JP2003321796A

JP2003321796A - めっき装置およびそれを用いた配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2003321796A
Application number: JP2002129354A
Authority: JP
Inventors: Makoto Komatsubara; 誠小松原; 武 ▲吉▼見; Takeshi Yoshimi; Masaki Ito; 正樹伊藤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2002-04-30
Filing date: 2002-04-30
Publication date: 2003-11-14

Abstract

(57)【要約】【課題】長尺基板に高精度にめっきを施すことが可能
なめっき装置、および当該装置を用いて配線基板を製造
する方法を提供すること。【解決手段】めっき液を収容するめっき液収容部と、
配線基板形成用の長尺基板３１を、その幅方向を上下に
向けて長手方向に搬送しながら、前記めっき液収容部内
のめっき液に浸漬する搬送手段と、前記長尺基板に電気
的に接触する給電用電極と、前記めっき液収容部内で、
前記長尺基板３１に接触して長尺基板３１を支持する支
持手段とを有する、配線基板形成用の長尺基板３１に電
解めっきを施すめっき装置、および該装置を用いて長尺
基板３１にめっきを施す工程を有する配線基板の製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、めっき装置および
それを用いた配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高密度化および小型化
が進むにつれて、それに使用される配線基板の高信頼性
化および低コスト化が要求され、その製造プロセスの画
期的な合理化が必要とされてきた。そのため、可撓性を
有し帯状を呈する長尺基板をロールで連続的にまたは断
続的に搬送しながら、長尺基板上に絶縁、配線パターン
および被覆層を順次形成する製造方法が提案されてい
る。配線パターンを形成するために使用される電解めっ
き（以下、単に「めっき」ともいう）については、従来
の枚葉処理に代わって、長尺基板をロールで連続的にま
たは断続的に搬送しながらめっきを施す方法が提案され
ている。

【０００３】その一例として公開特許公報（特開２００
２−２０８９８）には、帯幅方向を上下に向けた状態で
めっき液収容部内の搬送ロールに挟持された長尺基板が
長尺方向に搬送され、長尺基板の一方の側辺近傍に設け
られる給電端子を給電チャックが順次接触して挟持する
ことで、長尺基板に連続的にめっきを施す方法が記載さ
れている。しかし、当該方法では、給電チャックを要す
るためめっき装置が複雑な構造になるばかりでなく、従
来の枚葉処理によるめっきに比べ、めっき厚みの精度が
劣るという欠点を有する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は長尺基板に高
精度にめっきを施すことが可能なめっき装置および当該
装置を用いて配線基板を製造する方法を提供することを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】長尺基板に連続的にめっ
きを施す際にめっき厚みの精度が悪化するのは、枚葉処
理では治具等で長尺基板を固定するのに対し、めっき装
置のめっき液収容部内では、ポンプによる循環やエアー
攪拌等によるめっき液の流動に起因して、めっき対象の
長尺基板が変形したり、所定の位置からずれたりするた
めであることを本発明者らは見出した。長尺基板の変形
や位置ずれが生じると、長尺基板とアノードとの距離が
長尺基板の位置によって異なってしまい、結果的に、長
尺基板の各部でめっき条件に差異が生じてめっき厚みの
精度悪化の原因となるのである。本発明者らは、めっき
液収容部内で長尺基板が変形・位置ずれ等し難くなるめ
っき装置を提供することによって上記課題を解決し得る
本発明を完成した。

【０００６】すなわち、本発明の特徴は以下のとおりで
ある。（１）めっき液を収容するめっき液収容部と、配線基板
形成用の長尺基板を、その幅方向を上下に向けて長手方
向に搬送しながら、前記めっき液収容部内のめっき液に
浸漬する搬送手段と、前記長尺基板に電気的に接触する
給電用電極と、前記めっき液収容部内で、前記長尺基板
に接触して長尺基板を支持する支持手段とを有する、配
線基板形成用の長尺基板に電解めっきを施すめっき装
置。（２）上記支持手段が、上記めっき液収容部内に設けら
れたロッドである上記（１）に記載のめっき装置。（３）上記ロッドが複数設けられており、隣接するロッ
ドの間隔が５０〜５００ｍｍである上記（２）に記載の
めっき装置。（４）上記給電用電極が、上記めっき液収容部外で上記
長尺基板に接触して給電するものである上記（１）〜
（３）のいずれかに記載のめっき装置。（５）上記めっき液収容部外で上記長尺基板に接触する
給電用電極が、上記搬送手段を兼ねるものである上記
（４）に記載のめっき装置。（６）上記搬送手段を兼ねる給電用電極が、上記めっき
液収容部外に設けられたロールである上記（５）に記載
のめっき装置。（７）上記長尺基板の厚みが１０〜１０００μｍであ
る、上記（１）〜（６）のいずれかに記載のめっき装
置。（８）上記（１）〜（７）のいずれかに記載のめっき装
置を用いて上記長尺基板に電解めっきを施す工程を有す
る、配線基板の製造方法。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明のめっき装置は、めっき液
収容部と、搬送手段と、給電用電極と、支持手段とを有
する。図１は、本発明のめっき装置の一例の概略斜視図
である。図１を参照しながら、本発明のめっき装置を説
明する。

【０００８】めっき液収容部は、めっき液を収容する部
位であり、通常は図１に示すようなめっき槽２１がめっ
き液収容部に相当する。めっき液収容部の対向する一対
の側壁には、後述する長尺基板３１が出入りできるスリ
ットが設けられている。めっき液収容部内には、通常、
めっき液に浸漬される電極としてのアノード２５が設け
られる。後述するように、本発明のめっき装置は、めっ
き液収容部内に長尺基板３１を支持する支持手段を有す
ることが特徴である。

【０００９】搬送手段は、めっきが施されるべき長尺基
板３１の幅方向を上下に向けて長手方向に搬送しなが
ら、長尺基板３１をめっき液に浸漬する手段である。図
１に記載のめっき装置では、搬送ロール２２と給電ロー
ル２３とが搬送手段に相当し、両者が、長尺基板３１を
挟持して矢印ＭＤで示す方向（以下、搬送方向ＭＤと呼
ぶ）に搬送する。ここで、ロールとは、駆動力を以って
自転することにより、接触する長尺基板３１を搬送する
部材を意味する。図１に記載のめっき装置のように、１
対のロールで長尺基板３１を挟んで搬送する場合、２本
のロールの両方が駆動力を有していてもよいし、片方だ
けが駆動力を有していてもよい。搬送手段はロールに限
定されず、例えば、移動するクリップで長尺基板３１の
端を挟む等の形態でもよいが、長尺基板３１に傷がつか
ないなどの点からロールの形態であることが好ましい。
図２は搬送手段としての搬送ロール２２の例を示す図で
あり、搬送手段は、図２（ａ）のようなストレート形状
のロールであってもよいし、長尺基板３１の両端縁にだ
け接し、中央部の表面への接触を避けるような図２
（ｂ）に示すダンベル型のロールであってもよい。

【００１０】搬送手段は、めっき液の接触によってロー
ル材料が劣化することを防止するという理由から、めっ
き液収容部外に存在することが好ましい。また、図１の
給電ロール２３のように、搬送手段と後述の給電用電極
とを兼ねることが、めっき装置の構造の単純化のために
好ましい。なお、このように搬送手段が給電用電極を兼
ねる場合には、当該手段に相当する部材が直接めっきさ
れてしまうことを防ぐため、当該手段はめっき液収容部
外に存在することが特に好ましい。

【００１１】給電用電極は、長尺基板３１に電気的に接
触して、長尺基板３１のめっきすべき部位が、上述のア
ノード２５（めっき液への給電用電極）に対するカソー
ドとなるように給電する電極である。図１に記載のめっ
き装置では、給電ロール２３が給電用電極に相当する
（上述のように搬送手段も兼ねている）。給電用電極は
このようなロールに限られず、例えば、クリップ等の形
態でもよいが、長尺基板３１に傷がつかないなどの点か
らロール等の形態であることが好ましい。給電用電極が
直接めっきされてしまうことを防ぐため、当該電極はめ
っき液収容部外に存在することが特に好ましい。

【００１２】支持手段は、従来のめっき装置にはない本
発明のめっき装置に独自の手段であって、めっき液収容
部内で、長尺基板３１に接触することで長尺基板３１を
支持する手段である。「長尺基板３１を支持する」と
は、めっき液収容部内で上下に向けられた長尺基板３１
の幅の１０％以上の長さにわたり接触することをいい、
好ましくは５０％以上の長さ、より好ましくは幅方向全
体にわたり接触することをいう。図１に記載のめっき装
置では、基板支持ロッド２４が支持手段に相当する。該
ロッド２４は、長尺基板３１の走行にしたがって回転し
てもよい。支持手段は、めっき液収容部内に設けられた
ロッドに限られず、例えば、板状の支え等の形態でもよ
いが、めっき液中で長尺基板３１が貼り付くことを防止
する点からロッド等の形態であることが好ましい。ま
た、支持手段には、長尺基板３１の走行をガイドするた
めのツバなどといった位置決め手段等を適宜有していて
もよい。

【００１３】図３は支持手段としての基板支持ロッド２
４の設置例を示す図（上面からみた平面図）である。該
ロッド２４は、図３（ａ）のように長尺基板３１の片側
のみに設けたり、（ｂ）のように長尺基板３１の両側に
挟むように設けたり、（ｃ）のように長尺基板３１の両
側に互い違いに設けてもよい。長尺基板３１の片面のみ
にめっきを施す場合であっても、長尺基板３１の両面に
めっきを施す場合であっても、該ロッド２４を図３
（ａ）〜（ｃ）のように設けることが可能である。

【００１４】支持手段の存在により、めっき液が流動し
ていても、めっき液収容部内の長尺基板３１が変形・位
置ずれ等し難くなる。その結果、意図しないめっき条件
のばらつきが生じ難くなり、めっき厚みの精度が向上す
ることが期待される。このような効果は、長尺基板３１
に接触する支持手段が多いほど増大するため、支持手段
は複数のロッドからなることが好ましく、その場合、隣
接するロッドの間隔が５０〜５００ｍｍであることがよ
り好ましい。

【００１５】このようなめっき装置を用いて、めっき液
収容部をめっき液で満たし、アノードと給電用電極との
間に電流を流すことで、長尺基板３１にめっきを施すこ
とができる。本発明のめっき装置は、高精度のめっき厚
みで長尺基板３１にめっきを施すことができる。特に、
長尺基板３１が可撓性の基板である場合、当該基板３１
は変形し易く、従来のめっき装置で高精度のめっき厚み
を実現するのは非常に困難であったので、本発明のめっ
き装置の利用価値は増大する。ここで、長尺基板３１が
可撓性であるとは、長尺基板３１の厚みが１０〜１００
０μｍであることをいう。

【００１６】以下、本発明のめっき装置を用いて長尺基
板３１にめっきを施す工程を有することを特徴とする配
線基板の製造方法を説明する。以下の説明では、配線基
板として、ハードディスク用途の回路つきサスペンショ
ン基板のためのプリント配線基板を例にあげて説明する
が、本発明はそのような基板の製造に限定されるわけで
はない。図４〜図１６は本発明の方法でプリント配線基
板が製造される過程を模式的に示した図（長手方向に垂
直な断面図）である。

【００１７】まず、図４に示すように、支持基板１の片
面（符号１Ａを付した面）に所定のパターンの絶縁層２
を形成する。

【００１８】ここで、支持基板１としては、各種金属に
よる金属箔や金属薄板が使用できるが、バネ性・耐腐食
性の点から、ステンレス、４２アロイ（４２％Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金）に代表されるＦｅ−Ｎｉ系合金、銅、アルミニ
ウム、銅−ベリリウム、リン青銅等による金属箔や金属
薄板が好適であり、これらの中でもステンレス、４２ア
ロイが好適である。支持基板１の厚さは、後述する支持
基板１の溶解除去（ウェットエッチング）の際の除去効
率とプリント配線基板の振動特性を両立する観点から、
１０〜６０μｍ程度が好ましく、特に好ましくは１５〜
３０μｍである。支持基板１の幅は、通常５０〜５００
ｍｍ程度、好ましくは２００〜４００ｍｍ程度である。

【００１９】絶縁層２の材料（絶縁体）としては、特に
制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン
樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン
ナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の合成樹脂が
好ましい。これらの中でも、ポリイミド樹脂、ジヒドロ
ピリジン誘導体等の感光性を有するもの（露光、現像に
よりパターニングできるもの）が好ましく、また、感光
性に加え、耐熱性、寸法安定性、機械的強度が優れる点
からポリイミド樹脂が特に好ましい。感光性を有しない
ものにおいては、適当な方法で所定形状のフィルムに成
型したものを、接着剤（熱硬化性接着剤、熱可塑性接着
剤等）で支持基板１に貼り付ける等の方法により、所定
パターンの絶縁層２を形成する。絶縁層２の厚みは、電
気絶縁性の点から、２〜２０μｍが好ましく、特に好ま
しくは５〜１５μｍである。

【００２０】より具体的な例として、所定パターンの絶
縁層２を、ポリイミド樹脂で形成する方法を詳しく説明
する。まず、支持基板１の片面の全面に、ポリイミド前
駆体溶液を塗布した後、例えば、６０〜１５０℃、好ま
しくは８０〜１２０℃で乾燥して、ポリイミド前駆体の
皮膜を形成する。次に、かかる皮膜にフォトマスクを介
して露光し、露光（光照射された）部分を加熱した後、
現像して、皮膜を所定パターンにパターニングする。上
記露光のための照射光は、その露光波長が３００〜４５
０ｎｍが好ましく、特に好ましくは３５０〜４２０ｎｍ
である。また、露光積算光量は１００〜１０００ｍＪ／
ｃｍ²が好ましく、特に好ましくは２００〜７００ｍＪ
／ｃｍ²である。皮膜のうち光照射された部分は、例え
ば、１３０℃以上、１５０℃未満の温度で加熱すること
により、現像において可溶化し（光照射されていない部
分が不溶化する）（ポジ型）、１５０℃以上、１８０℃
以下の温度で加熱することで、現像において不溶化する
（光照射されていない部分が可溶化する）（ネガ型）。
現像はアルカリ現像液等の公知の現像液を用い、浸漬
法、スプレー法等の公知の方法で行われる。このように
してパターンニングされた皮膜を、２５０℃以上（好ま
しくは３５０〜４００℃）に加熱することによって、硬
化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂か
らなる所定パターンの絶縁層２を得る。このように、ポ
リイミド樹脂で所定パターンの絶縁層２を形成する場
合、その厚みは２〜２０μｍが好ましく、５〜１５μｍ
がより好ましい。

【００２１】次に、図５に示すように、支持基板１の符
号１Ａの面および絶縁層２を覆うように導電層３を形成
する。導電層３の形成材料（導電体）としては、特に限
定されないが、例えば、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｉ
−Ｃｒ合金等が挙げられ、これらのうちでも絶縁層２と
の密着性の点から、Ｃｒ、Ｃｕが好ましい。導電層３は
単一層で構成しても、互いに異なる金属からなる２以上
の層（膜）を積層して構成してもよい。後者の場合、ポ
リイミド樹脂からなる絶縁層２とＣｕ層（膜）との密着
性の点から、Ｃｒ層（膜）とＣｕ層（膜）をこの順に積
層したものが好ましい。

【００２２】導電層３の厚みは、特に限定されないが、
密着性を高めるために、６００〜６０００Å程度が好ま
しく、特に好ましくは１３００〜３７００Å程度であ
る。なお、導電層３を上述のＣｒ層（膜）とＣｕ層
（膜）との積層として構成する場合、Ｃｒ層（膜）の厚
みは１００〜１０００Åが好ましく（特に好ましくは３
００〜７００Å）、Ｃｕ層（膜）の厚みは５００〜５０
００Åが好ましい（特に好ましくは１０００〜３０００
Å）。導電層３の形成方法は特に限定されず、例えば、
無電解めっき法、スパッタ蒸着法等が挙げられる。

【００２３】次に、図６に示すように、導電層３の上に
配線パターン形成用のレジストパターン４を形成する。
当該レジストパターン４の形成に用いるレジストは、例
えば、ドライフィルムレジスト、液状レジストが用いら
れるが、製造コストの点からドライフィルムレジストが
好適である。また、ドライフィルムレジストの中でもア
クリル系のドライフィルムレジストが耐酸性の点で好ま
しい。液状レジストにおいては、スクリーン印刷、スピ
ンコーター等の方法でレジスト膜を導電層３の上に形成
する。ドライフィルムレジストの場合は、適当なローラ
ーで加圧して導電層３の上に定着させる。レジストパタ
ーン４の厚みは、後述の配線パターンを電解めっきで形
成する際のめっき金属の堆積のしやすさおよび最終的な
配線パターンの厚みを考慮して、１〜５０μｍ程度が好
ましく、特に好ましくは２０〜４０μｍ程度である。レ
ジストパターン４の形成方法（レジスト膜に開口５Ａを
形成する方法）としては、レーザー加工、フォトリソグ
ラフィー加工等が挙げられるが、寸法精度、加工コスト
の点から、フォトリソグラフィー加工（すなわち、フォ
トマスクを介して露光した後、現像して開口５Ａを形成
する）が好ましい。この際、配線パターン形成用の開口
５Ａの幅は、目的とする配線パターンの幅に応じて決定
されるが、一般に１〜２０００μｍの範囲、好ましくは
５〜１５００μｍの範囲である。

【００２４】次に、支持基板１の符号１Ａとは反対の面
にレジスト６を形成する。レジスト６は、絶縁性であれ
ばよく、材料（絶縁体）としては、特に制限されない
が、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエー
テルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエ
チレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート
樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の合成樹脂が好ましく、こ
れらのフィルムを粘着剤等で支持基板１に貼り付ける。
レジスト６の形成には、感光性のレジストを用いてもよ
く、例えばドライフィルムレジスト、液状レジストが用
いられるが、製造コストの点からドライフィルムレジス
トが好適である。これらの中でもポリエチレンテレフタ
レート樹脂やアクリル系のドライフィルムレジストが、
耐酸性の点から好ましく、また、耐酸性およびコストの
点から、ポリエチレンテレフタレート樹脂が特に好まし
い。以下の記載では、ポリエチレンテレフタレート樹脂
のフィルムを粘着剤で貼り合わせた場合について説明す
る。

【００２５】次に、上述の開口５Ａ内に電解めっきによ
り配線用金属（合金）を堆積させて、図７に示すような
配線パターン７を形成する。すなわち、これまでの加工
により得られた基板を長尺基板３１として、上述した本
発明のめっき装置を用いてめっきを施す。本発明のめっ
き装置の特徴および好ましい態様は上述したとおりであ
る。

【００２６】配線パターン７に用いる配線用金属（合
金）としては、Ｃｕ、Ａｕ、スレンレス鋼、Ａｌ、Ｎｉ
等の金属、またはこれらの金属にＢｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａ
ｇ、Ｐｂ、Ｃｒ等を添加した合金が好適である。これら
の中でも、強度、弾性率等の機械的特性および導電率等
の電気的特性から、Ｃｕが特に好ましい。配線パターン
７の厚みは、２〜３０μｍが好ましく、５〜２０μｍが
より好ましい。また、電解めっき時の給電は、図７の５
Ｂの部分に給電ロール２２（図１参照）を接触させて行
う。５Ｂの部分の幅は、１〜３０ｍｍが好ましく、３〜
２０ｍｍがより好ましい。

【００２７】次に、図８に示すように、例えばアルカリ
系溶液等を用いたウェットエッチングでレジストパター
ン４を除去したあと、さらに導電層３の不要部分を除去
する。エッチング液としてフェリシアン化カリウム系、
過マンガン酸カリウム系、メタケイ酸ナトリウム系等の
水溶液を好ましく使用する。

【００２８】次に、図９に示すように、配線パターン７
の上に金属層８を形成する。金属層８は、無電解めっ
き、電解めっき等によって好ましく形成される。しか
し、配線パターン７と後述する被覆層との密着力を高め
ることを目的とする金属層８は薄くてよいので、その形
成には無電解めっきが特に好ましく用いられる。金属層
８の金属（合金）としては、Ｃｕ、Ａｕ、スレンレス
鋼、Ａｌ、Ｎｉ等の金属、またはこれらの金属にＢｅ、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｃｒ等を添加した合金が好適
である。これらの中でも、銅イオンマイグレーションを
防ぐ点から、Ｎｉが特に好ましい。金属層８の厚みは、
０．０１〜１μｍが好ましく、０．０５〜０．１μｍが
特に好ましい。

【００２９】その後、図１０に示すように、金属層８の
上および絶縁層２の上に、配線被覆層９を形成する。配
線被覆層９の製法、材質等は、絶縁層２と同じである。
次に、図１１に示すように、支持基板１の符号１Ａ側の
面を、上述した各層を含めてレジスト（膜）１０で覆
い、さらに、支持基板１の反対側の面（下面）の全面を
レジスト（膜）１１で覆う。ここで、レジスト（膜）１
０、１１としては、例えば、ドライフィルムレジスト、
液状レジスト等が好適に使用されるが、ドライフィルム
レジストがより好ましく、そのなかでもアクリル系ドラ
イフィルムレジストが耐酸性の点で特に好ましい。

【００３０】次に、図１２に示すように、レジスト
（膜）１１にフォトリソグラフィー加工を施して、支持
基板１のその上に絶縁層２および配線パターンを有して
いない不要部分Ｄを露出させる。さらに、支持基板１の
下面からウェットエッチングを施して、支持基板の不要
部分Ｄを除去して図１３のような構造とする。当該ウェ
ットエッチングのエッチング液としては、支持基板１の
材料によっても異なるが、塩化第二鉄、塩化第二銅等の
水溶液が好適である。

【００３１】その後、レジスト（膜）１０、１１を除去
する（図１４参照）。さらに、図１５に示すように、配
線被覆層９の開口部分に、電解めっきにより、厚み０．
１〜５μｍのニッケル膜（図示せず）、厚み０．１〜５
μｍの金からなる電極パッド１２を形成する。このよう
にして、図１６に示すような、回路つきサスペンション
基板を得ることができる。図１６では配線被覆層９は省
略している。

【００３２】本発明のめっき装置は、以上のような、ハ
ードディスク用の回路つきサスペンション基板の製造の
用途に限られるわけではなく、長尺基板にめっきを施す
工程を有する配線基板であればその用途に特に限定を受
けずに適用することができる。また本発明の実施により
得られる配線基板は、そのままの形態か、あるいは内部
に組み込まれること等によって、各種電子部品・電子機
器等に用いることができる。

【００３３】

【実施例】以下、実施例および比較例をもって本発明を
詳細に述べるが、本発明はこれらによって何ら限定され
るものではない。説明に際しては、上記サスペンション
基板の製造の説明の際に参照した図面を援用する。

【００３４】〔実施例１〕支持基板１としての厚さ２０
μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ）の上
に、ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、乾燥後の厚みが２
４μｍとなるように塗布した後、１３０℃で加熱するこ
とにより、ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成した。次
に、かかる皮膜にフォトマスクを介して露光し（波長：
４０５ｎｍ、露光積算光量７００ｍＪ／ｃｍ²）、露光
部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて
現像して、当該皮膜をネガ型の画像でパターニングし
た。

【００３５】ついで、該パターニングされたポリイミド
樹脂前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱して硬化（イミド
化）し、これによって、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂
からなる所定パターンのベース層（絶縁層２に相当）を
形成した（図４参照）。次に、ステンレス箔と該ベース
層（絶縁層２）の全面に、導電層３としての、厚さ３０
０ÅのＣｒ薄膜と厚さ７００ÅのＣｕ薄膜をこの順にス
パッタ蒸着法によって形成した（図５参照）。次に、レ
ジストパターン４の形成のために、上記Ｃｕ薄膜上に厚
み３０μｍのアクリル系ドライフィルムレジストを貼り
合わせた（図６参照）。また、ステンレス箔の１Ａとは
反対の面に、レジスト６としてのポリエチレンテレフタ
レートからなる厚み２０μｍのフィルムを粘着剤によっ
て貼り合わせ、ステンレス箔が露出しないようにした。

【００３６】次に、上記ドライフィルムレジストにフォ
トリソグラフィー加工により、配線パターン形成用の開
口パターン（開口部５Ａ）と、めっき給電用の開口部と
を設けた。かかる配線パターン形成用の開口パターン
は、図１７に示すように、幅が１５〜１５００μｍで４
本で１組とし、ピッチ３ｍｍで搬送方向ＭＤに３０組、
基板の幅方向に４列配置した。

【００３７】また、めっき給電用の開口部（図７の５Ｂ
に相当）は、５ｍｍの幅で開口した。このようにして得
られた長尺基板３１は可撓性、すなわち厚みが１００μ
ｍであった。図１に示すめっき装置のめっき槽２１の外
側にある給電ロール２３から長尺基板３１に電流を供給
して、電解めっきを施した。このめっき装置には、支持
手段として、図３（ａ）に示すような配置で基材支持ロ
ッド２４（長尺基板３１の幅全体に接触する）が５本
（隣接するロッド間の距離は１６５ｍｍ）備えられてい
る。めっき液は、硫酸銅浴で構成した。当該めっきによ
り、開口部５ＡにＣｕを堆積させて、厚み１３〜１６μ
ｍの配線パターン７を形成した。

【００３８】その後、図７における符号４、６で示され
るレジストを化学エッチング（エッチャント：アルカリ
系水溶液）で完全に除去し、ウェットエッチング（エッ
チング液：過マンガン酸カリウム水溶液）で配線パター
ン７がない部分のＣｕ薄膜とＣｒ薄膜（導電層３）とを
除去し、図８のような構造とした。次に、配線パターン
７の上に無電解めっき法で、金属層８としての厚み０．
０５〜０．１μｍのニッケル膜を形成した（図９参
照）。

【００３９】次に、ステンレス箔、ベース層（絶縁層
２）、ニッケル膜の上に、ポリイミド樹脂前駆体の溶液
を塗布した後、１３０℃で加熱することにより、ポリイ
ミド樹脂前駆体の皮膜を形成した。次に、かかる皮膜に
フォトマスクを介して露光し（波長：４０５ｎｍ、露光
積算光量７００ｍＪ／ｃｍ²）、露光部分を１８０℃に
加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像して、当該皮
膜をネガ型の画像でパターニングした。ついで、該パタ
ーニングされたポリイミド樹脂前駆体の皮膜を、３５０
℃で加熱して硬化（イミド化）し、これによって、厚さ
３μｍのポリイミド樹脂からなる所定パターンのカバー
層（配線被覆層９に相当する）を形成した（図１０参
照）。

【００４０】次に、ステンレス箔の上面側および下面側
からステンレス箔、配線パターン、ベース層、およびカ
バー層の露出面全面をアクリル系ドライフィルムレジス
ト（図１１におけるレジスト１０、１１）で覆った後、
フォトリソグラフィー加工により、ステンレス箔の不要
部分（ベース層および配線パターンを有していない不要
部分；図１２におけるＤの部分）を露出させた。次に、
エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用して、ステ
ンレス箔の下面側から、ウェットエッチングを施して、
ステンレス箔の不要部分を除去した。そして、残存する
レジストフィルム１０、１１を除去した（図１４参
照）。

【００４１】次に、電解めっき法により、カバー層（配
線被覆層９に相当）の開口部のなかに、図１５で示すよ
うに、厚み１〜５μｍのニッケル膜（図示せず）、およ
び厚み１〜５μｍの金からなる電極パッド１２を形成し
た。このようにして、配線基板としての回路つきサスペ
ンション基板を得た。

【００４２】〔比較例１〕配線パターン７を形成する際
に、基材支持ロッド２４が備えられていないめっき装置
を用いてめっきを施したこと以外は、実施例１と同様に
回路つきサスペンション基板を得た。

【００４３】〔測定〕実施例１、比較例１の配線パター
ンの厚み分布を、長尺基板３１の幅方向で測定した。具
体的には、上記製造工程中、電解めっきにより配線パタ
ーン７を形成して、ドライフィルムレジスト（図７にお
ける符号４、６で示されるレジスト）を剥離した段階で
サンプリングを行った。レーザー顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣ
Ｅ社製）によって、配線パターン７の上端から、ベース
層（絶縁層２）上のスパッタ（導電層３）までの厚み
（段差の高さ）を測定した。

【００４４】その結果を図１８に示す。実施例１、すな
わち電解めっきで配線パターン７を形成する際に、基板
支持ロッド２４を設置しためっき装置を用いた方が、配
線パターン７（電解めっき）の厚みばらつきを低減させ
ることができた。

【００４５】

【発明の効果】本発明のめっき装置は、めっき液収容部
内に支持手段を有することに起因して、めっき液収容部
内の長尺基板３１が変形・位置ずれ等し難くり、その結
果、意図しないめっき条件のばらつきが生じ難くなり、
めっき厚みの精度が向上することが期待される。当該効
果は可撓性の長尺基板３１のめっきにおいて特に有用で
あり、小型、高精度の配線を有する配線基板の製造の低
コスト化に寄与し得る。また、本発明のめっき装置の好
ましい態様においては、めっき液収容部外にある長尺基
板３１への給電用電極が搬送手段を兼ねているので、め
っき装置の構造の簡略化にも寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のめっき装置の一例を示す。

【図２】本発明のめっき装置の搬送手段としての搬送ロ
ールを示す。

【図３】本発明のめっき装置の支持手段としての基板支
持ロッドの設置例を示す。

【図４】本発明の配線基板が製造される過程を模式的に
示す。

【図５】本発明の配線基板が製造される過程を模式的に
示す。

【図６】本発明の配線基板が製造される過程を模式的に
示す。

【図７】本発明の配線基板が製造される過程を模式的に
示す。

【図８】本発明の配線基板が製造される過程を模式的に
示す。

【図９】本発明の配線基板が製造される過程を模式的に
示す。

【図１０】本発明の配線基板が製造される過程を模式的
に示す。

【図１１】本発明の配線基板が製造される過程を模式的
に示す。

【図１２】本発明の配線基板が製造される過程を模式的
に示す。

【図１３】本発明の配線基板が製造される過程を模式的
に示す。

【図１４】本発明の配線基板が製造される過程を模式的
に示す。

【図１５】本発明の配線基板が製造される過程を模式的
に示す。

【図１６】本発明の配線基板としてのサスペンション基
板を示す。

【図１７】実施例および比較例における配線パターンを
示す。

【図１８】実施例および比較例における配線パターンの
めっき厚みの分布を示す。

【符号の説明】

１支持基板２絶縁層３導電層４レジストパターン５Ａ開口６レジスト７配線パターン８金属層９配線被覆層１０レジスト（膜）１１レジスト（膜）１２電極パッド２１めっき槽２２搬送ロール２３給電ロール２４基板支持ロッド２５アノード３１長尺基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊藤正樹大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 4K024 AA02 AA03 AA09 AB03 AB04 AB08 AB15 BA12 BB11 BC02 CB03 CB08 CB10 EA04 EA06 FA05 5E343 AA03 DD43 FF16 FF18 FF20 GG11 GG20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】めっき液を収容するめっき液収容部と、配線基板形成用の長尺基板を、その幅方向を上下に向け
て長手方向に搬送しながら、前記めっき液収容部内のめ
っき液に浸漬する搬送手段と、前記長尺基板に電気的に接触する給電用電極と、前記めっき液収容部内で、前記長尺基板に接触して長尺
基板を支持する支持手段とを有する、配線基板形成用の
長尺基板に電解めっきを施すめっき装置。
【請求項２】上記支持手段が、上記めっき液収容部内
に設けられたロッドである請求項１に記載のめっき装
置。
【請求項３】上記ロッドが複数設けられており、隣接
するロッドの間隔が５０〜５００ｍｍである請求項２に
記載のめっき装置。
【請求項４】上記給電用電極が、上記めっき液収容部
外で上記長尺基板に接触して給電するものである請求項
１〜３のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項５】上記めっき液収容部外で上記長尺基板に
接触する給電用電極が、上記搬送手段を兼ねるものであ
る請求項４に記載のめっき装置。
【請求項６】上記搬送手段を兼ねる給電用電極が、上
記めっき液収容部外に設けられたロールである請求項５
に記載のめっき装置。
【請求項７】上記長尺基板の厚みが１０〜１０００μ
ｍである、請求項１〜６のいずれかに記載のめっき装
置。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載のめっき
装置を用いて上記長尺基板に電解めっきを施す工程を有
する、配線基板の製造方法。