JP2003530482A5

JP2003530482A5 -

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Publication number: JP2003530482A5
Application number: JP2001574886A
Authority: JP
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2007-11-22

Description

【書類名】明細書
【発明の名称】チタン腐食の抑制
【特許請求の範囲】
【請求項１】チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するための組成物であって、前記組成物はヒドロキシルアミン又はその誘導体と、下記一般式（Ｉ）を有する少なくとも１つの化合物と、を含んで構成され、
【化１】

Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ_２Ｈ、ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル、Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１、２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される組成物。
【請求項２】請求項１に記載の組成物において、Ｒ^２はＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルキル、あるいはＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルコキシから選択される組成物。
【請求項３】請求項１又は２に記載の組成物において、式（Ｉ）の化合物は、３，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の組成物において、前記ヒドロキシルアミンは水溶液中に提供される組成物。
【請求項５】請求項４に記載の組成物において、前記ヒドロキシルアミンは重量比（ヒドロキシルアミン：水）が約１：１である水溶液中に供給される組成物。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれかに記載の組成物において、さらにヒドロキシルアミン又はその誘導体と混和性を有する溶媒を含んで構成される組成物。
【請求項７】請求項６に記載の組成物において、前記溶媒は、アルカノールアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン、エチレンジアミン及びエチレントリアミンのうち１又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項８】請求項７に記載の組成物において、少なくとも５ｗｔ％のヒドロキシルアミン、少なくとも１０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミン、及び前記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の合計で０．５〜３０ｗｔ％の化合物を含んで構成され、残りは１又はそれ以上の前記溶媒から構成される組成物。
【請求項９】請求項７又は８に記載の組成物において、１０〜７０ｗｔ％のヒドロキシルアミン、３０〜６０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミン、及び上記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の全部で５〜１５ｗｔ％の化合物を含んで構成され、残りは１又はそれ以上の前記溶媒から構成される組成物。
【請求項１０】請求項８又は９に記載の組成物において、前記残りは水及び／又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方から選択される溶媒からなる組成物。
【請求項１１】請求項７乃至１０のいずれかに記載の組成物において、前記アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第４ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、イソブタノールアミン、２−アミノ−２−エトキシエタノール（ジグリコールアミン）、２−アミノ−２−エトキシ−プロパノール及び１−ヒドロキシ−２−アミノベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項１２】チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去する方法であって、前記基板を、請求項１乃至１１のいずれかに記載の組成物に対し、前記基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を実質的に除去するのに十分な温度及び時間にて接触させること含む方法。
【請求項１３】請求項１２に記載の方法において、前記温度は２０〜１５０℃の範囲である方法。
【請求項１４】請求項１２又は１３に記載の方法において、前記時間は２〜６０分の範囲である方法。
【請求項１５】請求項１２乃至１４のいずれかに記載の方法において、前記基板はその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成される方法。
【請求項１６】請求項１２乃至１５のいずれかに記載の方法において、前記基板からのレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物の実質的な除去に続く、リンス組成物によって前記基板をリンスする工程を含む方法。
【請求項１７】請求項１６に記載の方法において、前記リンス組成物は、２〜５の範囲のｐＨを有する極性溶媒又は水溶液を含んで構成される方法。
【請求項１８】請求項１６又は１７に記載の方法において、前記リンス組成物は、イソプロピルアルコール、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、希釈クエン酸及び／又は希釈酢酸を含んで構成される方法。
【請求項１９】請求項１６に記載の方法において、前記リンス組成物は、一官能性、二官能性又は三官能性有機酸と、緩衝量の第４アミン、アンモニウムヒドロキシド、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩基を含んで構成される方法。
【請求項２０】請求項１６乃至１９のいずれかに記載の方法において、前記リンスする工程には、水によるリンス及びその後の乾燥工程が続く方法。
【請求項２１】チタン又はその合金を含んで構成される基板の腐食を抑制する方法であって、前記基板を下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の化合物と接触させることを含み、
【化２】

Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ_２Ｈ、ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル、Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１，２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される方法。
【請求項２２】請求項２１に記載の方法において、前記化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体を含んで構成される組成物中に供給される方法。
【請求項２３】請求項２１又は２２に記載の方法において、前記化合物は、溶媒を含んで構成される組成物中に提供される方法。
【請求項２４】請求項２１乃至２３のいずれかに記載の方法において、前記化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体と、前記ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくとも１つのアルカノールアミンと、を含んで構成される組成物中に提供される方法。
【請求項２５】下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の化合物を、組成物において、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するために用いる方法であって、
【化３】

Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ_２Ｈ、ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル、Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１、２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される方法。
【請求項２６】下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の化合物を、組成物における、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するための腐食抑制剤として用いる方法であって、
【化４】

Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ_２Ｈ、ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル、Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１、２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、チタン腐食の抑制に関し、特に、チタン腐食の抑制に用いられる化合物、組成物及び方法に関する。
【０００２】
チタンは、半導体構造における金属配線層への応用が見つかっている。純粋な要素とその合金の両方は、ある原子の電子転移を防ぐための障壁層、及び／又は他の金属上の反反射層として用いられる。半導体製造において相互接続の寸法が減少して、半導体材料における金属配線層として、アルミニウムはチタンに置き換わっており、腐食と電解質スイッチングが相互接続の劣化の主な要因となっている。
【０００３】
チタンは薄い表面酸化層を形成し、腐食抑制はこの表面層の維持に関連している。チタンは低及び高ｐＨにおいて容易に溶解（腐食）する両性金属である。中性ｐＨにおいて起こる少量の腐食は、陰極サイトにおけるｐＨの低下及び陽極サイトにおけるｐＨの増加をもたらす。このｐＨ差の発達を改善する緩衝化学材料が腐食を抑制することができる。表面酸化層と合成することができる有機分子はクラックの形成を抑制し、金属を安定化させることもできる。
【０００４】
チタン腐食の抑制に対する要求は非常に重要である。０．２５μｍ技術において見いだされる４０ｎｍ構造は、わずか１００チタン原子程の深さであり、２、３の原子が欠落することは、回路性能及び耐久性に重大な影響を持っている。
【０００５】
集積回路製造はさらに複雑化してきており、シリコン又は他の半導体ウェーハに形成される回路要素の寸法は小さくなってきており、形成されたフォトレジスト、他の高分子材料及び残留物を、その様な材料から除去するのに用いられる技術の更なる改良が求められている。フォトレジストとポリイミドの様な高分子材料は、基板にパターンを形成する製造プロセスの間、しばしばイオン注入、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング又はイオンミリングに晒される。また半導体製造プロセスの間、プラズマ酸化は、フォトレジスト及び他の高分子材料を除去するのに、それらを用いた後にしばしば用いられる。このような高エネルギープロセスは、フォトレジストを硬化させることになり、形成される構造の側壁に有機金属化合物および他の残留物を形成することになる。ウェーハを処理する間、ヒドロキシルアミンを含んで構成される反応性ストリッパー溶液は、金属配線後の段階において、プラズマエッチトリートメントの後に残されたレジスト残留物及び堆積物を除去するのに用いられる。これらのプロセスにおいて好適な反応性ストリッパー溶液の例は、出願人の米国特許第５，２７９，７７１号及び第５，３３４，３３２号に開示されている。しかしながら、ヒドロキシルアミンはまた、化学攻撃を開始し、それによりチタン層の腐食が始まる。
【０００６】
カテコールは、以前よりヒドロキシルアミンを安定化させるため、ある反応性ストリッパーに添加されており、カテコールを添加するとチタン腐食の抑制に有益な作用があることが分かっていた。カテコール作用の態様は知られていなかったが、カテコールは、固体と結合することにより、接触面におけるｐＨに影響を与えることにより、あるいはその両方により、表面反応性を減少させると考えられる。
【０００７】
カテコールはある程度チタン腐食を抑制するけれども、改善された抑制材を提供することは有利である。さらに、カテコールの毒性は他の抑制剤の同定を望ましいものとしている。したがって、第一の実施形態においては、本発明は基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するための組成物を提供し、該組成物はヒドロキシルアミン又はその誘導体と、以下に示される一般式（Ｉ）を有する少なくとも１つの化合物と、を含んで構成される。
【化５】

【０００８】
ここで、Ｒ^１及びＲ^３はいずれも独立してＨ，ＯＨ，ＣＯ_２Ｈ，ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル，Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１，２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される。
【０００９】
望ましくは、Ｒ^２はＣ_９，Ｃ_１０，Ｃ_１１又はＣ_１２アルキルから選択され、あるいはＣ_９，Ｃ_１０，Ｃ_１１又はＣ_１２アルコキシから選択される。
【００１０】
本発明による組成物は、半導体集積回路の製造においてレジスト材料を除去するためのストリップ組成物として特に有用である。本発明の組成物により除去されてよいレジスト材料はポジティブフォトレジストを含み、該ポジティブフォトレジストは、例えばｏ−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、又はノボラック型結合材又は樹脂を伴うアミド増感剤を含んで構成される。組成物は、例えば、ポリイミド、フラズマエッチングプロセスの間に基板上に形成される有機金属重合体、側壁の高分子材料及び金属酸化残留物を含んで構成される硬化及び非硬化重合体残留物を除去するのに用いられてもよい。
【００１１】
本発明による化合物は、半導体集積回路の製造においてエッチング残留物を除去するためのクリーニング組成物として用いられてもよい。
【００１２】
適切な基板の例には、チタン、及びチタン／タングステン、チタン／アルミニウム、チタン／銅、チタン／タングステン／アルミニウム、チタン／銅／アルミニウム、チタン／タングステン／銅、及びチタン／タングステン／銅／アルミニウムのようなチタン合金を含んで構成される金属基板が含まれる。基板はまた、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成されてもよい。適当な基板の例は半導体工業においてよく知られており、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ガリウム砒素及びポリカーボネートのようなプラスチックを含み、その表面にチタン又はその合金を含んで構成される部分を少なくとも有する。
【００１３】
本発明による組成物においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、好ましくは３，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−ドデシルニル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される。
【００１４】
組成物は有利には、さらに溶媒（ソルベント）、例えば極性溶媒を含んで構成され、好ましくはヒドロキシルアミンと混和性がある。適切な例としては、アルカノールアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル（例えばジエチレングリコールブチルエーテル）、トリエチレングリコールアルキルエーテル（例えばトリエチレングリコールブチルエーテル）、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル（例えばジプロピレングリコールエチルエーテル）、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン（例えばＮ−メチル−２−ピロリドン）、エチレンジアミン、エチレントリアミン、ジエチレントリアミン、ジメチルホルムアミド及びジメチルアセトアミドのうち１又はそれ以上から選択された溶媒が含まれる。最も好ましい溶媒はアルカノールアミンである。溶媒を加えると、特に基板からレジスト材料を除去するためのストリップ組成物として用いられるとき、組成物の効果を強化する。
【００１５】
好ましい実施形態においては、組成物は少なくとも５ｗｔ％のヒドロキシルアミン、少なくとも１０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般式（Ｉ）を有する０．５〜３０ｗｔ％（好ましくは２〜３０ｗｔ％）の１又はそれ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記溶媒のうち１又はそれ以上からなる（最も好ましいのは水及び／又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方である）。さらに好ましくは、組成物は１０〜７０ｗｔ％のヒドロキシルアミン、３０〜６０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般式（Ｉ）を有する５〜１５ｗｔ％の１又はそれ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記溶媒のうちいずれから構成される（最も好ましいのは水及び／又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方である）。本発明において用いるのに適切なヒドロキシルアミンはＮＨ_２ＯＨ構造を有する。それは日信化学工業株式会社から市販水溶液（約５０ｗｔ％）の形態で便利に提供されている。ヒドロキシルアミンの誘導体、例えばその塩もまた用いられてよい。
【００１６】
本発明において用いるのに適したアルカノールアミンは、好ましくはヒドロキシルアミンと混和性があり、好ましくは水溶性である。加えて、本発明において有用なアルカノールアミンは、好ましくは比較的高い、好ましくは７５℃又はそれ以上の沸点を有する。適切なアルカノールアミンは第１，第２又は第３アミンであり、好ましくはモノアミン、ジアミン又はトリアミンであり、最も好ましくはモノアミンである。アルカノールアミンのアルコール群は、好ましくは１〜６個の炭素原子を有し、直鎖状、側鎖状又は環状アルコールを基礎とする。
【００１７】
本発明による組成物において用いるのに好適なアルカノールアミンは下記化学式によって表される。
Ｒ_１Ｒ_２−Ｎ−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−Ｒ_３
【００１８】
ここで、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立してＨ、ＣＨ_３、ＣＨ_３ＣＨ_２、又はＣＨ_３ＣＨ_２ＯＨであり、Ｒ_３はＣＨ_３ＣＨ_２ＯＨである。
【００１９】
適当なアルカノールアミンの例は、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第３ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、イソブタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール（ジグリコールアミン）、２−（２−アミノエトキシ）プロパノール及び１−ヒドロキシ−２−アミノベンゼンを含む。
【００２０】
ストリップ溶液として用いるのに特に好ましい組成物は、約３７ｗｔ％のヒドロキシルアミン溶液（重量比５０：５０ヒドロキシルアミン：水）、約６３ｗｔ％のジグリコールアミン、及び上記一般式（Ｉ）を有するとともに約０．２Ｍの濃度となるよう添加された１又はそれ以上の化合物からなる溶媒から構成される。
【００２１】
本発明はまた、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去する方法を提供し、該方法は基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するのに十分なだけの温度及び時間で上記組成物を基板に接触させることを含む。
【００２２】
温度は好ましくは２０〜１５０℃の範囲であり、さらに好ましくは６０〜７０℃であり、一方、接触時間は好ましくは２〜６０分の範囲であり、さらに好ましくは２〜２０分であり、さらに好ましくは２〜５分である。プロセスは、一般的には大気圧において実行されるであろう。適当な基板は上記されており、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含む。
【００２３】
プロセスはさらに、基板からのレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物の実質的な除去に続く、適切なリンス組成物を用いて基板をリンスするステップを含んでよい。好ましくは、リンス組成物は２〜５の範囲のｐＨを有する極性溶媒又は水溶液を含んで構成される。適切なリンス組成物の例には、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、希釈クエン酸及び／又は希釈酢酸が含まれる。あるいは、基板は、出願人の国際出願（ＷＯ９８／３６０４５）に記述されたリンス組成物を用いてリンスされてもよい。これらの組成物は一官能性、二官能性又は三官能性有機酸、及び緩衝量の第四アミン、水酸化アンモニウム、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩基を含んで構成される。リンス工程の後には水リンスが続いてよく、好ましくは脱イオン（deionised）水リンスが続き、最終的には蒸気ＩＰＡ乾燥のような乾燥工程が続く。
【００２４】
他の態様においては、本発明はチタン又はその合金を含んで構成される基板の腐食を抑制する方法を提供し、該方法は下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の化合物に基板を接触させることを含む。
【化６】

【００２５】
ここで、Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ_２Ｈ、ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル、Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１、２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル、又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される。
【００２６】
好ましくは、Ｒ^２はＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルキル、あるいはＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルコキシから選択される。
【００２７】
一般式（Ｉ）を有する化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体を含んで構成される組成物中に提供されてもよく、あるいは上記溶媒を含んで構成される組成物中に提供されてもよい。
【００２８】
本発明による方法においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、好ましくは３，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択されてよい。
【００２９】
好ましくは、本発明による方法において、ヒドロキシルアミン又はその誘導体と、好ましくは上記の少なくとも１つのアルカノールアミンと、を含んで構成される組成物の構成成分として、一般式（Ｉ）を有する化合物が用いられる。このようなストリップ組成物及びクリーニング組成物の例は上記されている。適切な基板もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はその合金を有する半導体ウェーハを含む。
【００３０】
本発明はさらに、下記一般式（Ｉ）を有する化合物をストリップ組成物又はクリーニング組成物において用い、基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去することを提供し、前記基板はチタン又はその合金を含んで構成される。
【化７】

【００３１】
ここにおいて、Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ_２Ｈ、ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル、Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１、２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される。
【００３２】
好ましくは、Ｒ^２はＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルキル、あるいはＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルコキシから選択される。
【００３３】
この態様においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、最も好ましくは、３，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンから選択される。
【００３４】
本発明はまた、下記一般式（Ｉ）を有する化合物をストリップ組成物又はクリーニング組成物における腐食抑制剤として用い、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去することを提供する。
【化８】

【００３５】
ここにおいて、Ｒ^１及びＲ^３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ_２Ｈ、ハロゲン、Ｃ_１−Ｃ_３アルキル、Ｃ_１−Ｃ_３アルコキシ又は（ＣＨ_２）_ｎＯＨから選択され、ｎは１、２又は３であり、Ｒ^２はＣ_９−Ｃ_１６アルキル又はＣ_９−Ｃ_１６アルコキシから選択される。
【００３６】
好ましくは、Ｒ^２はＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルキル、あるいはＣ_９、Ｃ_１０、Ｃ_１１又はＣ_１２アルコキシから選択される。
【００３７】
この態様においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、好ましくは、３，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される。
【００３８】
ストリップ組成物及びクリーニング組成物の例は上記されている。適切な基板もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含む。
【００３９】
本発明はここで、下記実験を参照して記述される。
【００４０】
実施例
材料：
チタンで被覆されたウェーハは国際ウェーハサービスから入手された。３，４，５−トリヒドロキシ−ｎ−アルキル−ベンゼン化合物は、下記の一般反応図により組成された。
【化９】

【００４１】
浄化：
試験された全ての腐食抑制剤は、原子吸収スペクトルを用いたカルシウムの追跡により解析された。カルシウム信号は標準的なメタノール溶液のそれと比較された。看過できないほどのカルシウムを含んだ抑制剤は、カルシウムのレベルが２ｐｐｍ以下となるまでイオン交換カラム（Ｄｏｗｅｘ５０ＷＸ８）を通過させることによって浄化された。
【００４２】
チタン膜の厚さの計測：
金属層の厚さはその伝導度に直接関係している。それ故、膜の抵抗値は４点プローブ（Ｋｅｉｔｈｅｒ２０１０）を用いて決定され、伝導度は厚さの計測として取得された。
【００４３】
腐食研究：
試験において用いられた腐食性溶液は、３５ｗｔ％の水性ヒドロキシルアミン溶液（５０：５０ヒドロキシルアミン：水）及び６０ｗｔ％ジグリコールアミンを含んでいた。腐食抑制剤として試験された化合物は５％ｗ／ｗの量だけ添加された。
【００４４】
２００ｎｍのチタンにより被覆されたシリコンウェーハ片は腐食性溶液中につるされ、定期的に膜の抵抗値を計測するために取り出された。抑制剤がない場合、膜の伝導度は図１（点線）に示されるように、時間に対してリニアに減少した。図１はまた、比較のため５％ｗ／ｗのカテコールを腐食性溶剤に含ませたとき（実線）の伝導度の変化を示している。カテコールは腐食の始まりを遅らせることが分かる。完全に膜を除去するのに要する時間はプロットとＸ軸との交点によって示される。抑制剤が存在する場合と抑制剤が存在しない場合とで、膜を除去するのに要する時間差は、抑制時間（△ｔ）として参照される。カテコールに対しては△ｔは約５５分である。溶液の温度は６５℃であった。一連の３，４，５−トリヒドロキシ−ｎ−アルキル−ベンゼン化合物に対する抑制時間は、同様にして計測された。図２は、抑制時間（分）対試験された化合物の分子量のプロットを示している。
【図面の簡単な説明】
【図１】チタン膜の伝導度と、腐食性溶液（ヒドロキシルアミン／ジグリコールアミン）への露出時間及び腐食抑制剤（カテコール）を含む同腐食性溶液への露出時間と、のプロットである。
【図２】抑制時間と、一連のｎ−アルキル置換腐食抑制剤の分子量と、のプロットである。