JP2003530482A - チタン腐食の抑制 - Google Patents

チタン腐食の抑制

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Abstract

(57)【要約】 基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するための合成物であって、前記合成物はヒドロキシルアミン又はその派生物と、一般式（Ｉ）を有する少なくとも１つの化合物と、を含んで構成される。 Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ３アルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択され、ｎは１、２又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６アルコキシから選択される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、チタン腐食の抑制に関し、特に、チタン腐食の抑制に用いられる化
合物、合成物及び方法に関する。
【０００２】 チタンは、半導体構造における金属配線層への応用が見つかっている。純粋な
要素とその合金の両方は、ある原子の電子転移を防ぐための障壁層、及び／又は
他の金属上の反反射層として用いられる。半導体製造において相互接続の寸法が
減少して、半導体材料における金属配線層として、アルミニウムはチタンに置き
換わっており、腐食と電解質スイッチングが相互接続の劣化の主な要因となって
いる。
【０００３】 チタンは薄い表面酸化層を形成し、腐食抑制はこの表面層の維持に関連してい
る。チタンは低及び高ｐＨにおいて容易に溶解（腐食）する両性金属である。中
性ｐＨにおいて起こる少量の腐食は、陰極サイトにおけるｐＨの低下及び陽極サ
イトにおけるｐＨの増加をもたらす。このｐＨ差の発達を改善する緩衝化学材料
が腐食を抑制することができる。表面酸化層と合成することができる有機分子は
クラックの形成を抑制し、金属を安定化させることもできる。
【０００４】 チタン腐食の抑制に対する要求は非常に重要である。０．２５μｍ技術におい
て見いだされる４０ｎｍ構造は、わずか１００チタン原子程の深さであり、２、
３の原子が欠落することは、回路性能及び耐久性に重大な影響を持っている。
【０００５】 集積回路製造はさらに複雑化してきており、シリコン又は他の半導体ウェーハ
に形成される回路要素の寸法は小さくなってきており、形成されたフォトレジス
ト、他の高分子材料及び残留物を、その様な材料から除去するのに用いられる技
術の更なる改良が求められている。フォトレジストとポリイミドの様な高分子材
料は、基板にパターンを形成する製造プロセスの間、しばしばイオン注入、プラ
ズマエッチング、リアクティブイオンエッチング又はイオンミリングに晒される
。また半導体製造プロセスの間、プラズマ酸化は、フォトレジスト及び他の高分
子材料を除去するのに、それらを用いた後にしばしば用いられる。このような高
エネルギープロセスは、フォトレジストを硬化させることになり、形成される構
造の側壁に有機金属化合物および他の残留物を形成することになる。ウェーハを
処理する間、ヒドロキシルアミンを含んで構成される反応性ストリッパー溶液は
、金属配線後の段階において、プラズマエッチトリートメントの後に残されたレ
ジスト残留物及び堆積物を除去するのに用いられる。これらのプロセスにおいて
好適な反応性ストリッパー溶液の例は、出願人の米国特許第５，２７９，７７１
号及び第５，３３４，３３２号に開示されている。しかしながら、ヒドロキシル
アミンはまた、化学攻撃を開始し、それによりチタン層の腐食が始まる。
【０００６】 カテコールは、以前よりヒドロキシルアミンを安定化させるため、ある反応性
ストリッパーに添加されており、カテコールを添加するとチタン腐食の抑制に有
益な作用があることが分かっていた。カテコール作用の態様は知られていなかっ
たが、カテコールは、固体と結合することにより、接触面におけるｐＨに影響を
与えることにより、あるいはその両方により、表面反応性を減少させると考えら
れる。
【０００７】 カテコールはある程度チタン腐食を抑制するけれども、改善された抑制材を提
供することは有利である。さらに、カテコールの毒性は他の抑制剤の同定を望ま
しいものとしている。したがって、第一の実施形態においては、本発明は基板か
らレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するための合成物を
提供し、該合成物はヒドロキシルアミン又はその派生物と、以下に示される一般
式（Ｉ）を有する少なくとも１つの化合物と、を含んで構成される。
【化５】
【０００８】 ここで、Ｒ１及びＲ３はいずれも独立してＨ，ＯＨ，ＣＯ２Ｈ，ハロゲン、Ｃ１ −Ｃ３アルキル，Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択され、
ｎは１，２又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６アルコ
キシから選択される。
【０００９】 望ましくは、Ｒ２はＣ９，Ｃ１０，Ｃ１１又はＣ１２アルキルから選択され、
あるいはＣ９，Ｃ１０，Ｃ１１又はＣ１２アルコキシから選択される。
【００１０】 本発明による合成物は、半導体集積回路の製造においてレジスト材料を除去す
るためのストリップ合成物として特に有用である。本発明の合成物により除去さ
れてよいレジスト材料はポジティブフォトレジストを含み、該ポジティブフォト
レジストは、例えばｏ−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、又はノボラ
ック型結合材又は樹脂を伴うアミド鋭感材を含んで構成される。合成物は、例え
ば、ポリイミド、フラズマエッチングプロセスの間に基板上に形成される有機金
属重合体、側壁の高分子材料及び金属酸化残留物を含んで構成される硬化及び非
硬化重合体残留物を除去するのに用いられてもよい。
【００１１】 本発明による化合物は、半導体集積回路の製造においてエッチング残留物を除
去するためのクリーニング合成物として用いられてもよい。
【００１２】 適切な基板の例には、チタン、及びチタン／タングステン、チタン／アルミニ
ウム、チタン／銅、チタン／タングステン／アルミニウム、チタン／銅／アルミ
ニウム、チタン／タングステン／銅、及びチタン／タングステン／銅／アルミニ
ウムのようなチタン合金を含んで構成される金属基板が含まれる。基板はまた、
例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成さ
れてもよい。適当な基板の例は半導体工業においてよく知られており、シリコン
、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ガリウム砒素及びポリカーボネートのようなプラス
チックを含み、その表面にチタン又はその合金を含んで構成される部分を少なく
とも有する。
【００１３】 本発明による合成物においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、好ましくは
３，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ
−デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３
，４，５−トリヒドロキシ−ドデシルニル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒ
ドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される。
【００１４】 合成物は有利には、さらに薬液（ソルベント）、例えば極性溶媒を含んで構成
され、好ましくはヒドロキシルアミンと混和性がある。適切な例としては、アル
カノールアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレング
リコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル（例えばジ
エチレングリコールブチルエーテル）、トリエチレングリコールアルキルエーテ
ル（例えばトリエチレングリコールブチルエーテル）、プロピレングリコール、
プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエー
テル（例えばジプロピレングリコールエチルエーテル）、トリプロピレングリコ
ールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン（例えばＮ−メチル−２−ピロリド
ン）、エチレンジアミン、エチレントリアミン、ジエチレントリアミン、ジメチ
ルホルムアミド及びジメチルアセトアミドのうち１又はそれ以上から選択された
薬液が含まれる。最も好ましい薬液はアルカノールアミンである。薬液を加える
と、特に基板からレジスト材料を除去するためのストリップ合成物として用いら
れるとき、合成物の硬化を強化する。
【００１５】 好ましい実施形態においては、合成物は少なくとも５ｗｔ％のヒドロキシルア
ミン、少なくとも１０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般
式（Ｉ）を有する０．５〜３０ｗｔ％（好ましくは２〜３０ｗｔ％）の１又はそ
れ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記薬液のうち１又はそれ以上からな
る（最も好ましいのは水及び／又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方で
ある）。さらに好ましくは、合成物は１０〜７０ｗｔ％のヒドロキシルアミン、
３０〜６０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミン、及び一般式（Ｉ）を
有する５〜１５ｗｔ％の１又はそれ以上の化合物を含んで構成され、残りは上記
薬液のうちいずれから構成される（最も好ましいのは水及び／又はジメチルスル
ホキシドのうち一方又は両方である）。本発明において用いるのに適切なヒドロ
キシルアミンはＮＨ２ＯＨ構造を有する。それは日信化学工業株式会社から市販
水溶液（約５０ｗｔ％）の形態で便利に提供されている。ヒドロキシルアミンの
派生物、例えばその塩もまた用いられてよい。
【００１６】 本発明において用いるのに適したアルカノールアミンは、好ましくはヒドロキ
シルアミンと混和性があり、好ましくは水溶性である。加えて、本発明において
有用なアルカノールアミンは、好ましくは比較的高い、好ましくは７５℃又はそ
れ以上の沸点を有する。適切なアルカノールアミンは第１，第２又は第３アミン
であり、好ましくはモノアミン、ジアミン又はトリアミンであり、最も好ましく
はモノアミンである。アルカノールアミンのアルコール群は、好ましくは１〜６
個の炭素原子を有し、直鎖状、側鎖状又は環状アルコールを基礎とする。
【００１７】 本発明による合成物において用いるのに好適なアルカノールアミンは下記化学
式によって表される。 Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ３
【００１８】 ここで、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立してＨ、ＣＨ３、ＣＨ３ＣＨ２、又はＣ
Ｈ３ＣＨ２ＯＨであり、Ｒ３はＣＨ３ＣＨ２ＯＨである。
【００１９】 適当なアルカノールアミンの例は、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、第３ブチルジエタノールアミン、イソプロパノール
アミン、ジイソプロパノールアミン、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミ
ノ−１−プロパノール、イソブタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エ
タノール（ジグリコールアミン）、２−（２−アミノエトキシ）プロパノール及
び１−ヒドロキシ−２−アミノベンゼンを含む。
【００２０】 ストリップ溶液として用いるのに特に好ましい合成物は、約３７ｗｔ％のヒド
ロキシルアミン溶液（重量比５０：５０ ヒドロキシルアミン：水）、約６３ｗ
ｔ％のジグリコールアミン、及び上記一般式（Ｉ）を有するとともに約０．２Ｍ
の濃度となるよう添加された１又はそれ以上の化合物からなる薬液から構成され
る。
【００２１】 本発明はまた、チタン又はその合金を含んで構成される基板からレジスト、高
分子材料及び／又はエッチング残留物を除去する方法を提供し、該方法は基板か
らレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するのに十分なだけ
の温度及び時間で上記合成物を基板に接触させることを含む。
【００２２】 温度は好ましくは２０〜１５０℃の範囲であり、さらに好ましくは６０〜７０
℃であり、一方、接触時間は好ましくは２〜６０分の範囲であり、さらに好まし
くは２〜２０分であり、さらに好ましくは２〜５分である。プロセスは、一般的
には大気圧において実行されるであろう。適当な基板は上記されており、例えば
その表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含む。
【００２３】 プロセスはさらに、基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留
物を実質的に除去する適切なリンス合成物を用いて基板をリンスするステップを
含んでよい。好ましくは、リンス合成物は２〜５の範囲のｐＨを有する極性溶媒
又は水溶液を含んで構成される。適切なリンス合成物の例には、イソプロピルア
ルコール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、希釈クエン酸及び／
又は希釈酢酸が含まれる。あるいは、基板は、出願人の国際出願（ＷＯ９８／３
６０４５）に記述されたリンス合成物を用いてリンスされてもよい。これらの合
成物は一官能性、二官能性又は三官能性有機酸、及び緩衝量の第四アミン、水酸
化アンモニウム、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又は
ヒドラジン塩基を含んで構成される。リンス工程の後には水リンスが続いてよく
、好ましくは脱イオン（deionised）水リンスが続き、最終的には蒸気ＩＰＡ乾
燥のような乾燥工程が続く。
【００２４】 他の態様においては、本発明はチタン又はその合金を含んで構成される基板の
腐食を抑制する方法を提供し、該方法は下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選
択される１又はそれ以上の化合物に基板を接触させることを含む。
【化６】
【００２５】 ここで、Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン、Ｃ１ −Ｃ３アルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択され、ｎ
は１、２又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル、又はＣ９−Ｃ１６アルコ
キシから選択される。
【００２６】 好ましくは、Ｒ２はＣ９、Ｃ１０、Ｃ１１又はＣ１２アルキル、あるいはＣ９ 、Ｃ１０、Ｃ１１又はＣ１２アルコキシから選択される。
【００２７】 一般式（Ｉ）を有する化合物は、ヒドロキシルアミン又はその派生物を含んで
構成される合成物中に提供されもよく、あるいは上記薬液を含んで構成される合
成物中に提供されてもよい。
【００２８】 本発明による方法においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、好ましくは３
，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−
デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，
４，５−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキ
シ−トリデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択されてよい。
【００２９】 好ましくは、本発明による方法において、ヒドロキシルアミン又はその派生物
と、好ましくは上記の少なくとも１つのアルカノールアミンと、を含んで構成さ
れる合成物の構成成分として、一般式（Ｉ）を有する化合物が用いられる。この
ようなストリップ合成物及びクリーニング合成物の例は上記されている。適切な
基板もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はその合金を有する半導
体ウェーハを含む。
【００３０】 本発明はさらに、下記一般式（Ｉ）を有する化合物をストリップ合成物又はク
リーニング合成物において用い、基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッ
チング残留物を除去することを提供し、前記基板はチタン又はその合金を含んで
構成される。
【化７】
【００３１】 ここにおいて、Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン
、Ｃ１−Ｃ３アルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択さ
れ、ｎは１、２又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６ア
ルコキシから選択される。
【００３２】 好ましくは、Ｒ２はＣ９、Ｃ１０、Ｃ１１又はＣ１２アルキル、あるいはＣ９ 、Ｃ１０、Ｃ１１又はＣ１２アルコキシから選択される。
【００３３】 この態様においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、最も好ましくは、３，
４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−デ
シル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，４
，５−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキシ
−トリデシル−ベンゼンから選択される。
【００３４】 本発明はまた、下記一般式（Ｉ）を有する化合物をストリップ合成物又はクリ
ーニング合成物における腐食抑制剤として用い、チタン又はその合金を含んで合
成される基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去する
ことを提供する。
【化８】
【００３５】 ここにおいて、Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン
、Ｃ１−Ｃ３アルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択さ
れ、ｎは１、２又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６ア
ルコキシから選択される。
【００３６】 好ましくは、Ｒ２はＣ９、Ｃ１０、Ｃ１１又はＣ１２アルキル、あるいはＣ９ 、Ｃ１０、Ｃ１１又はＣ１２アルコキシから選択される。
【００３７】 この態様においては、一般式（Ｉ）を有する化合物は、好ましくは、３，４，
５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−デシル
−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン、３，４，５
−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒドロキシ−ト
リデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される。
【００３８】 ストリップ合成物及びクリーニング合成物の例は上記されている。適切な基板
もまた上記されており、例えばその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体
ウェーハを含む。
【００３９】 本発明はここで、下記実験を参照して記述される。
【００４０】実施例 材料： チタンで被覆されたウェーハは国際ウェーハサービスから入手された。３，４
，５−トリヒドロキシ−ｎ−アルキル−ベンゼン化合物は、下記の一般反応図に
より合成された。
【化９】
【００４１】 浄化： 試験された全ての腐食抑制剤は、原子吸収スペクトルを用いたカルシウムの追
跡により解析された。カルシウム信号は標準的なメタノール溶液のそれと比較さ
れた。看過できないほどのカルシウムを含んだ抑制剤は、カルシウムのレベルが
２ｐｐｍ以下となるまでイオン交換カラム（Ｄｏｗｅｘ ５０ＷＸ８）を通過さ
せることによって浄化された。
【００４２】 チタン膜の厚さの計測： 金属層の厚さはその伝導度に直接関係している。それ故、膜の抵抗値は４点プ
ローブ（Ｋｅｉｔｈｅｒ ２０１０）を用いて決定され、伝導度は厚さの計測と
して取得された。
【００４３】 腐食研究： 試験において用いられた腐食性溶剤は、３５ｗｔ％の水性ヒドロキシルアミン
溶液（５０：５０ ヒドロキシルアミン：水）及び６０ｗｔ％ジグリコールアミ
ンを含んでいる。腐食抑制剤として試験された化合物は５％ ｗ／ｗの量だけ添
加された。
【００４４】 ２００ｎｍのチタンにより被覆されたシリコンウェーハ片は腐食性溶剤につる
され、定期的に膜の抵抗値を計測するために取り出された。抑制剤がない場合、
膜の伝導度は図１（点線）に示されるように、時間に対してリニアに減少した。
図１はまた、比較のため５％ ｗ／ｗのカテコールを腐食性溶剤に含ませたとき
（実線）の伝導度の変化を示している。カテコールは腐食の始まりを遅らせるこ
とが分かる。完全に膜を除去するのに要する時間はプロットとＸ軸との交点によ
って示される。抑制剤が存在する場合と抑制剤が存在しない場合とで、膜を除去
するのに要する時間差は、抑制時間（△ｔ）として参照される。カテコールに対
しては△ｔは約５５分である。薬液の温度は６５℃である。一連の３，４，５−
トリヒドロキシ−ｎ−アルキル−ベンゼン化合物に対する抑制時間は、同様にし
て計測された。図２は、抑制時間（分）対試験された化合物の分子量のプロット
を示している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 チタン膜の伝導度と、腐食性溶液（ヒドロキシルアミン／ジグリ
コールアミン）への露出時間及び腐食抑制剤（カテコール）を含む同腐食性溶剤
への露出時間と、のプロットである。
【図２】 抑制時間と、一連のｎ−アルキル置換腐食抑制剤の分子量と、の
プロットである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ， ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，Ｉ Ｓ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ， ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ， ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ホルムス ダグラス イギリス ブリッジ オブ ウィア ピー エー11 ３イーエイチ ボナー クレッセ ント ５ Ｆターム(参考） 4K057 DK10 DN01

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物
    を除去するための合成物であって、前記合成物はヒドロキシルアミン又はその派
    生物と、下記一般式（Ｉ）を有する少なくとも１つの化合物と、を含んで構成さ
    れ、 【化１】 Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ３ア
    ルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択され、ｎは１、２
    又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６アルコキシから選
    択される合成物。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の合成物において、Ｒ２はＣ９、Ｃ１０、Ｃ１１ 又はＣ１２アルキル、あるいはＣ９、Ｃ１０、Ｃ１１又はＣ１２アルコキシ
    から選択される合成物。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の合成物において、式（Ｉ）の化合物
    は、３，４，５−トリヒドロキシ−ノニル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロ
    キシ−デシル−ベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシ−アンデシル−ベンゼン
    、３，４，５−トリヒドロキシ−ドデシル−ベンゼン、及び３，４，５−トリヒ
    ドロキシ−トリデシル−ベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される合成物。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の合成物において、前記ヒ
    ドロキシルアミンは水溶液中に供給される合成物。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の合成物において、前記ヒドロキシルアミン
    は重量比（ヒドロキシルアミン：水）が約１：１である水溶液中に供給される合
    成物。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の合成物において、さらに
    ヒドロキシルアミン又はその派生物と混和性を有する薬液を含んで構成される合
    成物。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の合成物において、前記薬液は、アルカノー
    ルアミン、水、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、エチレングリコー
    ルアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレング
    リコールアルキルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールアル
    キルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリ
    コールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン、エチレンジアミン及びエチレン
    トリアミンのうち１又はそれ以上から選択される合成物。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の合成物において、少なくとも５ｗｔ％のヒ
    ドロキシルアミン、少なくとも１０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミ
    ン、及び前記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の合計
    で０．５〜３０ｗｔ％の化合物を含んで構成され、残りは１又はそれ以上の前記
    薬液から構成される合成物。
  9. 【請求項９】 請求項７又は８に記載の合成物において、１０〜７０ｗｔ％
    のヒドロキシルアミン、３０〜６０ｗｔ％の１又はそれ以上のアルカノールアミ
    ン、及び上記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそれ以上の全部
    で５〜１５ｗｔ％の化合物を含んで構成され、残りは１又はそれ以上の前記薬液
    から構成される合成物。
  10. 【請求項１０】 請求項８又は９に記載の合成物において、前記残りは水及
    び／又はジメチルスルホキシドのうち一方又は両方から選択される薬液からなる
    合成物。
  11. 【請求項１１】 請求項７乃至１０のいずれかに記載の合成物において、前
    記アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエ
    タノールアミン、第４ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジ
    イソプロパノールアミン、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プ
    ロパノール、イソブタノールアミン、２−アミノ−２−エトキシエタノール（ジ
    グリコールアミン）、２−アミノ−２−エトキシ−プロパノール及び１−ヒドロ
    キシ−２−アミノベンゼンのうち１又はそれ以上から選択される合成物。
  12. 【請求項１２】 チタン又はその合金を含んで合成される基板からレジスト
    、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去する方法であって、前記基板を
    、請求項１乃至１１のいずれかに記載の合成物に対し、前記基板からレジスト、
    高分子材料及び／又はエッチング残留物を実質的に除去するのに十分な温度及び
    時間にて接触させること含む方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の方法において、前記温度は２０〜１５
    ０℃の範囲である方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２又は１３に記載の方法において、前記時間は２
    〜６０分の範囲である方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１２乃至１４のいずれかに記載の方法において、前
    記基板はその表面にチタン又はチタン合金を有する半導体ウェーハを含んで構成
    される方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１２乃至１５のいずれかに記載の方法において、前
    記基板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を実質的に除去す
    るリンス合成物によって前記基板をリンスする工程を含む方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の方法において、前記リンス合成物は、
    ２〜５の範囲のｐＨを有する極性溶媒又は水溶液を含んで構成される方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１６又は１７に記載の方法において、前記リンス合
    成物は、イソプロピルアルコール、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリド
    ン、希釈クエン酸及び／又は希釈酢酸を含んで構成される方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１６に記載の方法において、前記リンス合成物は、
    一官能性、二官能性又は三官能性有機酸と、緩衝量の第４アミン、アンモニウム
    ヒドロキシド、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒ
    ドラジン塩基を含んで構成される方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１６乃至１９のいずれかに記載の方法において、前
    記リンスする工程には、水によるリンス及びその後の乾燥工程が続く方法。
  21. 【請求項２１】 チタン又はその合金を含んで構成される基板の腐食を抑制
    する方法であって、前記基板を下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される
    １又はそれ以上の化合物と接触させることを含み、 【化２】 Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ３ア
    ルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択され、ｎは１，２
    又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６アルコキシから選
    択される方法。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載の方法において、前記化合物は、ヒドロ
    キシルアミン又はその派生物を含んで構成される合成物中に供給される方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２１又は２２に記載の方法において、前記化合物は
    、薬液を含んで構成される合成物中に供給される方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２１乃至２３のいずれかに記載の方法において、前
    記化合物は、ヒドロキシルアミン又はその派生物と、前記ヒドロキシルアミンと
    混和性のある少なくとも１つのアルカノールアミンと、を含んで構成される合成
    物中に供給される方法。
  25. 【請求項２５】 下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそ
    れ以上の化合物を、合成物において、チタン又はその合金を含んで構成される基
    板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するために用い
    る方法であって、 【化３】 Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ３ア
    ルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択され、ｎは１、２
    又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６アルコキシから選
    択される方法。
  26. 【請求項２６】 下記一般式（Ｉ）を有する化合物から選択される１又はそ
    れ以上の化合物を、合成物における、チタン又はその合金を含んで構成される基
    板からレジスト、高分子材料及び／又はエッチング残留物を除去するための腐食
    抑制剤として用いる方法であって、 【化４】 Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＣＯ２Ｈ、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ３ア
    ルキル、Ｃ１−Ｃ３アルコキシ又は（ＣＨ２）ｎＯＨから選択され、ｎは１、２
    又は３であり、Ｒ２はＣ９−Ｃ１６アルキル又はＣ９−Ｃ１６アルコキシから選
    択される方法。
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