JP2003316047A - 有機感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ - Google Patents

有機感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ

Info

Publication number
JP2003316047A
JP2003316047A JP2003041026A JP2003041026A JP2003316047A JP 2003316047 A JP2003316047 A JP 2003316047A JP 2003041026 A JP2003041026 A JP 2003041026A JP 2003041026 A JP2003041026 A JP 2003041026A JP 2003316047 A JP2003316047 A JP 2003316047A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
repeating unit
image
unit structure
intermediate layer
amide component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003041026A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4155055B2 (ja
Inventor
友男 ▲崎▼村
Tomoo Sakimura
Kageyuki Tomoyose
景之 友寄
Kazuhisa Shida
和久 志田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2003041026A priority Critical patent/JP4155055B2/ja
Publication of JP2003316047A publication Critical patent/JP2003316047A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4155055B2 publication Critical patent/JP4155055B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、B型チタニルフタロシアニン顔料
を用いた場合に、画像濃度の低下が発生せず、且つ黒ポ
チや環境メモリ等の画像欠陥の発生がない有機感光体を
提供することである。 【解決手段】 中間層がアミド結合間の炭素数が7〜3
0の繰り返し単位構造のアミド成分を、全繰り返し単位
構造のアミド成分の40〜100モル%含有し且つ該炭
素数が7〜30の繰り返し単位構造のアミド成分中で、
直鎖でない繰り返し単位構造のアミド成分が10モル%
以上であるポリアミド樹脂を含有し、且つ感光層がCu
−Kα特性X線によるX線回折スペクトルで、ブラッグ
角(2θ±0.2°)7.5°、28.7°に顕著な回
折ピークを有するチタニルフタロシアニン顔料を含有す
る有機感光体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複写機やプリンタ
ーの分野において用いられる有機感光体、及び該有機感
光体を用いた画像形成装置、画像形成方法、プロセスカ
ートリッジに関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子写真用感光体(以下単に感光体とも
云う)はSe、ヒ素、ヒ素/Se合金、CdS、ZnO
等の無機感光体から、公害や製造の容易性等の利点に優
れる有機感光体に主体が移り、様々な材料を用いた有機
感光体が開発されている。
【0003】近年では電荷発生と電荷輸送の機能を異な
る材料に担当させた機能分離型の感光体が主流となって
おり、なかでも電荷発生層、電荷輸送層を積層した積層
型の有機感光体が広く用いられている。
【0004】また、電子写真プロセスに目を向けると潜
像画像形成方式は、ハロゲンランプを光源とするアナロ
グ画像形成とLEDやレーザを光源とするデジタル方式
の画像形成に大別される。最近はパソコンのハードコピ
ー用のプリンターとして、また通常の複写機においても
画像処理の容易さや複合機への展開の容易さからデジタ
ル方式の潜像画像形成方式が急激に主流となりつつあ
る。
【0005】デジタル方式の画像形成では、デジタル電
気信号に変換された画像情報を感光体上に静電潜像とし
て書き込む際の光源としてレーザ、特に半導体レーザや
LEDが用いられている。
【0006】これらのレーザ光やLED光の発振波長
は、780nmや660nmの近赤外光やそれに近い長
波長光である。デジタル的に画像形成を行う際に使用さ
れる有機感光体にとって、まず第一に要求される特性と
してはこれらの長波長光に対して高感度であることであ
り、これまで多種多様な材料についてそのような特性を
有するか否かの検討がなされてきている。その中でもフ
タロシアニン顔料は、合成が比較的簡単である上、長波
長光に対して高感度を示すものが多い点で、フタロシア
ニン顔料を用いた有機感光体が、幅広く検討され、実用
化されている。
【0007】なかでも、粉末X線回折スペクトルにてブ
ラッグ角2θが7.5°、28.7°に顕著なピークを
有するチタニルフタロシアニン顔料(以後、単にB型チ
タニルフタロシアニン顔料又はB型顔料とも云う)は安
定した感度を示し且つ合成しやすい電荷発生物質として
知られている(特許文献1)。
【0008】しかし、このB型顔料の電荷発生物質を用
いて有機感光体を作製した場合、繰り返し使用に伴う残
留電位の増加や黒ポチ等の画像欠陥が発生しやすい。
【0009】本発明者等は前記のような問題を検討した
結果、前記B型顔料の電荷発生物質を用いた場合の問題
は、電荷発生層に隣接する中間層の影響が大きいことが
見出された。
【0010】例えば、酸化チタン粒子等をポリアミド樹
脂に分散させて中間層を形成する方法は、広く知られて
いる。しかし、この場合のポリアミド樹脂として通常用
いられる主に、6−ナイロン等のアミド結合間の炭素鎖
の少ない化学構造から構成される共重合ポリアミド樹脂
やメトキシメチル化ポリアミド樹脂は、吸水率が高く、
このようなポリアミドを用いた中間層は高温高湿下で、
繰り返し使用に伴う残留電位の増加や黒ポチ等の画像欠
陥が発生しやすく、環境メモリ(高温高湿の環境から低
温低湿の環境に変わったとき、帯状の画像欠陥が発生す
る現象)も発生しやすい。
【0011】アミド結合間の炭素鎖の多い構成単位から
構成される共重合ポリアミド樹脂、例えば12−ナイロ
ン系樹脂は、吸水率が低い為、環境依存性が低い感光体
を作るのに有効な材料であると予想される。しかし、こ
のようなポリアミドは通常の有機溶媒には不溶で、感光
体の製造には適さない。又、メトキシメチル化により溶
解性を向上させて用いる例があるが(特許文献2、
3)、メトキシメチル化は著しく吸水率を増加させる
為、残留電位の増加防止、黒ポチや環境メモリを十分低
くすることは難しい。
【0012】
【特許文献1】特開昭61−239248号公報
【0013】
【特許文献2】特開平5−72787号公報
【0014】
【特許文献3】特開平6−186767号公報
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑み、B型チタニルフタロシアニン顔料を
用いた場合の帯電特性、感度特性の湿度変化を改良し、
画像濃度の低下が発生せず、且つ黒ポチや環境メモリ等
の画像欠陥の発生がない有機感光体を提供することであ
り、該有機感光体を用いた画像形成方法、画像形成装
置、プロセスカートリッジを提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は既存のポリアミ
ド樹脂を用いた中間層の前記したような欠点を改良すべ
く検討を加えた結果、アミド結合間の炭素数が大きいポ
リアミド樹脂で、吸水率が小さく、且つ溶媒溶解性が良
好なポリアミド樹脂を発見し、該ポリアミド樹脂を導電
性支持体上の中間層のバインダー樹脂として用いること
により、溶媒溶解性、感光体の帯電特性、感度特性の対
湿度依存性を改善し、画像濃度の低下が発生せず、黒ポ
チや環境メモリ等の画像欠陥の発生も防止できることを
見出し、本発明を完成した。即ち、本発明は以下のよう
な構成を有することにより、達成される。
【0017】1.導電性支持体上に中間層、感光層とを
有する有機感光体において、該中間層は、アミド結合間
の炭素数が7〜30の繰り返し単位構造のアミド成分
を、全繰り返し単位構造のアミド成分の40〜100モ
ル%含有し且つ該炭素数が7〜30の繰り返し単位構造
のアミド成分中で、直鎖でない繰り返し単位構造のアミ
ド成分が10モル%以上であるポリアミド樹脂を含有
し、且つ感光層がCu−Kα特性X線によるX線回折ス
ペクトルで、ブラッグ角(2θ±0.2°)7.5°、
28.7°に顕著な回折ピークを有するチタニルフタロ
シアニン顔料を含有することを特徴とする有機感光体。
【0018】2.前記中間層が数平均一次粒径が10〜
400nmの微粒子を含有することを特徴とする前記1
に記載の有機感光体。
【0019】3.前記微粒子がN型半導性粒子であるこ
とを特徴とする前記2に記載の有機感光体。
【0020】4.前記N型半導性粒子が酸化チタン粒子
であることを特徴とする前記3に記載の有機感光体。
【0021】5.前記微粒子が金属酸化物であることを
特徴とする前記2に記載の有機感光体。
【0022】6.前記微粒子が表面処理を施されている
ことを特徴とする前記2〜5のいずれか1項に記載の有
機感光体。
【0023】7.前記ポリアミド樹脂が前記一般式
(1)で示される繰り返し単位構造を有することを特徴
とする前記1〜6のいずれか1項に記載の有機感光体。
【0024】8.前記Y1は前記化学構造を有すること
を特徴とする前記7に記載の有機感光体。
【0025】9.前記感光層がCu−Kα特性X線によ
るX線回折のブラッグ角(2θ±0.2°)で、7.5
°、28.7°に顕著な回折ピークを示すオキシチタニ
ルフタロシアニン顔料を含有することを特徴とする前記
1〜8のいずれか1項に記載の有機感光体。
【0026】10.導電性支持体と感光層の間に、アミ
ド結合間の炭素数が7〜30の繰り返し単位構造のアミ
ド成分を、全繰り返し単位構造のアミド成分の40〜1
00モル%含有し且つ該炭素数が7〜30の繰り返し単
位構造のアミド成分中で、直鎖でない繰り返し単位構造
のアミド成分が10モル%以上であるポリアミド樹脂を
含有する中間層を有し、且つ感光層がCu−Kα特性X
線によるX線回折スペクトルで、ブラッグ角(2θ±
0.2°)7.5°、28.7°に顕著な回折ピークを
有するチタニルフタロシアニン顔料を含有する有機感光
体上に、静電潜像を形成する潜像形成手段、該有機感光
体上に形成された静電潜像を顕像化してトナー像とする
現像手段、顕像化して得られた該有機感光体上のトナー
像を転写材上に転写する転写手段及びトナー像転写後に
該感光体上に残留するトナーをクリーニングするクリー
ニング手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【0027】11.前記10に記載の画像形成装置を用
いて、電子写真画像を形成することを特徴とする画像形
成方法。
【0028】12.前記1〜9のいずれか1項に記載の
有機感光体と該有機感光体上を一様に帯電する帯電手
段、該有機感光体上の静電潜像を顕像化する現像手段、
該有機感光体上に顕像化されたトナー像を転写材上に転
写する転写手段、転写後の該有機感光体上の電荷を除去
する除電手段及び転写後の該有機感光体上の残留するト
ナーをクリーニングするクリーニング手段の少なくとも
1つとが一体的に支持され、画像形成装置本体に着脱自
在に装着されていることを特徴とするプロセスカートリ
ッジ。
【0029】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
ポリアミド樹脂は、アミド結合間の炭素数が7〜30の
繰り返し単位構造のアミド成分を、全繰り返し単位構造
のアミド成分の40〜100モル%含有し且つ該炭素数
が7〜30の繰り返し単位構造のアミド成分中で、直鎖
でない繰り返し単位構造のアミド成分が10モル%以上
であるポリアミド樹脂を含有することを特徴とする。
【0030】ここで、アミド結合間の炭素数が7〜30
の繰り返し単位構造について説明する。前記繰り返し単
位構造とはポリアミド樹脂を形成するアミド成分(アミ
ド結合単位)を意味する。このことを、繰り返し単位構
造がアミノ基とカルボン酸基の両方を持つ化合物の縮合
により形成されるポリアミド樹脂(タイプA)と、ジア
ミノ化合物とジカルボン酸化合物の縮合で形成されるポ
リアミド樹脂(タイプB)の両方の例で説明する。
【0031】即ち、タイプAの繰り返し単位構造は一般
式(2)で表され、Xに含まれる炭素数が繰り返し単位
構造におけるアミド成分の炭素数である。一方タイプB
の繰り返し単位構造は一般式(3)で表され、Yに含ま
れる炭素数もZに含まれる炭素数も、各々繰り返し単位
構造におけるアミド成分の炭素数である。
【0032】
【化3】
【0033】一般式(2)中、R1は水素原子、置換又
は無置換のアルキル基、Xは置換又は無置換の、アルキ
レン基、2価のシクロアルカンを含む基、2価の芳香族
基及びこれらの混合構造を示し、lは自然数を示す。
【0034】
【化4】
【0035】一般式(3)中、R2、R3は各水素原子、
置換又は無置換のアルキル基、Y、Zは各置換又は無置
換の、アルキレン基、2価のシクロアルカンを含む基、
2価の芳香族基及びこれらの混合構造を示し、m、nは
自然数を示す。
【0036】又、本発明のポリアミド樹脂は、前記炭素
数が7〜30の繰り返し単位構造のアミド成分中で、直
鎖でない繰り返し単位構造のアミド成分が10モル%以
上含有することを特徴とする。前記炭素数が7〜30の
繰り返し単位構造のアミド成分中で、直鎖でない繰り返
し単位構造のアミド成分を10モル%以上含有させるこ
とにより、ポリアミド樹脂が非晶質構造に成りやすく、
溶媒溶解性が良好となり、黒ポチや環境メモリを改善す
る前記直鎖でない繰り返し単位構造のアミド成分の比率
は10モル%〜75モル%がより好ましく、20モル%
〜50モル%が最も好ましい。10モル%より小さいと
溶媒溶解性が低下し、黒ポチや環境メモリが劣化しやす
い。75モル%より大きくても同様の傾向になりやす
い。
【0037】前記直鎖でない繰り返し単位構造のアミド
成分とは、炭素鎖構造中に分岐構造又は環式構造を含有
する繰り返し単位構造を云う。例えば、分岐アルキレン
基、2価のシクロアルカンを含む基、2価の芳香族基及
びこれらの混合構造を有するアミド成分が挙げられる
が、これらの中で2価のシクロアルカンを含むアミド成
分を有する化学構造が好ましい。
【0038】本発明のポリアミド樹脂は繰り返し単位構
造のアミド成分の炭素数が7〜30であるが、好ましく
は9〜25、更には11〜20が良い。またアミド成分
の炭素数が7〜30の繰り返し単位構造が全繰り返し単
位構造のアミド成分中に占める比率は40〜100モル
%、好ましくは60〜100モル%、更には80〜10
0モル%が良い。
【0039】前記炭素数が7より小だと、ポリアミド樹
脂の吸湿性が大きく、電子写真特性、特に繰り返し使用
時の電位の湿度依存性が大きく、更に黒ポチ、環境メモ
リ等が発生しやすい。30より大であるとポリアミド樹
脂の塗布溶媒への溶解が悪くなり、中間層の塗布膜形成
に適さない。
【0040】又、アミド成分の炭素数が7〜30の繰り
返し単位構造が全繰り返し単位構造のアミド成分中に占
める比率が40モル%より小さいと、上記効果が小さく
なる。
【0041】本発明の好ましいポリアミド樹脂としては
下記一般式(1)で示される繰り返し単位構造を有する
ポリアミドが挙げられる。
【0042】
【化5】
【0043】一般式(1)中、Y1は2価のアルキル置
換されたシクロアルカンを含む基、Z1はメチレン基、
mは1〜3、nは3〜20を示す。
【0044】上記一般式(1)中、Y1の2価のアルキ
ル置換されたシクロアルカンを含む基は下記化学構造が
好ましい。即ち、Y1が下記化学構造を有する本発明の
ポリアミド樹脂は、環境メモリ、黒ポチ改善効果が著し
い。
【0045】
【化6】
【0046】上記化学構造において、Aは単結合、炭素
数1〜4のアルキレン基を示し、R 4は置換基で、アル
キル基を示し、pは1〜5の自然数を示す。但し、複数
のR4は同一でも、異なっていても良い。
【0047】本発明のポリアミド樹脂の具体例としては
下記のような例が挙げられる。
【0048】
【化7】
【0049】
【化8】
【0050】
【化9】
【0051】
【化10】
【0052】上記具体例中の(C/D)は繰り返し単位
構造のアミド結合間の炭素数が7以上の繰り返し単位構
造の比率(C:モル%)及び直鎖でない繰り返し単位構
造のアミド成分の比率(D:モル%)を示す。
【0053】上記具体例の中でも、一般式(1)のアル
キル置換されたシクロアルカン基を含む繰り返し単位構
造を有するN−1〜N−5、N−9、N−12、N−1
3のポリアミド樹脂が特に好ましい。
【0054】又、本発明のポリアミド樹脂の分子量は数
平均分子量で5,000〜80,000が好ましく、1
0,000〜60,000がより好ましい。数平均分子
量が5,000以下だと中間層の膜厚の均一性が劣化
し、本発明の効果が十分に発揮されにくい。一方、8
0,000より大きいと、樹脂の溶媒溶解性が低下しや
すく、中間層中に凝集樹脂が発生しやすく、黒ポチ等の
画像欠陥が発生しやすい。
【0055】本発明のポリアミド樹脂はその一部が既に
市販されており、例えばダイセル・デグサ(株)社製の
ベスタメルトX1010、X4685等の商品名で販売
されて、一般的なポリアミドの合成法で作製することが
できるが、以下に合成例の一例を挙げる。
【0056】例示ポリアミド樹脂(N−1)の合成 攪拌機、窒素、窒素導入管、温度計、脱水管等を備えた
重合釜にラウリルラクタム215質量部、3−アミノメ
チル−3,5,5−トリメチルシクロヘキシルアミン1
12質量部、1,12−ドデカンシカルボン酸153質
量部及び水2質量部を混合し、加熱加圧下、水を留出さ
せながら9時間反応させた。重合物を取り出し、C13
NMRにより共重合組成を求めたところ、N−1の組成
と一致した。尚、上記合成された共重合のメルトフロー
インデックス(MFI)は(230℃/2.16kg)
の条件で、5g/10minであった。
【0057】本発明のポリアミド樹脂を溶解し、塗布液
を作製する溶媒としては、エタノール、n−プロピルア
ルコール、イソプロピルアルコール、n−ブタノール、
t−ブタノール、sec−ブタノール等の炭素数2〜4
のアルコール類が好ましく、ポリアミドの溶解性と作製
された塗布液の塗布性の点で優れている。これらの溶媒
は全溶媒中に30〜100質量%、好ましくは40〜1
00質量%、更には50〜100質量%が好ましい。前
記溶媒と併用し、好ましい効果を得られる助溶媒として
は、メタノール、ベンジルアルコール、トルエン、メチ
レンクロライド、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラ
ン等が挙げられる。
【0058】又、本発明の中間層には前記したポリアミ
ド樹脂中に一次粒子径が10〜400nmの微粒子を分
散、含有させることが好ましい。
【0059】上記数平均一次粒子径とは、微粒子を透過
型電子顕微鏡観察によって10000倍に拡大し、ラン
ダムに100個の粒子を一次粒子として観察し、画像解
析によってフェレ方向平均径としての測定値である。
【0060】このような微粒子としては、例えば酸化セ
リウム、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化マグネシ
ウム、酸化ケイ素、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化
鉄、酸化チタンなどの酸化物;硫酸カルシウム、硫酸バ
リウム、硫酸アルミニウムなどの硫酸塩;珪酸カルシウ
ム、珪酸マグネシウムなどの珪酸塩;チッ化ホウ素、チ
ッ化チタンなどのチッ化物;炭化ケイ素、炭化チタン、
炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウムなど
の炭化物;ホウ化ジルコニウム、ホウ化チタンなどのホ
ウ化物などが挙げられるが、微粒子としては下記に記す
N型半導性微粒子が好ましい。
【0061】N型半導性粒子とは、導電性キャリアを電
子とする性質をもつ微粒子を示す。すなわち、導電性キ
ャリアを電子とする性質をもつことから、該N型半導性
粒子を絶縁性バインダーに含有させた中間層は、基体か
らのホール注入を効率的にブロックし、また、感光層か
らの電子に対してはブロッキング性が少ない性質を有す
る。
【0062】前記N型半導性粒子は、具体的には酸化チ
タン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(S
nO2)等の微粒子が挙げられるが、本発明では、特に
酸化チタンが好ましく用いられる。
【0063】本発明に用いられるN型半導性粒子の平均
粒径は、数平均一次粒径で10nm以上400nm以下
の範囲が良く、15nm〜200nmが好ましい。10
nm未満では中間層によるモアレ発生の防止効果が小さ
い。一方、400nmより大きいと、中間層塗布液のN
型半導性粒子の沈降が発生しやすく、その結果中間層中
のN型半導性粒子の均一分散性が悪く、又黒ポチも増加
しやすい。数平均一次粒径が前記範囲のN型半導性粒子
を用いた中間層塗布液は分散安定性が良好で、且つこの
ような塗布液から形成された中間層は黒ポチ発生防止機
能の他、環境特性が良好で、且つ耐クラッキング性を有
する。
【0064】本発明に用いられるN型半導性粒子の形状
は、樹枝状、針状および粒状等の形状があり、このよう
な形状のN型半導性粒子は、例えば酸化チタン粒子で
は、結晶型としては、アナターゼ型、ルチル型及びアモ
ルファス型等があるが、いずれの結晶型のものを用いて
もよく、また2種以上の結晶型を混合して用いてもよ
い。その中でもルチル型で且つ粒状のものが最も良い。
【0065】N型半導性粒子に行われる表面処理の1つ
は、複数回の表面処理を行い、かつ該複数回の表面処理
の中で、最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用
いた表面処理を行うものである。また、該複数回の表面
処理の中で、少なくとも1回の表面処理がアルミナ、シ
リカ、及びジルコニアから選ばれる少なくとも1種類以
上の表面処理を行い、最後に反応性有機ケイ素化合物を
用いた表面処理を行うことが好ましい。
【0066】尚、アルミナ処理、シリカ処理、ジルコニ
ア処理とはN型半導性粒子表面にアルミナ、シリカ、或
いはジルコニアを析出させる処理を云い、これらの表面
に析出したアルミナ、シリカ、ジルコニアにはアルミ
ナ、シリカ、ジルコニアの水和物も含まれる。又、反応
性有機ケイ素化合物の表面処理とは、処理液に反応性有
機ケイ素化合物を用いることを意味する。
【0067】この様に、酸化チタン粒子の様なN型半導
性粒子の表面処理を少なくとも2回以上行うことによ
り、N型半導性粒子表面が均一に表面被覆(処理)さ
れ、該表面処理されたN型半導性粒子を中間層に用いる
と、中間層内における酸化チタン粒子等のN型半導性粒
子の分散性が良好で、かつ黒ポチ等の画像欠陥を発生さ
せない良好な感光体を得ることができるのである。
【0068】また、該複数回の表面処理をアルミナ、シ
リカを用いて表面処理を行い、次いで反応性有機ケイ素
化合物による表面処理を行うものが特に好ましい。
【0069】なお、前述のアルミナ、シリカの処理は同
時に行っても良いが、特にシリカ処理を最初に行い、次
いでアルミナ処理を行うことが好ましい。また、アルミ
ナとシリカの処理をそれぞれ行う場合のアルミナ及びシ
リカの処理量は、アルミナよりもシリカの多いものが好
ましい。
【0070】前記酸化チタン等のN型半導性粒子のアル
ミナ、シリカ、及びジルコニア等の金属酸化物による表
面処理は湿式法で行うことができる。例えば、シリカ、
又はアルミナの表面処理を行ったN型半導性粒子は以下
の様に作製することができる。
【0071】N型半導性粒子として酸化チタン粒子を用
いる場合、酸化チタン粒子(数平均一次粒子径:50n
m)を50〜350g/Lの濃度で水中に分散させて水
性スラリーとし、これに水溶性のケイ酸塩又は水溶性の
アルミニウム化合物を添加する。その後、アルカリ又は
酸を添加して中和し、酸化チタン粒子の表面にシリカ、
又はアルミナを析出させる。続いて濾過、洗浄、乾燥を
行い目的の表面処理酸化チタンを得る。前記水溶性のケ
イ酸塩としてケイ酸ナトリウムを使用した場合には、硫
酸、硝酸、塩酸等の酸で中和することができる。一方、
水溶性のアルミニウム化合物として硫酸アルミニウムを
用いたときは水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のア
ルカリで中和することができる。
【0072】なお、上記表面処理に用いられる金属酸化
物の量は、前記表面処理時の仕込量にて酸化チタン粒子
等のN型半導性粒子100質量部に対して、0.1〜5
0質量部、更に好ましくは1〜10質量部の金属酸化物
が用いられる。尚、前述のアルミナとシリカを用いた場
合も例えば酸化チタン粒子の場合、酸化チタン粒子10
0質量部に対して各々1〜10質量部用いることが好ま
しく、アルミナよりもシリカの量が多いことが好まし
い。
【0073】上記の金属酸化物による表面処理の次に行
われる反応性有機ケイ素化合物による表面処理は以下の
様な湿式法で行うことが好ましい。
【0074】即ち、有機溶剤や水に対して前記反応性有
機ケイ素化合物を溶解または懸濁させた液に前記金属酸
化物で処理された酸化チタンを添加し、この液をセラミ
ックビーズを用いたメディア分散を行うことが好まし
い。次にメディア分散後の分散液を濾過後、加熱処理を
施し、減圧乾燥し、表面を有機ケイ素化合物で被覆した
酸化チタン粒子を得る。なお、有機溶剤や水に対して酸
化チタンを分散させた懸濁液に前記反応性有機ケイ素化
合物を添加しても構わない。
【0075】尚、本発明において酸化チタン粒子表面が
反応性有機ケイ素化合物により被覆されていることは、
光電子分光法(ESCA)、オージェ電子分光法(Au
ger)、2次イオン質量分析法(SIMS)や拡散反
射FI−IR等の表面分析手法を複合することによって
確認されるものである。
【0076】前記表面処理に用いられる反応性有機ケイ
素化合物の量は、前記表面処理時の仕込量にて前記金属
酸化物で処理された酸化チタン100質量部に対し、反
応性有機ケイ素化合物を0.1〜50質量部、更に好ま
しくは1〜10質量部が好ましい。表面処理量が上記範
囲よりも少ないと表面処理効果が十分に付与されず、中
間層内における酸化チタン粒子の分散性等が悪くなる。
また、上記範囲を超えてしまうと電気性能を悪化させる
結果残留電位上昇や帯電電位の低下を招いてしまう。
【0077】本発明で用いられる反応性有機ケイ素化合
物としては下記一般式(4)で表される化合物が挙げら
れるが、酸化チタン表面の水酸基等の反応性基と縮合反
応をする化合物であれば、下記化合物に限定されない。
【0078】一般式(4) (R)n−Si−(X)4-n (式中、Siはケイ素原子、Rは該ケイ素原子に炭素が
直接結合した形の有機基を表し、Xは加水分解性基を表
し、nは0〜3の整数を表す。) 一般式(4)で表される有機ケイ素化合物において、R
で示されるケイ素に炭素が直接結合した形の有機基とし
ては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、オクチル、ドデシル等のアルキル基、フェニ
ル、トリル、ナフチル、ビフェニル等のアリール基、γ
−グリシドキシプロピル、β−(3,4−エポキシシク
ロヘキシル)エチル等の含エポキシ基、γ−アクリロキ
シプロピル、γ−メタアクリロキシプロピルの含(メ
タ)アクリロイル基、γ−ヒドロキシプロピル、2,3
−ジヒドロキシプロピルオキシプロピル等の含水酸基、
ビニル、プロペニル等の含ビニル基、γ−メルカプトプ
ロピル等の含メルカプト基、γ−アミノプロピル、N−
β(アミノエチル)−γ−アミノプロピル等の含アミノ
基、γ−クロロプロピル、1,1,1−トリフロオロプ
ロピル、ノナフルオロヘキシル、パーフルオロオクチル
エチル等の含ハロゲン基、その他ニトロ、シアノ置換ア
ルキル基を挙げられる。また、Xの加水分解性基として
はメトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、ハロゲン基、
アシルオキシ基が挙げられる。
【0079】また、一般式(4)で表される有機ケイ素
化合物は、単独でも良いし、2種以上組み合わせて使用
しても良い。
【0080】また、一般式(4)で表される有機ケイ素
化合物の具体的化合物で、nが2以上の場合、複数のR
は同一でも異なっていても良い。同様に、nが2以下の
場合、複数のXは同一でも異なっていても良い。又、一
般式(4)で表される有機ケイ素化合物を2種以上を用
いるとき、R及びXはそれぞれの化合物間で同一でも良
く、異なっていても良い。
【0081】nが0の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。テトラクロロシラン、ジエトキシジクロロ
シラン、テトラメトキシシラン、フェノキシトリクロロ
シラン、テトラアセトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトラアリロキシシラン、テトラプロポキシシラ
ン、テトライソプロポキシシラン、テトラキス(2−メ
トキシエトキシ)シラン、テトラブトキシシラン、テト
ラフェノキシシラン、テトラキス(2−エチルブトキ
シ)シラン、テトラキス(2−エチルヘキシロキシ)シ
ラン等が挙げられる。
【0082】nが1の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。即ち、トリクロロシラン、メチルトリクロ
ロシラン、ビニルトリクロロシラン、エチルトリクロロ
シラン、アリルトリクロロシラン、n−プロピルトリク
ロロシラン、n−ブチルトリクロロシラン、クロロメチ
ルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
ルカプトメチルトリメトキシシラン、トリメトキシビニ
ルシラン、エチルトリメトキシシラン、3,3,4,
4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシルトリク
ロロシラン、フェニルトリクロロシラン、3,3,3−
トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3−クロロ
プロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、3
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、2−アミノエチルアミノ
メチルトリメトキシシラン、ベンジルトリクロロシラ
ン、メチルトリアセトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、3−アリルチオプロピルトリメト
キシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、3−ブロモプロピルトリエトキシシラン、3−ア
リルアミノプロピルトリメトキシシラン、プロピルトリ
エトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、ビス(エチルメチルケト
オキシム)メトキシメチルシラン、ペンチルトリエトキ
シシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリ
エトキシシラン等が挙げられる。
【0083】nが2の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。ジメチルジクロロシラン、ジメトキシメチ
ルシラン、ジメトキシジメチルシラン、メチル−3,
3,3−トリフルオロプロピルジクロロシラン、ジエト
キシシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチ
ル−3,3,3−トリフルオロプロピルシラン、3−ク
ロロプロピルジメトキシメチルシラン、クロロメチルジ
エトキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキ
シ−3−メルカプトプロピルメチルシラン、3,3,
4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシルメ
チルジクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、
ジアセトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビ
ニルシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジクロ
ロシラン、3−アミノプロピルジエトキシメチルシラ
ン、3−(2−アミノエチルアミノプロピル)ジメトキ
シメチルシラン、t−ブチルフェニルジクロロシラン、
3−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、
3−(3−シアノプロピルチオプロピル)ジメトキシメ
チルシラン、3−(2−アセトキシエチルチオプロピ
ル)ジメトキシメチルシラン、ジメトキシメチル−2−
ピペリジノエチルシラン、ジブトキシジメチルシラン、
3−ジメチルアミノプロピルジエトキシメチルシラン、
ジエトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシ−3−グ
リシドキシプロピルメチルシラン、3−(3−アセトキ
シプロピルチオ)プロピルジメトキシメチルシラン、ジ
メトキシメチル−3−ピペリジノプロピルシラン、ジエ
トキシメチルオクタデシルシラン等が挙げられる。
【0084】nが3の化合物例としては下記の化合物が
挙げられる。トリメチルクロロシラン、メトキシトリメ
チルシラン、エトキシトリメチルシラン、メトキシジメ
チル−3,3,3−トリフルオロプロピルシラン、3−
クロロプロピルメトキシジメチルシラン、メトキシ−3
−メルカプトプロピルメチルメチルシラン等が挙げられ
る。
【0085】また、一般式(4)で表される有機ケイ素
化合物は、好ましくは下記一般式(5)で示される有機
ケイ素化合物が用いられる。
【0086】一般式(5) R−Si−X3 式中、Rはアルキル基、アリール基、Xはメトキシ基、
エトキシ基、ハロゲン基を表す。
【0087】一般式(5)で表される有機ケイ素化合物
においては、更に好ましくはRが炭素数4から8までの
アルキル基である有機ケイ素化合物が好ましく、具体的
な好ましい化合物例としては、トリメトキシn−ブチル
シラン、トリメトキシi−ブチルシラン、トリメトキシ
ヘキシルシラン、トリメトキシオクチルシランが挙げら
れる。
【0088】又、最後の表面処理に用いる好ましい反応
性有機ケイ素化合物としてはポリシロキサン化合物が挙
げられる。該ポリシロキサン化合物の分子量は1000
〜20000のものが一般に入手しやすく、又、黒ポチ
発生防止機能も良好である。
【0089】特にメチルハイドロジェンポリシロキサン
を最後の表面処理に用いると良好な効果が得られる。
【0090】酸化チタンの表面処理の他の1つはフッ素
原子を有する有機ケイ素化合物により表面処理を施され
た酸化チタン粒子である。該フッ素原子を有する有機ケ
イ素化合物による表面処理、前記した湿式法で行うのが
好ましい。
【0091】即ち、有機溶剤や水に対して前記フッ素原
子を有する有機ケイ素化合物を溶解または懸濁させ、こ
の中に未処理の酸化チタンを添加し、このような溶液を
メディア分散し、濾過、加熱処理を施した後に、乾燥
し、酸化チタン表面をフッ素原子を有する有機ケイ素化
合物で被覆する。なお、有機溶剤や水に対して酸化チタ
ンを分散した懸濁液に前記フッ素原子を有する有機ケイ
素化合物を添加しても構わない。
【0092】尚、前記酸化チタン表面がフッ素原子を有
する有機ケイ素化合物によって被覆されていることは、
光電子分光法(ESCA)、オージェ電子分光法(Au
ger)、2次イオン質量分析法(SIMS)や拡散反
射FI−IR等の表面分析装置を用いて複合的に確認す
ることができる。
【0093】本発明に用いられるフッ素原子を有する有
機ケイ素化合物としては、3,3,4,4,5,5,
6,6,6−ノナフルオロヘキシルトリクロロシラン、
3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラ
ン、メチル−3,3,3−トリフルオロプロピルジクロ
ロシラン、ジメトキシメチル−3,3,3−トリフルオ
ロプロピルシラン、3,3,4,4,5,5,6,6,
6−ノナフルオロヘキシルメチルジクロロシラン等が挙
げられる。
【0094】前記ポリアミド樹脂中に分散されるN型半
導性粒子の量は、例えば表面処理酸化チタンの場合で
は、該バインダー樹脂100質量部に対し、10〜1
0,000質量部、好ましくは50〜1,000質量部
である。該表面処理酸化チタンをこの範囲で用いること
により、該酸化チタンの分散性を良好に保つことがで
き、黒ポチの発生しない、良好な中間層を形成すること
ができる。
【0095】又、本発明の中間層は実質的に絶縁層であ
る。ここで絶縁層とは、体積抵抗が1×108〜1015
Ω・cmである。又、本発明の中間層の体積抵抗は好ま
しくは1×109〜1014Ω・cm、更に好ましくは、
2×109〜1×1013Ω・cmが良い。体積抵抗は下
記のようにして測定できる。
【0096】 測定条件;JIS:C2318−1975に準ずる。 測定器:三菱油化社製Hiresta IP 測定条件:測定プローブ HRS 印加電圧:500V 測定環境:30±2℃、 80±5RH% 体積抵抗が1×108未満では中間層の電荷ブロッキン
グ性が低下し、黒ポチの発生が増大し、有機感光体の電
位保持性も劣化し、良好な画質が得られない。一方10
15Ω・cmより大きいと繰り返し画像形成で残留電位が
増大しやすく、良好な画質が得られない。
【0097】本発明の中間層を形成するために作製する
中間層塗布液は前記表面処理酸化チタン等の表面処理N
型半導性粒子、バインダー樹脂、分散溶媒等から構成さ
れるが、分散溶媒としては前記したポリアミド樹脂の溶
媒と同様なものが適宜用いられる。
【0098】又、上記N型半導性微粒子以外に、金属酸
化物の微粒子も好ましく用いられる。金属酸化物の微粒
子としては、例えば酸化セリウム、酸化クロム、酸化ア
ルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素、酸化錫な
どの酸化物などが挙げられ、これらのうち1種を、又
は、必要に応じて2種以上の金属酸化物を用いることが
好ましい。又、これらの金属酸化物は、例えばチタンカ
ップリング剤、シランカップリング剤、高分子脂肪酸又
はその金属塩等の疎水化処理剤により疎水化されたもの
が好ましい。
【0099】前記チタンカップリング剤としては、テト
ラブチルチタネート、テトラオクチルチタネート、イソ
プロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピ
ルトリデシルベンゼンスルフォニルチタネート、ビス
(ジオクチルパイロフォスフェート)オキシアセテート
チタネートなどがある。更に、シランカップリング剤と
しては、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリ
メトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジ
ルアミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン塩酸塩、ヘキサメチルジシラザン、メチルトリメトキ
シシラン、ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリ
メトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチ
ルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ド
デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、o−メチルフェニルトリメトキシシラン、p−メチ
ルフェニルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【0100】又、脂肪酸としては、ウンデシル酸、ラウ
リン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、
ペンタデカン酸、ステアリン酸、ヘプタデカン酸、アラ
キン酸、モンタン酸、オレイン酸、リノール酸、アラキ
ドン酸などの長鎖脂肪酸が挙げられ、その金属塩として
は亜鉛、鉄、マグネシウム、アルミニウム、カルシウ
ム、ナトリウム、リチウムなどの金属との塩が挙げられ
る。
【0101】上記のような微粒子を本発明のポリアミド
樹脂中に分散、含有させることにより、電子写真特性、
特に繰り返し使用時の電位の湿度依存性、更に黒ポチ、
環境メモリ等の改善効果を増大させることができる。
【0102】次に、中間層以外の本発明に好ましく用い
られる感光体の構成について記載する。
【0103】本発明において、有機感光体とは電子写真
感光体の構成に必要不可欠な電荷発生機能及び電荷輸送
機能の少なくとも一方の機能を有機化合物に持たせて構
成された電子写真感光体を意味し、公知の有機電荷発生
物質又は有機電荷輸送物質から構成された感光体、電荷
発生機能と電荷輸送機能を高分子錯体で構成した感光体
等公知の有機電子写真感光体を全て含有する。
【0104】本発明の有機感光体は電荷発生物質とし
て、前記B型チタニルフタロシアニン顔料を用いること
を特徴とする。該B型チタニルフタロシアニン顔料はオ
キシチタニウムフタロシアニンとも云われ、化学式とし
ては下記構造式で表される。
【0105】
【化11】
【0106】(式中、Xはハロゲン原子を表し、nは0
〜1の数を示す)。前記Xが塩素原子の場合nは0〜
0.5が好ましく、0〜0.1がより好ましい。
【0107】前記ブラッグ角(2θ±0.2°)7.5
°、28.7°に顕著な回折ピークを有するチタニルフ
タロシアニン顔料の製造方法は特開平1−239248
号、同1−217050号等に開示されており、これら
の開示された製造方法を用いて作製することができ、こ
れらの製造方法で作製したチタニルフタロシアニン顔料
は、例えば図1に示したようなブラッグ角(2θ±0.
2°)7.5°、28.7°に顕著な回折ピークを有す
るX線回折スペクトルを示す結晶構造を有する。該チタ
ニルフタロシアニン顔料は上記7.5°又は28.7°
に最大回折ピークを有し、他に、ブラッグ角(2θ±
0.2°)10.3°、12.3°、16.3°、1
8.4°、22.6°、24.5°、25.4°にも明
瞭な回折ピークを示すことが好ましい。
【0108】上記の電荷発生物質を含有する有機感光体
の層構成は、特に限定はないが、基本的には電荷発生
層、電荷輸送層、或いは電荷発生・電荷輸送層(電荷発
生と電荷輸送の機能を同一層に有する層)等の感光層か
ら構成されるが、その上に表面層を塗設した構成でもよ
い。又、表面層は保護層の機能と電荷輸送の機能を有し
ているので電荷輸送層の代わりに用いてもよい。
【0109】以下に本発明に用いられる具体的な感光体
の構成について記載する。導電性支持体本発明の感光体
に用いられる導電性支持体としてはシート状或いは円筒
状の導電性支持体が用いられる。
【0110】円筒状の導電性支持体とは回転することに
よりエンドレスに画像を形成できるに必要な円筒状の支
持体を意味し、真直度で0.1mm以下、振れ0.1m
m以下の範囲にある導電性の支持体が好ましい。この真
直度及び振れの範囲を超えると、良好な画像形成が困難
になる。
【0111】導電性支持体の材料としてはアルミニウ
ム、ニッケルなどの金属ドラム、又はアルミニウム、酸
化錫、酸化インジュウムなどを蒸着したプラスチックド
ラム、又は導電性物質を塗布した紙・プラスチックドラ
ムを使用することができる。導電性支持体としては常温
で比抵抗103Ωcm以下が好ましい。
【0112】本発明で用いられる導電性支持体は、その
表面に封孔処理されたアルマイト膜が形成されたものを
用いても良い。アルマイト処理は、通常例えばクロム
酸、硫酸、シュウ酸、リン酸、硼酸、スルファミン酸等
の酸性浴中で行われるが、硫酸中での陽極酸化処理が最
も好ましい結果を与える。硫酸中での陽極酸化処理の場
合、硫酸濃度は100〜200g/l、アルミニウムイ
オン濃度は1〜10g/l、液温は20℃前後、印加電
圧は約20Vで行うのが好ましいが、これに限定される
ものではない。又、陽極酸化被膜の平均膜厚は、通常2
0μm以下、特に10μm以下が好ましい。
【0113】中間層 本発明においては導電性支持体と感光層の間に、バリヤ
ー機能を備えた前記した中間層を設ける。
【0114】感光層 本発明の感光体の感光層構成は前記中間層上に電荷発生
機能と電荷輸送機能を1つの層に持たせた単層構造の感
光層構成でも良いが、より好ましくは感光層の機能を電
荷発生層(CGL)と電荷輸送層(CTL)に分離した
構成をとるのがよい。機能を分離した構成を取ることに
より繰り返し使用に伴う残留電位増加を小さく制御で
き、その他の電子写真特性を目的に合わせて制御しやす
い。負帯電用の感光体では中間層の上に電荷発生層(C
GL)、その上に電荷輸送層(CTL)の構成を取るこ
とが好ましい。正帯電用の感光体では前記層構成の順が
負帯電用感光体の場合の逆となる。本発明の最も好まし
い感光層構成は前記機能分離構造を有する負帯電感光体
構成である。
【0115】以下に機能分離負帯電感光体の感光層構成
について説明する。 電荷発生層 電荷発生層には電荷発生物質(CGM)を含有する。そ
の他の物質としては必要によりバインダー樹脂、その他
添加剤を含有しても良い。
【0116】本発明の有機感光体には、前記したB型チ
タニルフタロシアニン顔料を電荷発生物質として含有す
るが、その他の電荷発生物質と併用してもよい。例え
ば、他のフタロシアニン顔料、アゾ顔料、ペリレン顔
料、アズレニウム顔料などと併用して用いることができ
る。
【0117】電荷発生層にCGMの分散媒としてバイン
ダーを用いる場合、バインダーとしては公知の樹脂を用
いることができるが、最も好ましい樹脂としてはホルマ
ール樹脂、ブチラール樹脂、シリコーン樹脂、シリコー
ン変性ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられ
る。バインダー樹脂と電荷発生物質との割合は、バイン
ダー樹脂100質量部に対し20〜600質量部が好ま
しい。これらの樹脂を用いることにより、繰り返し使用
に伴う残留電位増加を最も小さくできる。電荷発生層の
膜厚は0.1μm〜2μmが好ましい。
【0118】電荷輸送層 電荷輸送層には電荷輸送物質(CTM)及びCTMを分
散し製膜するバインダー樹脂を含有する。その他の物質
としては必要により酸化防止剤等の添加剤を含有しても
良い。
【0119】電荷輸送物質(CTM)としては公知の電
荷輸送物質(CTM)を用いることができる。例えばト
リフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン化合物、スチリル
化合物、ベンジジン化合物、ブタジエン化合物などを用
いることができる。これら電荷輸送物質は通常、適当な
バインダー樹脂中に溶解して層形成が行われる。これら
の中で繰り返し使用に伴う残留電位増加を最も小さくで
きるCTMは高移動度で、且つ組み合わされるCGMと
のイオン化ポテンシャル差が0.5(eV)以下の特性
を有するものであり、好ましくは0.30(eV)以下
である。
【0120】CGM、CTMのイオン化ポテンシャルは
表面分析装置AC−1(理研計器社製)で測定される。
【0121】電荷輸送層(CTL)に用いられる樹脂と
しては、例えばポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニル
ブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂並
びに、これらの樹脂の繰り返し単位構造のうちの2つ以
上を含む共重合体樹脂。又これらの絶縁性樹脂の他、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙
げられる。
【0122】これらCTLのバインダーとして最も好ま
しいものはポリカーボネート樹脂である。ポリカーボネ
ート樹脂はCTMの分散性、電子写真特性を良好にする
ことにおいて、最も好ましい。バインダー樹脂と電荷輸
送物質との割合は、バインダー樹脂100質量部に対し
10〜200質量部が好ましい。又、電荷輸送層の膜厚
は10〜40μmが好ましい。
【0123】表面層 感光体の表面層(保護層)として、シロキサンポリカー
ボネートや架橋タイプのシロキサン系樹脂をバインダー
とした層を設けてもよい。
【0124】上記では本発明の最も好ましい感光体の層
構成を例示したが、本発明では上記以外の感光体層構成
でも良い。
【0125】感光層、保護層等の層形成に用いられる溶
媒又は分散媒としては、n−ブチルアミン、ジエチルア
ミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミン、ト
リエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,N−
ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロ
メタン、1,2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロプ
ロパン、1,1,2−トリクロロエタン、1,1,1−
トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロ
エタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサ
ン、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロパ
ノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド、メチルセロソルブ等が挙げられる。本発明はこれら
に限定されるものではないが、ジクロロメタン、1,2
−ジクロロエタン、メチルエチルケトン等が好ましく用
いられる。また、これらの溶媒は単独或いは2種以上の
混合溶媒として用いることもできる。
【0126】次に有機感光体を製造するための塗布加工
方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、円形量規制型
塗布等の塗布加工法が用いられるが、感光層の上層側の
塗布加工は下層の膜を極力溶解させないため、又、均一
塗布加工を達成するためスプレー塗布又は円形量規制型
(円形スライドホッパ型がその代表例)塗布等の塗布加
工方法を用いるのが好ましい。なお保護層は前記円形量
規制型塗布加工方法を用いるのが最も好ましい。前記円
形量規制型塗布については例えば特開昭58−1890
61号公報に詳細に記載されている。
【0127】次に、本発明の有機感光体を用いた画像形
成装置について説明する。図2は本発明の画像形成方法
の1例としての画像形成装置の断面構成図である。
【0128】図2に於いて50は像担持体である感光体
ドラム(感光体)で、有機感光層をドラム上に塗布した
感光体で、接地されて時計方向に駆動回転される。52
はスコロトロンの帯電器(帯電手段)で、感光体ドラム
50周面に対し一様な帯電をコロナ放電によって与えら
れる。この帯電器52による帯電に先だって、前画像形
成での感光体の履歴をなくすために発光ダイオード等を
用いた帯電前露光部51による露光を行って感光体周面
の除電をしてもよい。
【0129】感光体への一様帯電の後、像露光手段とし
ての像露光器53により画像信号に基づいた像露光が行
われる。この図の像露光器53は図示しないレーザダイ
オードを露光光源とする。回転するポリゴンミラー53
1、fθレンズ等を経て反射ミラー532により光路を
曲げられた光により感光体ドラム上の走査がなされ、静
電潜像が形成される。
【0130】ここで反転現像プロセスとは帯電器52に
より、感光体表面を一様に帯電し、像露光が行われた領
域、即ち感光体の露光部電位(露光部領域)を現像工程
(手段)により、顕像化する画像形成方法である。一方
未露光部電位は現像スリーブ541に印加される現像バ
イアス電位により現像されない。
【0131】その静電潜像は次いで現像手段としての現
像器54で現像される。感光体ドラム50周縁にはトナ
ーとキャリアとから成る現像剤を内蔵した現像器54が
設けられていて、マグネットを内蔵し現像剤を保持して
回転する現像スリーブ541によって現像が行われる。
現像器54内部は現像剤攪拌搬送部材544、543、
搬送量規制部材542等から構成されており、現像剤は
攪拌、搬送されて現像スリーブに供給されるが、その供
給量は該搬送量規制部材542により制御される。該現
像剤の搬送量は適用される有機感光体の線速及び現像剤
比重によっても異なるが、一般的には20〜200mg
/cm2の範囲である。
【0132】現像剤は、例えば前述のフェライトをコア
としてそのまわりに絶縁性樹脂をコーティングしたキャ
リアと、前述のスチレンアクリル系樹脂を主材料として
カーボンブラック等の着色剤と荷電制御剤と低分子量ポ
リオレフィンからなる着色粒子に、シリカ、酸化チタン
等を外添したトナーとからなるもので、現像剤は搬送量
規制部材によって層厚を規制されて現像域へと搬送さ
れ、現像が行われる。この時通常は感光体ドラム50と
現像スリーブ541の間に直流バイアス、必要に応じて
交流バイアス電圧をかけて現像が行われる。また、現像
剤は感光体に対して接触あるいは非接触の状態で現像さ
れる。感光体の電位測定は電位センサー547を図2の
ように現像位置上部に設けて行う。
【0133】記録紙Pは画像形成後、転写のタイミング
の整った時点で給紙ローラー57の回転作動により転写
域へと給紙される。
【0134】転写域においては転写のタイミングに同期
して感光体ドラム50の周面に転写電極(転写手段:転
写器)58が作動し、給紙された記録紙Pにトナーと反
対極性の帯電を与えてトナーを転写する。
【0135】次いで記録紙Pは分離電極(分離器)59
によって除電がなされ、感光体ドラム50の周面により
分離して定着装置60に搬送され、熱ローラー601と
圧着ローラー602の加熱、加圧によってトナーを溶着
したのち排紙ローラー61を介して装置外部に排出され
る。なお前記の転写電極58及び分離電極59は記録紙
Pの通過後、一次作動を中止し、次なるトナー像の形成
に備える。図2では転写電極58にコロトロンの転写帯
電極を用いている。転写電極の設定条件としては、感光
体のプロセススピード(周速)等により異なり一概に規
定することはできないが、例えば、転写電流としては+
100〜+400μA、転写電圧としては+500〜+
2000Vを設定値とすることができる。
【0136】一方記録紙Pを分離した後の感光体ドラム
50は、クリーニング器(クリーニング手段)62のブ
レード621の圧接により残留トナーを除去・清掃し、
再び帯電前露光部51による除電と帯電器52による帯
電を受けて次なる画像形成のプロセスに入る。
【0137】尚、70は感光体、帯電器、転写器、分離
器及びクリーニング器が一体化されている着脱可能なプ
ロセスカートリッジである。
【0138】本発明の有機感光体は電子写真複写機、レ
ーザプリンター、LEDプリンター及び液晶シャッター
式プリンター等の電子写真装置一般に適応するが、更
に、電子写真技術を応用したディスプレー、記録、軽印
刷、製版及びファクシミリ等の装置にも幅広く適用する
ことができる。
【0139】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の様態はこれに限定されない。尚、下記文
中「部」とは「質量部」を表す。
【0140】以下のようにして各実施例、比較例の中間
層分散液を作製した。 中間層分散液1の作製 ポリアミド樹脂(例示ポリアミドN−1) 1部 微粒子:酸化チタンSMT−500SAS(テイカ社製;表面処理は、シリカ 処理、アルミナ処理、及びメチルハイドロジェンポリシロキサン処理) 3部 イソプロピルアルコール 10部 ポリアミドN−1をイソプロピルアルコールで加温溶解
後、定格濾過精度0.2ηmのフィルターにて濾過後、
酸化チタンSMT−500SASを混合、該混合液を分
散部分の構造がセラミックで表面加工されたサンドミル
分散機で、分散時間10時間、バッチ式にて分散し中間
層分散液1を作製した。
【0141】中間層分散液2〜15の作製 ポリアミド樹脂、微粒子及びその表面処理と粒径、及び
溶剤を表1、表2に示す様に変えた以外は、中間層分散
液1と同様に中間層分散液2〜15(8と15は溶液)
を作製した。
【0142】感光体1の作製 〈中間層(UCL)〉下記中間層塗布液1を調製し、洗
浄済みの円筒状アルミニウム基体上に浸漬塗布法で塗布
し、乾燥膜厚2μmの中間層1を形成した。
【0143】乾燥後の中間層の体積抵抗は前記測定条件
で2×1010Ω・cmであった。 中間層(UCL)塗布液1 中間層分散液1を同じ混合溶媒を用いて2倍に希釈し、
一夜静置後に濾過(フィルター;日本ポール社製リジメ
ッシュフィルター公称濾過精度:5μm、圧力;5×1
4Pa)した。
【0144】 〈電荷発生層(CGL)〉 B型チタニルフタロシアニン顔料(図1に示したX線回折スペクトルを有する 顔料) 20部 ポリビニルブチラール(#6000−C、電気化学工業社製) 10部 酢酸t−ブチル 700部 4−メトキシ−4−メチル−2−ペンタノン 300部 上記組成物を混合し、サンドミルを用いて分散し、電荷
発生層塗布液を調製した。この塗布液を浸漬塗布法で塗
布し、前記中間層の上に乾燥膜厚0.3μmの電荷発生
層を形成した。
【0145】 〈電荷輸送層(CTL)〉 電荷輸送剤(〔4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル〕−ジ−p−トリ ルアミン) 75部 ポリカーボネート樹脂(ユーピロンZ300:三菱ガス化学社製)100部 塩化メチレン 750部 上記組成物を混合し、溶解して電荷輸送層塗布液を調製
した。この塗布液を前記電荷発生層の上に浸漬塗布法で
塗布し、乾燥膜厚24μmの電荷輸送層を形成し感光体
1を作製した。
【0146】感光体2〜15の作製 中間層塗布液1の中間層分散液1を中間層分散液2〜1
5(8と15は分散液でなく溶液)に変更した他は、感
光体1の作製と同様にして、それぞれ感光体2〜15を
作製した。但し、感光体8及び15の中間層の乾燥膜厚
は0.8μmとし、それ以外の感光体の中間層の乾燥膜
厚は感光体1と同様に2.0μmとした。
【0147】これら感光体2〜15の中間層の体積抵抗
は、前記測定条件下で1×108〜1015Ω・cmであ
った。
【0148】上記各感光体の中間層の内容については、
表1、表2に記載した。尚、表1、表2中、1次処理欄
に記載のものは1次処理時の酸化チタン粒子表面に析出
した物質であり、2次処理欄に記載のものは2次処理時
に用いた物質を示す。
【0149】
【表1】
【0150】
【表2】
【0151】表中、炭素数が7以上の単位構造の比率と
は、繰り返し単位構造のアミド結合間の炭素数が7以上
の繰り返し単位構造の比率(モル%)を示す。又、N−
14はメトキシメチル化ナイロン6(アシド結合間の炭
素数は5であり、メトキシメチル化度は25%)、N−
15、N−16は下記構造のポリアミドを示す。
【0152】
【化12】
【0153】上記N−15、N−16構造の(C/D)
は繰り返し単位構造のアミド結合間の炭素数が7以上の
繰り返し単位構造の比率(C:モル%)及び直鎖でない
繰り返し単位構造のアミド成分の比率(D:モル%)を
示す。
【0154】評価(画像評価) Konica7050(コニカ社製レーザデジタル複写
機:感光体と帯電器、現像器、クリーニング装置及び除
電器とが一体となったカートリッジを備えている)に感
光体1〜15を装着し、反転現像で評価した。帯電条件
及びクリーニング条件等の画像形成条件は下記のように
設定した。
【0155】帯電条件 帯電器;初期帯電電位を−650V 現像条件 DCバイアス ;約−500V 現像剤層規制 ;磁性H−Cut方式 現像スリーブ径;40mm 転写極;コロナ帯電方式、転写ダミー電流値:45μA クリーニング条件 弾性体ゴムブレード;自由長:9mm、厚さ:2mm、
硬度:70°、反発弾性:35、感光体当接圧(線
圧):15N/m 評価項目 上記のように感光体1〜15をKonica7050に
装着し、30℃、80%RH環境下(HH)において、
A4紙10万枚のコピーを行い、その後、コピー画像の
画像濃度、カブリ、黒ポチ、環境メモリ等について以下
の評価基準にて画像評価を行った。
【0156】コピーは画素率が7%の文字画像、ハーフ
トーン画像、ベタ白画像、ベタ黒画像がそれぞれ1/4
等分にあるオリジナル画像をA4での複写を行い評価し
た。
【0157】各評価項目の判定基準は、下記に示す通り
である。画像濃度(マクベス社製RD−918を使用し
て測定。紙の反射濃度を「0」とした相対反射濃度で測
定した。多数枚のコピーで残留電位が増加すると、画像
濃度が低下する。) ◎:黒ベタ画像が1.2以上 ○:黒ベタ画像が1.2未満〜1.0 ×:黒ベタ画像が1.0未満 カブリ マクベス反射濃度計「RD−918」を用いて、印字さ
れていないコピー用紙(白紙)の濃度を20カ所、絶対
画像濃度で測定し、その平均値を白紙濃度とする。次
に、コピー画像の白地部分を同様に20カ所、絶対画像
濃度で測定し、その平均濃度から前記白紙濃度を引いた
値をカブリ濃度として評価した。帯電電位の低下が大き
くなるとカブリが発生する。
【0158】 ◎:ベタ白画像濃度が0.005未満(良好) ○:ベタ白画像濃度が0.005以上0.01未満(実
用上問題なし) ×:0.01以上(実用上問題あり) 黒ポチ 黒ポチは10万枚のコピー終了後、ベタ白画像をA4紙
に100枚連続コピーして評価した。評価は長径0.4
mm以上の黒ポチの出現頻度で判定した。尚、黒ポチ長
径はビデオプリンター付き顕微鏡等で測定できる。
【0159】◎:0.4mm以上の黒ポチ頻度:全ての
複写画像が3個/A4以下(良好) ○:0.4mm以上の黒ポチ頻度:4個/A4以上、1
0個/A4以下が1枚以上発生(実用上問題なし) ×:0.4mm以上の黒ポチ頻度:11個/A4以上が
1枚以上発生(実用上問題有り) 環境メモリ:上記Konica7050複写機をHH下
に24hr放置後、低湿低温下(LL:20RH%、1
0℃)に置き、30分後、コピーした。オリジナル画像
で0.4の濃度のハーフトーン画像を0.4の濃度にコ
ピー、コピー画像の濃度差(ΔHD=最大濃度−最小濃
度)で判定 ◎:ΔHDが0.05以下(良好) ○:ΔHDが0.05より大で0.1未満(実用上問題
なし) ×:ΔHDが0.1以上(実用上問題あり) 評価結果を表3に示す。
【0160】
【表3】
【0161】表3より本発明の中間層を有する感光体1
〜11は画像濃度、カブリ、環境メモリ、黒ポチの評価
が良好な特性を示しているのに対し、本発明外の中間層
を有する感光体12では樹脂N−16の溶解溶媒性が十
分でなく、カブリ、黒ポチが発生し、画像濃度も低下し
ている。感光体14、15でも樹脂N−15の溶媒溶解
性が十分でなく、カブリ、黒ポチが発生しており、感光
体13では樹脂N−14が吸湿性が高いことから環境メ
モリが劣化し、カブリ、黒ポチも発生している。
【0162】
【発明の効果】実施例からも明らかなように、本発明の
構成を有する有機感光体を用いることにより、高温高湿
下で、多数枚のコピーを行っても残留電位増加による画
像濃度の低下が改善され、黒ポチの発生も少なく、更に
温湿度条件の環境変化に対して発生しやすい画像不良の
発生が防止され、良好な電子写真画像を形成することが
できる。又該有機感光体を用いた画像形成方法、画像形
成装置及びプロセスカートリッジを提供することが出来
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】ブラッグ角(2θ±0.2°)7.5°、2
8.7°に顕著な回折ピークを有するチタニルフタロシ
アニン顔料のX線回折スペクトルを示す図である。
【図2】本発明の画像形成方法の1例としての画像形成
装置の断面構成図である。
【符号の説明】
50 感光体ドラム(又は感光体) 51 帯電前露光部 52 帯電器 53 像露光器 54 現像器 541 現像スリーブ 543,544 現像剤攪拌搬送部材 547 電位センサー 57 給紙ローラー 58 転写電極 59 分離電極(分離器) 60 定着装置 61 排紙ローラー 62 クリーニング器 70 プロセスカートリッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H068 AA19 AA43 AA45 BA39 BA58 BB28 BB62 CA06 CA29 CA33 FA11 FA18 FA27

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性支持体上に中間層、感光層とを有
    する有機感光体において、該中間層は、アミド結合間の
    炭素数が7〜30の繰り返し単位構造のアミド成分を、
    全繰り返し単位構造のアミド成分の40〜100モル%
    含有し且つ該炭素数が7〜30の繰り返し単位構造のア
    ミド成分中で、直鎖でない繰り返し単位構造のアミド成
    分が10モル%以上であるポリアミド樹脂を含有し、且
    つ感光層がCu−Kα特性X線によるX線回折スペクト
    ルで、ブラッグ角(2θ±0.2°)7.5°、28.
    7°に顕著な回折ピークを有するチタニルフタロシアニ
    ン顔料を含有することを特徴とする有機感光体。
  2. 【請求項2】 前記中間層が数平均一次粒径が10〜4
    00nmの微粒子を含有することを特徴とする請求項1
    に記載の有機感光体。
  3. 【請求項3】 前記微粒子がN型半導性粒子であること
    を特徴とする請求項2に記載の有機感光体。
  4. 【請求項4】 前記N型半導性粒子が酸化チタン粒子で
    あることを特徴とする請求項3に記載の有機感光体。
  5. 【請求項5】 前記微粒子が金属酸化物であることを特
    徴とする請求項2に記載の有機感光体。
  6. 【請求項6】 前記微粒子が表面処理を施されているこ
    とを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の有
    機感光体。
  7. 【請求項7】 前記ポリアミド樹脂が下記一般式(1)
    で示される繰り返し単位構造を有することを特徴とする
    請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機感光体。 【化1】 一般式(1)中、Y1は2価のアルキル置換されたシク
    ロアルカンを含む基、Z1はメチレン基、mは1〜3、
    nは3〜20を示す。
  8. 【請求項8】 前記Y1は下記化学構造を有することを
    特徴とする請求項7に記載の有機感光体。 【化2】 上記化学構造において、Aは単結合、炭素数1〜4のア
    ルキレンを示し、R4はアルキル基を示し、pは1〜5
    の自然数を示す。
  9. 【請求項9】 前記感光層がCu−Kα特性X線による
    X線回折のブラッグ角(2θ±0.2°)で、7.5
    °、28.7°に顕著な回折ピークを示すオキシチタニ
    ルフタロシアニン顔料を含有することを特徴とする請求
    項1〜8のいずれか1項に記載の有機感光体。
  10. 【請求項10】 導電性支持体と感光層の間に、アミド
    結合間の炭素数が7〜30の繰り返し単位構造のアミド
    成分を、全繰り返し単位構造のアミド成分の40〜10
    0モル%含有し且つ該炭素数が7〜30の繰り返し単位
    構造のアミド成分中で、直鎖でない繰り返し単位構造の
    アミド成分が10モル%以上であるポリアミド樹脂を含
    有する中間層を有し、且つ感光層がCu−Kα特性X線
    によるX線回折スペクトルで、ブラッグ角(2θ±0.
    2°)7.5°、28.7°に顕著な回折ピークを有す
    るチタニルフタロシアニン顔料を含有する有機感光体上
    に、静電潜像を形成する潜像形成手段、該有機感光体上
    に形成された静電潜像を顕像化してトナー像とする現像
    手段、顕像化して得られた該有機感光体上のトナー像を
    転写材上に転写する転写手段及びトナー像転写後に該感
    光体上に残留するトナーをクリーニングするクリーニン
    グ手段を有することを特徴とする画像形成装置。
  11. 【請求項11】 請求項10に記載の画像形成装置を用
    いて、電子写真画像を形成することを特徴とする画像形
    成方法。
  12. 【請求項12】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
    有機感光体と該有機感光体上を一様に帯電する帯電手
    段、該有機感光体上の静電潜像を顕像化する現像手段、
    該有機感光体上に顕像化されたトナー像を転写材上に転
    写する転写手段、転写後の該有機感光体上の電荷を除去
    する除電手段及び転写後の該有機感光体上の残留するト
    ナーをクリーニングするクリーニング手段の少なくとも
    1つとが一体的に支持され、画像形成装置本体に着脱自
    在に装着されていることを特徴とするプロセスカートリ
    ッジ。
JP2003041026A 2002-02-20 2003-02-19 有機感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ Expired - Fee Related JP4155055B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003041026A JP4155055B2 (ja) 2002-02-20 2003-02-19 有機感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002043132 2002-02-20
JP2002-43132 2002-02-20
JP2003041026A JP4155055B2 (ja) 2002-02-20 2003-02-19 有機感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003316047A true JP2003316047A (ja) 2003-11-06
JP4155055B2 JP4155055B2 (ja) 2008-09-24

Family

ID=29551735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003041026A Expired - Fee Related JP4155055B2 (ja) 2002-02-20 2003-02-19 有機感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4155055B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007148357A (ja) * 2005-10-31 2007-06-14 Kyocera Mita Corp 積層型電子写真感光体、その製造方法および下引き層塗布液
EP1930779A1 (en) 2006-12-07 2008-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic imaging apparatus having the same
JP2015038635A (ja) * 2014-11-25 2015-02-26 三菱化学株式会社 電子写真感光体、該感光体を用いた画像形成装置、および電子写真カートリッジ
JP2018185483A (ja) * 2017-04-27 2018-11-22 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007148357A (ja) * 2005-10-31 2007-06-14 Kyocera Mita Corp 積層型電子写真感光体、その製造方法および下引き層塗布液
EP1930779A1 (en) 2006-12-07 2008-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic imaging apparatus having the same
JP2015038635A (ja) * 2014-11-25 2015-02-26 三菱化学株式会社 電子写真感光体、該感光体を用いた画像形成装置、および電子写真カートリッジ
JP2018185483A (ja) * 2017-04-27 2018-11-22 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4155055B2 (ja) 2008-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4288949B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
US6472113B2 (en) Electrophotoreceptor, image forming apparatus and processing cartridge
JP2003122067A (ja) 反転現像方法、画像形成方法、画像形成装置
JP3829626B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP2005043391A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
JP2002287396A (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP2002236381A (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP2003140373A (ja) 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP3876667B2 (ja) 有機感光体、画像形成装置、画像形成方法、及びプロセスカートリッジ
JP4075587B2 (ja) 有機感光体、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP4155055B2 (ja) 有機感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
JP3991929B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
JP2003029440A (ja) 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP2003345045A (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
JP2004133018A (ja) 有機感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
JP4107187B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成方法及び画像形成装置
JP3994638B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP2003177561A (ja) 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP3891061B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
JP2004077974A (ja) 反転現像方法、画像形成方法、画像形成装置
JP3988686B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
JP2002196522A (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP2004101800A (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ
JP2003215825A (ja) 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP2004077975A (ja) 有機感光体、画像形成方法、画像形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070605

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070801

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080311

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080508

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080519

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080526

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080617

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080630

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4155055

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees