JP2003298169A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バッチ処理による生産を可能にすることで生
産性の高い、かつ高品質な光半導体装置とその製造方法
を提供する。 【解決手段】 導電材料からなるフランジ１０２と、フ
ランジ１０２と一体的に設けられた絶縁性ベース１１０
と、フランジ１０２と一体に設けられて光半導体素子
（レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２，フォトダイオード
ＰＤ）を搭載したアイランド１０３と、絶縁性ベースに
支持されて光半導体素子ＬＤ１，ＬＤ２ＰＤに電気接続
されたリード１０５ａ〜１０５ｃとを備え、アイランド
１０３とリード１０４，１０５ａ〜１０５ｃはフランジ
１０２と同一材料で形成され、かつアイランド１０３及
びリード１０５ａ〜１０５ｃはフランジ１０２に対して
ほぼ９０度の角度に曲げ形成されている。
産性の高い、かつ高品質な光半導体装置とその製造方法
を提供する。 【解決手段】 導電材料からなるフランジ１０２と、フ
ランジ１０２と一体的に設けられた絶縁性ベース１１０
と、フランジ１０２と一体に設けられて光半導体素子
（レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２，フォトダイオード
ＰＤ）を搭載したアイランド１０３と、絶縁性ベースに
支持されて光半導体素子ＬＤ１，ＬＤ２ＰＤに電気接続
されたリード１０５ａ〜１０５ｃとを備え、アイランド
１０３とリード１０４，１０５ａ〜１０５ｃはフランジ
１０２と同一材料で形成され、かつアイランド１０３及
びリード１０５ａ〜１０５ｃはフランジ１０２に対して
ほぼ９０度の角度に曲げ形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子をパッ
ケージングした光半導体装置に関し、特に組立工程を簡
略化して生産性を高めた光半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
ケージングした光半導体装置に関し、特に組立工程を簡
略化して生産性を高めた光半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置の代表的なものとしての半
導体レーザ装置は、通常パッケージングしたレーザダイ
オードに対してリードを通して電流を供給してレーザ光
を発光させ、パッケージの外部に向けて出射する構成で
ある。このような半導体レーザ装置の汎用型の構成の一
例を図２１に示す。金属材を加工して上面にポスト２０
２を一体に立設したステム２０１を形成し、かつステム
２０１には絶縁材２０３を用いて複数本のリード２０４
を貫通支持させている。そして、ダイボンディング工程
によりポスト２０２にレーザダイオードＬＤをマウント
し、またこれに相対するステム２０１の上面にフォトダ
イオードＰＤをマウントする。次いで、ワイヤボンディ
ング工程によりレーザダイオードＬＤ及びフォトダイオ
ードＰＤを金属細線２０５を用いてステム２０１及びリ
ード２０４に電気接続する。その上で、仮想線で示すよ
うに、前記ステム２０１の上面を覆うように開口窓を有
する円筒状をしたキャップ２０６を被せ、その周縁部を
ステムに融着して半導体レーザ装置を組み立てている。
導体レーザ装置は、通常パッケージングしたレーザダイ
オードに対してリードを通して電流を供給してレーザ光
を発光させ、パッケージの外部に向けて出射する構成で
ある。このような半導体レーザ装置の汎用型の構成の一
例を図２１に示す。金属材を加工して上面にポスト２０
２を一体に立設したステム２０１を形成し、かつステム
２０１には絶縁材２０３を用いて複数本のリード２０４
を貫通支持させている。そして、ダイボンディング工程
によりポスト２０２にレーザダイオードＬＤをマウント
し、またこれに相対するステム２０１の上面にフォトダ
イオードＰＤをマウントする。次いで、ワイヤボンディ
ング工程によりレーザダイオードＬＤ及びフォトダイオ
ードＰＤを金属細線２０５を用いてステム２０１及びリ
ード２０４に電気接続する。その上で、仮想線で示すよ
うに、前記ステム２０１の上面を覆うように開口窓を有
する円筒状をしたキャップ２０６を被せ、その周縁部を
ステムに融着して半導体レーザ装置を組み立てている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体レー
ザ装置では、ステムを金属材の切削加工、あるいは各部
分を溶接加工し、さらにはリードをガラス等によって絶
縁支持して形成しているため、ステム自体の製造工程が
多く、また、複数の半導体レーザ装置を一括して加工、
組立することが困難で、コスト低減及び寸法精度を向上
する上での障害になっている。また、個別部品として形
成したステムに対してレーザダイオードやフォトダイオ
ードをマウントする工程が必要であるため、ステムの取
り扱い、特にダイボンディング工程、ワイヤボンディン
グ工程、キャップ溶着工程の各工程装置に対してステム
をロード、アンロードし、さらに各工程装置においてス
テムを位置決めする等の処理が必要となり、そのために
生産性が低く、コスト低減が一層困難なものとなる。ま
た、ステムの位置決め精度が低いとダイボンディングや
ワイヤボンディング精度も低くなり、高品質の半導体レ
ーザ装置を得ることが困難になる。
ザ装置では、ステムを金属材の切削加工、あるいは各部
分を溶接加工し、さらにはリードをガラス等によって絶
縁支持して形成しているため、ステム自体の製造工程が
多く、また、複数の半導体レーザ装置を一括して加工、
組立することが困難で、コスト低減及び寸法精度を向上
する上での障害になっている。また、個別部品として形
成したステムに対してレーザダイオードやフォトダイオ
ードをマウントする工程が必要であるため、ステムの取
り扱い、特にダイボンディング工程、ワイヤボンディン
グ工程、キャップ溶着工程の各工程装置に対してステム
をロード、アンロードし、さらに各工程装置においてス
テムを位置決めする等の処理が必要となり、そのために
生産性が低く、コスト低減が一層困難なものとなる。ま
た、ステムの位置決め精度が低いとダイボンディングや
ワイヤボンディング精度も低くなり、高品質の半導体レ
ーザ装置を得ることが困難になる。
【０００４】このような問題に対し、特開２００１−７
７２６２公報では、図２２に示すように、ステムの製造
工程を簡略化した技術（以下、第１の公知技術と称す
る）が提案されている。この第１の公知技術では金属板
をプレス加工してステム３０１の外郭となる円筒部３０
２及びフランジ部３０３と、円筒部３０２の上縁部の一
部に設けた切片を曲げ起こしたマウント部３０４とを一
体に形成し、この円筒部３０２内に樹脂等の絶縁材３０
５を充填してステム３０１を形成するとともに、この絶
縁材３０５によってリード３０６を貫通状態に支持させ
る。そして、前記マウント部３０４にサブマウント３０
７を取着し、さらにその上にレーザダイオードＬＤとフ
ォトダイオードＰＤをマウントし、これらレーザダイオ
ードＬＤとフォトダイオードＰＤを金属細線３０８によ
ってリード３０６にワイヤボンディングしたものであ
る。この第１の公知技術によれば、ステムの製造が容易
になるとともに寸法精度を向上する上で図２１に示した
技術に比較して有利である。しかしながら、レーザダイ
オードのダイボンディング工程やワイヤボンディング工
程、さらにキャップ溶着工程については図２１の技術と
同様に個別部品に対する処理であるため、生産性やコス
ト低減の問題を改善するまでには至っていない。
７２６２公報では、図２２に示すように、ステムの製造
工程を簡略化した技術（以下、第１の公知技術と称す
る）が提案されている。この第１の公知技術では金属板
をプレス加工してステム３０１の外郭となる円筒部３０
２及びフランジ部３０３と、円筒部３０２の上縁部の一
部に設けた切片を曲げ起こしたマウント部３０４とを一
体に形成し、この円筒部３０２内に樹脂等の絶縁材３０
５を充填してステム３０１を形成するとともに、この絶
縁材３０５によってリード３０６を貫通状態に支持させ
る。そして、前記マウント部３０４にサブマウント３０
７を取着し、さらにその上にレーザダイオードＬＤとフ
ォトダイオードＰＤをマウントし、これらレーザダイオ
ードＬＤとフォトダイオードＰＤを金属細線３０８によ
ってリード３０６にワイヤボンディングしたものであ
る。この第１の公知技術によれば、ステムの製造が容易
になるとともに寸法精度を向上する上で図２１に示した
技術に比較して有利である。しかしながら、レーザダイ
オードのダイボンディング工程やワイヤボンディング工
程、さらにキャップ溶着工程については図２１の技術と
同様に個別部品に対する処理であるため、生産性やコス
ト低減の問題を改善するまでには至っていない。
【０００５】また、特開２００１−６８７７８公報には
リードフレームを利用した技術（以下、第２の公知技術
と称する）が提案されている。この第２の公知技術で
は、一部の工程については明確ではないが、図２３に示
すように、図には表れないリードフレームで構成される
リード３０１に対して、これらを包含する状態で樹脂等
により薄い箱型のパッケージ３０２を形成した上で、当
該パッケージ３０２内に露呈されているリード３０１の
一部にフォトダイオードＰＤを形成したサブマウント３
０３を設けてレーザダイオードＬＤを搭載し、当該レー
ザダイオードＬＤやフォトダイオードＰＤとリード３０
１の他のリードとを柔軟な配線３０４によって電気接続
した構成である。この第２の公知技術では、リードフレ
ームは金属板材をプレス加工等によって形成することが
可能であるため製造が容易になるとともに寸法精度を向
上する上で有利ではあるが、この場合にはパッケージの
形状は第２の公知技術に記載のようなフラット型のパッ
ケージに限られることになり、図２０や図２１に示した
半導体レーザ装置や第１の公知技術のようないわゆるキ
ャン型の半導体レーザ装置を形成することは困難にな
る。そのため、キャン型に比較して放熱性が低くなり品
質上の問題が生じるとともに、既存のキャン型の半導体
レーザ装置を用いる光学機器への適用が難しく、光学機
器側での設計変更が必要になる等の新たな問題が生じる
ことになる。
リードフレームを利用した技術（以下、第２の公知技術
と称する）が提案されている。この第２の公知技術で
は、一部の工程については明確ではないが、図２３に示
すように、図には表れないリードフレームで構成される
リード３０１に対して、これらを包含する状態で樹脂等
により薄い箱型のパッケージ３０２を形成した上で、当
該パッケージ３０２内に露呈されているリード３０１の
一部にフォトダイオードＰＤを形成したサブマウント３
０３を設けてレーザダイオードＬＤを搭載し、当該レー
ザダイオードＬＤやフォトダイオードＰＤとリード３０
１の他のリードとを柔軟な配線３０４によって電気接続
した構成である。この第２の公知技術では、リードフレ
ームは金属板材をプレス加工等によって形成することが
可能であるため製造が容易になるとともに寸法精度を向
上する上で有利ではあるが、この場合にはパッケージの
形状は第２の公知技術に記載のようなフラット型のパッ
ケージに限られることになり、図２０や図２１に示した
半導体レーザ装置や第１の公知技術のようないわゆるキ
ャン型の半導体レーザ装置を形成することは困難にな
る。そのため、キャン型に比較して放熱性が低くなり品
質上の問題が生じるとともに、既存のキャン型の半導体
レーザ装置を用いる光学機器への適用が難しく、光学機
器側での設計変更が必要になる等の新たな問題が生じる
ことになる。
【０００６】本発明の目的は、以上のような問題を解消
し、生産性の高い、かつ高品質な半導体レーザ装置等で
代表される光半導体装置とその製造方法を提供するもの
である。
し、生産性の高い、かつ高品質な半導体レーザ装置等で
代表される光半導体装置とその製造方法を提供するもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、導電材料からなるフランジと、前記フランジと一体
的に設けられた絶縁性ベースと、前記フランジと一体に
設けられて光半導体素子を搭載したアイランドと、前記
絶縁性ベースに支持されて前記光半導体素子に電気接続
されたリードとを備える光半導体装置であって、前記ア
イランドと前記リードは前記フランジと同一材料で形成
され、かつ少なくとも前記リードは前記フランジに対し
て曲げ形成されていることを特徴とする。
は、導電材料からなるフランジと、前記フランジと一体
的に設けられた絶縁性ベースと、前記フランジと一体に
設けられて光半導体素子を搭載したアイランドと、前記
絶縁性ベースに支持されて前記光半導体素子に電気接続
されたリードとを備える光半導体装置であって、前記ア
イランドと前記リードは前記フランジと同一材料で形成
され、かつ少なくとも前記リードは前記フランジに対し
て曲げ形成されていることを特徴とする。
【０００８】本発明の光半導体装置では、次の形態とす
ることが好ましい。 （Ａ）アイランド及びリードの少なくとも一方はフラン
ジに対して曲げ形成される。 （Ｂ）リードは絶縁性ベースを貫通した状態に支持さ
れ、アイランド側のインナー部において光半導体素子に
ワイヤボンディングされる。 （Ｃ）フランジは一側辺を切り欠いた円形、あるいは両
側辺を切り欠いた円形の外形状とされる。 （Ｄ）フランジは絶縁性ベースの表面に露出される。 （Ｅ）少なくともフランジ上に光半導体素子、リードの
インナ部等を覆うように被せられ、かつ光半導体装置の
光軸上に開口窓を有するキャップが接着される。 （Ｆ）キャップは金属あるいは樹脂からなる円筒容器状
あるいは半円筒容器状に形成される。 （Ｇ）キャップの周囲にはフランジが露出状態に延在さ
れる。 （Ｈ）光半導体素子はレーザダイオード、発光ダイオー
ド、フォトダイオードのいずれか又はこれらの組み合わ
せである。
ることが好ましい。 （Ａ）アイランド及びリードの少なくとも一方はフラン
ジに対して曲げ形成される。 （Ｂ）リードは絶縁性ベースを貫通した状態に支持さ
れ、アイランド側のインナー部において光半導体素子に
ワイヤボンディングされる。 （Ｃ）フランジは一側辺を切り欠いた円形、あるいは両
側辺を切り欠いた円形の外形状とされる。 （Ｄ）フランジは絶縁性ベースの表面に露出される。 （Ｅ）少なくともフランジ上に光半導体素子、リードの
インナ部等を覆うように被せられ、かつ光半導体装置の
光軸上に開口窓を有するキャップが接着される。 （Ｆ）キャップは金属あるいは樹脂からなる円筒容器状
あるいは半円筒容器状に形成される。 （Ｇ）キャップの周囲にはフランジが露出状態に延在さ
れる。 （Ｈ）光半導体素子はレーザダイオード、発光ダイオー
ド、フォトダイオードのいずれか又はこれらの組み合わ
せである。
【０００９】本発明の光半導体装置の製造方法は、フラ
ンジ、アイランド及びリードで構成されるリード構体を
フレーム内に設けたリードフレームを形成し、前記アイ
ランドに光半導体素子をダイボンディングする工程と、
少なくとも前記リードが前記フランジに対して９０度の
面方向となるように曲げ加工する工程と、前記フランジ
に絶縁性ベースを一体化する工程と、少なくとも前記リ
ードとフランジとを切断分離する工程と、前記光半導体
素子と前記リードとを電気接続する工程と、前記リード
構体を前記フレームから個片に分離する工程とを含むこ
とを特徴とする。
ンジ、アイランド及びリードで構成されるリード構体を
フレーム内に設けたリードフレームを形成し、前記アイ
ランドに光半導体素子をダイボンディングする工程と、
少なくとも前記リードが前記フランジに対して９０度の
面方向となるように曲げ加工する工程と、前記フランジ
に絶縁性ベースを一体化する工程と、少なくとも前記リ
ードとフランジとを切断分離する工程と、前記光半導体
素子と前記リードとを電気接続する工程と、前記リード
構体を前記フレームから個片に分離する工程とを含むこ
とを特徴とする。
【００１０】本発明の製造方法では、次の工程を含むこ
とが好ましい。 （ａ）フランジに樹脂モールド法により樹脂製の絶縁性
ベースを一体に形成する。 （ｂ）アイランドに光半導体素子をダイボンディングし
た後に前記曲げ加工する。 （ｃ）曲げ加工する工程の後にアイランドに光半導体素
子をダイボンディングする。 （ｄ）フランジ上にアイランド、リード等を覆うキャッ
プを接着する工程を含んでいる。 （ｅ）フランジをフレームの面に対して９０度の面方向
に曲げ加工する。 （ｆ）リードのみ又はアイランド及びリードをフレーム
の面に対して９０度の面方向に曲げ加工する。 （ｇ）前記（ａ）〜（ｅ）の場合に、フレームの一部を
切り欠いた開口を設け、当該開口側からキャップを被せ
て接着を行う。
とが好ましい。 （ａ）フランジに樹脂モールド法により樹脂製の絶縁性
ベースを一体に形成する。 （ｂ）アイランドに光半導体素子をダイボンディングし
た後に前記曲げ加工する。 （ｃ）曲げ加工する工程の後にアイランドに光半導体素
子をダイボンディングする。 （ｄ）フランジ上にアイランド、リード等を覆うキャッ
プを接着する工程を含んでいる。 （ｅ）フランジをフレームの面に対して９０度の面方向
に曲げ加工する。 （ｆ）リードのみ又はアイランド及びリードをフレーム
の面に対して９０度の面方向に曲げ加工する。 （ｇ）前記（ａ）〜（ｅ）の場合に、フレームの一部を
切り欠いた開口を設け、当該開口側からキャップを被せ
て接着を行う。
【００１１】本発明の光半導体装置の製造方法では、ダ
イボンディング工程、曲げ加工工程、絶縁性ベースの形
成工程、切断工程、ワイヤボンディング工程、及びリー
ド構体を個片に切断分離する工程をリードフレーム状態
でのバッチ処理で行うことができる。これにより、製造
の自動組立が可能になり、生産性の高い、かつ高品質な
半導体レーザ装置の組立が実現可能になる。
イボンディング工程、曲げ加工工程、絶縁性ベースの形
成工程、切断工程、ワイヤボンディング工程、及びリー
ド構体を個片に切断分離する工程をリードフレーム状態
でのバッチ処理で行うことができる。これにより、製造
の自動組立が可能になり、生産性の高い、かつ高品質な
半導体レーザ装置の組立が実現可能になる。
【００１２】また、本発明の製造方法によって製造され
る本発明の光半導体装置は、パッケージがいわゆるキャ
ン型に分類される構成であるため、既存のキャン型の半
導体レーザ装置を用いる光学機器へそのまま適用するこ
とが可能になる。また、フランジ及びアイランドはリー
ドフレームに一体に形成されているので光半導体素子で
発生した熱をアイランドからフランジにまで伝達して高
い放熱性を得ることができる。また、フランジとアイラ
ンドとが一体であることにより、フランジとアイランド
にダイボンディングするレーザダイオードとの相対位置
を高精度に管理し、光学機器の基準面に対してフランジ
の表面を当接した状態で当該半導体レーザ装置の実装を
行うことで、光学機器の光源位置に対して半導体レーザ
装置を高精度に位置設定することも可能になる。
る本発明の光半導体装置は、パッケージがいわゆるキャ
ン型に分類される構成であるため、既存のキャン型の半
導体レーザ装置を用いる光学機器へそのまま適用するこ
とが可能になる。また、フランジ及びアイランドはリー
ドフレームに一体に形成されているので光半導体素子で
発生した熱をアイランドからフランジにまで伝達して高
い放熱性を得ることができる。また、フランジとアイラ
ンドとが一体であることにより、フランジとアイランド
にダイボンディングするレーザダイオードとの相対位置
を高精度に管理し、光学機器の基準面に対してフランジ
の表面を当接した状態で当該半導体レーザ装置の実装を
行うことで、光学機器の光源位置に対して半導体レーザ
装置を高精度に位置設定することも可能になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明を半導体レーザ装置に
適用した実施形態の一部を破断した斜視図である。この
半導体レーザ装置１は、所要の厚さのＣｕ（銅）板をプ
レス加工により形成したリードフレームから切り離され
たリード構体１０１を有しており、このリード構体１０
１は、円周一部を切り欠いた円形に近い外形状のフラン
ジ１０２と、前記フランジ１０２のほぼ中央部分に位置
された矩形をしたアイランド１０３と、前記アイランド
１０３の下辺から下方に伸びる１本のリード１０４及び
アイランドの両側において下方に伸びる３本のリード１
０５ａ〜１０５ｃを備えており、前記フランジ１０２は
水平方向に向けられ、アイランド１０３及び各リード１
０４，１０５ａ〜１０５ｃはほぼ垂直方向に向けられて
いる。そして、前記フランジ１０２には下面に沿って一
体に樹脂がモールド成形された円形板状の樹脂ベース１
１０が形成され、この樹脂ベース１１０によって前記フ
ランジ１０２の機械的な強度を保持するとともに、前記
アイランド１０３及びリード１０４，１０５ａ〜１０５
ｃをフランジ１０２に対して絶縁した状態で支持してい
る。
参照して説明する。図１は本発明を半導体レーザ装置に
適用した実施形態の一部を破断した斜視図である。この
半導体レーザ装置１は、所要の厚さのＣｕ（銅）板をプ
レス加工により形成したリードフレームから切り離され
たリード構体１０１を有しており、このリード構体１０
１は、円周一部を切り欠いた円形に近い外形状のフラン
ジ１０２と、前記フランジ１０２のほぼ中央部分に位置
された矩形をしたアイランド１０３と、前記アイランド
１０３の下辺から下方に伸びる１本のリード１０４及び
アイランドの両側において下方に伸びる３本のリード１
０５ａ〜１０５ｃを備えており、前記フランジ１０２は
水平方向に向けられ、アイランド１０３及び各リード１
０４，１０５ａ〜１０５ｃはほぼ垂直方向に向けられて
いる。そして、前記フランジ１０２には下面に沿って一
体に樹脂がモールド成形された円形板状の樹脂ベース１
１０が形成され、この樹脂ベース１１０によって前記フ
ランジ１０２の機械的な強度を保持するとともに、前記
アイランド１０３及びリード１０４，１０５ａ〜１０５
ｃをフランジ１０２に対して絶縁した状態で支持してい
る。
【００１４】前記アイランド１０３には２つのレーザダ
イオードＬＤ１，ＬＤ２及びフォトダイオードＰＤがダ
イボンディングによってマウントされるとともに、これ
らレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２及びフォトダイオー
ドＰＤは金属細線１１１によって前記リード１０５ａ〜
１０５ｃとの間にワイヤボンディングされている。この
実施形態では、アイランド１０３上には２つのレーザダ
イオードＬＤ１，ＬＤ２を並んで搭載したフォトダイオ
ードＰＤがマウントされている。各レーザダイオードＬ
Ｄ１，ＬＤ２は発光するレーザ光の波長が異なるレーザ
ダイオードであり、ここでは一方のレーザダイオードＬ
Ｄ１からはＣＤ用のレーザ光が出射され、他方のレーザ
ダイオードＬＤ２からはＤＶＤ用のレーザ光が出射され
るコンパチブルな半導体レーザ装置として構成した例を
示している。また、フォトダイオードＰＤは各レーザダ
イオードＬＤ１，ＬＤ２で発光されたレーザ光を受光し
てモニタするためののものである。
イオードＬＤ１，ＬＤ２及びフォトダイオードＰＤがダ
イボンディングによってマウントされるとともに、これ
らレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２及びフォトダイオー
ドＰＤは金属細線１１１によって前記リード１０５ａ〜
１０５ｃとの間にワイヤボンディングされている。この
実施形態では、アイランド１０３上には２つのレーザダ
イオードＬＤ１，ＬＤ２を並んで搭載したフォトダイオ
ードＰＤがマウントされている。各レーザダイオードＬ
Ｄ１，ＬＤ２は発光するレーザ光の波長が異なるレーザ
ダイオードであり、ここでは一方のレーザダイオードＬ
Ｄ１からはＣＤ用のレーザ光が出射され、他方のレーザ
ダイオードＬＤ２からはＤＶＤ用のレーザ光が出射され
るコンパチブルな半導体レーザ装置として構成した例を
示している。また、フォトダイオードＰＤは各レーザダ
イオードＬＤ１，ＬＤ２で発光されたレーザ光を受光し
てモニタするためののものである。
【００１５】その上で前記フランジ１０２上には前記ア
イランド１０３及び各リード１０５ａ〜１０５ｃのイン
ナー部を覆うように円筒容器状のキャップ１２０が被せ
られ、かつその周縁部において接着剤等によってフラン
ジ１０２に接着されている。前記キャップ１２０の上面
には前記レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２から出射され
るレーザ光を透過させるための開口窓１２１が開けられ
ている。また、前記フランジ１０２に接着されたキャッ
プ１２０の周囲一部には前記フランジ１２０の周縁部の
上面が露出されており、当該半導体レーザ装置１を光学
機器に実装する際の基準面として構成されている。
イランド１０３及び各リード１０５ａ〜１０５ｃのイン
ナー部を覆うように円筒容器状のキャップ１２０が被せ
られ、かつその周縁部において接着剤等によってフラン
ジ１０２に接着されている。前記キャップ１２０の上面
には前記レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２から出射され
るレーザ光を透過させるための開口窓１２１が開けられ
ている。また、前記フランジ１０２に接着されたキャッ
プ１２０の周囲一部には前記フランジ１２０の周縁部の
上面が露出されており、当該半導体レーザ装置１を光学
機器に実装する際の基準面として構成されている。
【００１６】次に、以上の構成の半導体レーザ装置１の
製造方法について説明する。本発明では所定長さの短冊
状をしたリードフレーム１００に対して複数個の半導体
レーザ装置をバッチ処理により製造することが可能であ
り、このリードフレーム１００は、図２に示すように、
Ｃｕ板をプレス加工、あるいはエッチング加工して形成
されており、長さ方向に複数個のリード構体１０１を連
ねて形成されている。ここでは複数個のリード構体のう
ち、２つのリード構体１０１のみを図示しており、各リ
ード構体１０１は、矩形の枠状をしたフレーム１００Ａ
の内部に、外形状が円周一部を切り欠いた円形をしたフ
ランジ１０２と、前記フランジ１０２の内部に位置され
た微小矩形のアイランド１０３と、前記アイランド１０
３の下辺の一部からリードフレームの長手方向と垂直な
方向に真直に延長されてそれぞれ逆Ｌ字型をした連結片
１０６によって前記フランジに連結された１本の長いリ
ード１０４と、前記アイランド１０３の両側辺から両側
に突出された一対の連結片１０７によって前記アイラン
ド１０３に連結され、前記長いリード１０４と平行に延
長された３本の短いリード１０５ａ〜１０５ｃが形成さ
れている。また、前記フランジ１０２は長手方向の両端
部においてクランク状をした一対の連結片１０８によっ
て前記フレーム１００Ａに連結されている。
製造方法について説明する。本発明では所定長さの短冊
状をしたリードフレーム１００に対して複数個の半導体
レーザ装置をバッチ処理により製造することが可能であ
り、このリードフレーム１００は、図２に示すように、
Ｃｕ板をプレス加工、あるいはエッチング加工して形成
されており、長さ方向に複数個のリード構体１０１を連
ねて形成されている。ここでは複数個のリード構体のう
ち、２つのリード構体１０１のみを図示しており、各リ
ード構体１０１は、矩形の枠状をしたフレーム１００Ａ
の内部に、外形状が円周一部を切り欠いた円形をしたフ
ランジ１０２と、前記フランジ１０２の内部に位置され
た微小矩形のアイランド１０３と、前記アイランド１０
３の下辺の一部からリードフレームの長手方向と垂直な
方向に真直に延長されてそれぞれ逆Ｌ字型をした連結片
１０６によって前記フランジに連結された１本の長いリ
ード１０４と、前記アイランド１０３の両側辺から両側
に突出された一対の連結片１０７によって前記アイラン
ド１０３に連結され、前記長いリード１０４と平行に延
長された３本の短いリード１０５ａ〜１０５ｃが形成さ
れている。また、前記フランジ１０２は長手方向の両端
部においてクランク状をした一対の連結片１０８によっ
て前記フレーム１００Ａに連結されている。
【００１７】図３は前記リードフレーム１００を利用し
て半導体レーザ装置を組み立てる製造装置のブロック構
成図である。前記リードフレーム１００を供給するロー
ダ部Ｓ１と、供給されたリードフレーム１００に対して
レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２及びフォトダイオード
ＰＤをマウントするダイボンディング部Ｓ２と、前記マ
ウントが完了したリードフレーム１００を曲げ加工する
曲げ加工部Ｓ３と、曲げ加工されたリードフレーム１０
０に樹脂をモールド成形する樹脂モールド部Ｓ４と、リ
ードを連結していた連結片１０７を切断除去する切断部
Ｓ５と、切断したリードと前記レーザダイオード及びフ
ォトダイオードを金属細線で接続するワイヤボンディン
グ部Ｓ６と、各リード構体１０１をリードフレーム１０
０のフレーム１００Ａから切断分離して個々の個片に分
離する個片分離部Ｓ７と、分離した個々のリード構体１
０１に対してキャップ１２０を接着するキャップ接着部
Ｓ８と、キャップを接着して組立が完成された半導体レ
ーザ装置を取り出すアンローダ部Ｓ９とを備えている。
て半導体レーザ装置を組み立てる製造装置のブロック構
成図である。前記リードフレーム１００を供給するロー
ダ部Ｓ１と、供給されたリードフレーム１００に対して
レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２及びフォトダイオード
ＰＤをマウントするダイボンディング部Ｓ２と、前記マ
ウントが完了したリードフレーム１００を曲げ加工する
曲げ加工部Ｓ３と、曲げ加工されたリードフレーム１０
０に樹脂をモールド成形する樹脂モールド部Ｓ４と、リ
ードを連結していた連結片１０７を切断除去する切断部
Ｓ５と、切断したリードと前記レーザダイオード及びフ
ォトダイオードを金属細線で接続するワイヤボンディン
グ部Ｓ６と、各リード構体１０１をリードフレーム１０
０のフレーム１００Ａから切断分離して個々の個片に分
離する個片分離部Ｓ７と、分離した個々のリード構体１
０１に対してキャップ１２０を接着するキャップ接着部
Ｓ８と、キャップを接着して組立が完成された半導体レ
ーザ装置を取り出すアンローダ部Ｓ９とを備えている。
【００１８】図４〜図１０は、図２に示したリードフレ
ーム１００を図３に示した組立装置により図１の半導体
レーザ装置１を組み立てる第１の実施形態の製造方法を
模式的に示す工程図である。先ず、ローダ部Ｓ１からダ
イボンディング部Ｓ２に供給されてきたリードフレーム
１００は、図４に平面図と正面図を示すように、各リー
ド構体１０１の平面状態が保たれたままアイランド１０
３にフォトダイオードＰＤをマウントする。この実施形
態では、前記したようにフォトダイオードＰＤには予め
２つのレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を並んで搭載し
ている。このダイボンディングでは熱抵抗低減のために
ハードソルダ系での金属接合によりマウントが行われ
る。
ーム１００を図３に示した組立装置により図１の半導体
レーザ装置１を組み立てる第１の実施形態の製造方法を
模式的に示す工程図である。先ず、ローダ部Ｓ１からダ
イボンディング部Ｓ２に供給されてきたリードフレーム
１００は、図４に平面図と正面図を示すように、各リー
ド構体１０１の平面状態が保たれたままアイランド１０
３にフォトダイオードＰＤをマウントする。この実施形
態では、前記したようにフォトダイオードＰＤには予め
２つのレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を並んで搭載し
ている。このダイボンディングでは熱抵抗低減のために
ハードソルダ系での金属接合によりマウントが行われ
る。
【００１９】次いで、ダイボンディング部Ｓ２から曲げ
加工部Ｓ３に移動されたリードフレーム１００は、図５
に平面図と正面図を示すように、各リード構体１０１に
おいてフランジ１０２を両側においてフレーム１００Ａ
に連結している連結片１０８を立面方向に捩じり曲げ加
工を施し、フランジ１０２をフレーム１００Ａ面に対し
て９０度の角度で曲げ起こす。したがって、アイランド
１０３及びリード１０４，１０５ａ〜１０５ｃはフレー
ム１００Ａの面と同一平面上に保持されるが、フランジ
１０２に対しては相対的に９０度の角度方向に向けられ
ることになる。
加工部Ｓ３に移動されたリードフレーム１００は、図５
に平面図と正面図を示すように、各リード構体１０１に
おいてフランジ１０２を両側においてフレーム１００Ａ
に連結している連結片１０８を立面方向に捩じり曲げ加
工を施し、フランジ１０２をフレーム１００Ａ面に対し
て９０度の角度で曲げ起こす。したがって、アイランド
１０３及びリード１０４，１０５ａ〜１０５ｃはフレー
ム１００Ａの面と同一平面上に保持されるが、フランジ
１０２に対しては相対的に９０度の角度方向に向けられ
ることになる。
【００２０】次いで、曲げ加工部Ｓ３から樹脂モールド
部Ｓ４に移動されたリードフレーム１００は、樹脂モー
ルド部Ｓ４に設けられた図外の成形用金型内にセットさ
れ、図６に平面図と正面図を示すように、樹脂モールド
が行われる。ここでは、成形用金型は一対の金型がフレ
ーム１００Ａの面と平行な両方向からフレームと干渉し
ないように移動されてフランジ１０２を両面から挟持す
るようにセットが行われ、当該成形用金型のキャビティ
に樹脂が注入されて樹脂モールドが行われる。このと
き、当該成形用金型はフランジ１０２の一方の面、すな
わちアイランド１０３が存在する側と反対側の面側にの
みにフランジ１０２の外形に沿った薄い円形のキャビテ
ィが形成されるため、モールド成形される樹脂ベース１
１０はフランジ１０２の当該一方の面に沿って円形板状
に形成される。これにより、フランジ１０２は樹脂ベー
ス１１０と一体化されてその機械的な強度が高められ
る。また、同時にアイランド１０３及びリード１０４，
１０５ａ〜１０５ｃは当該樹脂ベース１１０によってフ
ランジ１０２と共に一体的に支持されることになり、特
に３本のリード１０５ａ〜１０５ｃは樹脂ベース１１０
の上面側にインナー部が突出した状態で、また各リード
１０４，１０５ａ〜１０５ｃは樹脂ベース１１０の下面
側にアウター部が突出した状態で支持されることにな
る。なお、フランジ１０２の他方の面は樹脂ベース１１
０の片側に露出された状態とされる。
部Ｓ４に移動されたリードフレーム１００は、樹脂モー
ルド部Ｓ４に設けられた図外の成形用金型内にセットさ
れ、図６に平面図と正面図を示すように、樹脂モールド
が行われる。ここでは、成形用金型は一対の金型がフレ
ーム１００Ａの面と平行な両方向からフレームと干渉し
ないように移動されてフランジ１０２を両面から挟持す
るようにセットが行われ、当該成形用金型のキャビティ
に樹脂が注入されて樹脂モールドが行われる。このと
き、当該成形用金型はフランジ１０２の一方の面、すな
わちアイランド１０３が存在する側と反対側の面側にの
みにフランジ１０２の外形に沿った薄い円形のキャビテ
ィが形成されるため、モールド成形される樹脂ベース１
１０はフランジ１０２の当該一方の面に沿って円形板状
に形成される。これにより、フランジ１０２は樹脂ベー
ス１１０と一体化されてその機械的な強度が高められ
る。また、同時にアイランド１０３及びリード１０４，
１０５ａ〜１０５ｃは当該樹脂ベース１１０によってフ
ランジ１０２と共に一体的に支持されることになり、特
に３本のリード１０５ａ〜１０５ｃは樹脂ベース１１０
の上面側にインナー部が突出した状態で、また各リード
１０４，１０５ａ〜１０５ｃは樹脂ベース１１０の下面
側にアウター部が突出した状態で支持されることにな
る。なお、フランジ１０２の他方の面は樹脂ベース１１
０の片側に露出された状態とされる。
【００２１】次いで、リードフレーム１００は樹脂モー
ルド部Ｓ４から切断部Ｓ５に移動され、ここで図７に平
面図を示すように、アイランド１０３の両側辺から左右
に突出している連結片１０７のみを切断する。これによ
り、短い３本のリード１０５ａ〜１０５ｃはアイランド
１０３から切り離され、それぞれ機械的、電気的に独立
したものとなる。また、各リード１０５ａ〜１０５ｃは
アイランド１０３から切り離されても樹脂ベース１１０
によって支持されている状態は保たれる。また、長いリ
ード１０４はアイランド１０３及びフランジ１０２と連
結した状態に保たれている。
ルド部Ｓ４から切断部Ｓ５に移動され、ここで図７に平
面図を示すように、アイランド１０３の両側辺から左右
に突出している連結片１０７のみを切断する。これによ
り、短い３本のリード１０５ａ〜１０５ｃはアイランド
１０３から切り離され、それぞれ機械的、電気的に独立
したものとなる。また、各リード１０５ａ〜１０５ｃは
アイランド１０３から切り離されても樹脂ベース１１０
によって支持されている状態は保たれる。また、長いリ
ード１０４はアイランド１０３及びフランジ１０２と連
結した状態に保たれている。
【００２２】次いで、リードフレーム１００は切断部Ｓ
５からワイヤボンディング部Ｓ６に移動され、ここで図
８に平面図を示すように、アイランド１０３上のレーザ
ダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに対
するワイヤボンディングを実行する。アイランド面、す
なわちレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオ
ードＰＤの電極面はフレーム１００Ａの面と平行である
ため、既存のワイヤボンディング装置をそのまま利用す
ることができる。これにより、レーザダイオードＬＤ
１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤを３本のリード１０
５ａ〜１０５ｃの各インナー部に対してそれぞれ金属細
線１１１によって電気接続する。
５からワイヤボンディング部Ｓ６に移動され、ここで図
８に平面図を示すように、アイランド１０３上のレーザ
ダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに対
するワイヤボンディングを実行する。アイランド面、す
なわちレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオ
ードＰＤの電極面はフレーム１００Ａの面と平行である
ため、既存のワイヤボンディング装置をそのまま利用す
ることができる。これにより、レーザダイオードＬＤ
１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤを３本のリード１０
５ａ〜１０５ｃの各インナー部に対してそれぞれ金属細
線１１１によって電気接続する。
【００２３】次いで、リードフレーム１００は個片分離
部Ｓ７に移動され、ここで図９に示すように、リードフ
レーム１００のフレーム１００Ａから各リード構体１０
１を切り離す。この切り離しに際しては、フランジ１０
２の両側の連結片１０８において切離しを行う。この切
り離しによりリードフレーム１００の各フレーム１００
Ａにおいてそれぞれのリード構体１０１が個片に分離さ
れる。
部Ｓ７に移動され、ここで図９に示すように、リードフ
レーム１００のフレーム１００Ａから各リード構体１０
１を切り離す。この切り離しに際しては、フランジ１０
２の両側の連結片１０８において切離しを行う。この切
り離しによりリードフレーム１００の各フレーム１００
Ａにおいてそれぞれのリード構体１０１が個片に分離さ
れる。
【００２４】しかる後、分離された個片の各リード構体
１０１はキャップ接着部Ｓ８にそれぞれ移動され、図１
０に示すように、フランジ１０２の上面側に前記アイラ
ンド１０３及びリード１０５ａ〜１０５ｃのインナ部を
覆うようにキャップ１２０、ここでは金属あるいは樹脂
からなる円筒容器状をしたキャップを被せ、当該キャッ
プ１２０の開口周縁部においてフランジ１０２の上面に
接着する。なお、フランジ１０２が存在しない箇所では
樹脂ベース１１０の上面に接着する。キャップ１２０は
図１に示したように上面に開口窓１２１が設けられてお
り、この開口窓１２１を通して前記アイランド１０３上
のレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２から出射した光を外
部に射出することが可能とされている。また、キャップ
１２０の外径寸法はフランジ１０２の径寸法よりも若干
短くされているため、キャップ１２０の開口縁の周囲に
はフランジ１０２の金属面が露出された状態とされる。
これにより、図１に示した半導体レーザ装置１が完成さ
れ、その後、アンローダ部Ｓ９から搬出する。
１０１はキャップ接着部Ｓ８にそれぞれ移動され、図１
０に示すように、フランジ１０２の上面側に前記アイラ
ンド１０３及びリード１０５ａ〜１０５ｃのインナ部を
覆うようにキャップ１２０、ここでは金属あるいは樹脂
からなる円筒容器状をしたキャップを被せ、当該キャッ
プ１２０の開口周縁部においてフランジ１０２の上面に
接着する。なお、フランジ１０２が存在しない箇所では
樹脂ベース１１０の上面に接着する。キャップ１２０は
図１に示したように上面に開口窓１２１が設けられてお
り、この開口窓１２１を通して前記アイランド１０３上
のレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２から出射した光を外
部に射出することが可能とされている。また、キャップ
１２０の外径寸法はフランジ１０２の径寸法よりも若干
短くされているため、キャップ１２０の開口縁の周囲に
はフランジ１０２の金属面が露出された状態とされる。
これにより、図１に示した半導体レーザ装置１が完成さ
れ、その後、アンローダ部Ｓ９から搬出する。
【００２５】以上のように、本実施形態の半導体レーザ
装置の製造方法では、ダイボンディング工程、曲げ工
程、モールド樹脂工程、切断工程、ワイヤボンディング
工程、及びリード構体を個片に切断分離するまでの工程
まではリードフレーム状態での処理が可能である。そし
て、リード構体を個片に切断分離した後のキャップ接着
工程についてのみこれまでと同様な個別部品に対する処
理を行えばよい。そのため、複数のリード構体に対して
リードフレーム単位でのバッチ処理ないしは連続処理が
可能となり、しかもリードフレームの位置決め穴を利用
しての搬送、位置決めが可能となる。これにより、組立
の自動化が可能になり、生産性の高い、かつ高品質な半
導体レーザ装置の組立が実現可能になる。
装置の製造方法では、ダイボンディング工程、曲げ工
程、モールド樹脂工程、切断工程、ワイヤボンディング
工程、及びリード構体を個片に切断分離するまでの工程
まではリードフレーム状態での処理が可能である。そし
て、リード構体を個片に切断分離した後のキャップ接着
工程についてのみこれまでと同様な個別部品に対する処
理を行えばよい。そのため、複数のリード構体に対して
リードフレーム単位でのバッチ処理ないしは連続処理が
可能となり、しかもリードフレームの位置決め穴を利用
しての搬送、位置決めが可能となる。これにより、組立
の自動化が可能になり、生産性の高い、かつ高品質な半
導体レーザ装置の組立が実現可能になる。
【００２６】また、このような高生産性、高品質が得ら
れる一方で、組立られる半導体レーザ装置はパッケージ
がいわゆるキャン型に分類される構成であるため、既存
のキャン型の半導体レーザ装置を用いる光学機器へその
まま適用することが可能である。また、この場合、フラ
ンジ及びアイランドはリードフレームに一体に形成され
て単に曲げ形成されている構成であるため、レーザダイ
オードで発生した熱をアイランドからリード及び連結片
を介してフランジにまで伝達し、さらにキャップを通し
て放熱することが可能となり、高い放熱性を得ることが
できる。また、フランジとアイランドとが一体であるこ
とにより、フランジとアイランドにマウントするレーザ
ダイオードとの相対位置を高精度に管理することも可能
であり、光学機器の基準面に対してフランジの表面を当
接した状態で当該半導体レーザ装置の実装を行うこと
で、光学機器の光源位置に対して半導体レーザ装置を高
精度に位置設定することも可能になる。
れる一方で、組立られる半導体レーザ装置はパッケージ
がいわゆるキャン型に分類される構成であるため、既存
のキャン型の半導体レーザ装置を用いる光学機器へその
まま適用することが可能である。また、この場合、フラ
ンジ及びアイランドはリードフレームに一体に形成され
て単に曲げ形成されている構成であるため、レーザダイ
オードで発生した熱をアイランドからリード及び連結片
を介してフランジにまで伝達し、さらにキャップを通し
て放熱することが可能となり、高い放熱性を得ることが
できる。また、フランジとアイランドとが一体であるこ
とにより、フランジとアイランドにマウントするレーザ
ダイオードとの相対位置を高精度に管理することも可能
であり、光学機器の基準面に対してフランジの表面を当
接した状態で当該半導体レーザ装置の実装を行うこと
で、光学機器の光源位置に対して半導体レーザ装置を高
精度に位置設定することも可能になる。
【００２７】図１１は本発明の第２の実施形態の製造方
法を工程順に示す図である。なお、以降の実施形態にお
いて第１の実施形態と等価な部分には同一符号を付して
ある。この実施形態では同図（ａ）に示すように、リー
ドフレーム１００−１のフレーム１００Ａはリードフレ
ームの長手方向に沿う一辺、特にフランジ１０２に対し
てアイランド１０３が配置される側の一辺が除去され、
この領域に開口部１００ａが形成されているものを使用
する。そして、このリードフレーム１００−１に対し、
図１２に示すように、前記第１の実施形態での組立装置
と同様な組立装置を用いて組み立てを行う。ただし、こ
の実施形態ではワイヤボンディング部Ｓ６の直後にキャ
ップ接着部Ｓ８が配置され、このキャップ接着部Ｓ８の
直後に個片分離部Ｓ７が配置された構成となっている。
すなわち、リードフレーム１００−１を供給するローダ
部Ｓ１と、供給されたリードフレームに対してレーザダ
イオード及びフォトダイオードをマウントするダイボン
ディング部Ｓ２と、前記マウントが完了したリードフレ
ームを曲げ加工する曲げ加工部Ｓ３と、曲げ加工された
リードフレームに樹脂をモールド成形する樹脂モールド
部Ｓ４と、リードを連結していた連結片を切断除去する
切断部Ｓ５と、切断したリードと前記レーザダイオード
及びフォトダイオードを金属細線で接続するワイヤボン
ディング部Ｓ６と、リードフレーム上の各リード構体に
対してキャップを接着するキャップ接着部Ｓ８と、リー
ド構体をリードフレームのフレームから切断分離して個
々の個片に分離する個片分離部Ｓ７と、個片に分離され
た半導体レーザ装置を取り出すアンローダ部Ｓ９とを備
えている。
法を工程順に示す図である。なお、以降の実施形態にお
いて第１の実施形態と等価な部分には同一符号を付して
ある。この実施形態では同図（ａ）に示すように、リー
ドフレーム１００−１のフレーム１００Ａはリードフレ
ームの長手方向に沿う一辺、特にフランジ１０２に対し
てアイランド１０３が配置される側の一辺が除去され、
この領域に開口部１００ａが形成されているものを使用
する。そして、このリードフレーム１００−１に対し、
図１２に示すように、前記第１の実施形態での組立装置
と同様な組立装置を用いて組み立てを行う。ただし、こ
の実施形態ではワイヤボンディング部Ｓ６の直後にキャ
ップ接着部Ｓ８が配置され、このキャップ接着部Ｓ８の
直後に個片分離部Ｓ７が配置された構成となっている。
すなわち、リードフレーム１００−１を供給するローダ
部Ｓ１と、供給されたリードフレームに対してレーザダ
イオード及びフォトダイオードをマウントするダイボン
ディング部Ｓ２と、前記マウントが完了したリードフレ
ームを曲げ加工する曲げ加工部Ｓ３と、曲げ加工された
リードフレームに樹脂をモールド成形する樹脂モールド
部Ｓ４と、リードを連結していた連結片を切断除去する
切断部Ｓ５と、切断したリードと前記レーザダイオード
及びフォトダイオードを金属細線で接続するワイヤボン
ディング部Ｓ６と、リードフレーム上の各リード構体に
対してキャップを接着するキャップ接着部Ｓ８と、リー
ド構体をリードフレームのフレームから切断分離して個
々の個片に分離する個片分離部Ｓ７と、個片に分離され
た半導体レーザ装置を取り出すアンローダ部Ｓ９とを備
えている。
【００２８】そして、図１１（ｂ）に示すように、ロー
ダ部Ｓ１から供給されてきたリードフレーム１００−１
に対してダイボンディング部Ｓ２においてアイランド１
０３にレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を搭載したフォ
トダイオードＰＤをマウントし、次いで、曲げ加工部Ｓ
３においてフランジ１０２を立面方向に捩じり曲げ加工
して、フランジ１０２をフレーム１００Ａの面に対して
９０度の角度で曲げ起こし、その上で樹脂モールド部Ｓ
４において樹脂モールドを行ない、フランジ１０２の当
該一方の面に沿って円形板状をした樹脂ベース１１０を
形成する。さらに、切断部Ｓ５においてアイランド１０
３の両側辺から左右に突出している連結片１０７のみを
切断し、各リード１０５ａ〜１０５ｃをアイランド１０
３から切り離し、続いて、ワイヤボンディング部Ｓ６に
おいてアイランド１０３上のレーザダイオードＬＤ１，
ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに対するワイヤボンディ
ングを実行する。この工程は第１の実施形態の図５〜図
８に示したと同様である。
ダ部Ｓ１から供給されてきたリードフレーム１００−１
に対してダイボンディング部Ｓ２においてアイランド１
０３にレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を搭載したフォ
トダイオードＰＤをマウントし、次いで、曲げ加工部Ｓ
３においてフランジ１０２を立面方向に捩じり曲げ加工
して、フランジ１０２をフレーム１００Ａの面に対して
９０度の角度で曲げ起こし、その上で樹脂モールド部Ｓ
４において樹脂モールドを行ない、フランジ１０２の当
該一方の面に沿って円形板状をした樹脂ベース１１０を
形成する。さらに、切断部Ｓ５においてアイランド１０
３の両側辺から左右に突出している連結片１０７のみを
切断し、各リード１０５ａ〜１０５ｃをアイランド１０
３から切り離し、続いて、ワイヤボンディング部Ｓ６に
おいてアイランド１０３上のレーザダイオードＬＤ１，
ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに対するワイヤボンディ
ングを実行する。この工程は第１の実施形態の図５〜図
８に示したと同様である。
【００２９】しかる後、リードフレーム１００−１は第
１の実施形態における個片分離部Ｓ７を経ることなくキ
ャップ接着部Ｓ８に移動され、図１１（ｃ）に示すよう
に、フランジ１０２の上面側に円筒容器状をした金属製
のキャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０を開口周
縁部においてフランジ１０２の上面に接着する。このと
き、リードフレームのフレーム１００Ａは一辺側に開口
１００ａが確保されているため、この開口１００ａを通
してキャップ１２０をフランジ１０２の上面側に移動
し、かつ当接させることが可能になる。そして、以降の
図示は省略するが、キャップ１２０をフランジ１０２に
固定した後、リードフレーム１００−１を個片分離部Ｓ
７に移動し、ここでフランジ１０２の両側の連結片１０
８を切断し、リード構体１０１をフレーム１００Ａから
切断分離することにより個別化された図１に示した半導
体レーザ装置１と同じが完成され、その後、アンローダ
部Ｓ９から搬出する。
１の実施形態における個片分離部Ｓ７を経ることなくキ
ャップ接着部Ｓ８に移動され、図１１（ｃ）に示すよう
に、フランジ１０２の上面側に円筒容器状をした金属製
のキャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０を開口周
縁部においてフランジ１０２の上面に接着する。このと
き、リードフレームのフレーム１００Ａは一辺側に開口
１００ａが確保されているため、この開口１００ａを通
してキャップ１２０をフランジ１０２の上面側に移動
し、かつ当接させることが可能になる。そして、以降の
図示は省略するが、キャップ１２０をフランジ１０２に
固定した後、リードフレーム１００−１を個片分離部Ｓ
７に移動し、ここでフランジ１０２の両側の連結片１０
８を切断し、リード構体１０１をフレーム１００Ａから
切断分離することにより個別化された図１に示した半導
体レーザ装置１と同じが完成され、その後、アンローダ
部Ｓ９から搬出する。
【００３０】以上のように、第２の実施形態の半導体レ
ーザ装置の製造方法では、ダイボンディング工程からキ
ャップ接着工程及び個片分離工程までの全ての工程にわ
たってリードフレーム状態での処理が可能である。その
ため、複数のリード構体に対するリードフレーム単位で
のバッチ処理ないしは連続処理を全ての工程にわたって
行うことができ、第１の実施形態に比較してさらに生産
性の高い半導体レーザ装置の組立が実現可能になる。な
お、製造された半導体レーザ装置は第１の実施形態の場
合と同じであるので、既存のキャン型の半導体レーザ装
置を用いる光学機器へそのまま適用することが可能であ
る一方で、高い放熱性を得ることができ、光学機器の光
源位置に対して半導体レーザ装置を高精度に位置設定す
ることも可能になる。
ーザ装置の製造方法では、ダイボンディング工程からキ
ャップ接着工程及び個片分離工程までの全ての工程にわ
たってリードフレーム状態での処理が可能である。その
ため、複数のリード構体に対するリードフレーム単位で
のバッチ処理ないしは連続処理を全ての工程にわたって
行うことができ、第１の実施形態に比較してさらに生産
性の高い半導体レーザ装置の組立が実現可能になる。な
お、製造された半導体レーザ装置は第１の実施形態の場
合と同じであるので、既存のキャン型の半導体レーザ装
置を用いる光学機器へそのまま適用することが可能であ
る一方で、高い放熱性を得ることができ、光学機器の光
源位置に対して半導体レーザ装置を高精度に位置設定す
ることも可能になる。
【００３１】図１３は本発明の第３の実施形態の製造方
法を工程順に示す図である。この実施形態ではリードフ
レーム１００−２は第１の実施形態のリードフレーム１
００とほぼ同じであるが、リード１０４についてはフレ
ーム１００Ａから分離された構成のものを用いている。
また、このリードフレーム１００−２に対し、前記第２
の実施形態での組立装置と同様な組立装置を用いて組み
立てを行う。ただし、この実施形態では曲げ加工部Ｓ３
においては、フランジ１０２を曲げ加工するのではな
く、アイランド１０３及びリード１０４，１０５ａ〜１
０５ｃをフレーム１００Ａに対して曲げ加工するように
構成されている。
法を工程順に示す図である。この実施形態ではリードフ
レーム１００−２は第１の実施形態のリードフレーム１
００とほぼ同じであるが、リード１０４についてはフレ
ーム１００Ａから分離された構成のものを用いている。
また、このリードフレーム１００−２に対し、前記第２
の実施形態での組立装置と同様な組立装置を用いて組み
立てを行う。ただし、この実施形態では曲げ加工部Ｓ３
においては、フランジ１０２を曲げ加工するのではな
く、アイランド１０３及びリード１０４，１０５ａ〜１
０５ｃをフレーム１００Ａに対して曲げ加工するように
構成されている。
【００３２】すなわち、ローダ部Ｓ１から供給されてき
た図１３（ａ）に示すリードフレーム１００−２に対し
て、図１３（ｂ）に示すように、ダイボンディング部Ｓ
２においてアイランド１０３にレーザダイオードＬＤ
１，ＬＤ２を搭載したフォトダイオードＰＤをマウント
し、次いで、曲げ加工部Ｓ３において連結片１０６を捩
じり曲げ加工し、アイランド１０３及びリード１０５ａ
〜１０５ｃをフランジ１０２及びフレーム１００Ａの面
に対して９０度の角度で曲げ起こす。しかる後、前記各
実施形態と同様に、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モ
ールドを行ない、フランジ１０２の当該一方の面に沿っ
て円形板状をした樹脂ベース１１０を形成する。この樹
脂モールドではフランジ１０２はフレーム１００Ａと同
じ平面上にあるのでリードフレーム１００−２の平面の
上下方向から成形用金型を挟持させるようにして樹脂モ
ールドを行うことができる。次いで、図１３（ｃ）に示
すように、切断部Ｓ５においてアイランド１０３の両側
辺から左右に突出している連結片１０７のみを切断し、
各リード１０５ａ〜１０５ｃをアイランド１０３から切
り離す。その上で、リードフレーム１００−２はワイヤ
ボンディング部Ｓ６においてアイランド１０３上のレー
ザダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに
対するワイヤボンディングを実行する。なお、このワイ
ヤボンディングではリードフレーム１００−２を立面方
向に向けた状態で行うことになる。
た図１３（ａ）に示すリードフレーム１００−２に対し
て、図１３（ｂ）に示すように、ダイボンディング部Ｓ
２においてアイランド１０３にレーザダイオードＬＤ
１，ＬＤ２を搭載したフォトダイオードＰＤをマウント
し、次いで、曲げ加工部Ｓ３において連結片１０６を捩
じり曲げ加工し、アイランド１０３及びリード１０５ａ
〜１０５ｃをフランジ１０２及びフレーム１００Ａの面
に対して９０度の角度で曲げ起こす。しかる後、前記各
実施形態と同様に、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モ
ールドを行ない、フランジ１０２の当該一方の面に沿っ
て円形板状をした樹脂ベース１１０を形成する。この樹
脂モールドではフランジ１０２はフレーム１００Ａと同
じ平面上にあるのでリードフレーム１００−２の平面の
上下方向から成形用金型を挟持させるようにして樹脂モ
ールドを行うことができる。次いで、図１３（ｃ）に示
すように、切断部Ｓ５においてアイランド１０３の両側
辺から左右に突出している連結片１０７のみを切断し、
各リード１０５ａ〜１０５ｃをアイランド１０３から切
り離す。その上で、リードフレーム１００−２はワイヤ
ボンディング部Ｓ６においてアイランド１０３上のレー
ザダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに
対するワイヤボンディングを実行する。なお、このワイ
ヤボンディングではリードフレーム１００−２を立面方
向に向けた状態で行うことになる。
【００３３】しかる後、リードフレーム１００−２はキ
ャップ接着部Ｓ８においてフランジ１０２の上面側にキ
ャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０を開口周縁部
においてフランジ１０２の上面に接着する。このとき、
フランジ１０２はフレーム１００Ａと同じ平面上にある
のでリードフレーム１００−２を平面状態に保持して上
側からキャップ１２０をフランジ１０２の上面側に移動
し、かつ当接させることが可能になる。そして、キャッ
プ１２０を固定した後、リードフレーム１００−２を個
片分離部Ｓ７に移動し、ここで図示は省略するがフラン
ジ１０２の両側の連結片１０８を切断し、リード構体１
０１をフレーム１００Ａから切断分離することにより個
別化された図１に示した半導体レーザ装置が完成され、
その後、アンローダ部Ｓ９から搬出する。
ャップ接着部Ｓ８においてフランジ１０２の上面側にキ
ャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０を開口周縁部
においてフランジ１０２の上面に接着する。このとき、
フランジ１０２はフレーム１００Ａと同じ平面上にある
のでリードフレーム１００−２を平面状態に保持して上
側からキャップ１２０をフランジ１０２の上面側に移動
し、かつ当接させることが可能になる。そして、キャッ
プ１２０を固定した後、リードフレーム１００−２を個
片分離部Ｓ７に移動し、ここで図示は省略するがフラン
ジ１０２の両側の連結片１０８を切断し、リード構体１
０１をフレーム１００Ａから切断分離することにより個
別化された図１に示した半導体レーザ装置が完成され、
その後、アンローダ部Ｓ９から搬出する。
【００３４】以上のように、第３の実施形態の半導体レ
ーザ装置の製造方法では、第２の実施形態と同様に、ダ
イボンディング工程からキャップ接着工程及び個片分離
工程までの全ての工程にわたってリードフレーム状態で
の処理が可能であり、生産性の高い半導体レーザ装置の
組立が実現可能になる。また、製造された半導体レーザ
装置は第１及び第２の実施形態の場合と同じであるの
で、既存のキャン型の半導体レーザ装置を用いる光学機
器へそのまま適用することが可能である一方で、高い放
熱性を得ることができ、光学機器の光源位置に対して半
導体レーザ装置を高精度に位置設定することも可能にな
る。
ーザ装置の製造方法では、第２の実施形態と同様に、ダ
イボンディング工程からキャップ接着工程及び個片分離
工程までの全ての工程にわたってリードフレーム状態で
の処理が可能であり、生産性の高い半導体レーザ装置の
組立が実現可能になる。また、製造された半導体レーザ
装置は第１及び第２の実施形態の場合と同じであるの
で、既存のキャン型の半導体レーザ装置を用いる光学機
器へそのまま適用することが可能である一方で、高い放
熱性を得ることができ、光学機器の光源位置に対して半
導体レーザ装置を高精度に位置設定することも可能にな
る。
【００３５】図１４は本発明の第４の実施形態の製造方
法を工程順に示す図である。この実施形態は前記第１な
いし第３の実施形態におけるダイボンディング工程を切
断工程の後に行うようにしたものである。なお、製造装
置のブロック構成については図３に示した装置の順序が
入れ代わるのみであるので図示は省略する。ここで第１
の実施形態のリードフレーム１００に適用した場合を説
明すると、ローダ部Ｓ１から供給されてきたリードフレ
ーム１００を曲げ加工部Ｓ３において図１４（ａ）に示
すように、フランジ１０２を立面方向に捩じり曲げ加工
し、リードフレーム１００のフレーム１００Ａの面に対
して９０度の角度で曲げ起こす。次いで、図１４（ｂ）
に示すように、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モール
ドが行われ、フランジ１０２の当該一方の面に沿って円
形板状をした樹脂ベース１１０が形成される。次いで、
図１４（ｃ）に示すように、切断部Ｓ５においてアイラ
ンド１０３の両側辺から左右に突出している連結片１０
７のみが切断され、各リード１０５ａ〜１０５ｃはアイ
ランドから切り離される。次いで、図１４（ｄ）に示す
ように、ダイボンディング部Ｓ２においてアイランド１
０３にレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を搭載している
フォトダイオードＰＤをダイボンディングする。以降の
工程は第１の実施形態と同様であるので図示は省略する
が、ワイヤボンディング部Ｓ６においてアイランド１０
３上のレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオ
ードＰＤに対するワイヤボンディングを実行する。
法を工程順に示す図である。この実施形態は前記第１な
いし第３の実施形態におけるダイボンディング工程を切
断工程の後に行うようにしたものである。なお、製造装
置のブロック構成については図３に示した装置の順序が
入れ代わるのみであるので図示は省略する。ここで第１
の実施形態のリードフレーム１００に適用した場合を説
明すると、ローダ部Ｓ１から供給されてきたリードフレ
ーム１００を曲げ加工部Ｓ３において図１４（ａ）に示
すように、フランジ１０２を立面方向に捩じり曲げ加工
し、リードフレーム１００のフレーム１００Ａの面に対
して９０度の角度で曲げ起こす。次いで、図１４（ｂ）
に示すように、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モール
ドが行われ、フランジ１０２の当該一方の面に沿って円
形板状をした樹脂ベース１１０が形成される。次いで、
図１４（ｃ）に示すように、切断部Ｓ５においてアイラ
ンド１０３の両側辺から左右に突出している連結片１０
７のみが切断され、各リード１０５ａ〜１０５ｃはアイ
ランドから切り離される。次いで、図１４（ｄ）に示す
ように、ダイボンディング部Ｓ２においてアイランド１
０３にレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を搭載している
フォトダイオードＰＤをダイボンディングする。以降の
工程は第１の実施形態と同様であるので図示は省略する
が、ワイヤボンディング部Ｓ６においてアイランド１０
３上のレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオ
ードＰＤに対するワイヤボンディングを実行する。
【００３６】しかる後、リードフレーム１００を個片分
離部においてリード構体１０１を個片に切断分離した
後、キャップ接着部Ｓ８においてフランジ１０２の上面
側にキャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０を開口
周縁部においてフランジ１０２の上面に接着し、図１に
示した半導体レーザ装置が完成される。完成された半導
体レーザ装置は、その後アンローダ部Ｓ９から搬出す
る。
離部においてリード構体１０１を個片に切断分離した
後、キャップ接着部Ｓ８においてフランジ１０２の上面
側にキャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０を開口
周縁部においてフランジ１０２の上面に接着し、図１に
示した半導体レーザ装置が完成される。完成された半導
体レーザ装置は、その後アンローダ部Ｓ９から搬出す
る。
【００３７】以上のように、第４の実施形態の半導体レ
ーザ装置の製造方法では、フランジを曲げ形成し、かつ
樹脂ベースをモールド成形し、さらに連結部を切断した
後に、アイランドにレーザダイオード及びフォトダイオ
ードをダイボンディングしているので、前記第１ないし
第３の実施形態のように、ダイボンディングした後に曲
げ加工、切断を行うことがなく、レーザダイオードやフ
ォトダイオードに対する工程途中でのダメージを防止す
ることができ、製造歩留りを向上することができる。
ーザ装置の製造方法では、フランジを曲げ形成し、かつ
樹脂ベースをモールド成形し、さらに連結部を切断した
後に、アイランドにレーザダイオード及びフォトダイオ
ードをダイボンディングしているので、前記第１ないし
第３の実施形態のように、ダイボンディングした後に曲
げ加工、切断を行うことがなく、レーザダイオードやフ
ォトダイオードに対する工程途中でのダメージを防止す
ることができ、製造歩留りを向上することができる。
【００３８】図１５はリードフレームのリード構体の変
形例を示す第５の実施形態を示す図である。この実施形
態では、図１５（ａ）に示すように、フランジ１０２、
アイランド１０３の構成は前記各実施形態と同じである
が、アイランド１０３の両側から両方向に突出した逆Ｌ
字型の連結片１０７によってアイランド１０３をフラン
ジ１０２に連結するとともに、前記連結片１０７から４
本のリード１０５ａ〜１０５ｄをほぼ平行に延長したも
のである。このリードフレームを用いた半導体レーザ装
置の組み立て方法は第１の実施形態と同じあり、図１５
（ｂ）のように、フランジ１０２を曲げ加工し、樹脂ベ
ース１１０を形成した後、切断部Ｓ５において連結片１
０７の切断を行うが、ここでは図１５（ｃ）示すよう
に、前記連結片１０７はアイランド１０３を支持するた
めに残しており、当該連結片１０７と前記各リード１０
５ａ〜１０５ｄとの接続箇所において切断分離する構成
がとられている。その後の工程も第１の実施形態と同様
であり、図１５（ｄ）のように金属細線１１１をワイヤ
ボンディングし、キャップ１２０を接着することにより
半導体レーザ装置を完成する。この実施形態では、リー
ドフレームにおける４本のリードを等間隔でかつ平行に
延長配置することが可能であり、半導体レーザ装置を光
学機器に実装する際の自由度を高めることが可能にな
る。
形例を示す第５の実施形態を示す図である。この実施形
態では、図１５（ａ）に示すように、フランジ１０２、
アイランド１０３の構成は前記各実施形態と同じである
が、アイランド１０３の両側から両方向に突出した逆Ｌ
字型の連結片１０７によってアイランド１０３をフラン
ジ１０２に連結するとともに、前記連結片１０７から４
本のリード１０５ａ〜１０５ｄをほぼ平行に延長したも
のである。このリードフレームを用いた半導体レーザ装
置の組み立て方法は第１の実施形態と同じあり、図１５
（ｂ）のように、フランジ１０２を曲げ加工し、樹脂ベ
ース１１０を形成した後、切断部Ｓ５において連結片１
０７の切断を行うが、ここでは図１５（ｃ）示すよう
に、前記連結片１０７はアイランド１０３を支持するた
めに残しており、当該連結片１０７と前記各リード１０
５ａ〜１０５ｄとの接続箇所において切断分離する構成
がとられている。その後の工程も第１の実施形態と同様
であり、図１５（ｄ）のように金属細線１１１をワイヤ
ボンディングし、キャップ１２０を接着することにより
半導体レーザ装置を完成する。この実施形態では、リー
ドフレームにおける４本のリードを等間隔でかつ平行に
延長配置することが可能であり、半導体レーザ装置を光
学機器に実装する際の自由度を高めることが可能にな
る。
【００３９】図１６はフォトダイオードをフランジの一
部にマウントした第６の実施形態を示す図である。この
実施形態では、図１６（ａ）に示すように、ダイボンデ
ィング部Ｓ２においてアイランド１０３に２つのレーザ
ダイオードＬＤ１，ＬＤ２を並んでマウントする。この
際レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の下には金属体から
なるヒートシンクＨを同時にマウントし、ハードソルダ
系による金属接合により行う。次いで、曲げ加工部Ｓ３
においてフランジ１０２を立面方向に捩じり曲げ加工
し、フレーム１００Ａの面に対して９０度の角度で曲げ
起こし、さらに、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モー
ルドを行ない、フランジ１０２の当該一方の面に沿って
円形板状をした樹脂ベース１１０を形成する。次いで、
図１６（ｂ）に示すように、切断部Ｓ５においてアイラ
ンド１０３の両側辺から左右に突出している連結片１０
７を切断し、各リード１０５ａ〜１０５ｃをアイランド
１０３から切り離す。次いで、図１６（ｄ）に示すよう
に、フランジ１０２の一部、ここではアイランド１０３
から延長されているリード１０４上にフォトダイオード
ＰＤをマウントする。このマウントではＡｇペースト等
の導電性樹脂接着剤を用いる。なお、この際フォトダイ
オードＰＤの下に戻り光低減のため角度付の導電体を同
時にマウントしてもよい。次いで、図１６（ｄ）に示す
ように、ワイヤボンディング部Ｓ６においてレーザダイ
オードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに対する
ワイヤボンディングを行って金属細線１１１を接続す
る。しかる後、図示は省略するが、リード構体を個片分
離部において個片に切断分離し、さらにキャップ接着部
Ｓ８においてフランジ１０２の上面側に円筒容器状をし
た金属製のキャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０
を開口周縁部においてフランジ１０２の上面に接着す
る。これにより、半導体レーザ装置が完成される。
部にマウントした第６の実施形態を示す図である。この
実施形態では、図１６（ａ）に示すように、ダイボンデ
ィング部Ｓ２においてアイランド１０３に２つのレーザ
ダイオードＬＤ１，ＬＤ２を並んでマウントする。この
際レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の下には金属体から
なるヒートシンクＨを同時にマウントし、ハードソルダ
系による金属接合により行う。次いで、曲げ加工部Ｓ３
においてフランジ１０２を立面方向に捩じり曲げ加工
し、フレーム１００Ａの面に対して９０度の角度で曲げ
起こし、さらに、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モー
ルドを行ない、フランジ１０２の当該一方の面に沿って
円形板状をした樹脂ベース１１０を形成する。次いで、
図１６（ｂ）に示すように、切断部Ｓ５においてアイラ
ンド１０３の両側辺から左右に突出している連結片１０
７を切断し、各リード１０５ａ〜１０５ｃをアイランド
１０３から切り離す。次いで、図１６（ｄ）に示すよう
に、フランジ１０２の一部、ここではアイランド１０３
から延長されているリード１０４上にフォトダイオード
ＰＤをマウントする。このマウントではＡｇペースト等
の導電性樹脂接着剤を用いる。なお、この際フォトダイ
オードＰＤの下に戻り光低減のため角度付の導電体を同
時にマウントしてもよい。次いで、図１６（ｄ）に示す
ように、ワイヤボンディング部Ｓ６においてレーザダイ
オードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤに対する
ワイヤボンディングを行って金属細線１１１を接続す
る。しかる後、図示は省略するが、リード構体を個片分
離部において個片に切断分離し、さらにキャップ接着部
Ｓ８においてフランジ１０２の上面側に円筒容器状をし
た金属製のキャップ１２０を被せ、当該キャップ１２０
を開口周縁部においてフランジ１０２の上面に接着す
る。これにより、半導体レーザ装置が完成される。
【００４０】この第６の実施形態では、レーザダイオー
ドとフォトダイオードを異なる手法でマウントすること
が可能であり、したがって、前述のようにレーザダイオ
ードをヒートシンクを介してマウントすることで放熱性
を高めることができる一方で、フォトダイオードは同時
にマウントした導電体によって戻り光を低減し受光効率
を向上させることが可能になる。なお、この実施形態の
場合、フォトダイオードのダイボンディングは連結片を
切断する前工程において行ってもよい。
ドとフォトダイオードを異なる手法でマウントすること
が可能であり、したがって、前述のようにレーザダイオ
ードをヒートシンクを介してマウントすることで放熱性
を高めることができる一方で、フォトダイオードは同時
にマウントした導電体によって戻り光を低減し受光効率
を向上させることが可能になる。なお、この実施形態の
場合、フォトダイオードのダイボンディングは連結片を
切断する前工程において行ってもよい。
【００４１】図１７及び図１８は本発明を半導体受光装
置に適用した第７の実施形態を示す図である。この実施
形態ではリードフレームのリード構体におけるアイラン
ド及びリードの形状が前記各実施形態とは異なる他は基
本的には同じである。すなわち、この実施形態では、図
１７（ａ）に示すように、アイランド１０３が比較的に
大きな面積に形成されるとともにフランジ１０２と連続
した状態で一体化されたリードフレーム１００−３を用
いており、図１７（ｂ）に示すように、ダイボンディン
グ部Ｓ２においてアイランド１０３にフォトダイオード
ＰＤをマウントする。次いで、図１７（ｃ）に示すよう
に、曲げ加工部Ｓ３においてアイランド１０３の両側に
おいて連結片１０７によりフランジ１０２に連結されて
いるリード１０５ｅ，１０５ｆを立面方向に捩じり曲げ
加工し、リードフレーム１００−３のフレーム１００Ａ
の面に対して９０度の角度で曲げ起こす。
置に適用した第７の実施形態を示す図である。この実施
形態ではリードフレームのリード構体におけるアイラン
ド及びリードの形状が前記各実施形態とは異なる他は基
本的には同じである。すなわち、この実施形態では、図
１７（ａ）に示すように、アイランド１０３が比較的に
大きな面積に形成されるとともにフランジ１０２と連続
した状態で一体化されたリードフレーム１００−３を用
いており、図１７（ｂ）に示すように、ダイボンディン
グ部Ｓ２においてアイランド１０３にフォトダイオード
ＰＤをマウントする。次いで、図１７（ｃ）に示すよう
に、曲げ加工部Ｓ３においてアイランド１０３の両側に
おいて連結片１０７によりフランジ１０２に連結されて
いるリード１０５ｅ，１０５ｆを立面方向に捩じり曲げ
加工し、リードフレーム１００−３のフレーム１００Ａ
の面に対して９０度の角度で曲げ起こす。
【００４２】次いで、図１８（ａ）に平面図と正面図を
示すように、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モールド
を行ない、フランジ１０２の当該一方の面に沿って円形
板状をした樹脂ベース１１０を形成する。次いで、切断
部Ｓ５においてアイランド１０３の両側辺から左右に突
出している連結片１０７の一方（同図では右側）を切断
し、切断した側のリード１０５ｆをアイランドから切り
離す。次いで、図１８（ｂ）に平面図と正面図を示すよ
うに、ワイヤボンディング部Ｓ６においてアイランド１
０３上のフォトダイオードＰＤと切断した側のリード１
０５ｆとを金属細線１１１で接続する。しかる後、図１
８（ｃ）に平面図と正面図を示すように、リード構体を
個片分離部Ｓ７において個片に切断分離し、さらにキャ
ップ接着部Ｓ８においてフランジ１０２の上面側に円筒
容器状をした金属製のキャップ１２０を被せ、当該キャ
ップ１２０を開口周縁部においてフランジ１０２の上面
に接着する。これにより、半導体受光装置が完成され
る。
示すように、樹脂モールド部Ｓ４において樹脂モールド
を行ない、フランジ１０２の当該一方の面に沿って円形
板状をした樹脂ベース１１０を形成する。次いで、切断
部Ｓ５においてアイランド１０３の両側辺から左右に突
出している連結片１０７の一方（同図では右側）を切断
し、切断した側のリード１０５ｆをアイランドから切り
離す。次いで、図１８（ｂ）に平面図と正面図を示すよ
うに、ワイヤボンディング部Ｓ６においてアイランド１
０３上のフォトダイオードＰＤと切断した側のリード１
０５ｆとを金属細線１１１で接続する。しかる後、図１
８（ｃ）に平面図と正面図を示すように、リード構体を
個片分離部Ｓ７において個片に切断分離し、さらにキャ
ップ接着部Ｓ８においてフランジ１０２の上面側に円筒
容器状をした金属製のキャップ１２０を被せ、当該キャ
ップ１２０を開口周縁部においてフランジ１０２の上面
に接着する。これにより、半導体受光装置が完成され
る。
【００４３】この第７の実施形態による半導体受光装置
においては、半導体レーザ装置と同様に生産性が向上で
き、高品質が得られる優れた半導体受光装置として構成
することが可能である。
においては、半導体レーザ装置と同様に生産性が向上で
き、高品質が得られる優れた半導体受光装置として構成
することが可能である。
【００４４】図１９は本発明を小型半導体レーザ装置に
適用した第８の実施形態である。図１９（ａ）に示すよ
うに、リードフレーム１００−４のリード構体は一部の
形状、特にフランジ１０２の形状として両側辺が切り欠
かれた円形の外形状とされている他は大略において第１
の実施形態のリードフレームと同じである。しかる上
で、図１９（ｂ）に示すように、アイランド１０３にフ
ォトダイオードＰＤとレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２
をマウントした後、アイランド１０３とこれに連結片１
０７を介して接続されているリード１０４，１０５ａ〜
１０５ｃをフランジ１０２に対して９０度曲げ加工す
る。続いて、フランジ１０２に樹脂ベース（図示せず）
を形成した後、アイランド１０３とリード１０５ａ〜１
０５ｃとを連結している連結片１０７を切断する。その
後、図１９（ｃ）に示すように、フォトダイオードＰＤ
及びレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２をリード１０５ａ
〜１０５ｃに金属細線１１１でワイヤボンディングし、
さらにここでは連結片１０８をフレーム１００Ａから切
断して個片に分離した後、矩形をしたキャップ１２０Ａ
を接着する。このとき、樹脂ベースの下面に突出されて
いるリード１０４，１０５ａ〜１０５ｃを樹脂ベースの
底面に沿って曲げ加工し、他の接地側のリード１０４と
平行に向けてもよい。
適用した第８の実施形態である。図１９（ａ）に示すよ
うに、リードフレーム１００−４のリード構体は一部の
形状、特にフランジ１０２の形状として両側辺が切り欠
かれた円形の外形状とされている他は大略において第１
の実施形態のリードフレームと同じである。しかる上
で、図１９（ｂ）に示すように、アイランド１０３にフ
ォトダイオードＰＤとレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２
をマウントした後、アイランド１０３とこれに連結片１
０７を介して接続されているリード１０４，１０５ａ〜
１０５ｃをフランジ１０２に対して９０度曲げ加工す
る。続いて、フランジ１０２に樹脂ベース（図示せず）
を形成した後、アイランド１０３とリード１０５ａ〜１
０５ｃとを連結している連結片１０７を切断する。その
後、図１９（ｃ）に示すように、フォトダイオードＰＤ
及びレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２をリード１０５ａ
〜１０５ｃに金属細線１１１でワイヤボンディングし、
さらにここでは連結片１０８をフレーム１００Ａから切
断して個片に分離した後、矩形をしたキャップ１２０Ａ
を接着する。このとき、樹脂ベースの下面に突出されて
いるリード１０４，１０５ａ〜１０５ｃを樹脂ベースの
底面に沿って曲げ加工し、他の接地側のリード１０４と
平行に向けてもよい。
【００４５】この第８の実施形態では、フランジの形状
が両側辺において切り欠いているため、図１９（ｃ）の
ように図面の上下方向の寸法Ｄを低減することができ、
前記した各実施形態に比較して幅寸法を低減することが
可能となり、本半導体レーザ装置を実装する場合の取付
筐体の高さに制限を受けることが少なくなる。また、各
リードをフランジに沿って水平方向に曲げることで全体
として薄型化を図ることができる。勿論、各リードを垂
直方向に延長したままで構成することが可能であること
は言うまでもない。
が両側辺において切り欠いているため、図１９（ｃ）の
ように図面の上下方向の寸法Ｄを低減することができ、
前記した各実施形態に比較して幅寸法を低減することが
可能となり、本半導体レーザ装置を実装する場合の取付
筐体の高さに制限を受けることが少なくなる。また、各
リードをフランジに沿って水平方向に曲げることで全体
として薄型化を図ることができる。勿論、各リードを垂
直方向に延長したままで構成することが可能であること
は言うまでもない。
【００４６】ここで、前記各実施形態では、フランジ上
に接着されるキャップは円筒状あるいは矩形の容器状に
形成した例を示しているが、この形状に限定されるもの
ではない。すなわち、前記各実施形態でのキャップは光
半導体素子及びこれに接続される金属細線やリードを機
械的な外力から保護するために設けられているものであ
るため、少なくとも光半導体素子をマウントした側にキ
ャップを配設すればその目的を達成することが可能であ
る。図２０は前記第１の実施形態に適用した例であり、
フォトダイオードＰＤ、半導体レーザダイオードＬＤ
１，ＬＤ２を搭載したアイランド１０３の表面側におい
てのみ、これらの素子、アイランド１０３、金属細線１
１１及び各リード１０５ａ〜１０４ａのインナー部を覆
うように半円筒状のキャップ１２０Ｂをフランジ１０２
上に接着している。このようなキャップを用いることに
より、第１の実施形態の製造方法においては、図８に示
したワイヤボンディング工程の直後にリード構体１０１
をフレーム１００Ａから個片に分離する前にフランジ１
０２にキャップ１２０Ｂを接着することが可能になり、
第２の実施形態の場合と同様に個片状態での製造工程を
無くすことができ、製造の自動化を図る上で有効であ
る。
に接着されるキャップは円筒状あるいは矩形の容器状に
形成した例を示しているが、この形状に限定されるもの
ではない。すなわち、前記各実施形態でのキャップは光
半導体素子及びこれに接続される金属細線やリードを機
械的な外力から保護するために設けられているものであ
るため、少なくとも光半導体素子をマウントした側にキ
ャップを配設すればその目的を達成することが可能であ
る。図２０は前記第１の実施形態に適用した例であり、
フォトダイオードＰＤ、半導体レーザダイオードＬＤ
１，ＬＤ２を搭載したアイランド１０３の表面側におい
てのみ、これらの素子、アイランド１０３、金属細線１
１１及び各リード１０５ａ〜１０４ａのインナー部を覆
うように半円筒状のキャップ１２０Ｂをフランジ１０２
上に接着している。このようなキャップを用いることに
より、第１の実施形態の製造方法においては、図８に示
したワイヤボンディング工程の直後にリード構体１０１
をフレーム１００Ａから個片に分離する前にフランジ１
０２にキャップ１２０Ｂを接着することが可能になり、
第２の実施形態の場合と同様に個片状態での製造工程を
無くすことができ、製造の自動化を図る上で有効であ
る。
【００４７】以上各実施形態について説明したが、本発
明におけるリードフレームは、組立工程の途中でフラン
ジ或いはリードを９０度曲げ加工することが必要である
ため、この曲げ加工によっても曲げた部分がフレームか
ら裂断されることがないようにある程度の強度を有する
材料で用いることが必要である。前記実施形態ではＣｕ
を用いたが、その他に４２アロイ、アルミニウム、アル
ミニウム合金等の他の金属材料を用いることも可能であ
る。また、前記リードフレームの形状、特にフレーム内
に形成されるリード構体を構成するフランジ、アイラン
ド、リードの形状は前記各実施形態に限られるものでは
なく、また寸法についても要求される光半導体装置に対
応して任意の形状、寸法に構成できるものであることは
言うまでもない。
明におけるリードフレームは、組立工程の途中でフラン
ジ或いはリードを９０度曲げ加工することが必要である
ため、この曲げ加工によっても曲げた部分がフレームか
ら裂断されることがないようにある程度の強度を有する
材料で用いることが必要である。前記実施形態ではＣｕ
を用いたが、その他に４２アロイ、アルミニウム、アル
ミニウム合金等の他の金属材料を用いることも可能であ
る。また、前記リードフレームの形状、特にフレーム内
に形成されるリード構体を構成するフランジ、アイラン
ド、リードの形状は前記各実施形態に限られるものでは
なく、また寸法についても要求される光半導体装置に対
応して任意の形状、寸法に構成できるものであることは
言うまでもない。
【００４８】また、前記各実施形態では上面に開口部を
設けたキャップを用いた例を示しているが、当該開口部
に集光レンズを配設して内部を封止した構造とすること
も可能である。また、特にキャップを被せることがない
光半導体装置として構成することも可能である。さら
に、前記アイランドに搭載する光半導体素子については
前記各実施形態の構成に限定されるものではない。
設けたキャップを用いた例を示しているが、当該開口部
に集光レンズを配設して内部を封止した構造とすること
も可能である。また、特にキャップを被せることがない
光半導体装置として構成することも可能である。さら
に、前記アイランドに搭載する光半導体素子については
前記各実施形態の構成に限定されるものではない。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光半導体
装置は、パッケージがいわゆるキャン型に分類される構
成であるため、既存のキャン型の半導体レーザ装置を用
いる光学機器へそのまま適用することが可能になる。ま
た、フランジ及びアイランドはリードフレームに一体に
形成されているので光半導体素子で発生した熱をアイラ
ンドからフランジにまで伝達して高い放熱性を得ること
ができる。また、フランジとアイランドとが一体である
ことにより、フランジとアイランドにダイボンディング
するレーザダイオードとの相対位置を高精度に管理し、
光学機器の基準面に対してフランジの表面を当接した状
態で当該半導体レーザ装置の実装を行うことで、光学機
器の光源位置に対して半導体レーザ装置を高精度に位置
設定することも可能になる。
装置は、パッケージがいわゆるキャン型に分類される構
成であるため、既存のキャン型の半導体レーザ装置を用
いる光学機器へそのまま適用することが可能になる。ま
た、フランジ及びアイランドはリードフレームに一体に
形成されているので光半導体素子で発生した熱をアイラ
ンドからフランジにまで伝達して高い放熱性を得ること
ができる。また、フランジとアイランドとが一体である
ことにより、フランジとアイランドにダイボンディング
するレーザダイオードとの相対位置を高精度に管理し、
光学機器の基準面に対してフランジの表面を当接した状
態で当該半導体レーザ装置の実装を行うことで、光学機
器の光源位置に対して半導体レーザ装置を高精度に位置
設定することも可能になる。
【００５０】また、本発明の光半導体装置の製造方法で
は、ダイボンディング工程、曲げ加工工程、絶縁性ベー
スの形成工程、切断工程、ワイヤボンディング工程、及
びリード構体を個片に切断分離する工程をリードフレー
ム状態でのバッチ処理で行うことができる。これによ
り、製造の自動組立が可能になり、生産性の高い、かつ
高品質な半導体レーザ装置の組立が実現可能になる。
は、ダイボンディング工程、曲げ加工工程、絶縁性ベー
スの形成工程、切断工程、ワイヤボンディング工程、及
びリード構体を個片に切断分離する工程をリードフレー
ム状態でのバッチ処理で行うことができる。これによ
り、製造の自動組立が可能になり、生産性の高い、かつ
高品質な半導体レーザ装置の組立が実現可能になる。
【図１】本発明にかかる半導体レーザ装置の第１の実施
形態の一部を破断した斜視図である。
形態の一部を破断した斜視図である。
【図２】第１の実施形態で用いられるリードフレームの
２つのフレームを示す図である。
２つのフレームを示す図である。
【図３】第１の実施形態の製造装置のブロック構成図で
ある。
ある。
【図４】第１の実施形態の製造方法の工程１の平面図と
側面図である。
側面図である。
【図５】第１の実施形態の製造方法の工程２の平面図と
側面図である。
側面図である。
【図６】第１の実施形態の製造方法の工程３の平面図と
側面図である。
側面図である。
【図７】第１の実施形態の製造方法の工程４の平面図と
側面図である。
側面図である。
【図８】第１の実施形態の製造方法の工程５の平面図と
側面図である。
側面図である。
【図９】第１の実施形態の製造方法の工程６の平面図と
側面図である。
側面図である。
【図１０】第１の実施形態の製造方法の工程７の平面図
と側面図である。
と側面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態を工程順に示す図で
ある。
ある。
【図１２】本発明の第２の実施形態の製造装置を示すブ
ロック構成図である。
ロック構成図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態を工程順に示す図で
ある。
ある。
【図１４】本発明の第４の実施形態を工程順に示す図で
ある。
ある。
【図１５】本発明の第５の実施形態を工程順に示す図で
ある。
ある。
【図１６】本発明の第６の実施形態を工程順に示す図で
ある。
ある。
【図１７】本発明の第７の実施形態の工程前半の平面図
である。
である。
【図１８】本発明の第７の実施形態の工程後半の平面図
と正面図である。
と正面図である。
【図１９】本発明の第８の実施形態を工程順に示す図で
ある。
ある。
【図２０】異なるキャップを接着した第１の実施形態の
変形例の斜視図である。
変形例の斜視図である。
【図２１】従来の半導体レーザ装置の一例の斜視図であ
る。
る。
【図２２】従来の異なる半導体レーザ装置の斜視図であ
る。
る。
【図２３】従来の更に異なる半導体レーザ装置の斜視図
である。
である。
１００，１００−１〜１００−３ リードフレーム
１００Ａ フレーム
１０１ リード構体
１０２ フランジ
１０３ アイランド
１０４ ，１０５ａ〜１０５ｆ リード
１０６，１０７，１０８ 連結片
１１０ 樹脂ベース
１１１ 金属細線
１２０ キャップ
１２１ 開口窓
ＰＤ フォトダイオード
ＬＤ１，ＬＤ２ レーザダイオード
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F067 CC05 CC07 CD01
5F073 AB15 BA05 EA29 FA02 FA11
FA16 FA28 FA29 FA30
5F088 AA01 BB10 JA02 JA06 JA07
JA18
Claims (19)
- 【請求項１】 導電材料からなるフランジと、前記フラ
ンジと一体的に設けられた絶縁性ベースと、前記フラン
ジと一体に設けられて光半導体素子を搭載したアイラン
ドと、前記絶縁性ベースに支持されて前記光半導体素子
に電気接続されたリードとを備える光半導体装置であっ
て、前記アイランドと前記リードは前記フランジと同一
材料で形成され、かつ少なくとも前記リードは前記フラ
ンジに対して曲げ形成されていることを特徴とする光半
導体装置。 - 【請求項２】 前記アイランド及び前記リードの少なく
とも一方が前記フランジに対して曲げ形成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 前記リードは前記絶縁性ベースを貫通し
た状態に支持され、前記アイランド側のインナー部にお
いて前記光半導体素子にワイヤボンディングされている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記フランジは一側辺を切り欠いた円形
の外形状をしていることを特徴とする請求項１ないし３
のいずれかに記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 前記フランジは両側辺を切り欠いた円形
の外形状をしていることを特徴とする請求項１ないし３
のいずれかに記載の光半導体装置。 - 【請求項６】 前記フランジは前記絶縁性ベースの表面
に露出していることを特徴とする請求項１ないし５のい
ずれかに記載の光半導体装置。 - 【請求項７】 少なくとも前記フランジ上に前記光半導
体素子を覆うように被せられ、かつ前記光半導体装置の
光軸上に開口窓を有するキャップが接着されていること
を特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の光半
導体装置。 - 【請求項８】 前記キャップは金属あるいは樹脂からな
る円筒容器状に形成されていることを特徴とする請求項
７に記載の光半導体装置。 - 【請求項９】 前記キャップは金属あるいは樹脂からな
る半円筒容器状に形成されていることを特徴とする請求
項７に記載の光半導体装置。 - 【請求項１０】 前記キャップの周囲には前記フランジ
が露出状態に延在されていることを特徴とする請求項７
ないし９のいずれかに記載の光半導体装置。 - 【請求項１１】 前記光半導体素子はレーザダイオー
ド、発光ダイオード、フォトダイオードのいずれか又は
これらの組み合わせであることを特徴とする請求項１な
いし１０のいずれかに記載の光半導体装置。 - 【請求項１２】 フランジ、アイランド及びリードで構
成されるリード構体をフレーム内に設けたリードフレー
ムを形成し、前記アイランドに光半導体素子をダイボン
ディングする工程と、少なくとも前記リードが前記フラ
ンジに対して９０度の面方向となるように曲げ加工する
工程と、前記フランジに絶縁性ベースを一体化する工程
と、少なくとも前記リードとフランジとを切断分離する
工程と、前記光半導体素子と前記リードとをワイヤボン
ディングする工程と、前記リード構体を前記フレームか
ら切断分離する工程とを含むことを特徴とする光半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記フランジに樹脂モールド法により
樹脂製の絶縁性ベースを形成することを特徴とする請求
項１２に記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記アイランドに光半導体素子をダイ
ボンディングした後に前記曲げ加工する工程を行うこと
を特徴とする請求項１２又は１３に記載の光半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記曲げ加工する工程の後に前記アイ
ランドに光半導体素子をダイボンディングすることを特
徴とする請求項１２又は１３に記載の光半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１６】 前記フランジ上に前記アイランド、リ
ード等を覆うキャップを接着する工程を含むことを特徴
とする請求項１２ないし１５のいずれかに記載の光半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記フランジを前記フレームの面に対
して９０度の面方向に曲げ加工することを特徴とする請
求項１２ないし１６のいずれかに記載の光半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１８】 前記リードのみ又は前記アイランド及
びリードを前記フレームの面に対して９０度の面方向に
曲げ加工することを特徴とする請求項１２ないし１７の
いずれかに記載の光半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記フレームの一部を切り欠いた開口
を設け、当該開口側からキャップを被せて接着を行うこ
とを特徴とする請求項１２ないし１７のいずれかに記載
の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002100767A JP3759064B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US10/406,719 US6829266B2 (en) | 2002-04-03 | 2003-04-03 | Optical semiconductor device increasing productivity and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002100767A JP3759064B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 光半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003298169A true JP2003298169A (ja) | 2003-10-17 |
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ID=29388495
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002100767A Expired - Fee Related JP3759064B2 (ja) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | 光半導体装置及びその製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6829266B2 (ja) |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319256A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用気密端子 |
| JP2007294853A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置 |
| JP2009016794A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | キャップレスパッケージ及びその製造方法 |
| JP2009099633A (ja) * | 2007-10-13 | 2009-05-07 | Nichia Corp | 半導体発光装置 |
| KR20170022754A (ko) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 엘지전자 주식회사 | 광원모듈 패키지 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1544923A3 (de) * | 2003-12-19 | 2007-03-14 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips auf einem Leiterrahmen |
| KR100576881B1 (ko) * | 2005-01-03 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드장치 및 그 제조방법 |
| US20080303127A1 (en) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Cap-less package and manufacturing method thereof |
| JP2009141157A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置 |
| DE102010046088A1 (de) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses |
| DE102010046090A1 (de) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement |
| US10295768B2 (en) * | 2016-07-08 | 2019-05-21 | Finisar Corporation | Chip on leadframe optical subassembly |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US6020632A (en) * | 1997-02-26 | 2000-02-01 | Motorola, Inc. | Electronic component including an adjustable cap |
| US5945891A (en) * | 1998-03-02 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Molded waveguide feed and method for manufacturing same |
| JP4162363B2 (ja) | 1999-06-29 | 2008-10-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2001068778A (ja) | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
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-
2003
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319256A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用気密端子 |
| JP2007294853A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置 |
| JP2009016794A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | キャップレスパッケージ及びその製造方法 |
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