JP2003314267A - 排気浄化装置 - Google Patents

排気浄化装置

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JP2003314267A JP2002122119A JP2002122119A JP2003314267A JP 2003314267 A JP2003314267 A JP 2003314267A JP 2002122119 A JP2002122119 A JP 2002122119A JP 2002122119 A JP2002122119 A JP 2002122119A JP 2003314267 A JP2003314267 A JP 2003314267A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＨＣトラップ触媒を用いたエンジン排気浄化
システムにおいて、エンジンの冷間始動後に三元触媒が
活性温度に達する前にＨＣトラップ剤からＨＣ脱離が開
始されるため始動後に排出されやすいＨＣを十分に浄化
することができなかった。 【解決手段】 担体にＨＣトラップ剤と触媒金属のコー
ティングを施した排気浄化装置において、担体のセルを
横断するように担体上流部に１個以上のスリットを形成
すると共に、担体下流部での触媒金属の担持量を大とす
る。スリットはその下流への担体内の伝熱を抑制するの
で担体下流部の温度上昇が遅くなり、ＨＣの捕捉量が増
大する。この間に触媒金属の温度上昇量が大きくなり、
ＨＣ脱離時の処理効率も向上する。スリットによる伝熱
抑制により昇温しにくい担体下流部は触媒金属の担持量
を大としてあるので所要の転化効率を確保できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は主としてエンジンの
排気浄化に適用される触媒コンバータに関し、特にＨＣ
トラップ機能を有する排気浄化装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術と解決すべき課題】三元触媒を備えた排気
浄化システムではエンジン冷間運転時のＨＣの処理が課
題となっている。触媒が活性温度に達するまでは低温条
件下での燃焼時に排出されやすいＨＣを十分に浄化でき
ないからである。この問題を解決するものとして、特開
平９−８５０４９号にはＨＣトラップ剤を適用した浄化
システムが提案されている。ＨＣトラップ剤は排気ガス
中のＨＣを一時的に捕捉しておく機能を持っており、捕
捉されたＨＣは温度上昇に伴いトラップ剤から脱離す
る。そこで前記システムでは三元触媒の上流側にＨＣト
ラップ剤を設け、三元触媒が活性温度に達するまでのＨ
Ｃの排出を抑制するようにしている。しかしながら、捕
捉されたＨＣがトラップ剤から脱離を開始する温度に達
しても、この時点では下流側の三元触媒がまだ十分に活
性化していないため、ＨＣの排出を抑制する効果は十分
ではない。
【０００３】本発明の目的は、エンジン冷間運転時にお
いてもＨＣの排出をより確実に抑制することのできる排
気浄化装置を提供することである。
【０００４】
【発明の概要】本発明では、ＨＣトラップ剤を担持した
ハニカム状担体のセルを横断するようにかつ担体の上流
部に偏在するように１個以上のスリットを形成する。ま
た、前記担体の下流部にて担持量が大となるように触媒
金属を担持させる。
【０００５】担体上流部に形成したスリットはその下流
側への担体内の伝熱を遮断する作用を有するため、担体
全体として温度上昇が遅くなる。すなわちＨＣが脱離す
るまでの時間が長くなるので、それだけＨＣの捕捉量を
増大させることができる。また、伝熱の抑制により下流
部の触媒金属の昇温は遅れ傾向となるが、担持量を大と
したことからこの遅れを補償して所要の転化効率を確保
することが可能である。
【０００６】他方、従来の排気浄化装置はハニカム状に
形成された多数のセルの各々が担体の入口部から出口部
にわたり連続しているためセル内のガスの流れは比較的
整っており乱れは少ない。これに対して担体にセルを横
切るようにスリットを形成すると、このスリットにより
流れ方向に分割されたセルに進入したガスはスリット部
分で乱れを発生する。この乱れは、排気ガスがＨＣトラ
ップ剤に接触する機会を増やすのでそれだけＨＣトラッ
プ性能を向上させる。
【０００７】また、スリットを持たない連続したセル構
造の排気浄化装置では、担体の断面上でガス流路の流量
分布および昇温性に偏りがあり、言い換えればセル毎に
ＨＣトラップ性能や転化率に偏りを生じるため排気浄化
装置が本来有している性能を使いきることは難しい。こ
れに対してスリットを設けた担体では前記乱流作用によ
り担体の断面方向でのガス流量分布を均一化できるので
制御性が向上し、排気浄化装置本来の性能を十分に発揮
させることが可能となる。
【０００８】スリットを複数設けることにより前記効果
をより高めることができ、また詳しくは実施形態として
後述するが、複数のスリットのガス流れ方向の分布やス
リットの形状に応じてそれぞれに固有の特性を設定する
ことができる。担体にコーティングする触媒金属やＨＣ
トラップ剤についても同様であり、その分布や層構造の
設定に応じて種々の特性を与えることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明による排気浄化装置
を適用したエンジンシステムの一例を示している。図に
おいて１はエンジン、２はその吸気通路、３は排気通路
である。４は排気通路３から排気ガスの一部を吸気通路
２へと還流させるＥＧＲ通路、５は前記排気還流量を制
御するＥＧＲ制御弁である。７は燃料噴射弁、８は点火
プラグである。
【００１０】９〜１１は排気通路３に介装された排気浄
化装置である。これら３個の排気浄化装置９〜１１は、
基本的にはＣＯ，ＨＣの酸化機能とＮＯｘの還元機能を
併有する三元触媒であり、これらのうち何れかまたは全
部はゼオライト等のＨＣトラップ剤によりＨＣを一時的
に捕捉しておく機能を備えたＨＣトラップ触媒として構
成されている。上流側の９または１０についてはＨＣト
ラップ機能のみを有するＨＣトラップ装置で構成される
場合もある。
【００１１】１２と１３はそれぞれ最上流の排気浄化装
置９の上流と下流にて排気ガスの空燃比もしくは酸素濃
度を検出する排気ガスセンサ、１４は中段の排気浄化装
置１０の触媒温度を検出する温度センサである。
【００１２】１５はエンジン回転速度や吸入空気量など
の運転状態信号に基づいて空燃比および点火時期などを
制御するコントローラであり、ＣＰＵおよびその周辺装
置からなるマイクロコンピュータにより構成されてい
る。
【００１３】図２以下に、前記排気浄化装置９〜１１に
収装されるハニカム状担体２１の実施形態を示す。本発
明では、基本的には図２に示したように担体２１のガス
流れ（矢印方向）を横切るように１個以上のスリット２
２を担体上流部に偏在するように形成する。この場合、
複数のスリット２２のガス流れ方向の分布が上流側にて
密となるように担体２１にスリット２２を配列してい
る。担体２１をセラミクスから形成した場合には、その
焼成後に研削によりスリット２２を加工する。図示した
ものではスリット２２を触媒の一側面側からガス流れに
対して直交するように形成し、他側面側に非スリット部
２３を残している。また隣接するスリット２２は互いに
担体２１の周囲に１８０度ずつ異なる角度で、かつガス
流れ方向には等間隔に形成してスリットと非スリット部
とが交互に配列するようにしている。担体２１のセル表
面にはゼオライトなどのＨＣトラップ剤を含むＨＣトラ
ップ層とＰｔ、Ｒｈ等の触媒金属を含む触媒金属層がコ
ーティングにより形成してある。前記触媒金属層は図５
に示したように担体２１の下流部ほどその担持量（触媒
金属の量または密度）が大となるように設定してある。
【００１４】図３は前記担体２１の支持構造の一例を示
しており、図中の３４は触媒容器、３５はセラミクスフ
ァイバーあるいはアルミナファイバーなどからなる耐熱
マットである。担体２１はその外周部に巻回された耐熱
マット３５を介して触媒容器３４内に固定される。この
実施形態では、スリット２２の開放部分の外周を担体２
１と同一の線膨張係数を有する充填材３６で埋めてあ
る。このように充填材３６を設けることにより、スリッ
ト２２を抜けてきた排気によりマット３５が風蝕されて
摩耗する不具合を防止することができる。また、担体２
１と同一の線膨張係数を有する充填材３６を用いること
により、担体２１の強度を向上できる。
【００１５】前記構成の担体２１を適用することによ
り、ＨＣトラップ量を増大できると共に、ＨＣ処理性能
を向上させることが可能となる。エンジン始動直後は未
着火燃料や不完全燃焼により定常アイドル運転時に比較
すると多くのＨＣが燃焼室から排出される。このＨＣは
大部分が排気浄化装置のＨＣトラップ層に捕捉され、そ
の後ＨＣトラップ層の温度が１５０℃程度に達すると捕
捉されたＨＣがＨＣトラップ層から脱離を開始する。こ
のとき触媒金属層が３００℃程度の活性温度に達してい
れば脱離したＨＣは触媒反応により酸化処理される。
【００１６】本発明では、担体２１にスリット２２を設
けたことにより担体内の伝熱が抑制されるため、スリッ
トを持たない担体に比較して担体全体の温度上昇が遅
れ、それだけＨＣトラップ層がＨＣ脱離温度に達するま
での時間も長くなる。このことは担体に捕捉されるＨＣ
量を増大させるとともにＨＣ脱離が開始されるまでの三
元触媒の温度上昇量を大きくするのでＨＣの浄化性能も
向上する。また、スリット２２の部分を排気ガスが通過
するときの乱流の作用により排気浄化装置に担持したト
ラップ剤がより有効に利用されるので、ＨＣを捕捉する
性能自体もスリットを持たないものより向上する。
【００１７】スリット２２を担体上流部に偏在させた構
成は、同数のスリットを等間隔で配列した場合に比較し
て、担体２１の比較的上流側での乱流作用を促進して、
ＨＣの捕捉、脱離性能を向上できる。スリット２２の密
度が高い部分では、触媒金属層を担持させた場合にその
熱容量が小さくなるので、始動直後の排気温度が比較的
低いエンジンであっても、前記乱流化の作用とあわせ
て、触媒成分の昇温、活性をより早めることができ、Ｈ
Ｃ脱離時の浄化性能を高められる。スリット２２よりも
下流側については担体への伝熱をより抑制してＨＣトラ
ップ剤の昇温を抑え、ＨＣトラップ性能を高められる。
この伝熱の抑制により担体下流部の触媒金属は昇温しに
くくなるが、その担持量を大としたことで所要の性能を
確保することが可能である。
【００１８】担体２１に複数のスリット２２を垂直に形
成した構成は、製造が比較的容易であることに加えて担
体の強度確保の面で有利である。スリット２２を設ける
数は、ガス流の乱流化と伝熱の抑制という観点からは多
くした方が有効であるが、限られた担体容量内で所要の
セル表面積とＨＣトラップ性能を確保する観点からは、
スリット２２を担体上流部に偏在させる本発明の構成が
有利である。
【００１９】担体２１内部の伝熱がスリット２２により
抑制される作用はメタル担体であってもある程度は期待
できるが、熱伝導率の比較的小さいセラミクス材料を担
体として適用することでより顕著となる。セラミクス材
はゼオライト等のＨＣトラップ剤との相性が良く、コー
ティングの強度が高いという利点もある。
【００２０】ＨＣの捕捉量を増やすためにＨＣトラップ
剤の担持量を増やすとセルの通路面積が小さくなりそれ
だけ排気抵抗が増大してしまう。この点、本発明では前
述した乱流化および熱伝導抑制の効果によりＨＣトラッ
プ性能が向上するのでセル密度を下げて排気抵抗の軽減
を図ることも可能である。具体的には一般的な三元触媒
のセル密度が９００以上であるのに対して、本発明では
３００以下、少なくとも６００以下にすることが可能で
ある。前記セル密度の単位は担体横断面の面積１平方イ
ンチあたりのセル数であり、当業者による取引上の常用
単位である。また、ＨＣトラップ剤の担持量は、例えば
セル密度が３００のとき３５０程度、セル密度が６００
のとき２５０程度とする。前記担持量の単位は担体の見
かけ上の容積１立方フィートあたりのグラム数であり、
当業者による取引上の常用単位である。
【００２１】図１に示したような複数の排気浄化装置９
〜１１を備えた排気浄化システムでは、下流側に位置す
る排気浄化装置１０または１１について、そのセル密度
を上流側のものよりも小さくして排気抵抗を低減するこ
とができる。下流側の触媒は昇温性が低く活性温度に達
するまでに時間がかかるが、本発明の排気浄化装置の構
成によればＨＣトラップ性能を十分に高められるので、
排気浄化性能を確保しつつセル密度を粗くして排気抵抗
を小さくできるのである。
【００２２】図４に担体構成に関する他の実施形態を示
す。これは図示したように複数のスリット２２のうち上
流側に位置するものほどその幅ｄを大としてある。
【００２３】この実施形態によれば、スリット幅ｄを大
にした上流部での排気の乱流化をより促進できると共に
伝熱抑制作用も大にできる。始動直後の排温が高く、担
体上流部でＨＣトラップ層２５が昇温しやすい場合に適
合する。幅ｄの大きなスリット２２の部分ではそれだけ
ガスの乱れが大きいことによりその下流側での担体横断
面方向のガス流量分布が均一となるので、ＨＣトラップ
性能、脱離ＨＣの浄化性能ともに向上する。
【００２４】図６〜図１０は、ＨＣトラップ剤および触
媒金属の層構造に関する実施形態である。ＨＣトラップ
剤と触媒金属とを同一層内に混在させてもよいが、それ
ぞれを内外に層状化することにより温度上昇に時間差が
生じるので、ＨＣ脱離と触媒活性化のタイミングを合わ
せて浄化処理の効率を高めることが可能となる。
【００２５】特に、図６に示したようにセル２４の下層
側にＨＣトラップ剤を含むＨＣトラップ層２５を、上層
側に触媒金属を含む触媒金属層２６をそれぞれコーティ
ングした構成においては、触媒金属層２６の触媒金属を
排気との接触により早期に活性化しつつ、担体２１と接
するＨＣトラップ層２５を比較的低温に保てるので、Ｈ
Ｃトラップ量の確保と触媒による転化効率の向上という
相反する要求を満たすことが可能となる。
【００２６】図７は、ＨＣトラップ層２５に隣接してア
ルミナ等からなる断熱層２９を均一な厚さに形成した実
施形態である。断熱層２９により、触媒金属層２６から
ＨＣトラップ層２５への伝熱量を低減できるので、触媒
金属層２６の昇温を早めつつＨＣトラップ量を増大し
て、浄化性能より向上させることができる。
【００２７】前記断熱層２９を、図８に示したようにそ
の厚さが担体上流部ほど大となるように形成することに
より、排気熱と触媒反応とで昇温しやすい上流側ＨＣト
ラップ層の温度上昇を抑制してＨＣトラップ性能をより
高めることができる。
【００２８】図９は断熱層２９を担体上流側にて触媒金
属層２６の表面に近接するように形成した実施形態であ
る。この実施形態によれば、昇温の比較的早い上流部で
のＨＣトラップ層２５の熱容量を増大させて昇温を遅ら
せ、ＨＣトラップ性能を高めることができる。
【００２９】図１０は断熱層２９を下流側にて担体表面
に近接するように形成した実施形態である。この実施形
態によれば、昇温の比較的遅い下流部での触媒金属層２
６の活性を早めて、ＨＣトラップ性能とＨＣ脱離後の浄
化性能の向上という相反する性能をさらに改善すること
ができる。
【００３０】前記図６〜図１０の構成において、ＨＣト
ラップ層２５または触媒金属層２６を互いに特性が異な
る複数の層から構成するようにしてもよい。例えば、触
媒金属層２６については、表層側にＰｄを適用した場合
には、深層側にはＰｄ−Ｒｈ系、またはＰｔ−Ｒｈ系、
または比較的低密度のＰｄ層とする。担体やＨＣトラッ
プ剤の特性による昇温性に応じてＨＣ脱離タイミングま
たは触媒金属の活性タイミングをより適切に制御するこ
とが可能となる。
【００３１】図１１は担体２１の両側面から交互に、か
つセルに対してガス流れの上流側に傾斜するように複数
のスリット２２を形成した実施形態である。ガス流れ方
向から見ると隣接するスリット２２どうしが部分的に重
畳するように交互に配列している。
【００３２】この実施形態によれば、傾斜したスリット
２２により担体内側から外側へとガスが拡散しやすくな
るので、担体外側部分にデッドボリューム部つまりガス
の流れが少なくＨＣトラップ剤および触媒金属の機能を
十分に生かせない部分が生じる場合に本構成を適用する
ことにより、デッドボリューム部を少なくすることがで
きる。
【００３３】図１２は担体２１の両側面から対向的に、
かつセルに対してガス流れの上流側に傾斜するように複
数のスリット２２を形成した実施形態である。この実施
形態では、ガス流れ方向から見ると隣接するスリット２
２どうしが重畳する部分はなく、非スリット部２３が中
央部に残っている。
【００３４】この実施形態によれば、図１５のものと同
様に担体外側域のデッドボリューム部を減らしつつ、中
央の非スリット部２３により担体２１の強度を高めるこ
とができる。
【００３５】図１３は、スリット２２を担体２１の両側
面を貫通するように形成した実施形態である。
【００３６】この実施形態によれば、スリット２２の両
側に非スリット部２３があるため担体２１の強度を寄り
高められる。また、この実施形態ではスリット２３の側
面形状を上流側に頂部を向けた山形形状としてあるの
で、図１５または図１６のものと同様に担体外側域のデ
ッドボリューム部を低減できる。
【００３７】図１４は担体２１の両側面から交互に形成
したスリット２２の幅ｄを、担体内側に向かって狭くな
るように楔状に形成した実施形態である。隣接するスリ
ット２２どうしはガス流れ方向から見て一部が重畳して
いる。
【００３８】この実施形態によれば、担体外周域ほどス
リット幅ｄが大となっているので、担体外周域のガス乱
れをより促進してデッドボリューム部を減らすことがで
きる。
【００３９】図１５は図１８と同様の楔状のスリット２
２を、隣接するスリット２２どうしがガス流れ方向から
見て重畳しないように形成した実施形態である。
【００４０】この実施形態によれば、図１８のものと同
様に担体外側域のデッドボリューム部を減らしつつ、中
央の非スリット部２３により担体２１の強度を高めるこ
とができる。
【００４１】図１６は担体２１の両側面を貫通するよう
にスリット２２を形成した実施形態である。担体横断面
上、各スリット２２の両側に非スリット部２３が残って
いる。また、各スリット２２はその幅ｄが中央部ほど大
となるように多角形状に形成してある。
【００４２】この実施形態によれば、スリット２２の中
央の幅広部分により担体内側域でのガスの乱れが大きく
なるので、担体内側部分にデッドボリューム部が生じる
場合に本構成を適用することによりデッドボリューム部
を少なくすることができる。また、スリット２２の両側
に非スリット部２３があるので担体２１の強度上も有利
である。
【００４３】図１７は担体２１の両側面を貫通するよう
に、かつガス流れの上下流方向に複数の頂部を有する屈
曲形状にスリット２２を形成した実施形態である。
【００４４】この実施形態によれば、屈曲したスリット
形状により担体中央部でのガス流れを複雑化してその乱
れをより大きくできるので、担体のデッドボリューム部
を効果的に減らすことができる。また、スリット両側の
非スリット部２３により担体強度を確保できる。
【００４５】図１８は担体２１の両側面を貫通するよう
に、かつガス流れの上流方向に凸の湾曲形状にスリット
２２を形成した実施形態である。
【００４６】この実施形態によれば、図１７のものと同
様に担体のデッドボリューム部を減らす効果が得られる
ことに加えて、スリット２２が湾曲形状であって鋭角部
分がないため、担体２１が振動や衝撃力を受けたときに
応力集中を起こしにくく、強度上有利である。
【００４７】なお、以上の各図はスリットの形成態様や
触媒担体の構造を説明するための図面であり、スリット
の幅、ピッチなどは説明の便宜のために実際とは異なる
寸法または比率で描いてある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による排気浄化装置を適用したエンジン
システムの一例を示す概略構成図。
【図２】本発明に係る担体の実施形態を示す側面形状の
説明図。
【図３】本発明による排気浄化装置の担体支持構造の一
例を示す縦断面図。
【図４】本発明に係る担体の他の実施形態を示す側面形
状の説明図。
【図５】本発明に係る担体の触媒金属の担持量分布に関
する説明図。
【図６】本発明に係る担体のＨＣトラップ剤および触媒
金属の層構造に関する実施形態のセル部詳細断面図。
【図７】本発明に係る担体のＨＣトラップ剤および触媒
金属の層構造に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【図８】本発明に係る担体のＨＣトラップ剤および触媒
金属の層構造に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【図９】本発明に係る担体のＨＣトラップ剤および触媒
金属の層構造に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【図１０】本発明に係る担体のＨＣトラップ剤および触
媒金属の層構造に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【図１１】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【図１２】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【図１３】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【図１４】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【図１５】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【図１６】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【図１７】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【図１８】本発明による担体の他の実施形態の側面図。
【符号の説明】
１ エンジン ２ 吸気通路 ３ 排気通路 ９〜１１ 排気浄化装置 ２１ 担体 ２２ スリット ２３ 非スリット部 ２４ セル ２５ ＨＣトラップ層 ２６ 触媒金属層 ２９ 断熱層 ３４ 触媒容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 35/04 Ｆ０１Ｎ 3/24 Ｂ Ｆ０１Ｎ 3/08 Ｅ 3/24 Ｌ Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｃ １０３Ｚ (72)発明者 三石 俊一 神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地 日産 自動車株式会社内 (72)発明者 鵜篭 芳直 神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地 日産 自動車株式会社内 Ｆターム(参考） 3G091 AA02 AA11 AA17 AB03 AB10 BA15 FA02 FC07 GA06 GA14 GA18 GB07W GB09Y GB17X HA00 HA18 HA27 HA28 HB05 4D048 AA18 BA10Y BB02 BB13 BB15 BB16 CC41 EA04 4G069 AA03 AA08 CA03 CA15 DA06 EA19 EB04 EC28 EC29 FA03 FB23

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ハニカム状担体にＨＣトラップ剤を担持さ
    せた排気浄化装置であって、 前記担体のセルを横断するようにかつ担体の上流部に偏
    在するようにスリットを形成すると共に、 前記担体の下流部にて担持量が大となるように触媒金属
    を担持させた排気浄化装置。
  2. 【請求項２】前記スリットを担体のガス流れ方向に複数
    配列した請求項１に記載の排気浄化装置。
  3. 【請求項３】前記複数のスリットのうち、上流側のもの
    の幅を下流側のものに比較して大とした請求項３に記載
    の排気浄化装置。
  4. 【請求項４】前記担体をセラミクスから形成した請求項
    １に記載の排気浄化装置。
  5. 【請求項５】前記ＨＣトラップ剤は互いに特性が異なる
    複数の層からなる請求項１に記載の排気浄化装置。
  6. 【請求項６】前記触媒金属は互いに特性が異なる複数の
    層からなる請求項５に記載の排気浄化装置。
  7. 【請求項７】前記担体には、ＨＣトラップ剤を含むＨＣ
    トラップ層と、触媒金属を含む触媒金属層とを、それぞ
    れコーティングにより形成した請求項１に記載の排気浄
    化装置。
  8. 【請求項８】前記ＨＣトラップ層を下層側に、触媒金属
    層を上層側に、それぞれ形成した請求項１０に記載の排
    気浄化装置。
  9. 【請求項９】前記ＨＣトラップ層と触媒金属層との間に
    断熱層を形成した請求項８に記載の排気浄化装置。
  10. 【請求項１０】前記断熱層を均一な厚さに形成した請求
    項９に記載の排気浄化装置。
  11. 【請求項１１】前記断熱層を担体の上流側ほど厚さが大
    となるように形成した請求項９に記載の排気浄化装置。
  12. 【請求項１２】前記断熱層を、上流側にて触媒金属層の
    表面に近接するように形成した請求項９に記載の排気浄
    化装置。
  13. 【請求項１３】前記断熱層を、下流側にて担体表面に近
    接するように形成した請求項９に記載の排気浄化装置。
  14. 【請求項１４】前記複数のスリットは担体外周の相対す
    る位置から対向的に、かつセル内のガス流れに対して垂
    直に形成した請求項３に記載の排気浄化装置。
  15. 【請求項１５】前記複数のスリットは担体外周の相対す
    る位置から対向的に、かつセル内のガス流れに対して傾
    斜して形成した請求項３に記載の排気浄化装置。
  16. 【請求項１６】前記相対するスリットはガス流れ方向か
    ら見て互いに重畳しないように形成した請求項１４また
    は請求項１５に記載の排気浄化装置。
  17. 【請求項１７】前記スリットを担体の両側面を貫通する
    ように形成した請求項１に記載の排気浄化装置。
  18. 【請求項１８】前記スリットを担体の外周から内側に向
    かって次第に幅が狭くなる形状に形成した請求項１に記
    載の排気浄化装置。
  19. 【請求項１９】前記スリットは担体の相対する位置から
    対向的に、かつガス流れ方向から見て互いに重畳しない
    ように複数個を形成した請求項１８に記載の排気浄化装
    置。
  20. 【請求項２０】前記貫通したスリットは貫通方向から見
    て担体の外周から内側に向かって次第に幅が広くなる形
    状に形成した請求項１７に記載の排気浄化装置。
  21. 【請求項２１】前記貫通したスリットは貫通方向から見
    て上下流方向に複数の頂部を有する屈曲形状に形成した
    請求項１７に記載の排気浄化装置。
  22. 【請求項２２】前記貫通したスリットは貫通方向から見
    て上流側に凸の湾曲形状に形成した請求項１７に記載の
    排気浄化装置。
  23. 【請求項２３】前記担体のセル密度は６００以下である
    請求項１に記載の排気浄化装置。
  24. 【請求項２４】前記ＨＣトラップ剤のコーティング量は
    ２５０以上である請求項１に記載の排気浄化装置。
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