JP2003297557A - エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 131
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 130
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910001631 strontium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L strontium dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sr+2] AHBGXTDRMVNFER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylamino)propan-1-ol Chemical compound OCCCNCCCO CXMYWOCYTPKBPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004755 Cerium(III) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910009523 YCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006188 syrup Substances 0.000 description 1
- 235000020357 syrup Nutrition 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K yttrium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Y+3] PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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Abstract
因する不都合を防止し、製品間での装置寿命のバラツキ
を抑えた、エレクトロルミネッセンス装置とその製造方
法、電子機器を提供する。 【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子部3を形
成した基板2の一方の面に、接着剤を介して封止部材5
を接着し、エレクトロルミネッセンス装置1を製造する
方法である。真空雰囲気中にて、基板2の一方の面に、
エレクトロルミネッセンス素子部3を囲むように設けら
れた未硬化の接着剤を介して非ガス透過性で可撓性の材
料からなる封止部材5を配置する工程と、封止部材5を
配置する工程の後、基板2が配置された室内の雰囲気の
圧力を高める工程と、雰囲気の圧力を高めた後、未硬化
の接着剤を硬化させる工程と、を備えている。
Description
ッセンス(以下、ELという)装置と、その製造方法、
並びに電子機器に関する。
機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)の信
頼性向上や長寿命化を図るため、有機EL素子部を構成
する発光層や電極を水分(湿気)や酸素などの雰囲気ガ
スから確実に遮断することが重要とされている。この目
的から、有機EL素子部を形成した基板(透明基板)と
封止部材とを接着剤を介して一体化することにより、こ
れらの間に封止した有機EL素子部を前記雰囲気ガス等
から保護する技術が知られている。
し、次に、この封止部材と基板とを重ね合わせ、これら
と接着剤とで囲まれた空間(封止空間)に有機EL素子
部を封止する。次いで、封止部材と基板とを圧着するこ
とにより、これらの間に挟まれた接着剤を押し広げ、そ
の後、この接着剤を硬化させる。
た際、封止空間の容積は接着剤が押し潰されることによ
り減少し、これに伴って封止空間の内圧が上昇する。す
ると、この内圧上昇により接着剤が不均一に広がってし
まい、封止部材と透明基板とを接合する封止ラインの形
状が不均一になってしまうことから、得られる製品間に
おいてその接着強度にバラツキが生じてしまう。また、
封止空間内の気体が接着剤に孔(気道)を作って抜け出
てしまい、この気道が接着剤の硬化後まで残ってしまう
ものもでることから、得られる製品間で内圧のバラツキ
によるパネル寿命のバラツキが生じ、さらに気道の残存
が甚だしい場合には、素子の封止不良になってしまうこ
ともある。
防止するため、例えば特開2001−155854の公
報に記載された技術では、基板または封止部材に溝を形
成し、圧着時に前記溝をパネルの内側から外側にガスが
抜けるトンネルとして機能させることにより、パネル内
圧の上昇を抑えている。また、特開2001−2300
70の公報に記載された技術では、大気圧状態で重ね合
わせた基板と封止部材とを圧着する過程で、接着剤がパ
ネル内側(封止空間側)に流動するのを防止する目的
で、パネル外圧を徐々にあるいは段階的に減圧してい
る。
溝を形成する技術では、接着剤の形成バラツキ(塗布量
バラツキ)などによってトンネル(溝)が塞がれる時間
にバラツキが生じてしまい、結果として得られる製品ご
とに内圧のバラツキが生じ、これが製品間のパネル寿命
のバラツキを招く一因となっている。また、パネル外圧
を圧着過程で減圧する技術では、製品毎の寸法等のバラ
ツキにより、パネルの内圧と外圧とのバランスを製品間
で一定に保つのが困難であり、結果的に接着剤の流動を
製品間で均一に制御できないといった課題がある。
で、その目的とするところは、封止時において封止空間
での内圧の上昇に起因する不都合を防止し、製品間での
装置寿命(パネル寿命)のバラツキを抑えた、EL装置
とその製造方法、並びに電子機器を提供することにあ
る。
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、一方の面
にエレクトロルミネッセンス素子部を形成した基板と、
前記エレクトロルミネッセンス素子部を囲むように設け
られた接着剤を介して、前記基板に接着された封止部材
と、を有し、前記封止部材は、非ガス透過性で可撓性の
材料からなることを特徴としている。このエレクトロル
ミネッセンス装置によれば、封止部材として非ガス透過
性で可撓性の材料のものを用いているので、これらと接
着剤とに囲まれた封止空間の内圧と外圧との差が製造時
に変化しても、封止部材が撓むことによって前記の内外
圧差を吸収することができる。これにより製品間での内
圧のバラツキに起因する装置寿命のバラツキを抑制する
ことができる。
においては、前記接着剤が、エレクトロルミネッセンス
素子部に対して二重あるいはそれ以上に囲んでいるのが
好ましい。このようにすれば、接着剤に囲まれた封止空
間の気密性がより良好になり、雰囲気ガスによるエレク
トロルミネッセンス素子部の劣化をより確実に防止する
ことができる。
においては、前記封止部材が、接着剤と接触している箇
所の厚さが接触していない箇所の厚さに比べ薄く形成さ
れているのが好ましい。このようにすれば、接着剤の厚
さが封止部材の厚さの差に吸収されることから、この吸
収される厚さ分、エレクトロルミネッセンス装置の薄厚
化を図ることができる。
においては、前記封止部材における、前記エレクトロル
ミネッセンス素子部に対向する面の、前記接着剤に囲ま
れた位置に、乾燥剤が設けられているのが好ましい。こ
のようにすれば、封止空間内に水分(湿気)が入り込ん
でも、これを乾燥剤で吸収することにより、エレクトロ
ルミネッセンス素子部への影響を抑えることができる。
においては、前記接着剤が、光硬化型樹脂からなってい
るのが好ましい。このようにすれば、特に接着剤の硬化
に熱を使用しないため、熱によるエレクトロルミネッセ
ンス素子部の劣化をなくすことができる。
製造方法は、エレクトロルミネッセンス素子部を形成し
た基板の一方の面に、接着剤を介して封止部材を接着
し、エレクトロルミネッセンス装置を製造する方法であ
って、真空雰囲気中にて、前記基板の一方の面に、前記
エレクトロルミネッセンス素子部を囲むように設けられ
た未硬化の接着剤を介して非ガス透過性で可撓性の材料
からなる封止部材を配置する工程と、前記封止部材を配
置する工程の後、前記基板が配置された室内の雰囲気の
圧力を高める工程と、雰囲気の圧力を高めた後、前記未
硬化の接着剤を硬化させる工程と、を備えてなることを
特徴としている。
て、基板の一方の面に、エレクトロルミネッセンス素子
部を囲むように設けられた未硬化の接着剤を介して封止
部材を配置し、封止するので、接着に伴って接着剤が押
し潰されることにより封止空間の容積が減少しても、封
止空間はもともと真空であることから、影響を及ぼすよ
うな封止空間の内圧上昇が起こらない。したがって、内
圧の上昇に起因して接着剤が不均一に押し広げられ、封
止部材と基板とを接合する封止ラインの形状が不均一に
なってしまい、これにより接着強度にバラツキが生じて
しまうことを防止することができる。また、封止空間内
の気体が接着剤に孔(気道)を作って抜け出てしまうと
いったこともないため、この孔(気道)に起因する不都
合も回避することができる。また、この状態から雰囲気
の圧力を常圧に向けて高めるので、封止空間の内圧と外
圧とに大きな差が生じるものの、封止部材が基板側に撓
んで封止空間の容積を小さくすることにより、前記の内
外圧差が吸収され、結果的に封止空間内は真空が維持さ
れる。したがって、得られる製品はその封止空間の内圧
が真空を維持していることにより、長寿命化が図られて
いるとともに、製品間での内圧のバラツキがほとんどな
くなり、よって内圧のバラツキに起因する装置寿命のバ
ラツキを抑えることができる。
の製造方法においては、前記真空雰囲気を10-5Pa以
下の真空度とするのが好ましい。このようにすれば、封
止空間に残存する水分(湿気)や酸素の量を十分に小に
することができ、これにより水分(湿気)や酸素による
有機EL素子部の劣化を十分防止することができる。
の製造方法においては、前記封止部材を配置する工程に
おいて、前記接着剤を加熱し、その粘度を低下させるの
が好ましい。このようにすれば、基板に封止部材を配置
した際に接着剤が良好に広がることから、基板と接着剤
との接着、および封止部材と接着剤との接着がともに良
好になり、接着剤による封止をより確実にすることがで
きる。
は、前記封止部材および基板の少なくとも一方を加熱用
プレートに接触させることにより、接着剤を加熱するの
が好ましい。このようにすれば、雰囲気が真空であるに
もかかわらず、容易に接着剤を加熱することができる。
においては、前記接着剤を硬化させる工程において、前
記基板および前記封止部材の少なくとも一方に対し、こ
れらが近接する方向に外力を加えるのが好ましい。この
ようにすれば、基板と封止部材とが近接する方向に外力
を加えることにより、接着剤を押し広げて接着剤の厚さ
(高さ)を薄く(低く)することができ、したがってエ
レクトロルミネッセンス装置の薄厚化を図ることができ
る。
の製造方法においては、前記接着剤がエレクトロルミネ
ッセンス素子部に対して二重あるいはそれ以上に囲むよ
うに、該接着剤を配置するのが好ましい。このようにす
れば、接着剤に囲まれた封止空間の気密性をより良好に
することができ、雰囲気ガスによるエレクトロルミネッ
センス素子部の劣化をより確実に防止することができ
る。
の製造方法においては、前記封止部材は、接着剤と接触
する箇所の厚さが接触しない箇所の厚さに比べ薄く形成
されてなるのが好ましい。このようにすれば、接着剤の
厚さを封止部材の厚さの差で吸収することができること
から、この吸収した厚さ分、エレクトロルミネッセンス
装置の薄厚化を図ることができる。
の製造方法においては、封止部材における、前記エレク
トロルミネッセンス素子部に対向する面の、前記接着剤
に囲まれる位置に、乾燥剤を設けるのが好ましい。この
ようにすれば、製造後、製品の封止空間内に水分(湿
気)が入り込んでも、これを乾燥剤で吸収することによ
り、エレクトロルミネッセンス素子部への影響を抑える
ことができる。
の製造方法においては、前記接着剤として、光硬化型樹
脂からなる接着剤を用いるのが好ましい。このようにす
れば、特に接着剤の硬化に熱を使用しないため、熱によ
る有機EL素子部の劣化をなくすことができる。
ルミネッセンス装置を表示手段とすることを特徴として
いる。この電子機器によれば、前記のエレクトロルミネ
ッセンス装置を表示手段としているので、装置寿命のバ
ラツキが抑制された良好なものとなる。
図1は本発明のエレクトロルミネッセンス装置を有機E
Lパネルに適用した場合の一実施形態例を示す図であ
り、図1において符号1は有機ELパネル(エレクトロ
ルミネッセンス装置)である。この有機ELパネル1
は、基板2と、この基板2の一方の面(素子形成面)に
形成された有機EL素子部(エレクトロルミネッセンス
素子部)3と、接着剤4を介して前記基板2の素子形成
面に接着された封止部材5とから概略構成されたもので
ある。
透明ないし半透明の材料からなるものが好適に用いられ
る。すなわち、有機EL素子では後述する発光層から発
光する光を基板2側から取り出す場合が多いため、この
基板2としては透明ないし半透明のものが好適に用いら
れるのである。ただし、発光した光を基板2と反対の側
から取り出す構成とすることもでき、その場合には基板
2は透明であっても不透明であってもよい。なお、透明
性を有し、さらに水分(湿気)や酸素などの遮断性(非
ガス透過性)を有していることから、ガラスを用いるの
が好ましい。
3は、低温ポリシリコンTFTなどの駆動素子部の上
に、陽極、有機EL層、陰極(いずれも図示せず)が積
層され、構成されたものである。有機EL層は、発光層
のみから構成されていてもよく、また、発光層に加えて
正孔輸送層及び/又は電子輸送層が設けられて構成され
ていてもよく、さらには正孔注入層及び/又は電子注入
層が設けられて構成されていてもよい。
る材料としては、それぞれ従来公知の種々の材料を用い
ることができる。また、これらの各層を形成する方法と
しても、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ス
パッタリング法、LB法、インクジェット法等の公知の
方法から適宜選択して用いることができる。
で設けられ、硬化せしめられたもので、これにより該接
着剤4と基板2と封止部材5とで囲んだ空間(封止空
間)に、有機EL素子部3を気密に封止したものであ
る。この接着剤4としては、後述するように真空雰囲気
中で使用することから、無溶剤タイプのものが好適とさ
れ、具体的には、無溶剤アクリル系シラップからなる
「アクリラップ(登録商標)SY;三菱レイヨン社製」
などが挙げられる。また、有機EL素子部3に対する熱
ストレスを避けるため、光硬化型、特に紫外線硬化型の
樹脂からなるものを用いるのが好ましく、例えばカチオ
ン重合性のエポキシ樹脂系接着剤が好適に用いられる。
などを透過しない非ガス透過性のもので、かつ可撓性を
有する材料からなるものが用いられる。例えば、各種の
樹脂シートやフィルムが好適に用いられる。なお、有機
EL素子部から発光した光を基板2と反対の側、すなわ
ち封止部材5側から取り出す構成とする場合には、当然
ながらこの封止部材5を、透明または半透明の材料によ
って形成する必要がある。
製造方法に基づき、本発明の製造方法の一例を説明す
る。まず、予め基板2の一方の面に有機EL素子部3を
形成したものを用意し、また、封止部材5の一方の面に
ディスペンサによる塗布やスクリーン印刷によって接着
剤4を塗布したものを用意する。この接着剤4の塗布に
ついては、後述するように封止部材5が基板2に貼設さ
れた際、基板2上の有機EL素子部3を囲んだ状態とな
るよう環状に塗布しておく。なお、この接着剤4につい
ては、後述するように基板2に圧着した際、押し広げら
れることによりその内部、すなわち封止空間を気密にす
ることができるよう、十分な量でかつ十分な厚さ(例え
ば10〜300μm)で塗布する必要がある。したがっ
て、必ずしも接着剤4を連続させて塗布することなく、
断続的に塗布してもよいが、気密性をより確実に得るた
めには、接着剤4を環状に連続させて塗布するのが好ま
しい。
接着剤4を有機EL素子部3に対して二重あるいはそれ
以上に囲むよう、該接着剤4を塗布してもよい。さら
に、基板2によって押し潰された際、接着剤4が必要以
上に広がってしまう場合には、接着剤4中に、液晶パネ
ルで使用されるようなギャップ材を混入しておき、接着
剤4の厚さが必要以上に薄くなることを防止しておくの
が有効である。このようなギャップ材としては、20μ
m以下、好ましくは5μm以下のものが用いられる。こ
こで、後述するように必要に応じて基板2を加圧し、こ
れを封止部材5に密着させようとした場合に、加圧力が
基板2上の有機EL素子部3にまで及ぶと、該有機EL
素子部3にダメージを与えてしまうおそれがある。そこ
で、前記のギャップ材を用いることにより、加圧力をこ
のギャップ材で吸収し、前記のダメージを防止すること
ができる。
された封止部材5を、図2(a)に示すように真空チャ
ンバー6内に入れ、ステージ7上に接着剤4を上にして
載置する。また、これとは別に用意した前記の基板2
を、その有機EL素子部3が封止部材5側となるように
して封止部材5上に重ね合わせ、これに貼設する。この
とき、封止部材5上の接着剤4が、図2(a)に示した
ように有機EL素子部3を囲んだ状態となるようにして
貼設する。
しては、例えば図3に示すような真空チャンバー6を多
数備えた真空処理装置8が用いられる。この真空処理装
置8は、多数の真空チャンバー6と、これら真空チャン
バー6のいずれにも扉(図示せず)を介して連通する搬
送室9とを備えてなるもので、搬送室9への出入り口9
aを通って搬送室9に搬送されることにより、全ての真
空チャンバー6に出入りできるよう構成されたものであ
る。また、これら真空チャンバー6および搬送室9は、
それぞれに真空ポンプ(図示せず)が連結されており、
これによってそれぞれの室が独立してその真空度を保持
できるようになっている。
剤4の塗布を真空処理装置8の外で大気中にて行った
後、搬送装置(図示せず)により搬送室9を通して真空
チャンバー6内のステージ7上にセットしてもよく、あ
るいは、真空チャンバー6内のステージ7上で直接接着
剤4を塗布してもよい。また、真空チャンバー6内で接
着剤4を塗布する場合には、常圧で塗布を行った後、真
空チャンバー6内を真空ポンプによって真空雰囲気にし
てもよく、あるいは真空雰囲気の状態で接着剤4を塗布
してもよい。一方、基板2については、予め別の真空チ
ャンバー6内で封止の前工程、例えば有機EL素子部3
の陰極の形成を真空蒸着で行った後、そこに待機させて
おく。そして、搬送装置で搬送室9を通って封止部材5
がセットされた真空チャンバー6内に搬送し、前述した
ように封止部材5上に重ね合わせてこれに貼設する。そ
の際、前処理を行った真空チャンバー6、搬送室9、封
止部材5をセットした真空チャンバー6については、い
ずれも真空雰囲気にしておく。
を封止部材5上に貼設すると、基板2の重さによって接
着剤4は押し潰され、これにより接着剤4は幅方向に広
げられる。このとき、接着剤4の粘度が高く、流動性が
低くて基板2の重さだけでは十分に広がらない場合に
は、この接着剤4を有機EL素子部3に影響がない程
度、例えば40〜80℃程度にまで加熱し、粘度を低く
するようにしてもよい。例えば、20℃で粘度が200
000cPの接着剤を45℃に加熱することにより、そ
の粘度を2500cPにまで低下させることができる。
加熱方法としては、予めステージ7にヒータを設けてお
き、これにより封止部材5を介して接着剤4を加熱する
といった方法が採られる。なお、この方法に代えて、例
えば赤外線ヒータによる赤外線照射や、レーザーの照射
によって接着剤4を加熱するようにしてもよい。
しては、高真空度、例えば10-5Pa以下の真空度に保
持するのが好ましい。このようにすれば、基板2と封止
部材5との間の封止空間に残存する水分(湿気)や酸素
の量を十分に小にすることができ、これにより水分(湿
気)や酸素による有機EL素子部3の劣化を十分防止す
ることができる。このようにして貼設を行うと、貼設に
伴って接着剤4が押し潰され、これにより封止空間の容
積が減少しても、封止空間はもともと高真空度にあるこ
とから、影響を及ぼすような封止空間の内圧上昇が起こ
らない。
圧)に戻し、あるいは圧着硬化室となる別の真空チャン
バー6に移動し、そこで常圧(大気圧)雰囲気とする。
すると、基板2と封止部材5とは、接着剤4に囲まれた
封止空間が高真空度に保持され、一方接着剤4の外側
(封止空間の外側)は大気圧となっていることから、図
2(b)に示すようにその内外圧差により、可撓性の封
止部材5はその内側、すなわち封止空間の容積を小にす
る方向に撓む。その後、この状態で接着剤4を、例えば
紫外線を照射することによって硬化させ、これにより有
機EL素子部3を収容する封止空間の封止を終了する。
ように基板2に接着剤4を介して封止部材5を貼設した
際、封止空間の内圧上昇が起こらないことから、内圧の
上昇に伴う封止ライン形状の不均一化や、得られる製品
間における接着強度のバラツキ、さらには封止空間内の
気体が接着剤に孔(気道)を作って抜け出てしまうなど
といった問題を防止することができる。また、この状態
から雰囲気の圧力を常圧に向けて高めるので、封止空間
の内圧と外圧とに大きな差が生じるものの、封止部材が
基板側に撓んで封止空間の容積を小さくすることによ
り、前記の内外圧差が吸収され、結果的に封止空間内は
その真空が維持される。したがって、得られる製品はそ
の封止空間の内圧が真空を維持していることにより、長
寿命化が図られているとともに、製品間での内圧のバラ
ツキがほとんどなくなり、よって内圧のバラツキに起因
する装置寿命のバラツキを抑えることができる。
ることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更
が可能である。例えば、接着剤4の粘度が高く、流動性
が低くて基板2の重さだけでは十分に広がらない場合、
前述のごとく接着剤4を加熱するのに代え、図4に示す
ように基板2の上に適宜な重さを有する加圧体10を載
せる。これにより、基板2と封止部材5とを近接させる
方向に力を加え、接着剤4を押し潰して広げるようにし
てもよい。
接着剤の厚さ(高さ)を薄く(低く)することができる
ことから、接着剤4の接着性を良好にすることができる
とともに、有機ELパネルの薄厚化を図ることができ
る。ここで、前記加圧体10としては、ガラス板等の透
明の平板を用いるのが好ましく、このような透明体を用
いることにより、例えば接着剤4への紫外線の照射が妨
げられることなく良好に行えるようになる。
ものを用いる場合、例えば図5に示すように接着剤4と
接触する箇所5aの厚さを、接着剤4と接触しない箇所
5bの厚さに比べ薄く形成するのが好ましい。このよう
にすれば、接着剤4の厚さを封止部材4の箇所5aと5
bとの厚さの差で吸収することができることから、この
吸収した厚さ分、有機ELパネル1の薄厚化を図ること
ができる。
に囲まれる位置に、乾燥剤を設けておくようにしてもよ
い。乾燥剤としては、封止空間内の雰囲気下で吸湿効果
を発揮するものであれば、特に限定されることはなく、
例えば酸化ナトリウム(Na 2 O)、酸化カリウム(K
2 O)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(B
aO)、酸化マグネシウム(MgO)、硫酸リチウム
(Li2 SO4 )、硫酸ナトリウム(Na2 SO4 )、
硫酸カルシウム(CaSO4 )、硫酸マグネシウム(M
gSO4 )、硫酸コバルト(CoSO4 )、硫酸ガリウ
ム(Ga2 (SO 4 )3 )、硫酸チタン(Ti(SO
4 )2 )、硫酸ニッケル(NiSO4 )、塩化カルシウ
ム(CaCl2 )、塩化マグネシウム(MgCl2 )、
塩化ストロンチウム(SrCl2 )、塩化イットリウム
(YCl3 )、塩化銅(CuCl2 )、フッ化セシウム
(CsF)、フッ化タンタル(TaF5 )、フッ化ニオ
ブ(NbF5 )、臭化カルシウム(CaBr2 )、臭化
セリウム(CeBr3 )、臭化セレン(SeBr4 )、
臭化バナジウム(VBr2 )、臭化マグネシウム(Mg
Br2 )、ヨウ化バリウム(BaI2 )、ヨウ化マグネ
シウム(MgI2 )、過塩素酸バリウム(Ba(ClO
4 )2 )、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO 4 )
2 )等が挙げられる。また、このような乾燥剤を封止部
材5に設ける方法としては、例えば真空蒸着法やスピン
コート法、インクジェット法などの成膜法や塗布法(付
着法)あるいは、シート上に形成された乾燥剤を貼り付
ける方法などが採用可能である。
後、製品の封止空間内に水分(湿気)が入り込んでも、
これを乾燥剤で吸収することができ、これにより有機E
L素子部3への水分の影響を抑えることができる。な
お、このように封止部材5の内面に乾燥剤を設ける場
合、この乾燥剤が有機EL素子部3に直接接触するのを
避けるため、有機EL素子部3上に保護膜を形成してお
くのが好ましい。また、有機EL素子部3の上にガスバ
リア層を形成しておくことにより、より確実に水分(湿
気)や酸素などを遮断するようにしてもよい。
ものを用いることもできる。その場合、封止部材5は可
撓性があることから、スクライブブレイクやレーザブレ
イクを行うのが困難である場合がある。そこで、その場
合には、封止部材5については単一のパネルサイズのも
のを用い、基板のみをブレイクするのが好ましい。この
ように多数個取りの大型の基板を用いた場合、前述した
ように接着剤4による封止ライン形状の不均一化が防止
されていることにより、接着剤4が基板のブレイクライ
ンにまではみ出ることがなく、したがって接着剤4が広
がりすぎてブレイクラインにまではみ出、これによって
ブレイクに支障をきたすといった不都合を防止すること
ができる。また、上述の実施形態では、本発明エレクト
ロルミネッセンス装置を有機ELパネルに適用した場合
について説明したが、他に例えば、無機EL装置に適用
することもできる。
る。本発明の電子機器は、前記のエレクトロルミネッセ
ンス装置、例えば図1に示した有機ELパネルを表示手
段として用いたものである。図6(a)は、携帯電話の
一例を示した斜視図である。図6(a)において、50
0は携帯電話本体を示し、501は前記の有機ELパネ
ルからなる表示装置(表示手段)を示している。図6
(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装
置の一例を示した斜視図である。図6(b)において、
600は情報処理装置、601はキーボードなどの入力
部、603は情報処理本体、602は前記の有機ELパ
ネルからなる表示装置(表示手段)を示している。図6
(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図であ
る。図6(c)において、700は時計本体を示し、7
01は前記の有機ELパネルからなる表示装置(表示手
段)を示している。図6(a)〜(c)に示す電子機器
は、前記の有機ELパネルを表示装置(表示手段)とし
て用いたものであるので、装置寿命のバラツキが抑制さ
れた良好なものとなる。
ルミネッセンス装置によれば、封止部材として非ガス透
過性で可撓性の材料のものを用いているので、これらと
接着剤とに囲まれた封止空間の内圧と外圧との差が製造
時に変化しても、封止部材が撓むことによって前記の内
外圧差を吸収することができ、これにより製品間での内
圧のバラツキに起因する装置寿命のバラツキを抑制する
ことができる。
製造方法によれば、真空雰囲気中にて、基板の一方の面
に、エレクトロルミネッセンス素子部を囲むように設け
られた未硬化の接着剤を介して封止部材を配置し、封止
するので、接着に伴って接着剤が押し潰されることによ
り封止空間の容積が減少しても、封止空間はもともと真
空であることから、影響を及ぼすような封止空間の内圧
上昇が起こらない。したがって、内圧の上昇に起因して
接着剤が不均一に押し広げられ、封止部材と基板とを接
合する封止ラインの形状が不均一になってしまい、これ
により接着強度にバラツキが生じてしまうことを防止す
ることができる。また、封止空間内の気体が接着剤に孔
(気道)を作って抜け出てしまうといったこともないた
め、この孔(気道)に起因する不都合も回避することが
できる。また、この状態から雰囲気の圧力を常圧に向け
て高めるので、封止空間の内圧と外圧とに大きな差が生
じるものの、封止部材が基板側に撓んで封止空間の容積
を小さくすることにより、前記の内外圧差が吸収され、
結果的に封止空間内は真空が維持される。したがって、
得られる製品はその封止空間の内圧が真空を維持してい
ることにより、長寿命化が図られているとともに、製品
間での内圧のバラツキがほとんどなくなり、よって内圧
のバラツキに起因する装置寿命のバラツキを抑えること
ができる。
法が用いられてなることにより、装置寿命のバラツキが
抑制された良好なものとなる。
機ELパネルに適用した場合の一実施形態例の概略構成
を示す側断面図である。
法の一例を工程順に説明するための側断面図である。
面図である。
るための側断面図である。
例を説明するための側断面図である。
(a)は携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、
(b)は情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視
図、(c)は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を
示す斜視図である。
置)、2…基板、3…有機EL素子部(エレクトロルミ
ネッセンス素子部)、4…接着剤、5…封止部材
Claims (15)
- 【請求項1】 一方の面にエレクトロルミネッセンス素
子部を形成した基板と、 前記エレクトロルミネッセンス素子部を囲むように設け
られた接着剤を介して、前記基板に接着された封止部材
と、 を有し、 前記封止部材は、非ガス透過性で可撓性の材料からなる
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項2】 前記接着剤が、エレクトロルミネッセン
ス素子部に対して二重あるいはそれ以上に囲んでいるこ
とを特徴とする請求項1記載のエレクトロルミネッセン
ス装置。 - 【請求項3】 前記封止部材は、接着剤と接触している
箇所の厚さが接触していない箇所の厚さに比べ薄く形成
されていることを特徴とする請求項1又は2記載のエレ
クトロルミネッセンス装置。 - 【請求項4】 前記封止部材における、前記エレクトロ
ルミネッセンス素子部に対向する面の、前記接着剤に囲
まれた位置に、乾燥剤が設けられていることを特徴とす
る請求項1〜3のいずれかに記載のエレクトロルミネッ
センス装置。 - 【請求項5】 前記接着剤は、光硬化型樹脂からなるこ
とを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のエレク
トロルミネッセンス装置。 - 【請求項6】 エレクトロルミネッセンス素子部を形成
した基板の一方の面に、接着剤を介して封止部材を接着
し、エレクトロルミネッセンス装置を製造する方法であ
って、 真空雰囲気中にて、前記基板の一方の面に、前記エレク
トロルミネッセンス素子部を囲むように設けられた未硬
化の接着剤を介して非ガス透過性で可撓性の材料からな
る封止部材を配置する工程と、 前記封止部材を配置する工程の後、前記基板が配置され
た室内の雰囲気の圧力を高める工程と、 雰囲気の圧力を高めた後、前記未硬化の接着剤を硬化さ
せる工程と、 を備えてなることを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記真空雰囲気を10-5Pa以下の真空
度とすることを特徴とする請求項6記載のエレクトロル
ミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項8】 前記封止部材を配置する工程において、
前記接着剤を加熱し、その粘度を低下させることを特徴
とする請求項6又は7記載のエレクトロルミネッセンス
装置の製造方法。 - 【請求項9】 前記封止部材および前記基板の少なくと
も一方を加熱用プレートに接触させることにより、接着
剤を加熱することを特徴とする請求項8記載のエレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項10】 前記接着剤を硬化させる工程におい
て、前記基板および前記封止部材の少なくとも一方に対
し、これらが近接する方向に外力を加えることを特徴と
する請求項6〜9のいずれかに記載のエレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。 - 【請求項11】 前記接着剤がエレクトロルミネッセン
ス素子部に対して二重あるいはそれ以上に囲むように、
該接着剤を配置することを特徴とする請求項6〜10の
いずれかに記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造
方法。 - 【請求項12】 前記封止部材は、接着剤と接触する箇
所の厚さが接触しない箇所の厚さに比べ薄く形成されて
なることを特徴とする請求項6〜11のいずれかに記載
のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項13】 封止部材における、前記エレクトロル
ミネッセンス素子部に対向する面の、前記接着剤に囲ま
れる位置に、乾燥剤を設けることを特徴とする請求項6
〜12のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス装
置の製造方法。 - 【請求項14】 前記接着剤として、光硬化型樹脂から
なる接着剤を用いることを特徴とする請求項6〜13の
いずれかに記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造
方法。 - 【請求項15】 請求項1〜5のいずれかに記載のエレ
クトロルミネッセンス装置を表示手段とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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---|---|
JP2003297557A true JP2003297557A (ja) | 2003-10-17 |
JP4089263B2 JP4089263B2 (ja) | 2008-05-28 |
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---|---|
JP4089263B2 (ja) | 2008-05-28 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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