JP2003309253A - Ｓｏｉウエーハ及びｓｏｉウエーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＳＯＩウエーハの製造プロセスやデバイス製
造プロセスにおいて、ＳＯＩ層への静電気の帯電を防止
することのできるＳＯＩウエーハ、およびＳＯＩウエー
ハの製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも、ＳＯＩ層、絶縁層、支持基
板で形成されたＳＯＩウエーハであって、前記ＳＯＩ層
の一部分に該ＳＯＩ層の帯電を防止する帯電防止手段を
設けたＳＯＩウエーハ。特にＳＯＩ層、絶縁層、支持基
板からなるＳＯＩ構造を形成する工程の後に、前記ＳＯ
Ｉ層の外周端と前記支持基板の間を導通させるための連
結部を形成することにより製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＯＩ層、絶縁
層、支持基板で形成されたＳＯＩ（Silicon on Insulat
or）ウエーハに関し、特にＳＯＩ層の静電気の帯電を防
止できるＳＯＩウエーハ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路はその集積度を著しく増
し、それに伴い鏡面研磨された半導体単結晶ウエーハ表
面の平坦度や平滑度のような加工精度もより厳しい条件
が課されるようになった。しかも、性能・信頼性・歩留
まりの高い集積回路を得る為には、機械的な精度だけで
はなく、電気的な特性についても高いことが要請される
ようになった。中でもＳＯＩウエーハについて言えば、
理想的な誘電体分離基板なので、主に移動通信機器や医
療機器関係で高周波、高速系デバイスとして利用され、
今後の大幅な需要拡大が予想されている。

【０００３】ＳＯＩウエーハ１５は、図４に示すように
単結晶シリコン層のような素子を形成するためのＳＯＩ
層３（半導体層や活性層ともいう）が、シリコン酸化膜
のような絶縁層２（ＢＯＸ酸化膜層（埋め込み酸化膜）
や単に酸化膜層ともいう）の上に形成された構造をも
つ。また酸化膜は支持基板１（基板層ともいう）上に形
成され、ＳＯＩ層３、絶縁層２、支持基板１が順次形成
された構造となっている。

【０００４】従来、ＳＯＩ層及び支持基板が例えばシリ
コン、及び絶縁層が例えばシリコン酸化膜からなる上記
ＳＯＩ構造を持つＳＯＩウエーハの製造方法としては、
酸素イオンをシリコン単結晶に高濃度で打ち込んだ後
に、高温で熱処理を行ない、酸化膜を形成するＳＩＭＯ
Ｘ（Separation by implanted oxygen）法によるもの
と、２枚の鏡面研磨したウエーハのうち少なくとも一方
に酸化膜を形成した後に、接着剤を用いることなく結合
し、片方のウエーハを薄膜化する結合法（貼り合わせ
法）がある。

【０００５】ＳＩＭＯＸ法は、デバイス活性領域となる
活性層部（ＳＯＩ層）の膜厚を、酸素イオン打ち込み時
の加速電圧で決定、制御できるために、薄層でかつ膜厚
均一性の高い活性層を容易に得る事ができる利点がある
が、埋め込み酸化膜（絶縁層）の信頼性や、活性層の結
晶性等問題が多い。

【０００６】一方、ウエーハ結合法は、単結晶のシリコ
ン鏡面ウエーハ２枚のうち少なくとも一方に酸化膜（絶
縁層）を形成し、接着剤を用いずに貼り合わせ、次いで
熱処理（通常は１１００℃〜１２００℃）を加えること
で結合を強化し、その後片方のウエーハを研削や湿式エ
ッチングにより薄膜化した後、薄膜の表面を鏡面研磨し
てＳＯＩ層を形成するものであるので、埋め込み酸化膜
（絶縁層）の信頼性が高くＳＯＩ層の結晶性も良好であ
るという利点がある。しかし、このようにして貼り合わ
されたＳＯＩウエーハは研削や研磨により機械的な加工
を行ない薄膜化しているため、得られるＳＯＩ層の膜厚
およびその均一性に限界がある。

【０００７】また最近ＳＯＩウエーハの製造方法とし
て、イオン注入したウエーハを結合及び分離してＳＯＩ
ウエーハを作製する方法が新たに注目され始めている。
この方法は貼り合わせ法の一種であるがイオン注入剥離
法などとも言われ、図５（ａ）に示すように２枚のシリ
コンウエーハのうち、少なくとも一方に酸化膜（絶縁
層）を形成（図５（ｂ））すると共に、一方のシリコン
ウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注
入（図５（ｃ））し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封
入層）を形成させた後、該イオンを注入した方の面を、
酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着（図５
（ｄ））させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開
面として一方のウエーハを薄膜状に分離（図５（ｅ））
し、さらに熱処理を加えて（図５（ｆ））、強固に結合
してＳＯＩウエーハとする技術（特開平５−２１１１２
８号参照）である。そして、該劈開面は良好な鏡面であ
り、ＳＯＩ層の膜厚の均一性も高いＳＯＩウエーハが比
較的容易に得られている。

【０００８】また、シリコンウエーハ表面を多孔質化し
た後、水素処理等によりウエーハ表面を平滑化し、エピ
タキシャル成長によりエピ層を形成し、さらにエピ層に
酸化膜を形成し、他のシリコンウエーハと貼り合わせ、
多孔質化した部分から剥離するなどの方法によりＳＯＩ
ウエーハを製造する方法もある。このようにＳＯＩウエ
ーハの製造には多くの方法が提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ＳＯＩウエーハを用い
デバイスを製造するにあたり、デバイスの歩留まりが低
下するという問題があった。この原因について鋭意調査
したところ、ＳＯＩ層に静電気が帯電し、これによりＳ
ＯＩ層や絶縁層又は、デバイスそのものが破壊され、歩
留まりの低下につながると考えられた。

【００１０】つまり、図４に示すようなＳＯＩウエーハ
１５は、ＳＯＩ層３が絶縁層２により完全に分離された
構造となっているため、ＳＯＩウエーハの製造中、また
はデバイスの製造過程でＳＯＩ層中に静電気が帯電し、
その静電気がショートし、ＳＯＩ層または絶縁層、更に
は作製中のデバイスそのものを破壊してしまうと考えら
れる。

【００１１】このような帯電の発生はあらゆる工程で考
えられる。例えば洗浄後にスピン乾燥等を行なうとＳＯ
Ｉ層に静電気が帯電しやすい。

【００１２】ＳＯＩ層や絶縁層の酸化膜が厚い厚膜ＳＯ
Ｉウエーハでは、これらの静電気の影響は少ないが（但
し厚膜ＳＯＩウエーハでも同様に発生している）、特に
近年では、ＳＯＩ層も大変薄くなり、例えば５０ｎｍ程
度、更には２０〜３０ｎｍ等のＳＯＩ層を持つ薄膜ＳＯ
Ｉウエーハ等の要求がでている。

【００１３】このようなＳＯＩウエーハでは特に静電気
の影響が大きく、このようなＳＯＩ層に対する帯電を防
止する必要が急務であると考えられる。

【００１４】またＳＯＩウエーハの製造過程やデバイス
製造過程を通して静電気の防止をする必要があり、なる
べくデバイスを形成する部分に影響の無い部分での改善
が必要である。

【００１５】本発明は、上記問題に対してなされたもの
で、ＳＯＩ層の帯電を防止し、かつ生産性および歩留り
の高いＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハを
提供することを主たる目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のＳＯＩウエーハは、少なくとも、ＳＯＩ
層、絶縁層、支持基板で形成されたＳＯＩウエーハであ
って、前記ＳＯＩ層の一部分に該ＳＯＩ層の帯電を防止
する帯電防止手段を設けたことを特徴とするＳＯＩウエ
ーハである（請求項１）。

【００１７】このようにＳＯＩウエーハにおいて、ＳＯ
Ｉ層に静電気等が帯電しない構造としたことにより、Ｓ
ＯＩウエーハを用いた各種処理過程、例えば洗浄後スピ
ン乾燥等を行なってもＳＯＩ層に静電気が帯電すること
が無くなり、静電気によるＳＯＩ層又は絶縁層、更には
デバイスの破壊を防止することができる。特にＳＯＩウ
エーハのＳＯＩ層の外周端にこのような帯電防止手段を
形成することで、ＳＯＩウエーハのデバイス形成エリア
に影響することなく、どのようなデバイスを製造する場
合にも使用でき汎用性があり好ましい（請求項２）。但
し、帯電防止手段は、必ずしもＳＯＩ層の外周端に設け
なければならないものではなく、たとえウエーハの内側
であっても、デバイス製造に影響を与えない位置であれ
ばよい。たとえば、デバイス製造後ダイシングにおいて
切断されてしまうところに設置するようにしてもよい。

【００１８】特に、前記帯電防止手段が、前記ＳＯＩ層
と前記支持基板とを、ＳＯＩ層及び支持基板の抵抗率と
同等又はそれ以下の抵抗率を有する物質を用い連結させ
導通させた構造であることが好ましい（請求項３）。

【００１９】ＳＯＩ層及び支持基板の抵抗率と同等又は
それ以下の抵抗率とは、ＳＯＩ層に帯電した静電気が支
持基板側に流れる程度の抵抗率をいう。このような物質
を用い、更にＳＯＩ層と支持基板を連結させ導通するよ
うにすれば、常温でも帯電を防止することができる帯電
防止手段となる。

【００２０】特に、少なくとも、ＳＯＩ層、絶縁層、支
持基板で形成されたＳＯＩウエーハであって、前記ＳＯ
Ｉ層の少なくとも一部分に前記支持基板と接触する導通
部を設けたことを特徴とするＳＯＩウエーハである（請
求項４）。

【００２１】静電気を防止するためにＳＯＩ層の少なく
とも一部分に支持基板と接触する導通部を設けた構造と
すれば、ＳＯＩ層に静電気が帯電することが無くなり、
ＳＯＩ層又は絶縁層、更にはデバイスの破壊を防止する
ことができる。ＳＯＩ層の外周端にこのような帯電防止
手段を形成するようにすれば、ＳＯＩウエーハのデバイ
ス形成エリアに影響することなく、どのようなデバイス
を製造するにも使用でき汎用性があり好ましい。

【００２２】特に、前記導通部が、前記ＳＯＩ層の外周
端全域に形成されていることが好ましい（請求項５）。

【００２３】ＳＯＩウエーハを丸形状のまま処理してい
る間は、一部に帯電防止手段（ＳＯＩ層と支持基板の導
通部）を形成しておけば良い。しかしデバイスの形成
中、ＳＯＩウエーハ面内（ＳＯＩ層面内）で切断等が行
なわれ、電気的に断線される部分がでてくることがあ
る。このようにウエーハ外周部全域に導通部を形成して
おくことにより、デバイス工程の多くの工程で帯電を防
止した形で処理することができる。

【００２４】また、前記導通部の材質が、シリコンであ
ることが好ましい（請求項６）。ＳＯＩ層及び支持基板
は主にシリコンが用いられており、ＳＯＩ層や支持基板
と同質のシリコンを用いれば汚染等の問題も無く、また
ＳＯＩ層又は支持基板のシリコンを利用しＳＯＩ層の外
周端と支持基板を結合することも可能である。また材質
が同じであり静電気の防止も容易である。

【００２５】このようなＳＯＩウエーハを製造するため
に、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法は、ＳＯＩ層、
絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ構造を形成する工程の
後に、少なくとも前記ＳＯＩ層の一部分と前記支持基板
の間を導通させるための連結部を形成する工程を有する
ことを特徴とする（請求項７）。

【００２６】ＳＯＩ層、絶縁層、支持基板からなるＳＯ
Ｉ構造を形成する工程とは、ＳＯＩ構造が形成できれば
特に限定するものではなく、従来のＳＩＭＯＸ法や結合
法（貼り合わせ法）、例えばイオン注入したウエーハを
結合及び分離してＳＯＩウエーハを作製する方法（イオ
ン注入剥離法）などの工程で良い。

【００２７】また、このような工程で製造されたＳＯＩ
ウエーハのＳＯＩ層表面にはダメージ等が残存すること
があり、ＳＯＩ構造を形成後ＳＯＩ層の表面の改質が行
なわれることがある。またＳＯＩ層の更なる薄膜化（厚
さ調整）なども行なわれることがある。従って更に、Ｓ
ＯＩ層の表面の改質及び／または厚さを調整する工程を
有しても良い（請求項８）。

【００２８】ＳＯＩ層の表面の改質及び／または厚さを
調整する工程とは、従来のＳＯＩウエーハの製造過程で
行なわれている表面粗さ等の改善を行なうためのタッチ
ポリッシュといわれる研磨や、厚さの調整を行なう研削
や研磨、更にはアルゴンガス（Ａｒ）雰囲気での熱処理
工程などのことである。これらの工程も種々の形態があ
り、本発明では特に限定するものではない。

【００２９】これらの工程は通常連続して行なわれる
が、本発明では前記ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ層
の外周端等の一部分と支持基板の間を導通させるための
連結部を形成する工程を含むことを特徴とする。

【００３０】特にＳＯＩ層の外周端等の一部分に帯電防
止手段を設けるには、ＳＯＩ構造を形成した後、なるべ
く早い段階が好ましい。少なくともデバイスを形成（製
造）する前に帯電防止手段を設けることが重要である
が、ＳＯＩウエーハの製造過程でも静電気を帯電しやす
い工程があればその前に形成しておくことが好ましい。
例えばスピン乾燥等の静電気を帯電しやすい工程を有す
る場合、この工程でＳＯＩウエーハを処理する前にＳＯ
Ｉウエーハ自身に帯電防止手段を形成しておくことが好
ましい。

【００３１】このＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ層の
一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を形成
する工程は、高温リフロー工程によりＳＯＩ層の外周端
を連結するものとして実施できる（請求項９）。

【００３２】本発明でいう高温リフロー工程とは、水素
ガスなどの還元性雰囲気またはアルゴン（Ａｒ）ガスな
どの不活性ガス雰囲気、あるいは、これらの混合ガスな
どの還元性雰囲気中で長時間の熱処理を施すことによ
り、ＳＯＩ層の外周端の一部、または全域がその自重に
よる撓みやシリコン原子のリフローにより支持基板と結
合させる処理工程をいう。還元性雰囲気としては、特に
水素雰囲気下によるものが好ましい。

【００３３】この際、リフローを十分に発生させるため
には１１５０℃以上の高温とすることが好ましく、より
好ましくは１２００℃以上シリコンの融点（約１４２０
℃）以下である。また、ＳＯＩ層の外周部をリフローに
より支持基板と確実に連結するためには、ＳＯＩ層の外
周部が絶縁層の外周部よりウエーハの外周方向に延出し
たいわゆるオーバーハング形状として高温熱処理する必
要がある。

【００３４】このようにＳＯＩ構造を形成後、例えば還
元性雰囲気中で高温、長時間の熱処理を施すことによ
り、ウエーハ外周端の一部、または外周端全域で、ＳＯ
Ｉ層と支持基板とが連結し、ＳＯＩ層と支持基板が導通
状態となる。

【００３５】このような熱処理はシリコンのリフローが
生じれば熱処理条件、熱処理装置等は特に限定されるも
のではないが、前記熱処理は、急速加熱・急速冷却装置
を用いて、水素を含む還元性雰囲気中で行なうことが好
ましい。このように、急速加熱・急速冷却装置を用い
て、水素を含む還元性雰囲気中で行なえば、シリコンの
リフローが生じやすくなるので、ＳＯＩ層の外周部が支
持基板側に付着し易くなる。さらに熱処理時間が短くて
済むのでウエーハ面内のＳＯＩ層中の結晶欠陥から雰囲
気中の水素が侵入し酸化膜をエッチングするという問題
も生じないためデバイス形成エリアの品質を維持でき
る。

【００３６】尚、急速加熱・急速冷却装置とは、ランプ
加熱器等で直ちに加熱処理する方法や、熱処理炉への出
し入れや昇降温を極めて短時間に行なう熱処理方法のこ
とである。ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置な
どが知られている。

【００３７】ＳＯＩ構造を形成する方法は種々の方法が
提案されており、本発明では特に限定するものではない
が、ＳＯＩ層、絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ構造を
形成する工程が、ベースウエーハ及びボンドウエーハを
用意し、該ボンドウエーハの表面に熱酸化により酸化膜
を形成する工程と、該酸化膜が形成されたボンドウエー
ハに対し水素イオンまたは希ガスイオンを注入して封入
層を形成する工程と、該封入層が形成されたボンドウエ
ーハを前記ベースウエーハと貼り付ける工程と、該封入
層部でボンドウエーハを剥離する工程とを有するいわゆ
るイオン注入剥離法を用いることが好ましい（請求項１
３）。

【００３８】このようなＳＯＩ構造の製造方法は、剥離
後のＳＯＩ層の表面が良好な鏡面であり、ＳＯＩ層の膜
厚の均一性も高いＳＯＩウエーハが比較的容易に得られ
るからである。

【００３９】また、前記ＳＯＩ層の表面の改質及び／ま
たは厚さを調整する工程が、ＳＯＩ層の表面を改質する
ためのアルゴンガス雰囲気による熱処理工程、ＣＭＰ装
置によりＳＯＩ層の表面を研磨する研磨工程、ＳＯＩ層
を犠牲酸化し薄膜化する工程のいずれか一以上の工程を
有するものとすることが好ましい（請求項１４）。

【００４０】このような工程を加えＳＯＩウエーハを製
造することで、ＳＯＩウエーハの表面（ＳＯＩ層の表
面）の品質（面粗さや歪）及びＳＯＩ層の厚さが精度よ
く制御され、特にＳＯＩ層および絶縁膜がたいへん薄く
（例えば、ＳＯＩ層：２０〜１００ｎｍ、絶縁膜：９０
〜１００ｎｍ）、表面特性の良好な薄膜ＳＯＩウエーハ
が製造できる。

【００４１】また、前記したようにＳＯＩ層の外周端に
帯電防止手段を設けるには、ＳＯＩ構造を形成した段階
でなるべく早い段階が好ましい。例えば上記工程で言え
ばＳＯＩ構造を形成し、表面を改質するためのアルゴン
ガス雰囲気での熱処理工程後に、高温リフロー工程を実
施するのが好ましい。

【００４２】また帯電防止手段は上記方法に限らず、Ｓ
ＯＩ構造を形成後、ＳＯＩ層の一部分と支持基板の間を
導通させるための連結部を形成する工程が、ＣＶＤ法に
よるエピタキシャル成長、多結晶成長、アモルファス成
長工程のいずれかにより少なくともＳＯＩウエーハの外
周部（ＳＯＩ層の外周端）にシリコンを堆積し、ウエー
ハ外周部のＳＯＩ層と支持基板とを連結して導通させて
も良い（請求項１０）。

【００４３】ＳＯＩウエーハはそのＳＯＩ構造の製造方
法により、支持基板が絶縁層やＳＯＩ層に比べ大きな径
となっている。そこで支持基板の絶縁層等が形成されて
いない部分に、例えばエピタキシャル成長により絶縁膜
の厚さ以上の単結晶シリコンを堆積させることによっ
て、ＳＯＩ層と支持基板を導通させることができる。こ
の場合堆積させるシリコンは、必ずしもエピタキシャル
膜である必要はなく、多結晶、アモルファスであっても
よい。

【００４４】さらに、ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ
層の一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を
形成する工程としては、絶縁層にイオン注入することに
より、注入部を導通させるものとすることもできる（請
求項１１）。イオン注入であれば注入深さ、注入位置を
正確に制御することができるので、例えば外周端部のみ
ならず、デバイス工程で影響を及ぼさない位置であれ
ば、ウエーハ面内の任意の位置でＳＯＩ層と支持基板と
の間を導通させることができる。具体的には、例えばホ
トレジスト等でＳＯＩ層をマスクし、外周端部のみのレ
ジスト除去あるいはウエーハ面内所定位置の窓開け加工
を行って部分的にＳＯＩ層を露出させ、当該露出部分の
埋め込み酸化膜に、シリコンとともにドーパント元素で
あるＰ、Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ等をイオン注入する、あるいは
シリコン中で拡散の遅い金属であるＭｏ、Ａｕ等をイオ
ンを注入することにより連結部を形成することができ
る。必要に応じてイオン注入後にアニール処理を行えば
よい。

【００４５】また、ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ層
の一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を形
成する工程として、ＳＯＩ層と支持基板の間に電圧を印
加しつつ、ＳＯＩ層の表面からレーザ光を照射すること
によって、照射部の絶縁層に絶縁破壊を生じさせること
により形成するものとすることもできる（請求項１
２）。この方法では、ＳＯＩ層と支持基板の間に電圧を
印加しつつ、ＳＯＩ層の表面からレーザ光を照射するこ
とで、照射部の温度が上昇し、絶縁破壊が生じる。この
方法でもレーザ照射位置を正確に制御することができる
ことから、ＳＯＩウエーハの所望位置で導通部を形成す
ることができる。

【００４６】このような方法で製造した帯電防止手段を
有するＳＯＩウエーハは、ＳＯＩウエーハの製造過程や
デバイスの製造過程の各種処理装置を用い処理される。
この時、ＳＯＩウエーハの支持基板を各種処理装置のウ
エーハ保持盤に保持して処理されるのが通常である。従
ってＳＯＩウエーハに帯電している静電気はこのような
ウエーハ保持盤によりアースされる。例えば、洗浄後の
乾燥工程（特にスピン乾燥等）では静電気の帯電が生じ
やすいが、支持基板側を吸着保持することでアースの役
目を果たし、ＳＯＩ層中に帯電した静電気が帯電防止手
段であるＳＯＩ層と支持基板の間の連結部を導通し、支
持基板、更にはウエーハ保持盤を経て除かれる。

【００４７】このような構造のＳＯＩウエーハを用い、
ＳＯＩウエーハの製造過程やデバイスの製造過程（半導
体回路製造過程）で各種処理を行なうことで静電気によ
る帯電を防止できる。これによりＳＯＩ層や絶縁層又は
デバイスの破壊を防止することができ、歩留まりの良い
デバイスの製造が行なえる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。図１は、本発明に係るＳＯＩ
ウエーハの一実施形態を示す概略説明図である。図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は断面図である。支持基板
１の一主面（表面）に絶縁層２が積層され、絶縁層２の
表面上にＳＯＩ層３が積層された構造となっている。本
発明のＳＯＩウエーハ５は更にＳＯＩ層３の外周端に帯
電防止手段４が形成されている。本実施の形態はＳＯＩ
層３の外周端全域に支持基板１とＳＯＩ層３との連結部
を形成した例である。なお帯電防止手段４は、ＳＯＩ層
３の外周端の一部に形成するだけでも良い。このような
構造をしているためＳＯＩ層３での静電気等の帯電が防
止できる。

【００４９】支持基板１としては、特に限定されない
が、ＳＯＩ層３と同一の材質であるシリコン（単結晶シ
リコンウエーハ）やシリコン単結晶ウエーハの表面にポ
リシリコン層を形成したものなどが使用できる。また、
絶縁層２としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜が
用いられる。

【００５０】次に、本発明に係るＳＯＩウエーハの製造
方法の一実施形態について図面を用い説明する。図２
は、図５に示すような従来のＳＯＩウエーハの製造工程
に帯電防止手段４を形成する工程を付加した例で、貼り
合わせ法（イオン注入剥離法）によりＳＯＩ構造を形成
し、更にアルゴンガス雰囲気中での熱処理やＣＭＰ研
磨、更には犠牲酸化を行なうことによってＳＯＩ層３の
表面の改質及び薄膜化を行ない、薄膜ＳＯＩウエーハを
製造する工程を示した流れ図である。この本発明のフロ
ーでは、ＳＯＩ層３の外周端に支持基板１との導通部分
を形成する還元雰囲気熱処理（高温リフロー）工程が付
加されている。

【００５１】ＳＯＩ構造を形成する工程の主な工程を説
明すると、まず、支持基板１となるベースウエーハ１０
とボンドウエーハ１１を用意する（図２（ａ））。これ
らはいずれも鏡面研磨されたシリコン単結晶ウエーハで
ある。

【００５２】次に、ボンドウエーハ１１の表面には後に
埋め込み酸化膜（絶縁層２）となる酸化膜１２を形成す
る（図２（ｂ））。これは例えば熱酸化によりシリコン
酸化膜を形成する。

【００５３】次に該酸化膜１２の上からボンドウエーハ
１１に水素イオンを注入し、微小気泡層（封入層）１３
を形成する（図２（ｃ））。

【００５４】微小気泡層（封入層）１３を形成したボン
ドウエーハ１１のイオン注入をした面の酸化膜１２を介
して、ベースウエーハ１０と室温で密着させる（図２
（ｄ））。

【００５５】次に５００℃以上の熱処理（剥離熱処理）
を加えることによりボンドウエーハ１１を封入層１３よ
り剥離することによって薄膜化し（図２（ｅ））、次い
で結合熱処理（図２（ｆ））を施して強固に結合するこ
とによってＳＯＩ構造を持つウエーハが作製される。

【００５６】上記した貼り合わせ法を用いて製造された
ＳＯＩウエーハは、この段階では、図４に模式的に示す
通り支持基板１の一主表面に絶縁膜（層）２とＳＯＩ層
３がそれぞれ分離して順次積層された構造の断面形状を
有する。また、貼り合わせられる２枚の鏡面研磨ウエー
ハ表面の外周部には研磨ダレと呼ばれる領域が存在し、
その部分は結合が不十分となるため除去される。したが
って、絶縁層２とＳＯＩ層３は、支持基板１に対して数
ｍｍ程度小径となるのが一般的である。

【００５７】本実施の形態では、イオン注入剥離法を用
いた例を示すが、ＳＯＩ層、絶縁層、支持基板からなる
ＳＯＩ構造を形成する工程については、種々の工程が開
発されておりこれに限るものではない。

【００５８】次に、上記ＳＯＩ構造を有するウエーハの
ＳＯＩ層３の表面を改質及びＳＯＩ層３の厚さを制御す
る工程について示す。

【００５９】図２（ｆ）によって得られたＳＯＩ構造を
持つウエーハのＳＯＩ層表面（剥離面）には水素イオン
注入によるダメージ１７が残留しているので、通常はタ
ッチポリッシュと呼ばれる研磨しろの少ない研磨を行な
ってダメージ層を除去する（例えば図５（ｉ）の工
程）。また、タッチポリッシュの代替として、アルゴン
ガス雰囲気下での熱処理を行なったり、ＳＯＩ層の膜厚
を薄くするため熱酸化と酸化膜除去をおこなう犠牲酸化
処理を行なったり、あるいはこれらを適宜組み合わせる
ことによって、表面にダメージのない薄膜のＳＯＩ層を
有するＳＯＩウエーハを作製する場合もある。

【００６０】本実施の形態では、ＳＯＩ層の表面を改質
及びＳＯＩ層の厚さを制御する工程として、ＳＯＩ層の
表面を改質するためのアルゴンガス雰囲気中での熱処理
工程と、ＣＭＰ研磨によりＳＯＩ層の表面を研磨する工
程と、ＳＯＩ層を犠牲酸化する工程を有する工程を例に
説明する。

【００６１】ＳＯＩ層３の表面を改質するため、例えば
多数枚を一度に熱処理可能な縦型または横型のヒーター
加熱式熱処理装置（バッチ炉）を用いアルゴンガス雰囲
気中１１００℃〜１２００℃程度で約１時間程度の熱処
理を行なう（図２（ｇ））。これにより水素イオン注入
によるダメージ１７やＳＯＩ層表面の粗さが改善され
る。

【００６２】更にＣＭＰ研磨機を用いＳＯＩ層３の表面
を研磨することにより、ウエーハ表面の粗さや平滑度を
さらに改善する（図２（ｉ））。ＣＭＰ研磨（装置）と
は、化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：
ＣＭＰ）のことであり、その装置は、表面に研磨布が貼
設された円盤状の定盤と、被加工物を保持する研磨ヘッ
ドとを平行に対向配置させたものであり、定盤の回転運
動と研磨ヘッドの回転運動とを組み合わせることにより
被加工物の表面を研磨するようにされたものである。機
械的作用と研磨スラリーによる化学的作用とが複合した
研磨でウエーハ表面の粗さや平滑度を改善できる。

【００６３】次にＳＯＩ層を更に薄膜化するためにＳＯ
Ｉ層３の犠牲酸化を行なう（図２（ｊ））。犠牲酸化と
はＳＯＩ層のシリコンの一部を酸化し、それを除去する
ことにより薄膜化する処理のことで、酸化を行なった
後、フッ酸処理することで薄膜のＳＯＩウエーハ５が製
造できる（図２（ｋ））。

【００６４】なお上記例では、ＳＯＩ構造の作製にイオ
ン注入剥離法を用い、更にＣＭＰ研磨装置による研磨
や、犠牲酸化等の手法によりＳＯＩウエーハを薄膜化し
ているが、これらは研削、研磨、気相エッチング、通常
のエッチング等一般に用いられている方法で薄膜化を行
なう場合もある。これらのＳＯＩ構造の作製方法及びＳ
ＯＩ層の厚さ制御の方法等は特に限定するものではな
い。

【００６５】さらに、本案ではＳＯＩ層３の外周端にＳ
ＯＩ層３と支持基板１を連結するための処理を行なう。
例えば還元雰囲気中での熱処理によりシリコンをリフロ
ーする高温リフロー工程を有する（図２（ｈ））。この
工程はＳＯＩ構造を形成した後であれば、原則としてど
の段階で実施しても良いが、上記のようなアルゴンガス
雰囲気中での熱処理や、ＣＭＰ研磨を有する工程では例
えばアルゴンガス雰囲気中での熱処理（図２（ｇ））の
後に実施すると好ましい。但し、ＳＯＩ層の表面を改質
及びＳＯＩ層の厚さを制御する工程では必ずしもアルゴ
ンガス雰囲気中での熱処理（図２（ｇ））工程を含まな
い場合もあり、上記のような工程後に限らずデバイス形
成前や、ＣＭＰ研磨またはその他の工程の前後で実施し
ても良い。

【００６６】アルゴンガス雰囲気中での熱処理がある場
合、アルゴンガス雰囲気中での熱処理（図２（ｇ））の
後に行なえば、ＳＯＩ構造を形成した後の比較的早い段
階であり、静電気による絶縁層２やＳＯＩ層３の破壊も
起きていない。また熱処理条件を変えるだけで熱処理装
置をそのまま使用し実施することも可能である。高温リ
フロー工程（図２（ｈ））は、アルゴンガス雰囲気中で
の熱処理（図２（ｇ））と同様な工程であるが、アルゴ
ンガス雰囲気中での熱処理（図２（ｇ））に比べ、高
温、長時間に設定する。特にＳＯＩ層３の外周端が支持
基板１と付着しやすくなるような条件に設定する。十分
なリフローを起こすためには、処理するウエーハの仕様
（ＳＯＩ層の厚さ等）や熱処理装置の種類などにより適
宜設定する必要があるが例えば多数枚を一度に熱処理可
能な縦型または横型のヒーター加熱式熱処理装置（バッ
チ炉）を用いた場合１時間以上、好ましくは更に長時間
の熱処理時間で行なうと良い。

【００６７】更に高温リフロー工程の好ましい方法とし
ては、ＳＯＩ層３の外周端が支持基板１と付着させる為
に、ＳＯＩ層の外周部が絶縁層の外周部よりウエーハの
外周方向に延出したいわゆるオーバーハング形状として
おき、熱処理装置として急速加熱・急速冷却装置を用い
て、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理を行なうことも
できる。このようにすると、短時間でシリコンのリフロ
ーが生じやすくなり、ＳＯＩ層３の外周端が支持基板１
側に付着し易くなる。また、急速加熱・急速冷却装置を
用いた場合は熱処理時間が極めて短いため、ＳＯＩ層中
の結晶欠陥から雰囲気中の水素が侵入し、埋め込み酸化
膜をエッチングするようなことは生じない。このような
ＳＯＩウエーハを還元性雰囲気下で急速加熱・急速冷却
することができる装置としては、熱放射によるランプ加
熱器のような装置を挙げることができる。また、市販さ
れているものとして、例えばシュティアック マイクロ
テック インターナショナル社製、ＳＨＳ−２８００の
ような装置を挙げることができる。ランプ加熱式のＲＴ
Ａ装置等を用いた場合、十分なリフローを起こすために
は、３０秒以上、好ましくは６０秒以上の熱処理を行な
うことが好ましい。

【００６８】また、高温リフロー工程の条件は、ＳＯＩ
層３の膜厚や絶縁層２の膜厚等を考慮し設定する必要が
ある。絶縁層（膜）２の厚さが薄ければリフローは起こ
りやすいが、厚い場合は形成が困難になる。また、ＳＯ
Ｉ層３の膜厚があまりにも薄い場合、リフローして支持
基板と接続するためのシリコンが不足する場合もある。
通常ＳＯＩ層が厚い段階でリフローすることが好まし
い。その点でも図２（ｈ）の段階で行なうのが良い。こ
のような段階で行なえば少なくともＳＯＩ層３の外周端
の一部が支持基板１と接触し導通部が形成され、帯電防
止手段４として働く。

【００６９】また、前記ＳＯＩ層の外周部が絶縁層の外
周部よりウエーハの外周方向に延出したいわゆるオーバ
ーハング形状とすべく、例えばＳＯＩ構造を形成した
後、ＨＦ（フッ酸）を含有する水溶液中に浸漬すること
により絶縁層（酸化膜）２の外周方向から内側にエッチ
ングし、ＳＯＩ層３の外周端が、隣接する絶縁層２の外
周端よりも外周方向にわずかに延出したいわゆるオーバ
ーハング部を形成する工程を付加し、その後リフローを
行なうなどしてもよい。この場合、絶縁層２が厚い場合
やＳＯＩ層３が薄くてもＳＯＩ層３の飛び出した部分が
リフローして支持基板１と接続しやすくなるので容易に
帯電防止手段４（導通部）を形成することができる。ま
たＳＯＩ層３の外周端全域に形成しやすく好ましい。

【００７０】また、帯電防止手段４はデバイスを形成す
る部分に影響しない場所に形成することが好ましく、特
にＳＯＩ層３の外周端の一部または全域に形成すること
が好ましい。帯電防止手段４はＳＯＩ層３の面内にも形
成することは可能であるが、デバイスの形成場所等を考
慮する必要があり、本案のようにＳＯＩ層３の外周端に
このような帯電防止手段４を設けることで、デバイスの
種類等を考慮することなく、種々のデバイスを製造する
原材料として用いる事ができ、その汎用性が向上する。
また、ＳＯＩ層３の外周端に帯電防止手段を形成するこ
とは比較的簡単に実施できコストダウンにもつながる。

【００７１】更に本発明に係るＳＯＩウエーハの製造方
法の別な実施形態について説明する。図３はエピタキシ
ャル成長を利用し、ＳＯＩ層３の外周端にＳＯＩ層３と
支持基板１を連結するためのシリコン単結晶（帯電防止
手段）を作製する例である。

【００７２】ＳＯＩ構造を形成する工程（図３（ａ）〜
図３（ｆ））は、図２で説明した工程と同様であるので
説明を省略する。本実施例ではＳＯＩ層３の表面を改質
するためアルゴンガス雰囲気中の熱処理（図３（ｇ））
を行なった後、エピタキシャル成長によりシリコン（エ
ピ層１８）を堆積させ、ＳＯＩ層３の外周端にＳＯＩ層
３と支持基板１を連結するためのシリコン単結晶（帯電
防止手段４）を形成した（図３（ｈ‘）。もちろん、こ
のとき形成する堆積層はエピタキシャル成長である場合
に限られず、多結晶を成長させてもよいし、アモルファ
スを成長させてもよい。要するにＣＶＤ法により気相か
ら堆積させることができるものならばよい。

【００７３】更にＳＯＩ層表面に堆積したシリコン（エ
ピ層１８）の除去やウエーハ表面の粗さ、平滑度及び厚
さを調整する為、ＣＭＰ研磨機を用いＳＯＩ層３を研磨
する（図３（ｉ））ことにより、ＳＯＩウエーハ５を得
る（図３（ｋ））ことができる。この場合、ＳＯＩウエ
ーハを酸化してＳＯＩ層に酸化膜を形成した後、支持基
板とＳＯＩ層の外周端部をわずかに露出させてからエピ
タキシャル成長、多結晶成長、あるいはアモルファス成
長を行ってもよい。酸化膜はシリコンよりも研磨速度が
遅いので、ＳＯＩ層に堆積したシリコン層の研磨による
除去時に酸化膜が研磨ストップ層となり、研磨量の面内
バラツキを小さくすることができる。研磨除去後には酸
化膜をフッ酸で除去すればよい。

【００７４】エピタキシャル成長、多結晶成長、あるい
はアモルファス成長工程の条件は、特に限定するもので
はないが、トリクロロシラン又はシラン及び水素ガス等
のシリコンソースガスを用いる化学気相堆積により、単
結晶シリコン膜（エピタキシャルシリコン）、多結晶シ
リコン膜、あるいはアモルファスシリコン膜を形成す
る。このシリコン膜は、所望の任意の厚さに形成するこ
とができ、任意の導電型及び所望抵抗率に形成すること
ができる。

【００７５】このようにすることで、任意の抵抗率をも
つシリコン、例えば支持基板やＳＯＩ層の抵抗率と同等
もしくはより低い抵抗率を有するシリコンを堆積するこ
とができＳＯＩ層と支持基板の連結部を導通しやすくす
ることができる。この場合、ＳＯＩ層と支持基板の連結
部の抵抗率は、必ずしも当該ＳＯＩ層あるいは支持基板
の抵抗率と同等もしくは低くなければならないわけでは
ない。絶縁層より抵抗率が低く、ＳＯＩ層に生じる静電
気を有効に支持基板に除去できるならば、ＳＯＩ層ある
いは支持基板より抵抗率が高くともよい。

【００７６】

【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００７７】（実施例１）図２に示す方法でＳＯＩウエ
ーハを製造した。まず、ＣＺ法で作製された直径２００
ｍｍ、ｐ型、方位〈１００〉、抵抗率１０Ω・cmの鏡面
研磨されたシリコンウエーハをベースウエーハ１０及び
ボンドウエーハ１１として用意した。

【００７８】ボンドウエーハ１１の表面に熱酸化により
膜厚１５０ｎｍの酸化膜１２を形成した。更に水素イオ
ンを注入し封入層１３を形成した。

【００７９】次にボンドウエーハ１１のイオン注入をし
た面とベースウエーハ１０とを室温で密着させた。

【００８０】次に、窒素雰囲気下で５００℃、３０分間
の剥離熱処理を加えて、ボンドウエーハ１１を剥離・薄
膜化し、厚さ約２５０ｎｍのＳＯＩ層３を得た。

【００８１】その後、窒素雰囲気下で１１００℃、２時
間の結合熱処理を加えてＳＯＩ層３を強固に結合し、Ｓ
ＯＩ構造を有するウエーハを作製した。

【００８２】次に、ＳＯＩ層の面粗さや歪みを除去する
ため、アルゴンガス雰囲気による熱処理を行なった。こ
れは縦型のヒーター加熱式熱処理装置（バッチ炉）を用
いアルゴンガス雰囲気下で１２００℃、１時間の熱処理
を行なっている。これによりイオン注入で生じたダメー
ジやＳＯＩ層表面の粗さがある程度改善される。

【００８３】次いで、本発明の帯電防止手段として、Ｓ
ＯＩ層の外周端にシリコンの導通部を形成する。これは
あらかじめ、５％（重量濃度）のフッ酸溶液で絶縁層
（酸化膜）の外周端をエッチング処理し、約１μｍのオ
ーバーハング部を形成し、水素雰囲気下で１２００℃、
６０秒の急速加熱急速冷却装置による水素アニールを行
ない、ＳＯＩ層３の外周端を支持基板１側に付着させ、
ＳＯＩ層３と支持基板１を導通させるためのシリコン層
（部）を形成した。

【００８４】次に更にＳＯＩ層の表面の品質を改善する
ため、ＣＭＰ研磨装置によりＳＯＩ層を研磨した。これ
は研磨代４０ｎｍ程度行なった。

【００８５】更にＳＯＩ層３を犠牲酸化し、ＳＯＩ層中
のシリコンを酸化し、約３６０ｎｍの酸化膜１４を形成
し、それをフッ酸により処理することで、最終的にＳＯ
Ｉ層３が約５０ｎｍ程度の薄膜ＳＯＩウエーハ５を製造
した。

【００８６】このようにして、図１に示すようなＳＯＩ
ウエーハのＳＯＩ層３の外周端が支持基板１と導通した
ＳＯＩウエーハ５が製造できた。

【００８７】本発明のＳＯＩウエーハ５を用い、デバイ
スの製造を行なった場合、静電気が起因すると思われる
不良の発生は低減し、歩留まりが向上した。

【００８８】（比較例１）高温リフロー工程を除いた以
外は実施例１と同様にＳＯＩウエーハを製造した。

【００８９】このような方法で製造したＳＯＩウエーハ
（帯電防止手段をもたないＳＯＩウエーハ）は図４に示
すようにＳＯＩ層３、絶縁層２及び支持基板１が完全に
分離された構造となったＳＯＩウエーハ１５となってお
り、このＳＯＩウエーハ１５を用いスピン乾燥等を行な
うとＳＯＩ層に静電気の帯電が観察された。このＳＯＩ
ウエーハ１５を用い、デバイスを製造すると実施例１の
ＳＯＩウエーハ５より５０％程度歩留まりが悪かった。

【００９０】（実施例２）図３に示す方法でＳＯＩウエ
ーハを製造した。まず、ＣＺ法で作製された直径２００
ｍｍ、ｐ型、方位〈１００〉、抵抗率１０Ω・cmの鏡面
研磨されたシリコンウエーハをベースウエーハ１０及び
ボンドウエーハ１１として用意した。

【００９１】ボンドウエーハ１１の表面に熱酸化により
膜厚１００ｎｍの酸化膜１２を形成した。更に水素イオ
ンを注入し封入層１３を形成した。

【００９２】次にボンドウエーハ１１のイオン注入をし
た面とベースウエーハ１０とを室温で密着させた。

【００９３】次に、窒素雰囲気下で５００℃、３０分間
の剥離熱処理を加えて、ボンドウエーハ１１を剥離・薄
膜化し、厚さ約２００ｎｍのＳＯＩ層３を得た。

【００９４】その後、窒素雰囲気下で１１００℃、２時
間の結合熱処理を加えてＳＯＩ層３を強固に結合し、Ｓ
ＯＩ構造を有するウエーハを作製した。

【００９５】次に、ＳＯＩ層の面粗さや歪みを除去する
ため、アルゴンガス雰囲気による熱処理を行なった。こ
れは縦型のヒーター加熱式熱処理装置（バッチ炉）を用
いアルゴンガス雰囲気下で１２００℃、1時間の熱処理
を行なっている。これによりイオン注入で生じたダメー
ジやＳＯＩ層表面の粗さが改善される。

【００９６】次いで、本発明の帯電防止手段として、Ｓ
ＯＩ層の外周端にシリコンの導通部を形成する。これに
はエピタキシャル成長を利用した。抵抗率がＳＯＩ層や
支持基板より低い０．１Ω・cmとなるように調整し支持
基板の外周部に単結晶シリコンが成長するようにした。
これにより絶縁層（酸化膜）の厚さ以上（本実施例では
約１５０ｎｍ）のシリコンを堆積することでＳＯＩ層３
の外周端と支持基板１側が接続されＳＯＩ層３と支持基
板１を導通させるためのシリコン層（部）が形成され
た。

【００９７】次にＳＯＩ層表面に堆積したエピタキシャ
ル層の除去及びＳＯＩ層の表面品質の改質、薄膜化のた
め、ＣＭＰ研磨装置によりＳＯＩ層を研磨した。これは
研磨代２００ｎｍ行ない、最終的にＳＯＩ層３が約１５
０ｎｍ程度のＳＯＩウエーハ５を製造した。

【００９８】このようにして、図１に示すようなＳＯＩ
ウエーハのＳＯＩ層３の外周端が支持基板１と導通した
ＳＯＩウエーハ５が製造できた。

【００９９】本案のＳＯＩウエーハ５を用い、デバイス
の製造を行なった場合、静電気が起因すると思われる不
良の発生は低減し、歩留まりが向上した。

【０１００】このように、帯電防止手段を形成する方法
として、ＳＯＩ構造を形成した後、エピタキシャル成長
を行ない、少なくともＳＯＩ層の外周端に支持基板と結
合するようにエピ層を形成し導通させるなどしても同様
な効果が得られる。

【０１０１】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【０１０２】例えば、上記実施形態で示した製造工程は
例示列挙したにとどまり、この他の洗浄、熱処理等種々
の工程が付加したものでもよく、また工程順の一部変
更、更にはＣＭＰ研磨などの工程の一部を省略した工程
など目的に応じ適宜工程は変更使用することができる。
つまりＳＯＩ構造を形成する工程やＳＯＩ層の表面を改
質、またはＳＯＩ層の厚さを制御する工程は特に限定さ
れない。例えばＳＩＭＯＸ法等、他の形態の製造方法に
よりＳＯＩウエーハを作製した場合でも適用できる。

【０１０３】また、ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ層
の一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を形
成する工程も、前記のものに限定されず、絶縁層にイオ
ン注入することにより、注入部を導通させるようにして
もよいし、ＳＯＩ層と支持基板の間に電圧を印加しつ
つ、ＳＯＩ層の表面からレーザ光を照射することによっ
て、照射部の絶縁層に絶縁破壊を生じさせることにより
形成することもできる。

【０１０４】

【発明の効果】以上説明したように、帯電防止手段を有
するＳＯＩウエーハを用い、デバイス製造を行なうこと
によりＳＯＩ層での、静電気の帯電がなくなり、静電気
によるデバイスの破壊等が防止でき、歩留まりの良いＳ
ＯＩウエーハを高い生産性で生産することができる。

【０１０５】また、本発明の製造方法によりＳＯＩウエ
ーハを製造することにより、ＳＯＩ層の外周部に導通部
（帯電防止手段）を有したＳＯＩウエーハを簡便に製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＳＯＩウエーハの一実施形態を示
す概略説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。

【図２】本発明に係るＳＯＩウエーハの製造方法の一実
施形態を示す流れ図である。

【図３】本発明に係るＳＯＩウエーハの製造方法の別な
実施形態を示す流れ図である。

【図４】従来のＳＯＩウエーハの形態を示す概略説明図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５】従来のＳＯＩウエーハの製造方法の一実施形態
を示す流れ図である。

【符号の説明】

１…支持基板、 ２…絶縁層、 ３…ＳＯＩ層、 ４…
帯電防止手段、５…ＳＯＩウエーハ、 １０…ベースウ
エーハ、 １１…ボンドウエーハ、１２…酸化膜、 １
３…微小気泡層（封入層）、 １４…犠牲酸化膜、１５
…ＳＯＩウエーハ、 １７…ダメージ、 １８…エピ
層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 勝岡 信生 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 奥村 勝弥 東京都新宿区若葉一丁目22番１号 Ｆターム(参考） 5F032 AA06 AA07 AA91 CA09 DA02 DA12 DA21 DA22 DA23 DA33 DA41 DA53 DA60 DA71 DA74

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、ＳＯＩ層、絶縁層、支持基
   板で形成されたＳＯＩウエーハであって、前記ＳＯＩ層
   の一部分に該ＳＯＩ層の帯電を防止する帯電防止手段を
   設けたことを特徴とするＳＯＩウエーハ。
2. 【請求項２】 前記帯電防止手段は、前記ＳＯＩ層の外
   周端に設けられていることを特徴とする請求項１に記載
   のＳＯＩウエーハ。
3. 【請求項３】 前記帯電防止手段が、前記ＳＯＩ層と前
   記支持基板とを前記ＳＯＩ層及び前記支持基板の抵抗率
   と同等又はそれ以下の抵抗率を有する物質を用い連結さ
   せ導通させた構造であることを特徴とする請求項１また
   は請求項２に記載のＳＯＩウエーハ。
4. 【請求項４】 少なくとも、ＳＯＩ層、絶縁層、支持基
   板で形成されたＳＯＩウエーハであって、前記ＳＯＩ層
   の少なくとも一部分に前記支持基板と接触する導通部を
   設けたことを特徴とするＳＯＩウエーハ。
5. 【請求項５】 前記導通部が、前記ＳＯＩ層の外周端全
   域に形成されていることを特徴とする請求項４記載のＳ
   ＯＩウエーハ。
6. 【請求項６】 前記導通部の材質が、シリコンであるこ
   とを特徴とする請求項４又は請求項５記載のＳＯＩウエ
   ーハ。
7. 【請求項７】 ＳＯＩウエーハの製造方法において、Ｓ
   ＯＩ層、絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ構造を形成す
   る工程の後に、少なくとも前記ＳＯＩ層の一部分と前記
   支持基板の間を導通させるための連結部を形成する工程
   を有することを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。
8. 【請求項８】 更に、前記ＳＯＩ層の表面の改質及び／
   または厚さを調整する工程を有することを特徴とする請
   求項７記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
9. 【請求項９】 前記ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ層
   の一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を形
   成する工程が、高温リフロー工程によりＳＯＩ層の外周
   端を連結するものであることを特徴とする請求項７又は
   請求項８に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ
    層の一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を
    形成する工程が、ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長、
    多結晶成長、アモルファス成長工程のいずれかによりＳ
    ＯＩ層の外周端を連結するものであることを特徴とする
    請求項７又は請求項８に記載のＳＯＩウエーハの製造方
    法。
11. 【請求項１１】 前記ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ
    層の一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を
    形成する工程が、前記絶縁層にイオン注入することによ
    り、注入部を導通させるものであることを特徴とする請
    求項７又は請求項８に記載のＳＯＩウエーハの製造方
    法。
12. 【請求項１２】 前記ＳＯＩ構造を形成した後、ＳＯＩ
    層の一部分と支持基板の間を導通させるための連結部を
    形成する工程が、ＳＯＩ層と支持基板の間に電圧を印加
    しつつ、ＳＯＩ層の表面からレーザ光を照射することに
    よって、照射部の絶縁層に絶縁破壊を生じさせることに
    より形成するものであることを特徴とする請求項７又は
    請求項８に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記ＳＯＩ層、絶縁層、支持基板から
    なるＳＯＩ構造を形成する工程が、ベースウエーハ及び
    ボンドウエーハを用意し、該ボンドウエーハの表面に熱
    酸化により酸化膜を形成する工程と、該酸化膜が形成さ
    れたボンドウエーハに対し水素イオンまたは希ガスイオ
    ンを注入して封入層を形成する工程と、該封入層が形成
    されたボンドウエーハを前記ベースウエーハと貼り付け
    る工程と、該封入層部でボンドウエーハを剥離する工程
    とを有することを特徴とする請求項７から請求項１２の
    いずれか１項に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
14. 【請求項１４】 前記ＳＯＩ層の表面の改質及び／また
    は厚さを調整する工程が、ＳＯＩ層の表面を改質するた
    めのアルゴンガス雰囲気による熱処理工程、ＣＭＰ装置
    によりＳＯＩ層の表面を研磨する研磨工程、ＳＯＩ層を
    犠牲酸化し薄膜化する工程のいずれか一以上の工程を有
    することを特徴とする請求項８から請求項１３のいずれ
    か１項に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
15. 【請求項１５】 前記請求項７ないし請求項１４のいず
    れか１項に記載のＳＯＩウエーハの製造方法により得ら
    れたＳＯＩウエーハに半導体回路を作製することを特徴
    とする半導体デバイスの製造方法。