JP2003342778A - スズめっき浴、及び電子部品のめっき方法、並びに電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 広い電流密度範囲で被めっき物の電気特性と
はんだ濡れ性の双方を低コストで容易に満足することの
できるようにする。 【解決手段】 水素イオン指数ｐＨを２．０〜５．０に
調製すると共に、グルコン酸やグルコノラクトン等の錯
化剤を添加し、０．１〜２００Ａ／ｍ^２の広い電流密度
範囲で、スズの析出電位を、標準水素電極電位を基準に
−０．９Ｖ又は−０．９Ｖよりも電気化学的に貴な電位
とし、さらに炭素数が６〜１８のアルキル基とエチレン
オキサイドの付加モル総数が１２〜６０であるポリオキ
シエチレンアルキルアミン又はポリオキシエチレンアル
キルアミドを添加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はスズめっき浴、及び
電子部品のめっき方法、並びに電子部品に関し、より詳
しくは各種電子部品の電解めっき工程に使用されるスズ
めっき浴、及び該スズめっき浴を使用した電子部品のめ
っき方法、並びに該めっき方法を使用して製造された積
層コンデンサ等の電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】セラミックス素体の表面に電極が形成さ
れた電子部品では、通常、電極のはんだ濡れ性を向上さ
せるために電極表面にスズめっきが施されている。

【０００３】そして、スズめっき浴としては、従来よ
り、（ａ）第１スズ塩、（ｂ）グルコン酸、グルコヘプ
トン酸、これらのアルカリ金属塩、グルコノラクトン、
及びグルコヘプトノラクトンから成る群から選ばれる少
なくとも１種の化合物、及び（ｃ）界面活性剤を含有し
ためっき浴が既に知られている（特開昭５７−６３６８
９号公報）。

【０００４】該従来技術は、第１スズ塩にグルコン酸等
の錯化剤と界面活性剤とを適宜組み合わせたスズめっき
浴を用意し、該スズめっき浴を使用して電解めっきを施
すことにより、平滑で緻密な半光沢のめっき皮膜を得る
ようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の電解
スズめっきは、スズめっき浴中でのアノード及びカソー
ド間に流れる電流値とめっき時間を管理することにより
行っており、また生産性の向上を図る観点から、アノー
ド及びカソード間に大電流を通電して短時間でめっき処
理を行なっている。つまり、めっき金属であるスズに対
しできるだけ電気化学的に卑にシフトした電位を被めっ
き物に印加し、めっき処理している。

【０００６】しかしながら、めっき金属の析出電位が卑
に大きくシフトすると大量の電子がセラミック素体に流
れ、電気化学的な溶解が進行する。すなわち、「析出電
位が卑である」ということはスズがめっき浴中ではイオ
ンの状態で安定になることを意味するため、大量の電子
を被めっき物に流して大きなエネルギを該被めっき物に
負荷しなければ金属析出は生じないこととなる。

【０００７】ところが、上述のように被めっき物に大き
なエネルギを負荷するとめっき金属であるスズが析出す
るが、斯かる大きなエネルギの負荷によりめっき液がセ
ラミック素体の内部に浸入し、その結果セラミック素体
を構成する酸化物がイオン化反応を起こして溶け出し、
電極がセラミック素体から剥離し、絶縁抵抗や機械的品
質係数等の電気特性を損なう虞がある。

【０００８】一方、このようにめっき金属を析出させる
上で析出電位は重要な要素であるが、電流密度を制御し
て良好な電気特性が得られたとしても、良好なはんだ濡
れ性が得られなければ、はんだ付け性が悪化し、満足な
めっき性能を得ることができない。

【０００９】しかしながら、上記従来技術では、単に電
流密度を制御して電解めっきを行っているに過ぎず、析
出電位の制御を考慮に入れていないため、良好な電気特
性を得ようとすると良好なはんだ濡れ性を得るのが困難
となる場合があり、また、良好なはんだ濡れ性を得よう
とした場合は、界面活性剤のスズめっき皮膜に対する吸
着性が強くなり、析出電位が卑に大きくシフトして電気
特性が大幅に低下し、製品歩留まりの低下を招来すると
いう問題点があった。

【００１０】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、広い電流密度範囲で被めっき物の電気特
性とはんだ濡れ性の双方を低コストで容易に満足するこ
とのできるスズめっき浴、及び電子部品のめっき方法、
並びに電子部品を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】電解めっきでは、一般に
電流密度を制御しながらめっき処理を行なっているが、
〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたよう
に、析出電位はめっき処理を行なう上で重要な要素とな
る。

【００１２】したがって、めっき処理を電流制御に代え
て電位制御で行えばよいとも考えられるが、電位制御の
場合、電位を一定範囲に制御するためには参照電極やポ
テンショスタット等の装置が別途必要となり、装置の煩
雑化を招く。

【００１３】そこで、本発明者らは、広い電流密度範囲
で被めっき物の電気特性とはんだ濡れ性の双方を両立さ
せるべく鋭意研究したところ、水素イオン指数ｐＨ及び
錯化剤でスズめっき浴を調製することにより、スズの析
出電位を−0．９Ｖ（ｖｓ．ＳＨＥ（Standard Hydrogen
Electrode）；標準水素電極、以下同じ）又は−０．９
Ｖよりも電気化学的に貴な電位とし、且つ光沢剤として
所定のポリオキシエチレンアルキルアミン又はポリオキ
シエチレンアルキルアミドを添加することにより、最大
２００Ａ／ｍ^２までの広い電流密度範囲で良好な電気特
性と良好なはんだ濡れ性を有するスズめっき浴を得るこ
とができるという知見を得た。

【００１４】本発明はこのような知見に基づきなされた
ものであって、本発明に係るスズめっき浴は、最大２０
０Ａ／ｍ^２までの電流密度範囲で、スズの析出電位が−
０．９Ｖ又は−０．９Ｖよりも電気化学的に貴な電位と
され、かつ、所定のポリオキシエチレンアルキルアミン
又はポリオキシエチレンアルキルアミドのうちの少なく
とも一方が添加されていることを特徴としている。

【００１５】また、本発明者らの研究により、析出電位
は水素イオン指数ｐＨの値により殆ど決定され、析出電
位を上述のようにするためには、少なくとも水素イオン
指数ｐＨを２．０〜５．０に設定する必要のあることが
判明した。

【００１６】そこで、本発明のスズめっき浴は、水素イ
オン指数ｐＨが２．０〜５．０となるように調製されて
いることを特徴としている。

【００１７】また、より良好なはんだ濡れ性を確保する
観点からは、前記所定のポリオキシエチレンアルキルア
ミン又はポリオキシエチレンアルキルアミドは、アルキ
ル基の個数は６〜１８、エチレンオキサイドの付加モル
総数は１２〜８０が好ましい。

【００１８】すなわち、前記ポリオキシエチレンアルキ
ルアミンは、一般式

【００１９】

【化３】 で表され、前記ポリオキシエチレンアルキルアミドは、
一般式

【００２０】

【化４】 で表されることを特徴としている。

【００２１】また、析出電位は、上述したように、水素
イオン指数ｐＨの決定が大きな要素となるが、錯化剤も
析出電位の決定に寄与し、斯かる観点から、錯化剤とし
てグルコン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクトン、
グルコヘプトノラクトン、グルコン酸アルカリ金属塩、
及びグルコヘプトン酸アルカリ金属塩を使用するのが好
ましい。

【００２２】すなわち、本発明のスズめっき浴は、グル
コン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクトン、グルコ
ヘプトノラクトン、グルコン酸アルカリ金属塩、及びグ
ルコヘプトン酸アルカリ金属塩の中から選択された少な
くとも１種以上の錯化剤が含有されていることを特徴と
している。

【００２３】また、本発明は、上述の如く最大２００Ａ
／ｍ^２までの広い電流密度範囲で適用することができる
が、電流密度を過度に小さくした場合はめっき処理時間
に長時間を要し、生産性低下を招来する。

【００２４】したがって、斯かる観点から、電流密度
は、少なくとも０．１Ａ／ｍ^２以上であるのが好まし
い。

【００２５】さらに、本発明のスズめっき浴は、硫酸第
１スズ、スルファミン酸第１スズ、塩化第１スズ、酢酸
第１スズ、酸化第１スズ、メタンスルホン酸第１スズ、
ホウフッ化第１スズ、２−ヒドロキシエタンスルホン酸
第１スズ、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第１ス
ズ、及びフェノールスルホン酸第１スズの中から選択さ
れた少なくとも１種以上の第１スズ塩が含有されている
ことを特徴としている。

【００２６】また、スズの酸化を防止する観点からは、
ヒドロキノン、ピロカテコール、レゾルシン、アスコル
ビン酸、及びヒドラジンの中から選択された少なくとも
１種以上の酸化防止剤が含有されていることを特徴とす
るのが好ましい。

【００２７】また、本発明に係る電子部品のめっき方法
は、上記スズめっき浴を使用し、部品素体の表面に形成
された導電部上に電解めっきを施すことを特徴としてい
る。

【００２８】上記めっき方法によれば、電流密度が０．
１〜２００Ａ／ｍ^２の広い電流密度範囲で析出電位が−
０．９Ｖ又は−０．９Ｖよりも電気化学的に貴な電位を
有し、かつ、所定のポリオキシエチレンアルキルアミン
又はポリオキシエチレンアルキルアミドが添加されたス
ズめっき浴を使用して電解スズめっきを行っているの
で、参照電極等の装置を要することなく簡単に所望のス
ズめっきを施すことができる。

【００２９】また、本発明に係る電子部品は、前記めっ
き方法を使用して製造されたことを特徴としている。

【００３０】上記構成によれば、電気特性及びはんだ濡
れ性に優れた信頼性の高い電子部品を低コストで容易に
得ることができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を詳説
する。

【００３２】本発明の一実施の形態としてのスズめっき
浴は、第１スズ塩、錯化剤、及び光沢剤として下記一般
式（１）で示されるポリオキシエチレンアルキルアミン
又は下記一般式（２）で示されるポリオキシエチレンア
ルキルアミドを含有すると共に、水素イオン指数ｐＨを
２．０〜５．０に調製し、これにより０．１〜２００Ａ
／ｍ^２の広い電流密度範囲でスズの析出電位を−０．９
Ｖ又は−０．９Ｖより電気化学的に貴としている。

【００３３】

【化５】

【００３４】

【化６】 次に、スズの析出電位、電流密度範囲、水素イオン指数
ｐＨ、及び上記一般式（１）（２）でアルキル基の個数
及びエチレンオキサイドの付加モル総数を上記範囲に限
定した理由を詳述する。

【００３５】（１）スズの析出電位 めっき皮膜を形成すべくめっき反応を生じさせるために
は、めっき金属であるＳｎ（−０．１４Ｖ）の平衡電極
電位よりも電気化学的に卑な電位を被めっき物に印加す
る必要があるが、スズの析出電位を−０．９Ｖよりも電
気化学的に卑な電位に設定してめっき処理を施した場合
は、セラミック素体が還元雰囲気に晒され、セラミック
素体を形成する金属酸化物が還元分解して溶解し、その
結果電極とセラミック素体との密着強度が低下して電極
剥離を招来し、絶縁特性や機械的品質係数Ｑ等の電気特
性が低下する虞がある。

【００３６】一方、析出電位が−０．９Ｖ又は−０．９
Ｖよりも電気化学的に貴な場合は、小さなエネルギでス
ズが金属化するため、前記金属酸化物の還元反応による
溶解を抑制することができる。

【００３７】そこで、本実施の形態では、スズの析出電
位を−０．９Ｖ又は−０．９Ｖよりも電気化学的に貴な
電位となるように制御しつつ、めっき処理を行なうよう
にしている。

【００３８】（２）電流密度範囲 スズの析出電位は、上述したように−０．９Ｖ又は−
０．９Ｖよりも電気化学的に貴な電位とする必要がある
が、電流密度が２００Ａ／ｍ^２を超えると水素イオン指
数ｐＨや錯化剤で析出電位を調整しても、該析出電位が
電気化学的に卑に大きくシフトし、その結果電気特性の
不良品率が増加して製品歩留まりの低下を招来する。一
方、アノード、カソード間に電流を通電すればめっき析
出は生じるが、めっき金属の析出量は電流密度と時間の
積で決定されることから、０．１Ａ／ｍ^２未満の低い電
流密度では生産性が低下し、実用性に欠ける。

【００３９】そこで、本実施の形態では、電流密度範囲
を０．１〜２００Ａ／ｍ^２とした。 （３）水素イオン指数ｐＨ 析出電位は、主として水素イオン指数ｐＨを調製するこ
とにより決定されるが、水素イオン指数ｐＨが５．０を
超えると析出電位が−０．９Ｖよりも電気化学的に卑と
なり、セラミック素体を構成する金属酸化物の溶け出
し、電極剥離が生じて電気特性を損なう。一方、水素イ
オン指数ｐＨが２．０未満の場合はめっき浴が強酸性溶
液になり、被めっき物を構成するセラミック素体の化学
的溶解が極端に進行する。

【００４０】そこで、本スズめっき浴では水素イオン指
数を２．０〜５．０とした。

【００４１】（４）上記一般式（１）及び（２）におけ
るアルキル基の個数ｎ及びエチレンオキサイドの付加モ
ル総数（ｐ＋ｑ） 良好なはんだ濡れ性を得るために、本実施の形態では光
沢剤として上記一般式（１）で示されるポリオキシエチ
レンアルキルアミン又上記一般式（２）で示されるポリ
オキシエチレンアルキルアミドを添加しているが、アル
キル基の個数ｎが６未満になるとめっき析出に対する抑
制効果を失い、一方、アルキル基の個数ｎが１８を超え
るとセラミック素体が還元分解し易くなる。

【００４２】また、エチレンオキサイドの付加モル総数
（ｐ＋ｑ）が１２未満になると光沢剤のめっき浴中での
溶解が困難となり、一方、前記付加モル総数（ｐ＋ｑ）
が８０を超えるとめっき析出に対する抑制効果を失う。

【００４３】そこで、本実施の形態では、アルキル基の
個数ｎが６〜１８、付加モル総数（ｐ＋ｑ）が１２〜８
０のポリオキシエチレンアルキルアミン、或いはポリオ
キシエチレンアルキルアミドを添加することとした。

【００４４】また、錯化剤も析出電位の決定要因をなす
ものであり、上記析出電位を確保するためには、錯化剤
種として、グルコン酸、グルコヘプトン酸、グルコノラ
クトン、グルコヘプトノラクトン、グルコン酸アルカリ
金属塩、及びグルコヘプトン酸アルカリ金属塩を使用す
ることができる。

【００４５】また、スズを析出させるための第１スズ塩
としては、硫酸第１スズ、スルファミン酸第１スズ、塩
化第１スズ、酢酸第１スズ、酸化第１スズ、メタンスル
ホン酸第１スズ、ホウフッ化第１スズ、２−ヒドロキシ
エタンスルホン酸第１スズ、２−ヒドロキシプロパンス
ルホン酸第１スズ、及びフェノールスルホン酸第１スズ
を使用することができる。

【００４６】さらに、２価のスズから４価のスズへの酸
化を防止する観点からは酸化防止剤をスズめっき浴に添
加するのが好ましく、斯かる酸化防止剤としては、ヒド
ロキノン、ピロカテコール、レゾルシン、アスコルビン
酸、ヒドラジン等を使用することができる。

【００４７】そして、本スズめっき浴が満たされた電解
槽に、球状、板状、或いは棒状等のスズ製アノードと、
導電性カソード、通電媒体及び被めっき物（セラミック
素体等の部品素体の表面、例えば両端部にＣｕやＡｇ等
を主成分とする導電媒体が形成されたもの）が内有され
たバレルを浸漬して該バレルを回転・揺動等させると共
に、上記電流密度範囲（０．１〜２００Ａ／ｍ^２）でア
ノード・カソード間に電流を通電し、これにより被めっ
き物には−０．９Ｖ又は−０．９Ｖよりも貴な電位が印
加されて電解スズめっきが施され、前記導電部上には所
望のスズ皮膜が形成される。

【００４８】このようにしてスズ皮膜が形成された電子
部品は、過度に卑な電位が印加されることもなく、した
がって被めっき物に過大なエネルギが負荷されることも
なく、セラミック素体の溶解が抑制され、電極剥離も生
じず、絶縁抵抗や機械的品質係数Ｑ等の電気特性低下を
招来することのない電子部品を得ることができる。

【００４９】しかも、スズめっき浴には、光沢剤とし
て、炭素数が６〜１８のアルキル基を有し、かつエチレ
ンオキサイドの付加モル総数が１２〜６０であるポリオ
キシエチレンアルキルアミン又はポリオキシエチレンア
ルキルアミドが添加されているので、はんだ濡れ性も良
好なものとなり、優れたはんだ付け性を有する電子部品
を得ることができる。

【００５０】このように本実施の形態では、広い電流密
度範囲で電気特性とはんだ濡れ性の両立が可能な電子部
品を得ることができる。

【００５１】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００５２】（実施例１）第１スズ塩としてスルファミ
ン酸第１スズを２００mol／ｍ^３、錯化剤としてグルコ
ン酸ナトリウムを８００mol／ｍ^３、光沢剤として炭素
数ｎが１８のアルキル基とエチレンオキサイドの付加モ
ル総数（ｐ＋ｑ）が１２のポリオキシエチレンアルキル
アミンを２．０ｋｇ／ｍ^３、及び導電剤としてスルファ
ミン酸ナトリウムを３００mol／ｍ^３夫々添加し、水素
イオン指数ｐＨが５．０となるように調合されたスズめ
っき浴を作製した。

【００５３】次いで、スズアノードと、導電性カソー
ド、通電媒体及び被めっき物（セラミック素体の両端部
にＣｕやＡｇを主成分とする電極が形成されたもの）が
内有されたバレルとをスズめっき浴に浸漬して前記バレ
ルを回転させ、アノード、カソード間に電流密度５０Ａ
／ｍ^２の電流を通電し、被めっき物に電解スズめっきを
施した。

【００５４】（実施例２）第１スズ塩として硫酸第１ス
ズを４００mol／ｍ^３、錯化剤としてグルコノラクトン
を８００mol／ｍ^３、光沢剤として炭素数ｎが８のアル
キル基とエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）
が６０のポリオキシエチレンアルキルアミンを１０．０
ｋｇ／ｍ^３、及び導電剤として硫酸アンモニウムを５０
０mol／ｍ ^３夫々添加し、水素イオン指数ｐＨが２．０
となるように調合されたスズめっき浴を作製した。

【００５５】次いで、実施例１と同様にしてアノード、
カソード間に電流密度１００Ａ／ｍ ^２の電流を通電し、
被めっき物に電解スズめっきを施した。

【００５６】（実施例３）第１スズ塩として酢酸第１ス
ズを１００mol／ｍ^３、錯化剤としてグルコヘプトン酸
を２０００mol／ｍ^３、及び光沢剤として炭素数ｎが３
０のアルキル基とエチレンオキサイドの付加モル総数
（ｐ＋ｑ）が３０のポリオキシエチレンアルキルアミド
を０．１ｋｇ／ｍ^３夫々添加し、水素イオン指数ｐＨが
４．５となるように調合されたスズめっき浴を作製し
た。

【００５７】次いで、実施例１と同様にしてアノード、
カソード間に電流密度１０Ａ／ｍ^２の電流を通電し、被
めっき物に電解スズめっきを施した。

【００５８】（比較例１）第１スズ塩としてスルファミ
ン酸第１スズを２００mol／ｍ^３、錯化剤としてクエン
酸水素三ナトリウム二水和物を８００mol／ｍ^３、光沢
剤として炭素数ｎが１８のアルキル基とエチレンオキサ
イドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）が１２のポリオキシエチ
レンアルキルアミンを２．０ｋｇ／ｍ^３、及び導電剤と
してスルファミン酸ナトリウムを３００mol／ｍ^３夫々
添加し、水素イオン指数ｐＨが５．０となるように調合
されたスズめっき浴を作製した。

【００５９】次いで、実施例１と同様にしてアノード、
カソード間に電流密度５０Ａ／ｍ^２の電流を通電し、被
めっき物に電解スズめっきを施した。

【００６０】（比較例２）第１スズ塩として硫酸第１ス
ズを４００mol／ｍ^３、錯化剤としてグルコノラクトン
を８００mol／ｍ^３、光沢剤として炭素数ｎが８のアル
キル基とエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）
が６０のポリオキシエチレンアルキルアミンを１０．０
ｋｇ／ｍ^３、及び導電剤として硫酸アンモニウムを５０
０mol／ｍ ^３夫々添加し、水素イオン指数ｐＨが７．０
となるように調合されたスズめっき浴を作製した。

【００６１】次いで、実施例１と同様にしてアノード、
カソード間に電流密度１００Ａ／ｍ ^２の電流を通電し、
被めっき物に電解スズめっきを施した。

【００６２】（比較例３）第１スズ塩として酢酸第１ス
ズを１００mol／ｍ^３、錯化剤としてグルコヘプトン酸
を２０００mol／ｍ^３、及び光沢剤として炭素数ｎが１
２のアルキル基とエチレンオキサイドの付加モル総数
（ｐ＋ｑ）が３０のポリオキシエチレンアルキルアミド
を０．１ｋｇ／ｍ^３夫々添加し、水素イオン指数ｐＨが
４．５となるように調合されたスズめっき浴を作製し
た。

【００６３】そして、実施例１と同様にしてアノード、
カソード間に電流密度３００Ａ／ｍ ^２の電流を通電し、
被めっき物に電解スズめっきを施した。

【００６４】表１は各実施例及び比較例のめっき組成、
水素イオン指数ｐＨ、及びめっき処理の電流密度を示し
ている。

【００６５】

【表１】 次に、本発明者らは、各実施例及び比較例について、は
んだ濡れ性、及び電気特性の良否を評価した。

【００６６】ここで、はんだ濡れ性は、各試験片を１０
づつ個用意し、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）
を行った後、メニスコグラフ法によりはんだの引張力と
はんだの排斥力とが等しくなるゼロクロス時間で評価し
た。

【００６７】すなわち、温度１０５℃、湿度１００％の
条件で、各試験片をロジン系不活性タイプのフラックス
中に４時間保管し、次いで、浸漬速度２５．０ｍｍ／se
c、浸漬深さ４．０ｍｍ、浸漬時間２０．０secで浴温２
３０℃のはんだ溶融槽（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に浸
漬し、前記ゼロクロス時間を測定し、はんだ濡れ性を評
価した。

【００６８】また、電極剥離が生じた場合は電気特性が
損なわれると考えられることから、各試験片を１０００
個づつ用意し、超音波探傷試験装置で電極剥離の有無を
調べ、電気特性の評価とした。

【００６９】表２は各実施例及び比較例におけるスズの
析出電位とはんだ濡れ性及び電気特性の不良個数を示し
ている。

【００７０】

【表２】 尚、表２中、はんだ濡れ性は、各１０個の全ての試験片
についてゼロクロス時間が２．５sec以下の場合を良品
と判断して○印で示し、ゼロクロス時間が平均で２．５
sec以上要した場合を不良品と判断して×印で示してい
る。

【００７１】この表２から明らかなように、比較例１は
本発明の光沢剤を使用しているため、はんだ濡れ性は良
好であるが、析出電位が−１．２Ｖであり、−０．９Ｖ
よりも卑であるため、セラミック素体の還元反応により
溶解が進行し、電極剥離が生じて電気特性の低下を招来
する試験片の存在が認められた。

【００７２】また、比較例２は水素イオン指数ｐＨが
７．０と大きいため、析出電位が−１．２Ｖと卑に大き
くシフトし、セラミック素体の還元反応により電気化学
的な溶解が進行し、電極剥離が生じて電気特性の低下を
招来する試験片の存在が認められた。また、比較例１で
は水素イオン指数ｐＨが上述したように７．０と大きい
ため、１００Ａ／ｍ^２程度の低電流密度領域では光沢剤
のめっき皮膜への吸着作用が小さ過ぎ、めっき皮膜の凹
凸が大きくなって平滑性に欠け、ゼロクロス時間も長
く、はんだ濡れ性に劣ることが確認された。

【００７３】また、比較例３は電流密度が３００Ａ／ｍ
^２と本発明の範囲外となったため、析出電位が−１．３
Ｖと大きく卑にシフトし、その結果、比較例１、２と同
様、電極剥離が生じて電気特性の低下を招来する試験片
の存在が認められた。

【００７４】これに対して実施例１〜３は、水素イオン
指数ｐＨが２．０〜５．０であり、本発明の錯化剤を使
用することにより析出電位は−０．６〜−０．８Ｖとな
って−０．９Ｖよりも貴となり、したがってセラミック
素体の還元反応による化学的な溶解が進行することもな
く、電極剥離が防止され電気特性を損なうことのない電
子部品を得ることができる。しかも、本発明の光沢剤を
使用することにより、広い電流密度範囲で緻密で平滑な
スズ皮膜が得られ、はんだ濡れ性の良好な電子部品を得
ることができる。

【００７５】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るスズめ
っき浴は、最大２００Ａ／ｍ^２までの電流密度範囲で、
スズの析出電位が、標準水素電極電位を基準に−０．９
Ｖ又は−０．９Ｖよりも電気化学的に貴な電位とされ、
かつ、所定のポリオキシエチレンアルキルアミン又はポ
リオキシエチレンアルキルアミドが添加されているの
で、該スズめっき浴を使用して電子部品用被めっき物に
電解スズめっきを施しても電極剥離が防止されて電気特
性を損なうこともなく、しかも良好なはんだ濡れ性を確
保することができる。

【００７６】また、本発明のスズめっき浴は、水素イオ
ン指数ｐＨが２．０〜５．０となるように調製されてい
るので、上述した広い電流密度範囲で、スズの析出電位
を、−０．９Ｖ又は−０．９Ｖよりも電気化学的に貴な
電位に設定することができる。

【００７７】また、本発明のスズめっき浴は、グルコン
酸、グルコヘプトン酸、グルコノラクトン、グルコヘプ
トノラクトン、グルコン酸アルカリ金属塩、及びグルコ
ヘプトン酸アルカリ金属塩の中から選択された少なくと
も１種以上の錯化剤が含有しているので、析出電位を所
望電位に容易に制御することが可能となる。

【００７８】また、電流密度は、少なくとも０．１Ａ／
ｍ^２以上であるので、生産性が極端に低下するのを回避
することができる。

【００７９】さらに、本発明は、硫酸第１スズ、スルフ
ァミン酸第１スズ、塩化第１スズ、酢酸第１スズ、酸化
第１スズ、メタンスルホン酸第１スズ、ホウフッ化第１
スズ、２−ヒドロキシエタンスルホン酸第１スズ、２−
ヒドロキシプロパンスルホン酸第１スズ、及びフェノー
ルスルホン酸第１スズ等、各種第１スズ塩に適用するこ
とができる。

【００８０】また、ヒドロキノン、ピロカテコール、レ
ゾルシン、アスコルビン酸、及びヒドラジンの中から選
択された少なくとも１種以上の酸化防止剤が含有される
ことにより、スズが２価から４価に酸化されるのを防止
することができる。

【００８１】本発明に係る電子部品のめっき方法は、前
記スズめっき浴を使用し、部品素体の表面に形成された
導電部上に電解めっきを施しているので、参照電極やポ
テンショスタット等の電位制御を行うための特殊な装置
を別途設ける必要もなく、簡単に所望のスズめっきを施
すことができる。

【００８２】本発明に係る電子部品は、上記めっき方法
を使用して製造されているので、電気特性及びはんだ濡
れ性に優れた信頼性の高い電子部品を低コストで容易に
得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 国司 多通夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4K023 AA17 BA06 BA08 BA13 BA15 BA29 CA08 CB03 CB21 CB33 DA02 DA07

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 最大２００Ａ／ｍ^２までの電流密度範囲
   で、スズの析出電位が、標準水素電極電位を基準に−
   ０．９Ｖ又は−０．９Ｖよりも電気化学的に貴な電位と
   され、 かつ、所定のポリオキシエチレンアルキルアミン又はポ
   リオキシエチレンアルキルアミドのうちの少なくとも１
   種以上が添加されていることを特徴とするスズめっき
   浴。
2. 【請求項２】 水素イオン指数ｐＨが２．０〜５．０と
   なるように調製されていることを特徴とする請求項１記
   載のスズめっき浴。
3. 【請求項３】 前記ポリオキシエチレンアルキルアミン
   は、一般式 【化１】 で表されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載
   のスズめっき浴。
4. 【請求項４】 前記ポリオキシエチレンアルキルアミド
   は、一般式 【化２】 で表されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載
   のスズめっき浴。
5. 【請求項５】 グルコン酸、グルコヘプトン酸、グルコ
   ノラクトン、グルコヘプトノラクトン、グルコン酸アル
   カリ金属塩、及びグルコヘプトン酸アルカリ金属塩の中
   から選択された少なくとも１種以上の錯化剤が含有され
   ていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれ
   かに記載のスズめっき浴。
6. 【請求項６】 電流密度は、少なくとも０．１Ａ／ｍ^２
   以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のい
   ずれかに記載のスズめっき浴。
7. 【請求項７】 硫酸第１スズ、スルファミン酸第１ス
   ズ、塩化第１スズ、酢酸第１スズ、酸化第１スズ、メタ
   ンスルホン酸第１スズ、ホウフッ化第１スズ、２−ヒド
   ロキシエタンスルホン酸第１スズ、２−ヒドロキシプロ
   パンスルホン酸第１スズ、及びフェノールスルホン酸第
   １スズの中から選択された少なくとも１種以上の第１ス
   ズ塩が含有されていることを特徴とする請求項１乃至請
   求項６のいずれかに記載のスズめっき浴。
8. 【請求項８】 ヒドロキノン、ピロカテコール、レゾル
   シン、アスコルビン酸、及びヒドラジンの中から選択さ
   れた少なくとも１種以上の酸化防止剤が含有されている
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記
   載のスズめっき浴。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８に記載のいずれか
   のスズめっき浴を使用し、部品素体の表面に形成された
   導電部上に電解めっきを施すことを特徴とする電子部品
   のめっき方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載のめっき方法を使用して
    製造されたことを特徴とする電子部品。