JP2003530482A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003530482A5 JP2003530482A5 JP2001574886A JP2001574886A JP2003530482A5 JP 2003530482 A5 JP2003530482 A5 JP 2003530482A5 JP 2001574886 A JP2001574886 A JP 2001574886A JP 2001574886 A JP2001574886 A JP 2001574886A JP 2003530482 A5 JP2003530482 A5 JP 2003530482A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- titanium
- hydroxylamine
- trihydroxy
- benzene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 71
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine group Chemical group NO AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 22
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N Catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- -1 ethylene glycol alkyl ether Chemical class 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 7
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KGLSCDCZTRKHSG-UHFFFAOYSA-N 1-phenyldecane-3,4,5-triol Chemical compound CCCCCC(O)C(O)C(O)CCC1=CC=CC=C1 KGLSCDCZTRKHSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TYLQPNVZMYWIKQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylnonane-3,4,5-triol Chemical compound CCCCC(O)C(O)C(O)CCC1=CC=CC=C1 TYLQPNVZMYWIKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VOPGUMHRAOCWLV-UHFFFAOYSA-N 1-phenyltridecane-3,4,5-triol Chemical compound CCCCCCCCC(O)C(O)C(O)CCC1=CC=CC=C1 VOPGUMHRAOCWLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- QCZMJFIQRPYPSG-UHFFFAOYSA-N 1-phenyldodecane-3,4,5-triol Chemical compound CCCCCCCC(O)C(O)C(O)CCC1=CC=CC=C1 QCZMJFIQRPYPSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 0 Cc(c(*)c(*)c(O)c1O)c1O Chemical compound Cc(c(*)c(*)c(O)c1O)c1O 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N iso-propanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000002443 hydroxylamines Chemical group 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N n-methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanediamine Chemical class NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxypropylamino)propan-2-ol Chemical group CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-Amino-2-propanol Chemical group CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-1-ol Chemical group CC(N)CO BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 3-aminopropanol Chemical group NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N Aminomethyl propanol Chemical group CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N Diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940102253 ISOPROPANOLAMINE Drugs 0.000 description 2
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 2
- 229920001721 Polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Tris Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N ammonium hydroxide Chemical group [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 2
- 231100000078 corrosive Toxicity 0.000 description 2
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Substances OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N ethanolamine Chemical group NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000002829 reduced Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- QNFOREOOFJCKMI-UHFFFAOYSA-N 1-(1-ethoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)O QNFOREOOFJCKMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGCPZSLRAYKPND-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)propan-1-ol Chemical compound OCC(C)OCCN DGCPZSLRAYKPND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical group CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHJGXOOOMKCJPP-UHFFFAOYSA-N 2-[tert-butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(C(C)(C)C)CCO XHJGXOOOMKCJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHUABAPZGBGMLA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-ethoxyethanol Chemical compound CCOC(N)CO FHUABAPZGBGMLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAPNYZIFLHHHMR-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-ethoxypropan-1-ol Chemical compound CCOC(C)(N)CO AAPNYZIFLHHHMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001795 Coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N DETA Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N DMA Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L Sulphite Chemical compound [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004059 degradation Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001264 neutralization Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000004040 pyrrolidinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
Description
【書類名】 明細書
【発明の名称】 チタン腐食の抑制
【特許請求の範囲】
【請求項1】 チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するための組成物であって、前記組成物はヒドロキシルアミン又はその誘導体と、下記一般式(I)を有する少なくとも1つの化合物と、を含んで構成され、
【化1】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される組成物。
【請求項2】 請求項1に記載の組成物において、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される組成物。
【請求項3】 請求項1又は2に記載の組成物において、式(I)の化合物は、3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の組成物において、前記ヒドロキシルアミンは水溶液中に提供される組成物。
【請求項5】 請求項4に記載の組成物において、前記ヒドロキシルアミンは重量比(ヒドロキシルアミン:水)が約1:1である水溶液中に供給される組成物。
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかに記載の組成物において、さらにヒドロキシルアミン又はその誘導体と混和性を有する溶媒を含んで構成される組成物。
【請求項7】 請求項6に記載の組成物において、前記溶媒は、アルカノールアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、N−置換ピロリドン、エチレンジアミン及びエチレントリアミンのうち1又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項8】 請求項7に記載の組成物において、少なくとも5wt%のヒドロキシルアミン、少なくとも10wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び前記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の合計で0.5〜30wt%の化合物を含んで構成され、残りは1又はそれ以上の前記溶媒から構成される組成物。
【請求項9】 請求項7又は8に記載の組成物において、10〜70wt%のヒドロキシルアミン、30〜60wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び上記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の全部で5〜15wt%の化合物を含んで構成され、残りは1又はそれ以上の前記溶媒から構成される組成物。
【請求項10】 請求項8又は9に記載の組成物において、前記残りは水及び/又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方から選択される溶媒からなる組成物。
【請求項11】 請求項7乃至10のいずれかに記載の組成物において、前記アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第4ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、2−アミノ−1−プロパノール、3−アミノ−1−プロパノール、イソブタノールアミン、2−アミノ−2−エトキシエタノール(ジグリコールアミン)、2−アミノ−2−エトキシ−プロパノール及び1−ヒドロキシ−2−アミノベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項12】 チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去する方法であって、前記基板を、請求項1乃至11のいずれかに記載の組成物に対し、前記基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を実質的に除去するのに十分な温度及び時間にて接触させること含む方法。
【請求項13】 請求項12に記載の方法において、前記温度は20〜150℃の範囲である方法。
【請求項14】 請求項12又は13に記載の方法において、前記時間は2〜60分の範囲である方法。
【請求項15】 請求項12乃至14のいずれかに記載の方法において、前記基板はその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成される方法。
【請求項16】 請求項12乃至15のいずれかに記載の方法において、前記基板からのレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物の実質的な除去に続く、リンス組成物によって前記基板をリンスする工程を含む方法。
【請求項17】 請求項16に記載の方法において、前記リンス組成物は、2〜5の範囲のpHを有する極性溶媒又は水溶液を含んで構成される方法。
【請求項18】 請求項16又は17に記載の方法において、前記リンス組成物は、イソプロピルアルコール、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、希釈クエン酸及び/又は希釈酢酸を含んで構成される方法。
【請求項19】 請求項16に記載の方法において、前記リンス組成物は、一官能性、二官能性又は三官能性有機酸と、緩衝量の第4アミン、アンモニウムヒドロキシド、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩基を含んで構成される方法。
【請求項20】 請求項16乃至19のいずれかに記載の方法において、前記リンスする工程には、水によるリンス及びその後の乾燥工程が続く方法。
【請求項21】 チタン又はその合金を含んで構成される基板の腐食を抑制する方法であって、前記基板を下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物と接触させることを含み、
【化2】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1,2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される方法。
【請求項22】 請求項21に記載の方法において、前記化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体を含んで構成される組成物中に供給される方法。
【請求項23】 請求項21又は22に記載の方法において、前記化合物は、溶媒を含んで構成される組成物中に提供される方法。
【請求項24】 請求項21乃至23のいずれかに記載の方法において、前記化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体と、前記ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくとも1つのアルカノールアミンと、を含んで構成される組成物中に提供される方法。
【請求項25】 下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物を、組成物において、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するために用いる方法であって、
【化3】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される方法。
【請求項26】 下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物を、組成物における、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するための腐食抑制剤として用いる方法であって、
【化4】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される方法。
【発明の詳細な説明】
【0001】
本発明は、チタン腐食の抑制に関し、特に、チタン腐食の抑制に用いられる化合物、組成物及び方法に関する。
【0002】
チタンは、半導体構造における金属配線層への応用が見つかっている。純粋な要素とその合金の両方は、ある原子の電子転移を防ぐための障壁層、及び/又は他の金属上の反反射層として用いられる。半導体製造において相互接続の寸法が減少して、半導体材料における金属配線層として、アルミニウムはチタンに置き換わっており、腐食と電解質スイッチングが相互接続の劣化の主な要因となっている。
【0003】
チタンは薄い表面酸化層を形成し、腐食抑制はこの表面層の維持に関連している。チタンは低及び高pHにおいて容易に溶解(腐食)する両性金属である。中性pHにおいて起こる少量の腐食は、陰極サイトにおけるpHの低下及び陽極サイトにおけるpHの増加をもたらす。このpH差の発達を改善する緩衝化学材料が腐食を抑制することができる。表面酸化層と合成することができる有機分子はクラックの形成を抑制し、金属を安定化させることもできる。
【0004】
チタン腐食の抑制に対する要求は非常に重要である。0.25μm技術において見いだされる40nm構造は、わずか100チタン原子程の深さであり、2、3の原子が欠落することは、回路性能及び耐久性に重大な影響を持っている。
【0005】
集積回路製造はさらに複雑化してきており、シリコン又は他の半導体ウェーハに形成される回路要素の寸法は小さくなってきており、形成されたフォトレジスト、他の高分子材料及び残留物を、その様な材料から除去するのに用いられる技術の更なる改良が求められている。フォトレジストとポリイミドの様な高分子材料は、基板にパターンを形成する製造プロセスの間、しばしばイオン注入、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング又はイオンミリングに晒される。また半導体製造プロセスの間、プラズマ酸化は、フォトレジスト及び他の高分子材料を除去するのに、それらを用いた後にしばしば用いられる。このような高エネルギープロセスは、フォトレジストを硬化させることになり、形成される構造の側壁に有機金属化合物および他の残留物を形成することになる。ウェーハを処理する間、ヒドロキシルアミンを含んで構成される反応性ストリッパー溶液は、金属配線後の段階において、プラズマエッチトリートメントの後に残されたレジスト残留物及び堆積物を除去するのに用いられる。これらのプロセスにおいて好適な反応性ストリッパー溶液の例は、出願人の米国特許第5,279,771号及び第5,334,332号に開示されている。しかしながら、ヒドロキシルアミンはまた、化学攻撃を開始し、それによりチタン層の腐食が始まる。
【0006】
カテコールは、以前よりヒドロキシルアミンを安定化させるため、ある反応性ストリッパーに添加されており、カテコールを添加するとチタン腐食の抑制に有益な作用があることが分かっていた。カテコール作用の態様は知られていなかったが、カテコールは、固体と結合することにより、接触面におけるpHに影響を与えることにより、あるいはその両方により、表面反応性を減少させると考えられる。
【0007】
カテコールはある程度チタン腐食を抑制するけれども、改善された抑制材を提供することは有利である。さらに、カテコールの毒性は他の抑制剤の同定を望ましいものとしている。したがって、第一の実施形態においては、本発明は基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するための組成物を提供し、該組成物はヒドロキシルアミン又はその誘導体と、以下に示される一般式(I)を有する少なくとも1つの化合物と、を含んで構成される。
【化5】
【0008】
ここで、R1及びR3はいずれも独立してH,OH,CO2H,ハロゲン、C1−C3アルキル,C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1,2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0009】
望ましくは、R2はC9,C10,C11又はC12アルキルから選択され、あるいはC9,C10,C11又はC12アルコキシから選択される。
【0010】
本発明による組成物は、半導体集積回路の製造においてレジスト材料を除去するためのストリップ組成物として特に有用である。本発明の組成物により除去されてよいレジスト材料はポジティブフォトレジストを含み、該ポジティブフォトレジストは、例えばo−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、又はノボラック型結合材又は樹脂を伴うアミド増感剤を含んで構成される。組成物は、例えば、ポリイミド、フラズマエッチングプロセスの間に基板上に形成される有機金属重合体、側壁の高分子材料及び金属酸化残留物を含んで構成される硬化及び非硬化重合体残留物を除去するのに用いられてもよい。
【0011】
本発明による化合物は、半導体集積回路の製造においてエッチング残留物を除去するためのクリーニング組成物として用いられてもよい。
【0012】
適切な基板の例には、チタン、及びチタン/タングステン、チタン/アルミニウム、チタン/銅、チタン/タングステン/アルミニウム、チタン/銅/アルミニウム、チタン/タングステン/銅、及びチタン/タングステン/銅/アルミニウムのようなチタン合金を含んで構成される金属基板が含まれる。基板はまた、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成されてもよい。適当な基板の例は半導体工業においてよく知られており、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ガリウム砒素及びポリカーボネートのようなプラスチックを含み、その表面にチタン又はその合金を含んで構成される部分を少なくとも有する。
【0013】
本発明による組成物においては、一般式(I)を有する化合物は、好ましくは3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシルニル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される。
【0014】
組成物は有利には、さらに溶媒(ソルベント)、例えば極性溶媒を含んで構成され、好ましくはヒドロキシルアミンと混和性がある。適切な例としては、アルカノールアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル(例えばジエチレングリコールブチルエーテル)、トリエチレングリコールアルキルエーテル(例えばトリエチレングリコールブチルエーテル)、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル(例えばジプロピレングリコールエチルエーテル)、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、N−置換ピロリドン(例えばN−メチル−2−ピロリドン)、エチレンジアミン、エチレントリアミン、ジエチレントリアミン、ジメチルホルムアミド及びジメチルアセトアミドのうち1又はそれ以上から選択された溶媒が含まれる。最も好ましい溶媒はアルカノールアミンである。溶媒を加えると、特に基板からレジスト材料を除去するためのストリップ組成物として用いられるとき、組成物の効果を強化する。
【0015】
好ましい実施形態においては、組成物は少なくとも5wt%のヒドロキシルアミン、少なくとも10wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般式(I)を有する0.5〜30wt%(好ましくは2〜30wt%)の1又はそれ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記溶媒のうち1又はそれ以上からなる(最も好ましいのは水及び/又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方である)。さらに好ましくは、組成物は10〜70wt%のヒドロキシルアミン、30〜60wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般式(I)を有する5〜15wt%の1又はそれ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記溶媒のうちいずれから構成される(最も好ましいのは水及び/又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方である)。本発明において用いるのに適切なヒドロキシルアミンはNH2OH構造を有する。それは日信化学工業株式会社から市販水溶液(約50wt%)の形態で便利に提供されている。ヒドロキシルアミンの誘導体、例えばその塩もまた用いられてよい。
【0016】
本発明において用いるのに適したアルカノールアミンは、好ましくはヒドロキシルアミンと混和性があり、好ましくは水溶性である。加えて、本発明において有用なアルカノールアミンは、好ましくは比較的高い、好ましくは75℃又はそれ以上の沸点を有する。適切なアルカノールアミンは第1,第2又は第3アミンであり、好ましくはモノアミン、ジアミン又はトリアミンであり、最も好ましくはモノアミンである。アルカノールアミンのアルコール群は、好ましくは1〜6個の炭素原子を有し、直鎖状、側鎖状又は環状アルコールを基礎とする。
【0017】
本発明による組成物において用いるのに好適なアルカノールアミンは下記化学式によって表される。
R1R2−N−CH2CH2−O−R3
【0018】
ここで、R1及びR2はそれぞれ独立してH、CH3、CH3CH2、又はCH3CH2OHであり、R3はCH3CH2OHである。
【0019】
適当なアルカノールアミンの例は、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第3ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、2−アミノ−1−プロパノール、3−アミノ−1−プロパノール、イソブタノールアミン、2−(2−アミノエトキシ)エタノール(ジグリコールアミン)、2−(2−アミノエトキシ)プロパノール及び1−ヒドロキシ−2−アミノベンゼンを含む。
【0020】
ストリップ溶液として用いるのに特に好ましい組成物は、約37wt%のヒドロキシルアミン溶液(重量比50:50 ヒドロキシルアミン:水)、約63wt%のジグリコールアミン、及び上記一般式(I)を有するとともに約0.2Mの濃度となるよう添加された1又はそれ以上の化合物からなる溶媒から構成される。
【0021】
本発明はまた、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去する方法を提供し、該方法は基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するのに十分なだけの温度及び時間で上記組成物を基板に接触させることを含む。
【0022】
温度は好ましくは20〜150℃の範囲であり、さらに好ましくは60〜70℃であり、一方、接触時間は好ましくは2〜60分の範囲であり、さらに好ましくは2〜20分であり、さらに好ましくは2〜5分である。プロセスは、一般的には大気圧において実行されるであろう。適当な基板は上記されており、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含む。
【0023】
プロセスはさらに、基板からのレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物の実質的な除去に続く、適切なリンス組成物を用いて基板をリンスするステップを含んでよい。好ましくは、リンス組成物は2〜5の範囲のpHを有する極性溶媒又は水溶液を含んで構成される。適切なリンス組成物の例には、イソプロピルアルコール、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、希釈クエン酸及び/又は希釈酢酸が含まれる。あるいは、基板は、出願人の国際出願(WO98/36045)に記述されたリンス組成物を用いてリンスされてもよい。これらの組成物は一官能性、二官能性又は三官能性有機酸、及び緩衝量の第四アミン、水酸化アンモニウム、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩基を含んで構成される。リンス工程の後には水リンスが続いてよく、好ましくは脱イオン(deionised)水リンスが続き、最終的には蒸気IPA乾燥のような乾燥工程が続く。
【0024】
他の態様においては、本発明はチタン又はその合金を含んで構成される基板の腐食を抑制する方法を提供し、該方法は下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物に基板を接触させることを含む。
【化6】
【0025】
ここで、R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル、又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0026】
好ましくは、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される。
【0027】
一般式(I)を有する化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体を含んで構成される組成物中に提供されてもよく、あるいは上記溶媒を含んで構成される組成物中に提供されてもよい。
【0028】
本発明による方法においては、一般式(I)を有する化合物は、好ましくは3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択されてよい。
【0029】
好ましくは、本発明による方法において、ヒドロキシルアミン又はその誘導体と、好ましくは上記の少なくとも1つのアルカノールアミンと、を含んで構成される組成物の構成成分として、一般式(I)を有する化合物が用いられる。このようなストリップ組成物及びクリーニング組成物の例は上記されている。適切な基板もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はその合金を有する半導体ウェーハを含む。
【0030】
本発明はさらに、下記一般式(I)を有する化合物をストリップ組成物又はクリーニング組成物において用い、基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去することを提供し、前記基板はチタン又はその合金を含んで構成される。
【化7】
【0031】
ここにおいて、R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0032】
好ましくは、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される。
【0033】
この態様においては、一般式(I)を有する化合物は、最も好ましくは、3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンから選択される。
【0034】
本発明はまた、下記一般式(I)を有する化合物をストリップ組成物又はクリーニング組成物における腐食抑制剤として用い、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去することを提供する。
【化8】
【0035】
ここにおいて、R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0036】
好ましくは、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される。
【0037】
この態様においては、一般式(I)を有する化合物は、好ましくは、3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される。
【0038】
ストリップ組成物及びクリーニング組成物の例は上記されている。適切な基板もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含む。
【0039】
本発明はここで、下記実験を参照して記述される。
【0040】
実施例
材料:
チタンで被覆されたウェーハは国際ウェーハサービスから入手された。3,4,5−トリヒドロキシ−n−アルキル−ベンゼン化合物は、下記の一般反応図により組成された。
【化9】
【0041】
浄化:
試験された全ての腐食抑制剤は、原子吸収スペクトルを用いたカルシウムの追跡により解析された。カルシウム信号は標準的なメタノール溶液のそれと比較された。看過できないほどのカルシウムを含んだ抑制剤は、カルシウムのレベルが2ppm以下となるまでイオン交換カラム(Dowex 50WX8)を通過させることによって浄化された。
【0042】
チタン膜の厚さの計測:
金属層の厚さはその伝導度に直接関係している。それ故、膜の抵抗値は4点プローブ(Keither 2010)を用いて決定され、伝導度は厚さの計測として取得された。
【0043】
腐食研究:
試験において用いられた腐食性溶液は、35wt%の水性ヒドロキシルアミン溶液(50:50 ヒドロキシルアミン:水)及び60wt%ジグリコールアミンを含んでいた。腐食抑制剤として試験された化合物は5% w/wの量だけ添加された。
【0044】
200nmのチタンにより被覆されたシリコンウェーハ片は腐食性溶液中につるされ、定期的に膜の抵抗値を計測するために取り出された。抑制剤がない場合、膜の伝導度は図1(点線)に示されるように、時間に対してリニアに減少した。図1はまた、比較のため5% w/wのカテコールを腐食性溶剤に含ませたとき(実線)の伝導度の変化を示している。カテコールは腐食の始まりを遅らせることが分かる。完全に膜を除去するのに要する時間はプロットとX軸との交点によって示される。抑制剤が存在する場合と抑制剤が存在しない場合とで、膜を除去するのに要する時間差は、抑制時間(△t)として参照される。カテコールに対しては△tは約55分である。溶液の温度は65℃であった。一連の3,4,5−トリヒドロキシ−n−アルキル−ベンゼン化合物に対する抑制時間は、同様にして計測された。図2は、抑制時間(分)対試験された化合物の分子量のプロットを示している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 チタン膜の伝導度と、腐食性溶液(ヒドロキシルアミン/ジグリコールアミン)への露出時間及び腐食抑制剤(カテコール)を含む同腐食性溶液への露出時間と、のプロットである。
【図2】 抑制時間と、一連のn−アルキル置換腐食抑制剤の分子量と、のプロットである。
【発明の名称】 チタン腐食の抑制
【特許請求の範囲】
【請求項1】 チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するための組成物であって、前記組成物はヒドロキシルアミン又はその誘導体と、下記一般式(I)を有する少なくとも1つの化合物と、を含んで構成され、
【化1】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される組成物。
【請求項2】 請求項1に記載の組成物において、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される組成物。
【請求項3】 請求項1又は2に記載の組成物において、式(I)の化合物は、3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の組成物において、前記ヒドロキシルアミンは水溶液中に提供される組成物。
【請求項5】 請求項4に記載の組成物において、前記ヒドロキシルアミンは重量比(ヒドロキシルアミン:水)が約1:1である水溶液中に供給される組成物。
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかに記載の組成物において、さらにヒドロキシルアミン又はその誘導体と混和性を有する溶媒を含んで構成される組成物。
【請求項7】 請求項6に記載の組成物において、前記溶媒は、アルカノールアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、N−置換ピロリドン、エチレンジアミン及びエチレントリアミンのうち1又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項8】 請求項7に記載の組成物において、少なくとも5wt%のヒドロキシルアミン、少なくとも10wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び前記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の合計で0.5〜30wt%の化合物を含んで構成され、残りは1又はそれ以上の前記溶媒から構成される組成物。
【請求項9】 請求項7又は8に記載の組成物において、10〜70wt%のヒドロキシルアミン、30〜60wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び上記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の全部で5〜15wt%の化合物を含んで構成され、残りは1又はそれ以上の前記溶媒から構成される組成物。
【請求項10】 請求項8又は9に記載の組成物において、前記残りは水及び/又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方から選択される溶媒からなる組成物。
【請求項11】 請求項7乃至10のいずれかに記載の組成物において、前記アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第4ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、2−アミノ−1−プロパノール、3−アミノ−1−プロパノール、イソブタノールアミン、2−アミノ−2−エトキシエタノール(ジグリコールアミン)、2−アミノ−2−エトキシ−プロパノール及び1−ヒドロキシ−2−アミノベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される組成物。
【請求項12】 チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去する方法であって、前記基板を、請求項1乃至11のいずれかに記載の組成物に対し、前記基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を実質的に除去するのに十分な温度及び時間にて接触させること含む方法。
【請求項13】 請求項12に記載の方法において、前記温度は20〜150℃の範囲である方法。
【請求項14】 請求項12又は13に記載の方法において、前記時間は2〜60分の範囲である方法。
【請求項15】 請求項12乃至14のいずれかに記載の方法において、前記基板はその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成される方法。
【請求項16】 請求項12乃至15のいずれかに記載の方法において、前記基板からのレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物の実質的な除去に続く、リンス組成物によって前記基板をリンスする工程を含む方法。
【請求項17】 請求項16に記載の方法において、前記リンス組成物は、2〜5の範囲のpHを有する極性溶媒又は水溶液を含んで構成される方法。
【請求項18】 請求項16又は17に記載の方法において、前記リンス組成物は、イソプロピルアルコール、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、希釈クエン酸及び/又は希釈酢酸を含んで構成される方法。
【請求項19】 請求項16に記載の方法において、前記リンス組成物は、一官能性、二官能性又は三官能性有機酸と、緩衝量の第4アミン、アンモニウムヒドロキシド、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩基を含んで構成される方法。
【請求項20】 請求項16乃至19のいずれかに記載の方法において、前記リンスする工程には、水によるリンス及びその後の乾燥工程が続く方法。
【請求項21】 チタン又はその合金を含んで構成される基板の腐食を抑制する方法であって、前記基板を下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物と接触させることを含み、
【化2】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1,2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される方法。
【請求項22】 請求項21に記載の方法において、前記化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体を含んで構成される組成物中に供給される方法。
【請求項23】 請求項21又は22に記載の方法において、前記化合物は、溶媒を含んで構成される組成物中に提供される方法。
【請求項24】 請求項21乃至23のいずれかに記載の方法において、前記化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体と、前記ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくとも1つのアルカノールアミンと、を含んで構成される組成物中に提供される方法。
【請求項25】 下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物を、組成物において、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するために用いる方法であって、
【化3】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される方法。
【請求項26】 下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物を、組成物における、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するための腐食抑制剤として用いる方法であって、
【化4】
R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される方法。
【発明の詳細な説明】
【0001】
本発明は、チタン腐食の抑制に関し、特に、チタン腐食の抑制に用いられる化合物、組成物及び方法に関する。
【0002】
チタンは、半導体構造における金属配線層への応用が見つかっている。純粋な要素とその合金の両方は、ある原子の電子転移を防ぐための障壁層、及び/又は他の金属上の反反射層として用いられる。半導体製造において相互接続の寸法が減少して、半導体材料における金属配線層として、アルミニウムはチタンに置き換わっており、腐食と電解質スイッチングが相互接続の劣化の主な要因となっている。
【0003】
チタンは薄い表面酸化層を形成し、腐食抑制はこの表面層の維持に関連している。チタンは低及び高pHにおいて容易に溶解(腐食)する両性金属である。中性pHにおいて起こる少量の腐食は、陰極サイトにおけるpHの低下及び陽極サイトにおけるpHの増加をもたらす。このpH差の発達を改善する緩衝化学材料が腐食を抑制することができる。表面酸化層と合成することができる有機分子はクラックの形成を抑制し、金属を安定化させることもできる。
【0004】
チタン腐食の抑制に対する要求は非常に重要である。0.25μm技術において見いだされる40nm構造は、わずか100チタン原子程の深さであり、2、3の原子が欠落することは、回路性能及び耐久性に重大な影響を持っている。
【0005】
集積回路製造はさらに複雑化してきており、シリコン又は他の半導体ウェーハに形成される回路要素の寸法は小さくなってきており、形成されたフォトレジスト、他の高分子材料及び残留物を、その様な材料から除去するのに用いられる技術の更なる改良が求められている。フォトレジストとポリイミドの様な高分子材料は、基板にパターンを形成する製造プロセスの間、しばしばイオン注入、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング又はイオンミリングに晒される。また半導体製造プロセスの間、プラズマ酸化は、フォトレジスト及び他の高分子材料を除去するのに、それらを用いた後にしばしば用いられる。このような高エネルギープロセスは、フォトレジストを硬化させることになり、形成される構造の側壁に有機金属化合物および他の残留物を形成することになる。ウェーハを処理する間、ヒドロキシルアミンを含んで構成される反応性ストリッパー溶液は、金属配線後の段階において、プラズマエッチトリートメントの後に残されたレジスト残留物及び堆積物を除去するのに用いられる。これらのプロセスにおいて好適な反応性ストリッパー溶液の例は、出願人の米国特許第5,279,771号及び第5,334,332号に開示されている。しかしながら、ヒドロキシルアミンはまた、化学攻撃を開始し、それによりチタン層の腐食が始まる。
【0006】
カテコールは、以前よりヒドロキシルアミンを安定化させるため、ある反応性ストリッパーに添加されており、カテコールを添加するとチタン腐食の抑制に有益な作用があることが分かっていた。カテコール作用の態様は知られていなかったが、カテコールは、固体と結合することにより、接触面におけるpHに影響を与えることにより、あるいはその両方により、表面反応性を減少させると考えられる。
【0007】
カテコールはある程度チタン腐食を抑制するけれども、改善された抑制材を提供することは有利である。さらに、カテコールの毒性は他の抑制剤の同定を望ましいものとしている。したがって、第一の実施形態においては、本発明は基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するための組成物を提供し、該組成物はヒドロキシルアミン又はその誘導体と、以下に示される一般式(I)を有する少なくとも1つの化合物と、を含んで構成される。
【化5】
【0008】
ここで、R1及びR3はいずれも独立してH,OH,CO2H,ハロゲン、C1−C3アルキル,C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1,2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0009】
望ましくは、R2はC9,C10,C11又はC12アルキルから選択され、あるいはC9,C10,C11又はC12アルコキシから選択される。
【0010】
本発明による組成物は、半導体集積回路の製造においてレジスト材料を除去するためのストリップ組成物として特に有用である。本発明の組成物により除去されてよいレジスト材料はポジティブフォトレジストを含み、該ポジティブフォトレジストは、例えばo−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、又はノボラック型結合材又は樹脂を伴うアミド増感剤を含んで構成される。組成物は、例えば、ポリイミド、フラズマエッチングプロセスの間に基板上に形成される有機金属重合体、側壁の高分子材料及び金属酸化残留物を含んで構成される硬化及び非硬化重合体残留物を除去するのに用いられてもよい。
【0011】
本発明による化合物は、半導体集積回路の製造においてエッチング残留物を除去するためのクリーニング組成物として用いられてもよい。
【0012】
適切な基板の例には、チタン、及びチタン/タングステン、チタン/アルミニウム、チタン/銅、チタン/タングステン/アルミニウム、チタン/銅/アルミニウム、チタン/タングステン/銅、及びチタン/タングステン/銅/アルミニウムのようなチタン合金を含んで構成される金属基板が含まれる。基板はまた、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成されてもよい。適当な基板の例は半導体工業においてよく知られており、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ガリウム砒素及びポリカーボネートのようなプラスチックを含み、その表面にチタン又はその合金を含んで構成される部分を少なくとも有する。
【0013】
本発明による組成物においては、一般式(I)を有する化合物は、好ましくは3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシルニル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される。
【0014】
組成物は有利には、さらに溶媒(ソルベント)、例えば極性溶媒を含んで構成され、好ましくはヒドロキシルアミンと混和性がある。適切な例としては、アルカノールアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル(例えばジエチレングリコールブチルエーテル)、トリエチレングリコールアルキルエーテル(例えばトリエチレングリコールブチルエーテル)、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル(例えばジプロピレングリコールエチルエーテル)、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、N−置換ピロリドン(例えばN−メチル−2−ピロリドン)、エチレンジアミン、エチレントリアミン、ジエチレントリアミン、ジメチルホルムアミド及びジメチルアセトアミドのうち1又はそれ以上から選択された溶媒が含まれる。最も好ましい溶媒はアルカノールアミンである。溶媒を加えると、特に基板からレジスト材料を除去するためのストリップ組成物として用いられるとき、組成物の効果を強化する。
【0015】
好ましい実施形態においては、組成物は少なくとも5wt%のヒドロキシルアミン、少なくとも10wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般式(I)を有する0.5〜30wt%(好ましくは2〜30wt%)の1又はそれ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記溶媒のうち1又はそれ以上からなる(最も好ましいのは水及び/又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方である)。さらに好ましくは、組成物は10〜70wt%のヒドロキシルアミン、30〜60wt%の1又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般式(I)を有する5〜15wt%の1又はそれ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記溶媒のうちいずれから構成される(最も好ましいのは水及び/又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方である)。本発明において用いるのに適切なヒドロキシルアミンはNH2OH構造を有する。それは日信化学工業株式会社から市販水溶液(約50wt%)の形態で便利に提供されている。ヒドロキシルアミンの誘導体、例えばその塩もまた用いられてよい。
【0016】
本発明において用いるのに適したアルカノールアミンは、好ましくはヒドロキシルアミンと混和性があり、好ましくは水溶性である。加えて、本発明において有用なアルカノールアミンは、好ましくは比較的高い、好ましくは75℃又はそれ以上の沸点を有する。適切なアルカノールアミンは第1,第2又は第3アミンであり、好ましくはモノアミン、ジアミン又はトリアミンであり、最も好ましくはモノアミンである。アルカノールアミンのアルコール群は、好ましくは1〜6個の炭素原子を有し、直鎖状、側鎖状又は環状アルコールを基礎とする。
【0017】
本発明による組成物において用いるのに好適なアルカノールアミンは下記化学式によって表される。
R1R2−N−CH2CH2−O−R3
【0018】
ここで、R1及びR2はそれぞれ独立してH、CH3、CH3CH2、又はCH3CH2OHであり、R3はCH3CH2OHである。
【0019】
適当なアルカノールアミンの例は、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第3ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、2−アミノ−1−プロパノール、3−アミノ−1−プロパノール、イソブタノールアミン、2−(2−アミノエトキシ)エタノール(ジグリコールアミン)、2−(2−アミノエトキシ)プロパノール及び1−ヒドロキシ−2−アミノベンゼンを含む。
【0020】
ストリップ溶液として用いるのに特に好ましい組成物は、約37wt%のヒドロキシルアミン溶液(重量比50:50 ヒドロキシルアミン:水)、約63wt%のジグリコールアミン、及び上記一般式(I)を有するとともに約0.2Mの濃度となるよう添加された1又はそれ以上の化合物からなる溶媒から構成される。
【0021】
本発明はまた、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去する方法を提供し、該方法は基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去するのに十分なだけの温度及び時間で上記組成物を基板に接触させることを含む。
【0022】
温度は好ましくは20〜150℃の範囲であり、さらに好ましくは60〜70℃であり、一方、接触時間は好ましくは2〜60分の範囲であり、さらに好ましくは2〜20分であり、さらに好ましくは2〜5分である。プロセスは、一般的には大気圧において実行されるであろう。適当な基板は上記されており、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含む。
【0023】
プロセスはさらに、基板からのレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物の実質的な除去に続く、適切なリンス組成物を用いて基板をリンスするステップを含んでよい。好ましくは、リンス組成物は2〜5の範囲のpHを有する極性溶媒又は水溶液を含んで構成される。適切なリンス組成物の例には、イソプロピルアルコール、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、希釈クエン酸及び/又は希釈酢酸が含まれる。あるいは、基板は、出願人の国際出願(WO98/36045)に記述されたリンス組成物を用いてリンスされてもよい。これらの組成物は一官能性、二官能性又は三官能性有機酸、及び緩衝量の第四アミン、水酸化アンモニウム、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩基を含んで構成される。リンス工程の後には水リンスが続いてよく、好ましくは脱イオン(deionised)水リンスが続き、最終的には蒸気IPA乾燥のような乾燥工程が続く。
【0024】
他の態様においては、本発明はチタン又はその合金を含んで構成される基板の腐食を抑制する方法を提供し、該方法は下記一般式(I)を有する化合物から選択される1又はそれ以上の化合物に基板を接触させることを含む。
【化6】
【0025】
ここで、R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル、又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0026】
好ましくは、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される。
【0027】
一般式(I)を有する化合物は、ヒドロキシルアミン又はその誘導体を含んで構成される組成物中に提供されてもよく、あるいは上記溶媒を含んで構成される組成物中に提供されてもよい。
【0028】
本発明による方法においては、一般式(I)を有する化合物は、好ましくは3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択されてよい。
【0029】
好ましくは、本発明による方法において、ヒドロキシルアミン又はその誘導体と、好ましくは上記の少なくとも1つのアルカノールアミンと、を含んで構成される組成物の構成成分として、一般式(I)を有する化合物が用いられる。このようなストリップ組成物及びクリーニング組成物の例は上記されている。適切な基板もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はその合金を有する半導体ウェーハを含む。
【0030】
本発明はさらに、下記一般式(I)を有する化合物をストリップ組成物又はクリーニング組成物において用い、基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去することを提供し、前記基板はチタン又はその合金を含んで構成される。
【化7】
【0031】
ここにおいて、R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0032】
好ましくは、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される。
【0033】
この態様においては、一般式(I)を有する化合物は、最も好ましくは、3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンから選択される。
【0034】
本発明はまた、下記一般式(I)を有する化合物をストリップ組成物又はクリーニング組成物における腐食抑制剤として用い、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高分子材料及び/又はエッチング残留物を除去することを提供する。
【化8】
【0035】
ここにおいて、R1及びR3はそれぞれ独立にH、OH、CO2H、ハロゲン、C1−C3アルキル、C1−C3アルコキシ又は(CH2)nOHから選択され、nは1、2又は3であり、R2はC9−C16アルキル又はC9−C16アルコキシから選択される。
【0036】
好ましくは、R2はC9、C10、C11又はC12アルキル、あるいはC9、C10、C11又はC12アルコキシから選択される。
【0037】
この態様においては、一般式(I)を有する化合物は、好ましくは、3,4,5−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−デシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、3,4,5−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び3,4,5−トリヒドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち1又はそれ以上から選択される。
【0038】
ストリップ組成物及びクリーニング組成物の例は上記されている。適切な基板もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含む。
【0039】
本発明はここで、下記実験を参照して記述される。
【0040】
実施例
材料:
チタンで被覆されたウェーハは国際ウェーハサービスから入手された。3,4,5−トリヒドロキシ−n−アルキル−ベンゼン化合物は、下記の一般反応図により組成された。
【化9】
【0041】
浄化:
試験された全ての腐食抑制剤は、原子吸収スペクトルを用いたカルシウムの追跡により解析された。カルシウム信号は標準的なメタノール溶液のそれと比較された。看過できないほどのカルシウムを含んだ抑制剤は、カルシウムのレベルが2ppm以下となるまでイオン交換カラム(Dowex 50WX8)を通過させることによって浄化された。
【0042】
チタン膜の厚さの計測:
金属層の厚さはその伝導度に直接関係している。それ故、膜の抵抗値は4点プローブ(Keither 2010)を用いて決定され、伝導度は厚さの計測として取得された。
【0043】
腐食研究:
試験において用いられた腐食性溶液は、35wt%の水性ヒドロキシルアミン溶液(50:50 ヒドロキシルアミン:水)及び60wt%ジグリコールアミンを含んでいた。腐食抑制剤として試験された化合物は5% w/wの量だけ添加された。
【0044】
200nmのチタンにより被覆されたシリコンウェーハ片は腐食性溶液中につるされ、定期的に膜の抵抗値を計測するために取り出された。抑制剤がない場合、膜の伝導度は図1(点線)に示されるように、時間に対してリニアに減少した。図1はまた、比較のため5% w/wのカテコールを腐食性溶剤に含ませたとき(実線)の伝導度の変化を示している。カテコールは腐食の始まりを遅らせることが分かる。完全に膜を除去するのに要する時間はプロットとX軸との交点によって示される。抑制剤が存在する場合と抑制剤が存在しない場合とで、膜を除去するのに要する時間差は、抑制時間(△t)として参照される。カテコールに対しては△tは約55分である。溶液の温度は65℃であった。一連の3,4,5−トリヒドロキシ−n−アルキル−ベンゼン化合物に対する抑制時間は、同様にして計測された。図2は、抑制時間(分)対試験された化合物の分子量のプロットを示している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 チタン膜の伝導度と、腐食性溶液(ヒドロキシルアミン/ジグリコールアミン)への露出時間及び腐食抑制剤(カテコール)を含む同腐食性溶液への露出時間と、のプロットである。
【図2】 抑制時間と、一連のn−アルキル置換腐食抑制剤の分子量と、のプロットである。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0009112.4 | 2000-04-12 | ||
GBGB0009112.4A GB0009112D0 (en) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | Inhibition of titanium corrosion |
PCT/GB2001/001686 WO2001078129A1 (en) | 2000-04-12 | 2001-04-12 | Inhibition of titanium corrosion |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003530482A JP2003530482A (ja) | 2003-10-14 |
JP2003530482A5 true JP2003530482A5 (ja) | 2007-11-22 |
Family
ID=9889834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001574886A Pending JP2003530482A (ja) | 2000-04-12 | 2001-04-12 | チタン腐食の抑制 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7012051B2 (ja) |
EP (1) | EP1273033B1 (ja) |
JP (1) | JP2003530482A (ja) |
KR (1) | KR100889094B1 (ja) |
CN (1) | CN1218373C (ja) |
AT (1) | ATE345581T1 (ja) |
AU (1) | AU4855501A (ja) |
DE (1) | DE60124519T2 (ja) |
GB (1) | GB0009112D0 (ja) |
TW (1) | TWI281487B (ja) |
WO (1) | WO2001078129A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100338530C (zh) * | 2001-11-02 | 2007-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 剥离抗蚀剂的方法 |
JP5836932B2 (ja) * | 2009-05-07 | 2015-12-24 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | レジストストリッピング組成物及び電気装置を製造するための方法 |
JP5159738B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-03-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
US8101561B2 (en) | 2009-11-17 | 2012-01-24 | Wai Mun Lee | Composition and method for treating semiconductor substrate surface |
JP2017197589A (ja) * | 2014-09-04 | 2017-11-02 | 横浜油脂工業株式会社 | 紫外線硬化型塗料用剥離剤 |
US10133428B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-11-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device including a flexible substrate having a bending part and a conductive pattern at least partially disposed on the bending part |
US11175587B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-11-16 | Versum Materials Us, Llc | Stripper solutions and methods of using stripper solutions |
US11408079B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-09 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Corrosion inhibitor composition and methods of inhibiting corrosion during acid pickling |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3124614A1 (de) * | 1980-06-27 | 1982-05-06 | Amchem Products, Inc., 19002 Ambler, Pa. | Reinigungsloesung, verfahren zum entfernen von verunreinigungen von einer zinnoberflaeche mit dieser reinigungsloesung und konzentrate hierfuer |
US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
US7205265B2 (en) * | 1990-11-05 | 2007-04-17 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions and methods of use thereof |
US6110881A (en) * | 1990-11-05 | 2000-08-29 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
US6492311B2 (en) * | 1990-11-05 | 2002-12-10 | Ekc Technology, Inc. | Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process |
US6121217A (en) * | 1990-11-05 | 2000-09-19 | Ekc Technology, Inc. | Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process |
US6187730B1 (en) * | 1990-11-05 | 2001-02-13 | Ekc Technology, Inc. | Hydroxylamine-gallic compound composition and process |
US5981454A (en) * | 1993-06-21 | 1999-11-09 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine |
US6242400B1 (en) * | 1990-11-05 | 2001-06-05 | Ekc Technology, Inc. | Method of stripping resists from substrates using hydroxylamine and alkanolamine |
US6000411A (en) * | 1990-11-05 | 1999-12-14 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions for removing etching residue and method of using |
US20040018949A1 (en) * | 1990-11-05 | 2004-01-29 | Wai Mun Lee | Semiconductor process residue removal composition and process |
US6546939B1 (en) * | 1990-11-05 | 2003-04-15 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment |
DE69333877T2 (de) | 1992-07-09 | 2006-06-14 | Ekc Technology Inc | Reinigungsmittelzusammensetzung, das einem Redox Aminverbindung enthält |
US20030032567A1 (en) * | 1992-07-09 | 2003-02-13 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
US6825156B2 (en) * | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Ekc Technology, Inc. | Semiconductor process residue removal composition and process |
US7144848B2 (en) * | 1992-07-09 | 2006-12-05 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal |
US6326130B1 (en) * | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
US5654260A (en) * | 1994-01-10 | 1997-08-05 | Phillips Petroleum Company | Corrosion inhibitor for wellbore applications |
US6323168B1 (en) | 1996-07-03 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
US7534752B2 (en) | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
GB2342727A (en) * | 1998-10-12 | 2000-04-19 | Ekc Technology Ltd | Composition to remove resists and tp inhibit titanium corrosion |
-
2000
- 2000-04-12 GB GBGB0009112.4A patent/GB0009112D0/en not_active Ceased
-
2001
- 2001-04-12 KR KR1020027013648A patent/KR100889094B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-04-12 CN CN018080197A patent/CN1218373C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-12 DE DE60124519T patent/DE60124519T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-12 US US10/257,469 patent/US7012051B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-12 EP EP01921582A patent/EP1273033B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-12 JP JP2001574886A patent/JP2003530482A/ja active Pending
- 2001-04-12 WO PCT/GB2001/001686 patent/WO2001078129A1/en active IP Right Grant
- 2001-04-12 AT AT01921582T patent/ATE345581T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-04-12 AU AU48555/01A patent/AU4855501A/en not_active Abandoned
- 2001-04-16 TW TW090109022A patent/TWI281487B/zh not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100323326B1 (ko) | 플라즈마 에칭 잔류물 제거용 비부식성 세정 조성물 | |
KR101226533B1 (ko) | 포토레지스트 잔류물 및 폴리머 잔류물 제거 조성물 | |
US6455479B1 (en) | Stripping composition | |
US9109188B2 (en) | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate | |
US8361237B2 (en) | Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics | |
US6276372B1 (en) | Process using hydroxylamine-gallic acid composition | |
JP5886946B2 (ja) | 銅、タングステンおよび多孔質低κ誘電体に対する増強された相溶性を有する半水溶性ポリマー除去組成物 | |
EP1501916B1 (en) | Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues | |
JP2006009006A (ja) | 基材から残留物を除去するための組成物及びその組成物を用いた方法 | |
JP2006505629A (ja) | 水性ストリッピング及びクリーニング組成物 | |
JP2006049860A (ja) | はく離及び洗浄用の組成物並びにそれらの使用 | |
JP2005528660A (ja) | 半導体プロセス残留物除去組成物および方法 | |
KR20070025444A (ko) | 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물 | |
EP1273033B1 (en) | Trihydroxybenzene composition for inhibition of titanium corrosion | |
JP2006152303A (ja) | 残留物を除去するための組成物及び方法 | |
JP2003530482A5 (ja) | ||
WO2002077120A1 (en) | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate | |
JP4698123B2 (ja) | レジスト除去剤組成物 | |
CN101156111A (zh) | 用于半导体器件的光刻胶的去除剂组合物 | |
JP4028904B2 (ja) | ヒドロキシルアミン−没食子化合物の組成物及びその使用方法 | |
WO2000022662A1 (en) | Inhibition of titanium corrosion | |
US11926807B2 (en) | Cleaning composition and cleaning method using the same | |
WO2023140345A1 (ja) | フォトレジスト剥離組成物 |