JP2005340574A - 半導体基板および荷電粒子線露光方法 - Google Patents
半導体基板および荷電粒子線露光方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 本発明のSOI基板は、下地半導体基板と単結晶半導体層が電気的に導通しているため、これに荷電粒子線露光する際、表面に接地端子を備えた試料台に静電吸着法を用いて固定すると、接地端子を介して下地半導体基板とともに単結晶半導体層も接地することが可能となる。
【選択図】 図1
Description
しかし、静電吸着法で半導体基板を固定する場合、半導体基板自身が帯電するという現象により、帯電した電荷の作る電界によって入射荷電粒子線の軌道が曲げられ描画位置精度が大きく低下してしまう。このため、静電吸着法を用いる場合は、半導体基板の帯電を防ぐために何らかの方法で半導体基板を接地する必要がある。
図4は、単結晶シリコン基板と、これを固定する試料台を表す模式図である。
前記半導体基板の少なくとも一部の領域に、前記絶縁層が存在せず前記下地半導体基板と前記単結晶半導体基板とが電気的に導通する導通領域が設けられた半導体基板を提供する。
前記半導体基板の主面側である単結晶半導体層にレジストを塗布する工程と、
前記半導体基板の裏面側である前記下地半導体基板が試料台に接触するよう固定する工程とを備え、
前記半導体基板の少なくとも一部の領域に設けられた導通領域を介して、前記下地半導体基板と前記単結晶半導体層を接地しながら前記レジストに荷電粒子線を照射する荷電粒子線露光方法を提供する。
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体基板を表す模式図である。 図1において、(a)に半導体基板が試料台に接地された様子を表す断面図を、(b)に半導体基板の上面図を、それぞれ表す。
102、202、302、502 絶縁層
103、203、303、503 下地半導体基板
104、204、304、504 SOI基板
105、205、305、401、505 レジスト
106、206、306、403、506 試料台
107、207、307、308 導通領域
108、208、309、404、507 接地端子
402 単結晶シリコン基板
Claims (5)
- 下地半導体基板と、前記下地半導体基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成される単結晶半導体層より構成される3層の半導体基板であって、
前記半導体基板の少なくとも一部の領域に、前記絶縁層が存在せず前記下地半導体基板と前記単結晶半導体基板とが電気的に導通する導通領域が設けられたことを特徴とする半導体基板。 - 前記導通領域が前記半導体基板の外周部の一部に設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体基板。
- 前記導通領域が前記半導体基板の外周部全体に設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体基板。
- 前記導通領域が前記半導体基板の外周部全体および中心部に設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体基板。
- 下地半導体基板と、前記下地半導体基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成される単結晶半導体層より構成される3層の半導体基板に対する荷電粒子線露光方法であって、
前記半導体基板の主面側である単結晶半導体層にレジストを塗布する工程と、
前記半導体基板の裏面側である前記下地半導体基板が試料台に接触するよう固定する工程とを備え、
前記半導体基板の少なくとも一部の領域に設けられた導通領域を介して、前記下地半導体基板と前記単結晶半導体層を接地しながら前記レジストに荷電粒子線を照射することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
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JP2004158863A JP2005340574A (ja) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | 半導体基板および荷電粒子線露光方法 |
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPH03208330A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH1022377A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2003309253A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウエーハ及びsoiウエーハの製造方法 |
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2004
- 2004-05-28 JP JP2004158863A patent/JP2005340574A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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