JP2003303841A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 はんだボールの有無や位置ずれなどだけでな
く、はんだボールの過剰搭載も高精度に、かつ短時間で
検出する。 【解決手段】 はんだバンプが搭載された多数個取り基
板１７に、照明５により赤色光を照射し、その画像がカ
メラ４に取り込む。その後、プリント配線基板のレジス
ト面色が緑色の場合には照明６から補色となる赤色光を
照射し、レジスト面色が茶色の場合には照明６から補色
となる青色光を照射して、その画像をカメラ４で取り込
む。照明５を照射して取り込んだ画像は、バンプ用電極
だけが白く写り、その他は黒く写るので、この画像から
はんだバンプの有無、位置ずれを検査する。照明６を照
射して取り込んだ画像は、はんだバンプだけが白く写
り、その他は黒く写るので、この画像からはんだバンプ
の過剰搭載を検査する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、表面実装型の半導体装置に形成され
たはんだボールにおける外観検査に適用して有効な技術
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）などの表面実装型の半導体装置に外部端子とし
て形成された球状のはんだからなるはんだボールを検査
する外観検査装置の１つとして、バンプ検査装置が広く
知られている。

【０００３】このバンプ検査装置は、半導体装置に設け
られたプリント配線基板のはんだボール搭載面に対し
て、同軸落斜照明により赤色光を照射してカメラなどに
より白黒の２値画像を取り込み、はんだボールの有無、
および位置ずれなどを検査している。

【０００４】この場合、画像には、プリント配線基板の
ボール搭載面に形成された電極部が白く写り、該電極部
に搭載されたはんだボールは黒く写ることになる。そし
て、電極部の白く写った部分の面積を算出することによ
り、はんだボールの有無や位置ずれなどを判定する。

【０００５】たとえば、電極部にはんだボールが搭載さ
れていない場合には、該はんだボールが搭載されていな
い電極部全体が白く写ることになる。また、はんだボー
ルが電極部から位置ずれして搭載されている場合には、
電極のはんだボールがずれて搭載されている部分が白く
写ることになる。

【０００６】なお、この種の検査装置について詳しく述
べてある例としては、平成９年３月１日、日刊工業新聞
社発行、「表面実装技術」第７巻第３号、Ｐ２９〜Ｐ３
５があり、この文献には、ＣＳＰ／ＢＧＡはんだバンプ
検査技術について記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なバンプ検査装置によるはんだバンプの検査技術では、
次のような問題点があることが本発明者により見い出さ
れた。

【０００８】カメラから取り込んだ２値画像において
は、電極部以外の部分、すなわちはんだボールだけでな
くプリント配線基板のレジスト面なども黒く写るだけで
見え方が同じであるので、該電極部にダブルボールなど
のはんだボールの過剰搭載があっても識別することがで
きず、良品として判断されてしまうという問題がある。

【０００９】本発明の目的は、はんだボールの有無や位
置ずれなどだけでなく、はんだボールの過剰搭載も高精
度に、かつ短時間で検出することのできる半導体装置の
製造方法を提供することにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１２】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
は、複数のデバイス領域を有し、該デバイス領域に半導
体チップが搭載されるとともに、実装面に形成された電
極部に外部電極となるバンプが搭載され、表面が緑色系
の多数個取り基板を準備する工程と、多数個取り基板に
赤色光を上方角度から照射し、撮像手段により電極部の
画像を取り込む工程と、該撮像手段が上方角度から赤色
光を照射しながら取り込んだ画像から、バンプの有無、
およびバンプの位置ずれを検査する工程と、多数個取り
基板に赤色光を斜方角度から照射して撮像手段によって
電極部の画像を取り込む工程と、該撮像手段が赤色光を
斜方角度から照射しながら取り込んだ画像から、バンプ
の過剰搭載を検査する工程とを有するものである。

【００１３】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
複数のデバイス領域を有し、該デバイス領域に半導体チ
ップが搭載されるとともに、実装面に形成された電極部
に外部電極となるバンプが搭載され、表面が茶色系の多
数個取り基板を準備する工程と、該多数個取り基板に赤
色光を上方角度から照射し、撮像手段により電極部の画
像を取り込む工程と、該撮像手段が上方角度から赤色光
を照射しながら取り込んだ画像から、バンプの有無、お
よびバンプの位置ずれを検査する工程と、多数個取り基
板に青色光を斜方角度から照射して撮像手段によって電
極部の画像を取り込む工程と、該撮像手段が青色光を斜
方角度から照射しながら取り込んだ画像から、バンプの
過剰搭載を検査する工程とを有するものである。

【００１４】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、複数のデバイス領域を有し、該デバイス領域に半導
体チップが搭載され、実装面に形成された電極部に外部
電極となるバンプが搭載された多数個取り基板を準備す
る工程と、該多数個取り基板に赤色光を上方角度から照
射し、撮像手段により電極部の画像を取り込む工程と、
多数個取り基板の表面色が緑色系の際には赤色光を斜方
照明角度から照射し、多数個取り基板の表面色が茶色系
の際には青色光を斜方角度から照射し、撮像手段によっ
て前記電極部の画像を取り込む工程と、該撮像手段が取
り込んだ画像から、バンプを検査する工程とを有するも
のである。

【００１５】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
複数のデバイス領域を有し、該デバイス領域に半導体チ
ップが搭載され、実装面に形成された電極部に外部電極
となるバンプが搭載された多数個取り基板を準備する工
程と、該多数個取り基板に赤色光を上方角度から照射
し、撮像手段により電極部の画像を取り込む工程と、該
撮像手段が上方角度から赤色光を照射しながら取り込ん
だ画像から、バンプの有無、およびバンプの位置ずれを
検査する工程と、多数個取り基板の表面色が緑色系の際
には赤色光を斜方照明角度から照射し、多数個取り基板
の表面色が茶色系の際には青色光を斜方角度から照射し
て撮像手段によって電極部の画像を取り込む工程と、該
撮像手段が赤色光、あるいは青色光のいずれかを斜方角
度から照射しながら取り込んだ画像から、バンプの過剰
搭載を検査する工程とを有するものである。

【００１６】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、複数のデバイス領域を有し、該デバイス領域に半導
体チップが搭載され、実装面に形成された電極部に外部
電極となるバンプが搭載された多数個取り基板を準備す
る工程と、該多数個取り基板に赤色光を上方角度から照
射し、撮像手段により前記電極部の画像を取り込む工程
と、該記撮像手段が上方角度から赤色光を照射しながら
取り込んだ画像から、電極部の面積を算出し、その算出
結果に基づいてバンプの有無、およびバンプの位置ずれ
を検査する工程と、多数個取り基板の表面色が緑色系の
際には赤色光を斜方照明角度から照射し、多数個取り基
板の表面色が茶色系の際には青色光を斜方角度から照射
して撮像手段によって電極部の画像を取り込む工程と、
該撮像手段が赤色光、あるいは青色光のいずれかを斜方
角度から照射しながら取り込んだ画像から、バンプの面
積を算出し、その算出結果に基づいてバンプの過剰搭載
を検査する工程とを有するものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１８】図１は、本発明の一実施の形態によるバン
プ検査装置の構成を示す説明図、図２は、本発明の一実
施の形態による半導体装置の上面図、図３は、図２の半
導体装置の側面図、図４は、図２の半導体装置の底面
図、図５は、図２の半導体装置における製造フローチャ
ート、図６は、図１のバンプ検査装置による検査フロー
チャート、図７は、図１のバンプ検査装置が画像処理し
たバンプ用電極、およびはんだバンプの一例を示した説
明図、図８は、図１のバンプ検査装置が画像処理したバ
ンプ用電極、およびはんだバンプの他の例を示した説明
図である。

【００１９】本実施の形態において、バンプ検査装置１
は、ＣＳＰなどの表面実装型半導体装置の外部端子とし
て形成されたバンプを検査する装置である。

【００２０】バンプ検査装置１には、図１に示すよう
に、検査対象である半導体装置に用いられる多数個取り
基板１７（プリント配線基板）を搭載するステージ２が
設けられている。ステージ２の上方には、ハーフミラー
３が設けられている。

【００２１】このハーフミラー３の上方には、カメラ
（撮像手段）４が設けられている。また、ハーフミラー
３の側方には、赤色光を照射する照明５が設けられてお
り、ステージ２の斜め上方には、青色光、ならびに赤色
光をそれぞれ照射する照明６が設けられている。これら
照明５，６としては、たとえばＬＥＤが用いられてい
る。

【００２２】照明５の光は、ハーフミラー３によって反
射し、ステージ２の搭載面に対して垂直に照射（垂直落
斜照明）される。ここで、照明５は、上方角度（たとえ
ば、ステージ２の搭載面に対して約９０°程度〜約６０
°程度）からの照射であれば、ステージ２の搭載面に対
して垂直以外でもよい。

【００２３】また、照明６の光は、ステージ２の搭載面
に対して、約３０°程度の角度から照射（斜方照明）さ
れる位置に照明６が取り付けられている。この場合も、
照明６は、斜方角度（たとえば、ステージ２の搭載面に
対して約３０°程度〜約６０°程度）からの照射であれ
ば、約３０°程度の角度以外であってもよい。

【００２４】カメラ４には、Ｘ軸ロボット、ならびにＹ
軸ロボットが設けられている。Ｘ軸ロボットは、カメラ
４をＸ（横）方向に移動させる機構であり、Ｙ軸ロボッ
トは、該カメラ４をＹ（横）方向に移動させる機構であ
り、後述する全体制御部８により制御されている。

【００２５】カメラ４には、画像処理部７が接続されて
おり、該カメラ４に取り込まれた画像が処理される。画
像処理部７、およびカメラ４のＸ軸ロボット、Ｙ軸ロボ
ットには、全体制御部８が接続されている。この全体制
御部８は、たとえば、パーソナルコンピュータなどから
なり、バンプ検査装置１のすべての制御を司る。

【００２６】画像処理部７、ならびに全体制御部８に
は、モニタ９，１０がそれぞれ接続されている。モニタ
９は画像処理部７が画像処理した映像を表示し、モニタ
１０は全体処理部８による検査結果などが表示される。

【００２７】ここで、バンプ検査装置１に検査される半
導体装置１１について説明する。

【００２８】半導体装置１１は、図２〜図４に示すよう
に、プリント配線基板１２に２つの半導体チップ１３，
１４が搭載された、いわゆるマルチチップモジュールか
らなる。

【００２９】このプリント配線基板１２には、たとえ
ば、ガラスクロス基材やエポキシ樹脂材などからなり、
チップ搭載面には、基板電極、ならびに配線パターンが
形成されている。これら基板電極は、半導体チップ１
３，１４に形成されたボンディング電極と、金（Ａｕ）
などからなる金属バンプなどを介して接続されるように
設けられている。

【００３０】各々の基板電極は、任意の配線パターンに
それぞれ接続されている。基板電極を除くプリント配線
基板１２のチップ搭載面には、絶縁層であるソルダレジ
ストが形成されている。

【００３１】また、半導体チップ１３，１４とプリント
配線基板１２のチップ搭載面との隙間には、絶縁を目的
としたエポキシ樹脂などからなるアンダーフィル１５が
充填されている。

【００３２】また、プリント配線基板１２の実装面に
は、アレイ状に等間隔で配置されたバンプ用電極が形成
されている。バンプ用電極を除くプリント配線基板１２
の実装面においても、絶縁層であるソルダレジストが形
成されている。

【００３３】バンプ用電極は、スルーホールを介して配
線パターンにそれぞれ接続されている。これらバンプ用
電極には、球形のはんだからなるはんだバンプ（バン
プ）１６がそれぞれ形成されている。

【００３４】次に、半導体装置１１における製造工程
を、図５のフローチャートを用いて説明する。

【００３５】まず、多数個取り基板１７、および該多数
個取り基板１７に搭載される半導体チップ１３，１４を
それぞれ準備する。この多数個取り基板１７は、複数の
マトリクス配置されたデバイス領域が連なった構成とな
っており、該デバイス領域がダイシングラインに沿って
ダイシングされるとプリント配線基板１２となる。

【００３６】また、各々のプリント配線基板１２には、
基板電極、配線パターン、およびバンプ用電極が既に形
成されており、半導体チップ１３，１４においては、ボ
ンディング電極に金属バンプが形成されている。

【００３７】そして、プリント配線基板１２のチップ搭
載位置に半導体チップ１３，１４をそれぞれ搭載し（ス
テップＳ１０１）、金属バンプを介して該半導体チップ
１３，１４のボンディング電極とプリント配線基板１２
の基板電極とを接続する。

【００３８】その後、プリント配線基板１２のバンプ用
電極には、はんだバンプ１６がそれぞれ搭載され（ステ
ップＳ１０２）、はんだバンプ１６の外観検査が行われ
る（ステップＳ１０３）。

【００３９】外観検査後、搭載されたはんだバンプ１６
は、リフローによって溶融してバンプ用電極に接続され
（ステップＳ１０４）、該はんだバンプ１６が形成され
る。

【００４０】リフローされた多数個取り基板１７は洗浄
された後（ステップＳ１０５）、アンダーフィル１５が
塗布され（ステップＳ１０６）、半導体チップ１３，１
４とプリント配線基板１２のチップ搭載面との隙間に充
填される。

【００４１】半導体チップ１３，１４の表面には、製品
名や製造番号などのマーキング施された後、（ステップ
Ｓ１０６）ダイシングによって多数個取り基板１７を分
割して個片化することによって（ステップＳ１０７）、
図２に示す半導体装置１１となる。

【００４２】また、ステップＳ１０３の処理におけるは
んだバンプ１６の外観検査工程について、図６のフロー
チャートを用いて説明する。

【００４３】まず、はんだバンプ１６が搭載された多数
個取り基板１７がステージ２に搭載されると、全体制御
部８の制御に基づいてカメラ４が検査位置に移動する
（ステップＳ２０１）。

【００４４】カメラ４の移動が完了すると（ステップＳ
２０２）、照明５により同軸落斜照明にて赤色光が照射
され、その画像がカメラ４により取り込まれる（ステッ
プＳ２０３）。その後、照明６により斜方照明にて赤色
光または青色光が照射され、その画像がカメラ４により
取り込まれる（ステップＳ２０４）。

【００４５】このステップＳ２０４の処理において、た
とえば、プリント配線基板２のレジスト面色が緑色の場
合には照明６から補色となる赤色光を照射する。また、
プリント配線基板２のレジスト面色が茶色の場合には照
明６から同じく補色となる青色光を照射する。

【００４６】これによって、プリント配線基板２のレジ
スト面色が緑色／茶色のいずれの場合でも、はんだバン
プ１６だけを白く写すことができる。

【００４７】多数個取り基板１７におけるすべての検査
領域の画像取り込みが終了したか否かを判断し（ステッ
プＳ２０５）、終了していない場合には、カメラ４を次
の検査位置に移動させる（ステップＳ２０６）。

【００４８】また、画像処理部７は、カメラ４が取り込
んだ画像を画像処理し、その処理画像をモニタ９に表示
する。全体制御部８は、処理画像からはんだバンプ１６
の検査を行う（ステップＳ２０７）。

【００４９】このステップＳ２０７の処理においては、
ステップＳ２０３の処理により取り込んだ画像からはん
だバンプ１６の有無、および位置ずれの検査を行う。図
７（ａ）〜（ｃ）は、ステップＳ２０３の処理により取
り込んだ画像における画像処理の一例を示した説明図で
ある。

【００５０】図７（ａ）は、はんだバンプ１６がプリン
ト配線基板１２のバンプ用電極（電極部）ＢＤが正常に
搭載されている場合の画像である。はんだバンプ１６
は、同軸落斜照明により照射された光を散乱させるの
で、該はんだバンプ１６の頂点のみが白く写り、その他
の部分は黒く写ることになる。

【００５１】一方、プリント配線基板１２のバンプ用電
極ＢＤにはんだバンプ１６が搭載されていない場合に
は、図７（ｂ）に示すように、該バンプ用電極ＢＤ全面
が照明５の光によって白く写ることになる。

【００５２】また、はんだバンプ１６がプリント配線基
板１２のバンプ用電極ＢＤからある程度ずれて搭載され
ている場合には、図７（ｃ）に示すように、はんだバン
プ１６がずれている該バンプ用電極ＢＤの領域が白く写
ることになる。

【００５３】全体制御部８は、白く写る領域の面積（画
素数）を算出し、算出した面積があるしきい値以上であ
る場合、ボールなし、あるいは位置ずれと判断する。

【００５４】さらに、図８（ａ）、（ｂ）は、ステップ
Ｓ２０４の処理により取り込んだ画像における画像処理
の一例を示した説明図である。

【００５５】図８（ａ）は、はんだバンプ１６がプリン
ト配線基板１２のバンプ用電極ＢＤに正常に搭載されて
いる場合の画像である。はんだバンプ１６は、照明６の
斜方照明により、光が乱反射することによって、該はん
だバンプ１６が白く写り、その頂点部分だけが黒く写る
ことになる。

【００５６】一方、プリント配線基板１２のバンプ用電
極ＢＤに、はんだバンプ１６が２つ（またはそれ以上）
搭載さている場合には、図８（ｂ）に示すように、過剰
搭載された２つのはんだバンプ１６が光によって白く写
ることになり、白く写る面積が正常な画像よりも大きく
なる。

【００５７】この場合も、全体制御部８は、白く写る領
域の面積（画素数）を算出し、算出した面積があるしき
い値以上であるときに、はんだバンプ１６の過剰搭載と
と判断する。

【００５８】そして、ステップＳ２０２〜Ｓ２０７の処
理を、多数個取り基板１７におけるすべてはんだバンプ
１６の画像取り込みが終了するまで繰り返し実行する。
取り込まれた画像が最終の画像である場合には、ステッ
プＳ２０７と同様にその画像によるはんだバンプ１６の
検査を行い（ステップＳ２０８）、それら検査結果をモ
ニタ１０に出力する（ステップＳ２０９）。

【００５９】それにより、本実施の形態によれば、バン
プ検査装置１に、斜方照明による照明６を設けたことに
より、半導体装置１１におけるはんだバンプ１６の有
無、および位置ずれだけでなく、該はんだバンプ１６の
過剰搭載も検査することができるので、検査効率を大幅
に向上することができる。

【００６０】また、本実施の形態における検査装置１
は、半導体装置１１におけるはんだバンプ１６の検査だ
けでなく、たとえば、該半導体装置１１などの半導体部
品を実装する実装配線基板の電極部に印刷されるはんだ
を検査するはんだ印刷検査装置として用いることもでき
る。

【００６１】この場合、照明５によって実装配線基板に
赤色光を照射し、はんだの印刷状態を検査する。検査
は、はんだなし、はんだかすれ、はんだの不足、および
位置ずれなどである。

【００６２】実装配線基板の電極部に、正常にはんだ印
刷がされている場合、図９（ａ）に示すように、はんだ
Ｈ、およびその他のレジスト面も黒く写ることになる。
また、図９（ｂ）〜（ｄ）に示すように、はんだなし、
かすれ、不足、ならびに位置ずれなどが生じている場合
には、実装配線基板の電極部Ｄが白く写ることになる。

【００６３】これら白く写った領域の面積を求め、その
面積としきい値とを比較することによって、図９（ｂ）
〜（ｄ）に示すはんだ印刷不良を検査することができ
る。

【００６４】ここで、照明５による赤色光では、はんだ
Ｈそれ自体も黒く写ってしまうために、はんだＨが実装
配線基板の電極部Ｄから大きくはみ出して印刷された状
態、いわゆるはんだにじみが検査できない。

【００６５】そこで、前述したはんだなし、かすれ、不
足、ならびに位置ずれなどを検査した後、照明６よって
青色光を照射することにより、はんだにじみの検査を行
うことができる。

【００６６】実装配線基板のある電極部Ｄにはんだにじ
みがある場合、図１０に示すように、照明６の青色光に
よって印刷されたはんだＨ部分だけが乱反射して白く写
ることになるので、この白く写った領域の面積を求めて
しきい値と比較することにより、はんだにじみの良否を
判断する。

【００６７】それにより、短時間で、高精度に、実装配
線基板などにおけるはんだ印刷の検査を行うことがで
き、該実装配線基板の信頼性を向上することができる。

【００６８】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００６９】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００７０】（１）多数個取り基板の上方角度、ならび
に斜方角度から照明を照射することにより、バンプの有
無、位置ずれだけでなく、該バンプの過剰搭載を検査す
ることができる。

【００７１】（２）また、多数個取り基板の表面色に応
じて斜方角度から照射する照明色を切り換えるので、表
面色が緑色系、茶系のいずれの多数個取り基板であって
も高精度にバンプを検査することができる。

【００７２】（３）さらに、上記（１）、（２）によ
り、バンプ検査を効率よく行うことができ、半導体装置
の製造効率を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態によるバンプ検査装置の
構成を示す説明図である。

【図２】本発明の一実施の形態による半導体装置の上面
図である。

【図３】図２の半導体装置の側面図である。

【図４】図２の半導体装置の底面図である。

【図５】図２の半導体装置における製造フローチャート
である。

【図６】図１のバンプ検査装置による検査フローチャー
トである。

【図７】図１のバンプ検査装置が画像処理したバンプ用
電極、およびはんだバンプの一例を示した説明図であ
る。

【図８】図１のバンプ検査装置が画像処理したバンプ用
電極、およびはんだバンプの他の例を示した説明図であ
る。

【図９】本発明の他の実施の形態によるはんだ印刷検査
装置が画像処理したはんだ印刷状態の一例を示す説明図
である。

【図１０】本発明の他の実施の形態によるはんだ印刷検
査装置が画像処理したはんだ印刷状態の他の例を示す説
明図である。

【符号の説明】

１ バンプ検査装置 ２ ステージ ３ ハーフミラー ４ カメラ（撮像手段） ５ 照明 ６ 照明 ７ 画像処理部 ８ 全体制御部 ９，１０ モニタ １１ 半導体装置 １２ プリント配線基板 １３，１４ 半導体チップ １５ アンダーフィル １６ はんだバンプ（バンプ） １７ 多数個取り基板（プリント配線基板） ＢＤ バンプ用電極（電極部） Ｄ 電極部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永井 正道 群馬県高崎市西横手町１番地１ 日立東部 セミコンダクタ株式会社内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 AC01 BB04 CC33 CD53 GG15

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のデバイス領域を有し、前記デバイ
   ス領域に半導体チップが搭載されるとともに、実装面に
   形成された電極部に外部電極となるバンプが搭載され、
   表面が緑色系の多数個取り基板を準備する工程と、 前記多数個取り基板に赤色光を上方角度から照射し、撮
   像手段により前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記撮像手段が上方角度から赤色光を照射しながら取り
   込んだ画像から、前記バンプの有無、および前記バンプ
   の位置ずれを検査する工程と、 前記多数個取り基板に赤色光を斜方角度から照射して前
   記撮像手段によって前記電極部の画像を取り込む工程
   と、 前記撮像手段が赤色光を斜方角度から照射しながら取り
   込んだ画像から、前記バンプの過剰搭載を検査する工程
   とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 複数のデバイス領域を有し、前記デバイ
   ス領域に半導体チップが搭載されるとともに、実装面に
   形成された電極部に外部電極となるバンプが搭載され、
   表面が茶色系の多数個取り基板を準備する工程と、 前記多数個取り基板に赤色光を上方角度から照射し、撮
   像手段により前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記撮像手段が上方角度から赤色光を照射しながら取り
   込んだ画像から、前記バンプの有無、および前記バンプ
   の位置ずれを検査する工程と、 前記多数個取り基板に青色光を斜方角度から照射して前
   記撮像手段によって前記電極部の画像を取り込む工程
   と、 前記撮像手段が青色光を斜方角度から照射しながら取り
   込んだ画像から、前記バンプの過剰搭載を検査する工程
   とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 複数のデバイス領域を有し、前記デバイ
   ス領域に半導体チップが搭載され、実装面に形成された
   電極部に外部電極となるバンプが搭載された多数個取り
   基板を準備する工程と、 前記多数個取り基板に赤色光を上方角度から照射し、撮
   像手段により前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記多数個取り基板の表面色が緑色系の際には赤色光を
   斜方照明角度から照射し、前記多数個取り基板の表面色
   が茶色系の際には青色光を斜方角度から照射し、前記撮
   像手段によって前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記撮像手段が取り込んだ画像から、前記バンプを検査
   する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
4. 【請求項４】 複数のデバイス領域を有し、前記デバイ
   ス領域に半導体チップが搭載され、実装面に形成された
   電極部に外部電極となるバンプが搭載された多数個取り
   基板を準備する工程と、 前記多数個取り基板に赤色光を上方角度から照射し、前
   記撮像手段により前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記撮像手段が上方角度から赤色光を照射しながら取り
   込んだ画像から、前記バンプの有無、および前記バンプ
   の位置ずれを検査する工程と、 前記多数個取り基板の表面色が緑色系の際には赤色光を
   斜方照明角度から照射し、前記多数個取り基板の表面色
   が茶色系の際には青色光を斜方角度から照射して前記撮
   像手段によって前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記撮像手段が赤色光、あるいは青色光のいずれかを斜
   方角度から照射しながら取り込んだ画像から、前記バン
   プの過剰搭載を検査する工程とを有することを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 複数のデバイス領域を有し、前記デバイ
   ス領域に半導体チップが搭載され、実装面に形成された
   電極部に外部電極となるバンプが搭載された多数個取り
   基板を準備する工程と、 前記多数個取り基板に赤色光を上方角度から照射し、前
   記撮像手段により前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記撮像手段が上方角度から赤色光を照射しながら取り
   込んだ画像から、前記電極部の面積を算出し、その算出
   結果に基づいて前記バンプの有無、および前記バンプの
   位置ずれを検査する工程と、 前記多数個取り基板の表面色が緑色系の際には赤色光を
   斜方照明角度から照射し、前記多数個取り基板の表面色
   が茶色系の際には青色光を斜方角度から照射して前記撮
   像手段によって前記電極部の画像を取り込む工程と、 前記撮像手段が赤色光、あるいは青色光のいずれかを斜
   方角度から照射しながら取り込んだ画像から、前記バン
   プの面積を算出し、その算出結果に基づいて前記バンプ
   の過剰搭載を検査する工程とを有することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。