JP2003527958A - イオン伝導性セラミック膜及び表面処理 - Google Patents
イオン伝導性セラミック膜及び表面処理Info
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002285 corn oil Substances 0.000 description 1
- 235000005687 corn oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B13/00—Diaphragms; Spacing elements
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/22—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion
- B01D53/228—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by diffusion characterised by specific membranes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0081—After-treatment of organic or inorganic membranes
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- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
- B01D71/024—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/02—Preparation of oxygen
- C01B13/0229—Purification or separation processes
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- C01B13/0251—Physical processing only by making use of membranes
- C01B13/0255—Physical processing only by making use of membranes characterised by the type of membrane
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/10—Single element gases other than halogens
- B01D2257/104—Oxygen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2325/00—Details relating to properties of membranes
- B01D2325/26—Electrical properties
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、ガス例えば酸素に対して選択的透過性のイオン伝導性セラミック膜、及びかかる膜を処理して膜の透過性を向上させる方法を提供する。膜は、ガスのイオンが移行するところの物質の本体によって形成される。この本体は、それぞれガスの解離及びイオン化が起こりそしてガスイオンが電子を放出し再結合してそのガスの分子を形成するところの２つの対向表面を有する。該２つの対向表面のうちの少なくとも片方は、増大した面積を有する表面不規則部を生じさせ、かくして処理した表面の全表面積の増加を生ぜしめてガスの透過性を向上させるために表面物質の除去によって処理される。好ましくは、膜の両方の表面が化学エッチング技術によって処理されるけれども、サンドブラスチング及びイオンエッチングも本発明に従った他の可能な表面処理である。
Description
【０００１】発明の分野
本発明は、イオン伝導性セラミック膜、及び膜の透過速度を向上させるために
膜の対向表面の片方又は両方が処理される表面処理法に関する。特に、本発明は
、表面不規則性を向上させ、かくして表面積を増加させるために表面が処理され
たかかる膜及びその処理法に関する。
膜の対向表面の片方又は両方が処理される表面処理法に関する。特に、本発明は
、表面不規則性を向上させ、かくして表面積を増加させるために表面が処理され
たかかる膜及びその処理法に関する。
【０００２】発明の背景
各種ガス、例えば、酸素は、イオン伝導性セラミック膜の系によって空気又は
他の供給流れから分離されることができる。このようなセラミック膜は、５００
℃よりもかなり高い温度において、一般には約６００℃〜約１１００℃の範囲内
の温度においてイオン伝導性を示す。かかる膜の使用を取り巻く中心的な争点は
、膜を通るガスの輸送速度がその分離を経済的に魅力的にするのに十分な速度で
行われなければならないことである。
他の供給流れから分離されることができる。このようなセラミック膜は、５００
℃よりもかなり高い温度において、一般には約６００℃〜約１１００℃の範囲内
の温度においてイオン伝導性を示す。かかる膜の使用を取り巻く中心的な争点は
、膜を通るガスの輸送速度がその分離を経済的に魅力的にするのに十分な速度で
行われなければならないことである。
【０００３】
例えば、酸素の分離に有用なセラミック膜材料は一般には混成伝導体であるが
、これらは、単相又は二重相のどちらの状態でも酸素イオン伝導性及び電子伝導
性の両方を有している。膜の全酸素輸送速度の推進力は、その膜を横切って適用
される異なる酸素分圧である。膜は稠密で且つ気密であるので、酸素分子の直接
通過が阻止される。しかしながら、酸素イオンは、膜を選択的に通って移行する
ことができる。膜のカソード表面において酸素の解離及びイオン化が起こり、こ
こで表面電子状態の近くから電子が吸着される。酸素イオンの流束は、電子電荷
キャリヤの同時流束によって電荷が補償される。酸素イオンが膜の反対側のアノ
ード表面に達すると、個々のイオンはそれらの電子を放出し、そして再び再結合
して酸素分子を形成し、そしてこれらが透過物流れ中に放出される。
、これらは、単相又は二重相のどちらの状態でも酸素イオン伝導性及び電子伝導
性の両方を有している。膜の全酸素輸送速度の推進力は、その膜を横切って適用
される異なる酸素分圧である。膜は稠密で且つ気密であるので、酸素分子の直接
通過が阻止される。しかしながら、酸素イオンは、膜を選択的に通って移行する
ことができる。膜のカソード表面において酸素の解離及びイオン化が起こり、こ
こで表面電子状態の近くから電子が吸着される。酸素イオンの流束は、電子電荷
キャリヤの同時流束によって電荷が補償される。酸素イオンが膜の反対側のアノ
ード表面に達すると、個々のイオンはそれらの電子を放出し、そして再び再結合
して酸素分子を形成し、そしてこれらが透過物流れ中に放出される。
【０００４】
非孔質セラミック膜を通る透過速度は、２つの大きな因子、即ち、（１）膜内
の固体状態イオン輸送速度及び（２）膜のどちらかの側においてのイオン表面交
換速度によって制御される。分離しようとするガスの流束は、通常、膜の厚さを
その厚さが臨界値に達するまで減少させることによって増大されることができる
。臨界値よりも上では、流束は、イオン表面交換反応速度及び固体状態イオン輸
送速度の両方によって制御される。臨界厚さよりも下では、酸素流束は、そのイ
オン表面交換速度によって主に支配される。それ故に、薄い膜ほど、それらの固
体状態イオン輸送速度が厚い膜よりも高いので望ましい。しかしながら、薄い膜
の低いイオン表面交換速度（即ち、輸送速度に対する高い表面抵抗性）ほど、全
成分輸送速度においてより支配的になる。膜の両方の表面において分離しようと
する分子をイオンに又はその逆に転化する際に係わる各種の機構から表面抵抗が
発生する。
の固体状態イオン輸送速度及び（２）膜のどちらかの側においてのイオン表面交
換速度によって制御される。分離しようとするガスの流束は、通常、膜の厚さを
その厚さが臨界値に達するまで減少させることによって増大されることができる
。臨界値よりも上では、流束は、イオン表面交換反応速度及び固体状態イオン輸
送速度の両方によって制御される。臨界厚さよりも下では、酸素流束は、そのイ
オン表面交換速度によって主に支配される。それ故に、薄い膜ほど、それらの固
体状態イオン輸送速度が厚い膜よりも高いので望ましい。しかしながら、薄い膜
の低いイオン表面交換速度（即ち、輸送速度に対する高い表面抵抗性）ほど、全
成分輸送速度においてより支配的になる。膜の両方の表面において分離しようと
する分子をイオンに又はその逆に転化する際に係わる各種の機構から表面抵抗が
発生する。
【０００５】
従来技術には、稠密セラミック膜材料に多孔質二重相混成伝導体被覆又は多孔
質単相混成伝導体被覆のどちらかを含有する相を加えてその流束を向上させるこ
とによってイオン表面交換速度の向上を図るような多くの参考文献及び開示が存
在している。
質単相混成伝導体被覆のどちらかを含有する相を加えてその流束を向上させるこ
とによってイオン表面交換速度の向上を図るような多くの参考文献及び開示が存
在している。
【０００６】
例えば、ワイ・テラオカ氏他は、“J. Ceram. Soc. Jpn. Inter. Ed.”, Vol.
97, Nos.4 and 5, PP. 523-529 (1989) において、多孔質混成伝導性支持体上に
稠密混成伝導性酸化物層を付着させることによって形成されたガス分離膜を開示
している。懸濁液噴霧付着技術を使用して混成伝導性酸化物層を付着させる例で
は、得られた薄手フィルム要素は、付着層を有しない稠密焼結試料よりも酸素透
過速度の２倍の向上を示した。同様に、米国特許５２４０４８０は、優秀な酸素
流束を示す多層複合固体状態膜であって、多成分金属酸化物多孔質層及び稠密層
を含むものを開示している。
97, Nos.4 and 5, PP. 523-529 (1989) において、多孔質混成伝導性支持体上に
稠密混成伝導性酸化物層を付着させることによって形成されたガス分離膜を開示
している。懸濁液噴霧付着技術を使用して混成伝導性酸化物層を付着させる例で
は、得られた薄手フィルム要素は、付着層を有しない稠密焼結試料よりも酸素透
過速度の２倍の向上を示した。同様に、米国特許５２４０４８０は、優秀な酸素
流束を示す多層複合固体状態膜であって、多成分金属酸化物多孔質層及び稠密層
を含むものを開示している。
【０００７】
米国特許４７９１０７９は、２つの層よりなる触媒セラミック膜の使用によっ
て透過側界面ガス交換の反応速度を向上させることを教示している。これらの層
は、不透過性の混成イオン及び電子伝導性セラミック層と、多孔質の触媒含有イ
オン伝導性セラミック層である。米国特許５７２３０３５は、金属、金属酸化物
又はそれらの組み合わせの多孔質被覆を使用して供給側界面流体交換の反応速度
、透過側界面交換の反応速度又は両者を向上させることを例示している。
て透過側界面ガス交換の反応速度を向上させることを教示している。これらの層
は、不透過性の混成イオン及び電子伝導性セラミック層と、多孔質の触媒含有イ
オン伝導性セラミック層である。米国特許５７２３０３５は、金属、金属酸化物
又はそれらの組み合わせの多孔質被覆を使用して供給側界面流体交換の反応速度
、透過側界面交換の反応速度又は両者を向上させることを例示している。
【０００８】
米国特許５９３８８２２は、稠密二重相電子混成伝導性膜及び多孔質二重相電
子混成伝導体又は多孔質単相混成伝導体被覆より構成される膜を開示している。
この多孔質被覆は、ガス状種に係わる表面反応の速度を向上させために膜の２つ
の対向表面のうちの少なくとも片方に付着される。空気側でのこの表面変性は、
酸素解離のための表面積を向上させることによってイオン表面交換反応速度を向
上させている。
子混成伝導体又は多孔質単相混成伝導体被覆より構成される膜を開示している。
この多孔質被覆は、ガス状種に係わる表面反応の速度を向上させために膜の２つ
の対向表面のうちの少なくとも片方に付着される。空気側でのこの表面変性は、
酸素解離のための表面積を向上させることによってイオン表面交換反応速度を向
上させている。
【０００９】
上記の説明から、従来技術の膜のすべては、イオン表面交換反応速度を向上さ
せるために、かくして膜を通る酸素透過速度を向上させるために多層膜を形成す
ることを包含していることが明らかである。以下で説明するように、本発明では
、膜のイオン表面交換反応速度を向上させるために、従来技術よりも実施が複雑
でない表面処理が使用される。何故ならば、それは、追加的な膜層の適用に依存
しないからである。
せるために、かくして膜を通る酸素透過速度を向上させるために多層膜を形成す
ることを包含していることが明らかである。以下で説明するように、本発明では
、膜のイオン表面交換反応速度を向上させるために、従来技術よりも実施が複雑
でない表面処理が使用される。何故ならば、それは、追加的な膜層の適用に依存
しないからである。
【００１０】発明の概要
本発明は、選択したイオンに対して選択的透過性のイオン伝導性セラミック膜
を提供する。本発明に従えば、セラミック膜は、セラミック膜を形成しそしてガ
スイオンが移行するところの物質の本体を有する。この本体は、それぞれガスの
解離及びイオン化が起こりそしてガスイオンが電子を放出し再結合してそのガス
の分子を形成するところの２つの対向表面を有する。セラミック膜を通るガスの
透過性を向上させるためにこの２つの対向表面のうちの少なくとも片方が処理さ
れる。これは、表面材料を除去して増大した面積を有する表面不規則部を生じさ
せること、かくして、処理された表面の全表面積の増加を生ぜしめることによっ
て達成される。これに関して、表現「表面不規則部」を本明細書において使用す
るときには、それは、平滑な規則表面からそれた表面のすべての測定可能な不規
則部を意味する。例えば、セラミックの表面は、電子顕微鏡によって提供するこ
とができるタイプの拡大下に調べると、超顕微鏡的なうね及び空隙を示す。本発
明の処理は、不規則部を増加し、及び／又は増大した深さの不規則部を増加し、
及び／又は処理の前に存在した不規則部の深さを増大し、その結果として表面不
規則部は増大した表面積を提供する。表面積の増大は、膜の全表面積の増加につ
ながる。これに関して、用語「全表面積」を本明細書において使用するときには
、それは、外形的な表面積の他に、表面不規則部のうねや空隙によって寄与され
る追加的な面積を含めた表面の面積を意味する。
を提供する。本発明に従えば、セラミック膜は、セラミック膜を形成しそしてガ
スイオンが移行するところの物質の本体を有する。この本体は、それぞれガスの
解離及びイオン化が起こりそしてガスイオンが電子を放出し再結合してそのガス
の分子を形成するところの２つの対向表面を有する。セラミック膜を通るガスの
透過性を向上させるためにこの２つの対向表面のうちの少なくとも片方が処理さ
れる。これは、表面材料を除去して増大した面積を有する表面不規則部を生じさ
せること、かくして、処理された表面の全表面積の増加を生ぜしめることによっ
て達成される。これに関して、表現「表面不規則部」を本明細書において使用す
るときには、それは、平滑な規則表面からそれた表面のすべての測定可能な不規
則部を意味する。例えば、セラミックの表面は、電子顕微鏡によって提供するこ
とができるタイプの拡大下に調べると、超顕微鏡的なうね及び空隙を示す。本発
明の処理は、不規則部を増加し、及び／又は増大した深さの不規則部を増加し、
及び／又は処理の前に存在した不規則部の深さを増大し、その結果として表面不
規則部は増大した表面積を提供する。表面積の増大は、膜の全表面積の増加につ
ながる。これに関して、用語「全表面積」を本明細書において使用するときには
、それは、外形的な表面積の他に、表面不規則部のうねや空隙によって寄与され
る追加的な面積を含めた表面の面積を意味する。
【００１１】
本発明は表面物質の除去を包含する表面処理であるので、本発明は、不規則部
が２つの対向する表面間を連続的に連通する程まで物質を除去することを意図し
ていないことを理解すべきである。更なる点は、処理済み膜の表面上のすべての
面が輸送のために必ずしも使用されないことである。本発明に従った処理によっ
て形成されたいくらかの領域は曲がりくねっているか又は極めて小さな規模であ
るので、ガス表面の相互作用は実際には阻害される。しかしながら、かかる領域
が酸素輸送速度に及ぼす影響は少ない。
が２つの対向する表面間を連続的に連通する程まで物質を除去することを意図し
ていないことを理解すべきである。更なる点は、処理済み膜の表面上のすべての
面が輸送のために必ずしも使用されないことである。本発明に従った処理によっ
て形成されたいくらかの領域は曲がりくねっているか又は極めて小さな規模であ
るので、ガス表面の相互作用は実際には阻害される。しかしながら、かかる領域
が酸素輸送速度に及ぼす影響は少ない。
【００１２】
有益には、２つの対向表面の両方とも処理することができる。本発明に従って
処理される膜の厚さは、２つの対向表面間で測定したときに好ましくは約１．０
ｍｍよりも大きくなくそしてより好ましくは約０．５ｍｍよりも大きくない。こ
の厚さが本発明の処理と組み合わさって、固体状態イオン輸送速度及びイオン表
面交換速度の両方を増大させることによって酸素の透過を最大限にする。
処理される膜の厚さは、２つの対向表面間で測定したときに好ましくは約１．０
ｍｍよりも大きくなくそしてより好ましくは約０．５ｍｍよりも大きくない。こ
の厚さが本発明の処理と組み合わさって、固体状態イオン輸送速度及びイオン表
面交換速度の両方を増大させることによって酸素の透過を最大限にする。
【００１３】
本発明は酸素選択性膜に限定されないけれども、選択したガスは酸素であって
よい。加えて、膜を構成する物質は、一般式： ［Ａ1-xＡ’x］［Ｃｏ1-y-zＢyＢ’z］Ｏ3-d ［式中、Ａは第ＩＩ族金属であるＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はそれらの混合物であり、
Ａ’は希土類金属及びランタニド又はアクチニド、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ
、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｕ又はこれらの混
合物であり、ＢはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ又はそれらの混合物であり、Ｂ’はＣｕ
、Ｎｉ又はそれらの混合物であり、ｘは０．００００１〜０．９であり、ｙは０
．００１〜０．９であり、ｚは０〜０．８であり、そしてｄは他の金属の原子価
によって決定され、そして立方晶ペロブスカイト相は空気中において約２５℃〜
約１０００℃の温度範囲にわたって実質上安定である］を有するペロブスカイト
であってよい。
よい。加えて、膜を構成する物質は、一般式： ［Ａ1-xＡ’x］［Ｃｏ1-y-zＢyＢ’z］Ｏ3-d ［式中、Ａは第ＩＩ族金属であるＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はそれらの混合物であり、
Ａ’は希土類金属及びランタニド又はアクチニド、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ
、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｕ又はこれらの混
合物であり、ＢはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ又はそれらの混合物であり、Ｂ’はＣｕ
、Ｎｉ又はそれらの混合物であり、ｘは０．００００１〜０．９であり、ｙは０
．００１〜０．９であり、ｚは０〜０．８であり、そしてｄは他の金属の原子価
によって決定され、そして立方晶ペロブスカイト相は空気中において約２５℃〜
約１０００℃の温度範囲にわたって実質上安定である］を有するペロブスカイト
であってよい。
【００１４】
他の面では、本発明は、選択したガスに対して選択的透過性のイオン伝導性セ
ラミック膜を処理してガスの透過性を向上させる方法を提供する。セラミック膜
には、ガスの解離及びイオン化が起こりそしてガスイオンが電子を放出し再結合
してそのガスの分子を形成するところの２つの対向表面が備えられる。本発明の
方法は、増大した面積を有する表面不規則部を生じさせるために、かくして処理
した表面の全表面積の増加を生ぜしめるためにセラミック膜の２つの対向表面の
うちの少なくとも片方から表面物質を除去することを包含する。
ラミック膜を処理してガスの透過性を向上させる方法を提供する。セラミック膜
には、ガスの解離及びイオン化が起こりそしてガスイオンが電子を放出し再結合
してそのガスの分子を形成するところの２つの対向表面が備えられる。本発明の
方法は、増大した面積を有する表面不規則部を生じさせるために、かくして処理
した表面の全表面積の増加を生ぜしめるためにセラミック膜の２つの対向表面の
うちの少なくとも片方から表面物質を除去することを包含する。
【００１５】
有益には、表面物質は、化学エッチング、サンドブラスチング又はイオン衝撃
によって除去されることができる。化学エッチングの場合には、表面物質は、２
つの表面のうちの片方又はそれ以上を約１０モル％〜約５０モル％の範囲内の濃
度を有するＨＮＯ3の水溶液に約１５分〜約２４時間の期間の間暴露し、次いで
その表面を空気中において約６００℃〜約９００℃の間で約１０〜約３０分の間
アニーリングすることによって除去される。有益には、２つの表面の両方とも処
理される。
によって除去されることができる。化学エッチングの場合には、表面物質は、２
つの表面のうちの片方又はそれ以上を約１０モル％〜約５０モル％の範囲内の濃
度を有するＨＮＯ3の水溶液に約１５分〜約２４時間の期間の間暴露し、次いで
その表面を空気中において約６００℃〜約９００℃の間で約１０〜約３０分の間
アニーリングすることによって除去される。有益には、２つの表面の両方とも処
理される。
【００１６】
特定の操作理論に拘束されることを望まないが、表面物質を除去しそして表面
積を増大させることによって、選択したガスに対するより多くの反応部位が形成
され、かくしてより高い流束が可能になると考えられる。本発明では、物質が被
覆によって適用されるよりもむしろ除去されるので、本発明は、従来技術におけ
るように他の層を処方して適用することなく達成されることができる。それ故に
、本発明は、従来技術の表面処理よりもはるかに複雑でなく又は費用がかからな
い改良された処理法を提供する。本発明の他の利益は、以下の説明で明らかにな
るであろう。
積を増大させることによって、選択したガスに対するより多くの反応部位が形成
され、かくしてより高い流束が可能になると考えられる。本発明では、物質が被
覆によって適用されるよりもむしろ除去されるので、本発明は、従来技術におけ
るように他の層を処方して適用することなく達成されることができる。それ故に
、本発明は、従来技術の表面処理よりもはるかに複雑でなく又は費用がかからな
い改良された処理法を提供する。本発明の他の利益は、以下の説明で明らかにな
るであろう。
【００１７】図面の簡単な説明
本明細書は本発明の内容を明確に指摘する請求の範囲で結論を下しているけれ
ども、本発明は、添付図面と関連させて考慮するとよりよく理解されると信じら
れる。
ども、本発明は、添付図面と関連させて考慮するとよりよく理解されると信じら
れる。
【００１８】
図１は、本発明に従って処理されなかったセラミック膜の表面の電子顕微鏡に
よって得られた画像の写真である。
よって得られた画像の写真である。
【００１９】
図２は、本発明に従って処理されたセラミック膜の表面の電子顕微鏡によって
得られた画像の写真である。
得られた画像の写真である。
【００２０】発明の具体的な説明
図１及び２は、未処理表面及び処理表面をそれぞれ示す。図１を説明すると、
黒色領域は表面空隙であり、その空隙を包囲する白色の線状領域はうねであり、
そして灰色の領域は比較的平滑な特徴のない領域である。図１において、未処理
表面は、平滑な特徴のない領域及びうねとうねとの間に形成されたいくらかの空
隙より主として構成されることが分かる。図２の処理表面は本発明の処理によっ
て浸蝕されており、そして未処理表面よりも多くの空隙及びうねを持つ一層多く
の不規則表面を有している。更に、図２の空隙は、図１のものよりも深い。この
ようなより大きく且つより深い表面不規則性の故に、処理表面は未処理表面より
も大きな全表面積を示す。先に記載したように、このより大きい全表面積は、よ
り高いイオン表面交換速度を提供し、それ故に未処理膜よりも大きい透過速度の
可能性を提供する。
黒色領域は表面空隙であり、その空隙を包囲する白色の線状領域はうねであり、
そして灰色の領域は比較的平滑な特徴のない領域である。図１において、未処理
表面は、平滑な特徴のない領域及びうねとうねとの間に形成されたいくらかの空
隙より主として構成されることが分かる。図２の処理表面は本発明の処理によっ
て浸蝕されており、そして未処理表面よりも多くの空隙及びうねを持つ一層多く
の不規則表面を有している。更に、図２の空隙は、図１のものよりも深い。この
ようなより大きく且つより深い表面不規則性の故に、処理表面は未処理表面より
も大きな全表面積を示す。先に記載したように、このより大きい全表面積は、よ
り高いイオン表面交換速度を提供し、それ故に未処理膜よりも大きい透過速度の
可能性を提供する。
【００２１】
図２に示される表面は、化学エッチングによって処理された。化学エッチング
は、膜を希薄酸、例えばＨＮＯ3、ＨＣＬ、Ｈ2ＳＯ4などに浸漬することによっ
て達成することができる。例えば、膜は、好ましくは、処理しようとする特定の
膜を構成する物質に依存して約１０モル％〜約５０モル％の濃度を有するＨＮＯ 3 の水溶液中に約１０分〜約２４時間の期間の間浸漬することができる。エッチ
ング後、膜は、残留する酸を除去するためにエタノールの如き溶剤で洗浄され、
そして空気中において約６００℃〜約９００℃の温度で約１０分〜約３０分の期
間の間アニーリングされる。
は、膜を希薄酸、例えばＨＮＯ3、ＨＣＬ、Ｈ2ＳＯ4などに浸漬することによっ
て達成することができる。例えば、膜は、好ましくは、処理しようとする特定の
膜を構成する物質に依存して約１０モル％〜約５０モル％の濃度を有するＨＮＯ 3 の水溶液中に約１０分〜約２４時間の期間の間浸漬することができる。エッチ
ング後、膜は、残留する酸を除去するためにエタノールの如き溶剤で洗浄され、
そして空気中において約６００℃〜約９００℃の温度で約１０分〜約３０分の期
間の間アニーリングされる。
【００２２】
具体的に言えば、図１及び２は、Ｌａ0.2Ｓｒ0.8Ｃｒ0.2Ｆｅ0.8Ｍｇ0.01Ｏ3
（“ＬＳＣＦＭ”）より形成されたクーポンを示す。図２に示されるクーポンは
、ＨＮＯ3溶液（３０モル％濃度）に約２４時間暴露することによってエッチン
グされた。クーポンをエタノールで洗浄した後、このクーポンを空気中において
約９００℃の温度で約３０分間の期間の間アニーリングした。ＬＳＣＦＭに対す
るエッチング作用は、Ｆｅ及びＣｒ元素が酸溶液中に溶解したことに主としてよ
るものであったと考えられる。その円板の両面に関するＥＤＳデータは、極めて
類似したＬＳＣＦＭ元素組成を示した。ＬＳＣＦＭは、もしもエッチングを放置
して延長した時間の間及び／又は強酸溶液の下に継続するならば元素組成を変え
るために過エッチング（ＳｒＯに富む表面の場合）されることができると言われ
ている。
（“ＬＳＣＦＭ”）より形成されたクーポンを示す。図２に示されるクーポンは
、ＨＮＯ3溶液（３０モル％濃度）に約２４時間暴露することによってエッチン
グされた。クーポンをエタノールで洗浄した後、このクーポンを空気中において
約９００℃の温度で約３０分間の期間の間アニーリングした。ＬＳＣＦＭに対す
るエッチング作用は、Ｆｅ及びＣｒ元素が酸溶液中に溶解したことに主としてよ
るものであったと考えられる。その円板の両面に関するＥＤＳデータは、極めて
類似したＬＳＣＦＭ元素組成を示した。ＬＳＣＦＭは、もしもエッチングを放置
して延長した時間の間及び／又は強酸溶液の下に継続するならば元素組成を変え
るために過エッチング（ＳｒＯに富む表面の場合）されることができると言われ
ている。
【００２３】
化学エッチングを使用する表面処理は、膜の製造中に導入された混在物又は望
まれない第二相を除去するのを補助することもできることに注目されたい。これ
は、特に、管の形成に使用される押出プロセスによって管の表面上にいくらかの
混在物を通常含有する環状形態の膜の場合に重要である。更に、焼成後に膜の表
面上か又は粒界のどちらかに、有機溶剤、バインダー、可塑剤、滑剤及び未加工
の付形物を形成する際に使用した他の成形剤、並びにナトリウム、珪素、硫黄な
どの如き無機不純物を見い出すことができる。このような不純物は膜を通る酸素
輸送速度を強く阻害し、従って、本発明の表面処理は、かかる不純物を除去して
膜の性能を向上させるのを補助する。本発明に従った処理の更なる利益は、表面
の増加した粗さが後被覆、触媒又は触媒活性成分の付設に対してより良好な表面
を提供することである。
まれない第二相を除去するのを補助することもできることに注目されたい。これ
は、特に、管の形成に使用される押出プロセスによって管の表面上にいくらかの
混在物を通常含有する環状形態の膜の場合に重要である。更に、焼成後に膜の表
面上か又は粒界のどちらかに、有機溶剤、バインダー、可塑剤、滑剤及び未加工
の付形物を形成する際に使用した他の成形剤、並びにナトリウム、珪素、硫黄な
どの如き無機不純物を見い出すことができる。このような不純物は膜を通る酸素
輸送速度を強く阻害し、従って、本発明の表面処理は、かかる不純物を除去して
膜の性能を向上させるのを補助する。本発明に従った処理の更なる利益は、表面
の増加した粗さが後被覆、触媒又は触媒活性成分の付設に対してより良好な表面
を提供することである。
【００２４】
化学エッチングの他に、サンドブラスチング及びイオン衝撃のようないくつか
の他の潜在的な表面処理を使用することもできる。サンドブラスチングは、処理
しようとする膜の表面を砂（ＳｉＯ2）の小さい粒子で浸蝕させることを包含す
る。イオン衝撃は、処理しようとする膜の表面を真空室内でアルゴンの如きイオ
ン化した不活性ガスの加速イオンに曝すことを包含する。サンドブラスチング及
びイオン衝撃プロセスは、膜の外面のみを処理することができることを理解され
たい。また、化学エッチングは、膜の内面例えば環状形態の膜の内面を処理する
こともできる。
の他の潜在的な表面処理を使用することもできる。サンドブラスチングは、処理
しようとする膜の表面を砂（ＳｉＯ2）の小さい粒子で浸蝕させることを包含す
る。イオン衝撃は、処理しようとする膜の表面を真空室内でアルゴンの如きイオ
ン化した不活性ガスの加速イオンに曝すことを包含する。サンドブラスチング及
びイオン衝撃プロセスは、膜の外面のみを処理することができることを理解され
たい。また、化学エッチングは、膜の内面例えば環状形態の膜の内面を処理する
こともできる。
【００２５】
未処理表面よりも大きい全表面積を生ぜしめるために膜のどちらの側を処理す
ることもできるが、しかしながら、本発明が企図する透過性の向上を得るために
は少なくとも低圧側を処理することが好ましい。本発明に従った処理の後に、ア
ニーリング、空気又は還元ガスによる不動体化、触媒活性金属又は金属酸化物に
よる含浸などの如き更なる公知の処理を実施することができる。更に、本発明に
従えば、処理しようとする膜は特定の形態のものに限定されない。例えば、膜は
平面又は環状のどちらの形態でもよい。
ることもできるが、しかしながら、本発明が企図する透過性の向上を得るために
は少なくとも低圧側を処理することが好ましい。本発明に従った処理の後に、ア
ニーリング、空気又は還元ガスによる不動体化、触媒活性金属又は金属酸化物に
よる含浸などの如き更なる公知の処理を実施することができる。更に、本発明に
従えば、処理しようとする膜は特定の形態のものに限定されない。例えば、膜は
平面又は環状のどちらの形態でもよい。
【００２６】
先に記載したように、薄膜がそれらの高い固体状態イオン輸送速度の故に望ま
しい。しかしながら、膜厚が減少するにつれて、より低いイオン表面交換率が優
勢になる。本発明に従った処理はイオン表面交換率を上げるので、より薄い膜の
より高い固体状態イオン輸送率を達成することができる。これに関して、公知の
測定法から特徴的な膜厚を測定又は算定することができる。膜厚がその特徴的な
膜厚よりもずっと大きい場合には、固体状態イオン輸送率の影響が支配的になる
。他方、膜厚が特徴的な膜厚よりもずっと小さいときには、イオン表面交換が支
配的になる。特徴的な膜厚は、約０．１ｍｍ〜約１．０ｍｍの範囲内にある。そ
れ故に、本発明に従って処理される膜は、より高い固体状態イオン輸送率及びイ
オン表面交換率の両方を利用するためには好ましくは約０．１ｍｍよりも大きく
ない厚さそしてより好ましくは約０．５ｍｍよりも大きくない厚さを有するべき
である。しかしながら、本発明の適用は、透過性の有益な向上がより厚い膜にお
いてさえも可能であるという点で薄膜に限定されないことを理解すべきである。
しい。しかしながら、膜厚が減少するにつれて、より低いイオン表面交換率が優
勢になる。本発明に従った処理はイオン表面交換率を上げるので、より薄い膜の
より高い固体状態イオン輸送率を達成することができる。これに関して、公知の
測定法から特徴的な膜厚を測定又は算定することができる。膜厚がその特徴的な
膜厚よりもずっと大きい場合には、固体状態イオン輸送率の影響が支配的になる
。他方、膜厚が特徴的な膜厚よりもずっと小さいときには、イオン表面交換が支
配的になる。特徴的な膜厚は、約０．１ｍｍ〜約１．０ｍｍの範囲内にある。そ
れ故に、本発明に従って処理される膜は、より高い固体状態イオン輸送率及びイ
オン表面交換率の両方を利用するためには好ましくは約０．１ｍｍよりも大きく
ない厚さそしてより好ましくは約０．５ｍｍよりも大きくない厚さを有するべき
である。しかしながら、本発明の適用は、透過性の有益な向上がより厚い膜にお
いてさえも可能であるという点で薄膜に限定されないことを理解すべきである。
【００２７】
本発明に従った方法によってすべてのセラミック膜を改良することができるが
、しかし好ましい物質は、一般式： ［Ａ1-xＡ’x］［Ｃｏ1-y-zＢyＢ’z］Ｏ3-d ［式中、Ａは第ＩＩ族金属であるＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はそれらの混合物から選択
され、Ａ’は希土類金属及びランタニド又はアクチニド、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｕ又はこれ
らの混合物から選択され、ＢはＦｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ又はそれらの混合物
から選択され、Ｂ’はＣｕ、Ｎｉ又はそれらの混合物から選択され、ｘは０．０
０００１〜０．９であり、ｙは０．００１〜０．９であり、ｚは０〜０．８であ
り、そしてｄは他の金属の原子価によって決定され、そして立方晶ペロブスカイ
ト相は空気中において約２５℃〜約１０００℃の温度範囲にわたって実質上安定
である］を有するペロブスカイトとして知られる物質の群から選択することがで
きる。
、しかし好ましい物質は、一般式： ［Ａ1-xＡ’x］［Ｃｏ1-y-zＢyＢ’z］Ｏ3-d ［式中、Ａは第ＩＩ族金属であるＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はそれらの混合物から選択
され、Ａ’は希土類金属及びランタニド又はアクチニド、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｕ又はこれ
らの混合物から選択され、ＢはＦｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ又はそれらの混合物
から選択され、Ｂ’はＣｕ、Ｎｉ又はそれらの混合物から選択され、ｘは０．０
０００１〜０．９であり、ｙは０．００１〜０．９であり、ｚは０〜０．８であ
り、そしてｄは他の金属の原子価によって決定され、そして立方晶ペロブスカイ
ト相は空気中において約２５℃〜約１０００℃の温度範囲にわたって実質上安定
である］を有するペロブスカイトとして知られる物質の群から選択することがで
きる。
【００２８】
本発明に従って処理することができるセラミック膜の他の例を以下の表Ｉに記
載する。しかしながら、本発明の応用はこれらの物質組成のみに限定されず、理
論上、任意の選択的イオン伝導性セラミック膜を本発明の方法によって改良する
ことができることを理解されたい。例えば、混成伝導体よりのみなるもの以外の
稠密マトリックス物質も本発明によって改良することが意図されている。
載する。しかしながら、本発明の応用はこれらの物質組成のみに限定されず、理
論上、任意の選択的イオン伝導性セラミック膜を本発明の方法によって改良する
ことができることを理解されたい。例えば、混成伝導体よりのみなるもの以外の
稠密マトリックス物質も本発明によって改良することが意図されている。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】
本発明の方法で改良することができる他の膜としては、米国特許５１６０７１
３に記載される一般組成式ＢｉＡxＭyＭ’zＯn、米国特許４３３０６３３に記載
される一般組成式Ｃｏ（Ｓｒ，Ｌａ）（Ｓｉ，Ｃｅ）Ｏx及び米国特許４５７１
４４３に記載される一般式ＢｉＬａＭbＯxのＢｉ−基材物質が挙げられる。
３に記載される一般組成式ＢｉＡxＭyＭ’zＯn、米国特許４３３０６３３に記載
される一般組成式Ｃｏ（Ｓｒ，Ｌａ）（Ｓｉ，Ｃｅ）Ｏx及び米国特許４５７１
４４３に記載される一般式ＢｉＬａＭbＯxのＢｉ−基材物質が挙げられる。
【００３２】
一例として、ＬＳＣＦＭ管の２つの部分を準備した。１つの管は図２のクーポ
ンについて先に記載した態様で処理し、そして他の管は未処理のままにした。両
方の管とも長さ約７．９８ｃｍであり、そして同じ管から切断された。次いで、
管を空気の外部流れと、約４０容量％のメタン、５７容量％の窒素及び約３容量
％の水を含有する内部反応性パージとに暴露した。試験中の管の温度は約１００
０℃であった。処理した管は、２倍程の酸素流束の向上を示した。即ち、未処理
の管では約１．９ｓｃｃｍ／ｃｍ2の酸素流束、そして処理した管では約４．３
ｓｃｃｍ／ｃｍ2の酸素流束が示された。加えて、破裂試験データでは、処理し
た管の強度は低下せず、そして実際には向上したことが示された。これに関して
、未処理の管の最高圧は約５．７ｋｐｓｉであり、そして処理した管では約８．
１ｋｐｓｉであった。このような破裂試験は、管の各部分に室温で加圧液体トウ
モロコシ油を施すことによって行われた。
ンについて先に記載した態様で処理し、そして他の管は未処理のままにした。両
方の管とも長さ約７．９８ｃｍであり、そして同じ管から切断された。次いで、
管を空気の外部流れと、約４０容量％のメタン、５７容量％の窒素及び約３容量
％の水を含有する内部反応性パージとに暴露した。試験中の管の温度は約１００
０℃であった。処理した管は、２倍程の酸素流束の向上を示した。即ち、未処理
の管では約１．９ｓｃｃｍ／ｃｍ2の酸素流束、そして処理した管では約４．３
ｓｃｃｍ／ｃｍ2の酸素流束が示された。加えて、破裂試験データでは、処理し
た管の強度は低下せず、そして実際には向上したことが示された。これに関して
、未処理の管の最高圧は約５．７ｋｐｓｉであり、そして処理した管では約８．
１ｋｐｓｉであった。このような破裂試験は、管の各部分に室温で加圧液体トウ
モロコシ油を施すことによって行われた。
【００３３】
好ましい具体例を参照しながら本発明を説明したけれども、当業者には心に浮
かぶように、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに幾多の変更修正、追加及び削
除をなすことができよう。
かぶように、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに幾多の変更修正、追加及び削
除をなすことができよう。
【図１】
本発明に従って処理されなかったセラミック膜の表面の電子顕微鏡によって得
られた画像の写真である。
られた画像の写真である。
【図２】
本発明に従って処理されたセラミック膜の表面の電子顕微鏡によって得られた
画像の写真である。
画像の写真である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０４Ｂ 41/91 Ｃ０４Ｂ 41/91 Ｚ
Ｃ２５Ｂ 13/04 ３０１ Ｃ２５Ｂ 13/04 ３０１
Ｈ０１Ｍ 8/02 Ｈ０１Ｍ 8/02 Ｋ
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ
，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，
ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＥＡ(ＡＭ，Ａ
Ｚ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，Ａ
Ｅ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ
，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，
ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，Ｅ
Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ
，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，
ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ
Ｖ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ
，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，
ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｔ
Ｚ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 ウェイトュング ワーン
アメリカ合衆国 14051 ニューヨーク、
イースト アマスト、ティファニー プレ
イス 48
(72)発明者 ジャック シー．チャン
アメリカ合衆国 14068 ニューヨーク、
ゲッツビル、ディア リッジ ドライブ
123
(72)発明者 プラサード アプテ
アメリカ合衆国 14051 ニューヨーク、
イースト アマスト、チェシャー レイン
35
(72)発明者 テリー ジョーゼフ マザネック
アメリカ合衆国 60563 イリノイ、ネイ
パービル、ブルックデイル ロード
1626、アパートメント14
Ｆターム(参考） 4D006 GA41 MA02 MA03 MA31 MA40
MB19 MC03X NA54 NA63
PA01 PB62
4G042 BA30 BA31 BB02
5H026 AA06 CX05 EE13 HH03 HH05
Claims (13)
- 【請求項１】 選択したガスに対して選択的透過性のイオン伝導性セラミッ
ク膜であって、 セラミック膜を構成し、そしてガスイオンが移行するところの物質の本体、 を含むイオン伝導性セラミック膜において、 該本体は、それぞれ該ガスの解離及びイオン化が起こりそしてそのガスイオン
が電子を放出し再結合して該ガスの分子を形成するところの２つの対向表面を有
し、 該２つの対向表面のうちの少なくとも片方は、該ガスがセラミック膜を通る透
過性を向上させるために、表面物質の除去によって増大した面積の表面不規則部
を生じさせ、かくして、処理した表面の全表面積の増加を生ぜしめるように処理
されている、 ことからなるイオン伝導性セラミック膜。 - 【請求項２】 ２つの対向表面の両方が処理されている請求項１記載のイオ
ン伝導性膜。 - 【請求項３】 選択したガスが酸素である請求項１記載のイオン伝導性膜。
- 【請求項４】 ２つの対向表面間で測定したときの厚さが約１．０ｍｍより
も大きくない請求項１記載のイオン伝導性膜。 - 【請求項５】 ２つの対向表面間で測定したときの厚さが約０．５ｍｍより
も大きくない請求項１記載のイオン伝導性膜。 - 【請求項６】 物質が、一般式： ［Ａ1-xＡ’x］［Ｃｏ1-y-zＢyＢ’z］Ｏ3-d ［式中、Ａは第ＩＩ族金属であるＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はそれらの混合物であり、
Ａ’は希土類金属及びランタニド又はアクチニド、Ｌａ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ
、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｕ又はこれらの混
合物であり、ＢはＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ又はそれらの混合物であり、Ｂ’はＣｕ
、Ｎｉ又はそれらの混合物であり、ｘは０．００００１〜０．９であり、ｙは０
．００１〜０．９であり、ｚは０〜０．８であり、そしてｄは他の金属の原子価
によって決定され、そして立方晶ペロブスカイト相は空気中において約２５℃〜
約１０００℃の温度範囲にわたって実質上安定である］を有するペロブスカイト
からなる請求項１記載のイオン伝導性膜。 - 【請求項７】 ２つの対向表面の両方が処理されている請求項６記載のイオ
ン伝導性膜。 - 【請求項８】 ２つの対向表面間で測定したときの厚さが約１．０ｍｍより
も大きくない請求項７記載のイオン伝導性膜。 - 【請求項９】 ２つの対向表面間で測定したときの厚さが約０．５ｍｍより
も大きくない請求項７記載のイオン伝導性膜。 - 【請求項１０】 選定したガスに対して選択的透過性のイオン伝導性セラミ
ック膜であって、それぞれ該ガスの解離及びイオン化が起こりそしてそのガスイ
オンが電子を放出し再結合して該ガスの分子を形成するところの２つの対向表面
を有するセラミック膜を処理して該ガスの透過性を向上させる方法において、該
セラミック膜の２つの対向表面のうちの少なくとも片方から表面物質を除去して
増加した面積を有する表面不規則部を生じさせ、かくして処理した表面の全表面
積の増加を生ぜしめることを含むイオン伝導性セラミック膜の処理法。 - 【請求項１１】 表面物質が化学エッチング、サンドブラスチング又はイオ
ン衝撃によって除去される請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 表面物質が、２つの対向表面のうちの少なくとも片方を約
１０モル％〜約５０モル％の濃度を有するＨＮＯ3の水溶液に約１５分〜約２４
時間の期間の間暴露し、次いでその２つの表面のうちの少なくとも片方を空気中
において約６００℃〜約９００℃の範囲内の温度で約１０分〜約３０分の期間の
間アニーリングすることによって除去される請求項１０記載の方法。 - 【請求項１３】 ２つの対向表面の両方が処理される請求項１０記載の方法
。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/532,123 | 2000-03-21 | ||
| US09/532,123 US6264811B1 (en) | 2000-03-21 | 2000-03-21 | Ion conducting ceramic membrane and surface treatment |
| PCT/US2001/008379 WO2001071064A1 (en) | 2000-03-21 | 2001-03-15 | Ion conducting ceramic membrane and surface treatment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003527958A true JP2003527958A (ja) | 2003-09-24 |
| JP3746236B2 JP3746236B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=24120457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001569441A Expired - Fee Related JP3746236B2 (ja) | 2000-03-21 | 2001-03-15 | イオン伝導性セラミック膜及び表面処理 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6264811B1 (ja) |
| EP (1) | EP1266049A1 (ja) |
| JP (1) | JP3746236B2 (ja) |
| KR (1) | KR20030007458A (ja) |
| CN (1) | CN1222640C (ja) |
| AU (2) | AU4746601A (ja) |
| BR (1) | BR0109402A (ja) |
| CA (1) | CA2403459A1 (ja) |
| MX (1) | MXPA02009169A (ja) |
| MY (1) | MY133763A (ja) |
| WO (1) | WO2001071064A1 (ja) |
| ZA (1) | ZA200207486B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO312342B1 (no) * | 1998-05-20 | 2002-04-29 | Norsk Hydro As | En tett enfase membran med bade hoy ionisk og hoy elektronisk ledningsevne og anvendelse derav |
| US6514314B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-02-04 | Praxair Technology, Inc. | Ceramic membrane structure and oxygen separation method |
| US7125528B2 (en) * | 2002-05-24 | 2006-10-24 | Bp Corporation North America Inc. | Membrane systems containing an oxygen transport membrane and catalyst |
| US7122072B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Controlled heating and cooling of mixed conducting metal oxide materials |
| WO2007118237A2 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-18 | President And Fellows Of Harvard College | Nano-scale gas separation device utilizing thin film structures for hydrogen production |
| FR2922047A1 (fr) * | 2007-10-09 | 2009-04-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de texturation de l'electrolyte d'une pile a combustible |
| WO2013147271A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 日本碍子株式会社 | ハニカム形状セラミック多孔質体、その製造方法、及びハニカム形状セラミック分離膜構造体 |
| CN105214510B (zh) * | 2014-04-15 | 2017-05-03 | 纳米新能源（唐山）有限责任公司 | 基于摩擦发电的pm2.5滤膜及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH608957A5 (ja) | 1977-02-25 | 1979-02-15 | Leuthard Paul E | |
| US4272353A (en) * | 1980-02-29 | 1981-06-09 | General Electric Company | Method of making solid polymer electrolyte catalytic electrodes and electrodes made thereby |
| JPS6016518B2 (ja) * | 1980-07-31 | 1985-04-25 | 旭硝子株式会社 | イオン交換膜電解槽 |
| US4791079A (en) | 1986-06-09 | 1988-12-13 | Arco Chemical Company | Ceramic membrane for hydrocarbon conversion |
| US5723035A (en) | 1987-03-13 | 1998-03-03 | The Standard Oil Company | Coated membranes |
| US5591315A (en) * | 1987-03-13 | 1997-01-07 | The Standard Oil Company | Solid-component membranes electrochemical reactor components electrochemical reactors use of membranes reactor components and reactor for oxidation reactions |
| US5240480A (en) | 1992-09-15 | 1993-08-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composite mixed conductor membranes for producing oxygen |
| DE4241150C1 (de) * | 1992-12-07 | 1994-06-01 | Fraunhofer Ges Forschung | Elektrodenmembran-Verbund, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung |
| AU706663B2 (en) * | 1994-09-23 | 1999-06-17 | Standard Oil Company, The | Oxygen permeable mixed conductor membranes |
| KR100275822B1 (ko) | 1995-05-18 | 2000-12-15 | 조안 엠. 젤사 | 압력 구동식 고체전해질 막을 통한 가스분리방법(pressure driven solid electrolyte membrane gas separation method) |
| US5709732A (en) | 1996-04-02 | 1998-01-20 | Praxair Technology, Inc. | Advanced membrane system for separating gaseous mixtures |
| US5938822A (en) | 1997-05-02 | 1999-08-17 | Praxair Technology, Inc. | Solid electrolyte membrane with porous catalytically-enhancing constituents |
| US5888272A (en) | 1997-06-05 | 1999-03-30 | Praxair Technology, Inc. | Process for enriched combustion using solid electrolyte ionic conductor systems |
| US5837034A (en) | 1997-06-23 | 1998-11-17 | Praxair Technology, Inc. | Process for reducing carbon production in solid electrolyte ionic conductor systems |
| DE19839202B4 (de) * | 1997-08-29 | 2009-09-10 | Mitsubishi Materials Corp. | Leitfähige Substanz aus Mischoxidionen und deren Verwendung |
-
2000
- 2000-03-21 US US09/532,123 patent/US6264811B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-15 CA CA002403459A patent/CA2403459A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-15 JP JP2001569441A patent/JP3746236B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-15 WO PCT/US2001/008379 patent/WO2001071064A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-03-15 AU AU4746601A patent/AU4746601A/xx active Pending
- 2001-03-15 KR KR1020027011912A patent/KR20030007458A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-03-15 BR BR0109402-5A patent/BR0109402A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-03-15 EP EP01920409A patent/EP1266049A1/en not_active Withdrawn
- 2001-03-15 AU AU2001247466A patent/AU2001247466B2/en not_active Ceased
- 2001-03-15 MX MXPA02009169A patent/MXPA02009169A/es unknown
- 2001-03-15 CN CNB018068596A patent/CN1222640C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-19 MY MYPI20011274A patent/MY133763A/en unknown
-
2002
- 2002-09-18 ZA ZA200207486A patent/ZA200207486B/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MXPA02009169A (es) | 2004-09-10 |
| JP3746236B2 (ja) | 2006-02-15 |
| BR0109402A (pt) | 2003-06-03 |
| WO2001071064A1 (en) | 2001-09-27 |
| CN1222640C (zh) | 2005-10-12 |
| AU2001247466B2 (en) | 2005-07-28 |
| CN1418263A (zh) | 2003-05-14 |
| EP1266049A1 (en) | 2002-12-18 |
| US6264811B1 (en) | 2001-07-24 |
| CA2403459A1 (en) | 2001-09-27 |
| MY133763A (en) | 2007-11-30 |
| KR20030007458A (ko) | 2003-01-23 |
| AU4746601A (en) | 2001-10-03 |
| ZA200207486B (en) | 2003-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040401 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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