しており、振動子の振動が基板2の表面にほぼ平行な平面上で起きることが理解
されるであろう。
60を取り囲む、直径方向で向き合っている対の電極構造体を含む。この第1実
施形態によれば、自立振動構造体6の外リング60上に櫛形部材8が設けられて
いる。これらの櫛形部材8は、リングの電極構造体の一部を形成しており、それ
ぞれが外リング60から半径方向に延びるベース部材80と、ベース部材80の
両側からほぼ垂直方向に延びる、それぞれ参照番号82および84で表された第
1および第2横部材とを含む。
60を取り囲む第1および第2櫛形電極構造体91および93を含む。さらに具
体的に言うと、本実施形態によれば、第1櫛形電極構造体91は、第1電極92
を含み、第1電極92が第1横部材82に隣接するようにして、櫛形部材8と噛
み合っている。同様に、(第1櫛形電極構造体91と向き合わせて配置された)
第2櫛形電極構造体93は、第2電極94を含み、第2電極94が第2横部材8
4に隣接するようにして、櫛形部材8と噛み合っている。図1に示されているよ
うに、横部材82、84と第1および第2電極構造体91、93の電極92、9
4とは好ましくは、外リング60と同心状の円弧の形を有するように構成されて
いる。
て振動させる働きをし、ベース部材80の他方側に配置された第2櫛形電極構造
体93は振動子の振動を容量的に感知する働きをする。振動子4を取り囲む第1
電極構造体91は、基板2上に形成された第1導体11によって互いに接続され
ており、同様に、第2電極構造体93は、基板2上に形成された第2導体12に
よって互いに接続されている。これらの導体11、12は、中央支柱5を介して
リングに電気接触した第3導体13と共に、電子回路3の適当な端子に接続され
ている。
厚さおよび他の寸法は一定の比率ではない。基板2と、リング振動子の回転軸線
Oに沿った中央支柱5と、外リング60およびばね素子62を含む自立振動構造
体6と、櫛形部材8の横部材82と、第1櫛形電極構造体91の電極92と、そ
れぞれ外リング60を取り囲む電極構造体91および93に接続された第1およ
び第2コネクタ11、12とが示されている。図4はさらに、基板2の表面の上
方かつリング振動子4の下方に形成された酸化ケイ素層などの第1絶縁層20を
示し、これの上に第1および第2導体11、12が形成されている。第1層20
の上方かつリング振動子の下方に、別の酸化物層または窒化ケイ素層などの第2
絶縁層21が形成されている。
リコン表面マイクロ機械加工技術によって製造され、したがってここでは詳細に
記載しない。1つのそのような技術は、振動子の自立構造体を形成するために、
いわゆる「犠牲層」の上部に付着させた多結晶シリコンを利用する。別の技術は
、たとえば、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェハなどに埋め込ま
れた酸化物層を犠牲層として使用して、単結晶シリコンからなる自立構造体を生
じる。しかし、本発明に従ったマイクロ機械的リング振動子を実現するために、
他の材料および処理技術を使用することもできる。
子の高いQ値である。高いQ値であることによって、時計用途に必要な低位相雑
音および低電力消費量の安定した振動が得られる。本発明に従ったマイクロ機械
的リング振動子のQ値は、後述する多くの構造特徴のために非常に高い。前述し
たように、これらの構造体では、2×105 もの高いQ値が測定された。それ
と比較して、音叉水晶振動子は一般的に、音叉の枝のレーザトリミング後に5×
104 〜1×105 の値を示す。
れるように最適化される。直線状のばね素子を使用した時に生じる状態と比較し
て、この場合の湾曲線に沿った張力は、ばね素子に沿って均一に分布する。湾曲
形状は1振動周期当たりのエネルギ損失が最小に保持されるような形状である。
ように、ほぼ垂直である。好ましくは、接合部63に丸形部分すなわちすみ肉6
3aが設けられている。これらのすみ肉63aは、振動中の切り欠き張力を防止
し、それによって、振動中に中央支柱5内でエネルギがほとんどまったく消散し
ないため、Q値の向上を助長する。さらに、中央支柱5はほぼ張力を受けないた
め、これも高いQ値を助長する。図3は、ばね素子62と外リング60との接合
部64を示す。この場合も、ほぼ垂直の接合部64およびすみ肉64aが好都合
な構造である。
よって、Q値が増加する。材料の不均一性と共に(たとえば、処理中の空間的変
動の結果としての)わずかな幾何学的ばらつきが、複数のばね素子全体で平均化
されることから、Q値はばね素子の数に伴って増加する。上限は、マイクロ構造
処理の設計基準による幾何学的制限によって定められる。したがって、ばね素子
の数は、4〜50で、好ましくは20程度である。
、構造体全体の重心が不動のままであることにある。それによって、ほとんどの
他の振動子構造に存在する非線形効果が大幅に除去される。
、広範囲で調整することができる。リング振動子は、外リングのセグメントに連
結された複数のばね素子として見なすことができる。ゼロ次概算では、共振振動
数のための厳密な代数式を得るために、図5に示されているように、直線状のば
ね素子22および外リング60のセグメント27の場合を研究することができる
。この構造の共振振動数frは:
は弾性係数であり、d、wおよびlはそれぞれ直線状ばね素子22の厚さ、幅お
よび長さであり、mr、msはそれぞれリングセグメント27およびばね素子22
の質量である。上記式から、ばね素子の幅および/または長さの変更によるか、
やはり幾何学的寸法を介した外リングの質量(櫛形部材8の質量を含む)の変更
によって、共振振動数に影響を与えることができることが容易にわかるであろう
。さらに、構造全体の拡大縮小も到達可能な振動数範囲を広くする。
誤差に保持することが重要である。リングおよびばねを注意深く一定寸法にする
ことによって、処理パラメータのわずかな変動による共振振動数の許容誤差を大
幅に低減することができる。これは、図5の例を使用しても示すことができる。
処理後に参照番号26で表されたばね素子22の幅が、過剰エッチングなどによ
って、所望幅25より小さい場合、共振振動数が計画振動数より低くなるであろ
う。しかし、同時に、同じ過剰エッチングによってリング60の質量が(ベース
部材80および横部材82、84の質量と共に)小さくなることを考慮した場合
、共振振動数の減少は質量の低下によって補償されるであろう。リングの開口お
よび構造体の処理に必要と思われるバー(図示せず)はこの効果を助長する。
振振動数に対して非常に小さい。たとえば、32kHzの比較的低振動数用に設
計された本発明によるリング振動子は、1mm2 未満の表面を必要とするだけ
である。従来形構造では、そのような低い振動数を得るために比較的大きい構造
体を必要とする。ある幾何学的レイアウトにおいて、寸法と振動数とは反比例の
関係にある、すなわち、幾何学的寸法が大きいほど、振動数が低くなる。それと
比較して、ヨーロッパ特許第0,795,953号は、1MHzの高振動数用に
約1.9mm2 の表面を必要とするシリコン振動子を記載している。振動子が
必要とする基板の表面積が一体形時間基準部の価格と正比例の関係にあることは
明白である。
関数である。45kHzの共振振動数では、共振振動数の温度係数が−25pp
m/°C程度であることが観察されている。したがって、時間基準部が発生する
信号の振動数を適切に調整することによって振動数変動を補償するために使用で
きる出力信号を有する温度測定回路を同じ基板2に組み込むことが望ましい。
ず)を含むことが好都合であろう。そのような温度測定回路の一例が、「センサ
およびアクチュエータ」A21〜A23(1990年)の636〜638頁のク
ルメナチャー(Krumenacher)およびH.オギュエイ(Oguey)による論文「CMOS
技術におけるスマート温度センサ」に記載されている。この場合、たとえば、当
該技術分野の専門家には周知の阻害技術を使用して分周チェーンの分周比に作用
することによって、温度補償が行われる。
一体化してもよく、そのような構造では、2つの振動子の振動数の差を測定する
ことによって、チップ温度を正確に決定することができる(両方のリング振動子
は、同一材料で形成されていることから同一温度係数を有する)。
グ振動子の温度依存性が線形であり、これによって、温度を補償するために必要
な電子信号処理が容易になる。第2のもっと重要利点として、リング振動子の小
型かつモノリシック一体化によって、チップ寸法をわずかに増加させるだけで第
2振動子を設けることができ、さらなる外部接続が必要ない。
で作動する単一のリング振動子を使用することが可能である。これらのモードの
第1モードは上記の回転モードである。第2振動モードは傾斜振動モードで、自
立構造体6が基板平面に対して傾斜振動を行うようにしてもよい。この傾斜振動
モードでは、基板上の、リング部分の下側の位置にさらなる電極を使用すること
によって、靜電的に励起して、容量的に感知することができる。異なった振動数
を有するように2つのモードを選択することによって、振動数の差を測定するこ
とによって温度補償を行うことができる。上記傾動モードの概略的な説明が、図
11aおよび図11bに示されている。これらの図面に示されているように、ほ
ぼ円弧の形状の2組の電極100および120(この場合は4個)が、基板上の
、リング60の下側の位置に配置されて、第1組の電極100が構造体6を駆動
して傾斜振動させ、第2組の電極120がこの傾斜振動を感知するようになって
いる。駆動電極組100および感知電極組120は、中央支柱5に対して構造体
6の対向側部に(それぞれ図11aの左側および右側に)配置されている。
直振動を行う、すなわち、自立構造体6が回転軸線Oに平行な方向に振動するよ
うにしてもよい。上記垂直モードの概略的な説明が、図12aおよび図12bに
示されている。これらの図面に示されているように、2組の電極130および1
50が、基板上の、リング60の下側の位置に配置されて、第1組の電極130
が構造体6を駆動して基板平面に垂直に振動させ、第2組の電極150がこの振
動を感知するようになっている。傾動モードと異なって、駆動および感知電極組
130、150は、中央支柱5を中心にして対称配置されている、すなわち、各
電極組が直径方向に向き合った電極を有する。
動子を靜電的に駆動して振動させる働きをし、反対側の櫛形電極構造体93は、
この機械的振動を容量的に感知する働きをする。振動子の作動時に、交流電圧信
号を電極構造体91に印加すると、靜電力がリングに作用してそれを振動させ、
それによって、他方組の電極構造体93に交流信号が誘発される。電極構造体9
1および93が相互交換可能であることは理解されるであろう。
関係が存在するので、ほぼ線形の力−電圧関係を得るために一定の直流電圧を交
流電圧に加えることが望ましい。図1の概略図には、それぞれ電極構造体91、
電極構造体93および中央支柱5に接続された3本の信号線すなわち導体11〜
13が示されている。これらの線は、リング振動子を駆動して振動させ、この振
動をそれぞれの電極構造体によって感知する働きをする。
めに導体13を使用する一方、導体11によって交流電圧成分を電極構造体91
に印加し、それによって生じた信号を感知するために導体12を使用することが
できる。第2例では、交流駆動電圧および直流電圧成分を合わせて導体11によ
って電極構造体91に加える一方、リング振動子を導体13によって固定電位、
たとえばアースに結合することができる。この場合、導体12は信号を感知する
ために使用される。電極構造体91および93が相互交換可能であり、変更形と
して電極構造体93を駆動用に使用し、電極構造体91を感知用に使用してもよ
いことは理解されるであろう。
てもよい。図6に示されているように、そのような方法は、2本の導体11およ
び13と、導体11に接続された単一組の櫛形電極構造体91を含む電極構造体
9*とを必要とするだけである(それに合わせて櫛形部材8*も変更されて、第
1横部材82を有するだけである)。第1例によれば、導体11によって交流駆
動電圧が単一組の電極構造体91に印加され、導体13によって直流電圧成分が
リングに印加される。別の例によれば、交流および直流の合計駆動電圧を導体1
1によって電極構造体91に印加することができ、この場合、リングは導体13
によってアースなどの固定電位に結合される。
取り囲む第2電極構造体組が不必要になるため、構造体全体の直径が減少し、(
ii)外リング60の外周に沿った櫛形電極構造体91の数を増加させることが
可能になり、それによって信号が向上する。
においても、駆動電極およびリングに印加される信号、すなわち、交流駆動電圧
および直列電圧成分が完全に相互交換可能であることは理解されるであろう。
であることによって、電気機械的結合における非線形性が減少し、その結果、高
いQ値が得られる一方、リング振動子の共振振動数が、交流および直流駆動電圧
の振幅からほぼ独立する。さらに、本発明によるマイクロ機械的リング振動子は
、低い1.5Vの電圧で駆動することができ、このことは携帯式電子器具には大
きな利点である。
高いQ値のため、リング振動子の電力消費量が水晶の場合の10〜100分の1
であり、このことは携帯式電子器具には特に重要である。
3種類の好適な構造特徴を示す。図7aに示された第1例によれば、基板2上に
配置されたストッパ構造体28が、ベース部材80の外端部80aに設けられて
いる。これらのストッパ構造体28は、たとえば、機械的衝撃によって過剰角移
動が発生した時、リング構造体6の角移動を制限し、それによって自立振動構造
体60が電極構造体9上に固着することを防止するように構成されている。
4aおよび/または電極92、94の先端92a、94aを、固着を防止するよ
うに尖った形状か、少なくとも適当に小さい表面積を有するように構成してもよ
い。
2*、84*を他のものより長く形成し、それによって、櫛形部材8および櫛形
電極構造体91、93が互いに機械的に接触した時の付着力を減少させることが
できる。電極92、94の1つを他のものより長くした時も、同じ効果を得るこ
とができることは明白である。
4の改良を示す。図9は、図8のA−A’線に沿った断面図である。導体パター
ン31が、自立振動構造体6の少なくとも一部、すなわち、ばね素子62、外リ
ング60および櫛形部材8の下側で基板2の表面上(または下方)に設けられて
おり、この導体パターン31の形状は実質的に、自立振動構造体6を基板2の表
面上に投影した形状である。この導体パターン31を自立振動構造体6と同一の
電位に接続することによって、リング振動子4および基板2の表面間の基板2に
垂直な力が抑制され、直流電圧成分から独立した共振振動数が得られる。
なる改良を示し、これは、共振振動数の温度係数をゼロに近い値まで減少させる
ことができる。2つの主要素がリング振動子の温度特性を決定する。第1に、振
動構造体を実現するために使用された材料のヤング係数Eが温度上昇に伴って低
下し、その結果、ばね素子62の剛度が低下し、従って共振振動数が減少する。
第2に、熱膨張によって、リングの直径が温度の上昇に伴って増加する結果、構
造体の質量慣性モーメントが増加し、それによっても共振振動数が減少する。
めに、異なった材料の異なった熱膨張率を利用することができる。図10aおよ
び図10bに示されているように、複数の温度補償部材65(1つだけが図示さ
れている)が外リング60に取り付けられている。これらの温度補償部材65は
、自立振動構造体6の質量慣性モーメントを温度の関数として変更して、振動子
4の共振振動数に対する温度の影響をほぼ補償できるように構成されている。こ
のために、部材65は、それぞれ異なった温度係数を有する第1および第2材料
で形成された第1および第2層68、69を有する連結部材67によって外リン
グ60に連結されたおもり部材66を含む。材料は、第1層68の熱膨張率αth
1が第2層69の熱膨張率αth2より小さくなるように選択される。好適な実施形
態では、第1材料がシリコンであり、第2材料が金属、好ましくはアルミニウム
である。
68、69の熱膨張が異なることによって連結部材67がまっすくになるような
構造である。その結果、おもり部材66がリングの中心に向かって移動する、す
なわち、振動構造体6の回転軸線Oに接近し、それによってリング振動子の質量
慣性モーメントが減少する結果、共振振動数が増加して、共振振動数に対するリ
ングのヤング係数および熱膨張の影響をほぼ相殺する。そのような温度補償機構
は、図10bに示されているように、リング60の外側や、自立振動機構6の他
の部分に取り付けて、その質量慣性モーメントが温度の関数として変化するよう
にすることができる。部材65のレイアウトおよび構成は、温度の上昇時におも
り部材66がリング振動子の回転軸線Oに向かって移動するように実現しなけれ
ばならない。
は本発明を制限するものではないことを理解されたい。実際に、添付の請求項の
範囲から逸脱することなく、さまざまな変更および/または応用が当該技術分野
の専門家には明らかになるであろう。
部の第1実施形態を概略的に示す上面図である。
示す詳細図である。
造の詳細上面図である。
造の詳細上面図である。
造の詳細上面図である。
振動子の質量慣性モーメントを温度の関数として変更する機構の2例を示す2つ
の上面図である。
振動子の質量慣性モーメントを温度の関数として変更する機構の2例を示す2つ
の上面図である。
面図である。
面図である。
れぞれ上面図および断面図である。
れぞれ上面図および断面図である。
Claims (23)
- 【請求項1】 振動子(4)と、該振動子(4)を駆動して振動させると共
に、該振動に応答して所定振動数を有する信号を発生する集積電子回路(3)と
を含む時間基準部であって、前記振動子は、基板(2)に支持されて、第1振動
モードによって前記基板(2)にほぼ垂直な回転軸線(O)を中心にして振動す
ることができる一体形マイクロ機械的リング振動子(4)であり、該リング振動
子(4)は、 前記基板(2)から前記回転軸線(O)に沿って延びる中央支柱(5)と、 該中央支柱(5)に連結された自立振動構造体(6)とを含み、該自立振動構
造体(6)は、 前記回転軸線(O)と同軸の外リング(60)と、 前記中央支柱を中心にして対称配置されて、前記外リング(60)を前記中央
支柱(5)に連結する複数のばね素子(62)とを含み、 さらに、 前記外リング(60)の周囲に配置されて、前記集積電子回路(3)に接続さ
れた少なくとも一対の直径方向に向き合った電極構造体(9;9*)を含むこと
を特徴とする時間基準部。 - 【請求項2】 前記電子回路(3)は、前記マイクロ機械的リング振動子(
4)と一緒に前記基板(2)上に一体化されていることを特徴とする請求項1記
載の時間基準部。 - 【請求項3】 前記ばね素子(62)は、湾曲形状を有し、第1接合部(6
3)によって前記中央支柱(5)にほぼ垂直に連結されていることを特徴とする
請求項1記載の時間基準部。 - 【請求項4】 前記ばね素子(62)は、第2接合部(64)によって前記
外リング(60)にほぼ垂直に連結されていることを特徴とする請求項3記載の
時間基準部。 - 【請求項5】 前記接合部(63、64)に丸みすみ肉(63a、64a)
が設けられていることを特徴とする請求項3または4記載の時間基準部。 - 【請求項6】 ばね素子(62)の数は、4〜50で、好ましくは20程度
であることを特徴とする請求項1記載の時間基準部。 - 【請求項7】 前記自立振動構造体(6)はさらに、前記外リング(60)
の周囲に配置された少なくとも一対の直径方向に向き合った櫛形部材(8)を含
み、該櫛形部材(8)は、 前記外リング(60)から半径方向に延びるベース部材(80)と、 該ベース部材(80)の第1側部からほぼ垂直に延びる少なくとも1つの第
1横部材(82)と、 前記ベース部材(80)の第1側部と反対の第2側部からほぼ垂直に延びる
少なくとも1つの第2横部材(84)とを有しており、 また、前記電極構造体(9)の各々は、 前記第1横部材(82)に隣接した第1電極(92)を有して、前記櫛形部
材(8)と噛み合った第1櫛形電極構造体(91)と、 前記第2横部材(84)に隣接した第2電極(94)を有して、前記櫛形部
材(8)と噛み合った第2櫛形電極構造体(93)とを有することを特徴とする
請求項1記載の時間基準部。 - 【請求項8】 前記第1櫛形電極構造体(91)は、前記リング振動子(4
)を駆動して振動させるために使用され、 前記自立振動構造体(6)は、前記中央支柱(5)を介して固定電位に結合さ
れており、 前記第2櫛形電極構造体(93)は、前記リング振動子(4)の振動によって
発生する信号を感知するために使用され、 前記第1櫛形電極構造体(91)または自立振動構造体(6)の一方または両
方に一定の直流電圧成分が追加されることを特徴とする請求項7記載の時間基準
部。 - 【請求項9】 前記自立振動構造体(6)はさらに、前記外リング(60)
の周囲に配置された少なくとも一対の直径方向に向き合った櫛形部材(8*)を
含み、該櫛形部材(8*)は、 前記外リング(60)から半径方向に延びるベース部材(80)と、 該ベース部材(80)の第1側部からほぼ垂直に延びる少なくとも1つの第
1横部材(82)とを有しており、 また、前記電極構造体(9*)の各々は、 −前記第1横部材(82)に隣接した第1電極(92)を有して、前記櫛形
部材(8)と噛み合った櫛形電極構造体(91)を有することを特徴とする請求
項1記載の時間基準部。 - 【請求項10】 前記第1櫛形電極構造体(91)は、前記リング振動子(
4)を駆動して振動させるために使用され、 前記自立振動構造体(6)は、前記中央支柱(5)を介して固定電位に結合さ
れており、 前記櫛形電極構造体(91)または自立振動構造体(6)の一方または両方に
一定の直流電圧成分が追加され、 共振のインピーダンスの変化を検出することによって感知が行われることを特
徴とする請求項9記載の時間基準部。 - 【請求項11】 前記横部材(82、84)および前記電極(92、94)
は、前記外リング(60)と同心状の円弧の形状を有することを特徴とする請求
項7または9記載の時間基準部。 - 【請求項12】 衝撃の際に角および/または傾斜移動を制限して前記自立
振動構造体(6)の固着を防止するために、前記基板(2)上で少なくとも1つ
のベース部材(80)の外端部(80a)に隣接した位置に少なくとも1つのス
トッパ構造体(28)が設けられていることを特徴とする請求項7または9記載
の時間基準部。 - 【請求項13】 衝撃の際の前記自立振動構造体(6)の固着を防止するた
めに、前記横部材(82、84)の先端(82a、84a)および/または前記
電極(92、93)の先端(92a、94a)が尖っているか、適当に小さい表
面積を有することを特徴とする請求項7または9記載の時間基準部。 - 【請求項14】 衝撃の際の前記自立振動構造体(6)の固着を防止するた
めに、少なくとも前記横部材(82、84)の1つおよび/または前記電極(9
2、94)の1つが、その他のものより長いことを特徴とする請求項7または9
記載の時間基準部。 - 【請求項15】 ほぼ前記自立振動構造体(6)の形状を有する導体パター
ン(31)が、前記基板(2)の表面上の、前記自立振動構造体(6)の少なく
とも一部の下側の位置に設けられており、前記自立振動構造体(6)および前記
導体パターンは同一電位に置かれていることを特徴とする請求項1記載の時間基
準部。 - 【請求項16】 前記自立振動構造体(6)はさらに、前記外リング(60
)の周囲に配置された少なくとも第一対の直径方向に向き合った温度補償部材(
65)を含み、該温度補償部材(65)は、リング振動子(4)の共振振動数に
対する温度の影響を補償するために、前記自立振動構造体(6)の質量慣性モー
メントを温度の関数として変更することができることを特徴とする請求項1記載
の時間基準部。 - 【請求項17】 前記温度補償部材(65)の各々は、それぞれ異なった温
度係数を有する第1および第2材料で形成された第1および第2層(68、69
)を有する連結部材(67)によって前記外リング(60)に連結されたおもり
部材(66)を含み、温度が上昇した時、前記連結部材(67)は前記おもり部
材(66)を前記回転軸線(O)に徐々に接近させて、それによって前記自立振
動構造体(6)の質量慣性モーメントを減少させることができることを特徴とす
る請求項16記載の時間基準部。 - 【請求項18】 さらに、発生する信号の振動数に対する温度の影響を補償
できるようにする、一体に組み込まれた温度測定回路を含むことを特徴とする請
求項1記載の時間基準部。 - 【請求項19】 さらに、前記基板(2)の上方に支持されて、他の振動子
の共振振動数と異なった共振振動数で振動することができる第2マイクロ機械的
リング振動子を含み、発生する信号の振動数に対する温度の影響を補償するため
に、両共振振動数の振動数差を利用することを特徴とする請求項1記載の時間基
準部。 - 【請求項20】 電極(100、120;130、150)を前記自立振動
構造体(6)の下側に配置して、前記第1振動モードの共振振動数と異なった共
振振動数を有する第2振動モードの駆動および感知を行うことができるようにし
、発生する信号の振動数に対する温度の影響を補償するために、両共振振動数の
振動数差を利用することを特徴とする請求項1記載の時間基準部。 - 【請求項21】 前記第2振動モードは、傾斜振動モードであることを特徴
とする請求項20記載の時間基準部。 - 【請求項22】 前記第2振動モードは、前記回転軸線(O)に平行な垂直
振動モードであることを特徴とする請求項20記載の時間基準部。 - 【請求項23】 前記基板(2)および前記リング振動子(4)は、シリコ
ン材料製であることを特徴とする請求項1記載の時間基準部。
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